JP4455090B2 - コンデンサの放電回路 - Google Patents

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本発明は、直流回路で使用するコンデンサの放電回路に関する。
従来、3レベルインバ−タと称されたインバータ、つまり複数のコンデンサにより分圧することで、直流電源の高電位点と低電位点のほかに、これら高電位点と低電位点の中間電位点を設けたインバ−タが知られている(例えば、特許文献1および特許文献2参照)。このように直流電源をコンデンサにより分圧して使用する回路では、この回路に係る装置を停止した場合にコンデンサの電圧を放電する回路を設けている。
図4に従来のコンデンサ放電回路を備えているインバータの構成例を示す。図4に示したインバータ49は、スイッチング素子52とダイオード53でなる第1の逆並列回路、スイッチング素子54とダイオード55でなる第2の逆並列回路、スイッチング素子56とダイオード57でなる第3の逆並列回路、スイッチング素子58とダイオード59でなる第4の逆並列回路が直列に接続された回路を含み、また、ダイオード51のカソードにダイオード50のアノードが接続された直列回路におけるダイオード50のカソードが第1,第2の逆並列回路の間と接続され、ダイオード51のアノードが第3,第4の逆並列回路の間と接続され、かつ、第2,第3の逆並列回路の間に交流電圧出力端子60を設けた、3レベルインバ−タの1相分回路である。
このインバータ49の第1の逆並列回路の端部であるダイオード53のカソードは、直流電源41の高電位点であるP点と接続され、第4の逆並列回路の端部であるダイオード59のアノードは直流電源41の低電位点であるN点と接続される。直流電源41とP点の間にはスイッチ42が設けられる。また、インバータ49の放電回路として、ダイオード50,51の接続点(C点)とP点の間には第1のコンデンサ43が接続され、C点とN点の間には第2のコンデンサ44が接続される。加えて、P点とN点の間に放電用抵抗45と放電用スイッチ46が直列接続される。
このような回路では、インバータを停止させるためにスイッチ42を開放した上で、放電用スイッチ46を閉じることでコンデンサ43,44の充電電圧が放電する。
特公昭51−47848号公報 特開平1−198280号公報
図4に示した放電回路の放電用スイッチ46を閉じてコンデンサ43,44の充電電圧を放電させると、それぞれのコンデンサの充電電圧が0ボルトに向かって減少する。第1のコンデンサ43と第2のコンデンサ44の充電電荷が異なっている場合に放電用スイッチ46を閉じた際には、一方のコンデンサの電圧が0となり、他方のコンデンサからの放電電流が、一方のコンデンサに流れ込むことで、放電時と極性方向が反対の電荷が充電される(図4参照)。例えば、第1のコンデンサ43の充電電圧がプラス100ボルトとなり、第2のコンデンサ44の充電電圧がマイナス100ボルトとなるような場合があり、そしてこのような場合には、P点とN点の間の電圧が0ボルトになった時点で放電は終了するため、コンデンサ43,44において充電電荷が残ってしまう。
このような問題を解消したコンデンサ放電回路を備えているインバータの構成例を図5に示す。このインバータに備えられる放電回路では、図4に示した回路と異なり、C点とP点の間に放電用抵抗47と放電用スイッチ48を直列接続し、C点とN点の間に放電用抵抗61と放電用スイッチ62を直列接続した。この回路においてスイッチ42を開放した上で放電用スイッチ48を閉じると第1のコンデンサ43の電圧が放電し、放電用スイッチ62を閉じると第2のコンデンサ44の電圧が放電する。これによりコンデンサ43,44の電圧がともに0ボルトまで放電する。
しかしながら、図5に示したような回路では、コンデンサの数と同数の放電用抵抗と放電用スイッチをそれぞれ設ける必要があり、放電回路およびこれを含んだ装置が複雑化、大型化するばかりか、スイッチを多く設けることによるコストの上昇および性能寿命の低下を招いてしまう。特に、鉄道車両に搭載するインバータ等の回路に適用するコンデンサ放電回路においては、高電圧に耐えうるために、外形が非常に大きい部品を使用する必要があるため、部品数の増加に伴って必要スペースが大幅に増加してしまう。
そこで、本発明の目的は、複数のコンデンサの充電電圧の残留を防止し、かつ小型化してコストを低減できるコンデンサの放電回路を提供することにある。
