JP5010493B2 - 接着フィルムの転着方法 - Google Patents

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Description

本発明は、接着フィルムの転着方法に関し、特に、異方性導電フィルム(ACF)等に代表される幅数ミリの実装用接着フィルム(接着テープ)を被着体に貼り付ける方法に関する。
従来より、電子部品と回路基板等とを接続する手段として、異方導電性接着フィルム(ACF;Anisotropic Conductive Film)が用いられている。この異方導電性接着フィルムは、例えば、フレキシブルプリント基板(FPC)やICチップの端子と、LCDパネルのガラス基板上に形成されたITO(Indium Tin Oxide)電極とを接続する場合を始めとして、種々の端子同士を接着すると共に電気的に接続する場合に用いられている。
この異方導電性接着フィルム(ACF)等に代表される接着フィルムの被着体への貼り付け(転着)は、以下(1)〜(4)のように行われていた。
(1)まず、図2Aに示すように、ベースフィルム(剥離層)とACF層(接着層)とで構成される接着フィルムのACF層側からナイフを挿入し、ACF層のみに任意の長さ及び任意の幅(約100μm)の切り込みを入れてハーフカットを行う(例えば、特許文献1参照)。このハーフカットの際、ベースフィルムまでは切り込みを入れないようにする。
(2)次に、図2B及び図2Cに示すように、接着フィルムをベースフィルム側から仮圧着装置の加熱ヘッドにより押圧して、ACF層を加熱しながらパネル(被着体)上に接触させて、ACF層をパネルの数mm〜数cmの接合部分に仮貼りする。
(3)次に、ベースフィルムを剥がす(ACF層には、任意の長さの切り込みが入っているので、パネル上には、パネルと接触した任意の長さのACF層のみが残る)。
(4)さらに、ICや配線等を接合させて、本圧着する。
上記(1)のハーフカットにおいて、ナイフをACF層に挿入する際に、ナイフに付着した汚染物がACF層に混入し、品質が低下するという問題があった。また、ハーフカットを行う場合、ACF層に挿入するナイフを定期的に交換するなどのメンテナンスが必要であり、コストが高くなってしまうという問題があった。さらに、ハーフカット条件を十分にコントロール(管理)しないと、ハーフカット不良(切り込みの不足等)が発生し、ACF層の切断が不十分となって(ACF層の断片不良)、貼り付け不良(図2D〜図2F)が発生するという問題があった。この貼り付け不良の発生を防止すべく、図3A及び図3Bに示すように、接着フィルムのACF層側から2本ナイフを挿入し(2ヶ所ハーフカット)、上記(1)のハーフカットにおける切り込みよりも幅が広い中抜きを形成する中抜き方式が行われることもあるが(例えば、特許文献2参照)、この中抜き方式では、中抜きしたACF層が無駄になってしまうため、コスト高となってしまうという問題があり、また、上記(1)のハーフカットと同様に、ハーフカット条件を十分にコントロール(管理)する必要があった。
また、接着フィルム(粘着テープ)として、粘着剤の軟化点が規定されたものが用いられている(例えば、特許文献3参照)。
特開2006−93518号公報 特開2007−30085号公報 特開2007−154119号公報
本発明は、従来における前記問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、接着層に不純物が混入するのを防止して品質安定性を向上することができると共に、被着体に転着された接着層端部の欠損を無くして、被着体と接着層との接着面積を維持することができ、もって被着体に対する接着層の接着力を向上することができる接着フィルムの転着方法を提供することを目的とする。
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
<1> 剥離層と接着層とを備える接着フィルムを前記剥離層側から加熱部により押圧して、前記接着層を加熱しながら被着体上に接触させて、前記接着層を前記被着体上に転着させる接着フィルムの転着方法であって、前記接着フィルムを前記加熱部と前記被着体との間に搬送する搬送工程と、前記接着フィルムを前記剥離層側から前記加熱部により押圧して、前記接着層を第1の加熱温度まで加熱して前記被着体に接触させる押圧工程と、前記接着フィルムの搬送方向に対して前記加熱部より後部に設置された高温加熱部を前記剥離層側から前記接着フィルムに接触させて、前記接着層を第2の加熱温度まで加熱して切断する切断工程と、前記剥離層を前記被着体に接触した接着層から剥離して、前記被着体に接触した接着層を前記被着体に転着させる転着工程とを含むことを特徴とする接着フィルムの転着方法である。
