JP2694049B2 - 物体の内部構造の像を得るための方法 - Google Patents

物体の内部構造の像を得るための方法

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Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は一般に透過線を利用する物体の非破壊的検査
のための方法に関連し、そしてより詳しくは物体の内部
構造の像を得るための方法に関連する。
背景技術 物体の内部構造の像を得るためのすでに開発されてい
る方法は、検査下にある物体にＸ線を照射し、そして検
出器、例えばＸ線感応フィルムの補助を伴って物体を通
過する放射線を記録することを含んで成ることが広く知
られている。有用なる情報は、検査下にある物体の種々
の度合いの放射線半透過性を有する領域により吸収され
る放射線の量に基づくデータとしてのＸ線写真を解読し
た後に明らかにされる。
しかしながら、現在まで知られている方法において用
いられているＸ線は連続Ｘ線スペクトル多色放射線であ
る。このことは得られる結果の解釈において多少の困難
性を授け、なぜなら長いスペクトル領域は原則として物
体自体により吸収され、従って吸収される放射線の率は
物体間で変わり、これを常に計算に入れることができな
いためである。換言すれば、このことは検査下にある物
体の内部構造の診断結果の信頼性に悪影響を及ぼす。
物体の内部構造の像を得るためのもう一種類のすでに
開発されている方法は、検査下にある物体に単結晶モノ
クロメーターにより視準（collimate）せしめたＸ線ビ
ームを施し，次いで物体を通過した放射線を検出器で記
録することで知られている（W.A.Ellingson,M.W.Vanier
“Application of Dual-energy X−ray Computed Tomo
graphy to Structural Ceramics",Adv.,X−ray,Anal.,1
988,第32巻，頁629-640）。
上記の方法は単色放射の利用に基づき、より高感度で
あり且つ信頼性のある診断結果を提供する。
しかしながら、問題の方法は前記した通り、透過線の
吸収の弱さを特徴とする物体の内部構造、特に検査下に
ある物体のこのような領域であってそのＸ線透過率の程
度が周辺の媒質のそれに近いものの検査に関しては実用
上不適当である。
最後に。線源より放射される透過線の束を第一の単結
晶モノクロメーターにより視準せしめ、物体にこの視準
放射線を照射し、この物体を通過した放射線を第二単結
晶により視準せしめ、次いで検出器により記録すること
より成る、物体の内部構造の像を得る方法も知られてい
る（SU,A,第1,402,871号）。
検討下にある方法に従うと、物体に入射し且つそれを
通過する放射線は、検査下にある物体の密度の異なる媒
質の界面で生ずる問題の放射線の屈折の特徴的な角度に
相応する角範囲となる。視準のために用いられているの
は、完全品質単結晶でありこれは検査下にある物体の前
後において互いに平行に置かれており、これによりその
反射面のミラー指数は同じ値を有し且つその符号が反対
となっている。
上記の条件を実現することにより、物体を通過する際
に屈折せず、且つ第一単結晶モノクロメーターにより設
定された初期方向から偏向していない線は第二単結晶か
ら反射し、これを回折ビームとして検出器により記録さ
れる。同時に、二種類の密度の異なる媒質の界面にて初
期方向から偏向した線は第二単結晶のブラッグ反射率の
範囲の限界を超え、従って前記界面での回折ビームの、
検出器における放射線強度の低下が起こる。このように
して、上記の方法により物体の内部構造の像が樹立され
る。この方法は吸収された放射線の量に応答する物体の
内部構造の検査に関して、前述の方法と比べて高感度で
あることを特徴とし、従って透過線の吸収の弱さを特徴
とするような物体の検査が可能となる。
しかしながら、検査下にある物体が二種の媒質間の界
面を特徴とし、ここでそれらの屈折率が互いに非常に近
くてこの界面での偏向角が第二単結晶のブラッグ反射角
の範囲内に属するとき、このような界面は検出器によっ
て記録されないことがあり、なぜならこの界面で偏向し
た線は、偏向せずに物体を通過した線と同時に検出器受