すなわち、本発明に係わるコンデンサの放電回路は、一端が直流電源の高電位点に接続された第1の分圧コンデンサと、一端が前記直流電源の低電位点に接続され、他端が前記第1の分圧コンデンサの他端に接続された第2の分圧コンデンサと、一端が前記第1の分圧コンデンサの一端に接続された第1の放電用抵抗と、一端が前記第1の放電用抵抗の他端に接続された放電用スイッチと、一端が前記放電用スイッチの他端に接続され、他端が前記第2の分圧コンデンサの一端に接続された第2の放電用抵抗と、アノードが前記第1の分圧コンデンサと第2の分圧コンデンサの間に接続され、カソードが前記第1の放電用抵抗と放電用スイッチの間に接続された第1のダイオードと、カソードが前記第1の分圧コンデンサと第2の分圧コンデンサの間に接続され、アノードが前記第2の放電用抵抗と放電用スイッチの間に接続された第2のダイオードとを備えたことを特徴とする。
本発明に係わるコンデンサの放電回路では、複数のコンデンサの充電電圧の残留を防止できる上、放電に必要なスイッチの数を減らしたことによる回路の小型化およびコストの低減が可能になる。
以下図面により本発明の実施形態について説明する。
(第1の実施形態)
まず、本発明の第1の実施形態について説明する。
図1は、本発明の第1の実施形態にしたがったコンデンサ放電回路を備えたインバータの構成例を示した図である。
図1に示した回路では、直流電源11にスイッチ12、コンデンサ(分圧コンデンサ)13,14が直列接続されている。つまり、直流電源11の高電位点であるP点に第1のコンデンサ13の一端が接続され、直流電源11の低電位点であるN点と第1のコンデンサ13の他端との間に第2のコンデンサ14が接続される。
P点、N点、およびコンデンサ13,14の接続端子であるC点にはスイッチング素子22,24,26,28とダイオ−ド20,21,23,25,27,29で構成された3レベルインバ−タ19の1相分回路が接続される。P点には3レベルインバータ19の一端のダイオード23のカソードが接続され、N点には3レベルインバータ19の他端のダイオード29のアノードが接続される。
また、3レベルインバータ19の中間電位点であるダイオード20のアノードとダイオード21のカソードの接続点はコンデンサ13,14の中間端子(C点)と接続される。ダイオード25のアノードとダイオード27のカソードの間には交流電圧出力端子30が設けられる。この3レベルインバータ19の動作は、従来知られているものと同様であり本発明と関連しないので、その説明は省略する。
P点には第1の放電用抵抗15の一端が接続され、この第1の放電用抵抗15の他端に放電用スイッチ16の一端が接続され、この放電用スイッチ16の他端とN点の間に第2の放電用抵抗17が接続される。放電用抵抗15,17の抵抗値は同じである。
C点には第1のダイオード31のアノードと第2のダイオード32のカソードが接続される。第1のダイオード31のカソードは第1の放電用抵抗15と放電用スイッチ16の間に接続され、第2のダイオード32のアノードは第2の放電用抵抗17と放電用スイッチ16の間に接続される。
このような回路において、3レベルインバータ19の使用時にはスイッチ12を閉じた上で放電用スイッチ16を開放する。そして3レベルインバータ19の使用を停止するためにスイッチ12を開放しても放電用スイッチ16が開放されたままである場合には放電用抵抗15,17には電流が流れずに放電は起きないが、放電用スイッチ16を閉じると、矢印Aに示すように第1のコンデンサ13の充電電圧は第1の放電用抵抗15、放電用スイッチ16、第2のダイオ−ド32を介して放電し、また、矢印Bに示すように第2のコンデンサ14の充電電圧は第1のダイオ−ド31、放電用スイッチ16、第2の放電用抵抗17を介して放電する。
ここで、コンデンサ13,14の放電開始時の充電電圧や放電時定数が全く同じであれば、第1のダイオード31のアノード−カソード間、および第2のダイオード32のアノード−カソード間に電位差が発生しないので、ダイオ−ド31,32には電流が流れずに第1の放電用抵抗15、放電用スイッチ16、第2の放電用抵抗17のル−トでコンデンサ13,14からの放電電流が流れる。つまり、ダイオ−ド31,32には、コンデンサ13,14の充電電圧や放電時定数の差分により生じた放電電流しか流れないのでダイオ−ド31,32の電流容量は小さいものでよい。
