JPH08160469A

JPH08160469A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JPH08160469A
Application number: JP23621095A
Authority: JP
Inventors: Shunpei Yamazaki; 舜平山崎; Jun Koyama; 潤小山; Yasushi Ogata; 靖尾形
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1994-08-31
Filing date: 1995-08-22
Publication date: 1996-06-21

Abstract

(57)【要約】【目的】リーク電流の少ない薄膜トランジスタを提供
する。【構成】半導体膜の活性層（５０４）には、ＴＦＴの
外形が略相似とされた電極が同心円状に配置されてい
る。円形の電極（５０１）の外側を囲むように、ゲイト
電極（５０２）、円環の一部が欠けた形状の電極（５０
３）が配置されている。電極（５０１）はゲイト電極を
構成する配線金属とは異なる層に配置され、電極（５０
１）と電極（５０３）は同一層の配線金属で構成され
る。電極（５０１）と電極（５０３）は、いずれか一方
をソース電極とし、他方をドレイン電極とする。これに
より、活性層（５０４）のエッジがソース電極とドレイ
ン電極とを結ぶ線上に存在しないため、ドレイン電極と
ソース電極とが、ゲート電極によって短絡されない構成
となる。この結果、リーク電流を減少させることができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本明細書で開示する発明は、液晶
表示装置に関するものである。特に、アクティブマトリ
クス回路を薄膜トランジスタで構成する液晶表示装置に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】現在、表示装置としてブラウン管が主流
となっている。ブラウン管の長所として、コントラスト
が高い、解像度が高い等が挙げられる。反面、真空を保
持するための容器が重くなる、一つの光源を用いている
ため奥行きを占める等の欠点がある。これらの問題を解
決する新しい表示装置の一つとして、液晶ディスプレイ
が開発された。

【０００３】液晶ディスプレイは、ブラウン管と比較し
て軽量・薄型という特徴がある。しかし、開発初期に用
いられた単純マトリクス駆動方式では、高いコントラス
トが得られなかった。そこで、液晶ディスプレイを駆動
するのために、アクティブマトリクス回路を用いる方式
が注目されている。

【０００４】アクティブマトリックス回路は、画素電極
と対向電極の間に液晶を挟みこんでコンデンサを形成し
て、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略す）によっ
て、このコンデンサに出入りする電荷を制御するもので
ある。画像を安定に表示するためには、このコンデンサ
の両電極間の電圧が一定に保たれることが要求されてい
る。

【０００５】しかしながら、いくつかの理由によって、
画像を安定に表示することに困難があった。最大の問
題は、ＴＦＴがオフ状態でも電荷がリークすることであ
る。その他にも、コンデンサ内部で電荷がリークするこ
ともあるが、一般には前者のＴＦＴからのリークの方が
１桁程度大きい。このリークがはなはだしい場合には、
フレーム周波数と同じ周期で画像の明暗が変化するフリ
ッカーと呼ばれる現象が生じてしまう。

【０００６】リークしてしまう電荷が無視できる量とな
るように、液晶をはさみこむコンデンサと並列に、配線
金属でコンデンサを形成する方法が考えられている。こ
の方法では、画素の開口率が低下する、コンデンサを充
電する時間が増加する、動作速度が遅くなる等の欠点が
生ずる。

【０００７】また、アクティブマトリックス回路に用い
られるＴＦＴの特性を向上するために、半導体膜の活性
層を結晶化させる技術が採用されている。主な方法に、
加熱による固相成長法や、何らかの触媒作用によって結
晶化の障壁エネルギーを低下させる方法がある。後者の
方法は、触媒作用によって、半導体膜の活性層は結晶成
長が連続的に進行するので、略単結晶と見なせうる構造
となるので、ＴＦＴ、ダイオード、抵抗に利用するのに
好適である。

【０００８】この結晶化方法において、触媒元素は結晶
成長の進行方向に移動するため、触媒元素は最初に添加
された領域と、結晶成長の終点に高濃度に存在すること
になる。結晶化に要する時間を考えると、チャネル領域
の近辺に触媒元素が存在することになる。しかしなが
ら、触媒元素が真性半導体とすべきチャネル部分に存在
するとＴＦＴの特性を劣化させる。従って、選択的に触
媒を添加することにより、結晶成長の進行方向を制御す
る必要がある。