容面の上に進行するからである。従って、この偏向線は
非偏向線の背景に対して認識されるような放射線強度の
低下を生じせしめない。
発明の概要 本発明は物体の内部構造の像を得るための方法の提供
を目的とし、この方法は検査下にある物体における二種
類の媒質の界面にて第二単結晶におけるブラッグ反射の
範囲よりも小さい角度で偏向した線を検出器上に記録せ
しめることを可能とし、これによって感度を高め、それ
故この方法をより情報性にする。
上記の目的は本発明により、線源より放射される透過
線の束を第一の単結晶モノクロメーターにより視準せし
め、検査下にある物体に前記の視準放射線を照射し、前
記物体を通過した放射線を第二単結晶により視準せし
め、そして検出器により記録することより成る、物体の
内部構造の像を得る方法に事実上基づいて達成され、検
査下にある物体には単結晶モノクロメーター由来の放射
線の非対称性反射を照射し、従って広角波面擬平面ビー
ムが形成されており、これはそのブラッグ回折面におけ
る発散が第二単結晶のブラッグ反射範囲の幅よりも半分
以下であることで特色をなし、ここで前記第二単結晶の
位置は、単結晶モノクロメーターにより形成される擬平
面ビームに対応するブラッグ反射条件が前記第二結晶の
反射面を満足せしめるような位置に設定されている。
最大の像コントラストを得るには、記録する前にこの
第二単結晶をその面に広がり且つブラッグ回折面と直角
をなす軸の廻りで、ブラッグ反射角の範囲内において回
転させることが好都合であり、検査下にある物体の内部
構造の干渉パターンは単結晶モノクロメーターの種々の
回転角度にて観察され、そして検査下にある物体の所望
する領域の像の最大コントラストに対応する位置にある
後部の単結晶により記録を行う。
像コントラストを増強するには、この第二単結晶を、
そのまさにブラッグ位置からブラッグ回折角の範囲にお
いて、このブラッグ位置に対して同角度にて択一的に両
方向において偏向させて前記の位置の両方において物体
の像を獲得し、前記の像の代数的加算を行い、そして前
記加算の結果を記録することにより行うことができる。
物体の内部構造の像を透過及び回折放射線ビームにお
いて同時に観察し、そしてより強い強度を有する像を記
録することが可能であり、これによって像における人工
産物（アーティファクト）の検出の可能性が提供され
る。
この第二単結晶の厚みがたとえ透過線の10％以下がそ
れに吸収されるようなものであろうと、透過及び回折ビ
ームにおいて得られる像の代数的加算を行い、そして前
記加算の結果を記録することによって像コントラストは
増強されうる。
検査下にある物体による放射線の光電気吸収に由来す
る要因を除くため、この第二単結晶をまずブラッグ反射
角の範囲を超える角度に偏向させ、次いで前記偏向位置
にある単結晶モノクロメーターにより得られる物体の像
を最大コントラスト位置にて観察される像に代数的に加
算し、そして加算結果を記録する。
0.3Å以下の波長を有する強い放射線源を用いると
き、装置全体の寸法を小さくする目的で、第二単結晶の
出力面を越えたすぐ後にて像を記録することが好都合で
ある。
本発明に関する物体の内部構造の像を得るための方法
は高感度から低密度勾配により特徴付けられ、そしてこ
れは物体の内部構造のコントラスト像を得るための手段
であり、更には透過線の放射線が第二単結晶のブラッグ
反射角の範囲よりも小さい角度で偏向するような物体界
面に基づく情報を提供する。
本発明に関する方法は、検査下にある物体の材質にお
ける光電気吸収を伴わない本質的に最良なる方法をもた
らす。この方法の実用上の利用は最小に吸収される放射
線照射量、高感度及び情報提供能力を提供し、このこと
は本法が医療における用途に最も適することをもたら
す。
図面の簡単な説明 本発明を添付した図面を参照しながらそのいくつかの
特定の実施態様の詳細な説明においてこれより開示し、
ここで： 図１は、本発明に従う、検査下にある物体の内部構造
の像を得るための方法を実施するための装置の略図であ
り； 図２は強い放射線の利用のための装置の態様を示す図
１の図面であり； 図３は像の代数的加算に関するユニットの構成図であ
り； 図４は第二単結晶から反射されたビームの積算強度Ｊ
（反射曲線）であり、ここで横軸にプロットしたのは、
分布曲線の中間幅WOの単位に換算して表わした、まさに
