JP2003026777A - ヒートシンク形成用樹脂組成物および電子部品封止装置 - Google Patents
ヒートシンク形成用樹脂組成物および電子部品封止装置Info
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- JP2003026777A JP2003026777A JP2001220771A JP2001220771A JP2003026777A JP 2003026777 A JP2003026777 A JP 2003026777A JP 2001220771 A JP2001220771 A JP 2001220771A JP 2001220771 A JP2001220771 A JP 2001220771A JP 2003026777 A JP2003026777 A JP 2003026777A
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- resin
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属製ヒートシンクを使用せずに、フレーム
下面に直接ヒートシンクを形成可能な熱伝導性に優れた
熱伝導率２．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上のヒートシンク形成用樹
脂組成物および電子部品封止装置を提供する。 【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹
脂、（Ｃ）窒化アルミニウムからなる無機充填剤を必須
成分とし、前記（Ｃ）窒化アルミニウムからなる無機充
填剤を組成物に対して７０〜９５重量％で含有し、成形
体熱伝導率が２．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるヒートシンク
形成用樹脂組成物である。また、このヒートシンク形成
用樹脂組成物をフレーム(1) 下面にトランスファモール
ドすることにより、ヒートシンク(4) を形成し、更に封
止用樹脂組成物により素子を樹脂封止(3) してなる電子
部品封止装置である。
下面に直接ヒートシンクを形成可能な熱伝導性に優れた
熱伝導率２．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上のヒートシンク形成用樹
脂組成物および電子部品封止装置を提供する。 【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹
脂、（Ｃ）窒化アルミニウムからなる無機充填剤を必須
成分とし、前記（Ｃ）窒化アルミニウムからなる無機充
填剤を組成物に対して７０〜９５重量％で含有し、成形
体熱伝導率が２．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるヒートシンク
形成用樹脂組成物である。また、このヒートシンク形成
用樹脂組成物をフレーム(1) 下面にトランスファモール
ドすることにより、ヒートシンク(4) を形成し、更に封
止用樹脂組成物により素子を樹脂封止(3) してなる電子
部品封止装置である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属製ヒートシン
クを使用せずに、フレーム下面に樹脂製ヒートシンクの
形成を可能とするヒートシンク形成用樹脂組成物および
該組成物をトランスファーモールドすることによりフレ
ーム下面にヒートシンクを形成し、さらに封止用樹脂組
成物によって素子を樹脂封止した電子部品封止装置に関
する。
クを使用せずに、フレーム下面に樹脂製ヒートシンクの
形成を可能とするヒートシンク形成用樹脂組成物および
該組成物をトランスファーモールドすることによりフレ
ーム下面にヒートシンクを形成し、さらに封止用樹脂組
成物によって素子を樹脂封止した電子部品封止装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】高い放熱性が要求されるパワーモジュー
ル等の電子部品封止装置では、その封止用樹脂に高い熱
伝導性をもたせるとともに、アルミダイカスト等の金属
製ヒートシンクを封止用樹脂と一括成形することが一般
的である。しかし、金属製ヒートシンクと封止用樹脂と
の密着力が低いために、剥離が生じて放熱性が低下した
り、また、熱膨張の違いから発生する応力によりパッケ