【０００９】上記のアクティブマトリクス回路製造技術
をもちいて、液晶駆動回路を、画素を構成すＴＦＴと同
一の基板上に製造する流れにある。この場合、画素マト
リクスのほかに、信号線駆動回路、走査線駆動回路が、
ＴＦＴで構成される。図１に示す線順次走査型信号線駆
動回路は、シフトレジスタ回路、サンプリング回路、ト
ランスファ回路、アナログバッファ回路で構成される。
シフトレジスタには、ビデオ信号（１０１）に同期した
スタートパルスが入力端子（１０２）に入力され、クロ
ックパルス（１０３）によって、順次にシフトされる。
シフトレジスタの出力は、インバータ形式のバッファ回
路（１０４）を介してサンプリング回路に入力される。

【００１０】サンプリング回路は、トランスミッション
ゲイトと呼ばれるスイッチ（１０５）と保持容量（１０
６）で構成される。トランスミッションゲイトは、前記
のバッファ回路（１０４）によってオン、オフが制御さ
れ、オン状態では、ビデオ信号線（１０１）と保持容量
（１０６）がショートされ、保持容量（１０６）に電荷
が蓄電される。スタートパルスがシフトレジスタを通過
すると、バッファ回路（１０４）の出力は反転し、スイ
ッチ（１０５）はオフとなる。保持容量（１０６）の電
荷はそのまま保持され、次にスイッチ（１０５）がオン
になるまで、電位は保たれる。

【００１１】１ライン分のサンプリングが終了し、次の
サンプリングが開始されるまでの間に、トランスファ信
号入力端子（１０７）からトランスファ信号が入力され
る。これによって、スイッチ（１０８）がオンになり、
保持容量（１０６）とアナログバッファの入力電位を保
持する保持容量（１０９）がショートされ、電位が伝達
される。このとき保持容量（１０６）の値が保持容量
（１０９）より十分大きければ、ショートしたことによ
る電位の変化は小さい。保持容量（１０９）には、アナ
ログバッファが接続され、アナログバッファを介して、
信号線（１１０）〜（１１２）は駆動される。アナログ
バッファは、入力側の電位に影響を与えずに信号線（１
１０）〜（１１２）を駆動するために必要である。

【００１２】ここで、ＴＦＴのリーク電流が大きいとい
うことは、保持容量（１０９）の電位を保てないことに
なり、画質の低下につながる。更に、ＴＦＴのリーク電
流はアナログバッファにおけるノイズ発生源となる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】上述したようにＴＦＴ
のリーク電流を低減すれば、画像を安定に表示すること
が、液晶にコンデンサを並列に接続しないで可能にな
る。さらに、ＴＦＴのリーク電流を低減することによ
り、液晶の駆動回路を、画素を構成するＴＦＴと同一の
基板上に製造する場合にも、画質の向上という点で有効
となる。

【００１４】以下に、リーク電流の発生源について述べ
る。例えば、アクティブマトリクス回路における画素は
図２の構造となる。（２０１）はゲイト電極と配線を構
成する金属配線であり、（２０２）はソース電極に接続
される金属配線である。（２０３）は半導体膜の活性層
であり、（２０４）は液晶を挟みこむコンデンサの電極
の片側をなす透明電極である。また、（２０５）はコン
タクトホールである。

【００１５】ＴＦＴ部分を拡大すると、図３のようにな
る。（３０１）はゲイト電極、（３０２）は半導体膜の
活性層である。ここで、リーク電流はエッジ部（３０
３）で発生するとされている。この原因として、このエ
ッジ部（３０３）において、ゲイト電極（３０１）の絶
縁不良のために、ゲイト電極（３０１）によりソース電
極とドレイン電極とが短絡されてしまう。或いは、エッ
チングやイオンドーピングによるダメージで半導体膜の
活性層（３０２）の周囲が結晶構造になっていないこと
があげられる。以下に、ゲイト電極による短絡について
説明する。