ブラッグ位置からの第二単結晶の角偏向QBである。
本発明の実施の最良態様 本発明に従う検査下にある物体の内部構造の像を得る
ための方法を実施するための図１において略図する装置
は、透過線、例えばＸ線の線源１、この放射線源１のビ
ームを形成せしめるスリット配列2,3、前記放射線ビー
ムの経路を横ぎって置かれ且つ線源１より放射される放
射線がすれすれの角度αにて単結晶モノクロメーターの
入力面に入射するように向いている単結晶モノクロメー
ター４を含んで成る。検査下にある物体７は、単結晶モ
ノクロメーター４から反射してスリット配列６を通過し
たビーム５の経路を横ぎって置かれており、この物体７
はホルダーの中にセットされている（図面では省略）。
放射線の経路に沿って、物体７の後ろに配置されている
のは第二単結晶８（以後結晶分析器８とよぶ）、及び調
整感応（coordinate-sensitive）ビーム検出器９であ
る。
図２に紹介する装置の態様に関しては図１に示す装置
とは異なり、単結晶モノクロメーターは二つの結晶４−
１と４−２より成る。
本発明に関する物体の内部構造の像を得るための方法
は、以下の通りに実施される。
線源１、例えばMO陽極を有するＸ線管により発せられ
るＸ線の束を、単結晶モノクロメーター４の面の系（hk
1）、例えば（220）からの放射線の非対称性反射を利用
して単結晶モノクロメーター４により平行にし、そして
広角波面を有し且つブラッグ回折面における発散が単結
晶８のブラッグ反射範囲の幅の半分以下である擬平面ビ
ーム５を形成させる。
単結晶モノクロメーター４として用いられるのは完全
結晶、例えば珪素、ゲルマニウム又は石英であって、そ
の有効面が数十又は数百平方センチメーターを数え、且
つ４を超える非対称性係数を有するものである。この特
定の場合においては、25に相当する非対称性の係数を有
するような単結晶モノクロメーターが選ばれている。こ
れは第一に、単結晶モノクロメーター４の入射面に入射
するもとのビームの前面（front）を反射ビーム５にお
いて25倍に拡大し、そして第二に、反射ビーム５の発散
をブラッグ反射の角度範囲の幅より 分の一以下にするであろうことを意味する。
単結晶モノクロメーター４へのビーム入射のすれすれ
角度αが小さいほど、利用される放射線の非対称性の程
度は高まり、従ってこの単結晶モノクロメーター４によ
り形成される擬平面ビーム５の発散は小さくなる。すれ
すれのビームの角度はQB＞α＞αＣの限界において選ば
れ、ここでαＣは単結晶モノクロメーター４からのＸ線
の全外部反射の角度である。従って、単結晶モノクロメ
ーター４に入射するＸ線ビームの角度の幅を小さくして
擬平面波を作ることによりこの波面は広がる。前記角度
の幅の縮小の程度又は前記波面の増大の程度が物体４を
照射せしめるビーム５の形成にとって不十分なものであ
るとき、図２に示す単結晶モノクロメーター４−１と４
−２のバンク（２個以上より成る）が利用される。例え
ば、単結晶モノクロメーター４−１の非対称性係数が25
に相当し、そして単結晶モノクロメーター４−２のそれ
が30であるとき、ビーム５は0.08″の発散を特色とする
であろう。
以上の条件のもとで、１又は複数個の単結晶モノクロ
メーター４は、前記ビーム５により照射される物体７の
インターフェログラム（格子）像を樹立するのに適する
特色を有する擬平面ビーム５を形成せしめる。
結晶分析器８は、単結晶モノクロメーター４により形
成される擬平面ビーム５に関連して、その反射面にとっ
てのブラッグ反射条件を満たすように配置され、例えば
結晶分析器８は鏡映（220）において配置される。
結晶分析器８として用いられるのは、マクロストレ
ス、転位又は第二相包含を全く有さず、且つ物体７の像
にそれ自体の歪みを導入することのない十分なる程度の
完全性を有する完全結晶である。
結晶分析器８は、その反射面が「透過のため」又は
「反射のため」に並んでいるような位置に設定されう
る。この反射面自体は対称性でも非対称性であってもよ
い。
結晶分析器８の入射面に入射し、且つ偏向することな
く物体７を通過する単結晶モノクロメーター４によって
形成される擬平面ビーム５に属する線、及び密度の異な
る媒質の界面で微小散乱を受け且つ更なる相シフトを受
けた線は、結晶分析器８の反射面に干渉する。従って、
