JP6881745B2 - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6881745B2 JP6881745B2 JP2017086519A JP2017086519A JP6881745B2 JP 6881745 B2 JP6881745 B2 JP 6881745B2 JP 2017086519 A JP2017086519 A JP 2017086519A JP 2017086519 A JP2017086519 A JP 2017086519A JP 6881745 B2 JP6881745 B2 JP 6881745B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ground pattern
- chip
- line
- bonding wire
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 107
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 63
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 36
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 24
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
最初に、本発明の実施形態の内容を列記して説明する。本発明の一実施形態に係る光半導体装置は、第1及び第2の半導体レーザチップと、第1の半導体レーザチップと電気的に接続され、直流電流を供給する第1のボンディングワイヤと、第2の半導体レーザチップと電気的に接続され、直流電流を供給する第2のボンディングワイヤと、第1の半導体レーザチップをその搭載面上に搭載する第1のチップキャリアと、第2の半導体レーザチップをその搭載面上に搭載する第2のチップキャリアと、第1のチップキャリアの主面に設けられ、第1の半導体レーザチップに第1の変調信号を供給する第1の伝送線路と、第2のチップキャリアの主面に設けられてなる信号線路と、信号線路の第1のチップキャリアに近い側に配置された一方のグランドパターンと、信号線路を挟んで一方のグランドパターンと対向してなる他方のグランドパターンと、を含み、第2の半導体レーザチップに第2の変調信号を供給する第2の伝送線路と、配線部材上のグランドパターンに一方の電極が接続され、他方の電極が第1のボンディングワイヤと接続されてなるコンデンサと、配線部材上のグランドパターンと第2のチップキャリア上の一方のグランドパターンとを接続する第3のボンディングワイヤと、を備え、一方のグランドパターンは、他方のグランドパターンに対して狭い領域を有する。
本発明の実施形態に係る光半導体装置の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。以下の説明では、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図6は、上記実施形態の一変形例に係る複数の光半導体装置1Bを備える光送信器2Bを示す平面図である。図7は、各光半導体装置1Bを示す平面図である。図6及び図7に示されるように、本変形例の光半導体装置1Bは、上記実施形態のチップキャリア10に代えて、チップキャリア10Aを備える。このチップキャリア10Aの主面10a上には、バイアスパターン14(図2参照)が設けられていない。そして、デカップリングコンデンサ34が、配線基板30上ではなくチップキャリア10Aの主面10a上に設けられている。主面10a上において、EMLチップ20及びデカップリングコンデンサ34はX方向に並んで配置されており、デカップリングコンデンサ34はEMLチップ20と端面10fとの間に位置している。また、主面10a上において、信号線路12及びデカップリングコンデンサ34はY方向に並んで配置されており、デカップリングコンデンサ34は信号線路12と側面10dとの間に位置している。
Claims (3)
- 第1及び第2の半導体レーザチップと、
前記第1の半導体レーザチップと電気的に接続され、直流電流を供給する第1のボンディングワイヤと、
前記第2の半導体レーザチップと電気的に接続され、直流電流を供給する第2のボンディングワイヤと、
第1側面、前記第1側面に対向する第2側面、および主面を有し、前記第1の半導体レーザチップを前記主面上に搭載する第1のチップキャリアと、
第1側面、前記第1側面に対向する第2側面、および主面を有し、前記第2の半導体レーザチップを前記主面上に搭載し、前記第1側面が前記第1のチップキャリアの前記第2側面と対向するように設けられた第2のチップキャリアと、
前記第1のチップキャリアの前記主面上に設けられ、前記主面上の前記第1側面寄りに設けられてなる信号線路と、前記信号線路と前記第1側面との間に配置された一方のグランドパターンと、前記信号線路と前記第2側面との間に配置され前記一方のグランドパターンと対向してなる他方のグランドパターンと、を含み、前記第1の半導体レーザチップに第1の変調信号を供給する第1のコプレーナ線路と、
前記第2のチップキャリアの前記主面上に設けられ、前記主面上の前記第1側面寄りに設けられてなる信号線路と、前記信号線路と前記第1側面との間に配置された一方のグランドパターンと、前記信号線路と前記第2側面との間に配置され前記一方のグランドパターンと対向してなる他方のグランドパターンと、を含み、前記第2の半導体レーザチップに第2の変調信号を供給する第2のコプレーナ線路と、
主面上に共通グランドパターンが設けられた配線部材と、
上面電極及び下面電極を有し、前記配線部材上の前記共通グランドパターンに前記下面電極が接続され、前記上面電極が前記第1のボンディングワイヤと接続されてなる第1のコンデンサと、
上面電極及び下面電極を有し、前記配線部材上の前記共通グランドパターンに前記下面電極が接続され、前記上面電極が前記第2のボンディングワイヤと接続されてなる第2のコンデンサと、
前記配線部材上の前記共通グランドパターンと前記第1及び第2のチップキャリア上の前記一方のグランドパターンそれぞれとを電気的に接続する複数の第3のボンディングワイヤと、
前記配線部材上の前記共通グランドパターンと前記第1及び第2のチップキャリア上の前記他方のグランドパターンそれぞれとを電気的に接続する複数の第4のボンディングワイヤと、
を備え、
前記第2のコプレーナ線路の前記一方のグランドパターンは、前記第2のコプレーナ線路の前記他方のグランドパターンよりも幅が狭い領域を有し、
前記複数の第3のボンディングワイヤおよび前記複数の第4のボンディングワイヤは、前記共通グランドパターンを介して互いに電気的に接続されてなる、光半導体装置。 - 前記第2のコプレーナ線路の前記一方のグランドパターンにおける前記領域は、前記一方のグランドパターンの延在方向において前記一方のグランドパターンの半分以上を占める、請求項1に記載の光半導体装置。
- 前記第2のコプレーナ線路の前記一方のグランドパターンの前記領域の幅は、前記第2のコプレーナ線路の前記信号線路の幅よりも小さい、請求項1または2に記載の光半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016087092 | 2016-04-25 | ||
JP2016087092 | 2016-04-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017199905A JP2017199905A (ja) | 2017-11-02 |
JP6881745B2 true JP6881745B2 (ja) | 2021-06-02 |
Family
ID=60239550
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017086519A Active JP6881745B2 (ja) | 2016-04-25 | 2017-04-25 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6881745B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7123161B2 (ja) * | 2018-11-06 | 2022-08-22 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置の製造方法 |
JP7332090B2 (ja) * | 2019-04-16 | 2023-08-23 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 光変調器キャリア組立体及び光モジュール |