【００１６】図４（ａ）に示すように、ゲイト絶縁膜
（４０２）が半導体膜の活性層（４０１）を完全に覆っ
ている場合を考える。チャネルが形成されていない状態
で、ゲイト電極（４０３）にしきい値以下の電圧を印加
した場合には、半導体膜の活性層（４０１）は高抵抗な
ため、電流はほとんど流れない。従って、ドレイン電極
（例えば手前の領域）とソース電極（例えば奥の領域）
間に電流は流れない。

【００１７】他方、図４（ｂ）のようにゲイト絶縁膜
（４０５）が半導体膜の活性層（４０４）を完全に覆っ
ていない場合を考える。ゲイト電極（４０６）と半導体
膜の活性層（４０４）を絶縁するために、活性層（４０
４）の表面に絶縁膜（４０５）を形成する際に、段差の
ために、側面（４０７）には絶縁膜（４０５）が形成さ
れにくく、側面（４０７）が露出してしまうことがあ
る。この状態では、側面（４０７）において、ゲイト電
極（４０６）と半導体膜の活性層（４０４）とが短絡し
てまう。このため、ゲイト電極（４０６）にしきい値以
下の電圧を印加した場合には、チャネルが形成されてい
ない状態でも、ドレイン電極とソース電極はゲイト電極
によって常に短絡されて、リーク電流が発生してしま
う。

【００１８】一般的に、製造プロセス上、活性層の段差
部の側面には、薄膜が形成されにくいため、図４（ｂ）
のように活性層（４０４）の側面が絶縁膜（４０５）で
完全に覆われないことが発生しやすい。このため、図３
におけるエッジ部（３０３）を通してリーク電流は流れ
てしまう。逆にいえば、図３のエッジ部（３０３）のよ
うな部分を構造的に持たなければリーク電流は削減でき
る。

【００１９】本発明の目的は、上述の問題点を解決し
て、ＴＦＴにおいて、リーク電流を削減して、コントラ
スト良く、安定に表示することが可能な液晶表示装置を
提供することにある。特に、ＴＦＴの電極構造を工夫す
ることにより、リーク電流の発生源を抑える方法を提案
する。

【００２０】また、本発明の他の目的は、ＴＦＴの電極
構造を工夫することにより、リーク電流の発生源を抑え
ると共に、触媒を選択的に添加して、ＴＦＴの活性層を
結晶化させることにより、ＴＦＴの特性を向上して、液
晶表示装置の性能を向上することにある。

【００２１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、半導体膜の活性層のエッジがソース電極
とドレイン電極とを結ぶ線と合致しない構造とすること
で、リーク電流を低減する。具体的には、図５（ａ）に
示すようなＴＦＴの電極構造とする。

【００２２】図５（ａ）において、結晶性を有する珪素
薄膜等で構成される活性層（５０４）の中心を対称中心
とするように、ゲイト電極（５０２）、電極（５０
１）、（５０３）が配置されている。また、これらの電
極（５０１）〜（５０３）の外形を互いに略相似形とな
るようにし、電極（５０１）、（５０３）のいずれか一
方をソース電極とし、他方をドレイン電極とすることに
より、活性層（５０４）のエッジがソース電極とドレイ
ン電極とを結ぶ線上に存在しない構成とする。それによ
り、ドレイン電極とソース電極とがゲート電極によって
短絡されない構成とされ、リーク電流を減少することが
できる。

【００２３】

【実施例】

［実施例１］図５（ａ）、図５（ｂ）は実施例１のＴＦ
Ｔの平面構成図である。図５（ａ）において、ＴＦＴの
電極が同心円状に配置され、ドレイン電極又はソース電
極とすべき電極をゲイト電極で周囲をすべて囲むことを
特徴とする。矩形状の半導体膜の活性層（５０４）に
は、円形の電極（５０１）の外側を囲むように、ゲイト
電極（５０２）、円環状の電極（５０３）が配置されて
いる。なお、電極（５０１）と電極（５０３）は、いず
れか一方をソース電極とし、他方をドレイン電極とすれ
ばよい。これらの電極（５０１）〜（５０３）は活性層
（５０４）の中心に中心を有する同心円状に配置されて
いる。