物体７の格子像の形成に参入するのは、偏向されずに物
体７を通過した線と界面にて偏向された線の両者であ
り、それには単結晶モノクロメーター４及び物体７の後
に置かれた結晶分析器８により行われた視準の角度より
小さい角で偏向されたものが含まれる。その結果、物体
７の内部構造の格子像が結晶分析器８の出力部で作られ
る。これによって得られる格子像は、物体における媒質
の界面でのブラッグ反射角の範囲を超える角度での線の
偏向に起因する、低い放射線強度により得られる界面
（明るい背景に対して黒色領域としてポジが示される）
を示すのみでなく、線が結晶分析器８にとってのブラッ
グ反射範囲の角度がより小さい角度で偏向されるような
界面に基づく情報も有している。このような界面は物体
７の像において、更なる黒白及び白黒コントラスト像と
して存在している。
本発明の方法に従い、モニタースクリーンへと像を伝
達する調整感応検出器９を用いての物体の内部構造の記
録の前に、この結晶分析器を、その平面上にあり且つブ
ラッグ回折面に対して直角にある軸のまわりで、ブラッ
グ反射角の範囲において、換言すれば反射曲線の幅内に
おいて、まさにブラッグ位置QBに対して時計方向及び反
時計方向の両方に回転させることによって、結晶分析器
８の角度の位置を変える。この場合、異なる密度勾配を
特色とする物体における界面の境界像は、結晶分析器８
がこの境界それぞれに最も適した位置にあるときにのみ
の最大コントラストにて観察される。従って、例えば図
４における点Ａに相当する結晶分析器８の角度位置は物
体の外形をよりよく示し、そして点Ｃに相当するその角
度位置は物体の内部構造を示すであろう。結晶分析器８
のまさにブラッグ位置QB（図１）は、実際には物体の外
形及びその内部構造の像の最大コントラストに相当する
ことはまずない。結晶分析器８を偏向せしめることによ
り、物体７の内部構造のインターフェログラム像を観察
することができ、且つ最大コントラストを含む部分の像
を提供するような結晶分析器８の位置を選ぶことができ
る。
本発明に関する方法の他の態様に従うと、結晶分析器
８をまさにブラッグ位置QBに対して等角に時計方向及び
反時計方向に、ブラッグ反射角の範囲（図４における点
Ｃ及びＣ′）において偏向させる。この第一及び第二位
置にあるこの結晶分析器８により得られる像を（反対符
号を有する）代数的加算し、そして加算の結果を記録す
る。コントラストの符号においてのみ異なる類似の像
（即ち、一方は黒白そして他方は白黒）のこのような代
数的加算は、得られる且つこのような加算の結果である
像のコントラストを実質的に増強することを可能とす
る。
本発明の方法に関して、結晶分析器８から発せられる両
ビーム、即ち透過ビームRO及び回折ビームRHは物体７の
内部構造上の情報を提供する。従って、ビームROとRHの
両方における物体の同時観察は像における人工産物、例
えば記録器又は検出器の欠陥の検出を可能にする。この
特徴は、ビームRO及びRHにおいて見られる物体７におけ
る同じ二種類の媒質間の界面の像コントラストが、それ
ぞれのビームに関して異なってはいるが両ビームにおい
て必然的に存在していることにある。このようなビーム
のうちの一方において検出される像が、他のビームにお
いて記録された像にはないいくつかの要素を有している
とき、これは偶発的な欠陥、例えばＸ線フィルム上の感
光乳剤のそれの存在の指標である。
結晶分析器８の厚みが、透過線の10％以下がそれに吸
収されるようなものである場合、透過ビームRO及び回折
ビームRHにおいて見られる物体における界面の像は原則
として対応している、即ち黒白及び白黒である。この場
合、ビームRO及びRHにおいて記録される像を反対符号を
伴って合計する。得られる像における界面像のコントラ
ストは、光電気吸収のみが起こる領域上の情報を差し引
くことによって更に高められる。
本法の上記の態様は結晶分析器８の正確な配置を必要
としないで高い像コントラストを得る手段となる。
本明細書に開示する方法のもう一種類の態様は、結晶
分析器８をまずブラッグ反射角の範囲を超える角度（図
４の点Ｄ）に偏向させて、上記の位置の結晶分析器８に
より物体７の像を得ることより成る。この像は光電気吸
収において異なる物体７の領域における分布に基づく情
報のみを含んでいる。この像が検出されたら、物体像の
