JP2000077361A - 半導体ウエハのダイシング方法 - Google Patents

半導体ウエハのダイシング方法

Info

Publication number
JP2000077361A
JP2000077361A JP24222398A JP24222398A JP2000077361A JP 2000077361 A JP2000077361 A JP 2000077361A JP 24222398 A JP24222398 A JP 24222398A JP 24222398 A JP24222398 A JP 24222398A JP 2000077361 A JP2000077361 A JP 2000077361A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dicing
semiconductor wafer
sheet
cut
adhesive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP24222398A
Other languages
English (en)
Inventor
Kiyohisa Ota
清久 太田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP24222398A priority Critical patent/JP2000077361A/ja
Publication of JP2000077361A publication Critical patent/JP2000077361A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウエハから精度よく個々の半導体チッ
プを切出す。 【解決手段】 （１）に示すように、半導体ウエハ１１
を未硬化のＵＶ硬化シート１２に貼付け、（２）に示す
ように紫外線照射で硬化させる。ＵＶ硬化シート１２が
硬化しているので、（３）に示すようにダイシングブレ
ード１３でダイシングを行う際に、ＵＶ硬化シート１２
まで切込むフルダイシングを行って、切離される発光ダ
イオードチップ１４の側面が平坦かつＰＮ接合部に垂直
となるように精度よく切断することができる。多数の発
光ダイオードチップ１４を、チップ横置き方式でプリン
ト配線基板などに実装すると、ＰＮ接合部が基板面に垂
直になるので、発光強度が均一になる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハから
個々のチップを切り離す半導体ウエハのダイシング方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、各種半導体素子は、半導体ウ
エハ上に複数個を同時に形成し、ダイシング工程で個々
の素子をチップに切り離し、パッケージ封入などの工程
を経て製造されている。
【０００３】図８は、従来からの一般的なダイシングの
状態を示す。図８（１）は発光表示用の発光ダイオード
素子が複数個同時に形成されている半導体ウエハを切断
している状態を示し、図８（２）は切断された発光ダイ
オードの半導体チップを示す。ダイシングの対象となる
半導体ウエハ１は、裏面側が貼付シート２に貼付けら
れ、ダイシングブレード３で切断される。貼付シート２
は、紫外線（以下、「ＵＶ」と略称することがある）硬
化型、または熱硬化型の粘着剤層が表面に形成されてい
る合成樹脂フィルムであり、半導体ウエハ１の裏面に貼
付けて、ダイシングの際に切離された半導体チップを保
持することができる。ダイシングブレード３は、薄い可
撓性がある円板状の基体に、ダイヤモンドなどのように
硬質な研削材の粒子を付着させて形成され、周縁部は先
細状になっている。
【０００４】一般には、図８（１）に示すように、「セ
ミフルダイス」と呼ばれる方法で半導体ウエハ１が切断
される。ダイシングブレード３は半導体ウエハ１の厚み
の全部を切断するのではないので、図８（２）に示すよ
うに、切離される発光ダイオードチップ４の底面の形状
は台形となる。このようなセミフルダイスのダイシング
では、最終的な半導体チップの切り離しを、残存部分を
折り曲げることなどによって行うことができる。しかし
ながら、図８（２）に示すように、底面にバリができる
ような形状となる。
【０００５】半導体ウエハ１の厚さは、たとえば標準
（Typ.）で２８０μｍである。したがって、発光ダイオ
ードチップ４の高さＨは標準で２８０μｍとなる。バリ
の高さＤは、約２０μｍ程度となる。半導体ウエハ１か
らダイシングによって切出す半導体素子としては、発光
ダイオードチップ４の他に、各種トランジスタなどの半
導体回路素子、あるいは半導体集積回路などがある。半
導体ウエハ１から切り離される発光ダイオードチップ４
は、たとえば特開平６−１７７４３５に示すように、Ｐ
