JP2019049721A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
、信号によって輝度が変化する電流駆動型表示素子で形成された画素や、その画素を駆動
させる信号線駆動回路や走査線駆動回路を含む表示装置に関する。また、その駆動方法に
関する。また、その表示装置を表示部に有する電子機器に関する。
nce)などの発光素子を用いた自発光型の表示装置、いわゆる発光装置が注目を浴びて
いる。このような自発光型の表示装置に用いられる発光素子としては、有機発光ダイオー
ド(OLED(Organic Light Emitting Diode))、EL
素子が注目を集めており、ELディスプレイなどに用いられるようになってきている。こ
れらの発光素子は自ら発光するため、液晶ディスプレイに比べて画素の視認性が高く、バ
ックライトが不要である。また、応答速度が速い等の利点がある。なお、発光素子の輝度
は、そこを流れる電流値によって制御されるものが多い。
リクス型表示装置の開発が進められている。アクティブマトリクス型表示装置は、パッシ
ブマトリクス型表示装置では困難な高精細、大画面の表示を可能とするだけでなく、パッ
シブマトリクス型表示装置を上回る低い消費電力で動作するため実用化が期待されている
。
図50に示した画素は、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor
:TFT)11、TFT12、容量素子13、発光素子14を有し、信号線15及び走査
線16に接続されている。なお、TFT12のソース電極もしくはドレイン電極のいずれ
か一方及び容量素子13の一方の電極には電源電位Vddが供給され、発光素子14の対
向電極にはグランド電位が供給されている。
体層にアモルファスシリコンを用いた場合、劣化等によりしきい値電圧(Vth)に変動
が生じる。この場合、異なる画素に信号線15から同じ電位を印加したにもかかわらず、
発光素子14に流れる電流は画素ごとに異なり、表示される輝度が画素によって不均一と
なる。なお、駆動用TFTの半導体層にポリシリコンを用いた場合においても、トランジ
スタの特性が劣化したり、ばらついたりする。
ている。図51に示した画素は、トランジスタ21、発光素子24に供給する電流値を制
御する駆動用トランジスタ22、容量素子23、発光素子24を有し、画素は信号線25
、走査線26に接続されている。なお、駆動用トランジスタ22はNMOSトランジスタ
であり、駆動用トランジスタ22のソース電極もしくはドレイン電極のいずれか一方には
グランド電位が供給され、発光素子24の対向電極にはVcaが供給される。
ーム期間は、初期化期間31、しきい値電圧(Vth)書き込み期間32、データ書き込
み期間33及び発光期間34に分割される。なお、1フレーム期間とは1画面分の画像を
表示する期間に相当し、初期化期間、しきい値電圧(Vth)書き込み期間及びデータ書
き込み期間をまとめてアドレス期間と呼ぶ。
圧が容量素子に書き込まれる。その後、データ書き込み期間33において、画素の輝度を
示すデータ電圧(Vdata)が容量素子に書き込まれ、Vdata+Vthが容量素子
に蓄積される。そして、発光期間において駆動用トランジスタ22はオンとなり、Vca
を変化させることでデータ電圧によって指定された輝度で発光素子24が発光する。この
ような動作により、駆動用トランジスタのしきい値電圧の変動による輝度のばらつきを低
減している。
ト・ソース間電圧となり、TFTのしきい値電圧が変動した場合であっても流れる電流は
変化しないことが開示されている。
ばらつきを抑制することが求められていた。
1フレーム期間当たりに数度と変化させることで上述した初期化、しきい値電圧の書き込
み、発光を行っていた。これらの画素において、Vcaが供給されている発光素子の一方
の電極、即ち対向電極は画素領域全体に形成されているため、初期化及びしきい値電圧の
書き込み以外にデータの書き込み動作を行っている画素がたとえ一つでもあると発光素子
を発光させることができない。よって、図53に示すように、1フレーム期間における発
光期間の割合(即ち、デューティー比)が小さくなってしまう。
があるため、発光素子にかかる電圧が大きくなり消費電力が大きくなる。また、発光素子
や駆動用トランジスタが劣化しやすくなるため、画面の焼きつきが生じたり、劣化前と同
等の輝度を得るにはさらに大きな電力を要することになる。
する。よって、対向電極の電位を変えるためには、高い消費電力が必要となる。
する。また、データ電位によって指定された輝度からのずれが少ない画素構成、半導体装
置、及び表示装置を得ることを課題とする。なお、発光素子を有する表示装置のみが対象
となるわけではなく、本発明はトランジスタのしきい値電圧のばらつきに起因する電流値
のばらつきを抑制することを課題とする。
を制御するトランジスタのゲートとソース間に、該トランジスタのしきい値電圧に相当す
る電位と、該トランジスタに入力させるビデオ信号に応じた電位とを加算した電位を保持
することを可能とした容量部を設けた画素構成を備えている。当該容量部に該トランジス
タのしきい値電圧に相当する電位とビデオ信号に応じた電位とを加算した電位を保持する
ことで、電流制御用のトランジスタの特性ばらつきに起因した電流の変動、すなわち画質
の乱れを抑制することができる。なお、電流の供給は、前記トランジスタのドレインの電
位を変動させて行う。
非導通状態とするもしくは電流経路を絶つことで、前記トランジスタから供給される電流
による容量素子の電圧の変動を抑制することができる。
された電流が供給される負荷を有するが、当該負荷はエレクトロルミネセンス素子(有機
EL素子、無機EL素子又は有機物及び無機物を含むEL素子)に代表される発光素子に
限定されず、電流が流れることにより明るさ、色調、偏光などが変化する表示媒体を適用
することができる。
チを含む画素を有し、前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は画素電極
に電気的に接続され、前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は前記第2
のスイッチを介して第1の配線に電気的に接続され、前記トランジスタのソース電極及び
ドレイン電極の他方は前記第3のスイッチを介して第2の配線に電気的に接続され、前記
トランジスタのゲート電極は前記第1のスイッチを介して前記第2の配線に電気的に接続
され、当該ゲート電極には、階調に従った信号を入力することを特徴とする半導体装置で
ある。
第3のスイッチと、第4のスイッチとを有し、前記トランジスタのソース電極及びドレイ
ン電極の一方は画素電極と電気的に接続され、前記トランジスタのソース電極及びドレイ
ン電極の一方は前記第3のスイッチを介して第2の配線と電気的に接続され、前記トラン
ジスタのソース電極及びドレイン電極の他方は第1の配線に電気的に接続され、前記トラ
ンジスタのゲート電極は前記第4のスイッチ及び前記第2のスイッチを介して前記第1の
配線と電気的に接続され、前記トランジスタのゲート電極は前記第4のスイッチ及び前記
第1のスイッチを介して第3の配線と電気的に接続され、前記トランジスタのゲート電極
は前記第4のスイッチ及び前記保持容量を介して前記トランジスタのソース電極及びドレ
イン電極の一方と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置である。
第3のスイッチと、第4のスイッチとを有し、前記トランジスタのソース電極及びドレイ
ン電極の一方は画素電極と電気的に接続され、前記トランジスタのソース電極及びドレイ
ン電極の一方は前記第3のスイッチを介して第2の配線と電気的に接続され、前記トラン
ジスタのソース電極及びドレイン電極の他方は第1の配線に電気的に接続され、前記トラ
ンジスタのゲート電極は前記第2のスイッチを介して前記第1の配線と電気的に接続され
、前記トランジスタのゲート電極は前記第4のスイッチ及び前記第1のスイッチを介して
第3の配線と電気的に接続され、前記トランジスタのゲート電極は前記第4のスイッチ及
び前記保持容量を介して前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方と電気的
に接続されていることを特徴とする半導体装置である。
第3のスイッチと、第4のスイッチとを有し、前記トランジスタのソース電極及びドレイ
ン電極の一方は画素電極と電気的に接続され、前記トランジスタのソース電極及びドレイ
ン電極の一方は前記第3のスイッチを介して第2の配線と電気的に接続され、前記トラン
ジスタのソース電極及びドレイン電極の他方は前記第4のスイッチを介して第1の配線に
電気的に接続され、前記トランジスタのゲート電極は前記第2のスイッチを介して前記第
1の配線と電気的に接続され、前記トランジスタのゲート電極は前記第1のスイッチを介
して第3の配線と電気的に接続され、前記トランジスタのゲート電極は前記保持容量を介
して前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方と電気的に接続されているこ
とを特徴とする半導体装置である。
第3のスイッチと、第4のスイッチとを有し、前記トランジスタのソース電極及びドレイ
ン電極の一方は前記第4のスイッチを介して画素電極と電気的に接続され、前記トランジ
スタのソース電極及びドレイン電極の一方は前記第4のスイッチ及び前記第3のスイッチ
を介して第2の配線と電気的に接続され、前記トランジスタのソース電極及びドレイン電
極の他方は第1の配線に電気的に接続され、前記トランジスタのゲート電極は前記第2の
スイッチを介して前記第1の配線と電気的に接続され、前記トランジスタのゲート電極は
前記第1のスイッチを介して第3の配線と電気的に接続され、前記トランジスタの前記ゲ
ート電極は前記保持容量及び前記第4のスイッチを介して前記トランジスタのソース電極
及びドレイン電極の一方と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置である。
れか一であってもよい。
スタの半導体層は、非結晶性半導体膜からなることを特徴としてもよい。さらに、前記ト
ランジスタの半導体層は、アモルファスシリコンからなることを特徴としてもよい。
い。
、前記第1のスイッチ乃至前記第3のスイッチが非導通状態であり、なおかつ前記第4の
スイッチが導通状態であるときのみV2の値をとり、V1は前記第2の配線に入力される
電位よりも高い電位であり、その差分は前記トランジスタのしきい値電圧分より大きく、
V2はV1より高い値であることを特徴としてもよい。
記発明において、前記第1の配線に入力される電位はV1もしくはV2の二値をとり、前
記第1のスイッチ乃至前記第3のスイッチが非導通状態であり、なおかつ前記第4のスイ
ッチが導通状態のときのみV2の値であり、V1は前記第2の配線に入力される電位より
も低い電位であり、その差分は前記トランジスタのしきい値電圧の絶対値分より大きく、
V2はV1より低い値であることを特徴としてもよい。
ソース電極及びドレイン電極の他方が第2の配線に電気的に接続されるトランジスタと、
前記トランジスタのゲートソース間電圧を保持する保持容量と、前記第1の配線に入力さ
れる第1の電位を前記保持容量の一方の電極に印加し、なおかつ前記第2の配線に入力さ
れる第2の電位を前記保持容量の他方の電極に印加することにより、前記保持容量に第1
の電圧を保持させる手段と、前記保持容量の電圧を第2の電圧まで放電させる手段と、前
記第1の電位に第3の電圧を加算した電位を前記保持容量の一方の電極に印加し、前記第
2の電圧と第4の電圧とを加算した第5の電圧を前記保持容量に保持させる手段と、前記
第1の配線に前記第1の電位とは異なる第3の電位を入力することにより前記トランジス
タに設定された電流を負荷に供給する手段とを有することを特徴とする半導体装置である
。
ソース電極及びドレイン電極の他方が第2の配線に電気的に接続されるトランジスタと、
前記トランジスタのゲートソース間電圧を保持する保持容量と、前記第1の配線に入力さ
れる第1の電位を前記保持容量の一方の電極に印加し、なおかつ前記第2の配線に入力さ
れる第2の電位を前記保持容量の他方の電極に印加することにより、前記保持容量に第1
の電圧を保持させる手段と、前記保持容量の電圧を前記トランジスタのしきい値電圧まで
放電させる手段と、前記第1の電位に第2の電圧を加算した電位を前記保持容量の一方の
電極に印加し、前記トランジスタのしきい値電圧と第3の電圧とを加算した第4の電圧を
前記保持容量に保持させる手段と、前記第1の配線に前記第1の電位とは異なる第3の電
位を入力することにより前記トランジスタに設定された電流を負荷に供給する手段とを有
することを特徴とする半導体装置である。
スタの半導体層は、非結晶性半導体膜からなることを特徴としてもよい。さらに、前記ト
ランジスタの半導体層は、アモルファスシリコンからなることを特徴としてもよい。
い。
は前記トランジスタのしきい値電圧分より大きく、なおかつ前記第1の電位は前記第3の
電位より低い値であることを特徴としてもよい。
記第1の電位は前記第2の電位よりも低い電位であり、その差分は前記トランジスタのし
きい値電圧の絶対値分より大きく、なおかつ前記第1の電位は前記第3の電位より高い値
であることを特徴としてもよい。
表示装置を表示部に有する電子機器である。
電気的スイッチや機械的なスイッチなどがある。つまり、電流の流れを制御できるもので
あればよく、特に限定されない。例えば、トランジスタでもよいし、ダイオード(PNダ
イオード、PINダイオード、ショットキーダイオード、ダイオード接続のトランジスタ
など)でもよいし、それらを組み合わせた論理回路でもよい。スイッチとしてトランジス
タを用いる場合、そのトランジスタは単なるスイッチとして動作するため、トランジスタ
の極性(導電型)は特に限定されない。ただし、オフ電流が少ない方の極性のトランジス
タを用いることが望ましい。オフ電流が少ないトランジスタとしては、LDD領域を設け
ているものやマルチゲート構造にしているものなどがある。また、スイッチとして動作さ
せるトランジスタのソース電極の電位が、低電位側電源(Vss、GND、0Vなど)に
近い状態で動作する場合はNチャネル型を、反対にソース電極の電位が、高電位側電源(
Vddなど)に近い状態で動作する場合はPチャネル型を用いることが望ましい。なぜな
ら、ゲートソース間電圧の絶対値を大きくすることができるため、スイッチとして動作し
やすいからである。なお、Nチャネル型とPチャネル型の両方を用いて、CMOS型のス
イッチにしてもよい。CMOS型のスイッチにすると、様々な入力電圧に対し出力電圧を
制御しやすいため、適切な動作を行うことができる。
。したがって、本発明が開示する構成において、所定の接続関係に加え、その間に電気的
な接続を可能とする他の素子(例えば、スイッチやトランジスタや容量素子やインダクタ
や抵抗素子やダイオードなど)が配置されていてもよい。もちろん、間に他の素子を介さ
ずに配置されていてもよく、電気的に接続されているとは直接的に接続されている場合を
含むものとする。
れず、電流が流れることにより明るさ、色調、偏光などが変化する表示媒体を適用するこ
とができる。このような表示媒体として、例えば電子放出素子、液晶素子、電子インク、
グレーティングライトバルブ(GLV)、プラズマディスプレイ(PDP)、デジタルマ
イクロミラーデバイス(DMD)など磁気的作用によりコントラストが変化する表示媒体
を適用することができる。また、電子放出素子にカーボンナノチューブを利用することも
可能である。なお、EL素子を用いた表示装置としてはELディスプレイ、電子放出素子
を用いた表示装置としてはフィールドエミッションディスプレイ(FED)やSED方式
平面型ディスプレイ(SED:Surface−conduction Electro
n−emitter Disply)などが挙げられる。また、液晶素子を用いた表示装
置としては液晶ディスプレイ、透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイや反
射型液晶ディスプレイが、電子インクを用いた表示装置としては電子ペーパーがある。
とも三つの端子を有する素子であり、ドレイン領域とソース領域の間にチャネル形成領域
を有する。ここで、ソース領域とドレイン領域とは、トランジスタの構造や動作条件等に
よって変わるため、ソース領域またはドレイン領域の範囲を正確に限定することが困難で
ある。そこで、トランジスタの接続関係を説明する際には、ドレイン領域とソース領域の
2端子についてはこれらの領域に接続された電極の一方を第1の電極、他方を第2の電極
と表記し、説明に用いる。
、種類に特に限定はない。したがって、非晶質シリコンや多結晶シリコンに代表される非
単結晶半導体膜を用いた薄膜トランジスタ(TFT)、半導体基板やSOI基板を用いて
形成されるトランジスタ、MOS型トランジスタ、接合型トランジスタ、バイポーラトラ
ンジスタ、ZnOやa−InGaZnOなどの化合物半導体を用いたトランジスタ、有機
半導体やカーボンナノチューブを用いたトランジスタ、その他のトランジスタを適用する
ことができる。また、トランジスタが配置されている基板の種類についても、様々なもの
を用いることができ、特定のものに限定されることはない。例えば、単結晶基板、SOI
基板、ガラス基板、プラスチック基板、紙基板、セロファン基板、石英基板、石材基板、
ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板などに配置すること
ができる。また、ある基板でトランジスタを形成した後、別の基板にトランジスタを移動
させ、別の基板上にトランジスタを配置してもよい。
スタでもよいし、どのような基板上に形成されていてもよい。したがって、回路の全てガ
ラス基板上に形成されていてもよいし、プラスチック基板や単結晶基板に形成されていて
もよいし、SOI基板上に形成されていてもよいし、どのような基板上に形成されていて
もよい。回路の全てが形成されていることにより、部品数を減らしてコストを低減したり
、回路部品との接続数を減らすことにより、信頼性を向上させたりすることができる。あ
るいは、回路の一部をある基板に形成し、回路の別の一部を別の基板に形成してもよい。
つまり、回路の全てが同じ基板上に形成されていなくてもよい。例えば、回路の一部は、
ガラス基板上にトランジスタを用いて形成し、回路の別の一部は、単結晶基板等の上に形
成したICチップをCOG(Chip On Glass)により接続してガラス基板上
に配置してもよい。あるいは、そのICチップをTAB(Tape Automated
Bonding)やプリント基板を用いてガラス基板と接続してもよい。このように、
回路の一部が同じ基板に形成されていることにより、部品数を減らしてコストを低減した
り、回路部品との接続点数を減らすことにより信頼性を向上させたりすることができる。
また、駆動電圧が高い部分や駆動周波数が高い部分は、消費電力が大きくなるため、その
ような部分は同じ基板に形成しないようにすれば、消費電力の向上を防ぐことができる。
い。例えば、ゲート本数が2本以上になっているマルチゲート構造を用いてもよい。この
ような構造とすることにより、オフ電流を低減したり、トランジスタの耐圧を向上させて
信頼性を良くしたり、飽和領域で動作する際にドレイン・ソース間電圧の変化に伴うドレ
イン・ソース間に流れる電流の変化を少なくすることができる。また、チャネルの上下に
ゲート電極が配置されている構造でもよい。チャネルの上下にゲート電極が配置されてい
る構造にすることにより、チャネル領域が増えるため、電流値を大きくしたり、空乏層が
できやすくなってS値を小さくしたりすることができる。また、チャネルの上にゲート電
極が配置されている構造でもよいし、チャネルの下にゲート電極が配置されている構造で
もよいし、正スタガ構造であってもよいし、逆スタガ構造でもよいし、チャネル領域が複
数の領域に分かれていてもよいし、並列に接続されていてもよいし、直列に接続されてい
てもよい。また、チャネル(もしくはその一部)にソース電極やドレイン電極が重なって
いてもよい。チャネル(もしくはその一部)にソース電極やドレイン電極が重なっている
構造にすることにより、チャネルの一部に電荷がたまって、動作が不安定になることを防
ぐことができる。また、LDD(Lightly Doped Drain)領域があっ
てもよい。LDD領域を設けることにより、オフ電流を低減したり、トランジスタの耐圧
を向上させて信頼性を良くしたり、飽和領域で動作する時に、ドレイン・ソース間電圧が
変化しても、ドレイン・ソース間電流があまり変化しない特性とすることができる。
る。よって、一例としては、一画素とは一つの色要素を示すものとし、その色要素一つで
明るさを表現する。従って、R(赤)G(緑)B(青)の色要素からなるカラー表示装置
の場合には、画像の最小単位は、Rの画素とGの画素とBの画素との三画素から構成され
るものとする。なお、色要素は、三色に限定されず、それ以上でもよく、例えば、RGB
W(Wは白)やRGBにイエロー、シアン、マゼンダを追加したものなどがある。また、
別の例としては、1つの色要素について、複数の領域を用いて明るさを制御する場合は、
その領域一つ分を一画素とする。一例としては、面積階調を行う場合、一つの色要素につ
き明るさを制御する領域が複数あり、その全体で階調を表現するわけであるが、明るさを
制御する領域の一つ分を一画素とする。その場合は、一つの色要素は複数の画素で構成さ
れることとなる。また、その場合、画素によって、表示に寄与する領域の大きさが異なっ
ている場合がある。また、一つの色要素を構成する複数の画素において、各々に供給する
信号を僅かに異ならせるようにして、視野角を広げるようにしてもよい。
)を含む回路を有する装置をいう。また、半導体特性を利用することで機能しうる装置全
般でもよい。また、表示装置とは、基板上に負荷を含む複数の画素やそれらの画素を駆動
させる周辺駆動回路が形成された表示パネル本体だけではなく、それにフレキシブルプリ
ントサーキット(FPC)やプリント配線基盤(PWB)が取り付けられたものも含む。
、というように、〜の上に、あるいは、〜上に、という記載については、ある物の上に直
接接していることに限定されない。直接接してはいない場合、つまり間に別のものが挟ま
っている場合も含むものとする。従って例えば、層Aの上に(もしくは層A上に)層Bが
形成されているという場合は、層Aの上に直接接して層Bが形成されている場合と、層A
の上に別の層(例えば層Cや層Dなど)が形成されており、その上に層Bが形成されてい
る場合とを含むものとする。また、〜の上方に、という記載についても同様であり、ある
物の上に直接接していることに限定されず、間に別のものが挟まっている場合も含むもの
とする。従って、例えば層Aの上方に層Bが形成されている、という場合は、層Aの上に
直接接して層Bが形成されている場合と、層Aの上に別の層(例えば層Cや層Dなど)が
形成されおり、その上に層Bが形成されている場合とを含むものとする。なお、〜の下、
もしくは〜の下方にの場合についても、同様に直接接している場合と、接していない場合
とを含むこととする。
抑制することができる。そのため、発光素子をはじめとする負荷に所望の電流を供給する
ことができる。特に、負荷として発光素子を用いる場合、輝度のばらつきが少なく1フレ
ーム期間における発光期間の割合が高い表示装置を提供することができる。
ことが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を
様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本形態の記載内容に
限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同じも
のを指す符号は異なる図面間で共通して用いる。
本発明の画素の基本構成について、図1を用いて説明する。図1に示す画素は、トラン
ジスタ110、第1のスイッチ111、第2のスイッチ112、第3のスイッチ113、
第4のスイッチ114、容量素子115、発光素子116を有する。なお、画素は、信号
線117、第1の走査線118、第2の走査線119、第3の走査線120、第4の走査
線121、電源線122、及び電位供給線123に接続されている。本実施の形態におい
て、トランジスタ110はNチャネル型トランジスタとし、そのゲート・ソース間電圧(
Vgs)がしきい値電圧(Vth)を上回ったとき、導通状態になるものとする。また、
発光素子116には図48に示すように画素電極4811から対向電極124に電流が流
れるEL素子を用いた例について説明する。その際、発光素子116の画素電極4811
は陽極、対向電極124は陰極として機能する。なお、トランジスタのゲート・ソース間
電圧はVgs、ドレイン・ソース間電圧はVds、しきい値電圧はVth、容量素子に蓄
積された電圧はVcsと記し、電源線122、電位供給線123及び信号線117を、そ
れぞれ第1の配線、第2の配線、第3の配線とも呼ぶ。また、第1の走査線118、第2
の走査線119、第3の走査線120及び第4の走査線121を、それぞれ第4の配線、
第5の配線、第6の配線、第7の配線と呼んでも良い。
116の画素電極に接続され、第2の電極(ソース電極及びドレイン電極の他方)は電源
線122に接続され、ゲート電極は第4のスイッチ114及び第2のスイッチ112を介
して電源線122と接続されている。なお、第4のスイッチ114は、トランジスタ11
0のゲート電極と第2のスイッチ112の間に接続されている。また、第4のスイッチ1
14と第2のスイッチ112との接続箇所をノード130とすると、ノード130は第1
のスイッチ111を介して信号線117と接続されている。また、トランジスタ110の
第1の電極は第3のスイッチ113を介して電位供給線123とも接続されている。
続されている。つまり、容量素子115の第1の電極が第4のスイッチ114を介しトラ
ンジスタ110のゲート電極に、第2の電極がトランジスタ110の第1の電極に接続さ
れている。容量素子115は、配線、半導体層や電極によって絶縁膜を挟むことで形成し
ても良いし、場合によってはトランジスタ110のゲート容量を用いて省略することもで
きる。これらの電圧を保持する手段を保持容量と言う。また、ノード130と、第1のス
イッチ111と容量素子115の第1の電極とが接続されている配線との接続箇所をノー
ド131とし、トランジスタ110の第1の電極と、容量素子115の第2の電極と発光
素子116の画素電極とが接続されている配線との接続箇所をノード132とする。
121に信号を入力することにより、それぞれ第1のスイッチ111、第2のスイッチ1
12、第3のスイッチ113、第4のスイッチ114のオンオフが制御される。
応じた電位が入力される。
明する。なお、図2において1画面分の画像を表示する期間に相当する1フレーム期間は
、初期化期間、しきい値電圧書き込み期間、データ書き込み期間及び発光期間に分割され
る。また、初期化期間、しきい値電圧書き込み期間、データ書き込み期間をまとめてアド
レス期間と呼ぶ。1フレーム期間は特に限定はないが、画像をみる人がちらつき(フリッ
カ)を感じないように少なくとも1/60秒以下とすることが好ましい。
−Vth−α(α:任意の正の数)の電位が入力される。また、電源線122には、アド
レス期間はV1、発光期間ではV2の電位が入力される。ただし、V2>V1とする。す
なわち、初期化期間における電源線122及び電位供給線123の電位は、両者の電位差
がトランジスタ110がオンするような電圧にあれば良い。
期間における電源線122の電位と同じであるとしたが、発光素子116が発光するため
に少なくとも必要とする電位差をVELとすると、対向電極124の電位はV1−Vth