最大コントラストが得られる位置にこの結晶分析器８を
設定し、そして反対符号を有する像を合計し、その結果
この像から光電気吸収に由来するコントラストが除かれ
る。
生存生物の医療診断の場合である、0.3Å以下の波長
を特徴とする強い放射線源を用いるとき、反射面のブラ
ッグ角は数度（several degrees）に相当するため、結
晶分析器８が透過ビームRO及び回折ビームRHにおける物
体７の像のそれぞれの記録にとっての「透過のため」に
配向されている場合、検出器９は結晶分析器８からかな
りの距離（約1m）隔てられていなければならず、その結
果装置の全寸法はかなり増大する。
このような場合、物体７の像は結晶分析器８の出力面
のすぐ後の、透過及び回折ビームRO,RHのそれぞれが互
いから実際にまだ分離していない領域において検出す
る。このことは、同じ全寸法の装置によってコントラス
ト像を得ることを可能にする。この目的のため、検出器
９は図２に示す通り、結晶分析器８の出力面の近くに置
く。
図３は像の数値代数的加算を行う装置の構成図の可能
な種類の一つを示す。図１を参照しながら説明した要素
の他に、図３の装置は二台の調整感応検出器９−1,9−
２を含んで成り、そのうちの検出器９−１は回折ビーム
RHを検出するために装っており、そして検出器９−２は
透過ビームROを検出するために装っている。検出器９−
２の出力部に接続されているのはアナログ対デジタル変
換器10であり、その出力部には緩衝記憶装置ユニット1
1,12があり、それぞれの出力部を介して加算器13が接続
されている。加算器13の出力部に接続されているのは、
連続的に接続された緩衝記憶装置ユニット14、デジタル
対アナログ変換器15及びビデオモニター16である。AT検
出器９−１の出力部はフィードバックユニット17を介し
て、結晶分析器８の精密変位アクチュエーターの入力部
に接続されている。
加算された検出像の組それぞれをアナログ対デジット
変換器10により、像の構成要素のそれぞれにおける信号
振幅に基づく情報を提供する数値コードの配列に変換さ
せる。像の構成要素の調整は数値配列における一定の要
素に相当するコードの位置により規定される。加算器13
はこのコードの代数的要素加算を行い、そしてここで得
られる情報を同じ要素間技術を用いて緩衝記憶ユニット
14に入れ、これよりこの情報はデジット対アナログ変換
器15の中で処理され、次いでビデオモニター16のスクリ
ーンに運ばれる。
本発明に関する方法はアモルファス構造、結晶構造又
はこの両者の複合構造を有する物体の検査に適当であ
る。検査下にある物体は生物起源でもありうる。
検査下にある物体に基づく唯一の規制は、その透過線
の最大吸収が50％を超えてはならないこと、換言すれば
インターフェログラム像が観察されないであろうように
物体における界面にて微小散乱されたビームがそれに吸
収されないことより成る。
従って、検査下にある物体の照射にわたり、単結晶モ
ノクロメーターの非対称面から反射により形成される擬
平面ビームの利用は、検査下にある領域の大きさの拡大
及び低密度勾配に対する本法の高感度をもたらし、従っ
て本発明により、検出ビームの角偏向の選択の精度及び
その決定は、既知の方法のように反射曲線の幅により規
定されるのではなく、検査下にある物体に入射する擬平
面ビームの発散により規定され、この発散はこの反射曲
線の幅よりも実質的に小さくてよい。以上の特徴に基づ
き、利用する放射線の屈折率の値が近い媒質の界面での
コントラストも増強される。
異なる角位置にある結晶分析器８によって複数の像が
得られる可能性は、物体の内部構造のより詳しい知識を
得ることを可能とし、なぜならこの界面にて異なる角度
で偏向されるビームが結晶分析器８のそれぞれの角位置
において形成されるからである。
二種のビーム、即ち、透過及び回折したものにおける
像の同時記録は、微小及び低コントラスト像要素のより
正確な信頼性を決めること、並びに像検出器の不備に基
づく像の解釈における誤まりをなくすことを可能にす
る。更に、前記像の代数的加算は密度の異なる媒質間の
界面コントラストを増強し、これは物体における放射線
の光電気的吸収及び界面の他の特徴に由来する背景の除
去に基づく。
同じ目的は、まさにブラッグ位置から同角に偏向させ
た位置にある結晶分析器による像の連続的記録、それに