【００２４】電極（５０１）はゲイト電極を構成する配
線金属とは異なる層に配置されている。このため、電極
（５０１）とゲイト電極（５０２）とが重なってもよ
い。他方、電極（５０１）と電極（５０３）は同一層の
配線金属で構成される。従って、短絡を避けるために、
電極（５０３）は円環の一部が欠けた形状とされてい
る。

【００２５】上記の電極構造において、ゲイト電極（５
０２）を構成する配線金属が半導体膜の活性層（５０
４）のエッジを横切る部分がある。しかしながら、短絡
する半導体膜の活性層（５０４）のエッジの両側は電気
的に同電位であるので、問題はない。

【００２６】例えば、本実施例の電極構造を有するＴＦ
Ｔを画素ＴＦＴとして用いる場合には、ＴＦＴと配線と
を形成した後に、保護膜を形成し、さらに画素電極を透
明導電体で形成すればよい。図５（ａ）において、電極
（５０１）、ゲイト電極（５０２）、電極（５０３）を
それぞれ異なる層に配線し、かつ電極（５０１）をドレ
イン電極として透明導電体で電極（５０１）を作成し、
電極（５０３）をソース電極として配線金属でを形成す
ることにより、画素ＴＦＴを作成することができる。こ
のような構造を採用することにより、リーク電流を減少
できると共に、ドレイン電極として用いられる電極（５
０１）とゲイト電極（５０２）との配線容量を減少する
ことができる。

【００２７】リーク電流の低減は、ＴＦＴを電荷制御ス
イッチとし、コンデンサに電荷を蓄積する構造におい
て、電荷を確実に保持することに効果がある。電荷の損
失が少なくなれば、許容電位変位まで、容量を減らすこ
とが可能であり、面積縮小や微細加工につながる。ま
た、電極（５０２）をソース電極とし、電極（５０３）
をドレイン電極とした場合には、ソース領域とチャネル
形成領域との間における接触面積（ソース領域とチャネ
ル形成領域との接触面積）と比較して、ドレイン領域と
チャネル形成領域との接触面積を大きくすることができ
るので、実質的にドレイン−チャネル間における電界強
度を小さくすることができる。従って、ＬＤＤ構造を採
用した場合と同様に、リーク電流を減少するという効果
を得ることができる。

【００２８】上記のようにゲイト電極、配線金属及び透
明導電体とが相異なる層に形成されるような３層金属配
線ができ、かつ配線容量を無視することができる場合に
は、ソース電極とドレイン電極とが短絡することがない
ので、電極（５０３）に切り欠きを形成しないで、図５
（ｂ）に示すようなＴＦＴを構成することもできる。

【００２９】円形の電極（５０５）の外側を囲むよう
に、略同心円状に円環状のゲイト電極（５０６）、円環
状の電極（５０７）が配置される。電極（５０５）と
（５０７）は相異なる層に形成されるため、電極（５０
７）には切り欠きが形成されていない。なお、電極（５
０５）又は（５０７）のいずれか一方をソース電極とし
て用いて、他方をゲイト電極として用いればよい。特
に、電極（５０７）をソース電極として金属配線で形成
して、電極（５０５）をドレイン電極として透明導電体
で形成した構造のＴＦＴを画素ＴＦＴとして用いるとリ
ーク電流に対して有効となる。

【００３０】［実施例２］図６（ａ）、図６（ｂ）に実
施例２のＴＦＴの平面構造図である。本実施例は電極を
同心円状に配置したことを特徴とする。

【００３１】図６（ａ）において、半導体膜の活性層
（６０４）上には、円形の電極（６０１）の外側を囲む
ように、略同心円状に、円環状のゲイト電極（６０
２）、円環状の電極（６０３）が配置されている。電極
（６０１）は、ゲイト電極（６０２）を構成する配線金
属とは異なる金属配線層で構成され、電極（６０１）と
電極（６０３）は同一層の配線金属で構成される。

