JP4594015B2 - ワードライン活性化方法及び半導体メモリ装置 - Google Patents
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Dram (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
Description
20 ロウデコーダ
22 PXI発生器
24 WLE発生器
30a,30b,30c ワードラインドライバ
40a,40b,40c,40d サブメモリセルアレイ
50a,50b,50c,50d センスアンプ
60a,60b,60c,60d コンジャンクション
Claims (15)
- 少なくとも二つのワードラインセグメントに区分される少なくとも一つのワードラインを含む半導体メモリ装置のワードライン活性化方法において、
複数の制御信号(/CS、/RAS、/CAS、/WE)を組み合わせて内部アクティブ命令を発生する段階と、
前記発生された内部アクティブ命令が部分アクティブ命令であるか否かに従って前記ワードラインセグメントの全部、または前記ワードラインセグメントのうちのいずれか一つを活性化させる段階とを含み、
前記部分アクティブ命令は、前記ワードラインセグメントのうちの一つを選択するために、第1セグメント選択命令(PR1)と、第2セグメント選択命令(PR2)のいずれか一つを含む
ことを特徴とするワードライン活性化方法。 - 前記発生された内部アクティブ命令が部分アクティブ命令である時、該当するワードラインの前記ワードラインセグメントのうちのいずれか一つのみが活性化される
ことを特徴とする請求項1に記載のワードライン活性化方法。 - 前記発生された内部アクティブ命令が部分アクティブ命令ではない時、該当するワードラインの前記ワードラインセグメントが全部活性化される
ことを特徴とする請求項1に記載のワードライン活性化方法。 - 各々が複数のワードラインセグメントで構成される複数のワードラインを含む半導体メモリ装置のワードライン活性化方法において、
複数の制御信号(/CS、/RAS、/CAS、/WE)を組み合わせて発生された内部アクティブ命令が部分アクティブ命令であるか否かを判断する段階と、
前記内部アクティブ命令が部分アクティブ命令である時、前記各ワードラインの複数のワードラインセグメントを各々選択するための部分ワードライン選択信号のうちのいずれか一つを活性化させる段階と、
前記活性化された部分ワードライン選択信号および行アドレスに応答して、該当するワードラインに属する複数のワードラインセグメントのうちの一つを活性化させる段階とを含み、
前記部分アクティブ命令は、前記ワードラインセグメントのうちの一つを選択するために、第1セグメント選択命令(PR1)と、第2セグメント選択命令(PR2)のいずれか一つを含む
ことを特徴とするワードライン活性化方法。 - 前記発生された内部アクティブ命令が部分アクティブ命令ではない時、該当するワードラインに属する複数のワードラインセグメントが全部活性化される
ことを特徴とする請求項4に記載のワードライン活性化方法。 - 前記ワードラインの各々は、二つのワードラインセグメントで構成される
ことを特徴とする請求項4に記載のワードライン活性化方法。 - 各々が複数のワードラインセグメントからなる複数のワードラインを含むメモリセルアレイと、
内部アクティブ命令が部分アクティブ命令であるか否かを判断し、前記内部アクティブ命令が前記部分アクティブ命令である時、部分ワードライン選択信号(PA1、PA2)のいずれか一つおよびアクティブマスタ信号(PRD)を発生し、前記内部アクティブ命令が前記部分アクティブ命令ではない時、前記部分ワードライン選択信号(PA1、PA2)および前記アクティブマスタ信号(PRD)を発生する判断回路と、
行アドレスおよび前記アクティブマスタ信号(PRD)に応答して前記複数のワードラインのうちのいずれか一つを選択し、前記部分ワードライン選択信号に応答して前記選択されたワードラインの複数のワードラインセグメントのうちの一つを活性化させるワードライン選択回路とを含み、
前記内部アクティブ命令は、複数の制御信号(/CS、/RAS、/CAS、/WE)の組み合わせから発生される
ことを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記アクティブ命令が部分アクティブ命令ではない時、前記判断回路は、前記部分ワードライン選択信号を全部活性化させる
ことを特徴とする請求項7に記載の半導体メモリ装置。 - 前記部分ワードライン選択信号が全部活性化される時、前記ワードライン選択回路は、前記選択されたワードラインの複数のワードラインセグメントを全部活性化させる
ことを特徴とする請求項8に記載の半導体メモリ装置。 - 前記ワードラインの各々は、二つのワードラインセグメントで構成される
ことを特徴とする請求項7に記載の半導体メモリ装置。 - 前記部分アクティブ命令は、前記ワードラインセグメントのうちの一つを選択するために、第1セグメント選択命令(PR1)と、第2セグメント選択命令(PR2)のいずれか一つを含む
ことを特徴とする請求項10に記載の半導体メモリ装置。 - 前記アクティブマスタ信号は、前記アクティブ命令が入力されるごとに活性化される
ことを特徴とする請求項7に記載の半導体メモリ装置。 - 前記ワードライン選択回路は、
前記アクティブマスタ信号に応答して前記行アドレスをデコーディングするロウデコーダと、
前記デコーディングされたアドレスに応答して前記複数のワードラインのうちの一つを選択し、前記部分ワードライン選択信号に応答して前記選択されたワードラインの複数のワードラインセグメントを全部、または選択的に活性化させるワードラインドライバとを含む
ことを特徴とする請求項7に記載の半導体メモリ装置。 - 前記判断回路は、
クロック信号の遷移に応答して前記制御信号のロジック状態をデコーディングし、デコーディングの結果としてワードライン全体選択命令(PR)、第1セグメント選択命令(PR1)及び第2セグメント選択命令(PR2)を発生するデコーダと、
前記ワードライン全体選択命令(PR)、第1セグメント選択命令(PR1)及び第2セグメント選択命令(PR2)に応答して前記アクティブマスタ信号および前記部分ワードライン選択信号を発生する部分活性化信号発生器とを含む
ことを特徴とする請求項7に記載の半導体メモリ装置。 - 前記アクティブマスタ信号は、前記複数の制御信号の組み合わせが前記アクティブ命令を示すごとに活性化され、前記部分ワードライン選択信号は、前記アクティブ命令が部分アクティブ命令である時に選択的に活性化される
ことを特徴とする請求項14に記載の半導体メモリ装置。
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