続く前記像の代数的加算によって、更には二種類の角度
位置にあって一方が反射曲線の限界内にありそして他方
がこの曲線の限界外にあるような位置にある結晶分析器
８による前記像の連続的記録によって成し得る。
透過及び回折ビームにおいて形成された像の重ね合わ
せに由来する合わせ像の記録は、小さな回折角を有する
強い放射線を用いての、検査下にある物体の内部構造に
おける界面のコントラスティングを含む像形成処理を簡
単にし、且つ分解能損失をわずかにする。
本明細書に開示した方法は強い放射線源、特に強い透
過線源を用いたときに最も有用であることが見い出さ
れ、そしてこれは生物学的物体、セラミック、複合材
料、ポリマー並びに密度の異なる液体の混合物の検査に
有用である。
産業上の利用性 物体の内部構造の像を得るための本法は、金属、セラ
ミック、複合材料、ポリマー及び生物学的物体を含む種
々の物質より成る物体の非破壊的検査に有用性が見い出
せる。
本法は、構成成分の透過線の吸収程度が弱く、且つ密
度の低勾配を有することを特徴とする物体の診断、例え
ば生存生物又はポリマー及びセラミック製品の診断のた
めに好適に利用できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 エファノフ，バレリ パブロビチ ロシア連邦，117485，モスコー，ウリツ ァ プロフソユズナヤ，デー．92，クバ ルチーラ 124 (56)参考文献 特開 平２−205760（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−187440（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−53456（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−256243（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−225339（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−112847（ＪＰ，Ａ)

Claims (40)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】物体の内部構造の像を得るための方法であ
    って、下記の工程： 結晶分析器のブラッグ反射角の幅よりも小さいブラッグ
    反射面の発散度を有する実質的に単色光である透過線の
    平面ビームを形成する； この平面ビームを前記物体に照射する； 前記物体を透過した平面ビームの一部を前記結晶分析器
    に導き、前記平面ビームのブラッグ回折が起こり、透過
    ビーム及び回折ビームが形成するようにする；そして この透過ビーム、回折ビーム、又は透過ビームと回折ビ
    ームの双方を調整感応ビーム検出器で記録する； を含んで成る方法。
  2. 【請求項２】前記の結晶分析器を、前記回折面に垂直な
    軸を中心に、ブラッグ反射角の範囲において回転させ
    る、 検査する物体領域の像のコントラストを高める範囲に該
    当する回転角を決定する、 ここで決定した回転角において、この結晶分析器から反
    射した放射線の擬平面ビームを検出器により記録するこ
    と、 を特徴とする請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】前記の結晶分析器を、前記軸を中心に、前
    記結晶分析器のまさにブラッグ位置を中心として両方向
    において、このブラッグ反射角の範囲内で等角に順次回
    転させ、 この単結晶を一方向に、次いで他の方向に回転させたと
    きにそれらから最初に反射した擬平面放射線ビームを検
    出器により順次記録し、 獲得し得た像を代数学的に加算し、そしてその結果を記
    録すること、 を特徴とする請求項２記載の方法。
  4. 【請求項４】前記結晶分析器を透過した平面放射線ビー
    ムを更に記録することを特徴とする、請求項１又は２記
    載の方法。
  5. 【請求項５】一方が前記結晶分析器を透過した擬平面放
    射線ビームを記録することにより獲得したものであり、
    そして他方が結晶分析器から反射したものである二つの
