JP5707732B2 - 光半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 110
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 71
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 58
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N copper tungsten Chemical compound [Cu].[W] SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
(比較例)
12 分布定数線路
14 RC回路
20 温度制御装置
30 キャリア
40 サブキャリア
60、61 実装基板
70 ブリッジ
R 抵抗
C コンデンサ
L ワイヤ
GND グランドパターン
100 光半導体装置
Claims (7)
- 発光部と変調部を備えた半導体レーザ素子と、
主面にコンデンサが搭載され、前記主面に形成され、接地電位を有するグランドパターンが形成された第1キャリアと、
上部に前記第1キャリアおよび前記半導体レーザ素子を搭載してなる温度制御装置と、
前記半導体レーザ素子の変調部と前記コンデンサの上面とを接続する第1ワイヤと、前記コンデンサの下面と接続する抵抗と、前記グランドパターンとが順に接続された構成を有し、前記グランドパターンはこれと結合する信号ラインとの間で伝送線路を構成し、前記伝送線路と前記半導体レーザ素子の変調部とが第2ワイヤによって接続された、整合回路と、を備え、
前記コンデンサを搭載した領域の下方における前記第1キャリアの主面と前記温度制御装置の上面との間は、前記接地電位が排除された排除領域であることを特徴とする光半導体装置。 - 前記第1キャリアと前記温度制御装置の上面との間には、金属もしくは表面にメタライズを備えた誘電体からなる第2キャリアが設けられてなることを特徴とする請求項1記載の光半導体装置。
- 前記金属あるいはメタライズの電位は、フローティングであることを特徴とする請求項2記載の光半導体装置。
- 前記金属あるいはメタライズは、前記排除領域に相当する領域が排除されてなることを特徴とする請求項2記載の光半導体装置。
- 前記第2キャリアは、前記排除領域に相当する領域が排除された空洞を備えることを特徴とする請求項2記載の光半導体装置。
- 前記伝送線路は、前記グランドパターン上に搭載された、上面に前記信号ラインが設けられてなる伝送線路基板からなることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の光半導体装置。
- 前記抵抗が搭載された領域の下方は、接地電位が排除されてなることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の光半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010110677A JP5707732B2 (ja) | 2010-05-12 | 2010-05-12 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010110677A JP5707732B2 (ja) | 2010-05-12 | 2010-05-12 | 光半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011238858A JP2011238858A (ja) | 2011-11-24 |
JP5707732B2 true JP5707732B2 (ja) | 2015-04-30 |
Family
ID=45326487
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010110677A Active JP5707732B2 (ja) | 2010-05-12 | 2010-05-12 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5707732B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6376377B2 (ja) * | 2014-05-30 | 2018-08-22 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 光学装置 |
JP7339807B2 (ja) * | 2019-08-06 | 2023-09-06 | 日本ルメンタム株式会社 | 半導体発光装置 |
WO2021079510A1 (ja) * | 2019-10-25 | 2021-04-29 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置 |
JP7430569B2 (ja) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | CIG Photonics Japan株式会社 | 光モジュール |
JP7437278B2 (ja) | 2020-09-25 | 2024-02-22 | CIG Photonics Japan株式会社 | 光モジュール |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2728104B2 (ja) * | 1991-07-25 | 1998-03-18 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザモジュール |
JP2000261214A (ja) * | 1999-03-05 | 2000-09-22 | Matsushita Commun Ind Co Ltd | 高周波集積回路 |
JP2001136028A (ja) * | 1999-11-08 | 2001-05-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波発振器実装基板 |
JP2001185655A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波回路 |
JP2004093606A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Opnext Japan Inc | 光モジュール及び光伝送装置 |
JP2004088026A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-18 | Mitsubishi Electric Corp | 光モジュール |
JP4066362B2 (ja) * | 2003-08-22 | 2008-03-26 | 三菱電機株式会社 | マイクロ波増幅回路 |
JP4225179B2 (ja) * | 2003-10-17 | 2009-02-18 | 株式会社日立製作所 | 光学素子実装用基板およびその製造方法 |
JP2005136888A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Kyocera Corp | 高周波分波回路、それを搭載した高周波部品、高周波モジュール及び無線通信機器 |
US7426225B2 (en) * | 2004-02-19 | 2008-09-16 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical sub-assembly having a thermo-electric cooler and an optical transceiver using the optical sub-assembly |
JP2009252806A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-29 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びそのレイアウト方法 |
-
2010
- 2010-05-12 JP JP2010110677A patent/JP5707732B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011238858A (ja) | 2011-11-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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