また、放電開始時のコンデンサ13,14の充電電圧が異なる場合には、高い充電電圧をもつコンデンサのみから放電が開始され、他方のコンデンサからの放電はなされない。例えば、第1のコンデンサ13の充電電圧が第2のコンデンサ14の充電電圧より高ければ、第2のダイオード32のアノードとカソードの間に順方向電圧が発生し、前述した第1の放電用抵抗15、放電用スイッチ16、第2のダイオ−ド32のルートで放電する。また、第2のコンデンサ14の充電電圧が第1のコンデンサ13の充電電圧より高ければ、第1のダイオード31のアノードとカソードの間に順方向電圧が発生し、前述した第1のダイオ−ド31、放電用スイッチ16、第2の放電用抵抗17のルートで放電する。
そして、片方のコンデンサのみからの放電の結果、双方のコンデンサの充電電圧が同じとなった際に、前述のように第1の放電用抵抗15、放電用スイッチ16、第2の放電用抵抗17のル−トで放電電流が流れる。コンデンサ13,14の放電時定数が異なっている場合には、先に0ボルトまで放電したコンデンサは放電を停止し、以後は電圧が変化しない。例えば、先に第2のコンデンサ14の放電が停止し、第1のコンデンサ13の電圧が0ボルトまで放電していない場合には、この第1のコンデンサ13から第1の放電用抵抗15、放電用スイッチ16、第2のダイオード32のルートで引き続き放電を行なって0ボルトまで放電することで、コンデンサ13,14の放電が停止する。
以上のように、2つのコンデンサの充電電圧の放電を1つの放電用スイッチの操作に従って行なえるようにしたので、複数のコンデンサの充電電圧の残留を防いだ上で、放電に必要なスイッチの数を減らすことが可能になり、これに伴って、スイッチを駆動するための回路も削減することができるので、回路の小型化およびコストの低減を実現することができる。また、可動部分が減少するので、回路の性能寿命を延ばすことができる。特に、コンデンサ放電回路を、鉄道車両に搭載するインバータ等の回路に適用する場合には、該放電回路の部品の外形を非常に大きくする必要があるので、効果が大きい。
図2に、図1に示したインバータの変形例を示す。
この変形例では、図1に示した放電用スイッチ16に代えて、スイッチング半導体素子33を用いている。スイッチング半導体素子33としてサイリスタを用いる場合には、該サイリスタのアノードを第1のダイオード31と第1の放電用抵抗15の間に接続し、サイリスタのカソードを第2のダイオード32と第2の放電用抵抗17の間に接続する。このサイリスタのゲートに制御信号を加えてオン状態とすると、図1に示した放電用スイッチ16を閉じた場合と同様の放電が起こる。
また、スイッチング半導体素子33は、GTOサイリスタ(Gate Turn Off Thyristor:ゲートターンオフサイリスタ)や、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)などの自己消弧可能な半導体素子でもよい。
スイッチング半導体素子33としてGTOサイリスタを用いる場合には、前述したサイリスタと同様に、アノードを第1のダイオード31と第1の放電用抵抗15の間に接続し、カソードを第2のダイオード32と第2の放電用抵抗17の間に接続する。また、スイッチング半導体素子33としてIGBTを用いる場合には、コレクタを第1のダイオード31と第1の放電用抵抗15の間に接続し、エミッタを第2のダイオード32と第2の放電用抵抗17の間に接続する。
IGBTはGTOサイリスタと比較してスイッチング周波数を高くできる。前述のようにIGBTおよびGTOサイリスタのいずれかを用いた場合には、ゲートに制御信号を加えることで、スイッチング半導体素子33を、放電用のスイッチとしてだけなくチョッパとしても使用することが可能となり、P点−N点間の電力を放電用抵抗15,17で制御しながら放電することができる。
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。図3は、本発明の第2の実施形態にしたがったコンデンサ放電回路を備えたインバータの構成例を示す図である。なお、本実施形態に係るコンデンサ放電回路が適用されたインバータの構成は、図1に示したものと基本的にほぼ同様であるので、同一部分には同一符号を付して、その図示及び説明は省略するものとする。
図3に示した回路では、図1に示した回路で用いた放電用スイッチ16、ダイオード31,32に代えて、半導体素子モジュール34を用いている。
半導体素子モジュール34は、第1のIGBT34aのエミッタと第2のIGBT34bのコレクタを接続して単一パッケージに収めた、いわゆる2in1モジュールである。第1の放電用抵抗15はP点と第1のIGBT34aのコレクタの間に接続され、第2の放電用抵抗17はN点と第2のIGBT34bのエミッタの間に接続される。また、第1のIGBT34aのエミッタと第2のIGBT34bのコレクタはともにC点に接続される。