Ｎ接合部５が基板に垂直となるように実装される場合が
ある。そのような発光ダイオードチップ４は、図８
（１）の状態では側面となる部分が、基板に載置され、
また真空コレットで吸着されて取扱われる。
【０００６】なお半導体ウエハのダイシングに関連する
先行技術は、特開平６−８５０５７や特開平９−１７７
５２などにも開示されている。特開平６−８５０５７に
は、ダイシングブレードで半導体ウエハを切断するダイ
シングラインに沿って紫外線硬化性樹脂膜を形成してお
き、ダイシングの際に受ける機械的衝撃を緩和し、チッ
ピングクラックの発生を防ごうとしている。特開平９−
１７７５２の先行技術では、ダイシングブレードで切断
する半導体ウエハの裏面側に接着しているダイシングテ
ープの接着剤層を、紫外線を照射して接着力を低下させ
ながら切断し、切断屑の洗浄が容易に行えるようにして
いる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図８（１）に示すよう
に、「セミフルダイス」方式のダイシングで図８（２）
に示すような台形の発光ダイオードチップ４を形成する
と、図９に示すように、いわゆるチップ横置き方式で、
ＰＮ接合部５をプリント配線基板６の表面に垂直な状態
で実装しようとするとき支障が生じる。すなわち図８
（１）に示す半導体ウエハ１の状態の表面と裏面とに電
極を形成しておき、プリント配線基板６の配線パターン
７間に発光ダイオードチップ４をＰＮ接合部５がプリン
ト配線基板６の表面に垂直となるように載置し、配線パ
ターン７と発光ダイオードチップ４の電極との間を半田
などの導電剤８で接合する実装形態では、バリ９のため
にＰＮ接合部５が傾斜してしまう。発光ダイオードチッ
プ４では、ＰＮ接合部５と平行な方向に光量が強くなる
ので、ＰＮ接合部５が傾斜していると、複数の発光ダイ
オードチップ４を実装するプリント配線基板６の全体と
しては均一な発光が得られなくなってしまう。
【０００８】図１０は図８に示すように半導体ウエハ１
の厚み方向の途中までしか切断しない方式ではなく、半
導体ウエハ１の厚み全体を切断する「フルダイス」を行
った状態を示す。貼付シート２は、表面に形成されてい
る粘着剤層で半導体ウエハ１の裏面を粘着し、機械的に
保持している。ダイシングブレード３の先端を貼付シー
ト２内に切込ませて、ダイシングブレード３の側面で半
導体ウエハ１を切断するようにすれば、側面を平面に切
断することができる。しかしながら、粘着剤がゲル状の
ために、ダイシングブレード３から受けるストレスによ
って、粘着剤が地盤沈下し、切り離される半導体チップ
が傾いて切断精度が悪くなってしまう恐れがある。バリ
が生じなくても、傾いた面を図９に示すようなプリント
配線基板６に載置すると、ＰＮ接合部５は図９と同様に
傾斜してしまう。
【０００９】特開平６−８５０５７の先行技術のよう
に、半導体ウエハの表面側に紫外線硬化性樹脂膜を形成
しても、半導体ウエハの裏面側で生じる問題を解決する
ことはできない。また特開平９−１７７５２の先行技術
のようにダイシングの際に接着剤の接着力を低下させる
と、図１０に示すような切断精度の劣化を一層助長する
と考えられる。
【００１０】本発明の目的は、半導体ウエハから精度よ
く個々の半導体チップを切出すことができる半導体ウエ
ハのダイシング方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数のチップ
が形成される半導体ウエハを切断して、個々のチップを
切出す半導体ウエハのダイシング方法において、半導体
ウエハの一方表面側を未硬化のシート粘着材に貼付け、
シート粘着材を硬化させた後、ダイシングブレードで他
方表面側から半導体ウエハをダイシングすることを特徴
とする半導体ウエハのダイシング方法である。
【００１２】本発明に従えば、半導体ウエハの一方表面
側を未硬化のシート粘着材に貼付け、シート粘着材を硬
化させた後、半導体ウエハの他方表面側からダイシング
ブレードで半導体ウエハを切断し、個々のチップを切出
す。ダイシングブレードによる切断の際には、シート粘
着材が硬化しているので、切断される半導体チップがダ
イシングブレードから受ける力によって変位しないよう
にシート粘着材によって支えられ、切断精度の向上を図
ることができる。
【００１３】また本発明で前記シート粘着材は、紫外線
硬化性であり、紫外線を照射して硬化させることを特徴
とする。
【００１４】本発明に従えば、シート粘着材は紫外線硬
化性であるので、半導体ウエハを貼付けた後、紫外線を
照射することによって容易に硬化させることができる。
【００１５】また本発明で前記シート粘着材は、熱硬化
性であり、加熱して硬化させることを特徴とする。
【００１６】本発明に従えば、シート粘着材は熱硬化性
であるので、半導体ウエハを貼付けた後、全体を加熱す
ることによって容易に硬化させることができる。
【００１７】また本発明で前記ダイシングは、半導体ウ