該接着フィルムの転着方法においては、搬送工程において接着フィルムが加熱部と被着体との間に搬送され、押圧工程において接着フィルムが剥離層側から加熱部により押圧されて、接着層が第1の加熱温度まで加熱されて被着体に接触し、切断工程において接着フィルムの搬送方向に対して加熱部より後部に設置された高温加熱部が剥離層側から接着フィルムに接触し、接着層が第2の加熱温度まで加熱されて切断され、転着工程において剥離層が被着体に接触した接着層から剥離され、被着体に接触した接着層が被着体に転着する。その結果、接着層に不純物が混入するのを防止して品質安定性を向上することができると共に、被着体に転着された接着層端部の欠損を無くして、被着体と接着層との接着面積を維持することができ、もって被着体に対する接着層の接着力を向上することができる。
<2> 剥離層と接着層とを備える接着フィルムを前記剥離層側から加熱部により押圧して、前記接着層を加熱しながら被着体上に接触させて、前記接着層を前記被着体上に転着させる接着フィルムの転着方法であって、前記接着フィルムを前記加熱部と前記被着体との間に搬送する搬送工程と、前記接着フィルムの搬送方向に対して前記加熱部より後部に設置された高温加熱部を前記剥離層側から前記接着フィルムに接触させて、前記接着層を第2の加熱温度まで加熱して切断する切断工程と、前記接着フィルムを前記剥離層側から前記加熱部により押圧して、前記接着層を第1の加熱温度まで加熱して前記被着体に接触させる押圧工程と、前記剥離層を前記被着体に接触した接着層から剥離して、前記被着体に接触した接着層を前記被着体に転着させる転着工程とを含むことを特徴とする接着フィルムの転着方法である。
該接着フィルムの転着方法においては、搬送工程において接着フィルムが加熱部と被着体との間に搬送され、切断工程において接着フィルムの搬送方向に対して加熱部より後部に設置された高温加熱部が剥離層側から接着フィルムに接触し、接着層が第2の加熱温度まで加熱されて切断され、押圧工程において接着フィルムが剥離層側から加熱部により押圧されて、接着層が第1の加熱温度まで加熱されて被着体に接触し、転着工程において剥離層が被着体に接触した接着層から剥離され、被着体に接触した接着層が被着体に転着する。その結果、接着層に不純物が混入するのを防止して品質安定性を向上することができると共に、被着体に転着された接着層端部の欠損を無くして、被着体と接着層との接着面積を維持することができ、もって被着体に対する接着層の接着力を向上することができる。
<3> 剥離層と接着層とを備える接着フィルムを前記剥離層側から加熱部により押圧して、前記接着層を加熱しながら被着体上に接触させて、前記接着層を前記被着体上に転着させる接着フィルムの転着方法であって、前記接着フィルムを前記加熱部と前記被着体との間に搬送する搬送工程と、前記接着フィルムを前記剥離層側から前記加熱部により押圧して、前記接着層を第1の加熱温度まで加熱して前記被着体に接触させる押圧工程と、前記接着フィルムの搬送方向に対して前記加熱部より後部に設置された高温加熱部を前記剥離層側から前記接着フィルムに接触させて、前記接着層を第2の加熱温度まで加熱して切断する切断工程と、前記剥離層を前記被着体に接触した接着層から剥離して、前記被着体に接触した接着層を前記被着体に転着させる転着工程とを含み、前記押圧工程及び前記切断工程を同時に行うことを特徴とする接着フィルムの転着方法である。
該接着フィルムの転着方法においては、搬送工程において接着フィルムが加熱部と被着体との間に搬送され、押圧工程において接着フィルムが剥離層側から加熱部により押圧されて、接着層が第1の加熱温度まで加熱されて被着体に接触し、押圧工程と同時に行われる切断工程において接着フィルムの搬送方向に対して加熱部より後部に設置された高温加熱部が剥離層側から接着フィルムに接触し、接着層が第2の加熱温度まで加熱されて切断され、転着工程において剥離層が被着体に接触した接着層から剥離され、被着体に接触した接着層が被着体に転着する。その結果、接着層に不純物が混入するのを防止して品質安定性を向上することができると共に、被着体に転着された接着層端部の欠損を無くして、被着体と接着層との接着面積を維持することができ、もって被着体に対する接着層の接着力を向上することができる。
<4> 接着フィルムの幅が1mm〜20mmである前記<1>から<3>のいずれかに記載の接着フィルムの転着方法である。
<5> 接着層がバインダー樹脂及び硬化剤を含有し、該バインダー樹脂がエポキシ樹脂及びアクリル樹脂の少なくともいずれかを含有する前記<1>から<4>のいずれかに記載の接着フィルムの転着方法である。
<6> 第2の加熱温度が50℃〜190℃である前記<5>に記載の接着フィルムの転着方法である。
<7> 接着層が導電性粒子を含有する前記<1>から<6>のいずれかに記載の接着フィルムの転着方法である。
<8> 加熱部と高温加熱部とが一体化されている前記<1>から<7>のいずれかに記載の接着フィルムの転着方法である。
本発明によると、従来における前記諸問題を解決でき、接着層に不純物が混入するのを防止して品質安定性を向上することができると共に、被着体に転着された接着層端部の欠損を無くして、被着体と接着層との接着面積を維持することができ、もって被着体に対する接着層の接着力を向上することができる接着フィルムの転着方法を提供することができる。