−α―VELの電位より高い値であれば良い。すなわち、アドレス期間においては、発光
素子116の両端の電位が発光素子116に電流が流れないような電位になっていれば良
い。また、発光期間における電源線122の電位V2は、対向電極124の電位に発光素
子116が発光するために少なくとも必要とする電位差(VEL)を加算した値より大き
い値であれば良いが、説明上ここでは対向電極124の電位をV1としたため、V2はV
1+VELより大きい値であれば良いということになる。
をオフとし、第2のスイッチ112、第3のスイッチ113及び第4のスイッチ114を
オンとする。このとき、トランジスタ110の第1の電極はソース電極となり、その電位
は電位供給線123と等しくなるためV1−Vth−αとなる。一方、ゲート電極の電位
はV1となる。よって、トランジスタ110のゲート・ソース間電圧VgsはVth+α
となり、トランジスタ110は導通状態となる。そして、トランジスタ110のゲート電
極と第1の電極との間に設けられた容量素子115にVth+αが保持される。なお、第
4のスイッチ114をオンとした場合について説明したが、容量素子115にトランジス
タ110が導通状態なるような電圧を保持させることができれば良いので、第4のスイッ
チはオフとしても良い。ただし、次のしきい値電圧書き込み期間では第4のスイッチ11
4はオンとしなければならない。
3をオフとする。そのため、トランジスタ110の第1の電極即ちソース電極の電位は次
第に上昇しV1−Vthとなったところ、つまりトランジスタ110のゲート・ソース間
電圧Vgsがしきい値電圧(Vth)となったところで、トランジスタ110は非導通状
態となる。よって、容量素子115に保持される電圧はおおむねVthとなる。
ッチ112及び第4のスイッチ114をオフとした後、第1のスイッチ111をオンとし
、信号線117より輝度データに応じた電位(V1+Vdata)を入力する。この期間
に第4のスイッチ114をオフにすることにより、トランジスタ110を非導通状態に保
つことができる。そのため、データ書き込み時の電源線122から供給される電流による
、容量素子115の第2の電極における電位の変動を抑制することができる。よって、こ
のとき容量素子115に保持される電圧Vcsは、容量素子115及び発光素子116の
静電容量をそれぞれC1、C2とすると式(1)のように表すことができる。
、C2>>C1となる。よって、C2/(C1+C2)≒1より容量素子115に保持さ
れる電圧Vcsは式(2)となる。なお、次の発光期間において発光素子116を非発光
としたい場合には、Vdata≦0の電位を入力すれば良い。
し、電源線122の電位をV2とした後、第4のスイッチ114をオンとする。このとき
、トランジスタ110のゲート・ソース間電圧はVgs=Vth+Vdataとなり、ト
ランジスタ110が導通状態になる。よって、輝度データに応じた電流がトランジスタ1
10及び発光素子116に流れ、発光素子116が発光する。
は蓄積容量を指す。
ずれの場合においても、発光素子116に流れる電流は、トランジスタ110のしきい値
電圧(Vth)に依存しない。よって、トランジスタ110のしきい値電圧のばらつきに
起因した電流値のばらつきを抑制し、輝度データに対応した電流を発光素子116に供給
することができる。
つきを抑制することができる。また、対向電極の電位を一定として動作させるため消費電
力を低くすることが可能となる。
の劣化による輝度のばらつきも抑制できる。発光素子116が劣化すると、発光素子11
6のVELは増大し、トランジスタ110の第1の電極、即ちソース電極の電位は上昇す
る。このとき、トランジスタ110のソース電極は容量素子115の第2の電極に、トラ
ンジスタ110のゲート電極は容量素子115の第1の電極に接続されており、なおかつ
ゲート電極側は浮遊状態となっている。そのため、ソース電位の上昇に伴い、同じ電位だ
けトランジスタ110のゲート電位も上昇する。よって、トランジスタ110のVgsは
変化しないため、たとえ発光素子が劣化してもトランジスタ110及び発光素子116に
流れる電流に影響しない。なお、式(3)においても発光素子に流れる電流Iはソース電
位やドレイン電位に依存しないことがわかる。
10のしきい値電圧のばらつき及び発光素子116の劣化に起因したトランジスタ110
に流れる電流のばらつきを抑制することができる。
伏現象によりドレイン電圧を著しく増大させると電流が大量に流れやすい。
し、実質チャネルとして機能する実効的なチャネル長は減少する。これにより、電流値が
増大する。この現象をチャネル長変調と呼ぶ。なお、ピンチオフ点とはチャネルが消滅し
ていきゲート下においてチャネルの厚さが0となる境界箇所であり、ピンチオフ電圧とは
ピンチオフ点がドレイン端となる時の電圧を指す。この現象も、チャネル長Lが短いほど
起こり易い。例えば、チャネル長変調による電圧−電流特性のモデル図を図4に示す。な
お、図4において、トランジスタのチャネル長Lは(a)>(b)>(c)である。
間電圧Vdsに対する電流Iはより一定に近い方が好ましい。よって、トランジスタ11
0のチャネル長Lは長い方がより好ましい。たとえば、トランジスタのチャネル長Lはチ
ャネル幅Wより大きい方が好ましい。また、チャネル長Lは10μm以上50μm以下、
より望ましくは15μm以上40μm以下が好ましい。ただし、チャネル長L及びチャネ
ル幅Wはこれに限定されない。
、発光素子における短絡箇所を絶縁化したり、発光素子の劣化を抑制することができる。
よって、発光素子の寿命を延ばすことができる。
ことができるため、そのトランジスタによって制御された電流の供給先は特に限定されな
い。そのため、図1に示した発光素子116は、EL素子(有機EL素子、無機EL素子
又は有機物及び無機物を含むEL素子)、電子放出素子、液晶素子、電子インクなどを適
用することができる。
いれば良く、トランジスタの種類は特に限定されず、様々なものを用いることができる。
そのため、結晶性半導体膜を用いた薄膜トランジスタ(TFT)、非晶質シリコンや多結
晶シリコンに代表される非単結晶半導体膜を用いた薄膜トランジスタ、半導体基板やSO
I基板を用いて形成されるトランジスタ、MOS型トランジスタ、接合型トランジスタ、
バイポーラトランジスタ、ZnOやa−InGaZnOなどの化合物半導体を用いたトラ
ンジスタ、有機半導体やカーボンナノチューブを用いたトランジスタ、その他のトランジ
スタを適用することができる。
イミングを選択し、トランジスタ110のゲート電極に供給する信号を制御するものであ
り、第2のスイッチ112はトランジスタ110のゲート電極に所定の電位を与えるタイ
ミングを選択し、トランジスタ110のゲート電極に所定の電位を供給するか否かを制御
するものであり、第3のスイッチ113は容量素子115に書き込まれた電位を初期化す
るための所定の電位を与えるタイミングを選択したり、トランジスタ110の第1の電極
の電位を低くするものである。なお、第4のスイッチ114はデータ書き込み時における
容量素子115の第2の電極の電位の変動を抑制するものである。そのため、第1のスイ
ッチ111、第2のスイッチ112、第3のスイッチ113、第4のスイッチ114は、
上記機能を有していれば特に限定されない。たとえば、トランジスタやダイオードでもよ
いし、それらを組み合わせた論理回路でもよい。なお、第1乃至第3のスイッチは、上記
のタイミングで信号もしくは電位を画素に与えることができれば特に必要はない。
第4のスイッチ114にNチャネル型のトランジスタを適用した場合について示す。なお
、図1の構成と共通するところは共通の符号を用いてその説明を省略する。
、第2のスイッチングトランジスタ512が第2のスイッチ112に相当し、第3のスイ
ッチングトランジスタ513が第3のスイッチ113に相当し、第4のスイッチングトラ
ンジスタ514が第4のスイッチ114に相当する。なお、トランジスタ110のチャネ
ル長は、第1のスイッチングトランジスタ511、第2のスイッチングトランジスタ51
2、第3のスイッチングトランジスタ513及び第4のスイッチングトランジスタ514
のいずれのトランジスタのチャネル長より長い方が好ましい。
、第1の電極が信号線117に接続され、第2の電極がノード131に接続されている。
続され、第1の電極が電源線122に接続され、第2の電極がノード130に接続されて
いる。
、第1の電極がノード132に接続され、第2の電極が電位供給線123に接続されてい
る。
続され、第1の電極がトランジスタ110のゲート電極に接続され、第2の電極がノード
130に接続されている。
ときにオンとなり、入力される信号がLレベルのときにオフとなる。
118と第1のスイッチングトランジスタ511のゲート電極として機能する部分を含み
、導電層3811は信号線117と第1のスイッチングトランジスタ511の第1の電極
として機能する部分を含む。また、導電層3812は、第1のスイッチングトランジスタ
511の第2の電極として機能する部分と、容量素子115の第1の電極と、第2のスイ
ッチングトランジスタ512の第2の電極として機能する部分と、第4のスイッチングト
ランジスタ514の第2の電極として機能する部分を含む。導電層3813は、第2のス
イッチングトランジスタ512のゲート電極として機能する部分を含み、配線3821を
介して第2の走査線119と接続されている。導電層3814は、第2のスイッチングト
ランジスタ512の第1の電極として機能する部分と、トランジスタ110の第2の電極
として機能する部分を含み、配線3822を介して電源線122と接続されている。導電
層3815は、第4のスイッチングトランジスタ514の第1の電極として機能する部分
を含み、配線3823を介してトランジスタ110のゲート電極として機能する部分を含
む導電層3816と接続されている。また、導電層3817は、第4のスイッチングトラ
ンジスタ514のゲート電極として機能する部分を含み、配線3824を介して第4の走
査線121と接続されている。導電層3818は、トランジスタ110の第1の電極とし
て機能する部分を含み、発光素子の画素電極3844と接続されている。導電層3819
は第3の走査線120と第3のスイッチングトランジスタ513のゲート電極として機能
する部分を含む。導電層3820は第3のスイッチングトランジスタ513の第1の電極
として機能する部分を含み、画素電極3844と接続されている。また、第3のスイッチ
ングトランジスタ513の第2の電極として機能する部分を含む導電層3825は、配線
3826を介して電位供給線123と接続されている。
極として機能する部分は、それぞれを含む導電層と半導体層3831とが重なって形成さ
れている部分であり、第2のスイッチングトランジスタ512のゲート電極、第1の電極
及び第2の電極として機能する部分は、それぞれを含む導電層と半導体層3832とが重
なって形成されている部分である。また、第3のスイッチングトランジスタ513のゲー
ト電極、第1の電極及び第2の電極として機能する部分は、それぞれを含む導電層と半導
体層3833と重なって形成されている部分であり、第4のスイッチングトランジスタ5
14のゲート電極、第1の電極及び第2の電極として機能する部分は、それぞれを含む導
電層と半導体層3834とが重なって形成されている部分である。同様に、トランジスタ
110においても、ゲート電極、第1の電極及び第2の電極として機能する部分は、それ
ぞれを含む導電層と半導体層3830と重なって形成されている部分である。なお、容量
素子115は、導電層3812と画素電極3844が重なっている部分に形成されている
。
値電圧のばらつきに起因した電流値のばらつきを抑制することができる。よって、輝度デ
ータに対応した電流を発光素子116に供給することができ、輝度のばらつきを抑制する
ことが可能となる。また、トランジスタ110を飽和領域で動作させた場合においては、
発光素子116の劣化に起因した輝度のばらつきも抑制することができる。また、各々の
トランジスタにおいて、ソース電極及びドレイン電極の一方が他方の電極を包み囲むよう
な構造とすることで、チャネル幅をかせぐことができる。よって、後述するように画素を
構成するトランジスタの半導体層に、結晶性半導体層より移動度の低い非晶質半導体層を
用いた際には特に有効である。
の簡略化を図ることができる。また、画素を構成するトランジスタの半導体層にアモルフ
ァス半導体やセミアモルファス半導体(若しくは微結晶半導体ともいう)などの非晶質半
導体を用いることができる。例えば、アモルファス半導体としてアモルファスシリコン(
a−Si:H)が挙げられる。これら非晶質半導体を用いることにより、さらに製造工程
の簡略化が可能である。したがって、製造コストの削減や歩留まりの向上を図ることがで
きる。
2、第3のスイッチングトランジスタ513及び第4のスイッチングトランジスタ514
は、単なるスイッチとして動作させるため、トランジスタの極性(導電型)は特に限定さ
れない。ただし、オフ電流が少ないトランジスタを用いることが望ましい。オフ電流が少
ないトランジスタとしては、LDD領域を設けているものやマルチゲート構造にしている
ものなどがある。また、Nチャネル型とPチャネル型の両方を用いて、CMOS型のスイ
ッチにしてもよい。
ができ、図1に限定されない。図1の画素構成における動作を説明した図3からわかるよ
うに、本発明では初期化期間、しきい値電圧書き込み期間、データ書き込み期間及び発光
期間は、それぞれ図44(A)乃至(D)に示す実線のように導通がとれていれば良い。
よって、これを満たすようにスイッチ等を配置し動作させうる構成であれば良い。例えば
、図1に示した第4のスイッチ114は、ノード130とノード131の間に接続しても
良く、このような構成を図6に示す。なお、図1における第4のスイッチ114は、第4
のスイッチ614に相当し、図1の構成と共通するところは共通の符号を用いてその説明
を省略する。
値電圧のばらつきに起因した電流値のばらつきを抑制することができる。よって、輝度デ
ータに対応した電流を発光素子116に供給することができ、輝度のばらつきを抑制する
ことが可能となる。また、トランジスタ110を飽和領域で動作させた場合においては、
発光素子116の劣化に起因した輝度のばらつきも抑制することができる。
第2の電極と電源線122との接続箇所までの経路に設けても良い。
122との接続箇所をノード134とする。図7の構成において、図1における第4のス
イッチ114は第4のスイッチ714に相当し、第4のスイッチ714はトランジスタ1
10の第2の電極とノード134との間に接続されている。なお、図1の構成と共通する
ところは共通の符号を用いてその説明を省略する。
態となった場合においても、第4のスイッチ714をオフにすることによりトランジスタ
110への電流を遮断することができる。よって、データ書き込み期間における容量素子
115の第2の電極の電位の変動を抑制することができる。
10のしきい値電圧のばらつきに起因した電流値のばらつきを抑制することができる。よ
って、輝度データに対応した電流を発光素子116に供給することができ、輝度のばらつ
きを抑制することが可能となる。さらに、トランジスタ110を飽和領域で動作させた場
合においては、発光素子116の劣化に起因した輝度のばらつきも抑制することができる
。また、初期化期間において、第4のスイッチ114をオフさせた場合には消費電力の低
減が可能である。ただし、ノード134と第2のスイッチ112との接続箇所をノード1
35とすると、図45に示すように第4のスイッチ714がノード134とノード135
との間に接続されている場合には、初期化期間において第4のスイッチ714をオフさせ
ることはできない。
より画素に入力するタイミングを選択し、トランジスタ110のゲート電極に供給する信
号を制御するものであり、第2のスイッチ112はトランジスタ110のゲート電極に所
定の電位を与えるタイミングを選択し、トランジスタ110のゲート電極に所定の電位を
供給するか否かを制御するものであり、第3のスイッチ113は容量素子115に書き込
まれた電位を初期化するための所定の電位を与えるタイミングを選択したり、トランジス
タ110の第1の電極の電位を低くするものであれば特に限定されない。また、第1乃至
第3のスイッチは、上記のタイミングで信号もしくは電位を画素に与えることができれば
特に必要はない。例えば、画素の階調に従った信号を画素に入力することができる場合に
は、図16に示すように第1のスイッチ111を設けなくても良い。図16に示す画素は
、トランジスタ110、第2のスイッチ112、第3のスイッチ113、第4のスイッチ
714、画素電極1640を有する。トランジスタ110の第1の電極(ソース電極及び
ドレイン電極の一方)は画素電極1640に接続され、第2の電極(ソース電極及びドレ
イン電極の他方)は第4のスイッチ714を介して電源線122に接続され、ゲート電極
は第2のスイッチ112を介して電源線122と接続されている。また、トランジスタ1
10の第1の電極は第3のスイッチ113を介して電位供給線120とも接続されている
。なお、トランジスタ110のゲート容量1615を保持容量として利用しているため、
図1における容量素子115を特に設ける必要なない。このような画素においても、図2
に示すタイミングチャートに従って各スイッチを動作させ、それぞれの電極に所望の電位
を供給することで、トランジスタ110のしきい値電圧のばらつきに起因した電流値のば
らつきを抑制することができる。つまり、画素電極1640に所望の電流を供給すること
ができる。
チ114は第4のスイッチ814に相当し、第4のスイッチ814はトランジスタ110
の第1の電極とノード132との間に接続されている。なお、図1の構成と共通するとこ
ろは共通の符号を用いてその説明を省略する。
態となった場合においても、第4のスイッチ814をオフにすることによりノード132
に流れる電流を遮断することができる。よって、データ書き込み期間における容量素子1
15の第2の電極の電位の変動を抑制することができる。
10のしきい値電圧のばらつきに起因した電流値のばらつきを抑制することができる。よ
って、輝度データに対応した電流を発光素子116に供給することができ、輝度のばらつ
きを抑制することが可能となる。また、トランジスタ110を飽和領域で動作させた場合
においては、発光素子116の劣化に起因した輝度のばらつきも抑制することができる。
また、初期化期間において、第4のスイッチ114をオフさせた場合には消費電力の低減
が可能である。
ても、第1乃至第3のスイッチと同様、トランジスタやダイオードでもよいし、それらを
組み合わせた論理回路でもよい。
0の第2の電極と電源線122との接続箇所までの経路に設けた場合、発光期間のにおい
て第4のスイッチをオフすることにより強制的に非発光状態を作ることも可能である。こ
のような動作によって発光期間の一部に非発光期間を設けることで、発光時間を自由に設
定できる。また、黒表示を挿入することで、残像を見えにくくし、動画特性の向上を図る
ことも可能である。
画素部913には、信号線駆動回路911から列方向に伸張して配置された複数の信号線
S1〜Sm、走査線駆動回路912から行方向に伸張して配置された複数の第1の走査線
G1_1〜Gn_1、第2の走査線G1_2〜Gn_2、第3の走査線G1_3〜Gn_
3、第4の走査線G1_4〜Gn_4、電源線P1_1〜Pn_1及び電位供給線P1_
2〜Pn_2、並びに信号線S1〜Smに対応してマトリクス状に配置された複数の画素
914を有する。そして、各画素914は、信号線Sj(信号線S1〜Smのうちいずれ
か一)、第1の走査線Gi_1(走査線G1_1〜Gn_1のうちいずれか一)、第2の
走査線Gi_2、第3の走査線Gi_3、第4の走査線Gi_4、電源線Pi_1及び電
位供給線Pi_2と接続されている。
_3、第4の走査線Gi_4、電源線Pi_1、電位供給線Pi_2は、それぞれ図1の
信号線117、第1の走査線118、第2の走査線119、第3の走査線120、第4の
走査線121、電源線122、電位供給線123に相当する。
に同行に属するそれぞれの画素に対し同時に図2に示した動作を行う。なお、図2のデー
タ書き込み期間においては、選択された行の画素に信号線駆動回路911から出力された
ビデオ信号を書き込む。このとき、それぞれの画素の輝度データに応じた電位が各信号線
S1〜Smに入力される。
る画素へ信号の書き込みを行う。なお、図10には、各行におけるデータ書き込み期間を
表すためにこれを忠実に表すことができる図2の第1のスイッチ111の動作を抜粋し記
載している。そして、i行目においてデータ書き込み期間を終えた画素は、発光期間に移
り、その画素へ書き込まれた信号にしたがって発光する。
時期を設定することができる。また、各画素は自身のアドレス期間を除き発光することが
可能であるため、1フレーム期間における発光期間の割合(即ち、デューティー比)を非
常に大きくでき、おおむね100%にすることも可能となる。よって、輝度のばらつきが
少なくデューティー比が高い表示装置を得ることができる。
のしきい値電圧をより正確に容量素子に書き込むことができる。よって、表示装置として
の信頼性を向上させることができる。
ば、電位供給線P1_2〜Pn_2は第1の走査線G1_1〜Gn_1と平行に配置され
ている必要はなく、信号線S1〜Smと平行に配置されていても良い。
方式がある。アナログ階調方式には、発光素子の発光強度をアナログ制御する方式と発光
素子の発光時間をアナログ制御する方式がある。アナログ階調方式においては発光素子の
発光強度をアナログ制御する方式がよく用いられている。一方、デジタル階調方式はデジ
タル制御で発光素子をオンオフさせ、階調を表現している。デジタル階調方式の場合、デ
ジタル信号で処理できるためノイズに強いというメリットがあるが、発光・非発光の2状
態しかないため、このままでは2階調しか表現できない。そこで、別の手法を組み合わせ
て、多階調化を図ることが行われている。多階調化のための手法としては、画素の発光面
積に重みをつけてその選択により階調表示を行う面積階調方式と、発光時間に重みをつけ
てその選択により階調表示を行う時間階調方式とがある。
フレーム期間を複数のサブフレーム期間(SFn)に分割する。各サブフレーム期間は、
初期化期間、しきい値電圧書き込み期間及びデータ書き込み期間を有するアドレス期間(
Ta)と、発光期間(Ts)とを有する。なお、サブフレーム期間は表示ビット数nに応
じた数を1フレーム期間に設ける。また、1フレーム期間において各々のサブフレーム期
間における発光期間の長さの比を2(n−1):2(n−2):・・・:2:1とし、各
発光期間で発光素子の発光、もしくは非発光を選択し、発光素子が発光している1フレー
ム期間中の合計時間の差を利用して階調表現を行う。1フレーム期間において、発光して
いる合計時間が長ければ輝度が高く、短ければ輝度が低くなる。なお、図43においては
4ビット階調の例を示しており、1フレーム期間は4つのサブフレーム期間に分割され、
発光期間の組み合わせによって、24=16階調を表現できる。なお、発光期間の長さの
比は、特に2のべき乗の比としなくても、階調表現は可能である。また、あるサブフレー
ム期間をさらに分割していても良い。
の長さは短いため、発光期間の終了後直ちに次のサブフレーム期間のデータ書き込み動作
を開始しようとすると、前のサブフレーム期間のデータ書き込み動作と重複してしまい、
正常な動作ができなくなる。そのため、図7及び図8で示したように第4のスイッチをノ
ード132からトランジスタ110の第2の電極と電源線122との接続箇所までの間に
設け、発光期間の一部において第4のスイッチをオフし強制的に非発光状態を作ることで
、全行に要するデータ書き込み期間より短い発光も表現することができる。よって、アナ
ログ階調において特に有効であることはもちろんであるが、デジタル階調方式と時間階調
方式とを組み合わせた方式においても有効である。なお、非発光状態に作るには発光素子
に電流が流れなければ良いため、上述したように第4のスイッチをオフさせる他、電源線
122の電位を下げたり、第3のスイッチ113をオンにすることで非発光状態を得るこ
とができる。また、トランジスタ110のゲート・ソース間電圧をしきい値電圧以下にし
ても得ることが可能であり、例えば、容量素子115と並列に新たなスイッチを設け、そ
のスイッチを用いてトランジスタ110のゲート・ソース間を導通させることで非発光状
態を得ることもできる。
違いのほか、1つのトランジスタに注目した場合において経時的なしきい値電圧の変化も
含むものとする。さらに、各トランジスタのしきい値電圧の違いは、トランジスタの作製
時におけるトランジスタ特性の違いによるものも含まれるものとする。なお、ここでいう
トランジスタは発光素子等の負荷に電流を供給する機能を有するトランジスタを指す。
本実施形態では、実施の形態1とは異なる構成の画素を図11に示す。なお、実施の形
態1と同様のものに関しては共通の符号を用いて示し、同一部分又は同様な機能を有する
部分の詳細な説明は省略する。
ッチ112、第4のスイッチ114、整流素子1113、容量素子115、発光素子11
6を有する。なお、画素は、信号線117、第1の走査線118、第2の走査線119、
第3の走査線1120、第4の走査線121及び電源線122に接続されている。図11
(A)に示した画素は、図1における第3のスイッチ113に整流素子1113を用いた
構成となっており、容量素子115の第2の電極、トランジスタ110の第1の電極及び
発光素子116の画素電極は、整流素子1113を介して第3の走査線1120と接続さ
れている。つまり、整流素子1113はトランジスタ110の第1の電極から第3の走査
線1120に電流が流れるように接続されている。もちろん、実施の形態1に示したよう
に第1のスイッチ111、第2のスイッチ112及び第4のスイッチ114については、
トランジスタ等を用いてもよい。また、整流素子1113には、図11(B)に示すショ
ットキー・バリア型1151、PIN型1152、PN型1153などのダイオードの他
、ダイオード接続されているトランジスタ1154、1155等を用いることができる。
ただし、トランジスタ1154及びトランジスタ1155は、電流を流す方向によってト
ランジスタの極性を適宜選択する必要がある。
流が流れず、Lレベルの信号が入力されたときには整流素子1113に電流が流れる。よ
って、図11の画素を図1に示した画素と同様に動作させる際には、初期化期間において
第3の走査線1120にLレベルの信号を入力し、それ以外の期間においてはHレベルの
信号を入力する。ただし、Lレベルの信号は整流素子1113にただ電流が流れるだけで
はなく容量素子115の第2の電極の電位をV1−Vth−α(α:任意の正の数)にま
で下げる必要があるため、V1−Vth−α−β(α:任意の正の数)の電位であること
とする。なお、βは整流素子1113の順方向におけるしきい値電圧を指す。また、Lレ
ベルの信号を発光素子の対向電極124の電位より下げ、初期化期間に発光素子116に
逆方向のバイアス電圧を印加しても良い。一方、Hレベルの信号は、上述したように整流
素子1113に電流が流れなければ良いため、V1−Vthから整流素子1113のしき
い値電圧を引いた値、即ちV1−Vth−βより大きければ良い。
ランジスタ110のしきい値電圧のばらつきに起因した電流値のばらつきを抑制すること
ができる。よって、輝度データに対応した電流を発光素子116に供給することができ、
輝度のばらつきを抑制することが可能となる。また、トランジスタ110を飽和領域で動
作させた場合においては、発光素子116の劣化に起因した輝度のばらつきも抑制するこ
とができる。さらに、整流素子1113を用いることで、配線数を減らすことが可能とな
