JP2021174877A - 光モジュール - Google Patents

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Abstract

【課題】大型化やインピーダンス増加を避けることを目的とする。【解決手段】光モジュールは、光源２４と、光源からの光を変調可能な光変調器２６と、上電極５４及び下電極を有するコンデンサ５２と、コンデンサの上電極に面接合で直列接続された抵抗器４２と、を有する。抵抗器及びコンデンサは、光変調器に並列接続されている。【選択図】図３

Description

本発明は、光モジュールに関する。
電気信号に従って光変調器が光を変調する光モジュールが知られている（特許文献１及び２）。光変調器には終端抵抗が並列接続されて、インピーダンスの整合がとられる。
特開２００９−１５２４７２号公報 特開２００９−２３８９６５号公報
終端抵抗にコンデンサを直列接続して直流成分を流さないようにすれば、低消費電力化が可能になる。しかし、コンデンサを搭載する領域が必要となり、パッケージが大型化する。また、終端抵抗とコンデンサをワイヤで接続すると、ワイヤのボンディング領域が必要となるだけでなく、インピーダンスが増加して高周波特性を損なう。なお、特許文献１には、終端抵抗に直列接続されたコンデンサの開示がない。特許文献２の構造では、終端抵抗とコンデンサが同一平面上にあるため、パッケージの大型化が避けられない。
本発明は、大型化やインピーダンス増加を避けることを目的とする。
（１）本発明に係る光モジュールは、光源と、前記光源からの光を変調可能な光変調器と、上電極及び下電極を有するコンデンサと、前記コンデンサの前記上電極に面接合で直列接続された抵抗器と、を有し、前記抵抗器及び前記コンデンサは、前記光変調器に並列接続されていることを特徴とする。
本発明によれば、コンデンサと抵抗器が面接合されるのでワイヤを使用したときに生じるインピーダンス増加を避けることができ、コンデンサの上に抵抗器があるので大型化を避けることができる。
（２）（１）に記載された光モジュールであって、前記光源及び前記光変調器は、一体化した光半導体素子であることを特徴としてもよい。
（３）（１）又は（２）に記載された光モジュールであって、前記抵抗器は、前記コンデンサの前記上電極に面接合された第１導体と、第２導体と、前記第１導体及び前記第２導体の間に電気的に接続された抵抗体とを含むことを特徴としてもよい。
（４）（３）に記載された光モジュールであって、前記抵抗器は、絶縁体をさらに含み、前記第１導体は、前記絶縁体の下面から上面に至るようになっており、前記第２導体及び前記抵抗体は、前記絶縁体の前記上面にあることを特徴としてもよい。
（５）（４）に記載された光モジュールであって、前記第１導体は、前記絶縁体の側面を通るようになっていることを特徴としてもよい。
（６）（４）に記載された光モジュールであって、前記第１導体は、前記絶縁体を貫通するようになっていることを特徴としてもよい。
（７）（４）から（６）のいずれか１項に記載された光モジュールであって、前記絶縁体の端部及び前記第２導体の端部は、前記光変調器に近づく方向に、前記コンデンサからオーバーハングした位置にあることを特徴としてもよい。
（８）（４）から（７）のいずれか１項に記載された光モジュールであって、前記抵抗器の前記第２導体の前記端部に一端がボンディングされ、他端が前記光変調器にボンディングされたワイヤをさらに有することを特徴としてもよい。
（９）（４）から（７）のいずれか１項に記載された光モジュールであって、前記コンデンサとは反対側で前記光変調器の隣にあるボンディングパッドと、前記光変調器に一端がボンディングされ、他端が前記ボンディングパッドにボンディングされた第１ワイヤと、前記抵抗器の前記第２導体の前記端部に一端がボンディングされ、前記光変調器の上方を超えて、他端が前記ボンディングパッドにボンディングされた第２ワイヤと、をさらに有することを特徴としてもよい。
（１０）（１）から（９）のいずれか１項に記載された光モジュールであって、第１面及び第２面を有し、前記第１面及び前記第２面の間で貫通する複数の貫通孔を有し、前記第１面に台座部を有する導電性ブロックと、前記複数の貫通孔の内側に前記導電性ブロックとは絶縁されてそれぞれ固定されている複数のリードと、をさらに有し、前記コンデンサは、前記台座部に搭載されていることを特徴としてもよい。