【００３２】ここで、電極（６０１）とゲイト電極（６
０２）とが重なることで、コンデンサが形成されてしま
うため、このコンデンサの形成を回避するために、ゲイ
ト電極（６０２）の形状を円環の一部が欠けた形状とし
ている。従って、［実施例１］はこのコンデンサを無視
できる場合に利用すればよく、本実施例は、コンデンサ
を無視できない場合に利用すればよい。

【００３３】また、電極（６０１）と電極（６０３）と
が短絡することを回避するために、電極（６０３）も円
環の一部が欠けた形状とされる。なお、電極（６０１）
と電極（６０３）はいずれか一方をソース電極とし、他
方をドレイン電極とすればよい。

【００３４】図６（ａ）に示すように、ゲイト電極（６
０２）を構成する配線金属が、半導体膜の活性層（６０
４）のエッジを横切る部分がある。しかしながら、短絡
する半導体膜の活性層（６０４）のエッジの両側は、電
気的に同電位であるので問題はない。

【００３５】例えば、本実施例のＴＦＴを画素ＴＦＴと
して用いる場合には、ＴＦＴと配線とを形成した後に、
保護膜を形成し、さらに電極を透明導電体で形成すれば
よい。図６（ａ）において、ドレイン電極として透明導
電体で電極（６０１）を作成し、ソース電極として配線
金属で電極（６０３）を形成して、かつ電極（６０
１）、ゲイト電極（６０２）、電極（６０３）をそれぞ
れ異なる層に配線することにより、画素ＴＦＴを作成す
ることができる。このような電極構造を採用することに
より、リーク電流を減少できると共に、ドレイン電極と
して用いられる電極（６０１）とゲイト電極（６０２）
との配線容量も減少できる。

【００３６】上記のように３層金属配線ができ、配線容
量を無視することができる場合には、図６（ｂ）に示す
ような電極構造を有するＴＦＴを構成することもでき
る。円形の電極（６０５）の外側を囲むように、略同心
円状にゲイト電極（６０６）、円環状の電極（６０７）
が配置される。電極（６０５）と（６０７）は相異なる
層に形成されるため、電極（６０７）には切り欠きが形
成されていない。なお、電極（６０５）、（６０７）の
いずれか一方をソース電極として用いて、他方をゲイト
電極として用いればよい。特に、電極（６０７）をソー
ス電極として金属配線で形成して、電極（６０５）をド
レイン電極として透明導電体で形成することにより、画
素ＴＦＴとして使用することができ、このような電極構
造を有する画素ＴＦＴはリーク電流に対して有効であ
る。

【００３７】なお、ＴＦＴの活性層に不純物をドーピン
グする場合に、ゲイト電極（６０２）をマスクに用い
て、不純物をドーピングすると、不純物がドーピングさ
れた半導体膜の活性層（６０４）を介して、ドレイン電
極とソース電極が短絡してしまう。このため、半導体膜
の活性層（６０４）をドレイン領域とソース領域に分離
するパターンをマスクに加える等の工夫が必要になる。

【００３８】図５、図６に示すように［実施例１］、
［実施例２］の電極は外形が略相似形とされて、略同心
円状に配置されているため、半導体の活性層に円環状の
チャネル領域を電極と同心円状に形成することが要求さ
れる。更に、ＴＦＴの特性を向上するために、半導体材
料の結晶性を高めることも要求されている。ここでは、
結晶性の良好な半導体材料を形成する方法として、結晶
化を助長する触媒元素を選択的に活性層に添加する方法
を採用する。図７（ａ）、図７（ｂ）に基づいて、結晶
化を助長する触媒元素を選択的に活性層に添加して、結
晶成長させ、かつ電極と同心円状のチャネル領域を形成
する方法ついて説明する。

【００３９】図７（ａ）は半導体の活性層の結晶化を説
明する模式図であり、半導体膜をエッチングして島状の
活性層（７０４）を形成する。活性層（７０４）の中心
部の円状の領域（７０１）内に結晶化を助長する触媒元
素を添加する。加熱処理等により、矢印（７０２）で示
すように同心円の半径が拡大する方向に活性層（７０
２）の結晶成長が進行するようにする。