り、開口率を向上させることができる。
1と同様、各行におけるデータ書き込み期間さえ重複しなければ、各行自由に初期化開始
時期を設定することができる。また、各画素は自身のアドレス期間を除き発光することが
可能であるため、1フレーム期間における発光期間の割合(即ち、デューティー比)を非
常に大きくでき、おおむね100%にすることもできる。よって、輝度のばらつきが少な
くデューティー比が高い表示装置を得ることができる。
れる電流値を制御するトランジスタのしきい値電圧をより正確に容量素子に書き込むこと
ができる。よって、表示装置としての信頼性が向上する。
組み合わせることができる。例えば、第4のスイッチ114がノード130とノード13
1との間やトランジスタ110の第1の電極とノード132との間に接続されている場合
や、トランジスタ110の第2の電極が第4のスイッチ114を介して電源線122と接
続されている場合が挙げられる。これらに限らず、整流素子1113は、他の実施形態に
示した画素にも適用することが可能である。
本実施形態では、実施の形態1及び2とは異なる構成の画素を図12乃至15に示す。
なお、実施の形態1及び2においては一画素に注目して述べたが、各画素に接続された配
線を画素間で共有して用いることにより配線数を減らすことが可能である。この場合、正
常に動作をするのであれば様々な配線を画素間で共有することができる。例えば、隣の画
素と配線を共有することが可能であり、その方法の一例について本実施形態で述べる。な
お、実施の形態1と同様のものに関しては共通の符号を用いて示し、同一部分又は同様な
機能を有する部分の詳細な説明は省略する。
ッチ112、第3のスイッチ113、第4のスイッチ114、容量素子115、発光素子
116を有する。なお、画素は、信号線117、第1の走査線1218、第2の走査線1
19、第3の走査線120、第4の走査線121、電源線122及び次行の第1の走査線
1218に接続されている。
13を介して電位供給線123に接続されていたのに対し、図12では次行の第1の走査
線1218に接続することができる。これは、電位供給線123に限らず、初期化期間に
おいて容量素子115の第2の電極に所定の電位を供給できれば良いからである。そのた
め、初期化期間において所定の電位を容量素子115の第2の電極に供給できれば、供給
する配線は絶えず一定の電位である必要はない。よって、電位供給線のかわりに次行の第
1の走査線1218を用いることができる。このように、次行と配線を共有することで配
線数を減らすことが可能となり、開口率を向上させることができる。
より、トランジスタ110のしきい値電圧のばらつきに起因した電流値のばらつきを抑制
することができる。よって、輝度データに対応した電流を発光素子116に供給すること
ができ、輝度のばらつきを抑制することが可能となる。また、対向電極の電位を一定とし
て動作させるため消費電力を低くすることが可能である。なお、トランジスタ110の動
作領域は特に限定されないが、飽和領域の場合の方が効果は顕著にあらわれる。さらに、
トランジスタ110を飽和領域で動作させた場合には、発光素子116の劣化に起因した
トランジスタ110に流れる電流のばらつきを抑制することができる。
−Vth−α(α:任意の正の数)の電位となる。そのため、V1−Vth−α(α:任
意の正の数)の電位でオフとなる第1のスイッチ111を使用する必要がある。また、画
素1200が属する行の初期化期間は配線を共有した行のデータ書き込み期間と重ならな
いように動作させる必要がある。
120において第3のスイッチ113をオフさせる電位は、第1の走査線1218におい
て第1のスイッチ111をオフさせる信号であるV1−Vth−αの電位より下げてもよ
く、この場合トランジスタがオフとなる際のゲート・ソース間電圧を負の値とすることが
可能となる。よって、第3のスイッチ113がオフした際の電流漏れを少なくすることが
できる。
いたが、第1のスイッチ111をオンさせる信号として用いてもよい。ただし、動作の制
約は異なる。
線1319と共有しても良い。画素1300においても、実施の形態1と同様の動作をさ
せることができる。ただし、第2の走査線1319において第2のスイッチ112をオフ
させる信号はV1−Vth−α(α:任意の正の数)の電位とすることが好ましい。この
場合、V1−Vth−α(α:任意の正の数)の電位でオフとなる第2のスイッチ112
を使用する必要がある。また、画素1300が属する行の初期化期間は配線を共有した行
のしきい値電圧書き込み期間と重ならないように動作させる必要がある。
120において第3のスイッチ113をオフさせる信号は、第2の走査線1319におい
て第2のスイッチ112をオフさせる信号であるV1−Vth−αの電位より下げてもよ
く、この場合第3のスイッチ113がオフした際の電流漏れを少なくすることができる。
いたが、第2のスイッチ112をオンさせる信号として用いてもよい。ただし、動作の制
約は異なる。
線1420と共有しても良い。画素1400においても、実施の形態1と同様の動作をさ
せることができる。ただし、第3の走査線1420において第3のスイッチ113をオフ
させる信号はV1−Vth−α(α:任意の正の数)の電位となる。そのため、V1−V
th−α(α:任意の正の数)の電位でオフとなる第3のスイッチ113を使用する必要
がある。この際、画素1400が属する行の初期化期間は配線を共有した行の初期化期間
と重ならないように動作させる必要があるが、初期化期間がデータ書き込み期間より短く
設定されている場合には特に問題はない。
いたが、第3のスイッチ113をオンさせる信号として用いてもよい。ただし、動作の制
約は異なる。
線1521と共有しても良い。画素1500においても、実施の形態1と同様の動作をさ
せることができる。ただし、第4の走査線1521においてV1−Vth−α(α:任意
の正の数)の電位が入力された場合にオンとなる第4のスイッチ114を用いることが好
ましい。この場合、画素1500が属する行の初期化期間は配線を共有した行のデータ書
き込み期間と重ならないように動作させる必要がある。また、初期化期間において第4の
スイッチ114をオフとさせる場合には、配線を共有した行の初期化期間と重ならないよ
うに動作させる必要がある。
いたが、第4のスイッチ114をオフさせる信号として用いてもよい。ただし、動作の制
約は異なる。
の場合、電源線122には、V1、V2の他、V1−Vth−α(α:任意の正の数)の
計3種の電位を供給し、実施の形態1と同様の動作が可能なような画素構成とすれば良い
。
場合について示したが、初期化期間にV1−Vth−α(α:任意の正の数)の電位を供
給することが可能な配線であればそれ以外でも良い。
示装置において、図12乃至図15に記載した画素ごとの動作の制約及び各行におけるデ
ータ書き込み期間が重複しない範囲内で、各行自由に初期化開始時期を設定することがで
きる。また、各画素は自身のアドレス期間を除き発光することが可能であるため、1フレ
ーム期間における発光期間の割合(即ち、デューティー比)を非常に大きくでき、おおむ
ね100%にすることも可能となる。よって、輝度のばらつきが少なくデューティー比が
高い表示装置を得ることができる。
れる電流値を制御するトランジスタのしきい値電圧をより正確に容量素子に書き込むこと
ができる。よって、表示装置としての信頼性が向上する。
間に接続されたものに限らず、ノード130とノード131との間やトランジスタ110
の第1の電極とノード132との間に接続されていてもよい。また、トランジスタ110
の第2の電極が第4のスイッチ114を介して電源線122と接続されていてもよい。
ることができる。
本実施形態では、実施の形態1とは異なる構成の画素について図29に示す。なお、実
施の形態1と同様のものに関しては共通の符号を用いて示し、同一部分又は同様な機能を
有する部分の詳細な説明は省略する。
チ112、第3のスイッチ113、第4のスイッチ114、容量素子115、発光素子1
16を有する。なお、画素は、信号線117、第1の走査線118、第2の走査線119
、第3の走査線120、第4の走査線121、電源線122及び電位供給線123に接続
されている。
チゲート型トランジスタであり、実施の形態1のトランジスタ110と同じ位置に設けら
れている。ただし、直列に接続されるトランジスタの数は特に限定されない。
0のしきい値電圧のばらつきに起因した電流値のばらつきを抑制することができる。よっ
て、輝度データに対応した電流を発光素子116に供給することができ、輝度のばらつき
を抑制することが可能となる。また、対向電極の電位を一定として動作させるため消費電
力を低くすることが可能である。なお、トランジスタ2910の動作領域は特に限定され
ないが、飽和領域の場合の方が効果は顕著にあらわれる。
化に起因したトランジスタ2910に流れる電流のばらつきを抑制することができる。
トランジスタのチャネル幅が等しい場合、各トランジスタのチャネル長の合計として作用
する。よって、飽和領域においてドレイン・ソース間電圧Vdsにかかわらず、より一定
に近い電流値を得られやすい。特に、トランジスタ2910は長いチャネル長Lを有する
トランジスタの作製が困難な場合に有効である。なお、2つのトランジスタの接続部は抵
抗として機能する。
ていれば良く、トランジスタの種類は特に限定されない。そのため、結晶性半導体膜を用
いた薄膜トランジスタ(TFT)、非晶質シリコンや多結晶シリコンに代表される非単結
晶半導体膜を用いた薄膜トランジスタ、半導体基板やSOI基板を用いて形成されるトラ
ンジスタ、MOS型トランジスタ、接合型トランジスタ、バイポーラトランジスタ、Zn
Oやa−InGaZnOなどの化合物半導体を用いたトランジスタ、有機半導体やカーボ
ンナノチューブを用いたトランジスタ、その他のトランジスタを適用することができる。
のスイッチ112、第3のスイッチ113、第4のスイッチ114はトランジスタ等を用
いることができる。
の間に接続されたものに限らず、ノード130とノード131との間やトランジスタ29
10の第1の電極とノード132との間に接続されていてもよい。また、トランジスタ2
910の第2の電極が第4のスイッチ114を介して電源線122と接続されていてもよ
い。
態1と同様、各行におけるデータ書き込み期間さえ重複しなければ、各行自由に初期化開
始時期を設定することができる。また、各画素は自身のアドレス期間を除き発光すること
が可能であるため、1フレーム期間における発光期間の割合(即ち、デューティー比)を
非常に大きくでき、おおむね100%にすることも可能となる。よって、輝度のばらつき
が少なくデューティー比が高い表示装置を得ることができる。
れる電流値を制御するトランジスタのしきい値電圧をより正確に容量素子に書き込むこと
ができる。よって、表示装置としての信頼性が向上する。
ンジスタ3010に示すような並列にトランジスタが接続された構成であっても良い。ト
ランジスタ3010によって、より大きな電流を発光素子116に供給することができる
。また、並列に接続した2つのトランジスタによってトランジスタの特性が平均化される
ため、トランジスタ3010を構成するトランジスタ本来の特性ばらつきをより小さくす
ることができる。よって、ばらつきが小さいとトランジスタのしきい値電圧のばらつきに
起因する電流値のばらつきをより抑制しやすくすることができる。
29に示したトランジスタ2910のように直列に接続しても良い。
ることができる。つまり、トランジスタ2910もしくはトランジスタ3010は、他の
実施の形態に示した画素構成にも適用することが可能である。
本実施形態では、本発明の画素において、発光素子に供給する電流値を制御するトラン
ジスタを期間毎に切り替えることにより、トランジスタの経時的な劣化を平均化する画素
構成について図31を用いて説明する。
1のスイッチ3111、第2のスイッチ3112、第3のスイッチ3113、第4のスイ
ッチ3114、第5のスイッチ3103、第6のスイッチ3104、容量素子3115、
発光素子3116を有する。なお、画素は、信号線3117、第1の走査線3118、第
2の走査線3119、第3の走査線3120、第4の走査線3121、電源線3122及
び電位供給線3123に接続されている。さらに図31には図示していないが、第5のス
イッチ3103及び第6のスイッチ3104のオン、オフを制御する第5及び第6の走査
線にも接続されている。なお、本実施形態において、第1のトランジスタ3101及び第
2のトランジスタ3102はNチャネル型トランジスタとし、それぞれのトランジスタは
ゲート・ソース間電圧(Vgs)がしきい値電圧を上回ったとき、導通状態になるものと
する。また、発光素子3116の画素電極は陽極、対向電極3124は陰極とする。なお
、トランジスタのゲート・ソース間電圧はVgs、容量素子に蓄積された電圧はVcsと
記す。また、第1のトランジスタ3101のしきい値電圧をVth1、第2のトランジス
タ3102のしきい値電圧をVth2と記す。電源線3122、電位供給線3123及び
信号線3117を、それぞれ第1の配線、第2の配線、第3の配線とも呼ぶ。
第5のスイッチ3103を介して発光素子3116の画素電極に接続され、第2の電極(
ソース電極及びドレイン電極の他方)は電源線3122に接続され、ゲート電極は第4の
スイッチ3114及び第2のスイッチ3112を介して電源線3122と接続されている
。なお、第4のスイッチ3114は、第1のトランジスタ3101のゲート電極と第2の
スイッチ3112の間に接続されている。また、第4のスイッチ3114と第2のスイッ
チ3112との接続箇所をノード3130とすると、ノード3130は第1のスイッチ3
111を介して信号線3117と接続されている。また、第1のトランジスタ3101の
第1の電極は第5のスイッチ3103及び第3のスイッチ3113を介して電位供給線3
123とも接続されている。
第6のスイッチ3104を介して発光素子3116の画素電極に接続され、第2の電極(
ソース電極及びドレイン電極の他方)は電源線3122に接続され、ゲート電極は第4の
スイッチ3114を介してノード3130と接続されている。また、第2のトランジスタ
3102の第1の電極は第6のスイッチ3104及び第3のスイッチ3113を介して電
位供給線3123とも接続されている。なお、第1のトランジスタ3101のゲート電極
と第2のトランジスタ3102のゲート電極とは接続されている。また、第1のトランジ
スタ3101の第1の電極と第2のトランジスタ3102の第1の電極とは、第5のスイ
ッチ3103及び第6のスイッチ3104を介して接続されており、第5のスイッチ31
03と第6のスイッチ3104との接続箇所をノード3133とする。
。つまり、容量素子3115の第1の電極は第4のスイッチ3114を介し接続された第
1のトランジスタ3101と第2のトランジスタ3102のゲート電極に、容量素子31
15の第2の電極は第5のスイッチ3103を介して第1のトランジスタ3101の第1
の電極及び第6のスイッチ3104を介して第2のトランジスタ3102の第1の電極に
接続されている。容量素子3115は、配線、半導体層や電極によって絶縁膜を挟むこと
で形成しても良いし、場合によっては接続された第1のトランジスタ3101と第2のト
ランジスタ3102のゲート容量を用いて省略することもできる。また、容量素子311
5の第1の電極と、第1のスイッチ3111とノード3130とが接続された配線との接
続箇所をノード3131とし、ノード3133と容量素子3115の第2の電極とが接続
された配線と発光素子3116の画素電極との接続箇所をノード3132とする。
走査線3121に信号を入力することにより、それぞれ第1のスイッチ3111、第2の
スイッチ3112、第3のスイッチ3113、第4のスイッチ3114のオンオフが制御
される。図31においては、第5のスイッチ3103及び第6のスイッチ3104のオン
オフを制御する走査線は省略している。
に応じた電位が入力される。
る。なお、図32において1画面分の画像を表示する期間に相当する1フレーム期間は、
初期化期間、しきい値電圧書き込み期間、データ書き込み期間及び発光期間に分割される
。
はV1−Vth−α(α:任意の正の数)の電位が入力される。Vthは、Vth1もし
くはVth2の大きい方の値とする。また、電源線3122には、アドレス期間はV1、
発光期間ではV2の電位が入力される。ただし、V2>V1とする。
レス期間における電源線3122の電位と同じであるとしたが、発光素子3116が発光
するために少なくとも必要とする電位差をVELとすると、対向電極3124の電位はV
1−Vth−α―VELの電位より高い値であれば良い。また、発光期間における電源線
3122の電位V2は、対向電極3124の電位に発光素子3116が発光するために少
なくとも必要とする電位差(VEL)を加算した値より大きい値であれば良いが、説明上
ここでは対向電極3124の電位をV1としたため、V2はV1+VELより大きい値で
あれば良いということになる。
スイッチ3104をオフとし、第2のスイッチ3112、第3のスイッチ3113、第4
のスイッチ3114及び第5のスイッチ3103をオンとする。このとき、第1のトラン
ジスタ3101の第1の電極はソース電極となり、その電位は電位供給線3123と等し
くなるためV1−Vth−αとなる。一方、ゲート電極の電位はV1となる。よって、第
1のトランジスタ3101のゲート・ソース間電圧VgsはVth+αとなり第1のトラ
ンジスタ3101は導通状態となる。そして、第1のトランジスタ3101のゲート電極
と第1の電極との間に設けられた容量素子3115にVth+αが保持される。なお、第
4のスイッチ3114をオンとした場合について説明したが、オフとしても良い。ただし
、次のしきい値電圧書き込み期間では第4のスイッチ3114はオンとしなければならな
い。
する。そのため、第1のトランジスタ3101の第1の電極即ちソース電極の電位は次第
に上昇しV1−Vth1となったところ、つまり第1のトランジスタ3101のゲート・
ソース間電圧Vgsがしきい値電圧(Vth1)となったところで、第1のトランジスタ
3101は非導通状態となる。よって、容量素子3115に保持される電圧はVth1と
なる。
及び第4のスイッチ3114をオフとした後、第1のスイッチ3111をオンとし、信号
線3117より輝度データに応じた電位(V1+Vdata)を入力する。なお、第4の
スイッチ3114をオフにすることにより、第1のトランジスタ3101を非導通状態に
保つことができる。そのため、データ書き込み時の電源線3122から供給される電流に
よる容量素子3115の第2の電極の電位の変動を抑制することができる。よって、この
とき容量素子3115に保持される電圧Vcsは、Vth1+Vdataとなる。なお、
次の発光期間において発光素子3116を非発光としたい場合には、Vdata≦0の電
位を入力する。
3122の電位をV2とした後、第4のスイッチ3114をオンとする。このとき、第1
のトランジスタ3101のゲート・ソース間電圧はVgs=Vth1+Vdataとなり
、第1のトランジスタ3101が導通状態になる。よって、輝度データに応じた電流が第
1のトランジスタ3101及び発光素子3116に流れ、発光素子3116が発光する。
1の動作領域が飽和領域、線形領域のいずれの場合においても、第1のトランジスタ31
01のしきい値電圧(Vth1)に依存しない。
ッチ3103をオフとし、第2のスイッチ3112、第3のスイッチ3113、第4のス
イッチ3114及び第6のスイッチ3104をオンとする。このとき、第2のトランジス
タ3102の第1の電極はソース電極となり、その電位は電位供給線3123と等しくな
るためV1−Vth−αとなる。一方、ゲート電極の電位はV1となる。よって、第2の
トランジスタ3102のゲート・ソース間電圧VgsはVth+αとなり、第2のトラン
ジスタ3102は導通状態となる。そして、第2のトランジスタ3102のゲート電極と
第1の電極との間に設けられた容量素子3115にVth+αが保持される。なお、第4
のスイッチ3114をオンとした場合について説明したが、オフとしても良い。ただし、
次のしきい値電圧書き込み期間では第4のスイッチ3114はオンとしなければならない
。
オフとする。そのため、第2のトランジスタ3102の第1の電極即ちソース電極の電位
は次第に上昇しV1−Vth2となったところ、つまり第2のトランジスタ3102のゲ
ート・ソース間電圧Vgsがしきい値電圧(Vth2)となったところで、第2のトラン
ジスタ3102は非導通状態となる。よって、容量素子3115に保持される電圧はVt
h2となる。
及び第4のスイッチ3114をオフとした後、第1のスイッチ3111をオンとし、信号
線3117より輝度データに応じた電位(V1+Vdata)を入力する。なお、第4の
スイッチ3114をオフにすることにより、第2のトランジスタ3102を非導通状態に
保つことができる。そのため、データ書き込み時の電源線3122から供給される電流に
よる、容量素子3115の第2の電極の電位の変動を抑制することができる。よって、こ
のとき容量素子3115に保持される電圧Vcsは、Vth2+Vdataとなる。
3122の電位をV2とした後、第4のスイッチ3114をオンとする。このとき、第2
のトランジスタ3102のゲート・ソース間電圧はVgs=Vth2+Vdataとなり
、第2のトランジスタ3102が導通状態になる。よって、輝度データに応じた電流が第
2のトランジスタ3102及び発光素子3116に流れ、発光素子3116が発光する。
おいても、発光素子3116に流れる電流はしきい値電圧(Vth2)に依存しない。
ジスタを用いて発光素子に供給する電流を制御してもトランジスタのしきい値電圧のばら
つきに起因した電流値のばらつきを抑制し、輝度データに対応した電流値を発光素子31
16に供給することができる。なお、第1のトランジスタ3101、第2のトランジスタ
3102を切り替えて用いることにより一つのトランジスタに加わる負荷を軽くすること
によりトランジスタの経時的なしきい値電圧の変化を小さいものとすることができる。
値電圧に起因した輝度のばらつきを抑制することができる。また、対向電極の電位を一定
とするため消費電力を低くすることが可能である。
させた場合においては、発光素子3116の劣化による各々のトランジスタに流れる電流
のばらつきも抑制できる。
せた場合、これらトランジスタのチャネル長Lは長い方がより好ましい。
め、発光素子における短絡箇所を絶縁化したり、発光素子の劣化を抑制することができる
。よって、発光素子の寿命を延ばすことができる。
ことができるため、そのトランジスタによって制御された電流の供給先は特に限定されな
い。そのため、図31に示した発光素子3116は、EL素子(有機EL素子、無機EL
素子又は有機物及び無機物を含むEL素子)、電子放出素子、液晶素子、電子インクなど
を適用することができる。
に供給する電流値を制御する機能を有していれば良く、トランジスタの種類は特に限定さ
れない。そのため、結晶性半導体膜を用いた薄膜トランジスタ(TFT)、非晶質シリコ
ンや多結晶シリコンに代表される非単結晶半導体膜を用いた薄膜トランジスタ、半導体基
板やSOI基板を用いて形成されるトランジスタ、MOS型トランジスタ、接合型トラン
ジスタ、バイポーラトランジスタ、ZnOやa−InGaZnOなどの化合物半導体を用
いたトランジスタ、有機半導体やカーボンナノチューブを用いたトランジスタ、その他の
トランジスタを適用することができる。
るタイミングを選択するものであり、第2のスイッチ3112は第1のトランジスタ31
01もしくは第2のトランジスタ3102のゲート電極に所定の電位を与えるタイミング
を選択するものであり、第3のスイッチ3113は容量素子3115に書き込まれた電位
を初期化するための所定の電位を与えるタイミングを選択するものであり、第4のスイッ
チ3114はデータ書き込み時における容量素子3115の第2の電極の電位の変動を抑
制するものである。そのため、第1のスイッチ3111、第2のスイッチ3112、第3
のスイッチ3113、第4のスイッチ3114は、上記機能を有していれば特に限定され
ない。たとえば、トランジスタやダイオードでもよいし、それらを組み合わせた論理回路
でもよい。また、第5のスイッチ3103及び第6のスイッチ3104についても特に限
定されず、たとえばトランジスタやダイオードでもよいし、それらを組み合わせた論理回
路でもよい。
スイッチ3114、第5のスイッチ3103、第6のスイッチ3104にNチャネル型の
トランジスタを用いた場合、Nチャネル型のトランジスタのみで画素を構成することがで
きるため、製造工程の簡略化を図ることができる。また、画素を構成するトランジスタの
半導体層にアモルファス半導体やセミアモルファス半導体(若しくは微結晶半導体ともい
う)などの非晶質半導体を用いることができる。例えば、アモルファス半導体としてアモ
ルファスシリコン(a−Si:H)が挙げられる。これら非晶質半導体を用いることによ
り、さらに製造工程の簡略化が可能である。したがって、製造コストの削減や歩留まりの
向上を図ることができる。
第4のスイッチ3114、第5のスイッチ3103、第6のスイッチ3104にトランジ
スタを用いた場合、トランジスタの極性(導電型)は特に限定されない。ただし、オフ電
流が少ないトランジスタを用いることが望ましい。
3102及び第6のスイッチ3104は、図37に示すようにそれぞれ入れ替わっていて
も良い。つまり、第1のトランジスタ3101及び第2のトランジスタ3102の第1の
電極は容量素子3115及び第4のスイッチ3114を介して第1のトランジスタ310
1及び第2のトランジスタ3102のゲート電極に接続されている。また、第1のトラン
ジスタ3101の第2の電極は第5のスイッチ3103を介して電源線3122と接続さ
れ、第2のトランジスタ3102の第2の電極は第6のスイッチ3104を介して電源線
3122と接続されている。
ランジスタ3101と第5のスイッチ3103、第2のトランジスタ3102と第6のス
イッチ3104をセットにして並列数が2の場合について記載したが、並列に配置する数
は特に限定されない。
ート電極との間に接続されたものに限らず、ノード3130とノード3131との間やノ
ード3133とノード3132との間に接続されていてもよい。
態に示した画素では、第5のスイッチ3103及び第6のスイッチ3104の両方をデー
タ書き込み期間にオフさせることにより、第4のスイッチ3114を有さなくても電源線
3122からノード3133に供給される電流を遮断することができる。よって、容量素
子3115の第2の電極の電位の変動を抑制することができるため、特に第4のスイッチ
3114を必要とすることなく容量素子3115にVth1+VdataもしくはVth
2+Vdataの電圧を保持させることが可能である。したがって、第4のスイッチ31
14を用いることなく、発光期間に輝度データに応じたより正確な電流を発光素子311
6に供給することができる。もちろん、図31に示した画素、即ち第5のスイッチ310
3及び第6のスイッチ3104がそれぞれ第1のトランジスタ3101、第2のトランジ
スタ3102の第1の電極とノード3133との間に接続されている場合においても同様
のことが言える。
オフさせることにより、強制的に非発光状態を作ることも可能である。このような動作に
よって、発光期間を自由に設定することができる。また、黒表示を挿入することで、残像
を見えにくくし、動画特性の向上を図ることも可能である。
様、各行におけるデータ書き込み期間さえ重複しなければ、各行自由に初期化開始時期を
設定することができる。また、各画素は自身のアドレス期間を除き発光することが可能で
あるため、1フレーム期間における発光期間の割合(即ち、デューティー比)を非常に大
