JP4837323B2 - レジスト組成物、レジストパターン形成方法および化合物 - Google Patents
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Description
また、微細な寸法のパターンを形成可能なパターン形成材料の1つとして、膜形成能を有する基材成分と、露光により酸を発生する酸発生剤成分とを含有する化学増幅型レジストが知られている。化学増幅型レジストには、露光によりアルカリ可溶性が低下するネガ型と、露光によりアルカリ可溶性が増大するポジ型とがある。
従来、このような化学増幅型レジストの基材成分としてはポリマーが用いられており、例えばポリヒドロキシスチレン(PHS)やその水酸基の一部を酸解離性の溶解抑制基で保護したPHS系樹脂や、(メタ)アクリル酸エステルから誘導される共重合体等が用いられている。
しかし、一般的に基材として用いられているポリマーは、分子サイズ(一分子当たりの平均自乗半径)が数nm前後と大きい。パターン形成の現像工程において、現像液に対するレジストの溶解挙動は通常、基材成分1分子単位で行われるため、基材成分としてポリマーを使う限り、さらなるラフネスの低減は極めて困難である。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、解像性および形状に優れたレジストパターンを形成できるレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法、および該レジスト組成物用として好適な化合物を提供することを目的とする。
すなわち、本発明の第一の態様は、酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ溶解性が増大する基材成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含有するレジスト組成物であって、
前記基材成分(A)が、2以上のフェノール性水酸基を有しかつ分子量が500〜2500である多価フェノール化合物(a)における前記フェノール性水酸基の水素原子の一部が下記一般式(p1)または(p2)
で表される酸解離性溶解抑制基からなる群から選択される少なくとも1種で置換されており、当該化合物中のフェノール性水酸基の保護率が5〜50モル%である化合物(A1)を含有することを特徴とするレジスト組成物である。
また、本発明の第二の態様は、前記第一の態様のレジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法である。
また、本発明の第三の態様は、2以上のフェノール性水酸基を有しかつ分子量が500〜2500である多価フェノール化合物(a)における前記フェノール性水酸基の水素原子の一部が下記一般式(p1)または(p2)
で表される酸解離性溶解抑制基からなる群から選択される少なくとも1種で置換されており、当該化合物中のフェノール性水酸基の保護率が5〜50モル%である化合物である。
本発明の化合物(以下、化合物(A1)という。)は、2以上のフェノール性水酸基を有しかつ分子量が300〜2500である多価フェノール化合物(a)における前記フェノール性水酸基の水素原子の一部または全部が上記一般式(p1)または(p2)で表される酸解離性溶解抑制基からなる群から選択される少なくとも1種で置換されている化合物である。
「ヘテロ原子を含む基」としては、ヘテロ原子自体であってもよく、また、ヘテロ原子と炭素原子および/または水素原子とからなる基、たとえばアルコキシ基等であってもよい。
水素原子の一部または全部がヘテロ原子で置換されたアルキル基の例としては、たとえば、水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換されたフッ素化低級アルキル基、同一の炭素原子に結合した2つの水素原子が1つの酸素原子で置換された基(すなわちカルボニル基(C=O)を有する基)、同一の炭素原子に結合した2つの水素原子が1つの硫黄原子で置換された基(すなわちチオカルボニル(C=S)を有する基)等が挙げられる。
「アルキル基の炭素原子の一部がヘテロ原子で置換されている基」としては、たとえば、炭素原子が窒素原子で置換されている例(たとえば、その構造中に−CH2−を含む分岐状または環状のアルキル基において該−CH2−が−NH−で置換された基)や、炭素原子が酸素原子で置換されている例(たとえば、その構造中に−CH2−を含む分岐状または環状のアルキル基において該−CH2−が−O−で置換された基)等が挙げられる。
R1の分岐状のアルキル基は、炭素数が4〜10であることが好ましく、4〜8であることがより好ましい。具体的には、イソブチル基、tert−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert−ペンチル基等が挙げられる。
R1の環状のアルキル基は、炭素数が3〜20であることが好ましく、4〜14であることがより好ましく、5〜12であることが最も好ましい。
環状のアルキル基における基本環(置換基を除いた基本の環)の構造は、単環でも多環でもよく、特に、本発明の効果に優れることから、多環であることが好ましい。また、基本環は、炭素および水素から構成されてた炭化水素環であってもよく、炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された複素環であってもよい。本発明においては、特に、基本環が炭化水素環であることが好ましい。炭化水素環の具体例としては、たとえば、モノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどを例示できる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンが挙げられる。これらのなかでも、アダマンタン、ノルボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンが好ましく、特にアダマンタンが好ましい。
これらの基本環は、その環上に置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、低級アルキル基、フッ素原子、フッ素化低級アルキル基、=O等が挙げられる。該低級アルキル基としては、メチル基、エチル基等の炭素数1〜5の直鎖状または分岐状のアルキル基が挙げられる。基本環が置換基を有する場合、置換基の数は、1〜3が好ましく、1がより好ましい。ここで、「置換基を有する」とは、基本環を構成する炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていることを意味する。
R1の環状のアルキル基としては、これらの基本環から1つの水素原子を除いた基が挙げられる。R1においては、該R1に隣接する酸素原子が結合する炭素原子が、上記のような基本環を構成する炭素原子の1つであることが好ましく、特に、R1に隣接する酸素原子に結合する炭素原子が、低級アルキル基等の置換基が結合した第3級炭素原子であることが、本発明の効果に優れ、好ましい。R1としてかかる環状アルキル基を有する式(p1)で表される基としては、たとえば、下記式で表される基が挙げられる。
R3は水素原子または低級アルキル基である。R3の低級アルキル基は、炭素原子数1〜5のアルキル基であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などの低級の直鎖状または分岐状のアルキル基が挙げられる。R3としては、工業上入手しやすい点で、水素原子またはメチル基が好ましく、水素原子であることがより好ましい。
式(p2)で表される基としては、たとえば下記化学式で表されるものが挙げられる。
ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン、2−(4−ヒドロキシフェニル)−2−(4’−ヒドロキシフェニル)プロパン、2−(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)−2−(2’,3’,4’−トリヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−6−メチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−6−メチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−6−メチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,3,5−トリメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,3,5−トリメチルフェニル)−3−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,3,5−トリメチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、1−[1−(4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]−4−[1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼン、フェノール、m−クレゾール、p−クレゾールまたはキシレノールなどのフェノール類のホルマリン縮合物の4核体などが挙げられる。
g、jはそれぞれ独立に1以上、好ましくは1〜2の整数であり、k、qはそれぞれ独立に0または1以上、好ましくは2を超えない整数であり、かつg+j+k+qが5以下である。
hは1以上、好ましくは1〜2の整数であり、l、mはそれぞれ独立に0または1以上、好ましくは2を超えない整数であり、かつh+l+mが4以下である。
iは1以上、好ましくは1〜2の整数であり、n、oはそれぞれ独立に0または1以上、好ましくは2を超えない整数であり、かつi+n+oが4以下である。
pは0または1であり、好ましくは1である。
Xは下記一般式(Ia)または(Ib)で表される基である。
さらに、好ましくは、R11がシクロアルキル基であり、jの数が1、かつR12が低級アルキル基であり、kの数が1、かつgの数が1であり、かつqとlとmとnとoが0であり、hとiがともに1である化合物が、LERの低減された高解像性で微細なパターンが形成できるので好ましい。
Xは前記一般式(Ib)で表される基が合成が容易である点で最も好ましい。
d、gはそれぞれ独立に1以上、好ましくは1〜2の整数であり、hは0または1以上、好ましくは2を超えない整数であり、かつd+g+hが5以下である。
e、iはそれぞれ独立に1以上、好ましくは1〜2の整数であり、jは0または1以上、好ましくは2を超えない整数であり、かつe+i+jが4以下である。
f、kはそれぞれ独立に1以上、好ましくは1〜2の整数であり、lは0または1以上、好ましくは2を超えない整数であり、かつf+k+lが5以下である。
mは1〜20、好ましくは2〜10の整数である。
a、eはそれぞれ独立に1以上、好ましくは1〜2の整数であり、fは0または1以上、好ましくは2を超えない整数であり、かつa+e+fが5以下である。
b、hはそれぞれ独立に1以上、好ましくは1〜2の整数であり、gは0または1以上、好ましくは2を超えない整数であり、かつb+h+gが5以下である。
c、iはそれぞれ独立に1以上、好ましくは1〜2の整数であり、jは0または1以上、好ましくは2を超えない整数であり、かつc+i+jが5以下である。
dは1以上、好ましくは1〜2の整数であり、k、lはそれぞれ独立に0または1以上、好ましくは2を超えない整数であり、かつd+k+lが3以下である。
なお、分散度とは通常、ポリマー等の多分散系の化合物に用いられるものであるが、単分散の化合物であっても、製造時における副生物や残留する出発物質などの不純物の存在により、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)等で分析した際に、見かけ上、その分子量に分布が生じる場合がある。つまり、単分散の化合物の場合に分散度が1であるとは純度が100%であることを意味し、分散度が大きいほど不純物の量が多い。本発明において、分散度は、このような見かけ上の分子量分布を示す化合物について、一般的に用いられているポリマーの質量平均分子量(Mw)および数平均分子量(Mn)の測定方法、例えばGPC等によりMwおよびMnを測定し、Mw/Mn比を求めることにより算出できる。
分散度は、最終目的生成物である多価フェノール化合物(a)を合成後、反応副生成物や不純物を精製除去したり、分子量分別処理等の公知の方法により不要な分子量部分を除去して調節することができる。
本発明において、多価フェノール化合物(a)は、上述のようにして形成されたアモルファスな膜の安定性が良好であることが好ましく、例えば上記PAB後、室温環境下で2週間放置した後でも、アモルファスな状態が維持されていることが好ましい。
化合物(A1)においては、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とともにレジスト組成物に配合された場合に、露光により酸発生剤成分(B)から発生した酸が作用すると、酸解離溶解抑制基が解離する。解離前は化合物(A1)全体をアルカリ不溶とするアルカリ溶解抑制性を有するとともに、解離後は化合物(A1)全体をアルカリ可溶性へ変化させる、いわゆる酸解離性溶解抑制基である。
具体的には、直鎖状アルコキシアルキル基、第3級アルキルオキシカルボニル基、第3級アルキル基、環状エーテル基等が挙げられる。
直鎖状アルコキシアルキル基として、具体的には、1−エトキシエチル基、1−エトキシメチル基、1−メトキシメチルエチル基、1−メトキシメチル基、1−イソプロポキシエチル基、1−メトキシプロピル基、1−エトキシプロピル基、1−n−ブトキシエチル基等が挙げられる。
第3級アルキルオキシカルボニル基として、具体的には、tert−ブチルオキシカルボニル基、tert−アミルオキシカルボニル基等が挙げられる。
第3級アルキル基として、具体的には、tert−ブチル基、tert−アミル基などのような鎖状第3級アルキル基、2−メチル−アダマンチル基、2−エチルアダマンチル基などのような脂肪族多環式基を含む第3級アルキル基等が挙げられる。
環状エーテル基として、具体的には、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基等が挙げられる。
これらの中でも、解離性に優れ、化合物(A1)の均一性を高め、LERを向上させることが可能な点から、直鎖状アルコキシアルキル基が好ましく、1−エトキシエチル基や1−エトキシメチル基がより好ましい。
多価フェノール化合物(a)は、例えば、ビスサリチルアルデヒド誘導体とフェノール誘導体(ビスサリチルアルデヒド誘導体に対して約4等量)とを有機溶剤に溶解した後、酸性条件下で反応させることで合成することができる。
本発明の化合物(A1)は、溶解抑制剤としても好適に用いることができる。該溶解抑制剤を用いることで、溶解コントラストが向上して、解像性やレジストパターン形状が良好となる。本発明の溶解抑制剤は、保護基付の樹脂成分と酸発生剤成分を含む2成分系の化学増幅型レジスト組成物に添加して用いることもできるし、保護基を持たない樹脂成分と酸発生剤と溶解抑制剤として本発明の化合物(A1)を用いる、いわゆる3成分系の化学増幅型のレジスト組成物としても用いることができる。
本発明のレジスト組成物は、酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ溶解性が増大する基材成分(A)(以下、(A)成分ということがある)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)(以下、(B)成分ということがある)とを含有するものである。
前記(A)成分においては、露光により前記(B)成分から発生した酸が作用すると、酸解離性溶解抑制基が解離し、これによって(A)成分全体がアルカリ不溶性からアルカリ可溶性に変化する。そのため、レジストパターンの形成において、該レジスト組成物からなるレジスト膜を選択的に露光すると、または露光に加えて露光後加熱すると、露光部はアルカリ可溶性へ転じる一方で未露光部はアルカリ不溶性のまま変化しないので、アルカリ現像することによりポジ型のレジストパターンが形成できる。
化合物(A1)は、1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