この回路においてスイッチ12を開放した上で第1のIGBT34aのゲートに制御信号を入力してオン状態とすると、第1のコンデンサ13の電圧が第1の放電用抵抗15、第1のIGBT34aのルートで放電し、第2のIGBT34bのゲートに制御信号を入力してオン状態とすると、第2のコンデンサ14の電圧が第2のIGBT34b、第2の放電用抵抗17のルートで放電する。これによりコンデンサ13,14の電圧がともに0ボルトまで放電する。これら第1のIGBT34aと第2のIGBT34bのゲートを介在した制御を行なうことで、放電スイッチおよびチョッパスイッチの機能を実現することができる。
以上のように複数の半導体素子を同一パッケージに収めた半導体素子モジュール34を放電回路に用いた場合のコストは、半導体素子モジュール34の代わりに、単体デバイスである第1のIGBTデバイスおよび第2のIGBTデバイス(図示せず)を直列接続した回路を用いた場合のコストと比較して大幅に低い。また、半導体素子モジュール34のサイズは、第1のIGBTデバイスおよび第2のIGBTデバイスをあわせたサイズに対して大幅に小さい。つまり、従来用いていたコンデンサ放電回路と比較して、大幅な小型化およびコストの低減化をなすことができる。
以上説明した実施形態では、コンデンサ放電回路を、ダイオードおよびスイッチング素子を含む3レベルインバータに接続して使用したが、これに限らず、高電位点、低電位点および中間電位点を設けた回路であれば、他の回路に接続して使用してもよい。
なお、この発明は、前記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、前記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
本発明の第1の実施形態にしたがったコンデンサ放電回路を備えているインバータの構成例を示した図。 図1に示したインバータの変形例を示した図。 本発明の第2の実施形態にしたがったコンデンサ放電回路を備えているインバータの構成例を示した図。 従来のコンデンサ放電回路を備えているインバータの構成例(その1)を示した図。 従来のコンデンサ放電回路を備えているインバータの構成例(その2)を示した図。
符号の説明
11…直流電源、12…スイッチ、13…第1のコンデンサ、14…第2のコンデンサ、15…第1の放電用抵抗、16…放電用スイッチ、17…第2の放電用抵抗、19…3レベルインバータ、31…第1のダイオード、32…第2のダイオード、33…スイッチング半導体素子、34…半導体素子モジュール。

Claims (4)

  1. 一端が直流電源の高電位点に接続された第1の分圧コンデンサと、
    一端が前記直流電源の低電位点に接続され、他端が前記第1の分圧コンデンサの他端に接続された第2の分圧コンデンサと、
    一端が前記第1の分圧コンデンサの一端に接続された第1の放電用抵抗と、
    一端が前記第1の放電用抵抗の他端に接続された放電用スイッチと、
    一端が前記放電用スイッチの他端に接続され、他端が前記第2の分圧コンデンサの一端に接続された第2の放電用抵抗と、
    アノードが前記第1の分圧コンデンサと第2の分圧コンデンサの間に接続され、カソードが前記第1の放電用抵抗と放電用スイッチの間に接続された第1のダイオードと、
    カソードが前記第1の分圧コンデンサと第2の分圧コンデンサの間に接続され、アノードが前記第2の放電用抵抗と放電用スイッチの間に接続された第2のダイオードと
    を備えたことを特徴とするコンデンサの放電回路。
  2. 前記放電用スイッチは、
    アノードが前記第1のダイオードと第1の放電用抵抗の間に接続され、カソードが前記第2のダイオードと第2の放電用抵抗の間に接続されたサイリスタである
    ことを特徴とする請求項1に記載のコンデンサの放電回路。
  3. 前記サイリスタは、自己消弧可能な素子であることを特徴とする請求項2に記載のコンデンサの放電回路。
  4. 前記放電用スイッチは、
    コレクタが前記第1のダイオードと第1の放電用抵抗の間に接続され、エミッタが前記第2のダイオードと第2の放電用抵抗の間に接続された絶縁ゲートバイポーラトランジスタである
    ことを特徴とする請求項1に記載のコンデンサの放電回路。
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