また、本発明によると、接着層の切断条件を容易にコントロール(管理)することができると共に、接着層の転着の工程を簡略化して仮圧着装置の構造を簡略化することができる接着フィルムの転着方法を提供することができる。
(接着フィルムの転着方法)
本発明の接着フィルムの転着方法は、搬送工程と、押圧工程と、切断工程と、転着工程とを少なくとも含み、更に必要に応じて適宜選択した、その他の工程を含む。
<接着フィルム>
前記接着フィルムは、剥離層と接着層とを有してなるものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、幅が1mm〜20mmである接着テープなどが挙げられる。
−剥離層−
前記剥離層としては、その形状、構造、大きさ、厚み、材料(材質)などについては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、剥離性の良好なものや耐熱性が高いものが好ましく、例えば、シリコーン等の剥離剤が塗布された透明な剥離PET(ポリエチレンテレフタレート)シートなどが好適に挙げられる。
−接着層−
前記接着層としては、熱により軟化する性質を有するものであれば、その形状、構造、大きさ、厚み、材料(材質)などについては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、バインダー樹脂及び硬化剤を含有する接着層等が挙げられる。また、接着層は、導電性粒子を含有しないNCF層、導電性粒子を含有するACF層のいずれであってもよい。前記接着層の厚さとしては、20μm程度(10μm〜50μm)が好ましい。
−−バインダー樹脂−−
前記バインダー樹脂は、エポキシ樹脂及びアクリル樹脂から選択される少なくとも1種の樹脂からなるのが好ましい。
前記エポキシ樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
前記アクリル樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、イソプロピルアクリレート、イソブチルアクリレート、エポキシアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート、テトラメチレングリコールテトラアクリレート、2−ヒドロキシ−1,3−ジアクリロキシプロパン、2,2−ビス[4−(アクリロキシメトキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(アクリロキシエトキシ)フェニル]プロパン、ジシクロペンテニルアクリレート、トリシクロデカニルアクリレート、トリス(アクリロキシエチル)イソシアヌレート、ウレタンアクリレートなどが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
また、前記アクリレートをメタクリレートにしたものが挙げられ、これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
−−硬化剤−−
前記硬化剤としては、バインダー樹脂を硬化するものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、エポキシ樹脂であればアミン系硬化剤、アクリル樹脂であれば有機過酸化物が挙げられる。
−−導電性粒子−−
前記導電性粒子としては、特に制限はなく、従来の異方性導電接着剤において用いられているものと同じ構成のものを使用することができる。例えば、半田、ニッケル等の金属粒子;金属(ニッケル、金、アルミニウム、銅等)メッキで被覆された、樹脂粒子、ガラス粒子あるいはセラミック粒子;更にこれらを絶縁被覆した粒子;などが挙げられる。これらの導電性粒子を用いると、接合する端子及び基板配線の平滑性のばらつきを吸収し、製造時のプロセスマージンを確保することができるほか、応力により接続点が離れた場合でも、導通を確保することができ、高い信頼性が得られる。
前記導電性粒子の中でも、金属被覆樹脂粒子、例えば、ニッケル金メッキ被覆樹脂粒子が好ましく、端子間に前記導電性粒子が入り込むことにより生じるショートを防止可能な点で、前記金属被覆樹脂粒子が、絶縁樹脂により被覆されてなる絶縁粒子がより好ましい。
また、接着層にはその他の成分が含有されていてもよく、前記その他の成分としては、本発明の効果を害さない限り特に制限はなく、目的に応じて公知の添加剤の中から適宜選択することができ、例えば、充填剤、軟化剤、促進剤、老化防止剤、着色剤、難燃剤、シランカップリング剤などが挙げられる。
前記その他の成分の添加量としては、特に制限はなく、前記導電性粒子、前記バインダー樹脂、前記硬化剤などの添加量との関係で、適宜選択することができる。
<搬送工程>