化合物(A1)における各異なる複数の化合物の割合は、逆相クロマトグラフィー等の手段により測定することができる。
また、各異なる複数の化合物における保護数は、多価フェノール化合物(a)のフェノール性水酸基を上記酸解離性溶解抑制基で保護する際の条件等により調節できる。
(A)成分中の化合物(A1)の割合は、逆相クロマトグラフィー等の手段により測定することができる。
(A)成分中、多価フェノール化合物(a)の割合は少ないほど好ましく、60質量%以下であることがより好ましく、50質量%以下であることがより好ましく、10質量%以下であることがさらに好ましく、最も好ましくは0質量%である。多価フェノール化合物(a)が60質量%以下であることにより、パターンを形成した際、ラフネスを低減できる。また、解像性にも優れる。
(A)成分中の多価フェノール化合物(a)の割合は、たとえばゲルパーミュエーションクロマトグラフ(GPC)により多価フェノール化合物(a)を除去する等により調整できる。
(A)成分中の多価フェノール化合物(a)の割合は、逆相クロマトグラフィー等の手段により測定することができる。
かかる(A3)成分としては、例えば従来の化学増幅型のKrF用ポジ型レジスト組成物、ArF用ポジ型レジスト組成物等のベース樹脂として提案されているものが挙げられ、レジストパターン形成時に用いる露光光源の種類に応じて適宜選択できる。
オニウム塩系酸発生剤としては、下記一般式(b−1)または(b−2)で表される化合物が挙げられる。
R1”〜R3”のアリール基としては、特に制限はなく、例えば、炭素数6〜20のアリール基であって、該アリール基は、その水素原子の一部または全部がアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子等で置換されていてもよく、されていなくてもよい。アリール基としては、安価に合成可能なことから、炭素数6〜10のアリール基が好ましい。具体的には、たとえばフェニル基、ナフチル基が挙げられる。
前記アリール基の水素原子が置換されていても良いアルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n‐ブチル基、tert‐ブチル基であることが最も好ましい。
前記アリール基の水素原子が置換されていても良いアルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記アリール基の水素原子が置換されていても良いハロゲン原子としては、フッ素原子であることが好ましい。
R1”〜R3”のアルキル基としては、特に制限はなく、例えば炭素数1〜10の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基等が挙げられる。解像性に優れる点から、炭素数1〜5であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、n−ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ノニル基、デカニル基等が挙げられ、解像性に優れ、また安価に合成可能なことから好ましいものとして、メチル基を挙げることができる。
これらの中で、R1〜R3はすべてフェニル基であることが最も好ましい。
R5”〜R6”のアリール基としては、R1”〜R3”のアリール基と同様のものが挙げられる。
R5”〜R6”のアルキル基としては、R1”〜R3”のアルキル基と同様のものが挙げられる。
これらの中で、R5”〜R6”はすべてフェニル基であることが最も好ましい。
前記直鎖のアルキル基としては、炭素数1〜10であることが好ましく、炭素数1〜8であることがさらに好ましく、炭素数1〜4であることが最も好ましい。
前記環状のアルキル基としては、前記R1で示したような環式基であって、炭素数4〜15であることが好ましく、炭素数4〜10であることがさらに好ましく、炭素数6〜10であることが最も好ましい。
前記フッ素化アルキル基としては、炭素数1〜10であることが好ましく、炭素数1〜8であることがさらに好ましく、炭素数1〜4であることが最も好ましい。また。該フッ化アルキル基のフッ素化率(アルキル基中のフッ素原子の割合)は、好ましくは10〜100%、さらに好ましくは50〜100%であり、特に水素原子をすべてフッ素原子で置換したものが、酸の強度が強くなるので好ましい。
Y”、Z”は、それぞれ独立に、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状または分岐状のアルキル基であり、該アルキル基の炭素数は1〜10であり、好ましくは炭素数1〜7、より好ましくは炭素数1〜3である。
X”のアルキレン基の炭素数またはY”、Z”のアルキル基の炭素数は、上記炭素数の範囲内において、レジスト溶媒への溶解性も良好である等の理由により、小さいほど好ましい。
また、X”のアルキレン基またはY”、Z”のアルキル基において、フッ素原子で置換されている水素原子の数が多いほど、酸の強度が強くなり、また200nm以下の高エネルギー光や電子線に対する透明性が向上するので好ましい。該アルキレン基またはアルキル基中のフッ素原子の割合、すなわちフッ素化率は、好ましくは70〜100%、さらに好ましくは90〜100%であり、最も好ましくは、全ての水素原子がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキレン基またはパーフルオロアルキル基である。
また、ポリ(ビススルホニル)ジアゾメタン類としては、例えば、以下に示す構造をもつ1,3−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)プロパン(化合物A)、1,4−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ブタン(化合物B)、1,6−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ヘキサン(化合物C)、1,10−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)デカン(化合物D)、1,2−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)エタン(化合物E)、1,3−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)プロパン(化合物F)、1,6−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ヘキサン(化合物G)、1,10−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)デカン(化合物H)などを挙げることができる。
(B)成分としては、1種の酸発生剤を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(B)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対し、0.5〜30質量部、好ましくは1〜10質量部とされる。上記範囲とすることでパターン形成が十分に行われる。また、均一な溶液が得られ、保存安定性が良好となるため好ましい。
(C)成分としては、有機溶剤としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを1種または2種以上適宜選択して用いることができる。
例えば、γ−ブチロラクトン等のラクトン類や、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、2−ヘプタノンなどのケトン類、エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコール、またはジプロピレングリコールモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテルまたはモノフェニルエーテルなどの多価アルコール類およびその誘導体や、ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル(EL)、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類などを挙げることができる。
これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、2種以上の混合溶剤として用いてもよい。
また、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)と極性溶剤とを混合した混合溶媒は好ましい。その配合比(質量比)は、PGMEAと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよいが、好ましくは1:9〜9:9:1、より好ましくは2:8〜8:2の範囲内とすることが好ましい。
より具体的には、極性溶剤としてELを配合する場合は、PGMEA:ELの質量比が好ましくは1:9〜9:1、より好ましくは2:8〜8:2であると好ましい。
また、有機溶剤として、その他には、PGMEA及びELの中から選ばれる少なくとも1種とγ−ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者の質量比が好ましくは70:30〜95:5とされる。
(C)成分の使用量は特に限定しないが、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定されるものであるが、一般的にはレジスト組成物の固形分濃度2〜20質量%、好ましくは5〜15質量%の範囲内となる様に用いられる。
この(D)成分は、既に多種多様なものが提案されているので、公知のものから任意に用いれば良く、例えば、n−ヘキシルアミン、n−ヘプチルアミン、n−オクチルアミン、n−ノニルアミン、n−デシルアミン等のモノアルキルアミン;ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、ジ−n−ヘプチルアミン、ジ−n−オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジアルキルアミン;トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−n−プロピルアミン、トリ−n−ブチルアミン、トリ−n−ヘキシルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、トリ−n−ヘプチルアミン、トリ−n−オクチルアミン、トリ−n−ノニルアミン、トリ−n−デカニルアミン、トリ−n−ドデシルアミン等のトリアルキルアミン;ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ−n−オクタノールアミン、トリ−n−オクタノールアミン等のアルキルアルコールアミンが挙げらる。これらの中でも、特に第2級脂肪族アミンや第3級脂肪族アミンが好ましく、炭素数5〜10のトリアルキルアミンがさらに好ましく、トリ−n−オクチルアミンが最も好ましい。
これらは単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(D)成分は、(A)成分100質量部に対して、通常0.01〜5.0質量部の範囲で用いられる。
有機カルボン酸としては、例えば、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸などが好適である。
リンのオキソ酸若しくはその誘導体としては、リン酸、リン酸ジ−n−ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステルなどのリン酸又はそれらのエステルのような誘導体、ホスホン酸、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸−ジ−n−ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステルなどのホスホン酸及びそれらのエステルのような誘導体、ホスフィン酸、フェニルホスフィン酸などのホスフィン酸及びそれらのエステルのような誘導体が挙げられ、これらの中で特にホスホン酸が好ましい。
(E)成分は、(A)成分100質量部当り0.01〜5.0質量部の割合で用いられる。
本発明のレジストパターン形成方法は、上記本発明のレジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むことを特徴とする。より具体的には、例えば以下の様なレジストパターン形成方法によりレジストパターンを形成することができる。すなわち、まずシリコンウェーハのような基板上に、上記レジスト組成物をスピンナーなどで塗布し、任意にプレベーク(PAB)を施してレジスト膜を形成する。形成されたレジスト膜を、例えば電子線描画装置、EUV露光装置等の露光装置を用いて、マスクパターンを介した露光、またはマスクパターンを介さない電子線の直接照射による描画等により選択的に露光した後、PEB(露光後加熱)を施す。続いて、アルカリ現像液を用いて現像処理した後、リンス処理を行って、基板上の現像液および該現像液によって溶解したレジスト組成物を洗い流し、乾燥させて、レジストパターンを得る。
これらの工程は、周知の手法を用いて行うことができる。操作条件等は、使用するポジ型レジスト組成物の組成や特性に応じて適宜設定することが好ましい。
露光光源は、特に限定されず、ArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザー、F2エキシマレーザー、EUV(極紫外線)、VUV(真空紫外線)、電子線、X線、軟X線などの放射線を用いて行うことができる。特に、本発明にかかるポジ型レジスト組成物は、電子線またはEUV、特に電子線に対して有効である。
使用するアルカリ現像液としては、特に限定されず、一般的に用いられているアルカリ現像液が使用できる。かかるアルカリ現像液としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)、トリメチルモノエチルアンモニウムヒドロキシド、ジメチルジエチルアンモニウムヒドロキシド、モノメチルトリエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルモノプロピルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルモノブチルアンモニウムヒドロキシド等の有機アルカリを水に溶解したアルカリ水溶液が挙げられる。
アルカリ現像液中のアルカリ濃度は、一般的に現像液として用いられる程度の濃度であれば特に限定されず、用いられるレジストの種類にも依存するが、パターン倒れを抑制しつつ微細なパターンを形成できることから、0.1〜10質量%が好ましく、0.5〜5質量%がより好ましく、2.0〜3.5質量%がさらに好ましい。
アルカリ現像液には、前記アルカリとともに、所望に応じて、従来レジスト用のアルカリ現像液に慣用されている添加成分、例えば湿潤剤、安定剤、溶解助剤、界面活性剤等が添加されていてもよい。これらの添加成分はそれぞれ単独で添加してもよいし、2種以上を組み合わせて添加してもよい。
なお、場合によっては、上記アルカリ現像後ポストベーク工程を含んでもよいし、基板とレジスト膜との間には、有機系または無機系の反射防止膜を設けてもよい。
その理由としては、以下のことが推測される。すなわち、低分子量の多価フェノール化合物のフェノール性水酸基を酸解離性溶解抑制基で保護した化合物を用いたレジストにおいては、そのフェノール性水酸基の水素原子が酸解離性溶解抑制基で置換されていないフェノール性水酸基を有することにより、水素結合等が生じるなど、分子間相互作用が強まり、レジストの耐熱性を向上させ、たとえば通常用いられているベーク温度、たとえば100℃以上の温度で加熱した際に、充分にパターンが形成できる。一方、高解像性の要求が高まる中、解像性を高める手法の1つとしてフェノール性水酸基の保護率を高くすることが考えられる。しかし、保護率を高くすると、水酸基の数が少なくなり、分子間力が低下して耐熱性が低下し、結果、レジストパターンが形成できなくなる(パターン形成能が低下する)。逆に、パターン形成能を高めるために保護率を低くすると、解像性が低下し、さらにアルカリ可溶性が高くなりすぎてしまい、露光部と未露光部の現像液に対する溶解性の差(溶解コントラスト)が小さく、パターン形成が困難となる。これに対し、本発明で用いられている式(p1)または(p2)で表される基は、分岐状または環状のアルキル基という嵩高い基を有することにより、高い溶解抑制作用を有しており、そのため、低い保護率でも充分に高い溶解コントラストが得られ、同時に水酸基が多く残っていることから、水酸基による分子間水素結合によりパターン形成能が保持され、結果、解像性にも形状にも優れたレジストパターンが形成できると推測される。