エハの前記他方表面から前記一方表面まで１回で切断す
るフルダイシングによって行うことを特徴とする。
【００１８】本発明に従えば、ダイシングブレードで半
導体ウエハを切断する際に、半導体ウエハの他方表面か
らシート粘着材に貼付けられる表面まで１回で切断し、
良好な側面の形状を得ることができる。
【００１９】また本発明で前記ダイシングは、ダイシン
グブレードの先端を前記シート粘着材中に切り込ませ、
ダイシングブレードの側面の平坦な部分で半導体ウエハ
を切断するように行うことを特徴とする。
【００２０】本発明に従えば、ダイシングブレードの側
面の平坦な部分で半導体ウエハを切断するので、切断さ
れた半導体チップの側面として、平坦な側面を得ること
ができる。
【００２１】また本発明で前記シート粘着材は、半導体
ウエハの付着強度が予め定める強度に低下するまで硬化
させることを特徴とする。
【００２２】本発明に従えば、シート粘着材を硬化させ
るとともに、半導体ウエハの付着強度が予め定める強度
に低下するので、切断後の半導体チップを容易にシート
粘着材から剥離させることができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施の一形態の
ダイシング方法の概要を示す。図１（１）では、半導体
ウエハ１１を紫外線を照射することによって硬化する未
硬化のＵＶ硬化シート１２に貼付ける状態を示す。図１
（２）は、半導体ウエハ１１を貼付けたＵＶ硬化シート
１２の裏面側から、紫外線を照射してＵＶ硬化シート１
２を硬化させている状態を示す。図１（３）は、半導体
ウエハ１１の表面側からダイシングブレード１３で半導
体ウエハ１１を切断するダイシングの状態を示す。半導
体ウエハ１１にはウエハプロセスで複数の発光ダイオー
ドチップ１４が形成され、ダイシングによって個々の発
光ダイオードチップ１４に切り離される。
【００２４】本実施形態で、半導体ウエハ１１の厚みは
３００μｍ程度であり、シート粘着材であるＵＶ硬化シ
ート１２は株式会社古河電工製のＵＣ−１００Ｍで、接
着剤の厚みが２０μｍで、基材となるフイルムの厚みは
１００μｍである。図１（２）で照射する紫外線の光強
度は、１００ｍｊ／ｃｍ2としている。このときＵＶ硬
化シート１２の粘着力は、紫外線の照射前に１０００ｇ
ｆ／２５ｍｍであり、紫外線照射後は１７ｇｆ／２５ｍ
ｍ程度に低下する。粘着力は、ＳＵＳ２８０に対する粘
着力であり、ＪＩＳに規定されている測定方法にしたが
って求めている。
【００２５】図１（３）のダイシングでは、半導体ウエ
ハ１１がＵＶ硬化シート１２に付着したままの状態で、
フルダイシングを行っている。ＵＶ硬化シート１２の粘
着剤層は、紫外線照射によって硬化されている。ダイシ
ングの条件は、ダイシングブレード１３として、株式会
社ディスコ製で、製品型番ＮＢＣ−ＺＢ ２０５０ ５
０、６Ｘ０，０３Ｘ４を用いている。ＵＶ硬化シート１
２は、紫外線照射で硬化させると、粘着力は低下する。
この粘着力が１０〜５０ｇｆ／２５ｍｍの範囲でダイシ
ングを行うことが好ましいと判明している。
【００２６】図２は、ダイシングの際におけるダイシン
グブレード１３と半導体ウエハ１１およびＵＶ硬化シー
ト１２の関係を示す。ＵＶ硬化シート１２の粘着剤１５
の表層の厚さＴ１は、たとえば２０μｍであり、フイル
ムの厚みは前述のように１００μｍであるので、貼付シ
ート１２全体の厚みＴｔ＝１２０μｍである。ダイシン
グブレード１３の先端は、ＵＶ硬化シート１２中に６０
μｍまで切込まれている。ＵＶ硬化シート１２は、Ｔ２
＝４０μｍの切り残しができる。ダイシングブレード１
３は、ＵＶ硬化シート１２を粘着剤１５の層よりもさら
に下方まで、８０μｍだけ切断しているので、ダイシン
グブレード１３の先端付近の先細状の部分は半導体ウエ
ハ１１の切断部分にはかからず、半導体ウエハ１１の切
断面を平面にすることができる。なおダイシング速度
は、５ｍｍ／ｓｅｃとする。
【００２７】図３は、本発明の実施の他の形態としての
ダイシングの概要を示す。図３（１）に示すように、本
実施形態で半導体ウエハ１１は、未硬化の熱硬化シート
２２に貼付けられる。シート粘着材である熱硬化シート
２２は、加熱によって硬度が上昇する材料であり、図３
（１）で貼付けた後、図３（２）でホットプレート２３
で加熱し、熱硬化シート２２を硬化させている状態を示
す。ホットプレート２３は、内部にヒータなどの加熱源
が収納されている。熱硬化シート２２が硬化して粘着力
が１０〜５０ｇｆ／２５ｍｍに低下した後で、図３
（３）に示すように、図１（３）と同様にダイシングを
行い、個々の発光ダイオードチップ１４を得ることがで
きる。
【００２８】図１の実施形態または図３に示す実施形態
では、ダイシングの際に図４に示すようなフルダイシン
グを行う。本実施形態では、ＵＶ硬化シート１２または
熱硬化シート２２が紫外線の照射または加熱で硬化して