    像を代数学的に加算し、そしてその結果を記録すること
    を特徴とする、請求項４記載の方法。
  6. 【請求項６】前記結晶分析器を、前記回折面に垂直な軸
    を中心に、ブラッグ反射角の範囲を超える角度に至るま
    で回転させ、次いで 前記結晶分析器を透過した擬平面ビームを、前記結晶分
    析器を前記の角度の間に回転させたときに検出器により
    記録し、 この結晶分析器をブラッグ反射角の範囲内の角度にまで
    回転させたときにそれより反射した擬平面ビーム及びこ
    の結晶分析器をブラッグ反射角の範囲を超える角度にま
    で回転させたときにそれを透過した擬平面ビームにおい
    て獲得し得た二つの像を代数学的に加算し、そしてその
    結果を記録すること、 を特徴とする請求項２記載の方法。
  7. 【請求項７】獲得し得た像を前記結晶分析器のすぐ近く
    で記録することを特徴とする、請求項1,2又は６記載の
    方法。
  8. 【請求項８】前記透過線が0.3Å以下の波長を有する硬
    線である、請求項１記載の方法。
  9. 【請求項９】前記透過線がＸ線である、請求項１記載の
    方法。
  10. 【請求項１０】前記透過線の平面ビームが反射面を有す
    る単結晶モノクロメーターへの透過線ビームの誘導によ
    り形成され、この単結晶モノクロメーターが前記透過線
    ビームのブラッグ反射が起こるように配置されている、
    請求項１記載の方法。
  11. 【請求項１１】前記単結晶モノクロメーターの反射面が
    非対称性である、請求項10記載の方法。
  12. 【請求項１２】前記単結晶モノクロメーターの反射面が
    ４より大きい非対称性係数を有する、請求項11記載の方
    法。
  13. 【請求項１３】前記単結晶モノクロメーターの反射面が
    約25の非対称性係数を有する、請求項12記載の方法。
  14. 【請求項１４】前記単結晶モノクロメーターが単結晶モ
    ノクロメーターのブロックである、請求項10記載の方
    法。
  15. 【請求項１５】規定されたビームを形成するために、前
    記物体の上流に配置された第一スリットに前記透過線の
    平面ビームを透過させる、請求項１記載の方法。
  16. 【請求項１６】前記結晶分析器の厚みが、その結晶分析
    器に入射する前記透過線の10％未満しかそれに吸収され
    ないほどとなるような厚みである、請求項１記載の方
    法。
  17. 【請求項１７】前記調整感応ビーム検出器がＸ線感応フ
    ィルムである、請求項１記載の方法。
  18. 【請求項１８】前記調整感応ビーム検出器が前記結晶分
    析器のすぐ下流に配置されており、これにより前記透過
    ビームの物体像及び前記回折ビームの物体像がこの調整
    感応ビーム検出器によって別々に記録されないようにな
    っている、請求項１記載の方法。
  19. 【請求項１９】前記調整感応ビーム検出器が前記結晶分
    析器から離れて配置されており、その距離は、前記透過
    ビームの物体像及び前記回折ビームの物体像がこの調整
    感応ビーム検出器によって別々に記録されるほどであ
    る、請求項１記載の方法。
  20. 【請求項２０】前記分析器が前記平面ビームの発散度の
    ２倍以上のブラッグ反射角の範囲を有する、請求項１記
    載の方法。
  21. 【請求項２１】物体の内部構造の像を得るための装置で
    あって、 結晶分析器のブラッグ反射角の幅よりも小さいブラッグ
    反射面の発散度を有する実質的に単色光である透過線の
    平面ビームを形成するための手段、ここでこの手段は前
    記物体の上流に位置している； 前記物体の下流に位置している前記結晶分析器、ここで
    この結晶分析器は前記平面ビームのブラッグ回折が起こ
    るように配置され、透過ビーム及び回折ビームの形成が
    得られるようになっている、並びに 前記結晶分析器から放射される前記透過ビーム、前記回
    折ビーム、又は前記透過ビーム及び回折ビームの双方を
    記録するように配置された調整感応ビーム検出器； を含んで成る装置。
  22. 【請求項２２】透過線源を更に含む、請求項21記載の装