ージが反るために、基板との接触面積が低下して放熱性
が低下するなどの問題があった。また、密着力を補うた
め、予め金属フレーム等の基材に接着剤により金属ヒー
トシンクを貼り付けるなどの方法もあるが、熱膨張の違
いから発生するパッケージの反りを低減することは不可
能であった。
ル等の電子部品封止装置では、その封止用樹脂に高い熱
伝導性をもたせるとともに、アルミダイカスト等の金属
製ヒートシンクを封止用樹脂と一括成形することが一般
的である。しかし、金属製ヒートシンクと封止用樹脂と
の密着力が低いために、剥離が生じて放熱性が低下した
り、また、熱膨張の違いから発生する応力によりパッケ
ージが反るために、基板との接触面積が低下して放熱性
が低下するなどの問題があった。また、密着力を補うた
め、予め金属フレーム等の基材に接着剤により金属ヒー
トシンクを貼り付けるなどの方法もあるが、熱膨張の違
いから発生するパッケージの反りを低減することは不可
能であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記欠点を
解消し、上記要望に応えるためになされたもので、フレ
ーム下面に樹脂製ヒートシンクを成形することが可能
な、熱伝導性に優れたヒートシンク形成用樹脂組成物、
および金属製ヒートシンクを使用せずに、放熱性が高
く、パッケージ反りの少ない電子部品封止装置を提供し
ようとするものである。
解消し、上記要望に応えるためになされたもので、フレ
ーム下面に樹脂製ヒートシンクを成形することが可能
な、熱伝導性に優れたヒートシンク形成用樹脂組成物、
および金属製ヒートシンクを使用せずに、放熱性が高
く、パッケージ反りの少ない電子部品封止装置を提供し
ようとするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、樹脂組成物
に、窒化アルミニウムを配合するとともに充填剤の特定
配合を採用することによって、高熱伝導率を有しながら
封止樹脂および金属フレームに熱膨張が近く、また密着
力が強い樹脂組成物が得られ、フレーム下面に直接ヒー
トシンクを樹脂組成物で形成することにより上記目的が
達成されることを見いだし、本発明を完成させたもので
ある。
的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、樹脂組成物
に、窒化アルミニウムを配合するとともに充填剤の特定
配合を採用することによって、高熱伝導率を有しながら
封止樹脂および金属フレームに熱膨張が近く、また密着
力が強い樹脂組成物が得られ、フレーム下面に直接ヒー
トシンクを樹脂組成物で形成することにより上記目的が
達成されることを見いだし、本発明を完成させたもので
ある。
【０００５】即ち、本発明は、（Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）フェノール樹脂および（Ｃ）窒化アルミニウム粉
末からなる無機充填剤を必須成分とし、前記（Ｃ）窒化
アルミニウム粉末からなる無機充填剤を樹脂組成物全体
に対して７０〜９５重量％の割合で含有し、成形体の熱
伝導率が２．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする
ヒートシンク形成用樹脂組成物である。また、このヒー
トシンク形成用樹脂組成物をフレーム下面にトランスフ
ァーモールドすることによりヒートシンクを形成し、さ
らに封止用樹脂組成物によって、素子を樹脂封止してな
ることを特徴とする電子部品封止装置である。
（Ｂ）フェノール樹脂および（Ｃ）窒化アルミニウム粉
末からなる無機充填剤を必須成分とし、前記（Ｃ）窒化
アルミニウム粉末からなる無機充填剤を樹脂組成物全体
に対して７０〜９５重量％の割合で含有し、成形体の熱
伝導率が２．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする
ヒートシンク形成用樹脂組成物である。また、このヒー
トシンク形成用樹脂組成物をフレーム下面にトランスフ
ァーモールドすることによりヒートシンクを形成し、さ
らに封止用樹脂組成物によって、素子を樹脂封止してな
ることを特徴とする電子部品封止装置である。
【０００６】以下、本発明を詳細に説明する。
【０００７】本発明に用いる（Ａ）エポキシ樹脂として
は、その分子中にエポキシ基を少なくとも２個有する化
合物である限り、分子構造および分子量など特に制限は