いるので、ダイシングブレード１３の先端２５がＵＶ硬
化シート１２または熱硬化シート２２中に切込まれて寸
法精度が悪化することなく、切断面である発光ダイオー
ドチップ１４の側面２６が平坦で、かつ、」半導体ウエ
ハ１１の表面に対して垂直となるように得られる。ま
た、ＵＶ硬化シート１２または熱硬化シート２２の粘着
力は低下しているので、切離した後の発光ダイオード１
４を分離する作業が容易となる。
【００２９】図５は、フルダイシングの深さに付いての
概念を示す。ダイシングブレード１３の先端２５がＵＶ
硬化シート１２または熱硬化シート２２中に切込む深さ
Ｔ３は、切離された発光ダイオードチップ１４としての
側面２６が平坦となることが望ましい。必要な深さは、
ダイシングブレード１３の形状によっても変る。前述の
条件下では、Ｔ３≧３０μｍであることが判明してい
る。すなわち、ダイシングブレード１３の下端が、半導
体ウエハ１１の裏面から３０μｍよりも下になるような
ダイシング方法が望ましいことになる。したがって、ダ
イシングブレード１３の先端２５が摩耗して、ダイシン
グブレード１３の径が小さくなるようなときには、ダイ
シングブレード１３の切込み深さの調整を行い、不足し
ないようにする必要がある。
【００３０】図６および図７は、図１または図３の実施
形態でダイシングを行った発光ダイオードチップ１４
を、いわゆるチップ横置き状態で、配線パターン２７間
に導電剤２８で接合し、プリント配線基板２９上に実装
する状態を示す。図６は斜視した状態、図７は断面視し
た状態をそれぞれ示す。各実施形態でダイシングした発
光ダイオードチップ１４は、側面２６が平坦かつＰＮ接
合部１５に垂直であるので、プリント配線基板２９の表
面に対して垂直な方向への発光強度を高めることができ
る。したがって、プリント配線基板２９の表面に、多数
の発光ダイオードチップ１４を実装して発光表示装置な
どを構成しても、発光強度が高い方向を均一にして、高
品位の表示を行うことができる。なお、導電剤２８とし
ては、はんだなどの低融点金属のろう材や、導電性樹脂
などを用いることができる。
【００３１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、半導体ウ
エハを貼付けるシート粘着材を硬化させてからダイシン
グブレードによる半導体ウエハの切断を行うので、切り
離された半導体チップがシート粘着材側に確実に保持さ
れ、切断精度を向上させることができる。
【００３２】また本発明によれば、紫外線によってシー
ト粘着材を硬化させ、半導体ウエハの切断を精度よく行
うことができる。
【００３３】また本発明によれば、加熱によってシート
粘着材を硬化させ、半導体ウエハの切断を精度よく行う
ことができる。
【００３４】また本発明によれば、ダイシングでは半導
体ウエハの全断面を１回で切断するフルダイシングを行
うので、側面の形状が平坦に近い半導体チップを得るこ
とができる。
【００３５】また本発明によれば、ダイシングブレード
の先端をシート粘着材中に切込ませて、ダイシングブレ
ードの側面の平坦な部分で半導体ウエハを切断するの
で、半導体チップのダイシング切断面が平面となり、側
面側を基板に載置するような実装の際にも真空コレット
で確実に吸着して、精度よく実装することができる。ま
たダイシングブレードの先端をシート粘着材中に切込ま
せているので、ダイシングブレードが磨耗して径が小さ
くなるようなことがあっても、確実に半導体チップの側
面を切断し、半導体チップの分離を確実に行うことがで
きる。
【００３６】また本発明によれば、半導体ウエハの付着
強度が予め定める強度に低下するまで硬化させるので、
硬化後のシート粘着材から半導体チップを容易に剥離す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態でのダイシングの概要を
示す簡略化した断面図である。
【図２】図１の実施形態で行うフルダイシングの状態を
示す部分的な断面図である。
【図３】本発明の実施の他の形態でのダイシングの概要
を示す簡略化した断面図である。
【図４】図１または図３の実施形態で、ダイシングブレ
ード１３の側面で平坦に切断する状態を示す部分的な断
面図である。
【図５】図１または図３の実施形態でのフルダイシング
の概念を示す部分的な断面図である。
【図６】図１または図３の実施形態でダイシングした発
光ダイオードチップ１４を横置き方式で実装する状態を
示す斜視図である。
【図７】図１または図３の実施形態でダイシングした発
光ダイオードチップ１４を横置き方式で実装する状態を
示す断面図である。
【図８】従来からのダイシングの概要を示す簡略化した
断面図である。
【図９】図８でダイシングした発光ダイオードチップ４
を横置き方式で実装する状態を示す断面図である。
【図１０】従来からのダイシングの方式でフルダイシン
グする際に生じる問題を示す部分的な断面図である。