きくでき、おおむね100%にすることもできる。よって、輝度のばらつきが少なくデュ
ーティー比が高い表示装置を得ることができる。
れる電流値を制御するトランジスタのしきい値電圧をより正確に容量素子に書き込むこと
ができる。よって、表示装置としての信頼性が向上する。
線と共有することができる。また、第1のトランジスタ3101及び第2のトランジスタ
3102のそれぞれに、トランジスタが直列に接続されたマルチゲート型トランジスタや
並列に配置されたトランジスタを用いても良い。これらに限らず、本実施の形態は、実施
の形態1乃至4に示した画素構成に適用することが可能である。
本実施形態では、発光素子に供給する電流値を制御するトランジスタにPチャネル型ト
ランジスタを適用した場合について図39を用いて説明する。
チ3912、第3のスイッチ3913、第4のスイッチ3914、容量素子3915、発
光素子3916を有する。なお、画素は、信号線3917、第1の走査線3918、第2
の走査線3919、第3の走査線3920、第4の走査線3921、電源線3922及び
電位供給線3923に接続されている。本実施の形態において、トランジスタ3910は
Pチャネル型トランジスタとし、そのゲート・ソース間電圧の絶対値(|Vgs|)がし
きい値電圧(|Vth|)を上回ったとき(VgsがVthを下回ったとき)、導通状態
になるものとする。また、発光素子3916には図49に示すように対向電極3924か
ら画素電極4911に電流が流れるEL素子を用いた例について説明する。その際、画素
電極4911は陰極、対向電極3924は陽極として機能する。なお、トランジスタのゲ
ート・ソース間電圧の絶対値を|Vgs|、しきい値電圧の絶対値を|Vth|と記し、
電源線3922、電位供給線3923及び信号線3917を、それぞれ第1の配線、第2
の配線、第3の配線とも呼ぶ。また、第1の走査線3918、第2の走査線3919、第
3の走査線3920及び第4の走査線3921を、それぞれ第4の配線、第5の配線、第
6の配線、第7の配線と呼んでも良い。
子3916の画素電極に接続され、第2の電極(ソース電極及びドレイン電極の他方)は
電源線3922に接続され、ゲート電極は第4のスイッチ3914及び第2のスイッチ3
912を介して電源線3922と接続されている。なお、第4のスイッチ3914は、ト
ランジスタ3910のゲート電極と第2のスイッチ3912の間に接続されている。また
、第4のスイッチ3914と第2のスイッチ3912との接続箇所をノード3930とす
ると、ノード3930は第1のスイッチ3911を介して信号線3917と接続されてい
る。また、トランジスタ3910の第1の電極は第3のスイッチ3913を介して電位供
給線3923とも接続されている。
5が接続されている。つまり、容量素子3915の第1の電極が第4のスイッチ3914
を介しトランジスタ3910のゲート電極に、第2の電極がトランジスタ3910の第1
の電極に接続されている。容量素子3915は、配線、半導体層や電極によって絶縁膜を
挟むことで形成しても良いし、場合によってはトランジスタ3910のゲート容量を用い
て省略することもできる。これらの電圧を保持する手段を保持容量と言う。また、ノード
3930と、第1のスイッチ3911と容量素子3915の第1の電極とが接続されてい
る配線との接続箇所をノード3931とし、トランジスタ3910の第1の電極と、容量
素子3915の第2の電極と発光素子3916の画素電極とが接続されている配線との接
続箇所をノード3932とする。
走査線3921に信号を入力することにより、それぞれ第1のスイッチ3911、第2の
スイッチ3912、第3のスイッチ3913、第4のスイッチ3914のオンオフが制御
される。
に応じた電位が入力される。
いて説明する。なお、図40において1画面分の画像を表示する期間に相当する1フレー
ム期間は、初期化期間、しきい値電圧書き込み期間、データ書き込み期間及び発光期間に
分割される。また、初期化期間、しきい値電圧書き込み期間、データ書き込み期間をまと
めてアドレス期間と呼ぶ。1フレーム期間は特に限定はないが、画像をみる人がちらつき
(フリッカ)を感じないように少なくとも1/60秒以下とすることが好ましい。
はV1+|Vth|+α(α:任意の正の数)の電位が入力される。また、電源線392
2には、アドレス期間はV1、発光期間ではV2の電位が入力される。ただし、V2<V
1とする。
レス期間における電源線3922の電位と同じであるとしたが、発光素子3916が発光
するために少なくとも必要とする電位差をVELとすると、対向電極3924の電位は、
電位供給線3923の電位にVELを加算した値より低ければ良い。すなわち、アドレス
期間においては、発光素子3916の両端の電位が発光素子3916に電流が流れないよ
うな電位になっていれば良い。また、発光期間における電源線3922の電位V2は、対
向電極3924の電位から発光素子3116が発光するために少なくとも必要とする電位
差(VEL)を引いた値より小さい値であれば良いが、説明上ここでは対向電極3924
の電位をV1としたため、V2はV1−VELより小さい値であれば良いということにな
る。
911をオフとし、第2のスイッチ3912、第3のスイッチ3913及び第4のスイッ
チ3914をオンとする。このとき、トランジスタ3910の第1の電極はソース電極と
なり、その電位は電位供給線3923と等しくなるためV1+|Vth|+αとなる。一
方、ゲート電極の電位はV1となる。よって、トランジスタ3910のゲート・ソース間
電圧の絶対値|Vgs|は|Vth|+αとなり、トランジスタ3910は導通状態とな
る。そして、トランジスタ3910のゲート電極と第1の電極との間に設けられた容量素
子3915に|Vth|+αが保持される。なお、第4のスイッチ3914をオンとした
場合について説明したが、オフとしても良い。ただし、次のしきい値電圧書き込み期間で
は第4のスイッチ3914はオンとしなければならない。
3913をオフとする。そのため、トランジスタ3910の第1の電極即ちソース電極の
電位は次第に下降しV1+|Vth|となったところで、トランジスタ3910は非導通
状態となる。よって、容量素子3915に保持される電圧はおおむね|Vth|となる。
スイッチ3912及び第4のスイッチ3914をオフとした後、第1のスイッチ3911
をオンとし、信号線3917より輝度データに応じた電位(V1−Vdata)を入力す
る。この期間に第4のスイッチ3914をオフにすることにより、トランジスタ3910
を非導通状態に保つことができる。そのため、データ書き込み時の電源線3922から供
給される電流による、容量素子3915の第2の電極における電位の変動を抑制すること
ができる。よって、このとき容量素子3915に保持される電圧Vcsは、容量素子39
15及び発光素子3916の静電容量をそれぞれC1、C2とすると式(5)のように表
すことができる。
ため、C2>>C1となる。よって、C2/(C1+C2)≒1より容量素子3915に
保持される電圧Vcsは式(6)となる。なお、次の発光期間において発光素子3916
を非発光としたい場合には、Vdata≦0の電位を入力すれば良い。
オフとし、電源線3922の電位をV2とした後、第4のスイッチ3914をオンとする
。このとき、トランジスタ3910のゲート・ソース間電圧はVgs=−Vdata−|
Vth|となり、トランジスタ3910が導通状態になる。よって、輝度データに応じた
電流がトランジスタ3910及び発光素子3916に流れ、発光素子3916が発光する
。
xは蓄積容量を指す。
のいずれの場合においても、発光素子3916に流れる電流は、トランジスタ3910の
しきい値電圧(Vth)に依存しない。よって、トランジスタ3910のしきい値電圧の
ばらつきに起因した電流値のばらつきを抑制し、輝度データに対応した電流を発光素子3
916に供給することができる。
らつきを抑制することができる。また、対向電極の電位を一定として動作させるため消費
電力を低くすることが可能となる。
16の劣化による輝度のばらつきも抑制できる。発光素子3916が劣化すると、発光素
子3916のVELは増大し、トランジスタ3910の第1の電極、即ちソース電極の電
位は減少する。このとき、トランジスタ3910のソース電極は容量素子3915の第2
の電極に、トランジスタ3910のゲート電極は容量素子3915の第1の電極に接続さ
れており、なおかつゲート電極側は浮遊状態となっている。そのため、ソース電位の減少
に伴い、同じ電位だけトランジスタ3910のゲート電位も減少する。よって、トランジ
スタ3910のVgsは変化しないため、たとえ発光素子が劣化してもトランジスタ39
10及び発光素子3916に流れる電流に影響しない。なお、式(8)においても発光素
子に流れる電流Iはソース電位やドレイン電位に依存しないことがわかる。
3910のしきい値電圧のばらつき及び発光素子3916の劣化に起因したトランジスタ
3910に流れる電流のばらつきを抑制することができる。
による電流量の増加を抑制するために、トランジスタ3910のチャネル長Lは長い方が
より好ましい。
め、発光素子における短絡箇所を絶縁化したり、発光素子の劣化を抑制することができる
。よって、発光素子の寿命を延ばすことができる。
無機EL素子又は有機物及び無機物を含むEL素子)、電子放出素子、液晶素子、電子イ
ンクなどを適用することができる。
していれば良く、トランジスタの種類は特に限定されない。そのため、結晶性半導体膜を
用いた薄膜トランジスタ(TFT)、非晶質シリコンや多結晶シリコンに代表される非単
結晶半導体膜を用いた薄膜トランジスタ、半導体基板やSOI基板を用いて形成されるト
ランジスタ、MOS型トランジスタ、接合型トランジスタ、バイポーラトランジスタ、Z
nOやa−InGaZnOなどの化合物半導体を用いたトランジスタ、有機半導体やカー
ボンナノチューブを用いたトランジスタ、その他のトランジスタを適用することができる
。
るタイミングを選択するものであり、第2のスイッチ3912はトランジスタ3910の
ゲート電極に所定の電位を与えるタイミングを選択し、トランジスタ3910のゲート電
極に所定の電位を供給するか否かを制御するものであり、第3のスイッチ3913は容量
素子3915に書き込まれた電位を初期化するための所定の電位を与えるタイミングを選
択したり、トランジスタ3910の第1の電極の電位を高くするものである。なお、第4
のスイッチ3914はデータ書き込み時における容量素子3915の第2の電極の電位の
変動を抑制するものである。そのため、第1のスイッチ3911、第2のスイッチ391
2、第3のスイッチ3913、第4のスイッチ3914は、上記機能を有していれば特に
限定されない。たとえば、トランジスタやダイオードでもよいし、それらを組み合わせた
論理回路でもよい。
。ただし、オフ電流が少ないトランジスタを用いることが望ましい。オフ電流が少ないト
ランジスタとしては、LDD領域を設けているものやマルチゲート構造にしているものな
どがある。また、Nチャネル型とPチャネル型の両方を用いて、CMOS型のスイッチに
してもよい。
3、第4のスイッチ3914にPチャネル型のトランジスタを適用した場合、それぞれの
スイッチのオンオフを制御する走査線にはオンさせたいときにはLレベルの信号が、オフ
させたいときにはHレベルの信号が入力される。
工程の簡略化を図ることができる。
と同様、各行におけるデータ書き込み期間さえ重複しなければ、各行自由に初期化開始時
期を設定することができる。また、各画素は自身のアドレス期間を除き発光することが可
能であるため、1フレーム期間における発光期間の割合(即ち、デューティー比)を非常
に大きくでき、おおむね100%にすることもできる。よって、輝度のばらつきが少なく
デューティー比が高い表示装置を得ることができる。
電流値を制御するトランジスタのしきい値電圧をより正確に容量素子に書き込むことがで
きる。よって、表示装置としての信頼性が向上する。
とができる。例えば、第4のスイッチ3914がノード3930とノード3931との間
やトランジスタ3910の第1の電極とノード3932との間に接続されている場合や、
トランジスタ3910の第2の電極が第4のスイッチ3914を介して電源線3922と
接続されている場合などがある。ただし、電源線3922と、第2のスイッチ3912と
トランジスタ3910の第2の電極とを接続した配線との接続箇所をノード3935とす
ると、第4のスイッチ3914がノード3935と電源線3922との間に接続されてい
る場合には、初期化期間において第4のスイッチ3914をオフさせることはできない。
画素にも適用することが可能である。
本実施形態では、本発明の画素の部分断面図の一形態について図17を用いて説明する
。なお、本実施形態における部分断面図に示されているトランジスタは、発光素子に供給
する電流値を制御する機能を有するトランジスタである。
る基板1711としては、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板(ポリイミド、アク
リル、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテル
スルホン等)、セラミックス基板等の絶縁性基板の他、金属基板(タンタル、タングステ
ン、モリブデン等)や半導体基板等の表面に絶縁膜を形成したものも用いることができる
。ただし、少なくともプロセス中に発生する熱に耐えうる基板を使用する必要がある。
y)等の絶縁膜を用い、これら絶縁膜を単層又は2以上の複数層で形成する。なお、下地
膜1712は、スパッタ法、CVD法等を用いて形成すればよい。本実施形態では下地膜
1712を単層としているが、もちろん2以上の複数層でも構わない。
、少なくとも半導体層1714と、半導体層1714上に形成されたゲート絶縁膜171
5と、半導体層1714上にゲート絶縁膜1715を介して形成されたゲート電極171
6から構成されており、半導体層1714は、ソース領域及びドレイン領域を有する。
ン・ゲルマニウム(SiGe)等を主成分とする非晶質半導体、非晶質状態と結晶状態と
が混在したセミアモルファス半導体、及び非晶質半導体中に0.5nm〜20nmの結晶
粒を観察することができる微結晶半導体から選ばれたいずれかの非結晶性状態を有する膜
(即ち、非結晶性半導体膜)やポリシリコン(p−Si:H)等の結晶性半導体膜を用い
ることができる。なお、0.5nm〜20nmの結晶粒を観察することができる微結晶状
態はいわゆるマイクロクリスタルと呼ばれている。なお、半導体層1714に非結晶性半
導体膜を用いる場合には、スパッタ法、CVD法等を用いて形成すれば良く、結晶性半導
体膜を用いる場合には、例えば非結晶性半導体膜を形成した後さらに結晶化すれば良い。
また、必要があればトランジスタのしきい値電圧を制御するために上記主成分の他に、微
量の不純物元素(リン、ヒ素、ボロン等)が含まれていても良い。
15には、例えば酸化珪素、窒化珪素または窒化酸化珪素等を用いて単層または複数の膜
を積層させて形成する。なお、成膜方法には、CVD法、スパッタ法等を用いることがで
きる。
1716を形成する。ゲート電極1716は単層で形成してもよいし、複数の金属膜を積
層して形成してもよい。なお、ゲート電極は、タンタル(Ta)、タングステン(W)、
チタン(Ti)、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、クロム(C
r)等から選ばれた金属元素の他にも、前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物
材料で形成することができる。例えば、第1の導電層として窒化タンタル(TaN)を用
い、第2の導電層としてタングステン(W)を用いた、第1の導電膜と第2の導電膜から
なるゲート電極としてもよい。
て用い、半導体層1714にn型またはp型の導電性を付与する不純物を選択的に添加す
る。このようにして、半導体層1714に、チャネル形成領域および不純物領域(ソース
領域、ドレイン領域、GOLD領域、LDD領域を含む)が形成される。また、添加され
る不純物元素の導電型によりNチャネル型トランジスタ、またはPチャネル型トランジス
タとを区別して作製することができる。
16を覆うようにシリコン化合物、例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜若しくは酸
化窒化シリコン膜を形成した後、エッチバックしてサイドウォール1717を形成する。
その後、半導体層1714に導電性を付与する不純物を添加することにより、ソース領域
1718、ドレイン領域1719及びLDD領域1720を形成することができる。その
ため、LDD領域1720はサイドウォール1717の下部に位置する。なお、サイドウ
ォール1717は、LDD領域1720を自己整合的に形成するために設けるのであって
、必ずしも設けなくてもよい。なお、導電性を付与する不純物としてはリン、ヒ素、ボロ
ン等が用いられる。
721、第2の絶縁膜1722を積層し形成する。第1の絶縁膜1721、第2の絶縁膜
1722としては、酸化珪素膜、窒化珪素膜または酸化窒化珪素膜(SiOxNy)等の
無機絶縁膜、もしくは低誘電率の有機樹脂膜(感光性や非感光性の有機樹脂膜)を用いる
ことができる。また、シロキサンを含む膜を用いてもよい。なお、シロキサンは、シリコ
ン(Si)と酸素(O)との結合で骨格構造が構成される材料であり、置換基としては、
有機基(例えばアルキル基、芳香族炭化水素)が用いられる。また、置換基にフルオロ基
を含んでいても良い。
い。本実施形態では第1の層間絶縁膜1730を2層の積層構造としたが、1層としても
良いし、3層以上の積層構造としても良い。
ンコーティング法等を用いて形成すればよく、有機樹脂膜やシロキサンを含む膜を用いる
場合には塗布法を用いて形成すればよい。
る。なお、ソース電極及びドレイン電極1723は、それぞれコンタクトホールを介して
ソース領域1718、ドレイン領域1719に接続されている。
、ニッケル(Ni)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、イリジウム(Ir)、ロジウ
ム(Rh)、タングステン(W)、アルミニウム(Al)、タンタル(Ta)、モリブデ
ン(Mo)、カドミウム(Cd)、亜鉛(Zn)、鉄(Fe)、チタン(Ti)、珪素(
Si)、ゲルマニウム(Ge)、ジルコニウム(Zr)、バリウム(Ba)等の金属又は
その合金、若しくはその金属窒化物、又はこれらの積層膜を用いることができる。
する。第2の層間絶縁膜1731としては、無機絶縁膜や、樹脂膜、又はこれらの積層を
用いることができる。無機絶縁膜としては、窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜又
はこれらを積層した膜を用いることができる。樹脂膜としては、ポリイミド、ポリアミド
、アクリル、ポリイミドアミド、エポキシなどを用いることができる。
4の端部を覆うように絶縁物1725を形成する。絶縁物1725は、後に形成される発
光物質を含む層1726の成膜を良好なものとするため、絶縁物1725の上端部または
下端部が曲率を有する曲面となるように形成することが好ましい。例えば、絶縁物172
5の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物1725の上端部のみに曲
率半径(0.2μm〜3μm)を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物1
725として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、あるいは光に
よってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。さらには、
絶縁物1725の材料として有機物に限らず酸化珪素、酸窒化珪素等の無機物も用いるこ
とできる。
極1727を形成する。
れた領域では発光素子1728が形成されている。
る画素電極1724及び対向電極1727は、それぞれ図18の画素電極1801、対向
電極1802に相当する。また、図18(a)においては、画素電極を陽極、対向電極を
陰極とする。
1813の他、正孔注入層1811、正孔輸送層1812、電子輸送層1814、電子注
入層1815等も設けられている。これらの層は、画素電極1801の電位が対向電極1
802の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに、画素電極1801側から正孔
が注入され対向電極1802側から電子が注入されるように積層されている。
02から注入された電子とは、発光層1813において再結合し、発光物質を励起状態に
する。そして、励起状態の発光物質が基底状態に戻るときに発光する。なお、発光物質と
は、ルミネセンス(エレクトロルミネセンス)が得られる物質であれば良い。
層であっても良いが、濃度消光を生じる場合には発光物質が有するエネルギーギャップよ
りも大きいエネルギーギャップを有する物質(ホスト)からなる層中に発光物質が分散す
るように混合された層であることが好ましい。これによって、発光物質の濃度消光を防ぐ
ことができる。なお、エネルギーギャップとは最低空分子軌道(LUMO:Lowest
Unoccupied Molecular Orbital)準位と最高被占分子軌
道(HOMO:Highest Occupied Molecular Orbita
l)準位とのエネルギー差をいう。
ればよい。例えば、赤色系の発光を得たいときには、4−ジシアノメチレン−2−イソプ
ロピル−6−[2−(1,1,7,7−テトラメチルジュロリジン−9−イル)エテニル
]−4H−ピラン(略称:DCJTI)、4−ジシアノメチレン−2−メチル−6−[2
−(1,1,7,7−テトラメチルジュロリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン
(略称:DCJT)、4−ジシアノメチレン−2−tert−ブチル−6−[2−(1,
1,7,7−テトラメチルジュロリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン(略称:
DCJTB)やペリフランテン、2,5−ジシアノ−1,4−ビス[2−(10−メトキ
シ−1,1,7,7−テトラメチルジュロリジン−9−イル)エテニル]ベンゼン等、6
00nmから680nmに発光スペクトルのピークを有する発光を呈する物質を用いるこ
とができる。また、緑色系の発光を得たいときは、N,N’−ジメチルキナクリドン(略
称:DMQd)、クマリン6やクマリン545T、トリス(8−キノリノラト)アルミニ
ウム(略称:Alq)、N,N’−ジフェニルキナクリドン(略称:DPQd)等、50
0nmから550nmに発光スペクトルのピークを有する発光を呈する物質を用いること
ができる。また、青色系の発光を得たいときは、9,10−ビス(2−ナフチル)−te
rt−ブチルアントラセン(略称:t−BuDNA)、9,9’−ビアントリル、9,1
0−ジフェニルアントラセン(略称:DPA)や9,10−ビス(2−ナフチル)アント
ラセン(略称:DNA)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)−4−フェニルフェノ
ラト−ガリウム(BGaq)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)−4−フェニルフ
ェノラト−アルミニウム(BAlq)等、420nmから500nmに発光スペクトルの
ピークを有する発光を呈する物質を用いることができる。
10−ジ(2−ナフチル)−2−tert−ブチルアントラセン(略称:t−BuDNA
)等のアントラセン誘導体、または4,4’−ビス(N−カルバゾリル)ビフェニル(略
称:CBP)等のカルバゾール誘導体の他、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ピリ
ジナト]亜鉛(略称:Znpp2)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾオキ
サゾラト]亜鉛(略称:ZnBOX)等の金属錯体等を用いることができる。
事関数4.0eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを用い
ることが好ましい。このような陽極材料の具体例としては、金属材料の酸化物として、イ
ンジウム錫酸化物(略称:ITO)、酸化珪素を含有するITO(略称:ITSO)、酸
化インジウムに2〜20[wt%]の酸化亜鉛(ZnO)を混合したターゲットを用いて
形成されるインジウム亜鉛酸化物(略称:IZO)の他、金(Au)、白金(Pt)、ニ
ッケル(Ni)、タングステン(W)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、鉄(Fe
)、コバルト(Co)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、または金属材料の窒化物(例
えば、TiN)等を挙げることができる。
eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを用いることができ
る。このような陰極材料の具体例としては、周期表の1族または2族に属する元素、すな
わちリチウム(Li)やセシウム(Cs)等のアルカリ金属またはマグネシウム(Mg)
、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)等のアルカリ土類金属、及びこれらを含
む合金(Mg:Ag、Al:Li)が挙げられる。また、対向電極1802と発光層18
13との間に、電子注入性に優れた層を当該対向電極と積層して設けることにより、仕事
関数の大小に関わらず、Al、Ag、ITOや酸化珪素を含有するITO等の画素電極1
801の材料として挙げた材料も含めた様々な導電性材料を対向電極1802として用い
ることができる。また、後述する電子注入層1815に、特に電子を注入する機能に優れ
た材料を用いることにより同様の効果を得ることができる。
ずれか一または両方がITO等の透明電極、または可視光が透過出来るような数〜数十n
mの厚さで形成された電極であることが好ましい。
1812を有する。正孔輸送層とは、画素電極1801から注入された正孔を発光層18
13へ輸送する機能を有する層である。このように、正孔輸送層1812を設け、画素電
極1801と発光層1813とを離すことによって、発光が金属に起因して消光すること
を防ぐことができる。
く、特に1×10−6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質を用いて形成すること
が好ましい。なお、正孔輸送性の高い物質とは、電子よりも正孔の移動度が高い物質をい
う。正孔輸送層1812を形成するのに用いることができる物質の具体例としては、4,
4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)
、4,4’−ビス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略
称:TPD)、4,4’,4’’−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルア
ミン(略称:TDATA)、4,4’,4’’−トリス[N−(3−メチルフェニル)−
N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:MTDATA)、4,4’−ビス{N
−[4−(N,N−ジ−m−トリルアミノ)フェニル]−N−フェニルアミノ}ビフェニ