（１１）（１０）に記載された光モジュールであって、前記光源及び前記光変調器が搭載された搭載基板をさらに有し、前記搭載基板は、前記台座部に搭載されていることを特徴としてもよい。
（１２）（１）から（１１）のいずれか１項に記載された光モジュールであって、前記光源は、複数の光源を含み、前記光変調器は、前記複数の光源にそれぞれ対応する複数の光変調器を含み、前記コンデンサは、複数のコンデンサを含み、前記抵抗器は、前記複数のコンデンサにそれぞれ対応する複数の抵抗器を含み、前記複数の光変調器と前記複数のコンデンサは、交互に配置されていることを特徴としてもよい。
（１３）（１１）に記載された光モジュールであって、前記台座部は、上面に、第１領域と、前記第１領域よりも低い第２領域と、を含み、前記搭載基板は、前記第１領域に搭載され、前記コンデンサは、前記第２領域に搭載されていることを特徴としてもよい。
（１４）（１１）に記載された光モジュールであって、前記台座部は、上面に、第１領域と、前記第１領域よりも低い第２領域と、を含み、前記搭載基板は、前記第１領域に搭載され、前記光源は、複数の光源を含み、前記光変調器は、前記複数の光源にそれぞれ対応する複数の光変調器を含み、前記コンデンサは、前記第１領域に搭載された少なくとも１つの第１コンデンサ及び前記第２領域に搭載された少なくとも１つの第２コンデンサからなる複数のコンデンサを含み、前記抵抗器は、前記複数のコンデンサにそれぞれ対応する複数の抵抗器を含むことを特徴としてもよい。
第１の実施形態に係る光モジュールの側面図である。 導電性ブロック及びこれに搭載される電子部品の正面図である。 図２に示す導電性ブロック及びこれに搭載される電子部品の平面図である。 三次元電界解析ツールを用いたシミュレーションによって得られた、従来例と第１の実施形態の周波数特性を示す図である。 第２の実施形態において導電性ブロック及びこれに搭載される電子部品の正面図である。 図５に示す導電性ブロック及びこれに搭載される電子部品の平面図である。 第３の実施形態において導電性ブロック及びこれに搭載される電子部品の正面図である。 図７に示す導電性ブロック及びこれに搭載される電子部品の平面図である。 第４の実施形態において導電性ブロック及びこれに搭載される電子部品の正面図である。 図９に示す導電性ブロック及びこれに搭載される電子部品の平面図である。 第５の実施形態において導電性ブロックに搭載される電子部品の平面図である。 第６の実施形態において台座部及びこれに搭載される電子部品の平面図である。 図１２に示す台座部及びこれに搭載される電子部品の部分側面図である。
以下に、図面を参照して、本発明の実施形態を具体的かつ詳細に説明する。全図において同一の符号を付した部材は同一又は同等の機能を有するものであり、その繰り返しの説明を省略する。なお、図形の大きさは倍率に必ずしも一致するものではない。
［第１の実施形態］
図１は、第１の実施形態に係る光モジュールの側面図である。光モジュール１００は、ＴＯ−ＣＡＮ（Transistor Outline-Can）型光モジュールであり、発光素子を備える光送信サブアセンブリ（TOSA: Transmitter Optical Sub-Assembly）並びに発光素子及び受光素子の両方を備える双方向モジュール（BOSA；Bidirectional Optical Sub-Assembly）のいずれであってもよい。光モジュール１００は、フレキシブル基板（ＦＰＣ）１０２を有し、プリント基板（ＰＣＢ１０４）に接続されるようになっている。光モジュール１００は、導電性ブロック１０（例えばアイレット）を有する。
図２は、導電性ブロック１０及びこれに搭載される電子部品の正面図である。図３は、図２に示す導電性ブロック１０及びこれに搭載される電子部品の平面図である。
導電性ブロック１０は、金属などの導電材料からなり、第１面１２及び第２面１４を有する。導電性ブロック１０は、第１面１２及び第２面１４の間でそれぞれ貫通する複数の貫通孔１６を有する。導電性ブロック１０は、第１面１２に一体的な台座部１８を有する。台座部１８は、第１面１２に***しており、第１面１２に平行な方向を向く上面を有する。台座部１８も導電体からなる。導電性ブロック１０は、基準電位（例えばグランド）に接続される。