【符号の説明】
１１ 半導体ウエハ １２ ＵＶ硬化シート １３ ダイシングブレード １４ 発光ダイオードチップ １５ 粘着剤 ２２ 熱硬化シート ２５ 先端 ２６ 側面 ２９ プリント配線基板

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数のチップが形成される半導体ウエハ
    を切断して、個々のチップを切出す半導体ウエハのダイ
    シング方法において、 半導体ウエハの一方表面側を未硬化のシート粘着材に貼
    付け、 シート粘着材を硬化させた後、ダイシングブレードで他
    方表面側から半導体ウエハをダイシングすることを特徴
    とする半導体ウエハのダイシング方法。
  2. 【請求項２】 前記シート粘着材は、紫外線硬化性であ
    り、紫外線を照射して硬化させることを特徴とする請求
    項１記載の半導体ウエハのダイシング方法。
  3. 【請求項３】 前記シート粘着材は、熱硬化性であり、
    加熱して硬化させることを特徴とする請求項１記載の半
    導体ウエハのダイシング方法。
  4. 【請求項４】 前記ダイシングは、半導体ウエハの前記
    他方表面から前記一方表面まで１回で切断するフルダイ
    シングによって行うことを特徴とする請求項１〜３のい
    ずれかに記載の半導体ウエハのダイシング方法。
  5. 【請求項５】 前記ダイシングは、ダイシングブレード
    の先端を前記シート粘着材中に切り込ませ、ダイシング
    ブレードの側面の平坦な部分で半導体ウエハを切断する
    ように行うことを特徴とする請求項４記載の半導体ウエ
    ハのダイシング方法。
  6. 【請求項６】 前記シート粘着材は、半導体ウエハの付
    着強度が予め定める強度に低下するまで硬化させること
    を特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体ウ
    エハのダイシング方法。
JP24222398A 1998-08-27 1998-08-27 半導体ウエハのダイシング方法 Pending JP2000077361A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24222398A JP2000077361A (ja) 1998-08-27 1998-08-27 半導体ウエハのダイシング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24222398A JP2000077361A (ja) 1998-08-27 1998-08-27 半導体ウエハのダイシング方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000077361A true JP2000077361A (ja) 2000-03-14

Family

ID=17086073

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24222398A Pending JP2000077361A (ja) 1998-08-27 1998-08-27 半導体ウエハのダイシング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000077361A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001082352A1 (fr) * 2000-04-26 2001-11-01 Lintec Corporation Materiau de renfort d'une plaquette de silicium et procede de fabrication d'un microcircuit integre a l'aide de ce materiau
WO2003049165A1 (fr) * 2001-12-06 2003-06-12 Hitachi Chemical Co.,Ltd. Procede de fabrication de dispositif optique et dispositif optique correspondant
JP2005191405A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd チップ形電子部品の製造方法
CN106229286A (zh) * 2016-08-30 2016-12-14 浙江中纳晶微电子科技有限公司 薄工件临时键合的加工方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001082352A1 (fr) * 2000-04-26 2001-11-01 Lintec Corporation Materiau de renfort d'une plaquette de silicium et procede de fabrication d'un microcircuit integre a l'aide de ce materiau