[製造例1]低分子フェノール化合物(1)の保護体(3)の合成
10gの低分子化合物(1)(本州化学工業製)を50gのテトラヒドロフラン(THF)に溶解し、0℃にて1.12gの60質量%水素化ナトリウム(NaH)を加えて10分攪拌し、8.01gのブロモ酢酸−2−メチル−2−アダマンチル(5)を加え、室温(r.t.)で5時間攪拌した。反応終了後、水/酢酸エチルにて抽出精製を行い、分離した酢酸エチル溶液を硫酸ナトリウムにて乾燥後、減圧濃縮して、15.0gの保護体(3)を得た。
保護体(3)の保護率(下記式(3)中のRのうち、Rが下記式(5’)で表される基である割合,1H−NMRにより算出)は30.2モル%であった。
1H−NMR(重ジメチルスルホキシド(DMSO)、内部標準:テトラメチルシラン)δ=8.75−9.08(m 3.76H),6.33−6.80(m 14H),5.60−5.96(m 2H),4.48−4.75(m 3.62H),3.41−3.63(m 2H),1.35−2.25(m 58.43H)
10gの低分子化合物(下式(2)、本州化学工業製)を30gのTHFに溶解し、0℃にて0.84gの60質量%NaHを加えて10分攪拌し、5.79gのブロモ酢酸−2−メチル−2−アダマンチル(下式(5))を加え、室温(r.t.)で5時間攪拌した。反応終了後、水/酢酸エチルにて抽出精製を行い、分離した酢酸エチル溶液を硫酸ナトリウムにて乾燥後、減圧濃縮して、13.6gの保護体(4)を得た。
保護体(4)の保護率(保護体(4)中のフェノール性水酸基の水素原子が上記式(5’)で表される基で置換されている割合,1H−NMRにより算出)は29.5モル%であった。
1H−NMR(重DMSO、内部標準:テトラメチルシラン)δ=8.70−9.06 m 3.89H),6.50−6.80(m 14H),5.75−6.00(m 2H),4.41−4.72(m 3.54H),3.36−3.65(m 2H),0.98−2.25(m 89.63H)
10gの低分子化合物(1)をテトラヒドロフラン33gに溶解し、これにエチルビニルエーテル4.9gを添加して攪拌しながら室温にて12時間反応させた。反応終了後、水/酢酸エチル系にて抽出精製を行った。 保護体(6)の保護率(下記式(6)中のRのうち、Rが下記式(7’)で表される基である割合,1H−NMRにより算出)は50.1モル%であった。
10gの低分子化合物(下式(1)、本州化学工業製)を30gのTHFに溶解し、0℃にて2gの60質量%NaHを加えて10分攪拌し、2−アダマンチル−クロロメチルエーテル7g(下式(9))を加え、室温(r.t.)で5時間攪拌した。反応終了後、水/酢酸エチルにて抽出精製を行い、分離した酢酸エチル溶液を硫酸ナトリウムにて乾燥後、減圧濃縮して、13.0gの保護体(8)を得た。
保護体(8)の保護率(保護体(8)中のフェノール性水酸基の水素原子が下記式(9’)で表される基で置換されている割合,1H−NMRにより算出)は41.9モル%であった。
1H−NMR(重DMSO、内部標準:テトラメチルシラン)δ=8.78−9.06 m 3.21H),6.24−7.00(m 14H),5.62−5.75(m 2H),5.14−5.35(m 5.03H),3.40−3.58(m 2H),1.21−2.11(m 66.74H)
[1]低分子フェノール化合物(10)の合成
まず、下記化学式で示す化合物(以下、「出発物質1」と略記する)を以下の様にして製造した。
その混合液中に2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−4−メチルフェノール[2,6−bis(hydroxymethyl)−4−methylphenol]84.0g(0.5モル)を60℃で6時間かけて粉体間欠添加し、その後17時間撹拌を続けた。この反応液にメチルイソブチルケトン366.0gを加えて分液を行い、水層235.0gを抜き取った。
その後、16質量%水酸化ナトリウム水溶液80.6gで中和した後、水150gを加えて80℃で水洗分液を行った。さらに2回同様の操作で水洗分液を行った後、160℃まで減圧濃縮し、その残渣に120℃でメチルイソブチルケトン94.0g、さらに110℃でトルエン470.0g を添加して晶析を行った。結晶を濾別しWET(湿潤)ケーキ160.6gを得た。
このWETケーキを再び1L容量の四つ口フラスコに仕込み、メチルイソブチルケトン240.0gを加えて溶解させた。その後、130℃まで常圧濃縮をし、そこにトルエン184.0gを加えて再度115℃まで常圧濃縮を行った。その残渣にトルエン240.0gを添加して晶析を行った。結晶を濾別し、目的物89.7g(収率47.7%)を得た。
得られた化合物の1H−NMR[重DMSO(ジメチルスルホキシド)、内部標準:テトラメチルシラン]の帰属データを表1に示した。なお表中「Ph」はフェノールを示す。
その後、攪拌を30℃にて5時間行った後、75質量%燐酸水溶液 7.7g(分子量:98、0.06mo1)を添加し、16質量%NaOH水溶液 727.5g(分子量:40、2.91mol)を滴下し、63℃以下にて中和した(途中で結晶が析出した。中和後はpH=5.4[pHはBCG(ブロムクレゾールグリーン)試験紙にて測定した。]となった。)。続いて、32℃まで冷却し、濾別にてWET(湿潤)粗結晶829.3gを得た。
得られたWET粗結晶 829.3g、メチルイソブチルケトン(MIBK)1268.1g(WET粗結晶に対して1.53質量倍)、純水400g(WET粗結晶に対して0.48質量倍)を、玉入りコンデンサー、0〜200℃水銀温度計、撹絆棒をセットした3L4ッロフラスコに仕込み、70℃にて30分間撹絆混合させて結晶を完溶させた。
その後、撹絆を停止し、下層部の水層160.0gを抜き取った。さらに純水400gを70℃にて30分間撹絆混合させ、撹絆を停止し、下層部の水層394g抜き取った。さらに、純水400gを70℃にて30分間撹絆混合させ、撹絆を停止し、下層部の水層410.0g抜き取った。その後、内温130℃まで加熱し、溶媒を1310g留出させ、濃縮された内液にトルエン843.2g(WET粗結晶に対して0.98質量倍)を添加し、30℃まで冷却すると結晶が析出した。
析出した結晶を濾別、乾燥し、目的物381.0g得た。
純度:97.6%(HPLC(高速液体クロマトグラフィ)にて測定)
融点:275.8℃(DSC:示差走査熱量計)
収率:93.1%(「出発物質1」に対して)
外観:淡黄色粉末(目視)
であった。得られた目的物の分子量を液体クロマトグラフ質量分析法(LC−MS)により測定したところ、目的の分子量であることが確認された。1H−NMR(重DMSO、内部標準:テトラメチルシラン)の帰属データを表2に記す。
10gの低分子フェノール化合物(10)(下式(10)、本州化学工業製)を40gのTHFに溶解し、0℃にて1.3gの60質量%NaHを加えて10分攪拌し、ブロモ酢酸−2−メチル−2−アダマンチル9.14g(下記式(5))を加え、室温(r.t.)で5時間攪拌した。反応終了後、水/酢酸エチルにて抽出精製を行い、分離した酢酸エチル溶液を硫酸ナトリウムにて乾燥後、減圧濃縮して、12.0gの保護体(11)を得た。
保護体(11)の保護率(保護体(11)中のフェノール性水酸基の水素原子が下記式(5’)で表される基で置換されている割合,1H−NMRにより算出)は25.6モル%であった。
1H−NMR(重DMSO、内部標準:テトラメチルシラン)δ=8.76−9.05
m 4.42H),7.91−8.01(m 0.79H),6.30−6.95(m 16H),5.64−5.92(m 2H),4.49−4.71(m 3.58H),3.58−3.79(m 4H),1.35−2.25(m 57.46H)
10gの低分子フェノール化合物(10)(下式(10)、本州化学工業製)を50gのTHFに溶解し、0℃にて1.6gの60質量%NaHを加えて10分攪拌し、2−アダマンチル−クロロメチルエーテル5.5g(下式(9))を加え、室温(r.t.)で5時間攪拌した。反応終了後、水/酢酸エチルにて抽出精製を行い、分離した酢酸エチル溶液を硫酸ナトリウムにて乾燥後、減圧濃縮して、11.7gの保護体(12)を得た。
保護体(12)の保護率(保護体(12)中のフェノール性水酸基の水素原子が下記式(9’)で表される基で置換されている割合,1H−NMRにより算出)は30.3モル%であった。
1H−NMR(重DMSO、内部標準:テトラメチルシラン)δ=8.75−9.08
m 3.97H),7.89−8.00(m 0.91H),6.25−6.98(m 16H),5.64−5.79(m 2H),5.12−5.30(m 4.24H),3.46−3.75(m 4H),1.18−2.15(m 56.69H)
製造例1で得た保護体(3)100質量部と、10質量部のトリフェニルスルホニウム−ノナフルオロ−n−ブタンスルホネート(TPS−PFBS)と、1質量部のトリ−n−オクチルアミンとを、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA):乳酸エチル(EL)=6:4(質量比)の混合溶剤1550質量部に溶解してポジ型レジスト組成物溶液を得た。
該レジスト膜に対し、電子線描画機(HL−800D(VSB)(日立社製)、加速電圧70kV)にて描画(露光)を行い、100℃にて90秒間のベーク(PEB)条件でPEB処理を行い、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)の2.38質量%水溶液(23℃)にて60秒間の現像を行った後、純水にて30秒リンスして、ラインアンドスペース(L/S)パターンを形成した。
日立社製の走査型電子顕微鏡(測長SEM、S−9220)を用い、100nmのL/Sパターンが1:1に形成される露光量(Eop)を求めたところ、36μC/cm2であった。
<解像性>
上記EopにおいてL/Sパターンを形成し、その限界解像度(nm)を求めた。
<形状>
上記Eopにおいて形成した80nmのL/Sパターンについて、その断面形状を、日立社製の走査型電子顕微鏡(測長SEM、S−9220)を用い、下記の基準で評価した。
○:パターン表面やライン側壁に凹凸がほとんどなく、矩形性が高かった。
×:パターン表面やライン側壁に顕著な凹凸が見られた。
保護体(3)に変えて、比較製造例1で得た保護体(6)を用いた以外は実施例1と同様にしてポジ型レジスト組成物溶液を得た。
次いで、得られたポジ型レジスト組成物溶液を用いて実施例1と同様の評価を行った。なお、このとき、PAB条件を80℃で90秒間に変更し、PEB条件を70℃で300秒間に変更した。その結果を表3に示す。
保護体(3)に変えて、製造例5で得た保護体(12)を用いた以外は実施例1と同様にしてポジ型レジスト組成物溶液を得た。
次いで、得られたポジ型レジスト組成物溶液を用いて実施例1と同様の評価を行った。なお、このとき、PAB条件を110℃で90秒間に変更し、PEB条件を110℃で90秒間に変更した。その結果を表3に示す。
保護体(3)に変えて、製造例3で得た保護体(8)を用いた以外は実施例1と同様にしてポジ型レジスト組成物溶液を得た。
次いで、得られたポジ型レジスト組成物溶液を用いて実施例1と同様の評価を行った。なお、このとき、PAB条件を110℃で90秒間に変更し、PEB条件を110℃で90秒間に変更した。その結果を表3に示す。
保護体(3)に変えて、製造例4で得た保護体(11)を用いた以外は実施例1と同様にしてポジ型レジスト組成物溶液を得た。
次いで、得られたポジ型レジスト組成物溶液を用いて実施例1と同様の評価を行った。なお、このとき、PAB条件を110℃で90秒間に変更し、PEB条件を110℃で90秒間に変更した。その結果を表3に示す。
一方、比較例1は、解像性は高いものの、その形状が非常に悪かった。
製造例1で得た保護体(3)100質量部と、10質量部のTPS−PFBSと、0.5質量部のトリ−n−オクチルアミンと、0.2質量部のサリチル酸とを、PGMEA:EL=6:4(質量比)の混合溶剤1700質量部に溶解してポジ型レジスト組成物溶液を得た。
該レジスト膜に対し、EUV露光装置HiNA3(技術研究組合超先端電子技術開発機構(ASET)所有の露光機)にて露光を行い、100℃にて90秒間のPEB条件でPEB処理を行い、TMAHの2.38質量%水溶液を含む現像液NMD−3(製品名、東京応化工業株式会社製)(23℃)にて30秒間の現像を行った後、純水にて30秒リンスして、L/Sパターンを形成した。
実施例5と同様のポジ型レジスト組成物を用い、TMAHの2.38質量%水溶液を含む現像液をNMD−W(製品名、東京応化工業株式会社製)に変更したこと以外は同様の方法でレジストパターンを形成した。
得られたレジストパターンについて、上記と同様の方法で評価を行った結果、45nmのラインアンドスペースが解像が確認され、その際の感度は13A・sec(アンペアセック)であった。また、レジストパターン形状も良好であった。
Claims (8)
- 酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ溶解性が増大する基材成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含有するレジスト組成物であって、
前記基材成分(A)が、2以上のフェノール性水酸基を有しかつ分子量が500〜2500である多価フェノール化合物(a)における前記フェノール性水酸基の水素原子の一部が下記一般式(p1)または(p2)
で表される酸解離性溶解抑制基からなる群から選択される少なくとも1種で置換されており、当該化合物中のフェノール性水酸基の保護率が5〜50モル%である化合物(A1)を含有することを特徴とするレジスト組成物。 - 前記多価フェノール化合物(a)が、下記一般式(I)、(II)または(III)
で表される化合物からなる群から選択される少なくとも1種である請求項1記載のレジスト組成物。 - 前記基材成分(A)中の前記化合物(A1)の割合が50質量%超である請求項1または2に記載のポジ型レジスト組成物。
- さらに、含窒素有機化合物(D)を含有する請求項1〜3のいずれか一項に記載のレジスト組成物。
- 当該ポジ型レジスト組成物中にポリマーを含まない請求項1〜4のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載のレジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。
- 前記多価フェノール化合物(a)が、下記一般式(I)、(II)または(III)
で表される化合物からなる群から選択される少なくとも1種である請求項7記載の化合物。
Priority Applications (8)
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---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP4732038B2 (ja) * | 2005-07-05 | 2011-07-27 | 東京応化工業株式会社 | 化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
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JP4879559B2 (ja) * | 2005-09-20 | 2012-02-22 | 東京応化工業株式会社 | 化合物およびその製造方法 |
US20080318156A1 (en) * | 2006-02-16 | 2008-12-25 | Shinji Tanaka | Adamantane Based Molecular Glass Photoresists for Sub-200 Nm Lithography |
JP2008056597A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
JP5128105B2 (ja) * | 2006-10-13 | 2013-01-23 | 東京応化工業株式会社 | 化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