    置。
  23. 【請求項２３】前記透過線が0.3Å以下の波長を有する
    硬線である、請求項22記載の装置。
  24. 【請求項２４】前記透過線がＸ線である、請求項23記載
    の装置。
  25. 【請求項２５】前記透過線の平面ビームを形成するため
    の手段が反射面を有する単結晶モノクロメーターであ
    り、この単結晶モノクロメーターが前記物体の上流に配
    置されている、請求項21記載の装置。
  26. 【請求項２６】前記単結晶モノクロメーターの反射面が
    非対称性である、請求項25記載の装置。
  27. 【請求項２７】前記単結晶モノクロメーターの反射面が
    ４より大きい非対称性係数を有する、請求項26記載の装
    置。
  28. 【請求項２８】前記単結晶モノクロメーターの反射面が
    約25の非対称性係数を有する、請求項27記載の装置。
  29. 【請求項２９】前記単結晶モノクロメーターが単結晶モ
    ノクロメーターのブロックである、請求項21記載の装
    置。
  30. 【請求項３０】規定された前記透過線ビームを形成する
    ための、前記単結晶モノクロメーターの上流に配置され
    た第一スリットを更に含む、請求項21記載の装置。
  31. 【請求項３１】透過線ビームを更に形成するための、前
    記単結晶モノクロメーターの下流、且つ前記物体の上流
    に配置された第二スリットを更に含む、請求項21記載の
    装置。
  32. 【請求項３２】前記結晶分析器の厚みが、その結晶分析
    器に入射する前記透過線の10％未満しかそれに吸収され
    ないほどとなるような厚みである、請求項21記載の装
    置。
  33. 【請求項３３】前記結晶分析器の位置を変えるための精
    密変位アクチュエーターを更に含む、請求項21記載の装
    置。
  34. 【請求項３４】前記調整感応ビーム検出器がＸ線感応フ
    ィルムである、請求項21記載の装置。
  35. 【請求項３５】前記調整感応ビーム検出器が前記結晶分
    析器の出力面のすぐ下流に配置されており、これにより
    透過した透過線の物体像及び回折した透過線の物体像が
    この調整感応ビーム検出器によって別々に記録されない
    ようになっている、請求項21記載の装置。
  36. 【請求項３６】前記調整感応ビーム検出器が前記結晶分
    析器から離れて配置されており、その距離は、透過した
    透過線の物体像及び回折した透過線の物体像がこの調整
    感応ビーム検出器によって別々に記録されるほどであ
    る、請求項21記載の装置。
  37. 【請求項３７】前記物体を、前記平面ビームがこの物体
    に入射できるように保持するためのホルダーを更に含
    む、請求項21記載の装置。
  38. 【請求項３８】前記調整感応ビーム検出器が： 前記結晶分析器を透過する前記透過線を検出するように
    配置された第一調整感応ビーム検出器； 前記結晶分析器により回折される前記透過線を検出する
    ように配置された第二調整感応ビームの検出器； 前記結晶分析器の位置を変えるための精密変位アクチュ
    エーター、このアクチュエーターは前記第一調整感応検
    出器の出力部に制御式に接続されている； 一回目の前記第二調整感応ビーム検出器の出力を記憶す
    るための、この第二調整感応ビーム検出器に接続された
    第一緩衝記憶ユニット； 二回目の前記第二調整感応ビーム検出器の出力を記憶す
    るため、この第二調整感応ビーム検出器に接続された第
    二緩衝記憶ユニット；及び この第一緩衝記憶ユニットの情報とこの第二緩衝記憶ユ
    ニットの情婦とを加算するための加算器； を含んで成る、請求項21記載の装置。
  39. 【請求項３９】前記加算器の出力の表示のための、この
    加算器の出力部に接続されたビデオモニターを更に含ん
    で成る、請求項38記載の装置。
  40. 【請求項４０】前記分析器が前記平面ビームの発散度の
    ２倍以上のブラッグ反射範囲を有する、請求項21記載の
    装置。
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