搬送工程は、接着フィルムを加熱部と被着体との間に搬送する工程である。この搬送工程においては、例えば、図1Aに示すように、ベースフィルム(剥離層)11と接着層12とを備える接着フィルム13が、加熱ヘッド(加熱部)14とパネル(被着体)15との間に、搬送手段(不図示)により搬送される。なお、図1A中の矢印A方向は、接着フィルム13の搬送方向を示す。ここで、接着フィルム13は、ベースフィルム11と加熱ヘッド14とが対向し、且つ、接着層12とパネル15とが対向するように搬送される。また、加熱ヘッド14は、接着フィルム13を第1の加熱温度まで加熱するために予め加熱されている。
<押圧工程>
押圧工程は、接着フィルムを剥離層側から加熱部により押圧して、接着層を第1の加熱温度まで加熱して被着体に接触させる工程である。この押圧工程においては、例えば、図1Bに示すように、加熱ヘッド14が矢印B方向に押し下げられることにより、接着フィルム13がベースフィルム11側から押圧され、接着層12が第1の加熱温度まで加熱されてパネル15に接触する。ここで、第1の加熱温度は、接着層12がパネル15に接触した際に仮貼りされる温度であり、通常、40℃〜120℃であることが好ましく、60℃〜100℃であることがより好ましい。
<切断工程>
切断工程は、接着フィルムの搬送方向に対して加熱部より後部に設置された高温加熱部を剥離層側から接着フィルムに接触させて、接着層を第2の加熱温度まで加熱して切断する工程である。この切断工程においては、例えば、図1C及び図1Dに示すように、接着フィルム13の搬送方向(矢印A方向)に対して加熱ヘッド14の後部に設置された高温ユニット16(先端が微少な面積の熱源等)を接着フィルム13に接触させ、接着層12が第2の加熱温度まで加熱されて溶融軟化され、溶断又は切断される。ここで、第2の加熱温度は、前記第1の加熱温度よりも高い接着層12が溶融軟化される温度であって、ベースフィルム11の軟化点乃至接着層12が完全に熱硬化する温度よりも低い温度であり、通常、50℃〜190℃であることが好ましく、90℃〜150℃であることがより好ましい。
また、加熱ヘッド14と高温ユニット16とは独立していてもよいし、一体式(図1E)であってもよいが、温度管理の観点からは加熱ヘッド14と高温ユニット16とが独立していることが好ましい。
また、後述する剥離工程においてベースフィルム11がパネル15に仮貼りされた接着層12aから剥離される際に、接着層12の切断部分12cが第2の温度まで加熱されていれば、高温ユニット16が接着フィルム13に接触するタイミングは、接着フィルム13をベースフィルム11側から加熱ヘッド14により押圧する圧着プロセスの前でもよく、圧着プロセスと同時でもよく、圧着プロセスとの後でもよい。即ち、押圧工程及び切断工程は、押圧工程及び切断工程の順で行われてもよく、切断工程及び押圧工程の順で行われてもよく、押圧工程及び切断工程が同時に行われてもよい。
<転着工程>
転着工程は、剥離層を被着体に接触した接着層から剥離して、被着体に接触した接着層を被着体に転着させる工程である。この転着工程においては、例えば、ベースフィルム11は、接着層12b(パネル15に仮貼りされていない部分)と共に引き上げられて、パネル15に仮貼りされた接着層12aから剥離され、パネル15に仮貼りされた接着層12aがパネル15に転着される(図1F参照)。
<その他の工程>
前記その他の工程は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
本発明の接着フィルムの転着方法によると、接着層12に不純物が混入するのを防止して品質安定性を向上することができると共に、パネル15に転着された接着層12a端部の欠損を無くして、パネル15に転着された接着層12aとパネル15との接着面積を維持することができ、もってパネル15に転着された接着層12aの接着力を向上することができる。
また、本発明の接着フィルムの転着方法によると、接着層12の切断条件を容易にコントロール(管理)することができると共に、接着層12の転着の工程を簡略化して仮圧着装置の構造を簡略化することができる。
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
(実施例1)
−接着フィルムの作製−
前記バインダー樹脂としてのエポキシ樹脂(「EP828」;ジャパンエポキシレジン製)30質量部、エポキシ樹脂(「EP1004」;ジャパンエポキシレジン製)20質量部、フェノキシ樹脂(「PKHH」;In Chem社製)20質量部、エポキシ硬化剤(「HX3941HP」;旭化成社製)30質量部、導電性粒子(平均粒径3μmの樹脂コアにNi/Auメッキしたもの、積水化学工業社製)20質量部を混合して樹脂組成物を調製し、これに溶剤としてのトルエン/酢酸エチル(混合比1:1)80質量部を加えて、ミキサーで溶解混合させてペーストを調製した。
前記調製されたペーストを、シリコーン処理(剥離処理)が施されたポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(厚さ38μm)にバーコーターを用いて塗布し、70℃に設定した電気オーブンで8分間加熱し、乾燥膜厚が20μmの接着層(ACF層)を有する接着フィルムを作製した。
−接着フィルムの転着−
作製された接着フィルムを2mm幅に裁断し、裁断した接着フィルムをITOパターンガラス(厚さ0.4mm)上に載せ、接着フィルムをPETフィルム側から80℃に設定された仮圧着装置(加熱部)により押圧して、ACF層を加熱してITOパターンガラスに仮貼りした。さらに、予め所定の温度に加熱した熱線(高温加熱部)を、PETフィルム側から接着フィルム(接着フィルムの搬送方向に対して仮圧着装置(加熱部)より後部)に3秒間接触させて、ACF層の切断部分を150℃まで加熱して切断し、その直後にPETフィルムを引き上げることにより、PETフィルムをITOパターンガラスに仮貼されたACF層から剥離して、ITOパターンガラスに仮貼されたACF層をITOパターンガラスに転着させた。
ACF層が転着されたITOパターンガラスについて、下記方法により接着性及び導通信頼性を測定した。結果を表1に示す。
<接着性>
ITOパターンガラスに転着したACF層の上にセロテープ(登録商標)を積層し、直ちにセロテープ(登録商標)を引き剥がし、ACF層のITOパターンガラスへの残留状態を観察した。
<導通信頼性>
ACF層が転着されたITOパターンガラスに以下に示すICチップを実装し、導通抵抗を測定した。更に、実装後のサンプルを85℃85%RH環境で200時間放置し、放置後に導通抵抗を再度測定した。なお、ICチップのエッジ部とACF層の貼り付けエッジ部が合うようにアライメントし、仮に、ACF層の欠如があった場合には、ICチップのバンプ部に導電性粒子が存在しない状態となるように調製した。
−ICチップ−
1.8mm×20mm×0.5mm(厚み)の寸法で、バンプ面積が2,550μmであるバンプを有するもの。
(実施例2)
実施例1において、導電性粒子(平均粒径3μmの樹脂コアにNi/Auメッキしたもの、積水化学工業社製)20質量部を混合しないで樹脂組成物を調製した以外は、実施例1と同様にしてNCF層を有する接着フィルムを作製し、NCF層をITOパターンガラスに転着させ、NCF層が転着されたITOパターンガラスについて接着性を測定した。結果を表1に示す。
(比較例1)
実施例1において、「裁断した接着フィルムをITOパターンガラス(厚さ0.4mm)上に載せ、接着フィルムをPETフィルム側から80℃に設定された仮圧着装置(加熱部)により押圧して、ACF層を加熱してITOパターンガラスに仮貼りし、さらに、予め所定の温度に加熱した熱線(高温加熱部)を、PETフィルム側から接着フィルム(接着フィルムの搬送方向に対して仮圧着装置(加熱部)より後部)に3秒間接触させて、ACF層の切断部分を150℃まで加熱して切断する」代わりに、「裁断した接着フィルムのACF層(接着フィルムの搬送方向に対して仮圧着装置(加熱部)より後部)にナイフを挿入し、約20mmの切り込みを入れてハーフカットを行い、さらに、ハーフカットされた接着フィルムをITOパターンガラス(厚さ0.4mm)上に載せ、接着フィルムをPETフィルム側から80℃に設定された仮圧着装置(加熱部)により押圧して、ACF層を加熱してITOパターンガラスに仮貼りした」以外は、実施例1と同様にして接着フィルムを作製し、ACF層をITOパターンガラスに転着させ、ACF層が転着されたITOパターンガラスについて接着性及び導通信頼性を測定した。結果を表1に示す。
(比較例2)
実施例2において、「裁断した接着フィルムをITOパターンガラス(厚さ0.4mm)上に載せ、接着フィルムをPETフィルム側から80℃に設定された仮圧着装置(加熱部)により押圧して、NCF層を加熱してITOパターンガラスに仮貼りし、さらに、予め所定の温度に加熱した熱線(高温加熱部)を、PETフィルム側から接着フィルム(接着フィルムの搬送方向に対して仮圧着装置(加熱部)より後部)に3秒間接触させて、NCF層の切断部分を150℃まで加熱して切断する」代わりに、「裁断した接着フィルムのNCF層(接着フィルムの搬送方向に対して仮圧着装置(加熱部)より後部)にナイフを挿入し、約20mmの切り込みを入れてハーフカットを行い、さらに、ハーフカットされた接着フィルムをITOパターンガラス(厚さ0.4mm)上に載せ、接着フィルムをPETフィルム側から80℃に設定された仮圧着装置(加熱部)により押圧して、NCF層を加熱してITOパターンガラスに仮貼りした」以外は、実施例1と同様にして接着フィルムを作製し、NCF層をITOパターンガラスに転着させ、NCF層が転着されたITOパターンガラスについて接着性を測定した。結果を表1に示す。
但し、表1における導通抵抗値(Ω)は、最大値(Max値)を示す。
表1より、実施例1及び2のヒートカットで切断した接着層(ACF層、NCF層)は、カット部分(端部)に剥離乃至欠如が発生するのを防止して、ITOパターンガラスとの接着面積を維持することができ、比較例1及び2のハーフカットで切断した接着層よりも、ITOパターンガラスとの密着性が高いことが判った。
さらに、表1より、ヒートカットで切断したACF層(実施例1)は、良好な電気接続を確保でき、高温高湿放置後においても断線が発生せず、高い導通信頼性が得られるのに対し、ハーフカットで切断したACF層(比較例1)は、カット部分(端部)が剥離乃至欠如してしまい、良好な電気接続を確保することができず、高温高湿放置後において断線が発生し、高い導通信頼性が得られないことが判った。
(実験例1)
−接着フィルムの作製−
前記バインダー樹脂としてのエポキシ樹脂(「EP828」;ジャパンエポキシレジン製)30質量部、エポキシ樹脂(「EP1004」;ジャパンエポキシレジン製)20質量部、フェノキシ樹脂(「PKHH」;In Chem社製)20質量部、エポキシ硬化剤(「HX3941HP」;旭化成社製)30質量部を混合して樹脂組成物を調製し、これに溶剤としてのトルエン/酢酸エチル(混合比1:1)80質量部を加えて、ミキサーで溶解混合させてペーストを調製した。
前記調製されたペーストを、シリコーン処理(剥離処理)が施されたポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(厚さ38μm)にバーコーターを用いて塗布し、70℃に設定した電気オーブンで8分間加熱し、乾燥膜厚が20μmの接着層(NCF層)を有する接着フィルムを作製した。
−接着フィルムの転着−
作製された接着フィルムを2mm幅に裁断し、裁断した接着フィルムを低アルカリガラス(厚さ0.5mm)上に載せ、接着フィルムをPETフィルム側から80℃に設定された仮圧着装置(加熱部)により押圧して、NCF層を加熱して低アルカリガラスに仮貼りした。さらに、予め所定の温度に加熱した熱線(高温加熱部)を、PETフィルム側から接着フィルム(接着フィルムの搬送方向に対して仮圧着装置(加熱部)より後部)に3秒間接触させて、NCF層の切断部分を下記表2の切断温度まで加熱して切断し、その直後にPETフィルムを引き上げることによりPETフィルムを低アルカリガラスに仮貼りされたNCF層から剥離して、低アルカリガラスに仮貼りされたNCF層を低アルカリガラスに転着させた。
NCF層が転着された低アルカリガラスについて、下記方法により転着性及び反応性を測定した。結果を表2に示す。
<転着性>
NCF層の低アルカリガラスに対する転着状態を下記基準に基づいて判定した。結果を表2に示す。
◎:NCF層が低アルカリガラスに転着された。
△:NCF層が低アルカリガラスに一部転着された(仮貼りされたNCF層の一部が低アルカリガラスから離れた状態となっている)。
×:NCF層が低アルカリガラスに転着されなかった。
<反応性>
NCF層の切断部分から採取したサンプルについて、FT−IRで測定し、下記式(1)により反応率(%)を算出した。結果を表2に示す。
反応率(%)=(1−(a/b)/(A/B))×100 ・・・(1)
但し、式(1)中、Aは未硬化のNCF層におけるエポキシ基由来の吸光度(absorbance)を示し、Bは未硬化のNCF層におけるメチル基由来の吸光度(absorbance)を示し、aは硬化したNCF層におけるエポキシ基由来の吸光度(absorbance)を示し、bは硬化したNCF層におけるメチル基由来の吸光度(absorbance)を示す。
表2より、切断温度50℃以上でNCF層の転着が可能であることが判った。切断温度が50℃未満であると、NCF層の切断部分が軟化していないので、仮貼りされたNCF層がPETフィルムに付着したまま引き上げられてしまい、接着フィルムの形状を保持することができないことが判った。
また、切断温度が50℃〜70℃であると、NCF層の切断部分が十分に軟化していないので、仮貼りされたNCF層の一部がPETフィルムに付着したまま引き上げられてしまい、仮貼りされたNCF層の一部が低アルカリガラスから離れた状態となっていることが判った。
また、切断温度が170℃以上(170℃、190℃)であると、反応率(8%、27%)からNCF層の熱硬化が開始されていることが判った。ここで、NCF層の熱硬化が開始されていないことが切断形状安定化の観点から好ましいが、切断部分が実装部分でなければ、実使用上の問題はない。
以上より、切断温度は、50℃〜190℃が好ましい。
本発明の接着フィルムの転着方法は、接着フィルムにおける接着層を効率よく転着することができ、例えば、ICタグ、ICカード、メモリーカード、フラットパネルディスプレイなどの製造に好適に使用することができる。
図1Aは、本発明の接着フィルムの転着方法における搬送工程の一例を示す概略説明図である。 図1Bは、本発明の接着フィルムの転着方法における押圧工程の一例を示す概略説明図である。 図1Cは、本発明の接着フィルムの転着方法における切断工程の一例を示す概略説明図である(その1)。 図1Dは、本発明の接着フィルムの転着方法における切断工程の一例を示す概略説明図である(その2)。 図1Eは、高温ユニットが付加された加熱ヘッド(一体型)の一例を示す概略説明図である。 図1Fは、本発明の接着フィルムの転着方法における転着工程の一例を示す概略説明図である。 図2Aは、ハーフカット方式の一例を示す概略説明図である(その1)。 図2Bは、ハーフカット方式の一例を示す概略説明図である(その2)。 図2Cは、ハーフカット方式の一例を示す概略説明図である(その3)。 図2Dは、貼り付け不良の一例を示す概略説明図である(その1)。 図2Eは、貼り付け不良の一例を示す概略説明図である(その2)。 図2Fは、貼り付け不良の一例を示す概略説明図である(その3)。 図3Aは、中抜き方式の一例を示す概略説明図である(その1)。 図3Bは、中抜き方式の一例を示す概略説明図である(その2)。