なく、一般に電子部品封止用材料として使用されるもの
を広く包含することができる。例えば、フェノールノボ
ラック型、ビフェニル型、ビスフェノールＡ型の芳香族
系、シクロヘキサン誘導体等脂肪族系、また、下記一般
式で示される化１のｏ−クレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂、化２のジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂等
が挙げられる。
は、その分子中にエポキシ基を少なくとも２個有する化
合物である限り、分子構造および分子量など特に制限は
なく、一般に電子部品封止用材料として使用されるもの
を広く包含することができる。例えば、フェノールノボ
ラック型、ビフェニル型、ビスフェノールＡ型の芳香族
系、シクロヘキサン誘導体等脂肪族系、また、下記一般
式で示される化１のｏ−クレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂、化２のジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂等
が挙げられる。
【０００８】
【化１】
（但し、式中、ｎは１以上の整数を表す）
【化２】
（但し、式中、ｎは１以上の整数を表す）
これらのエポキシ樹脂は、単独もしくは２種類以上混合
して用いることができる。
して用いることができる。
【０００９】本発明に用いる（Ｂ）フェノール樹脂とし
ては、前記（Ａ）のエポキシ樹脂と反応し得るフェノー
ル性水酸基を２個以上有するものであれば、特に制限す
るものではない。具体的なものとしては、例えば、下記
の一般式に示される化３のノボラック型フェノール樹
脂、化４のジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂等が挙
げられる。
ては、前記（Ａ）のエポキシ樹脂と反応し得るフェノー
ル性水酸基を２個以上有するものであれば、特に制限す
るものではない。具体的なものとしては、例えば、下記
の一般式に示される化３のノボラック型フェノール樹
脂、化４のジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂等が挙
げられる。
【００１０】
【化３】
（但し、式中、ｎは０または１以上の整数を表す）
【化４】
（但し、式中、ｎは０または１以上の整数を表す）
これらのフェノール樹脂は、単独もしくは２種類以上混
合して用いることができる。
合して用いることができる。
【００１１】フェノール樹脂の配合割合は、前述したエ
ポキシ樹脂のエポキシ基（ａ）とフェノール樹脂のフェ
ノール性水酸基（ｂ）との当量比（ａ）／（ｂ）が０．
１〜１０の範囲内であることが望ましい。当量比が０．
１未満あるいは１０を超えると、耐湿性、耐熱性、成形
作業性および硬化物の電気特性が悪くなり、いずれの場
合も好ましくない。従って上記の範囲内に限定するのが
よい。
ポキシ樹脂のエポキシ基（ａ）とフェノール樹脂のフェ
ノール性水酸基（ｂ）との当量比（ａ）／（ｂ）が０．
１〜１０の範囲内であることが望ましい。当量比が０．
１未満あるいは１０を超えると、耐湿性、耐熱性、成形
作業性および硬化物の電気特性が悪くなり、いずれの場
合も好ましくない。従って上記の範囲内に限定するのが
よい。
【００１２】本発明に用いる（Ｃ）の窒化アルミニウム
粉末からなる無機充填剤としては、窒化アルミニウム粉
末またはそれを主成分とする無機充填剤が挙げられる。
（Ｃ）窒化アルミニウム粉末からなる無機充填剤の配合
割合を、全体の樹脂組成物に対して７０〜９５重量％の
割合で含有することが望ましい。その割合が７０重量％
未満では、耐熱性、信頼性および熱伝導率が悪くなり、
また、９５重量％を超えると、かさばりが大きくなり成
形性に劣り実用に適さない。そのような無機充填剤の選
択により、成形体の熱伝導率を２．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上と
することができる。
粉末からなる無機充填剤としては、窒化アルミニウム粉
末またはそれを主成分とする無機充填剤が挙げられる。
（Ｃ）窒化アルミニウム粉末からなる無機充填剤の配合
割合を、全体の樹脂組成物に対して７０〜９５重量％の
割合で含有することが望ましい。その割合が７０重量％
未満では、耐熱性、信頼性および熱伝導率が悪くなり、
また、９５重量％を超えると、かさばりが大きくなり成