US11811191B2 (en) * | 2019-08-22 | 2023-11-07 | Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. | Optical semiconductor device and carrier |
JP7430569B2 (ja) * | 2020-04-24 | 2024-02-13 | CIG Photonics Japan株式会社 | 光モジュール |
JP7474112B2 (ja) | 2020-05-15 | 2024-04-24 | CIG Photonics Japan株式会社 | 光モジュール |
CN116325390A (zh) * | 2020-10-20 | 2023-06-23 | 三菱电机株式会社 | 光半导体装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10275957A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-13 | Hitachi Ltd | 光半導体チップキャリア |
JP2000156511A (ja) * | 1998-11-20 | 2000-06-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電気配線構造およびその製造方法 |
JP2004093606A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Opnext Japan Inc | 光モジュール及び光伝送装置 |
JP2004179273A (ja) * | 2002-11-26 | 2004-06-24 | Nec Corp | 半導体レーザチップ部品及びこれを用いた半導体レーザモジュール |
US6873449B1 (en) * | 2003-09-05 | 2005-03-29 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Signal transmission line for an optical modulator |
US7426225B2 (en) * | 2004-02-19 | 2008-09-16 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical sub-assembly having a thermo-electric cooler and an optical transceiver using the optical sub-assembly |
JP5475404B2 (ja) * | 2009-11-12 | 2014-04-16 | 日本オクラロ株式会社 | チップキャリア及び光通信モジュール |
KR101430634B1 (ko) * | 2010-11-19 | 2014-08-18 | 한국전자통신연구원 | 광 모듈 |
JP2013008887A (ja) * | 2011-06-27 | 2013-01-10 | Hitachi Ltd | 光モジュール |
JP2013015670A (ja) * | 2011-07-04 | 2013-01-24 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 光変調装置 |
JP5338875B2 (ja) * | 2011-08-25 | 2013-11-13 | 株式会社村田製作所 | Dc−dcコンバータ |
JP2013153136A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-08-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光モジュール及び光トランシーバ |
JP2013197479A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Tosaモジュールパッケージ |
-
2017
- 2017-04-25 JP JP2017086519A patent/JP6881745B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017199905A (ja) | 2017-11-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6881745B2 (ja) | 光半導体装置 | |
CN107430293B (zh) | 光电路 | |
US10177529B2 (en) | Optical transmitter providing coplanar line on carrier | |
US6940091B2 (en) | Semiconductor laser module and semiconductor laser apparatus | |
JP7332090B2 (ja) | 光変調器キャリア組立体及び光モジュール | |
JP6511776B2 (ja) | 発光モジュール | |
US11336072B2 (en) | Semiconductor optical device | |
US20140099123A1 (en) | Flexible printed circuit board and optical communication module including the same | |
US11171727B2 (en) | Package for optical receiver module | |
JP2018074057A (ja) | 半導体レーザキャリア組立体、光半導体装置、及び光半導体装置の製造方法 | |
JP7249745B2 (ja) | 光サブアッセンブリ及び光モジュール | |
JP6232950B2 (ja) | 発光モジュール | |
JP7437278B2 (ja) | 光モジュール | |
US9473245B2 (en) | Optical module including semiconductor optical modulator | |
JP7468846B2 (ja) | 光半導体装置及びキャリア | |
JP7255977B2 (ja) | 光モジュール | |
JP6988493B2 (ja) | 光モジュール及びその製造方法 | |
JP2022099537A (ja) | 光モジュール | |
JP2007266493A (ja) | レーザモジュール | |
JP2013250441A (ja) | 光学デバイスおよび伝送線路 | |
US20220302671A1 (en) | Optical module | |
US11398866B2 (en) | Optical semiconductor device, optical transmission module, and optical transceiver | |
WO2023105642A1 (ja) | 光回路 | |
JP7051409B2 (ja) | 光送信モジュール及び光モジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A625 | Written request for application examination (by other person) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A625 Effective date: 20191121 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20201021 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201027 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201225 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210406 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210423 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6881745 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |