JP2005026584A - レーザモジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】リードピンやボンディングワイヤにおいて生じる寄生インダクタンスを削減し、高速で強度変調をすることができるレーザモジュールを提供する。
【解決手段】ステム1と、ステムに取り付けられたヒートシンク2と、ヒートシンク上に配置されたレーザチップ6と、ステムから電気的に絶縁された状態でステムを貫通して固定されるリードピン3、4と、リードピンからレーザチップへ電流供給を行うための導電性パターンを有する屈曲可能なフレキシブル基板5と、レーザチップとフレキシブル基板とを電気的に接続する接続手段7とを備える。
【選択図】 図1
【解決手段】ステム1と、ステムに取り付けられたヒートシンク2と、ヒートシンク上に配置されたレーザチップ6と、ステムから電気的に絶縁された状態でステムを貫通して固定されるリードピン3、4と、リードピンからレーザチップへ電流供給を行うための導電性パターンを有する屈曲可能なフレキシブル基板5と、レーザチップとフレキシブル基板とを電気的に接続する接続手段7とを備える。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、通信機器や光ディスク機器などで用いられるレーザモジュールに関し、特にキャンパッケージ型(ステム型)と呼ばれるレーザモジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から、キャンパッケージ型(ステム型)レーザモジュール(以下、キャンパッケージ型レーザモジュールという)は開発されてきた。従来のキャンパッケージ型レーザモジュールについて図3を用いて以下に説明する。
【0003】
図3に示すように、ステム101上にはヒートシンク102が取り付けられている。ヒートシンク102上には基板105が固定されて接続され、基板105上にレーザチップ106が実装されている。レーザチップ106の底面のカソード端子は基板105と導電性の半田などで接続されている。リードピン103と基板105上のパターンとがボンディングワイヤ108で接続されており、またリードピン104とレーザチップ106のアノードとがボンディングワイヤ107で接続されている。ここで、リードピン103からリードピン104にレーザ駆動電流が与えられると、駆動電流に応じてレーザチップ106が発光する。このようなキャンパッケージ型レーザモジュールが下記の特許文献1に記載されている。
【0004】
【特許文献1】
特開2000−353846号公報(段落0015)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図3に示すような従来のキャンパッケージ型レーザモジュールにおいて、レーザ駆動電流を高速に変調した場合、ステム101内部側のリードピン103、104と、ボンディングワイヤ107、108とが長いため寄生インダクタンスが大きくなり、レーザチップ106へ供給される駆動電流の高速性が劣化し、レーザチップ106から出力される光信号を高速で強度変調することができないという問題があった。
【0006】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、リードピンやボンディングワイヤにおいて生じる寄生インダクタンスを削減し、高速で強度変調をすることができるレーザモジュールを提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明では、ステムと、ヒートシンクと、レーザチップと、リードピンと、屈曲可能なフレキシブル基板と、レーザチップとフレキシブル基板とを電気的に接続する接続手段とを備える。すなわち、本発明によれば、ステムと、前記ステムに取り付けられたヒートシンクと、前記ヒートシンク上に配置されたレーザチップと、前記ステムから電気的に絶縁された状態で前記ステムを貫通して固定されるリードピンと、前記リードピンから前記レーザチップへ電流供給を行うための導電性パターンを有する屈曲可能なフレキシブル基板と、前記レーザチップと前記フレキシブル基板とを電気的に接続する接続手段とを備えるレーザモジュールが提供される。この構成により、リードピンやボンディングワイヤにおいて生じる寄生インダクタンスを削減し、高速で強度変調をすることができる。
【0008】
また、本発明のレーザモジュールを構成する前記フレキシブル基板が、前記ステム上の平面及び前記ヒートシンク上の平面に対して面接続されることは、本発明の好ましい態様である。この構成により、レーザチップの光軸のずれが無く、フレキシブル基板上の伝送ラインの高周波インピーダンスを安定化させることができる。
【0009】
また、本発明のレーザモジュールを構成する前記フレキシブル基板が、前記導電性パターンを有する面の他方の面の少なくとも一部分にグランドパターンを有することは、本発明の好ましい態様である。この構成により、フレキシブル基板上の伝送ラインの高周波インピーダンスを安定化させることができる。
【0010】
また、本発明のレーザモジュールを構成する前記ヒートシンクと前記フレキシブル基板とが導電性の物質によって接続されていることは、本発明の好ましい態様である。この構成により、レーザチップの光軸のずれが無く、フレキシブル基板上の伝送ラインの高周波インピーダンスを安定化させることができる。
【0011】
また、本発明のレーザモジュールを構成する前記フレキシブル基板を所定の位置に固定するためのストッパを、前記ヒートシンク上又は前記ステム上の少なくとも一方に設けたことは、本発明の好ましい態様である。この構成により、レーザチップの光軸のずれが無く、フレキシブル基板上の伝送ラインの高周波インピーダンスを安定化させることができる。
【0012】
また、本発明のレーザモジュールを構成する前記フレキシブル基板上にレーザ出力モニタ用の受光素子を配置したことは、本発明の好ましい態様である。この構成により、実装を容易にすることができる。
【0013】
また、本発明のレーザモジュールを構成する前記接続手段が、前記レーザチップのカソード側は導電性の物質であり、前記レーザチップのアノード側はボンディングワイヤであることは、本発明の好ましい態様である。この構成により、リードピンやボンディングワイヤにおいて生じる寄生インダクタンスを削減し、高速で強度変調をすることができる。
【0014】
また、本発明のレーザモジュールを構成する前記レーザチップのアノード端子又はカソード端子が前記ステムから電気的に短絡していることは、本発明の好ましい態様である。この構成により、レーザチップの高周波特性を改善することができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
<第1の実施の形態>
以下、本発明の第1の実施の形態に係るレーザモジュールについて図1を用いて説明する。図1に示すように、ステム1にはレーザチップ6が搭載され、レーザチップ6の放熱を行うヒートシンク2が取り付けられている。また、レーザチップ6の駆動電流を供給するためのリードピン3、4が、ステム1から電気的に絶縁された状態でステム1を貫通している。電気的に絶縁する手段としては、例えばガラスを用いることができる。略L字状に折り曲げられたフレキシブル基板5は、ステム1及びヒートシンク2に対してそれぞれ面接続されている。この接続の手法としては、例えば半田付けを用いることができる。
【0016】
また、フレキシブル基板5は、導電性パターンを有する面の他方の面の少なくとも一部分にグランドパターンを有している。このグランドパターンによって、フレキシブル基板5上の伝送ラインの高周波インピーダンスを安定化させることができる。また、フレキシブル基板5上には、レーザチップ出力モニタ用の受光素子10(以下、受光素子10という)が配置されている。受光素子10によって、レーザチップ6から出力される光強度をモニタリングすることができる。ここで、フレキシブル基板5は屈曲可能であるため、受光素子10がフレキシブル基板5上の所定の位置に配置された後に、フレキシブル基板5はステム1及びヒートシンク2に接続される。これにより、受光素子10の実装を容易にすることができる。
【0017】
レーザチップ6を駆動させる電流は、リードピン4からフレキシブル基板5上の導電性パターンを通じて、導電性パターンに半田などで接続されたレーザチップ6のアノード側へ流れる。レーザチップ6のアノード側へ流れた電流は、レーザチップ6のカソード側から、ボンディングワイヤ7を介してフレキシブル基板5上の導電性パターンを通じてリードピン3へ流れる。このようにしてレーザ駆動電流が供給される。このレーザ駆動電流を変化させることでレーザチップ6の光強度が変化する。ここで、アノード端子又はカソード端子がステム1から電気的に短絡していても実施可能である。電気的に短絡させることによって、レーザモジュールをグランド(GND)した場合に、レーザチップ6の高周波特性が改善できる。また、フレキシブル基板5上の導電性パターンの途中に直列に抵抗が配置されても実施可能である。抵抗が配置されることによって、インピーダンスの整合をとることができる。この抵抗としては、例えば薄膜抵抗を用いることができる。
【0018】
上記のような構成にすることによって、リードピン3、4及びボンディングワイヤ7を短くすることができるため、リードピン3、4及びボンディングワイヤ7においてそれぞれ生じる寄生インダクタンスを削減でき、高速で強度変調可能なレーザモジュールが実現可能となる。
【0019】
<第2の実施の形態>
次に、本発明の第2の実施の形態に係るレーザモジュールについて図2を用いて説明する。図2のレーザモジュールは、第1の実施の形態に係るレーザモジュールに、フレキシブル基板5の位置を固定させるためのストッパ8、9を設けたものである。このストッパ8、9によって、フレキシブル基板5を実装させる際に位置の固定が容易にできる。ここで、ストッパ8、9をステム1及びヒートシンク2に固定させる手段としては、例えば半田を用いることができる。また、ストッパ8、9の材質としては、例えば金属やプラスチックを用いることができる。なお、ストッパ8、9は、上述したものに限られるものではない。例えば、フレキシブル基板5の実装の際の位置固定が容易になされれば、図2に示すような形状でなくても実施可能である。
【0020】
ストッパ8、9以外の図2に示すレーザモジュールの構成要素は、上記第1の実施の形態に係るレーザモジュールの構成要素と同様であるため説明を省略する。
【0021】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、ステムと、ステムに取り付けられたヒートシンクと、ヒートシンク上に配置されたレーザチップと、ステムから電気的に絶縁された状態でステムを貫通して固定されるリードピンと、リードピンからレーザチップへ電流供給を行うための導電性パターンを有する屈曲可能なフレキシブル基板と、レーザチップとフレキシブル基板とを電気的に接続する接続手段とを備えるので、リードピンやボンディングワイヤにおいて生じる寄生インダクタンスを削減し、高速で強度変調をすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係るレーザモジュールを示す図
【図2】本発明の第2の実施の形態に係るレーザモジュールを示す図
【図3】従来のキャンパッケージ型レーザモジュールを示す図
【符号の説明】
1、101 ステム
2、102 ヒートシンク
3、4、103、104 リードピン
5 フレキシブル基板
6、106 レーザチップ
7、107、108 ボンディングワイヤ(接続手段)
8、9 ストッパ
10 受光素子
105 基板
【発明の属する技術分野】
本発明は、通信機器や光ディスク機器などで用いられるレーザモジュールに関し、特にキャンパッケージ型(ステム型)と呼ばれるレーザモジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から、キャンパッケージ型(ステム型)レーザモジュール(以下、キャンパッケージ型レーザモジュールという)は開発されてきた。従来のキャンパッケージ型レーザモジュールについて図3を用いて以下に説明する。
【0003】
図3に示すように、ステム101上にはヒートシンク102が取り付けられている。ヒートシンク102上には基板105が固定されて接続され、基板105上にレーザチップ106が実装されている。レーザチップ106の底面のカソード端子は基板105と導電性の半田などで接続されている。リードピン103と基板105上のパターンとがボンディングワイヤ108で接続されており、またリードピン104とレーザチップ106のアノードとがボンディングワイヤ107で接続されている。ここで、リードピン103からリードピン104にレーザ駆動電流が与えられると、駆動電流に応じてレーザチップ106が発光する。このようなキャンパッケージ型レーザモジュールが下記の特許文献1に記載されている。
【0004】
【特許文献1】
特開2000−353846号公報(段落0015)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図3に示すような従来のキャンパッケージ型レーザモジュールにおいて、レーザ駆動電流を高速に変調した場合、ステム101内部側のリードピン103、104と、ボンディングワイヤ107、108とが長いため寄生インダクタンスが大きくなり、レーザチップ106へ供給される駆動電流の高速性が劣化し、レーザチップ106から出力される光信号を高速で強度変調することができないという問題があった。
【0006】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、リードピンやボンディングワイヤにおいて生じる寄生インダクタンスを削減し、高速で強度変調をすることができるレーザモジュールを提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明では、ステムと、ヒートシンクと、レーザチップと、リードピンと、屈曲可能なフレキシブル基板と、レーザチップとフレキシブル基板とを電気的に接続する接続手段とを備える。すなわち、本発明によれば、ステムと、前記ステムに取り付けられたヒートシンクと、前記ヒートシンク上に配置されたレーザチップと、前記ステムから電気的に絶縁された状態で前記ステムを貫通して固定されるリードピンと、前記リードピンから前記レーザチップへ電流供給を行うための導電性パターンを有する屈曲可能なフレキシブル基板と、前記レーザチップと前記フレキシブル基板とを電気的に接続する接続手段とを備えるレーザモジュールが提供される。この構成により、リードピンやボンディングワイヤにおいて生じる寄生インダクタンスを削減し、高速で強度変調をすることができる。
【0008】
また、本発明のレーザモジュールを構成する前記フレキシブル基板が、前記ステム上の平面及び前記ヒートシンク上の平面に対して面接続されることは、本発明の好ましい態様である。この構成により、レーザチップの光軸のずれが無く、フレキシブル基板上の伝送ラインの高周波インピーダンスを安定化させることができる。
【0009】
また、本発明のレーザモジュールを構成する前記フレキシブル基板が、前記導電性パターンを有する面の他方の面の少なくとも一部分にグランドパターンを有することは、本発明の好ましい態様である。この構成により、フレキシブル基板上の伝送ラインの高周波インピーダンスを安定化させることができる。
【0010】
また、本発明のレーザモジュールを構成する前記ヒートシンクと前記フレキシブル基板とが導電性の物質によって接続されていることは、本発明の好ましい態様である。この構成により、レーザチップの光軸のずれが無く、フレキシブル基板上の伝送ラインの高周波インピーダンスを安定化させることができる。
【0011】
また、本発明のレーザモジュールを構成する前記フレキシブル基板を所定の位置に固定するためのストッパを、前記ヒートシンク上又は前記ステム上の少なくとも一方に設けたことは、本発明の好ましい態様である。この構成により、レーザチップの光軸のずれが無く、フレキシブル基板上の伝送ラインの高周波インピーダンスを安定化させることができる。
【0012】
また、本発明のレーザモジュールを構成する前記フレキシブル基板上にレーザ出力モニタ用の受光素子を配置したことは、本発明の好ましい態様である。この構成により、実装を容易にすることができる。
【0013】
また、本発明のレーザモジュールを構成する前記接続手段が、前記レーザチップのカソード側は導電性の物質であり、前記レーザチップのアノード側はボンディングワイヤであることは、本発明の好ましい態様である。この構成により、リードピンやボンディングワイヤにおいて生じる寄生インダクタンスを削減し、高速で強度変調をすることができる。
【0014】
また、本発明のレーザモジュールを構成する前記レーザチップのアノード端子又はカソード端子が前記ステムから電気的に短絡していることは、本発明の好ましい態様である。この構成により、レーザチップの高周波特性を改善することができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
<第1の実施の形態>
以下、本発明の第1の実施の形態に係るレーザモジュールについて図1を用いて説明する。図1に示すように、ステム1にはレーザチップ6が搭載され、レーザチップ6の放熱を行うヒートシンク2が取り付けられている。また、レーザチップ6の駆動電流を供給するためのリードピン3、4が、ステム1から電気的に絶縁された状態でステム1を貫通している。電気的に絶縁する手段としては、例えばガラスを用いることができる。略L字状に折り曲げられたフレキシブル基板5は、ステム1及びヒートシンク2に対してそれぞれ面接続されている。この接続の手法としては、例えば半田付けを用いることができる。
【0016】
また、フレキシブル基板5は、導電性パターンを有する面の他方の面の少なくとも一部分にグランドパターンを有している。このグランドパターンによって、フレキシブル基板5上の伝送ラインの高周波インピーダンスを安定化させることができる。また、フレキシブル基板5上には、レーザチップ出力モニタ用の受光素子10(以下、受光素子10という)が配置されている。受光素子10によって、レーザチップ6から出力される光強度をモニタリングすることができる。ここで、フレキシブル基板5は屈曲可能であるため、受光素子10がフレキシブル基板5上の所定の位置に配置された後に、フレキシブル基板5はステム1及びヒートシンク2に接続される。これにより、受光素子10の実装を容易にすることができる。
【0017】
レーザチップ6を駆動させる電流は、リードピン4からフレキシブル基板5上の導電性パターンを通じて、導電性パターンに半田などで接続されたレーザチップ6のアノード側へ流れる。レーザチップ6のアノード側へ流れた電流は、レーザチップ6のカソード側から、ボンディングワイヤ7を介してフレキシブル基板5上の導電性パターンを通じてリードピン3へ流れる。このようにしてレーザ駆動電流が供給される。このレーザ駆動電流を変化させることでレーザチップ6の光強度が変化する。ここで、アノード端子又はカソード端子がステム1から電気的に短絡していても実施可能である。電気的に短絡させることによって、レーザモジュールをグランド(GND)した場合に、レーザチップ6の高周波特性が改善できる。また、フレキシブル基板5上の導電性パターンの途中に直列に抵抗が配置されても実施可能である。抵抗が配置されることによって、インピーダンスの整合をとることができる。この抵抗としては、例えば薄膜抵抗を用いることができる。
【0018】
上記のような構成にすることによって、リードピン3、4及びボンディングワイヤ7を短くすることができるため、リードピン3、4及びボンディングワイヤ7においてそれぞれ生じる寄生インダクタンスを削減でき、高速で強度変調可能なレーザモジュールが実現可能となる。
【0019】
<第2の実施の形態>
次に、本発明の第2の実施の形態に係るレーザモジュールについて図2を用いて説明する。図2のレーザモジュールは、第1の実施の形態に係るレーザモジュールに、フレキシブル基板5の位置を固定させるためのストッパ8、9を設けたものである。このストッパ8、9によって、フレキシブル基板5を実装させる際に位置の固定が容易にできる。ここで、ストッパ8、9をステム1及びヒートシンク2に固定させる手段としては、例えば半田を用いることができる。また、ストッパ8、9の材質としては、例えば金属やプラスチックを用いることができる。なお、ストッパ8、9は、上述したものに限られるものではない。例えば、フレキシブル基板5の実装の際の位置固定が容易になされれば、図2に示すような形状でなくても実施可能である。
【0020】
ストッパ8、9以外の図2に示すレーザモジュールの構成要素は、上記第1の実施の形態に係るレーザモジュールの構成要素と同様であるため説明を省略する。
【0021】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、ステムと、ステムに取り付けられたヒートシンクと、ヒートシンク上に配置されたレーザチップと、ステムから電気的に絶縁された状態でステムを貫通して固定されるリードピンと、リードピンからレーザチップへ電流供給を行うための導電性パターンを有する屈曲可能なフレキシブル基板と、レーザチップとフレキシブル基板とを電気的に接続する接続手段とを備えるので、リードピンやボンディングワイヤにおいて生じる寄生インダクタンスを削減し、高速で強度変調をすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係るレーザモジュールを示す図
【図2】本発明の第2の実施の形態に係るレーザモジュールを示す図
【図3】従来のキャンパッケージ型レーザモジュールを示す図
【符号の説明】
1、101 ステム
2、102 ヒートシンク
3、4、103、104 リードピン
5 フレキシブル基板
6、106 レーザチップ
7、107、108 ボンディングワイヤ(接続手段)
8、9 ストッパ
10 受光素子
105 基板
Claims (8)
- ステムと、
前記ステムに取り付けられたヒートシンクと、
前記ヒートシンク上に配置されたレーザチップと、
前記ステムから電気的に絶縁された状態で前記ステムを貫通して固定されるリードピンと、
前記リードピンから前記レーザチップへ電流供給を行うための導電性パターンを有する屈曲可能なフレキシブル基板と、
前記レーザチップと前記フレキシブル基板とを電気的に接続する接続手段とを備えるレーザモジュール。 - 前記フレキシブル基板は、前記ステム上の平面及び前記ヒートシンク上の平面に対して面接続される請求項1に記載のレーザモジュール。
- 前記フレキシブル基板は、前記導電性パターンを有する面の他方の面の少なくとも一部分にグランドパターンを有する請求項1又は2に記載のレーザモジュール。
- 前記ヒートシンクと前記フレキシブル基板とが導電性の物質によって接続されている請求項1から3のいずれか1つに記載のレーザモジュール。
- 前記フレキシブル基板を所定の位置に固定するためのストッパを、前記ヒートシンク上又は前記ステム上の少なくとも一方に設けた請求項1から4のいずれか1つに記載のレーザモジュール。
- 前記フレキシブル基板上にレーザ出力モニタ用の受光素子を配置した請求項1から5のいずれか1つに記載のレーザモジュール。
- 前記接続手段が、前記レーザチップのカソード側は導電性の物質であり、前記レーザチップのアノード側はボンディングワイヤである請求項1から6のいずれか1つに記載のレーザモジュール。
- 前記レーザチップのアノード端子又はカソード端子が、前記ステムから電気的に短絡している請求項1から7のいずれか1つに記載のレーザモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003192379A JP2005026584A (ja) | 2003-07-04 | 2003-07-04 | レーザモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003192379A JP2005026584A (ja) | 2003-07-04 | 2003-07-04 | レーザモジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005026584A true JP2005026584A (ja) | 2005-01-27 |
Family
ID=34189700
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003192379A Withdrawn JP2005026584A (ja) | 2003-07-04 | 2003-07-04 | レーザモジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005026584A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007227724A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光装置 |
US7851829B2 (en) | 2007-02-05 | 2010-12-14 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor chip module |
WO2019116547A1 (ja) * | 2017-12-15 | 2019-06-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置および半導体レーザ装置の製造方法 |
-
2003
- 2003-07-04 JP JP2003192379A patent/JP2005026584A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007227724A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光装置 |
US7851829B2 (en) | 2007-02-05 | 2010-12-14 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor chip module |
WO2019116547A1 (ja) * | 2017-12-15 | 2019-06-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置および半導体レーザ装置の製造方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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