符号の説明
11 ベースフィルム
12 接着層
12c 切断部分
13 接着フィルム
14 加熱ヘッド
15 パネル
16 高温ユニット

Claims (8)

  1. 剥離層と接着層とを備える接着フィルムを前記剥離層側から加熱部により押圧して、前記接着層を加熱しながら被着体上に接触させて、前記接着層を前記被着体上に転着させる接着フィルムの転着方法であって、
    前記接着フィルムを前記加熱部と前記被着体との間に搬送する搬送工程と、
    前記接着フィルムを前記剥離層側から前記加熱部により押圧して、前記接着層を第1の加熱温度まで加熱して前記被着体に接触させる押圧工程と、
    前記接着フィルムの搬送方向に対して前記加熱部より後部に設置された高温加熱部を前記剥離層側から前記接着フィルムに接触させて、前記接着層を第2の加熱温度まで加熱して切断する切断工程と、
    前記剥離層を前記被着体に接触した接着層から剥離して、前記被着体に接触した接着層を前記被着体に転着させる転着工程とを含むことを特徴とする接着フィルムの転着方法。
  2. 剥離層と接着層とを備える接着フィルムを前記剥離層側から加熱部により押圧して、前記接着層を加熱しながら被着体上に接触させて、前記接着層を前記被着体上に転着させる接着フィルムの転着方法であって、
    前記接着フィルムを前記加熱部と前記被着体との間に搬送する搬送工程と、
    前記接着フィルムの搬送方向に対して前記加熱部より後部に設置された高温加熱部を前記剥離層側から前記接着フィルムに接触させて、前記接着層を第2の加熱温度まで加熱して切断する切断工程と、
    前記接着フィルムを前記剥離層側から前記加熱部により押圧して、前記接着層を第1の加熱温度まで加熱して前記被着体に接触させる押圧工程と、
    前記剥離層を前記被着体に接触した接着層から剥離して、前記被着体に接触した接着層を前記被着体に転着させる転着工程とを含むことを特徴とする接着フィルムの転着方法。
  3. 剥離層と接着層とを備える接着フィルムを前記剥離層側から加熱部により押圧して、前記接着層を加熱しながら被着体上に接触させて、前記接着層を前記被着体上に転着させる接着フィルムの転着方法であって、
    前記接着フィルムを前記加熱部と前記被着体との間に搬送する搬送工程と、
    前記接着フィルムを前記剥離層側から前記加熱部により押圧して、前記接着層を第1の加熱温度まで加熱して前記被着体に接触させる押圧工程と、
    前記接着フィルムの搬送方向に対して前記加熱部より後部に設置された高温加熱部を前記剥離層側から前記接着フィルムに接触させて、前記接着層を第2の加熱温度まで加熱して切断する切断工程と、
    前記剥離層を前記被着体に接触した接着層から剥離して、前記被着体に接触した接着層を前記被着体に転着させる転着工程とを含み、前記押圧工程及び前記切断工程を同時に行うことを特徴とする接着フィルムの転着方法。
  4. 接着フィルムの幅が1mm〜20mmである請求項1から3のいずれかに記載の接着フィルムの転着方法。
  5. 接着層がバインダー樹脂及び硬化剤を含有し、該バインダー樹脂がエポキシ樹脂及びアクリル樹脂の少なくともいずれかを含有する請求項1から4のいずれかに記載の接着フィルムの転着方法。
  6. 第2の加熱温度が50℃〜190℃である請求項5に記載の接着フィルムの転着方法。
  7. 接着層が導電性粒子を含有する請求項1から6のいずれかに記載の接着フィルムの転着方法。
  8. 加熱部と高温加熱部とが一体化されている請求項1から7のいずれかに記載の接着フィルムの転着方法。
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AT09708886T ATE498906T1 (de) 2008-02-05 2009-02-03 Verfahren zur übertragung einer haftfolie
EP09708886A EP2144283B1 (en) 2008-02-05 2009-02-03 Method of transferring adhesive film
DE602009000738T DE602009000738D1 (de) 2008-02-05 2009-02-03 Verfahren zur übertragung einer haftfolie
TW098103988A TWI372005B (en) 2008-02-05 2009-02-05 Method for transferring adhesive film