WO2008044568A1 (fr) * | 2006-10-13 | 2008-04-17 | Honshu Chemical Industry Co., Ltd. | Nouveau bis(formylphényl)alcane et nouveau phénol polynucléaire dérivé de celui-ci |
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WO2009022540A1 (ja) | 2007-08-13 | 2009-02-19 | Jsr Corporation | 化合物及び感放射線性組成物 |
US8715918B2 (en) * | 2007-09-25 | 2014-05-06 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Thick film resists |
JP5276890B2 (ja) | 2007-11-28 | 2013-08-28 | 本州化学工業株式会社 | 新規なビス(ホルミルフェニル)化合物及びそれから誘導される新規な多核体ポリフェノール化合物 |
JP5314922B2 (ja) * | 2007-11-28 | 2013-10-16 | 東京応化工業株式会社 | 化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
JP5172378B2 (ja) * | 2008-02-19 | 2013-03-27 | 株式会社東芝 | 感光性組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
KR101607717B1 (ko) | 2008-06-20 | 2016-03-30 | 혼슈우 카가쿠고교 가부시키가이샤 | 신규한 테트라키스(에테르 치환-포르밀페닐)류 및 그것으로부터 유도되는 신규한 다핵 폴리(페놀)류 |
JP5264404B2 (ja) * | 2008-10-17 | 2013-08-14 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物、酸発生剤 |
Family Cites Families (68)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0103540A1 (de) * | 1982-08-18 | 1984-03-21 | Ciba-Geigy Ag | Farbphotographisches Aufzeichnungsmaterial |
US5286600A (en) * | 1991-08-27 | 1994-02-15 | Mitsubishi Kasei Corporation | Negative photosensitive composition and method for forming a resist pattern by means thereof |
JPH0561197A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感放射線性組成物 |
JP2935306B2 (ja) | 1992-01-23 | 1999-08-16 | 日本化薬株式会社 | 酸分解性化合物及びそれを含有するポジ型感放射線性レジスト組成物 |
JP2782150B2 (ja) * | 1992-07-15 | 1998-07-30 | 松下電器産業株式会社 | 新規なネガ型レジスト材料及びパタ−ン形成方法 |
JPH0659444A (ja) | 1992-08-06 | 1994-03-04 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
JP3203842B2 (ja) | 1992-11-30 | 2001-08-27 | ジェイエスアール株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
JPH06266109A (ja) * | 1993-03-15 | 1994-09-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感光性組成物 |
JP3297199B2 (ja) | 1993-09-14 | 2002-07-02 | 株式会社東芝 | レジスト組成物 |
JP3317576B2 (ja) | 1994-05-12 | 2002-08-26 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
US5824451A (en) * | 1994-07-04 | 1998-10-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photosensitive composition |
JP3340864B2 (ja) | 1994-10-26 | 2002-11-05 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型化学増幅レジスト組成物 |
JPH08193054A (ja) | 1995-01-13 | 1996-07-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ビス(4−t−ブトキシカルボニルメチロキシ−2 ,5−ジメチルフェニル)メチル−4−t−ブトキシカルボニルメチロキシベンゼン及びその誘導体 |
JP3447136B2 (ja) | 1995-02-20 | 2003-09-16 | シップレーカンパニー エル エル シー | ポジ型感光性組成物 |
JPH08262712A (ja) | 1995-03-28 | 1996-10-11 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
KR100293130B1 (ko) | 1995-04-12 | 2001-09-17 | 카나가와 치히로 | 고분자화합물및화학증폭포지티브형레지스트재료 |
JP3173368B2 (ja) | 1995-04-12 | 2001-06-04 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物及び化学増幅ポジ型レジスト材料 |
JPH095999A (ja) | 1995-06-14 | 1997-01-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 感光性組成物、それを用いたレジストパターンの形成方法およびその剥離方法 |
JP3239772B2 (ja) * | 1995-10-09 | 2001-12-17 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト材料 |
TW448344B (en) | 1995-10-09 | 2001-08-01 | Shinetsu Chemical Co | Chemically amplified positive resist composition |
JP3052815B2 (ja) | 1995-12-01 | 2000-06-19 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト材料 |
JP2845225B2 (ja) | 1995-12-11 | 1999-01-13 | 日本電気株式会社 | 高分子化合物、それを用いた感光性樹脂組成物およびパターン形成方法 |
JPH09211865A (ja) * | 1996-02-05 | 1997-08-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感光性組成物 |
JP3587325B2 (ja) * | 1996-03-08 | 2004-11-10 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型感光性組成物 |