光モジュール１００は、複数のリードＬ１，Ｌ２を有する。複数のリードＬ１，Ｌ２は、複数の貫通孔１６の内側に、導電性ブロック１０とは絶縁されてそれぞれ固定されている。例えば、貫通孔１６にはガラスなどの絶縁材料２０が充填されている。複数のリードＬ１，Ｌ２は、第１面１２から突出している。複数のリードＬ１，Ｌ２は、第２面１４からも突出して、フレキシブル基板１０２（図１）に接続されている。
光モジュール１００は、光半導体素子２２を有する。光半導体素子２２は、光源２４（例えばレーザ）及び光変調器２６がモノリシックに集積された変調器集積型半導体光素子（例えば変調器集積レーザ）である。光源２４及び光変調器２６は、一体化されている。光源２４は、駆動電流が注入されることによって連続光を出射するようになっている。光変調器２６は、光源２４からの光を変調するようになっている。これにより信号光が出力される。光変調器２６は、シングルエンド駆動されるようになっている。
光半導体素子２２（光源２４及び光変調器２６）は、絶縁材料からなる搭載基板２８に搭載されている。搭載基板２８は、台座部１８（その上面）に固定されている。搭載基板２８には、台座部１８とは反対側に、電極パッド３０が形成されている。電極パッド３０は、ビアホール２８ａや図示しないキャスタレーションを介して、基準電位（例えばグランド）の台座部１８に電気的に接続されている。
光半導体素子２２は、光源２４及び光変調器２６に共通して、下面で電極パッド３０に接合されており、これにより、グラウンド電位を安定させるようになっている。光半導体素子２２は、光源２４及び光変調器２６のそれぞれのボンディング電極３４を、上面に有している。
搭載基板２８には、電極パッド３０と並んで、ボンディングパッド３２が形成されている。ボンディングパッド３２は、台座部１８とは電気的に接続されない。ワイヤＷ１が、その一端でボンディングパッド３２にボンディングされ、他端で光変調器２６のボンディング電極３４にボンディングされている。
台座部１８には、バイパスコンデンサ３６が搭載されている。バイパスコンデンサ３６は、裏面で台座部１８に導通し、基準電位（例えばグランド）に接続される。ワイヤＷ２が、一端で直流電源用のリードＬ１にボンディングされ、他端でバイパスコンデンサ３６の上面にボンディングされている。他のワイヤＷ３が、一端でバイパスコンデンサ３６の上面にボンディングされ、他端で光源２４のボンディング電極３４にボンディングされている。バイパスコンデンサ３６は、直流電源と接続される光源２４と並列に接続されており、直流バイアスに重畳する高周波ノイズを基準電位（例えばグランド）へ逃がすようになっている。
台座部１８には、絶縁材料からなる中継基板３８が搭載されている。中継基板３８には、台座部１８とは反対側に配線パターン４０が形成されている。配線パターン４０は、変調電気信号を伝達するためのリードＬ２に、金錫半田などで接合されている。中継基板３８の配線パターン４０は、リードやワイヤと比較してインダクタンスが低いので、高い周波数までのインピーダンス整合を可能にしている。ワイヤＷ４が、一端で配線パターン４０にボンディングされ、他端で搭載基板２８のボンディングパッド３２にボンディングされている。ワイヤＷ４をできるだけ短くするために、配線パターン４０とボンディングパッド３２が接近していることが好ましい。
光モジュール１００は、抵抗器４２を有する。抵抗器４２は、図２に示す絶縁体４４（例えば絶縁基板）を有する。抵抗器４２は、第１導体４６を有する。第１導体４６は、絶縁体４４の下面から上面に至るようになっている。具体的には、第１導体４６は、絶縁体４４の側面を通るようになっている。抵抗器４２は、第２導体４８を有する。第２導体４８は、絶縁体４４の上面にある。第２導体４８が第１導体４６と重なる位置にあるので、抵抗器４２を平面的に小型化することができる。抵抗器４２は、抵抗体５０を有する。抵抗体５０は、第１導体４６及び第２導体４８の間に電気的に接続されている。抵抗体５０は、絶縁体４４の上面にある。
光モジュール１００は、コンデンサ５２を有する。コンデンサ５２は、導電性ブロック１０の台座部１８に搭載されている。コンデンサ５２は、上電極５４及び下電極５６を有する。下電極５６が台座部１８に導通している。
抵抗器４２はコンデンサ５２に面接合されている。詳しくは、第１導体４６が、コンデンサ５２の上電極５４に面接合されている。面接合には導電性接着剤を使用してもよい。面接合によって、ワイヤを使用することで生じるインピーダンス増加を避けることができる。また、コンデンサ５２の上に抵抗器４２があるので、光モジュール１００の平面的な大型化を避けることができる。
抵抗器４２は、高抵抗体である光変調器２６に並列接続されており、線路の特性インピーダンス（例えば５０Ω）に等しい抵抗での終端を可能にしている。コンデンサ５２は抵抗器４２に直列接続され、抵抗器４２及びコンデンサ５２が、光変調器２６に並列接続される。コンデンサ５２は高周波電流を通すため、高周波領域では抵抗器４２が終端となる。一方で、コンデンサ５２は直流電流を通さないため、抵抗器４２での発熱が減り、図示しない温度調節器（例えばペルチェ素子）の低消費電力化が可能になる。
絶縁体４４の端部は、光変調器２６に近づく方向に、コンデンサ５２からオーバーハングした位置にある。第２導体４８の端部は、光変調器２６に近づく方向に、コンデンサ５２からオーバーハングした位置にある。ワイヤＷ５の一端が、抵抗器４２の第２導体４８の端部にボンディングされている。ワイヤＷ５の他端は、光変調器２６（ボンディング電極３４）にボンディングされている。
コンデンサ５２と搭載基板２８との間に十分な間隙があれば、抵抗器４２と搭載基板２８の干渉を避けることができる。また、第２導体４８の面積を最小にすれば、台座部１８とのグランド間共振の問題もなく、グランド電位を安定させることができる。
コンデンサ５２は、容量値に伴って寄生インダクタンスが低減し、高い周波数帯において理想的なコンデンサ５２として振る舞うことから、０．１μＦ程度のコンデンサであることが好ましい。０．１μＦのコンデンサ５２として０．５ｍｍ角の平板コンデンサ５２を使用した場合、抵抗器４２の絶縁体４４は、０．３５ｍｍ角程度の小ささでよい。
このように、抵抗器４２をコンデンサ５２の上に配置するのがスペース的には最も無駄の少ないレイアウトとなる。逆に、コンデンサ５２を抵抗器４２の上に接合すると、接合に使用する導電性接着剤の濡れ広がりが、抵抗体５０に被ってしまうことが懸念される。そのため、濡れ広がりを制限するなどの対策が必要となり、絶縁体４４も０．５ｍｍ角以上のサイズにする必要が生じ、コスト的には大きなデメリットを負ってしまう。
図４は、三次元電界解析ツールを用いたシミュレーションによって得られた、従来例と第１の実施形態の周波数特性を示す図である。従来例は、抵抗器及びコンデンサを重ねずに配列することでグランドパターンが大きくなった例であり、グランド共振によって帯域が３０ＧＨｚ程度までに制限される。これに対して、第１の実施形態では、４０ＧＨｚを超える周波数までの十分な透過特性（Ｓ２１）が得られている。
［第２の実施形態］
図５は、第２の実施形態において導電性ブロック及びこれに搭載される電子部品の正面図である。図６は、図５に示す導電性ブロック及びこれに搭載される電子部品の平面図である。
第１導体２４６は、絶縁体２４４を貫通するようになっている。第１導体２４６は、絶縁体２４４の下面及び上面にそれぞれ分離された部分を含み、例えば、ビアホール２５８によって両者が導通している。その他の構造については、第１の実施形態で説明した内容が該当する。
［第３の実施形態］
図７は、第３の実施形態において導電性ブロック及びこれに搭載される電子部品の正面図である。図８は、図７に示す導電性ブロック及びこれに搭載される電子部品の平面図である。
光モジュールは、ボンディングパッド３３２を有する。ボンディングパッド３３２は、コンデンサ３５２とは反対側で、光変調器３２６の隣にある。第１ワイヤＷ１１が、一端で光変調器３２６にボンディングされ、他端でボンディングパッド３３２にボンディングされている。第２ワイヤＷ２２が、一端で抵抗器３４２の第２導体３４８の端部にボンディングされ、他端でボンディングパッド３３２にボンディングされている。第２ワイヤＷ２２は、光変調器３２６の上方を超えるように配置されている。
本実施形態では、光変調器３２６と抵抗器３４２を直接的に接続するワイヤがなく、第１ワイヤＷ１１及び第２ワイヤＷ２２によって両者は電気的に接続されている。複数の第１ワイヤＷ１１及び複数の第２ワイヤＷ２２を使用することで、さらにインダクタンスを低減することができる。その他の構造については、第１の実施形態で説明した内容が該当する。
［第４の実施形態］
図９は、第４の実施形態において導電性ブロック及びこれに搭載される電子部品の正面図である。図１０は、図９に示す導電性ブロック及びこれに搭載される電子部品の平面図である。
台座部４１８は、上面に第１領域４５８を含む。台座部４１８は、上面に、第１領域４５８よりも低い第２領域４６０を含む。搭載基板４２８は、第１領域４５８に搭載されている。コンデンサ４５２は、第２領域４６０に搭載されている。第２領域４６０が低くなっているので、コンデンサ４５２の上に搭載される抵抗器４４２が低く配置される。これにより、ワイヤＷの一端（抵抗器４４２へのボンディング部分）と他端（光変調器４２６へのボンディング部分）の高さの差が小さくなるので、ワイヤＷを短くしてインダクタンスを低減することができる。これにより、高周波領域でのインピーダンスをさらに低減することができるため、高い周波数領域までのインピーダンスマッチングが可能になる。その他の構造については、第１の実施形態で説明した内容が該当する。
［第５の実施形態］
図１１は、第５の実施形態において導電性ブロックに搭載される電子部品の平面図である。
複数の光変調器５２６が、それぞれ、複数の光源５２４に対応する。複数の抵抗器５４２が、それぞれ、複数のコンデンサ５５２にそれぞれ対応する。複数の光変調器５２６と複数のコンデンサ５５２は、交互に配置されている。その他の構造については、第１の実施形態で説明した内容が該当する。
［第６の実施形態］
図１２は、第６の実施形態において台座部及びこれに搭載される電子部品の平面図である。図１３は、図１２に示す台座部及びこれに搭載される電子部品の部分側面図である。
台座部６１８は、上面に第１領域６５８を含む。台座部６１８は、上面に、第１領域６５８よりも低い第２領域６６０を含む。搭載基板６２８は、第１領域６５８に搭載されている。複数の光変調器６２６が、それぞれ、複数の光源６２４に対応する。
第１領域６５８に少なくとも１つの第１コンデンサ６５２Ａが搭載され、第２領域６６０に少なくとも１つの第２コンデンサ６５２Ｂが搭載されている。複数の抵抗器６４２が、それぞれ、複数のコンデンサ（第１コンデンサ６５２Ａ及び第２コンデンサ６５２Ｂ）に対応している。その他の構造については、第１の実施形態で説明した内容が該当する。
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
１０ 導電性ブロック、１２ 第１面、１４ 第２面、１６ 貫通孔、１８ 台座部、２０ 絶縁材料、２２ 光半導体素子、２４ 光源、２６ 光変調器、２８ 搭載基板、２８ａ ビアホール、３０ 電極パッド、３２ ボンディングパッド、３４ ボンディング電極、３６ バイパスコンデンサ、３８ 中継基板、４０ 配線パターン、４２ 抵抗器、４４ 絶縁体、４６ 第１導体、４８ 第２導体、５０ 抵抗体、５２ コンデンサ、５４ 上電極、５６ 下電極、１００ 光モジュール、１０２ フレキシブル基板、２４４ 絶縁体、２４６ 第１導体、２５８ ビアホール、３２６ 光変調器、３３２ ボンディングパッド、３４２ 抵抗器、３４８ 第２導体、３５２ コンデンサ、４１８ 台座部、４２６ 光変調器、４２８ 搭載基板、４４２ 抵抗器、４５２ コンデンサ、４５８ 第１領域、４６０ 第２領域、５２４ 光源、５２６ 光変調器、５４２ 抵抗器、５５２ コンデンサ、６１８ 台座部、６２４ 光源、６２６ 光変調器、６２８ 搭載基板、６４２ 抵抗器、６５２Ａ 第１コンデンサ、６５２Ｂ 第２コンデンサ、６５８ 第１領域、６６０ 第２領域、Ｌ１ リード、Ｌ２ リード、Ｗ ワイヤ、Ｗ１ ワイヤ、Ｗ１１ 第１ワイヤ、Ｗ２ ワイヤ、Ｗ２２ 第２ワイヤ、Ｗ３ ワイヤ、Ｗ４ ワイヤ、Ｗ５ ワイヤ。

Claims (14)

  1. 光源と、
    前記光源からの光を変調可能な光変調器と、
    上電極及び下電極を有するコンデンサと、
    前記コンデンサの前記上電極に面接合で直列接続された抵抗器と、
    を有し、
    前記抵抗器及び前記コンデンサは、前記光変調器に並列接続されていることを特徴とする光モジュール。
  2. 請求項１に記載された光モジュールであって、
    前記光源及び前記光変調器は、一体化した光半導体素子であることを特徴とする光モジュール。