ル(略称:DNTPD)、1,3,5−トリス[N,N−ジ(m−トリル)アミノ]ベン
ゼン(略称:m−MTDAB)、4,4’,4’’−トリス(N−カルバゾリル)トリフ
ェニルアミン(略称:TCTA)、フタロシアニン(略称:H2Pc)、銅フタロシアニ
ン(略称:CuPc)、バナジルフタロシアニン(略称:VOPc)等が挙げられる。ま
た、正孔輸送層1812は、以上に述べた物質から成る層を二以上組み合わせて形成した
多層構造の層であってもよい。
輸送層1814を有していてもよい。ここで、電子輸送層とは、対向電極1802から注
入された電子を発光層1813へ輸送する機能を有する層である。このように、電子輸送
層1814を設け、対向電極1802と発光層1813とを離すことによって発光が電極
材料の金属に起因して消光することを防ぐことができる。
ム(略称:Alq)、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(略称:A
lmq3)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]−キノリナト)ベリリウム(略称:B
eBq2)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)−4−フェニルフェノラト−アルミ
ニウム(略称:BAlq)など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯
体等によって形成されたものを用いることができる。この他、ビス[2−(2−ヒドロキ
シフェニル)−ベンゾオキサゾラト]亜鉛(略称:Zn(BOX)2)、ビス[2−(2
−ヒドロキシフェニル)−ベンゾチアゾラト]亜鉛(略称:Zn(BTZ)2)などのオ
キサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体等によって形成されたものであって
もよい。また、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1
,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)や、1,3−ビス[5−(p−tert−
ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(略称:OXD
−7)、3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−フェニル−5−(4−ビフェニリ
ル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、3−(4−tert−ブチルフェニ
ル)−4−(4−エチルフェニル)−5−(4−ビフェニリル)−1,2,4−トリアゾ
ール(略称:p−EtTAZ)、バソフェナントロリン(略称:BPhen)、バソキュ
プロイン(略称:BCP)等を用いて形成されたものであってもよい。電子輸送層181
4は、以上に記載したような正孔の移動度よりも電子の移動度が高い物質を用いて形成す
ることが好ましい。また、電子輸送層1814は、10−6cm2/Vs以上の電子移動
度を有する物質を用いて形成することがより好ましい。なお、電子輸送層1814は、以
上に述べた物質から成る層を二以上組み合わせて形成した多層構造であってもよい。
に、正孔注入層1811を有していてもよい。ここで、正孔注入層とは、陽極として機能
する電極から正孔輸送層1812へ正孔の注入を促す機能を有する層である。
ウム酸化物(VOx)、ルテニウム酸化物(RuOx)、タングステン酸化物(WOx)
、マンガン酸化物(MnOx)等の金属酸化物によって形成されたものを用いることがで
きる。この他、フタロシアニン(略称:H2Pc)や銅フタロシアニン(CuPc)等の
フタロシアニン系の化合物、4,4−ビス(N−(4−(N,N−ジ−m−トリルアミノ
)フェニル)−N−フェニルアミノ)ビフェニル(略称:DNTPD)等の芳香族アミン
系の化合物、或いはポリ(エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)
水溶液(PEDOT/PSS)等の高分子等によっても正孔注入層1811を形成するこ
とができる。
1と正孔輸送層1812との間に設けても良い。このような層は、厚膜化しても駆動電圧
の上昇を伴わないため、層の膜厚を調整することでマイクロキャビティ効果や光の干渉効
果を利用した光学設計を行うことができる。そのため、色純度に優れ、視野角に依存する
色変化などが小さい高品質な発光素子を作製することができる。また、画素電極1801
の表面に成膜時に発生する凹凸や電極表面に残った微少な残渣の影響で画素電極1801
と対向電極1802がショートすることを防ぐ膜厚を選ぶことができる。
、電子注入層1815を有していてもよい。ここで、電子注入層とは、陰極として機能す
る電極から電子輸送層1814へ電子の注入を促す機能を有する層である。なお、電子輸
送層を特に設けない場合は、陰極として機能する電極と発光層との間に電子注入層を設け
、発光層への電子の注入を補助してもよい。
ウム(CsF)、フッ化カルシウム(CaF2)等のようなアルカリ金属又はアルカリ土
類金属の化合物を用いて形成されたものを用いることができる。この他、Alqまたは4
,4−ビス(5−メチルベンズオキサゾル−2−イル)スチルベン(BzOs)等のよう
に電子輸送性の高い物質と、マグネシウムまたはリチウム等のようにアルカリ金属又はア
ルカリ土類金属とを混合したものも、電子注入層1815として用いることができる。
4、電子注入層1815は、それぞれ、蒸着法、インクジェット法、または塗布法等、い
ずれの方法で形成しても構わない。また、画素電極1801または対向電極1802につ
いても、スパッタ法または蒸着法等、いずれの方法を用いて形成しても構わない。
に示すように陰極として機能する電極から順に作製してもよい。つまり、画素電極180
1を陰極とし、画素電極1801上に電子注入層1815、電子輸送層1814、発光層
1813、正孔輸送層1812、正孔注入層1811、対向電極1802の順で積層して
も良い。なお、対向電極1802は陽極として機能する。
のであってもよい。複数の発光層を設け、それぞれの発光層からの発光を混合することで
、白色光を得ることができる。たとえば2層の発光層を有する発光素子の場合、第1の発
光層と第2の発光層との間には、間隔層や、正孔を発生する層及び電子を発生する層を設
けることが好ましい。このような構成により、外部に射出したそれぞれの発光は、視覚的
に混合され、白色光として視認される。よって、白色光を得ることができる。
方または両方を通って外部に取り出される。従って、画素電極1724または対向電極1
727のいずれか一方または両方は、透光性を有する物質で成る。
発光は対向電極1727を通って基板と逆側から取り出される。また、画素電極1724
のみが透光性を有する物質からなる場合、図19(b)に示すように発光は画素電極17
24を通って基板側から取り出される。画素電極1724および対向電極1727がいず
れも透光性を有する物質からなるものである場合、図19(c)に示すように発光は画素
電極1724および対向電極1727を通って、基板側および基板と逆側の両方から取り
出される。
タン(Ti)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、ネオジム(Nd)、クロム(
Cr)、ニッケル(Ni)、白金(Pt)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、マグ
ネシウム(Mg)、スカンジウム(Sc)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、亜鉛
(Zn)、ニオブ(Nb)、シリコン(Si)、リン(P)、ボロン(B)、ヒ素(As
)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、錫(Sn)の群から選ばれた一つ又は複数
の元素、もしくは前記群から選ばれた一つ又は複数の元素を成分とする化合物や合金材料
(例えば、インジウム錫酸化物(ITO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)、酸化珪素
を含有するITO(ITSO)、酸化亜鉛(ZnO)、アルミネオジム(Al−Nd)、
マグネシウム銀(Mg−Ag)など)、もしくはこれらの化合物を組み合わせた物質など
を用いて形成することができる。また、これらとシリコンの化合物(シリサイド)(例え
ば、アルミシリコン、モリブデンシリコン、ニッケルシリサイドなど)や窒素の化合物(
例えば、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン等)を用いて形成しても良い。なお
、シリコン(Si)には、n型不純物(リンなど)やp型不純物(ボロンなど)が多く含
まれていても良い。これらの不純物を含むことにより導電率が向上し、通常の導体と同様
の振る舞いをするため配線や電極として利用しやすくなる。なお、シリコンには、単結晶
、多結晶(ポリシリコン)、非晶質(アモルファスシリコン)のいずれを用いてもよく、
単結晶シリコンや多結晶シリコンを用いた際には抵抗を小さくすることができ、非晶質シ
リコンでは簡単な製造工程で作ることができる。
可能である。また、エッチングが容易であるため、パターニングしやすく微細加工を行う
ことができる。また、銅においても、導電率が高いため信号遅延を低減することができる
。モリブデンは、ITO、IZOなどの酸化物半導体やシリコンと接触しても、材質不良
を起こす等の問題を生じることなく製造できる。また、パターニングやエッチングを行い
やすく耐熱性が高いため望ましい。チタンにおいても、ITO、IZOなどの酸化物半導
体やシリコンと接触しても材質不良を起こす等の問題を生じることなく製造でき、なおか
つ優れた耐熱性を有するため望ましい。また、タングステンやネオジムは、優れた耐熱性
を有するため望ましい。なお、ネオジムはアルミニウムとの合金にすると耐熱性が向上し
、アルミニウムのヒロックを抑制することができる。また、シリコンは、トランジスタが
有する半導体層と同時に形成することが可能であり、高い耐熱性を有する。また、インジ
ウム錫酸化物(ITO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)、酸化珪素を含有するITO
(ITSO)、酸化亜鉛(ZnO)、シリコン(Si)は透光性を有するため、光を透過
させるような部分に用いる際には特に望ましい。これらは、例えば画素電極や共通電極と
して用いることができる。
もよい。例えば、単層構造で形成する場合には、製造工程を簡略化することができ、コス
トを低減することができる。また、多層構造では、それぞれの材料のメリットを生かし、
デメリットを低減させることが可能であるため、性能に優れた配線や電極を形成すること
ができる。たとえば、抵抗の低い材料(アルミニウムなど)を多層構造の中に含むように
形成することにより、配線の低抵抗化を図ることができる。また、耐熱性の高い材料を含
むような構成(例えば、耐熱性が低いが他のメリットを有する材料を耐熱性が高い材料で
挟むような積層構造)にすれば、耐熱性を向上でき、なおかつ単層では生かせなかったメ
リットを生かすことが可能となる。例えば、アルミニウムを含む層をモリブデンやチタン
を含む層により挟む構成の配線や電極を用いると望ましい。また、配線や電極が他の材料
の配線や電極等と直接接するような部分がある場合、お互いに悪影響を及ぼすことがある
。例えば、一方の材料が他方の材料の中に混入し、各々の材料の性質を変えてしまい、本
来の目的を果たせなくなったり、製造する際に問題が生じ正常に製造できなくなったりす
ることがある。このような場合、ある層を他の層で挟んだり、覆ったりすることにより解
決することができる。例えば、インジウム錫酸化物(ITO)とアルミニウムを接触させ
たい場合は、間にチタンやモリブデンを挟むことが望ましい。また、シリコンとアルミニ
ウムを接触させたい場合も同様に、間にチタンやモリブデンを挟むことが望ましい。
トランジスタについて説明する。画素の部分断面図を図20に示す。なお、図20では、
順スタガ構造のトランジスタを記すと共に、画素が有する容量素子についても合わせて説
明する。
膜2012上に画素電極2013が形成されている。また、画素電極2013と同層に同
じ材料からなる第1の電極2014が形成されている。
13の端部は配線2015で覆われている。配線2015及び配線2016の上部にN型
の導電型を有するN型半導体層2017及びN型半導体層2018が形成されている。ま
た、配線2015と配線2016の間であって、下地膜2012上に半導体層2019が
形成されている。そして、半導体層2019の一部はN型半導体層2017及びN型半導
体層2018上にまで延長されている。なお、この半導体層はアモルファスシリコン(a
−Si:H)等の非晶質半導体、セミアモルファス半導体、微結晶半導体等の非結晶性の
半導体膜で形成されている。また、半導体層2019上にゲート絶縁膜2020が形成さ
れている。また、ゲート絶縁膜2020と同層の同じ材料からなる絶縁膜2021が第1
の電極2014上にも形成されている。
025が形成されている。また、ゲート電極2022と同層に同じ材料でなる第2の電極
2023が第1の電極2014上に絶縁膜2021を介して形成され、絶縁膜2021が
第1の電極2014と第2の電極2023とで挟まれた構成の容量素子2024が形成さ
れている。また、画素電極2013の端部、トランジスタ2025及び容量素子2024
を覆って、層間絶縁膜2026が形成されている。
2027及び対向電極2028が形成され、発光物質を含む層2027が画素電極201
3と対向電極2028とで挟まれた領域で発光素子2029が形成されている。
5及び2016と同層の同一材料で形成し、絶縁膜2021が第1の電極2030と第2
の電極2023とで挟まれた構成の容量素子2031としても良い。また、図20におい
て、トランジスタ2025にNチャネル型トランジスタを用いたが、Pチャネル型トラン
ジスタでも良い。
極2022、層間絶縁膜2026、発光物質を含む層2027及び対向電極2028に用
いられる材料は、図17において説明した基板1711、下地膜1712、画素電極17
24、ゲート絶縁膜1715、ゲート電極1716、層間絶縁膜1730及び1731、
発光物質を含む層1726及び対向電極1727と同様の材料をそれぞれ用いることがで
きる。また、配線2015、配線2016は、図17におけるソース電極及びドレイン電
極1723と同様の材料を用いれば良い。
半導体層の間にゲート電極が挟まれた構造、つまり半導体層の下にゲート電極が位置する
ボトムゲート型のトランジスタを有する画素の部分断面図を図21に示す。
電極2113が形成されている。また、ゲート電極2113と同層に同じ材料からなる第
1の電極2114が形成されている。ゲート電極2113の材料には図17におけるゲー
ト電極1716に使用される材料の他、リンが添加された多結晶シリコンや金属とシリコ
ンの化合物であるシリサイドでもよい。
が形成されている。
16と同層に同じ材料からなる半導体層2117が第1の電極2114上に形成されてい
る。なお、この半導体層はアモルファスシリコン(a−Si:H)等の非晶質半導体、セ
ミアモルファス半導体、微結晶半導体等の非結晶性の半導体膜で形成されている。
2119が形成され、半導体層2117上にはN型半導体層2120が形成されている。
122が形成され、トランジスタ2129が形成された。また、N型半導体層2120上
には配線2121及び配線2122と同層の同一材料からなる導電層2123が形成され
、この導電層2123と、N型半導体層2120と、半導体層2117とで第2の電極を
構成している。なお、この第2の電極と第1の電極2114とでゲート絶縁膜2115が
挟み込まれた構成の容量素子2130が形成されている。
素電極2124が形成されている。
うに絶縁物2125が形成されている。
127が形成され、画素電極2124と対向電極2127とで発光物質を含む層2126
が挟まれた領域では発光素子2128が形成されている。
0は特に設けなくても良い。つまり、第2の電極を導電層2123とし、第1の電極21
14と導電層2123とでゲート絶縁膜2115が挟まれた構造の容量素子としてもよい
。
ランジスタでも良い。
ることで、図21(b)に示すような画素電極2124と同層の同一材料からなる第2の
電極2131と第1の電極2114とでゲート絶縁膜2115が挟まれた構成の容量素子
2132を形成することができる。
保護構造のトランジスタでも良い。次に、チャネル保護構造のトランジスタの場合につい
て図22を用いて説明する。なお、図22において、図21と同様のものに関しては共通
の符号を用いて示す。
したチャネルエッチ構造のトランジスタ2129とは半導体層2116においてチャネル
が形成される領域上にエッチングのマスクとなる絶縁物2202が設けられている点で異
なる。
b)に示したチャネルエッチ構造のトランジスタ2129とは半導体層2116において
チャネルが形成される領域上にエッチングのマスクとなる絶縁物2202が設けられてい
る点で異なる。
、製造コストを削減することができる。なお、各材料には図17において説明したものを
用いることができる。
造もしくは構成のトランジスタや容量素子を用いることができる。
半導体、セミアモルファス半導体、微結晶半導体等の非結晶性の半導体膜の他、ポリシリ
コン(p−Si:H)等の結晶性半導体膜を用いても良い。
を示し、以下に説明する。なお、図23に示すトランジスタ2318は、図29で示した
マルチゲート型のトランジスタである。
2303が形成されている。なお、半導体層2303は、結晶性半導体膜を所望の形状に
パターニングし形成する。
CVD法等によりアモルファスシリコン膜を成膜する。成膜材料は、アモルファスシリコ
ン膜に限定する必要はなく、非晶質半導体、セミアモルファス半導体、微結晶半導体等の
非結晶性半導体膜であれば良い。また、非晶質シリコンゲルマニウム膜などの非晶質構造
を含む化合物半導体膜を用いても良い。
ッケルなどの触媒元素を用いた熱結晶化法等を用いて結晶化し、結晶性半導体膜を得る。
なお、これらの結晶化方法を組み合わせて結晶化しても良い。
RTA(Rapid Thermal Annealing)、又はこれらを組み合わせ
て用いることができる。
ザビーム(CWレーザビーム)やパルス発振型のレーザビーム(パルスレーザビーム)を
用いることができる。ここで用いることができるレーザビームは、Arレーザ、Krレー
ザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のYAG、YVO4、フォルステライト(
Mg2SiO4)、YAlO3、GdVO4、若しくは多結晶(セラミック)のYAG、
Y2O3、YVO4、YAlO3、GdVO4に、ドーパントとしてNd、Yb、Cr、
Ti、Ho、Er、Tm、Taのうち1種または複数種添加されているものを媒質とする
レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ti:サファイアレ
ーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用
いることができる。このようなレーザビームの基本波、及びこれらの基本波の第2高調波
から第4高調波のレーザビームを照射することで、大粒径の結晶を得ることができる。例
えば、Nd:YVO4レーザ(基本波1064nm)の第2高調波(532nm)や第3
高調波(355nm)を用いることができる。このときレーザのエネルギー密度は0.0
1〜100MW/cm2程度(好ましくは0.1〜10MW/cm2)必要である。そし
て、走査速度を10〜2000cm/sec程度として照射する。
、GdVO4、若しくは多結晶(セラミック)のYAG、Y2O3、YVO4、YAlO
3、GdVO4に、ドーパントとしてNd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm、Ta
のうち1種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、Arイオンレーザ、ま
たはTi:サファイアレーザは、連続発振をさせることが可能であり、Qスイッチ動作や
モード同期などを行うことによって10MHz以上の発振周波数でパルス発振をさせるこ
とも可能である。10MHz以上の発振周波数でレーザビームを発振させると、半導体膜
がレーザによって溶融してから固化するまでの間に、次のパルスが半導体膜に照射される
。従って、発振周波数が低いパルスレーザを用いる場合と異なり、半導体膜中において固
液界面を連続的に移動させることができるため、走査方向に向かって連続的に成長した結
晶粒を得ることができる。
合には、結晶化後にニッケルなどの触媒元素を除去するゲッタリング処理を行うことが好
ましい。
この部分的に結晶化された結晶性半導体膜を所望の形状にパターニングして島状の半導体
膜を形成する。この半導体膜をトランジスタの半導体層2303に用いる。
ス領域又はドレイン領域となる不純物領域2305に用いられる他、容量素子2319の
下部電極となる半導体層2306及び不純物領域2308にも用いられる。なお、不純物
領域2308は特に設ける必要はない。また、チャネル形成領域2304及び半導体層2
306にはチャネルドープが行われていても良い。
が形成されている。さらに、半導体層2303上にはゲート絶縁膜2309を介してゲー
ト電極2310が、容量素子2319の半導体層2306上にはゲート絶縁膜2309を
介してゲート電極2310と同層に同じ材料からなる上部電極2311が形成されている
。このようにして、トランジスタ2318及び容量素子2319が作製される。
され、層間絶縁膜2312上にはコンタクトホールを介して不純物領域2305と接する
配線2313が形成されている。そして、配線2313に接して層間絶縁膜2312上に
は画素電極2314が形成され、画素電極2314の端部及び配線2313を覆って絶縁
物2315が形成されている。さらに、画素電極2314上に発光物質を含む層2316
及び対向電極2317が形成され、画素電極2314と対向電極2317とで発光物質を
含む層2316が挟まれた領域では発光素子2320が形成されている。
ート型のトランジスタを有する画素の部分断面を図24に示す。
ている。また、ゲート電極2403と同層に同じ材料からなる容量素子2423の第1の
電極2404が形成されている。
が形成されている。
晶質半導体、セミアモルファス半導体、微結晶半導体等の非結晶性半導体膜を熱結晶化法
、レーザー結晶化法、またはニッケルなどの触媒元素を用いた熱結晶化法等を用いて結晶
化し、所望の形状にパターニングして半導体層を形成する。
域2407及びソース領域又はドレイン領域となる不純物領域2408、並びに容量素子
2423の第2の電極となる領域2409、不純物領域2410及び不純物領域2411
が形成される。なお、不純物領域2410及び不純物領域2411は特に設けなくても良
い。また、チャネル形成領域2406及び領域2409は不純物が添加されていても良い
。
ら形成された領域2409等からなる第2の電極で挟まれた構成である。
12上にコンタクトホールを介して不純物領域2408と接する配線2413が形成され
ている。
2422、容量素子2423及び開口部2415を覆うように第2の層間絶縁膜2416
が形成され、第2の層間絶縁膜2416上にコンタクトホールを介して、配線2413と
接続された画素電極2417が形成されている。また、画素電極2417の端部を覆って
絶縁物2418が形成されている。そして、画素電極2417上に発光物質を含む層24
19及び対向電極2420が形成され、画素電極2417と対向電極2420とで発光物
質を含む層2419が挟まれた領域では発光素子2421が形成されている。なお、発光
素子2421の下部に開口部2415が位置している。つまり、発光素子2421からの
発光を基板側から取り出すときには第1の層間絶縁膜2412に開口部2415を有する
ため透過率を高めることができる。
えば、図9における走査線駆動回路912及び信号線駆動回路911を画素部913と一
体形成することが容易になる。
に限られず、さまざまな構造をとることができる。なお、容量素子においても同様である
。また、本実施形態において、特に断りがない限り図17における材料を適宜使用するこ
とができる。
素子に供給する電流値を制御するトランジスタとして利用することができる。よって、実
施の形態1乃至6に記載したように画素を動作させることで、トランジスタのしきい値電
圧のばらつきに起因した電流値のばらつきを抑制することができる。よって、輝度データ
に対応した電流を発光素子に供給することができ、輝度のばらつきを抑制することが可能
となる。また、対向電極の電位を一定として動作させるため消費電力を低くすることが可
能である。
ス期間を除き発光することが可能であるため、1フレーム期間における発光期間の割合(
即ち、デューティー比)を非常に大きくでき、おおむね100%にすることもできる。よ
って、輝度のばらつきが少なくデューティー比が高い表示装置を得ることができる。
れる電流値を制御するトランジスタのしきい値電圧をより正確に容量素子に書き込むこと
ができる。よって、表示装置としての信頼性が向上する。
本実施形態では、実施の形態7に示した発光素子とは異なる構成を有する素子について
説明する。
化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機EL素子、後者は無機EL素子
と呼ばれている。
分類される。前者は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有し、後者は、
発光材料の薄膜からなる発光層を有している点に違いはあるが、高電界で加速された電子
を必要とする点では共通である。なお、得られる発光のメカニズムとしては、ドナー準位
とアクセプター準位を利用するドナー−アクセプター再結合型発光と、金属イオンの内殻
電子遷移を利用する局在型発光とがある。一般的に、分散型無機EL素子ではドナー−ア
クセプター再結合型発光、薄膜型無機EL素子では局在型発光である場合が多い。
(発光物質とも言う)とで構成される。含有させる不純物元素を変化させることで、様々
な色の発光を得ることができる。発光材料の作製方法としては、固相法や液相法(共沈法
)などの様々な方法を用いることができる。また、噴霧熱分解法、複分解法、プレカーサ
ーの熱分解反応による方法、逆ミセル法やこれらの方法と高温焼成を組み合わせた方法、
凍結乾燥法などの液相法なども用いることができる。
、電気炉で加熱、焼成を行い反応させ、母体材料に不純物元素を含有させる方法である。
焼成温度は、700〜1500℃が好ましい。温度が低すぎる場合は固相反応が進まず、
温度が高すぎる場合は母体材料が分解してしまうからである。なお、粉末状態で焼成を行
ってもよいが、ペレット状態で焼成を行うことが好ましい。比較的高温での焼成を必要と
するが、簡単な方法であるため、生産性がよく大量生産に適している。
素を含む化合物を溶液中で反応させ、乾燥させた後、焼成を行う方法である。発光材料の
粒子が均一に分布し、粒径が小さく低い焼成温度でも反応が進むことができる。
硫化物としては、例えば、硫化亜鉛(ZnS)、硫化カドミウム(CdS)、硫化カルシ
ウム(CaS)、硫化イットリウム(Y2S3)、硫化ガリウム(Ga2S3)、硫化ス
トロンチウム(SrS)、硫化バリウム(BaS)等を用いることができる。また、酸化
物としては、例えば、酸化亜鉛(ZnO)、酸化イットリウム(Y2O3)等を用いるこ
とができる。また、窒化物としては、例えば、窒化アルミニウム(AlN)、窒化ガリウ
ム(GaN)、窒化インジウム(InN)等を用いることができる。さらに、セレン化亜
鉛(ZnSe)、テルル化亜鉛(ZnTe)等も用いることができ、硫化カルシウム−ガ
リウム(CaGa2S4)、硫化ストロンチウム−ガリウム(SrGa2S4)、硫化バ
リウム−ガリウム(BaGa2S4)等の3元系の混晶であってもよい。
テルビウム(Tb)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、ユーロピウム(Eu)、
セリウム(Ce)、プラセオジウム(Pr)などを用いることができる。なお、電荷補償
として、フッ素(F)、塩素(Cl)などのハロゲン元素が添加されていてもよい。
1の不純物元素及びアクセプター準位を形成する第2の不純物元素を含む発光材料を用い
ることができる。第1の不純物元素は、例えば、フッ素(F)、塩素(Cl)、アルミニ
ウム(Al)等を用いることができる。第2の不純物元素としては、例えば、銅(Cu)
、銀(Ag)等を用いることができる。
料と、第1の不純物元素又は第1の不純物元素を含む化合物と、第2の不純物元素又は第
2の不純物元素を含む化合物をそれぞれ秤量し、乳鉢で混合した後、電気炉で加熱、焼成
を行う。母体材料としては、上述した母体材料を用いることができ、第1の不純物元素又
は第1の不純物元素を含む化合物としては、例えば、フッ素(F)、塩素(Cl)、硫化
アルミニウム(Al2S3)等を用いることができ、第2の不純物元素又は第2の不純物
元素を含む化合物としては、例えば、銅(Cu)、銀(Ag)、硫化銅(Cu2S)、硫
化銀(Ag2S)等を用いることができる。焼成温度は、700〜1500℃が好ましい
。温度が低すぎる場合は固相反応が進まず、温度が高すぎる場合は母体材料が分解してし
まうからである。なお、粉末状態で焼成を行ってもよいが、ペレット状態で焼成を行うこ
とが好ましい。
元素で構成される化合物を組み合わせて用いてもよい。この場合、不純物元素が拡散され
やすく、固相反応が進みやすくなるため、均一な発光材料を得ることができる。さらに、
余分な不純物元素が入らないため、純度の高い発光材料が得ることができる。第1の不純
物元素と第2の不純物元素で構成される化合物としては、例えば、塩化銅(CuCl)、
塩化銀(AgCl)等を用いることができる。
ればよく、好ましくは0.05〜5atom%の範囲である。
、電子ビーム蒸着(EB蒸着)法等の真空蒸着法、スパッタリング法等の物理気相成長法
(PVD)、有機金属CVD法、ハイドライド輸送減圧CVD法等の化学気相成長法(C
VD)、原子エピタキシ法(ALE)等を用いて形成することができる。
例を示す。図46(A)乃至(C)において、発光素子は、第1の電極4601、発光層
4602、第2の電極4603を含む。
光層との間に絶縁層を設けた構造である。図46(B)に示す発光素子は、第1の電極4
601と発光層4602との間に絶縁層4604を有し、図46(C)に示す発光素子は
、第1の電極4601と発光層4602との間に絶縁層4604aを、第2の電極460
3と発光層4603との間に絶縁層4604bを有している。このように絶縁層を発光層
を挟持する一対の電極のうちの一方と発光層との間にのみ設けてもよいし、両方の間に設
けてもよい。また、絶縁層は単層でもよいし複数層からなる積層でもよい。
が、絶縁層と発光層の順番を逆にして、第2の電極4603に接するように絶縁層460
4を設けてもよい。
形成する。発光材料の作製方法によって、所望の大きさの粒子が得られない場合は、乳鉢
等で粉砕などによって粒子状に加工すればよい。バインダとは、粒状の発光材料を分散し
た状態で固定し、発光層としての形状に保持するための物質である。発光材料は、バイン
ダによって発光層中に均一に分散し固定される。
出法や、印刷法(スクリーン印刷やオフセット印刷など)、スピンコート法などの塗布法
、ディッピング法、ディスペンサ法などを用いることもできる。膜厚は特に限定されるこ
とはないが、好ましくは10〜1000nmの範囲である。また、発光材料及びバインダ
を含む発光層において、発光材料の割合は50wt%以上80wt%以下とするよい。
例を示す。図47(A)における発光素子は、第1の電極4601、発光層4702、第
2の電極4603の積層構造を有し、発光層4702中にバインダによって保持された発
光材料4710を含む。
機材料を用いることができる。なお、有機材料及び無機材料の混合材料を用いてもよい。
有機材料としては、シアノエチルセルロース系樹脂のように、比較的誘電率の高いポリマ
ーや、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン系樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ
樹脂、フッ化ビニリデンなどの樹脂を用いることができる。また、芳香族ポリアミド、ポ
リベンゾイミダゾール(polybenzimidazole)などの耐熱性高分子、又
はシロキサン樹脂を用いてもよい。なお、シロキサン樹脂とは、Si−O−Si結合を含
む樹脂に相当する。シロキサンは、シリコン(Si)と酸素(O)との結合で骨格構造が
構成され、置換基として少なくとも水素を含む有機基(例えばアルキル基、アリール基)
が用いられる。この他、置換基としてフルオロ基を用いてもよい。また、置換基として少
なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。また、有機材料は上記の他
、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラールなどのビニル樹脂、フェノール樹脂、ノ
ボラック樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、オキサゾール樹脂(ポリベ
ンゾオキサゾール)等の樹脂材料を用いてもよい。これらの樹脂に、チタン酸バリウム(
BaTiO3)やチタン酸ストロンチウム(SrTiO3)などの高誘電率の微粒子を適
度に混合して誘電率を調整することもできる。
Nx)、酸素及び窒素を含む珪素、窒化アルミニウム(AlN)、酸素及び窒素を含むア
ルミニウムまたは酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化チタン(TiO2)、BaTi
O3、SrTiO3、チタン酸鉛(PbTiO3)、ニオブ酸カリウム(KNbO3)、
ニオブ酸鉛(PbNbO3)、酸化タンタル(Ta2O5)、タンタル酸バリウム(Ba
Ta2O6)、タンタル酸リチウム(LiTaO3)、酸化イットリウム(Y2O3)、
酸化ジルコニウム(ZrO2)、硫化亜鉛(ZnS)その他の無機材料を含む物質から選
ばれる材料で形成することができる。有機材料に、誘電率の高い無機材料を含ませる(添
加等によって)ことによって、発光材料及びバインダよりなる発光層の誘電率をより大き
くすることができる。
いることのできるバインダを含む溶液の溶媒としては、バインダ材料が溶解し、発光層を
形成する方法(各種ウエットプロセス)及び所望の膜厚に適した粘度の溶液を作製できる
ような溶媒を適宜選択すればよい。有機溶媒等を用いることができ、例えばバインダとし
てシロキサン樹脂を用いる場合は、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEAともいう)、3−メトシキ−3
メチル−1−ブタノール(MMBともいう)などを用いることができる。
光層間に絶縁層を設けた構造である。図47(B)に示す発光素子は、第1の電極460
1と発光層4702との間に絶縁層4604を有し、図47(C)に示す発光素子は、第
1の電極4601と発光層4702との間に絶縁層4604a、第2の電極4603と発
光層4702との間に絶縁層4604bとを有している。このように絶縁層を発光層を挟
持する一対の電極のうちの一方と発光層との間にのみ設けてもよいし、両方の間に設けて
もよい。また、絶縁層は単層でもよいし複数層からなる積層でもよい。
が、絶縁層と発光層の順序を逆にして、第2の電極4603に接するように絶縁層460
4を設けてもよい。
ることはないが、絶縁耐性が高く、緻密な膜質であることが好ましく、さらには、誘電率
が高いことが好ましい。例えば、酸化シリコン(SiO2)、酸化イットリウム(Y2O
3)、酸化チタン(TiO2)、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化ハフニウム(H
fO2)、酸化タンタル(Ta2O5)、チタン酸バリウム(BaTiO3)、チタン酸
ストロンチウム(SrTiO3)、チタン酸鉛(PbTiO3)、窒化シリコン(Si3
N4)、酸化ジルコニウム(ZrO2)等やこれらの混合膜又は2種以上の積層膜を用い
ることができる。これらの絶縁膜は、スパッタリング、蒸着、CVD等により成膜するこ
とができる。また、絶縁層はこれら絶縁材料の粒子をバインダ中に分散して成膜してもよ
い。バインダ材料は、発光層に含まれるバインダと同様な材料、方法を用いて形成すれば
よい。膜厚は特に限定されることはないが、好ましくは10〜1000nmの範囲である
。
及びこれらの混合物などを用いることができる。例えば、実施の形態7に記載した画素電
極1801及び対向電極1802に用いた材料を適宜選択して用いることができる。
の電極4601及び第2の電極4603に電圧を印加することで発光が得られる。
ることができる他、他の実施の形態とも自由に組み合わせることができる。
本実施の形態では、本発明の表示装置の一形態について図25を用いて説明する。
面図(A−A’で切断した断面図)である。表示装置は、基板2510上に図中において
点線で示された信号線駆動回路2501、画素部2502、第1の走査線駆動回路250
3、第2の走査線駆動回路2506を有する。さらに、封止基板2504、シール材25
05を有し、これらで囲まれた表示装置の内側は、空間2507となっている。
及び信号線駆動回路2501に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端
子となるFPC(フレキシブルプリントサーキット)2509からビデオ信号、クロック
信号、スタート信号等を受け取る。FPC2509と表示装置との接続部上にはICチッ
プ(メモリ回路や、バッファ回路などが形成された半導体チップ)2518及び2519
がCOG(Chip On Glass)等で実装されている。なお、ここではFPCし
か図示していないが、このFPCにはプリント配線基盤(PWB)が取り付けられていて
もよい。本発明の表示装置とは、表示装置本体だけでなく、FPCもしくはPWBが取り
付けられた状態も含むものとする。また、ICチップなどが実装されたものを含むものと
する。
とその周辺駆動回路(第1の走査線駆動回路2503、第2の走査線駆動回路2506及
び信号線駆動回路2501)が形成されているが、ここでは、信号線駆動回路2501と
、画素部2502が示されている。
に同一導電型のトランジスタで構成されている。もちろん、Pチャネル型トランジスタや
同一導電型のトランジスタだけでなくPチャネル型トランジスタも用いてCMOS回路を
形成しても良い。また、本実施形態では、基板上に周辺駆動回路を一体形成した表示パネ
ルを示しているが、必ずしもその必要はなく、周辺駆動回路の全てもしくは一部をICチ
ップなどに形成し、COGなどで実装しても良い。
5(b)にはスイッチとして機能するトランジスタ2511と、発光素子に供給する電流
値を制御するトランジスタ2512と、発光素子2528が示されている。なお、トラン
ジスタ2512の第1の電極は発光素子2528の画素電極2513と接続されている。
また、画素電極2513の端部を覆って絶縁物2514が形成されている。ここでは、絶
縁物2514はポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。
率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物2514の材料としてポジ型の
感光性アクリルを用いた場合、絶縁物2514の上端部のみに曲率半径(0.2μm〜3
μm)を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物2514として、感光性の
光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解
性となるポジ型のいずれも使用することができる。
形成される。発光物質を含む層2516には、少なくとも発光層が設けられていれば、そ
の他の層については特には限定されず、適宜選択することができる。
とにより、基板2510、封止基板2504、およびシール材2505で囲まれた空間2
507に発光素子2528が備えられた構造になっている。なお、空間2507には、不
活性気体(窒素やアルゴン等)が充填される場合の他、シール材2505で充填される構
成も含むものとする。
材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。封止基板2504
に用いる材料としては、ガラス基板や石英基板の他、FRP(Fiberglass−R
einforced Plastics)、PVF(ポリビニルフロライド)、ポリエス
テルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
もしくは画素における経時的な輝度のばらつきを抑制することができ、さらにデューティ
ー比が高い高品質な表示装置を得ることができる。また、本発明では、対向電極の電位を
一定とし動作させるため消費電力を低くすることが可能である。
2503及び第2の走査線駆動回路2506を一体形成することで、表示装置の低コスト
化が図れる。また、この場合において、信号線駆動回路2501、画素部2502、第1
の走査線駆動回路2503及び第2の走査線駆動回路2506に用いられるトランジスタ
を同一導電型とすることで作製工程の簡略化が図れるためさらなる低コスト化を図ること
ができる。
であって本発明の表示装置の構成はこれに限定されない。
ップ上に形成して、COG等で表示装置に実装した構成としても良い。なお、図26(a
)における基板2600、画素部2602、第1の走査線駆動回路2603、第2の走査
線駆動回路2604、FPC2605、ICチップ2606、ICチップ2607、封止
基板2608、シール材2609はそれぞれ図25(a)における基板2510、画素部
2502、第1の走査線駆動回路2503、第2の走査線駆動回路2506、FPC25
09、ICチップ2518、ICチップ2519、封止基板2504、シール材2505
に相当する。
ICチップに形成し、低消費電力化を図る。また、ICチップはシリコンウエハ等の半導
体チップとすることで、より高速動作且つ低消費電力化を図ることが可能である。
2と一体形成することで、低コスト化が図れる。そして、この第1の走査線駆動回路26
03、第2の走査線駆動回路2604及び画素部2602は同一導電型のトランジスタで
構成することでさらなる低コスト化が図れる。そのとき、第1の走査線駆動回路2603
及び第2の走査線駆動回路2604にブートトラップ回路を用いることにより出力電位が
低くなってしまうことを防止することができる。また、第1の走査線駆動回路2603及
び第2の走査線駆動回路2604を構成するトランジスタの半導体層にアモルファスシリ
コンを用いた場合、劣化によりしきい値電圧が変動するため、これを補正する機能を有す
ることが好ましい。
画素間もしくは画素における経時的な輝度のばらつきを抑制することができ、さらにデュ
ーティー比が高い高品質な表示装置を得ることができる。また、本発明では、対向電極の
電位を一定とし動作させるため消費電力を低くすることが可能である。また、FPC26
05と基板2600との接続部において機能回路(メモリやバッファ)が形成されたIC
チップを実装することで基板面積を有効利用することができる。
2の走査線駆動回路2506に相当する信号線駆動回路2611、第1の走査線駆動回路
2613及び第2の走査線駆動回路2614を、図26(b)に示すようにICチップ上
に形成して、COG等で表示パネルに実装した構成としても良い。なお、図26(b)に
おける基板2610、画素部2612、FPC2615、ICチップ2616、ICチッ
プ2617、封止基板2618、シール材2619はそれぞれ図25(a)における基板
2510、画素部2502、FPC2509、ICチップ2518、ICチップ2519
、封止基板2504、シール材2505に相当する。
ファスシリコン(a−Si:H)を用いることにより低コスト化を図ることができる。さ
らに、大型の表示パネルを作製することも可能となる。
号線駆動回路を設けなくても良い。例えば、図27(a)に示すようにICチップ上に形
成された周辺駆動回路2701が図26(b)に示す第1の走査線駆動回路2613、第
2の走査線駆動回路2614及び信号線駆動回路2611の機能を有するようにしても良
い。なお、図27(a)における基板2700、画素部2702、FPC2704、IC
チップ2705、ICチップ2706、封止基板2707、シール材2708はそれぞれ
図25(a)の基板2510、画素部2502、FPC2509、ICチップ2518、
ICチップ2519、封止基板2504、シール材2505に相当する。
なお、図27(b)には、基板2710、周辺駆動回路2711、画素部2712、FP
C2713、FPC2714が図示されている。
電位を入力する。そして、周辺駆動回路2711からの出力は、画素部2712の有する
画素に接続された行方向及び列方向の配線に入力される。
ことでフルカラー表示を実現することができる。このような表示装置にも本発明を適用す
ることが可能である。図28に、画素部の部分断面図の一例を示す。
に供給する電流値を制御するトランジスタ2801が形成され、トランジスタ2801の
第1の電極に接して画素電極2803が形成され、その上に発光物質を含む層2804と
対向電極2805が形成されている。
いるところが発光素子となる。なお、図28においては白色光を発光するものとする。そ
して、発光素子の上部には赤色のカラーフィルター2806R、緑色のカラーフィルター
2806G、青色のカラーフィルター2806Bが設けられており、フルカラー表示を行
うことができる。また、これらのカラーフィルターを隔離するためにブラックマトリクス
(BMともいう)2807が設けられている。
載した構成とも適宜組み合わせることが可能である。また、表示装置の構成は上記に限ら
ず、本発明を他の構成の表示装置においても適用することができる。
本発明の表示装置は様々な電子機器に適用することができる。具体的には、電子機器の
表示部に適用することができる。なお、電子機器として、ビデオカメラやデジタルカメラ
等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオ
ーディオ、オーディオコンポ等)、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイル
コンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生
装置(具体的にはDigital Versatile Disc(DVD)等の記録媒
体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置)などが挙げられる。
、スピーカー部3304、ビデオ入力端子3305等を含む。
明により、画素間もしくは画素における経時的な輝度のばらつきを抑制することができ、
さらにデューティー比が高い高品質な表示部を有するディスプレイを得ることができる。
また、本発明では、対向電極の電位を一定とし動作させるため消費電力を低くすることが
可能である。なお、ディスプレイは、パーソナルコンピュータ用、テレビジョン放送受信
用、広告表示用などの全ての情報表示用表示装置が含まれる。
型化に伴い価格の上昇が問題となっている。そのため、いかに製造コストの削減を図り、
高品質な製品を少しでも低価格に抑えるかが課題となる。
らし製造コストを削減することができる。また、画素を構成するトランジスタの半導体層
に非結晶性の半導体膜、例えばアモルファスシリコン(a−Si:H)を用いることで、
工程を簡略化し、さらなるコストダウンが図れる。この場合には、画素部周辺の駆動回路
をICチップ上に形成し、COG(Chip On Glass)等で表示パネルに実装
すると良い。なお、動作速度の高い信号線駆動回路はICチップ上に形成し、比較的動作
速度の低い走査線駆動回路は画素部と共に同一導電型のトランジスタで構成される回路で
一体形成しても良い。
キー3314、外部接続ポート3315、シャッター3316等を含む。
明により、画素間もしくは画素における経時的な輝度のばらつきを抑制することができ、
さらにデューティー比が高い高品質な表示部を有するカメラを得ることができる。また、
本発明では、対向電極の電位を一定とし動作させるため消費電力を低くすることが可能で
ある。
、高性能なものをいかに低価格に抑えるかが重要となる。
らし製造コストを削減することができる。また、画素を構成するトランジスタの半導体層
に非結晶性の半導体膜、例えばアモルファスシリコン(a−Si:H)を用いることで、
工程を簡略化し、さらなるコストダウンが図れる。この場合には、画素部周辺の駆動回路
をICチップ上に形成し、COG等で表示パネルに実装すると良い。なお、動作速度の高
い信号線駆動回路はICチップ上に形成し、比較的動作速度の低い走査線駆動回路は画素
部と共に同一導電型のトランジスタで構成される回路で一体形成しても良い。
キーボード3324、外部接続ポート3325、ポインティングデバイス3326等を含
む。なお、表示部3323には実施の形態1乃至6に記載した画素が用いられている。本
発明により、画素間もしくは画素における経時的な輝度のばらつきを抑制することができ
、さらにデューティー比が高い高品質な表示部を有するコンピュータを得ることができる
。また、本発明では、対向電極の電位を一定とし動作させるため消費電力を低くすること
が可能である。また、画素部を構成するトランジスタに同一導電型のトランジスタやトラ
ンジスタの半導体層に非結晶性の半導体膜を用いることで低コスト化を図ることができる
。
チ3333、操作キー3334、赤外線ポート3335等を含む。なお、表示部3332
には実施の形態1乃至6に記載した画素が用いられている。本発明により、画素間もしく
は画素における経時的な輝度のばらつきを抑制することができ、さらにデューティー比が
高い高品質な表示部を有するモバイルコンピュータを得ることができる。また、本発明で
は、対向電極の電位を一定とし動作させるため消費電力を低くすることが可能である。ま
た、画素部を構成するトランジスタに同一導電型のトランジスタやトランジスタの半導体
層に非結晶性の半導体膜を用いることで低コスト化を図ることができる。
であり、本体3341、筐体3342、表示部A3343、表示部B3344、記録媒体
(DVD等)読み込み部3345、操作キー3346、スピーカー部3347等を含む。
表示部A3343は主として画像情報を表示し、表示部B3344は主として文字情報を
表示することができる。なお、表示部A3343や表示部B3344には実施の形態1乃
至6に記載した画素が用いられている。本発明により、画素間もしくは画素における経時
的な輝度のばらつきを抑制することができ、さらにデューティー比が高い高品質な表示部
を有する画像再生装置を得ることができる。また、本発明では、対向電極の電位を一定と
し動作させるため消費電力を低くすることが可能である。また、画素部を構成するトラン
ジスタに同一導電型のトランジスタやトランジスタの半導体層に非結晶性の半導体膜を用
いることで低コスト化を図ることができる。
ム部3353を含む。なお、表示部3352には実施の形態1乃至6に記載した画素が用
いられている。本発明により、画素間もしくは画素における経時的な輝度のばらつきを抑
制することができ、さらにデューティー比が高い高品質な表示部を有するゴーグル型ディ
スプレイを得ることができる。また、本発明では、対向電極の電位を一定とし動作させる
ため消費電力を低くすることが可能である。また、画素部を構成するトランジスタに同一
導電型のトランジスタやトランジスタの半導体層に非結晶性の半導体膜を用いることで低
コスト化を図ることができる。
外部接続ポート3364、リモコン受信部3365、受像部3366、バッテリー336
7、音声入力部3368、操作キー3369、接眼部3360等を含む。なお、表示部3
362には実施の形態1乃至6に記載した画素が用いられている。本発明により、画素間
もしくは画素における経時的な輝度のばらつきを抑制することができ、さらにデューティ
ー比が高い高品質な表示部を有するビデオカメラを得ることができる。また、本発明では
、対向電極の電位を一定とし動作させるため消費電力を低くすることが可能である。また
、画素部を構成するトランジスタに同一導電型のトランジスタやトランジスタの半導体層
に非結晶性の半導体膜を用いることで低コスト化を図ることができる。
声入力部3374、音声出力部3375、操作キー3376、外部接続ポート3377、
アンテナ3378等を含む。なお、表示部3373には実施の形態1乃至6に記載した画
素が用いられている。本発明により、画素間もしくは画素における経時的な輝度のばらつ
きを抑制することができ、さらにデューティー比が高い高品質な表示部を有する携帯電話
機を得ることができる。また、本発明では、対向電極の電位を一定とし動作させるため消
費電力を低くすることが可能である。また、画素部を構成するトランジスタに同一導電型
のトランジスタやトランジスタの半導体層に非結晶性の半導体膜を用いることで低コスト
化を図ることができる。
本実施の形態において、本発明の表示装置を表示部に有する携帯電話の構成例について図
34を用いて説明する。
00は表示パネル3410のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる
。表示パネル3410を固定したハウジング3400はプリント基板3401に嵌入され
モジュールとして組み立てられる。
リント基板3401には、スピーカー3402、マイクロフォン3403、送受信回路3
404、CPU及びコントローラなどを含む信号処理回路3405が形成されている。こ
のようなモジュールと、入力手段3406、バッテリ3407を組み合わせ、筐体340
9及び筐体3412に収納する。なお、表示パネル3410の画素部は筐体3412に形
成された開口窓から視認できように配置する。
数の低い駆動回路)をトランジスタを用いて基板上に一体形成し、他の一部の周辺駆動回
路(複数の駆動回路のうち動作周波数の高い駆動回路)をICチップ上に形成し、そのI
CチップをCOG(Chip On Glass)で表示パネル3410に実装しても良
い。あるいは、そのICチップをTAB(Tape Automated Bondin
g)やプリント基板を用いてガラス基板と接続してもよい。また、全ての周辺駆動回路を
ICチップ上に形成し、そのICチップをCOGなどで表示パネルに実装しても良い。
間もしくは画素における経時的な輝度のばらつきを抑制することができ、さらにデューテ
ィー比が高い高品質な表示部を有する表示パネル3410を得ることができる。また、本
発明では、対向電極の電位を一定とし動作させるため消費電力を低くすることが可能であ
る。また、画素部を構成するトランジスタに同一導電型のトランジスタやトランジスタの
半導体層に非結晶性の半導体膜を用いることで低コスト化を図ることができる。
に限られず様々な構成の携帯電話に適用することができる。
本実施形態では、表示パネルと、回路基板を組み合わせたELモジュールについて図3
5及び図36を用いて説明する。
及び信号線駆動回路3505を有している。回路基板3502には、例えば、コントロー
ル回路3506や信号分割回路3507などが形成されている。なお、表示パネル350
1と回路基板3502は接続配線3508によって接続されている。接続配線3508に
はFPC等を用いることができる。
数の低い駆動回路)をトランジスタを用いて基板上に一体形成し、他の一部の周辺駆動回
路(複数の駆動回路のうち動作周波数の高い駆動回路)をICチップ上に形成し、そのI
CチップをCOG(Chip On Glass)で表示パネル3501に実装しても良
い。あるいは、そのICチップをTAB(Tape Automated Bondin
g)やプリント基板を用いてガラス基板と接続してもよい。また、全ての周辺駆動回路を
ICチップ上に形成し、そのICチップをCOGなどで表示パネルに実装しても良い。
間もしくは画素における経時的な輝度のばらつきを抑制することができ、さらにデューテ
ィー比が高い高品質な表示パネル3501を得ることができる。また、本発明では、対向
電極の電位を一定とし動作させるため消費電力を低くすることが可能である。また、画素
部を構成するトランジスタに同一導電型のトランジスタやトランジスタの半導体層に非結
晶性の半導体膜を用いることで低コスト化を図ることができる。
は、ELテレビ受像機の主要な構成を示すブロック図である。チューナ3601は映像信
号と音声信号を受信する。映像信号は、映像信号増幅回路3602と、そこから出力され
る信号を赤、緑、青の各色に対応した色信号に変換する映像信号処理回路3603と、そ
の映像信号を駆動回路の入力仕様に変換するためのコントロール回路3506により処理
される。コントロール回路3506は、走査線側と信号線側にそれぞれ信号を出力する。
デジタル駆動する場合には、信号線側に信号分割回路3507を設け、入力デジタル信号
をm個に分割して供給する構成としても良い。
れ、その出力は音声信号処理回路3605を経てスピーカー3606に供給される。制御
回路3607は受信局(受信周波数)や音量の制御情報を入力部3608から受け、チュ
ーナ3601や音声信号処理回路3605に信号を送出する。
組みこんで、テレビ受像機を完成させることができる。
じめ、鉄道の駅や空港などにおける情報表示盤や、街頭における広告表示盤など特に大面
積の表示媒体として様々な用途に適用することができる。
111 第1のスイッチ
112 第2のスイッチ
113 第3のスイッチ
114 第4のスイッチ
115 容量素子
116 発光素子
117 信号線
118 第1の走査線
119 第2の走査線
120 第3の走査線
121 第4の走査線
122 電源線
123 電位供給線
124 対向電極
511 第1のスイッチングトランジスタ
512 第2のスイッチングトランジスタ
513 第3のスイッチングトランジスタ
514 第4のスイッチングトランジスタ
611 信号線駆動回路
612 走査線駆動回路
613 画素部
614 第4のスイッチ
714 第4のスイッチ
814 第4のスイッチ
911 信号線駆動回路
912 走査線駆動回路
913 画素部
914 画素
1113 整流素子
1120 第3の走査線
1151 ショットキー・バリア型ダイオード
1152 PIN型ダイオード
1153 PN型ダイオード
1154 トランジスタ
1155 トランジスタ
1200 画素
1218 第1の走査線
1300 画素
1319 第2の走査線
1400 画素
1420 第3の走査線
1500 画素
1521 第4の走査線
1615 ゲート容量
1640 画素電極
2910 トランジスタ
3010 トランジスタ
3101 トランジスタ
3102 トランジスタ
3103 第5のスイッチ
3104 第6のスイッチ
3111 第1のスイッチ
3112 第2のスイッチ
3113 第3のスイッチ
3114 第4のスイッチ
3115 容量素子
3116 発光素子
3117 信号線
3118 第1の走査線
3119 第2の走査線
3120 第3の走査線
3121 第4の走査線
3122 電源線
3123 電位供給線
3124 対向電極
3910 トランジスタ
3911 第1のスイッチ
3912 第2のスイッチ
3913 第3のスイッチ
3914 第4のスイッチ
3915 容量素子
3916 発光素子
3917 信号線
3918 第1の走査線
3919 第2の走査線
3920 第3の走査線
3921 第4の走査線
3922 電源線
3923 電位供給線
3924 対向電極
Claims (2)
- 第1のトランジスタと、
第2のトランジスタと、
第3のトランジスタと、
第4のトランジスタと、
容量素子と、
発光素子と、
電源線と、
走査線と、
信号線と、を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記容量素子の第1の電極と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記発光素子の画素電極と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方と直接接続され、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記容量素子の第2の電極と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記電源線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲートは、前記走査線と電気的に接続され、
前記信号線は、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記電源線には、前記発光素子の対向電極の電位よりも高い電位が入力される期間を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記第1のトランジスタは、ソース又はドレインの一方がソース又はドレインの他方を包み込むような構造であることを特徴とする半導体装置。
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---|---|---|---|
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---|---|---|---|
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Families Citing this family (102)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2490858A1 (en) | 2004-12-07 | 2006-06-07 | Ignis Innovation Inc. | Driving method for compensated voltage-programming of amoled displays |
KR20080032072A (ko) | 2005-06-08 | 2008-04-14 | 이그니스 이노베이션 인크. | 발광 디바이스 디스플레이 구동 방법 및 시스템 |
EP1793366A3 (en) | 2005-12-02 | 2009-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
US9489891B2 (en) | 2006-01-09 | 2016-11-08 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for driving an active matrix display circuit |
TWI521492B (zh) * | 2006-04-05 | 2016-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置,顯示裝置,和電子裝置 |
JP2008309910A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Sony Corp | 表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器 |
KR101526475B1 (ko) * | 2007-06-29 | 2015-06-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 그 구동 방법 |
JP5292066B2 (ja) * | 2007-12-05 | 2013-09-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
WO2009090969A1 (en) | 2008-01-15 | 2009-07-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
US8614652B2 (en) * | 2008-04-18 | 2013-12-24 | Ignis Innovation Inc. | System and driving method for light emitting device display |
CN101261810B (zh) * | 2008-04-21 | 2010-04-14 | 上海大学 | 一种硅基有机发光显示设备中的像素驱动电路 |
JP5235516B2 (ja) * | 2008-06-13 | 2013-07-10 | 富士フイルム株式会社 | 表示装置及び駆動方法 |
KR101509114B1 (ko) * | 2008-06-23 | 2015-04-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 구동 방법 |
CN101933072B (zh) * | 2008-06-30 | 2013-04-24 | 松下电器产业株式会社 | 显示装置以及显示装置的控制方法 |
JP5491833B2 (ja) * | 2008-12-05 | 2014-05-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9370075B2 (en) | 2008-12-09 | 2016-06-14 | Ignis Innovation Inc. | System and method for fast compensation programming of pixels in a display |
US9047815B2 (en) * | 2009-02-27 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving semiconductor device |
KR20120051727A (ko) * | 2009-07-31 | 2012-05-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 디바이스 및 그 형성 방법 |
KR101056308B1 (ko) * | 2009-10-19 | 2011-08-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그의 구동방법 |
JP2011107692A (ja) | 2009-10-20 | 2011-06-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の駆動方法、表示装置、及び電子機器。 |
CN102231090B (zh) * | 2009-10-22 | 2014-03-12 | 群康科技(深圳)有限公司 | 触控显示面板和触控显示装置 |
KR101101034B1 (ko) * | 2009-10-27 | 2011-12-29 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그를 구비하는 유기전계발광 표시 장치 |
KR102129540B1 (ko) | 2010-01-20 | 2020-07-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
US9236378B2 (en) | 2010-08-11 | 2016-01-12 | Sarda Technologies, Inc. | Integrated switch devices |
US8519916B2 (en) * | 2010-08-11 | 2013-08-27 | Sarda Technologies, Inc. | Low interconnect resistance integrated switches |
US8896034B1 (en) | 2010-08-11 | 2014-11-25 | Sarda Technologies, Inc. | Radio frequency and microwave devices and methods of use |
KR101804359B1 (ko) * | 2010-12-06 | 2017-12-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 유기 발광 표시 장치 |
JP5741105B2 (ja) * | 2011-03-22 | 2015-07-01 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置 |
WO2012126175A1 (zh) * | 2011-03-22 | 2012-09-27 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其导电基底 |
JP5982147B2 (ja) | 2011-04-01 | 2016-08-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
US8922464B2 (en) | 2011-05-11 | 2014-12-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display device and driving method thereof |
TWI557711B (zh) | 2011-05-12 | 2016-11-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置的驅動方法 |
JP6018409B2 (ja) * | 2011-05-13 | 2016-11-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
US20140368491A1 (en) | 2013-03-08 | 2014-12-18 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for amoled displays |
US9351368B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-05-24 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
US9886899B2 (en) | 2011-05-17 | 2018-02-06 | Ignis Innovation Inc. | Pixel Circuits for AMOLED displays |
WO2012164474A2 (en) | 2011-05-28 | 2012-12-06 | Ignis Innovation Inc. | System and method for fast compensation programming of pixels in a display |
KR102223582B1 (ko) | 2011-07-22 | 2021-03-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 |
KR101960971B1 (ko) * | 2011-08-05 | 2019-03-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
US8710505B2 (en) * | 2011-08-05 | 2014-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101810051B1 (ko) * | 2011-08-09 | 2017-12-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
TWI573014B (zh) * | 2011-08-29 | 2017-03-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP5832399B2 (ja) | 2011-09-16 | 2015-12-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
US8736315B2 (en) * | 2011-09-30 | 2014-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR20190033094A (ko) | 2011-10-18 | 2019-03-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치를 구동하는 방법 |
TWI451381B (zh) * | 2011-11-18 | 2014-09-01 | Au Optronics Corp | 顯示2d/3d畫面的液晶顯示器及其方法 |
JP6108856B2 (ja) * | 2012-03-09 | 2017-04-05 | キヤノン株式会社 | 表示装置及びそれを用いた電子機器及び表示装置の駆動方法 |
US10043794B2 (en) | 2012-03-22 | 2018-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
JP6111531B2 (ja) * | 2012-04-25 | 2017-04-12 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器 |
US9747834B2 (en) | 2012-05-11 | 2017-08-29 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits including feedback capacitors and reset capacitors, and display systems therefore |
JP6111442B2 (ja) * | 2012-05-31 | 2017-04-12 | 株式会社Joled | 有機el素子、有機elパネル、有機el発光装置、および有機el表示装置 |
US9320111B2 (en) * | 2012-05-31 | 2016-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
US8995607B2 (en) | 2012-05-31 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse signal output circuit and shift register |
JP6228753B2 (ja) | 2012-06-01 | 2017-11-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置、表示モジュール、及び電子機器 |
TWI587261B (zh) | 2012-06-01 | 2017-06-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法 |
JP6120511B2 (ja) * | 2012-09-20 | 2017-04-26 | キヤノン株式会社 | 発光装置、発光素子の駆動回路および駆動方法 |
TWI476744B (zh) * | 2012-10-25 | 2015-03-11 | Innocom Tech Shenzhen Co Ltd | 主動式矩陣有機發光二極體之畫素驅動電路及其方法 |
CN103778883A (zh) * | 2012-10-25 | 2014-05-07 | 群康科技(深圳)有限公司 | 主动式矩阵有机发光二极管的像素驱动电路及其方法 |
US9336717B2 (en) | 2012-12-11 | 2016-05-10 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
US9786223B2 (en) | 2012-12-11 | 2017-10-10 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
JP6157866B2 (ja) * | 2013-02-04 | 2017-07-05 | 株式会社東芝 | 有機電界発光素子、照明装置及び照明システム |
CA2894717A1 (en) | 2015-06-19 | 2016-12-19 | Ignis Innovation Inc. | Optoelectronic device characterization in array with shared sense line |
US9721505B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-08-01 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
US9448643B2 (en) * | 2013-03-11 | 2016-09-20 | Barnes & Noble College Booksellers, Llc | Stylus sensitive device with stylus angle detection functionality |
CN103247666A (zh) * | 2013-04-25 | 2013-08-14 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种红外oled显示装置及其制造方法 |
JP2015025978A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 駆動回路、表示装置、及び駆動方法 |
US9818765B2 (en) | 2013-08-26 | 2017-11-14 | Apple Inc. | Displays with silicon and semiconducting oxide thin-film transistors |
US9583063B2 (en) * | 2013-09-12 | 2017-02-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
CN104575367B (zh) * | 2013-10-15 | 2017-10-13 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种像素电路及其驱动方法和应用 |
JP6619137B2 (ja) * | 2013-12-06 | 2019-12-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
US9806098B2 (en) * | 2013-12-10 | 2017-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
DE112014006046T5 (de) | 2013-12-27 | 2016-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Licht emittierende Vorrichtung |
US10483293B2 (en) | 2014-02-27 | 2019-11-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display device, and module and electronic appliance including the same |
US9472625B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-10-18 | Infineon Technologies Austria Ag | Operational Gallium Nitride devices |
US9424794B2 (en) | 2014-06-06 | 2016-08-23 | Innolux Corporation | Display panel and display device |
KR102318265B1 (ko) * | 2014-11-14 | 2021-10-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
TW201622112A (zh) | 2014-12-02 | 2016-06-16 | 群創光電股份有限公司 | 顯示面板 |
CA2873476A1 (en) | 2014-12-08 | 2016-06-08 | Ignis Innovation Inc. | Smart-pixel display architecture |
TWI567950B (zh) * | 2015-01-08 | 2017-01-21 | 群創光電股份有限公司 | 顯示面板 |
CA2886862A1 (en) | 2015-04-01 | 2016-10-01 | Ignis Innovation Inc. | Adjusting display brightness for avoiding overheating and/or accelerated aging |
KR20160119935A (ko) * | 2015-04-06 | 2016-10-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 제작 방법 |
US10032413B2 (en) * | 2015-05-28 | 2018-07-24 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display |
US10657895B2 (en) | 2015-07-24 | 2020-05-19 | Ignis Innovation Inc. | Pixels and reference circuits and timing techniques |
US10373554B2 (en) | 2015-07-24 | 2019-08-06 | Ignis Innovation Inc. | Pixels and reference circuits and timing techniques |
CA2898282A1 (en) | 2015-07-24 | 2017-01-24 | Ignis Innovation Inc. | Hybrid calibration of current sources for current biased voltage progra mmed (cbvp) displays |
CA2908285A1 (en) | 2015-10-14 | 2017-04-14 | Ignis Innovation Inc. | Driver with multiple color pixel structure |
US9818344B2 (en) | 2015-12-04 | 2017-11-14 | Apple Inc. | Display with light-emitting diodes |
US10083991B2 (en) | 2015-12-28 | 2018-09-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, display module, and electronic device |
WO2017208954A1 (ja) * | 2016-06-01 | 2017-12-07 | シャープ株式会社 | 映像信号線駆動回路およびそれを備える表示装置、ならびに映像信号線の駆動方法 |
US9774322B1 (en) | 2016-06-22 | 2017-09-26 | Sarda Technologies, Inc. | Gate driver for depletion-mode transistors |
KR20180047540A (ko) * | 2016-10-31 | 2018-05-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102581841B1 (ko) * | 2016-11-28 | 2023-09-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그의 구동방법 |
KR20180062268A (ko) * | 2016-11-30 | 2018-06-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 구조물을 포함하는 디스플레이 장치 |
KR102375620B1 (ko) * | 2017-10-16 | 2022-03-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광다이오드 및 이를 포함하는 발광장치 |
US11145241B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-10-12 | Innolux Corporation | Electronic device and pixel thereof |
CN109192136B (zh) * | 2018-10-25 | 2020-12-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、光场显示装置及其驱动方法 |
US11727859B2 (en) * | 2018-10-25 | 2023-08-15 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display panel and display device |
TWI707327B (zh) * | 2018-12-07 | 2020-10-11 | 友達光電股份有限公司 | 驅動電路、背光模組、顯示模組以及驅動方法 |
US11341878B2 (en) * | 2019-03-21 | 2022-05-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel and method of testing display panel |
JP6702492B2 (ja) * | 2019-09-02 | 2020-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
CN112102778B (zh) * | 2020-10-10 | 2022-12-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素电路及其驱动方法、显示基板和显示装置 |
CN112735339A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-30 | 合肥视涯技术有限公司 | 一种数据电流产生电路、驱动方法、驱动芯片和显示面板 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08160469A (ja) * | 1994-08-31 | 1996-06-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP2002083765A (ja) * | 2000-06-26 | 2002-03-22 | Nec Kagoshima Ltd | パターン形成方法 |
JP2005084416A (ja) * | 2003-09-09 | 2005-03-31 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびそれを用いた表示装置 |
JP2005099714A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-04-14 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器 |
JP2005524110A (ja) * | 2002-04-24 | 2005-08-11 | イー−インク コーポレイション | 電子表示装置 |
JP2006047999A (ja) * | 2004-08-06 | 2006-02-16 | Samsung Sdi Co Ltd | 平板ディスプレイ装置 |
JP2006079104A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Samsung Electronics Co Ltd | 表示装置 |
JP2007108380A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Sony Corp | 表示装置および表示装置の駆動方法 |
JP2007108379A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Sony Corp | 画素回路、表示装置および表示装置の駆動方法 |
JP2007140318A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Sony Corp | 画素回路 |
JP2007179041A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-07-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、表示装置及びに電子機器 |
Family Cites Families (70)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5684365A (en) | 1994-12-14 | 1997-11-04 | Eastman Kodak Company | TFT-el display panel using organic electroluminescent media |
JP3647523B2 (ja) * | 1995-10-14 | 2005-05-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | マトリクス型液晶表示装置 |
US6157048A (en) * | 1998-08-05 | 2000-12-05 | U.S. Philips Corporation | Thin film transistors with elongated coiled electrodes, and large area devices containing such transistors |
JP2001111053A (ja) * | 1999-10-04 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタ及び表示装置 |
JP2001318627A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-11-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP4769997B2 (ja) * | 2000-04-06 | 2011-09-07 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法、液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法、有機el装置、有機el装置の製造方法 |
KR100675319B1 (ko) * | 2000-12-23 | 2007-01-26 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 일렉트로 루미네센스 패널 |
WO2002075709A1 (fr) | 2001-03-21 | 2002-09-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Circuit permettant d'actionner un element electroluminescent a matrice active |
JP2002289859A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP4785271B2 (ja) * | 2001-04-27 | 2011-10-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置、電子機器 |
TW582005B (en) * | 2001-05-29 | 2004-04-01 | Semiconductor Energy Lab | Pulse output circuit, shift register, and display device |
JP2003005710A (ja) | 2001-06-25 | 2003-01-08 | Nec Corp | 電流駆動回路及び画像表示装置 |
SG119161A1 (en) * | 2001-07-16 | 2006-02-28 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device |
JP4831895B2 (ja) * | 2001-08-03 | 2011-12-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP4650601B2 (ja) | 2001-09-05 | 2011-03-16 | 日本電気株式会社 | 電流駆動素子の駆動回路及び駆動方法ならびに画像表示装置 |
JP4090716B2 (ja) * | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
US7365713B2 (en) * | 2001-10-24 | 2008-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
US7456810B2 (en) * | 2001-10-26 | 2008-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and driving method thereof |
JP4498669B2 (ja) * | 2001-10-30 | 2010-07-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置、及びそれらを具備する電子機器 |
JP4164562B2 (ja) * | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
EP1443130B1 (en) | 2001-11-05 | 2011-09-28 | Japan Science and Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
KR100940342B1 (ko) * | 2001-11-13 | 2010-02-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 및 그 구동방법 |
US7133012B2 (en) * | 2002-01-17 | 2006-11-07 | Nec Corporation | Semiconductor device provided with matrix type current load driving circuits, and driving method thereof |
JP3939666B2 (ja) * | 2002-01-18 | 2007-07-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及び電子機器 |
EP1331627B1 (en) * | 2002-01-24 | 2012-04-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of driving the semiconductor device |
JP3961310B2 (ja) * | 2002-02-21 | 2007-08-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2003295822A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
JP3908084B2 (ja) | 2002-04-26 | 2007-04-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、電子機器 |
TWI345211B (en) * | 2002-05-17 | 2011-07-11 | Semiconductor Energy Lab | Display apparatus and driving method thereof |
JP4248306B2 (ja) * | 2002-06-17 | 2009-04-02 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
KR100432651B1 (ko) * | 2002-06-18 | 2004-05-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 화상 표시 장치 |
US7696952B2 (en) * | 2002-08-09 | 2010-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Display device and method of driving the same |
US7738014B2 (en) * | 2002-12-05 | 2010-06-15 | Atlab Inc. | Image sensor and optical pointing system |
JP4734529B2 (ja) * | 2003-02-24 | 2011-07-27 | 奇美電子股▲ふん▼有限公司 | 表示装置 |
US7612749B2 (en) * | 2003-03-04 | 2009-11-03 | Chi Mei Optoelectronics Corporation | Driving circuits for displays |
JP2006520490A (ja) * | 2003-03-12 | 2006-09-07 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | エージングに対抗するためにタイミングに有効な光フィードバックを有する発光アクティブマトリクス表示装置 |
JP4062179B2 (ja) * | 2003-06-04 | 2008-03-19 | ソニー株式会社 | 画素回路、表示装置、および画素回路の駆動方法 |
JP4486335B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2010-06-23 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置及び表示パネルの駆動方法 |
JP4297438B2 (ja) * | 2003-11-24 | 2009-07-15 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 発光表示装置,表示パネル,及び発光表示装置の駆動方法 |
JP4860143B2 (ja) * | 2003-12-19 | 2012-01-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US7405713B2 (en) * | 2003-12-25 | 2008-07-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic equipment using the same |
JP2005189643A (ja) | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Sony Corp | ディスプレイ装置及びディスプレイ装置の駆動方法 |
WO2005088726A1 (ja) | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Japan Science And Technology Agency | アモルファス酸化物及び薄膜トランジスタ |
JP5222455B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2013-06-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US7928937B2 (en) * | 2004-04-28 | 2011-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
KR101054341B1 (ko) * | 2004-04-30 | 2011-08-04 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JP2005354036A (ja) | 2004-05-14 | 2005-12-22 | Toppan Printing Co Ltd | 半導体装置の形成方法 |
JP4785415B2 (ja) * | 2004-05-14 | 2011-10-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | エレクトロルミネッセンス表示装置の作製方法 |
US7173590B2 (en) | 2004-06-02 | 2007-02-06 | Sony Corporation | Pixel circuit, active matrix apparatus and display apparatus |
JP4103850B2 (ja) * | 2004-06-02 | 2008-06-18 | ソニー株式会社 | 画素回路及、アクティブマトリクス装置及び表示装置 |
JP4103851B2 (ja) * | 2004-06-02 | 2008-06-18 | ソニー株式会社 | 画素回路及、アクティブマトリクス装置及び表示装置 |
JP4737587B2 (ja) | 2004-06-18 | 2011-08-03 | 奇美電子股▲ふん▼有限公司 | 表示装置の駆動方法 |
KR100611886B1 (ko) * | 2004-06-25 | 2006-08-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 개량된 구조의 트랜지스터를 구비한 화소 회로 및 유기발광 표시장치 |
CN100555375C (zh) * | 2004-09-17 | 2009-10-28 | 日本电气株式会社 | 半导体器件、使用该器件的电路和显示设备及其驱动方法 |
US7589707B2 (en) | 2004-09-24 | 2009-09-15 | Chen-Jean Chou | Active matrix light emitting device display pixel circuit and drive method |
KR100592636B1 (ko) * | 2004-10-08 | 2006-06-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광표시장치 |
TWI237913B (en) * | 2004-10-13 | 2005-08-11 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Circuit and method for OLED with voltage compensation abstract of the invention |
KR100604053B1 (ko) * | 2004-10-13 | 2006-07-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 표시장치 |
US8426866B2 (en) * | 2004-11-30 | 2013-04-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof, semiconductor device, and electronic apparatus |
JP2006215275A (ja) | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Sony Corp | 表示装置 |
KR101139527B1 (ko) * | 2005-06-27 | 2012-05-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 유기전계발광 표시장치 |
US7728810B2 (en) * | 2005-11-28 | 2010-06-01 | Lg Display Co., Ltd. | Display device and method for driving the same |
EP1793366A3 (en) | 2005-12-02 | 2009-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
CN102176304B (zh) * | 2005-12-02 | 2013-07-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
JP2007206590A (ja) | 2006-02-06 | 2007-08-16 | Seiko Epson Corp | 画素回路、その駆動方法、表示装置および電子機器 |
JP5508664B2 (ja) * | 2006-04-05 | 2014-06-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置及び電子機器 |
TWI521492B (zh) * | 2006-04-05 | 2016-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置,顯示裝置,和電子裝置 |
JP5665256B2 (ja) | 2006-12-20 | 2015-02-04 | キヤノン株式会社 | 発光表示デバイス |
KR100860684B1 (ko) * | 2007-01-31 | 2008-09-26 | 삼성전자주식회사 | 화면 밝기 기능을 갖는 디스플레이 장치 |
KR100823199B1 (ko) * | 2007-04-05 | 2008-04-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
-
2007
- 2007-03-22 TW TW102148733A patent/TWI521492B/zh active
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- 2023-12-06 JP JP2023206110A patent/JP2024037807A/ja active Pending
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08160469A (ja) * | 1994-08-31 | 1996-06-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP2002083765A (ja) * | 2000-06-26 | 2002-03-22 | Nec Kagoshima Ltd | パターン形成方法 |
JP2005524110A (ja) * | 2002-04-24 | 2005-08-11 | イー−インク コーポレイション | 電子表示装置 |
JP2005099714A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-04-14 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器 |
JP2005084416A (ja) * | 2003-09-09 | 2005-03-31 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびそれを用いた表示装置 |
JP2006047999A (ja) * | 2004-08-06 | 2006-02-16 | Samsung Sdi Co Ltd | 平板ディスプレイ装置 |
JP2006079104A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Samsung Electronics Co Ltd | 表示装置 |
JP2007108380A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Sony Corp | 表示装置および表示装置の駆動方法 |
JP2007108379A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Sony Corp | 画素回路、表示装置および表示装置の駆動方法 |
JP2007140318A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Sony Corp | 画素回路 |
JP2007179041A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-07-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、表示装置及びに電子機器 |
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