形性に劣り実用に適さない。そのような無機充填剤の選
択により、成形体の熱伝導率を２．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上と
することができる。
【００１３】本発明において、成形体の熱伝導率は次の
ようにして測定される。圧力３０ｔｏｎの圧縮成形によ
り得られた１００ｍｍφ×１０〜１５ｍｍｔの成形品を
１７５℃、８時間の後硬化をして試験片を作成する。作
成した試験片は、ＫｅｍｔｈｅｒｍＱＴＭ−Ｄ３（京都
電子工業社製）の熱伝導率計を用い、その手順に従って
プローブ法により熱伝導率の測定をする。
ようにして測定される。圧力３０ｔｏｎの圧縮成形によ
り得られた１００ｍｍφ×１０〜１５ｍｍｔの成形品を
１７５℃、８時間の後硬化をして試験片を作成する。作
成した試験片は、ＫｅｍｔｈｅｒｍＱＴＭ−Ｄ３（京都
電子工業社製）の熱伝導率計を用い、その手順に従って
プローブ法により熱伝導率の測定をする。
【００１４】本発明のヒートシンク形成用樹脂組成物
は、前述した（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹
脂および（Ｃ）窒化アルミニウム粉末からなる無機充填
剤を必須成分とするが、本発明の目的に反しない限度に
おいて、また必要に応じて例えば、天然ワックス類、合
成ワックス類、エステル類、パラフィン系等の離型剤、
エラストマー等の低応力化成分、カーボンブラック等の
着色剤、シランカップリング剤等の無機充填剤の処理
剤、種々の硬化促進剤などを適宜、添加配合することが
できる。
は、前述した（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹
脂および（Ｃ）窒化アルミニウム粉末からなる無機充填
剤を必須成分とするが、本発明の目的に反しない限度に
おいて、また必要に応じて例えば、天然ワックス類、合
成ワックス類、エステル類、パラフィン系等の離型剤、
エラストマー等の低応力化成分、カーボンブラック等の
着色剤、シランカップリング剤等の無機充填剤の処理
剤、種々の硬化促進剤などを適宜、添加配合することが
できる。
【００１５】本発明のヒートシンク形成用樹脂組成物を
成形材料として調製する場合の一般的な方法としては、
前述したエポキシ樹脂、フェノール樹脂、窒化アルミニ
ウム粉末からなる無機充填剤およびその他の成分を配合
し、ミキサー等によって十分均一に混合した後、さらに
熱ロールによる溶融混合処理、またはニーダ等による混
合処理を行い、次いで冷却固化させ、適当な大きさに粉
砕して成形材料とすることができる。こうして得られた
成形材料は、ヒートシンク形成をはじめとする電子部品
あるいは電気部品の封止、被覆、絶縁等に適用すれば、
優れた特性と信頼性を付与させることができる。
成形材料として調製する場合の一般的な方法としては、
前述したエポキシ樹脂、フェノール樹脂、窒化アルミニ
ウム粉末からなる無機充填剤およびその他の成分を配合
し、ミキサー等によって十分均一に混合した後、さらに
熱ロールによる溶融混合処理、またはニーダ等による混
合処理を行い、次いで冷却固化させ、適当な大きさに粉
砕して成形材料とすることができる。こうして得られた
成形材料は、ヒートシンク形成をはじめとする電子部品
あるいは電気部品の封止、被覆、絶縁等に適用すれば、
優れた特性と信頼性を付与させることができる。
【００１６】図１（ａ）は従来の、金属製ヒートシンク
を用いた電子部品封止装置の断面概念図、同図（ｂ）は
本発明の、樹脂製ヒートシンクを形成した電子部品封止
装置の断面概念図である。両図において、１はフレー
ム、２は金属製ヒートシンク、３は封止樹脂そして４は
樹脂製ヒートシンクである。
を用いた電子部品封止装置の断面概念図、同図（ｂ）は
本発明の、樹脂製ヒートシンクを形成した電子部品封止
装置の断面概念図である。両図において、１はフレー
ム、２は金属製ヒートシンク、３は封止樹脂そして４は
樹脂製ヒートシンクである。
【００１７】本発明の電子部品封止装置は、上述の成形
材料を用いて、図１（ｂ）に示すフレーム１下面にトラ
ンスファーモールドをすることによりヒートシンク４を
形成し、その後、封止樹脂３により電子部品を樹脂封止
することにより容易に製造することができる。樹脂封止
の最も一般的な方法としては、低圧トランスファー成形
法があるが、射出成形、圧縮成形および注型などによる
封止も可能である。ヒートシンク形成用樹脂組成物およ
び封止用樹脂組成物は成形の際の加熱によって硬化し、
最終的にはこれら組成物の硬化物によって電子部品封止
装置が得られる。なお、加熱による硬化は、１５０℃以
上に加熱して硬化させることが望ましい。封止を行う電
子部品としては、半導体チップとして挙げられる、集積
回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタおよ
びダイオード等で特に限定されるものではない。
材料を用いて、図１（ｂ）に示すフレーム１下面にトラ
ンスファーモールドをすることによりヒートシンク４を
形成し、その後、封止樹脂３により電子部品を樹脂封止
することにより容易に製造することができる。樹脂封止
の最も一般的な方法としては、低圧トランスファー成形
法があるが、射出成形、圧縮成形および注型などによる
封止も可能である。ヒートシンク形成用樹脂組成物およ
び封止用樹脂組成物は成形の際の加熱によって硬化し、
最終的にはこれら組成物の硬化物によって電子部品封止
装置が得られる。なお、加熱による硬化は、１５０℃以
上に加熱して硬化させることが望ましい。封止を行う電
子部品としては、半導体チップとして挙げられる、集積
回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタおよ
びダイオード等で特に限定されるものではない。
【００１８】
【作用】本発明のヒートシンク形成用樹脂組成物および
電子部品封止装置は、樹脂成分として窒化アルミニウム
を使用した無機充填剤を用いたことにより、目的とする
特性が得られるものである。また、このヒートシンク形
成用樹脂組成物を用いて、フレーム下面にトランスファ
ーモールドすることによりヒートシンクを形成し、その
後、封止樹脂により電子部品を封止することにより、パ
ッケージの反りが小さく内部剥離もない、放熱性に優れ
た電子部品封止装置を得ることができる。
電子部品封止装置は、樹脂成分として窒化アルミニウム
を使用した無機充填剤を用いたことにより、目的とする
特性が得られるものである。また、このヒートシンク形
成用樹脂組成物を用いて、フレーム下面にトランスファ
ーモールドすることによりヒートシンクを形成し、その
後、封止樹脂により電子部品を封止することにより、パ
ッケージの反りが小さく内部剥離もない、放熱性に優れ
た電子部品封止装置を得ることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】次に、本発明を実施例によって説
明するが、本発明はこれらの実施例によって限定される
ものではない。以下の実施例および比較例において
「％」とは「重量％」を意味する。
明するが、本発明はこれらの実施例によって限定される
ものではない。以下の実施例および比較例において
「％」とは「重量％」を意味する。
【００２０】実施例１
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂ＥＳＣＮ−１９５
ＸＬ（住友化学社製商品名、エポキシ当量２００）１
０．５％に、ノボラック型フェノール樹脂ＢＲＧ−５５
６（昭和高分子化学社製商品名、フェノール当量１０
５）５．５％、窒化アルミニウム粉末ＳＣＡＮ−７０
（ダウケミカル社製、商品名）８３％およびエステル系
ワックスのリコワックスＥ（クラリアントジャパン社
製、商品名）１．０％を配合し室温で混合し、さらに９
０〜９５℃で混練してこれを冷却粉砕して成形材料を製
造した。
ＸＬ（住友化学社製商品名、エポキシ当量２００）１
０．５％に、ノボラック型フェノール樹脂ＢＲＧ−５５
６（昭和高分子化学社製商品名、フェノール当量１０
５）５．５％、窒化アルミニウム粉末ＳＣＡＮ−７０
（ダウケミカル社製、商品名）８３％およびエステル系
ワックスのリコワックスＥ（クラリアントジャパン社
製、商品名）１．０％を配合し室温で混合し、さらに９
０〜９５℃で混練してこれを冷却粉砕して成形材料を製
造した。
【００２１】この成形材料を１７５℃に加熱した金型内
にトランスファー注入し、硬化させて成形体を成形し
た。この成形品について密着性、および熱伝導率の試験
を行い、その結果を表１に示した。また、Ｃｕフレーム
（５００×２００×０．２ｍｍ）上に５００×２００×
５ｍｍの成形品Ａを同様に成形し、後述の比較例１の樹
脂を１７５℃に加熱した金型内にトランスファー注入
し、成形品Ａを囲むように成形して成形品Ｂをつくり、
反り量を測定した。結果を合わせて表１に示した。
にトランスファー注入し、硬化させて成形体を成形し
た。この成形品について密着性、および熱伝導率の試験
を行い、その結果を表１に示した。また、Ｃｕフレーム
（５００×２００×０．２ｍｍ）上に５００×２００×
５ｍｍの成形品Ａを同様に成形し、後述の比較例１の樹
脂を１７５℃に加熱した金型内にトランスファー注入
し、成形品Ａを囲むように成形して成形品Ｂをつくり、
反り量を測定した。結果を合わせて表１に示した。
【００２２】実施例２
−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂ＥＳＣＮ−１９
５ＸＬ（住友化学社製商品名、エポキシ当量２００）１
４％に、ノボラック型フェノール樹脂ＢＲＧ−５５６
（昭和高分子化学社製商品名、フェノール当量１０５）
７％、窒化アルミニウム粉末ＳＣＡＮ−７０（ダウケミ
カル社製、商品名）７８％およびエステル系ワックスの
リコワックスＥ（クラリアントジャパン社製、商品名）
１．０％を配合し室温で混合し、実施例１と同様の方法
で製造、成形、評価を行い、その結果を表１に示した。
５ＸＬ（住友化学社製商品名、エポキシ当量２００）１
４％に、ノボラック型フェノール樹脂ＢＲＧ−５５６
（昭和高分子化学社製商品名、フェノール当量１０５）
７％、窒化アルミニウム粉末ＳＣＡＮ−７０（ダウケミ
カル社製、商品名）７８％およびエステル系ワックスの
リコワックスＥ（クラリアントジャパン社製、商品名）
１．０％を配合し室温で混合し、実施例１と同様の方法
で製造、成形、評価を行い、その結果を表１に示した。
【００２３】実施例３
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂ＥＳＣＮ−１９５
ＸＬ（住友化学社製商品名、エポキシ当量２００）１
７．５％に、ノボラック型フェノール樹脂ＢＲＧ−５５
６（昭和高分子化学社製商品名、フェノール当量１０
５）８．５％、窒化アルミニウム粉末ＳＣＡＮ−７０
（ダウケミカル社製、商品名）７３％およびエステル系
ワックスのリコワックスＥ（クラリアントジャパン社
製、商品名）１．０％を配合し室温で混合し、実施例１
と同様の方法で製造、成形、評価を行い、その結果を表
１に示した。
ＸＬ（住友化学社製商品名、エポキシ当量２００）１
７．５％に、ノボラック型フェノール樹脂ＢＲＧ−５５
６（昭和高分子化学社製商品名、フェノール当量１０
５）８．５％、窒化アルミニウム粉末ＳＣＡＮ−７０
（ダウケミカル社製、商品名）７３％およびエステル系
ワックスのリコワックスＥ（クラリアントジャパン社
製、商品名）１．０％を配合し室温で混合し、実施例１
と同様の方法で製造、成形、評価を行い、その結果を表
１に示した。
【００２４】比較例１
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂ＥＳＣＮ−１９５
ＸＬ（住友化学社製商品名、エポキシ当量２００）１
０．５％、ノボラック型フェノール樹脂ＢＲＧ−５５６
（昭和高分子化学社製商品名、フェノール当量１０５）
５．５％、結晶シリカ粉末およびエステル系ワックスの
リコワックスＥ（クラリアントジャパン社製、商品名）
１．０％を配合し室温で混合し、実施例１と同様の方法
で製造、成形、評価を行い、その結果を表１に示した。
ＸＬ（住友化学社製商品名、エポキシ当量２００）１
０．５％、ノボラック型フェノール樹脂ＢＲＧ−５５６
（昭和高分子化学社製商品名、フェノール当量１０５）
５．５％、結晶シリカ粉末およびエステル系ワックスの
リコワックスＥ（クラリアントジャパン社製、商品名）
１．０％を配合し室温で混合し、実施例１と同様の方法
で製造、成形、評価を行い、その結果を表１に示した。
【００２５】比較例２
アルミニウム製のヒートシンクを用い、実施例１と同様
の方法で成形品Ｂを成形し、評価を行い、その結果を表
１に示した。
の方法で成形品Ｂを成形し、評価を行い、その結果を表
１に示した。
【００２６】
【表１】
＊１：Ｃｕフレーム、φ１０ｍｍで成形、常温破壊、
＊２：１７５℃×８時間アフターキュア後、常温で測
定、 ＊３：長径方向に対する反り量を測定。
定、 ＊３：長径方向に対する反り量を測定。
【００２７】
【発明の効果】以上の説明および表１から明らかなよう
に、本発明のヒートシンク形成用樹脂組成物および電子
部品封止装置によれば、放熱性に優れ、かつ内部剥離が
なく、パッケージの反りも小さいことから放熱性を維持
することができる。
に、本発明のヒートシンク形成用樹脂組成物および電子
部品封止装置によれば、放熱性に優れ、かつ内部剥離が
なく、パッケージの反りも小さいことから放熱性を維持
することができる。
【図１】図１（ａ）は従来の金属製ヒートシンクを用い
て製造した電子部品装置の断面図である。図１（ｂ）は
本発明にかかるヒートシンク形成用樹脂組成物をを用い
て製造した電子部品装置の断面図である。
て製造した電子部品装置の断面図である。図１（ｂ）は
本発明にかかるヒートシンク形成用樹脂組成物をを用い
て製造した電子部品装置の断面図である。
１ フレーム
２ 金属製ヒートシンク
３ 封止樹脂
４ 本発明の樹脂組成物を用いたヒートシンク。
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Ｆターム(参考） 4J002 CC03X CD02W CD05W CD06W
DF016 FD016 GQ00 GQ01
GQ05
4J036 AA01 AD01 AD07 AD08 AF01
AF06 AJ08 FA04 FB07 HA12
JA07
5F036 AA01 BA23 BB03 BB21 BD14
BE01
Claims (2)
- 【請求項１】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール
樹脂および（Ｃ）窒化アルミニウム粉末からなる無機充
填剤を必須成分とし、前記（Ｃ）窒化アルミニウム粉末
からなる無機充填剤を樹脂組成物全体に対して７０〜９
５重量％の割合で含有し、成形体の熱伝導率が２．５Ｗ
／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とするヒートシンク形成
用樹脂組成物。 - 【請求項２】 請求項１記載のヒートシンク形成用樹脂
組成物をフレーム下面にトランスファーモールドするこ
とによりヒートシンクを形成し、さらに封止用樹脂組成
物によって、素子を樹脂封止してなることを特徴とする
電子部品封止装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001220771A JP2003026777A (ja) | 2001-07-23 | 2001-07-23 | ヒートシンク形成用樹脂組成物および電子部品封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001220771A JP2003026777A (ja) | 2001-07-23 | 2001-07-23 | ヒートシンク形成用樹脂組成物および電子部品封止装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003026777A true JP2003026777A (ja) | 2003-01-29 |
Family
ID=19054541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001220771A Pending JP2003026777A (ja) | 2001-07-23 | 2001-07-23 | ヒートシンク形成用樹脂組成物および電子部品封止装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003026777A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006057342A1 (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-01 | Sansha Electric Manufacturing Company, Limited | 太陽電池モジュール用接続具 |
| US8736047B2 (en) | 2006-03-29 | 2014-05-27 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| CN104497482A (zh) * | 2014-12-12 | 2015-04-08 | 惠州学院 | 一种氮化铝填充导热环氧树脂的制备方法 |
-
2001
- 2001-07-23 JP JP2001220771A patent/JP2003026777A/ja active Pending
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