US12/603,753 US8105462B2 (en) 2008-02-05 2009-10-22 Transfer method of adhesive film
HK10105741.9A HK1139787A1 (en) 2008-02-05 2010-06-09 Method of transferring adhesive film

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5289291B2 (ja) * 2009-12-01 2013-09-11 デクセリアルズ株式会社 電子部品の製造方法、電子部品および導電性フィルム
JP7131938B2 (ja) * 2018-03-29 2022-09-06 芝浦メカトロニクス株式会社 粘着テープの貼着装置
DE102018221148A1 (de) * 2018-12-06 2020-06-10 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Verfahren zum Herstellen eines Substratadapters und Substratadapter zum Verbinden mit einem Elektronikbauteil
KR102157003B1 (ko) 2019-07-16 2020-09-16 이재영 측량용 깃발

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0299575A (ja) * 1988-10-05 1990-04-11 Hitachi Chem Co Ltd 切り抜き部を有する離型性フィルム付粘接着フィルムの製造法
JP2803579B2 (ja) * 1994-10-31 1998-09-24 松下電器産業株式会社 回路基板の製造方法および製造装置
JP3082697B2 (ja) 1997-02-27 2000-08-28 日本電気株式会社 異方性導電フィルム貼付方法及び装置
KR100263553B1 (ko) 1997-03-21 2000-08-01 안민혁 회로기판용 라미네이팅기
JP3914606B2 (ja) * 1997-04-25 2007-05-16 松下電器産業株式会社 接着層の製造装置、両面基板の製造装置および多層基板の製造装置
KR100268760B1 (ko) 1998-06-19 2000-10-16 정도화 플렉시블볼그리드어레이회로기판의제조장치
JP2001293686A (ja) 2000-04-13 2001-10-23 Seiko Epson Corp 異方性導電フィルムの貼写方法及びフィルムカッター
KR100380611B1 (ko) 2000-10-13 2003-04-26 오티에스테크놀러지 주식회사 필름 라미네이팅 장치 및 그 방법
JP4552352B2 (ja) * 2001-05-09 2010-09-29 ソニー株式会社 接着フィルムの貼着方法、貼着装置および電子回路装置の組立方法
JP4187065B2 (ja) * 2003-01-17 2008-11-26 日東電工株式会社 粘着テープ貼付け方法およびその装置
CN100416787C (zh) * 2004-01-21 2008-09-03 松下电器产业株式会社 压接装置
JP2006093518A (ja) 2004-09-27 2006-04-06 Seiko Epson Corp 異方性導電膜切断装置、異方性導電膜切断装置を備えた実装装置、異方性導電膜切断方法、および製造方法
JP2006284830A (ja) 2005-03-31 2006-10-19 Sanyo Epson Imaging Devices Corp 電気光学装置の製造装置、電気光学装置の製造方法及び接着剤の貼り付け装置
JP4708896B2 (ja) * 2005-07-20 2011-06-22 芝浦メカトロニクス株式会社 粘着性テープの貼着装置及び貼着方法
JP2007030085A (ja) 2005-07-25 2007-02-08 Pioneer Electronic Corp 粘着フィルム切出装置、配線接続装置、粘着フィルム切出方法、配線接続方法及び平面表示装置の製造方法
JP4878153B2 (ja) 2005-12-08 2012-02-15 電気化学工業株式会社 粘着テープ用フィルム基材及び粘着テープ
JP4818008B2 (ja) * 2006-07-20 2011-11-16 株式会社東芝 異方導電性テープの貼着装置および電気機器の製造方法
US7934531B2 (en) * 2008-04-18 2011-05-03 Brady Worldwide, Inc. Method and apparatus for applying heat activated transfer adhesives

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