US6765289B2 (en) 2000-04-26 2004-07-20 Lintec Corporation Reinforcement material for silicon wafer and process for producing IC chip using said material
WO2003049165A1 (fr) * 2001-12-06 2003-06-12 Hitachi Chemical Co.,Ltd. Procede de fabrication de dispositif optique et dispositif optique correspondant
US7109053B2 (en) 2001-12-06 2006-09-19 Hitachi Chemical Co., Ltd. Method for preparing optical device by dicing
JP2005191405A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd チップ形電子部品の製造方法
JP4635436B2 (ja) * 2003-12-26 2011-02-23 パナソニック株式会社 チップ形電子部品の製造方法
CN106229286A (zh) * 2016-08-30 2016-12-14 浙江中纳晶微电子科技有限公司 薄工件临时键合的加工方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5608521B2 (ja) 半導体ウエハの分割方法と半導体チップ及び半導体装置
US7566638B2 (en) Method of dicing a semiconductor device into plural chips
KR100655035B1 (ko) 반도체 장치의 제조방법
JP5645678B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH11204551A (ja) 半導体装置の製造方法
JP5165207B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2006332078A (ja) 半導体チップの製造方法
JP2008251794A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2005167024A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2007048876A (ja) 半導体装置の製造方法
JP4296052B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US11145515B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device with attached film
US7262114B2 (en) Die attaching method of semiconductor chip using warpage prevention material
KR20100066384A (ko) 반도체 기판의 저면 및 측면을 수지 보호막으로 덮은 반도체 장치의 제조방법
JP2009088109A (ja) 半導体装置およびその製造方法
WO2018043008A1 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2000077361A (ja) 半導体ウエハのダイシング方法
JP2006294685A (ja) 裏面金属膜を有する半導体チップの製造方法及びそれにより得られた半導体チップ
JP4553878B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3528412B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2003318205A (ja) ダイシング済みウェハのフィルム状ダイボンディング材貼付け方法
EP1402572B1 (en) Method for producing miniature amplifier and signal processing unit
JP2000294521A (ja) 電子素子の製造方法
JP2005101182A (ja) 半導体チップの製造方法
JP2020092191A (ja) デバイスチップの製造方法