  3. 請求項１又は２に記載された光モジュールであって、
    前記抵抗器は、前記コンデンサの前記上電極に面接合された第１導体と、第２導体と、前記第１導体及び前記第２導体の間に電気的に接続された抵抗体とを含むことを特徴とする光モジュール。
  4. 請求項３に記載された光モジュールであって、
    前記抵抗器は、絶縁体をさらに含み、
    前記第１導体は、前記絶縁体の下面から上面に至るようになっており、
    前記第２導体及び前記抵抗体は、前記絶縁体の前記上面にあることを特徴とする光モジュール。
  5. 請求項４に記載された光モジュールであって、
    前記第１導体は、前記絶縁体の側面を通るようになっていることを特徴とする光モジュール。
  6. 請求項４に記載された光モジュールであって、
    前記第１導体は、前記絶縁体を貫通するようになっていることを特徴とする光モジュール。
  7. 請求項４から６のいずれか１項に記載された光モジュールであって、
    前記絶縁体の端部及び前記第２導体の端部は、前記光変調器に近づく方向に、前記コンデンサからオーバーハングした位置にあることを特徴とする光モジュール。
  8. 請求項４から７のいずれか１項に記載された光モジュールであって、
    前記抵抗器の前記第２導体の前記端部に一端がボンディングされ、他端が前記光変調器にボンディングされたワイヤをさらに有することを特徴とする光モジュール。
  9. 請求項４から７のいずれか１項に記載された光モジュールであって、
    前記コンデンサとは反対側で前記光変調器の隣にあるボンディングパッドと、
    前記光変調器に一端がボンディングされ、他端が前記ボンディングパッドにボンディングされた第１ワイヤと、
    前記抵抗器の前記第２導体の前記端部に一端がボンディングされ、前記光変調器の上方を超えて、他端が前記ボンディングパッドにボンディングされた第２ワイヤと、
    をさらに有することを特徴とする光モジュール。
  10. 請求項１から９のいずれか１項に記載された光モジュールであって、
    第１面及び第２面を有し、前記第１面及び前記第２面の間で貫通する複数の貫通孔を有し、前記第１面に台座部を有する導電性ブロックと、
    前記複数の貫通孔の内側に前記導電性ブロックとは絶縁されてそれぞれ固定されている複数のリードと、
    をさらに有し、
    前記コンデンサは、前記台座部に搭載されていることを特徴とする光モジュール。
  11. 請求項１０に記載された光モジュールであって、
    前記光源及び前記光変調器が搭載された搭載基板をさらに有し、
    前記搭載基板は、前記台座部に搭載されていることを特徴とする光モジュール。
  12. 請求項１から１１のいずれか１項に記載された光モジュールであって、
    前記光源は、複数の光源を含み、
    前記光変調器は、前記複数の光源にそれぞれ対応する複数の光変調器を含み、
    前記コンデンサは、複数のコンデンサを含み、
    前記抵抗器は、前記複数のコンデンサにそれぞれ対応する複数の抵抗器を含み、
    前記複数の光変調器と前記複数のコンデンサは、交互に配置されていることを特徴とする光モジュール。
  13. 請求項１１に記載された光モジュールであって、
    前記台座部は、上面に、第１領域と、前記第１領域よりも低い第２領域と、を含み、
    前記搭載基板は、前記第１領域に搭載され、
    前記コンデンサは、前記第２領域に搭載されていることを特徴とする光モジュール。
  14. 請求項１１に記載された光モジュールであって、
    前記台座部は、上面に、第１領域と、前記第１領域よりも低い第２領域と、を含み、
    前記搭載基板は、前記第１領域に搭載され、
    前記光源は、複数の光源を含み、
    前記光変調器は、前記複数の光源にそれぞれ対応する複数の光変調器を含み、
    前記コンデンサは、前記第１領域に搭載された少なくとも１つの第１コンデンサ及び前記第２領域に搭載された少なくとも１つの第２コンデンサからなる複数のコンデンサを含み、
    前記抵抗器は、前記複数のコンデンサにそれぞれ対応する複数の抵抗器を含むことを特徴とする光モジュール。

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