JPH10123703A (ja) | 1996-10-18 | 1998-05-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感光性組成物 |
US5777719A (en) * | 1996-12-23 | 1998-07-07 | University Of Rochester | Method and apparatus for improving vision and the resolution of retinal images |
EP0869393B1 (en) | 1997-03-31 | 2000-05-31 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photosensitive composition |
JP3773139B2 (ja) * | 1997-03-31 | 2006-05-10 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型感光性組成物 |
DE69817687T2 (de) | 1997-06-24 | 2004-07-08 | Fuji Photo Film Co., Ltd., Minami-Ashigara | Positiv-Fotoresist-Zusammensetzung |
KR100452670B1 (ko) | 1997-08-06 | 2005-10-11 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 고분자실리콘화합물,레지스트재료및패턴형성방법 |
JP3486341B2 (ja) | 1997-09-18 | 2004-01-13 | 株式会社東芝 | 感光性組成物およびそれを用いたパターン形成法 |
JP4132302B2 (ja) | 1997-11-07 | 2008-08-13 | 本州化学工業株式会社 | 新規なポリフェノール化合物 |
JPH11167199A (ja) * | 1997-12-03 | 1999-06-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
JP2000086584A (ja) | 1998-07-15 | 2000-03-28 | Honshu Chem Ind Co Ltd | 新規なトリスフェノ―ルエ―テル類 |
JP2000305270A (ja) | 1999-04-20 | 2000-11-02 | Yasuhiko Shirota | 化学増幅型新規低分子系レジスト材料を用いるパターン形成 |
JP2000330282A (ja) | 1999-05-24 | 2000-11-30 | Nagase Denshi Kagaku Kk | ネガ型感放射線性樹脂組成物 |
TW548520B (en) | 2000-02-18 | 2003-08-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | Positive resist composition for X-rays or electron beams |
JP4187934B2 (ja) * | 2000-02-18 | 2008-11-26 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
JP4141625B2 (ja) | 2000-08-09 | 2008-08-27 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびそのレジスト層を設けた基材 |
JP2002099088A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-05 | Yasuhiko Shirota | 感放射線性組成物 |
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JP2002221787A (ja) | 2001-01-25 | 2002-08-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感放射線性組成物 |
JP2002328473A (ja) | 2001-05-02 | 2002-11-15 | Jsr Corp | ポジ型感放射線性組成物 |
JP2003084437A (ja) | 2001-09-11 | 2003-03-19 | Toray Ind Inc | ポジ型感放射線性組成物 |
JP2003183227A (ja) | 2001-10-02 | 2003-07-03 | Osaka Industrial Promotion Organization | 新規有機化合物 |
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JP2003260881A (ja) | 2002-03-07 | 2003-09-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平版印刷版原版の製造方法 |
KR100955006B1 (ko) | 2002-04-26 | 2010-04-27 | 후지필름 가부시키가이샤 | 포지티브 레지스트 조성물 |
JP4092153B2 (ja) | 2002-07-31 | 2008-05-28 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
US6939662B2 (en) | 2002-05-31 | 2005-09-06 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive-working resist composition |
JP4056345B2 (ja) | 2002-09-30 | 2008-03-05 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
JP4056332B2 (ja) * | 2002-09-06 | 2008-03-05 | 富士フイルム株式会社 | レジスト組成物 |
JP4429620B2 (ja) | 2002-10-15 | 2010-03-10 | 出光興産株式会社 | 感放射線性有機化合物 |
JP4125093B2 (ja) | 2002-11-01 | 2008-07-23 | 住友ベークライト株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 |
TWI344966B (en) | 2003-03-10 | 2011-07-11 | Maruzen Petrochem Co Ltd | Novel thiol compound, copolymer and method for producing the copolymer |
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JP4029288B2 (ja) | 2003-05-21 | 2008-01-09 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
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JP2005091909A (ja) | 2003-09-18 | 2005-04-07 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 感放射線性組成物 |
JP2005089387A (ja) | 2003-09-18 | 2005-04-07 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | レジスト用化合物とその製造方法及び感放射線性組成物 |
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Cited By (1)
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