【００４０】他方、図７（ｂ）は半導体の活性層の結晶
化を説明する他の模式図であり、半導体膜をエッチング
して島状の活性層（７０８）を形成する。活性層（７０
８）の外縁の島状の活性層（７０８）の中心に中心を有
する円環状の領域（７０５）に、結晶化を助長する触媒
元素を添加する。加熱処理等により、矢印（７０６）で
示すように領域（７０５）の半径が縮小する方向に結晶
成長が進行するようにする。

【００４１】これら矢印（７０２）、（７０６）で示す
結晶成長により、触媒元素は結晶成長の起点と終点とに
高濃度に存在していることが明らかになっている。チャ
ネル領域は触媒元素が高濃度に存在する領域を避けて形
成する必要があるため、チャネルとなる領域（７０
３）、（７０７）は結晶成長の起点と終点の略中間に形
成して、その形状を活性層（７０４）、（７０８）の中
心に対称中心を有し、図５、図６に示す電極と略相似形
になるように、円環状に形成する。

【００４２】図７（ａ）、図７（ｂ）に示すように触媒
元素を用いて半導体材料を結晶化をした場合でも、触媒
元素が高濃度に存在する領域を避けて円環状のチャネル
領域（７０３）、（７０７）を形成できる。従って、
［実施例１］、［実施例２］の電極構造を有するＴＦＴ
の製造工程に、結晶化を助長する触媒元素を用いて、半
導体材料を選択的に結晶化する工程を採用することが可
能である。

【００４３】また、［実施例１］あるいは［実施例２］
の電極構造を有するＴＦＴを、画素ＴＦＴのみでなく、
周辺駆動回路を構成するＴＦＴとして使用することがで
きる。例えば、図８に示すように、信号線駆動回路に使
用されるアナログバッファ回路図において、作動増幅回
路入力段のＴＦＴ（８０１）、（８０２）に用いること
ができる。作動増幅回路入力段のＴＦＴ（８０１）、
（８０２）がリーク電流が大きいと、ノイズの発生源と
なる。従って、ＴＦＴ（８０１）、（８０２）を［実施
例１］或るいは［実施例２］の電極構造を有するＴＦＴ
を用いることにより、アナログバッファの性能を向上す
ることができる。

【００４４】図９は作動増幅回路入力段の配線を示す平
面図であり、ＴＦＴ（８０１）、（８０２）を図５
（ａ）に示す電極構造を有するＴＦＴ（９０１）、（９
０２）で構成して、ノイズ対策を図るようにしている。

【００４５】また、画素部のように、ＴＦＴを電荷制御
スイッチとし、コンデンサに電荷を蓄積させる構造にお
いて、リーク電流を低減することにより、コンデンサに
電荷を確実に保持させることが可能になる。電荷の損失
が減少すれば、許容電位変位まで、容量を削減すること
が可能になり、面積縮小や微細加工につながる。

【００４６】［実施例３］図１０（ａ）、図１０（ｂ）
は実施例３のＴＦＴの平面構成図である。

【００４７】図１０（ａ）はソース電極またはドレイン
電極の周囲を全て取り囲むように、ゲイト電極が配置さ
れることを特徴とする。半導体膜の活性層（１００４）
において、矩形の電極（１００１）の外側を囲むよう
に、電極（１００１）の中心を対称中心となるように、
ゲイト電極（１００２）、電極（１００３）が配置さ
れ、且つ、電極（１００１）、ゲイト電極（１００
２）、電極（１００３）はそれぞれ外形を略相似な矩形
とされて、活性層（１００４）の中心に対称中心を有す
るように形成されている。

【００４８】電極（１００１）はゲイト電極（１００
２）を構成する配線金属とは異なる層に形成されるてい
るため、ゲイト電極（１００２）と重なってもよい。電
極（１００１）と電極（１００３）は、同一層の配線金
属で構成されているので、短絡をさけるために、電極
（１００３）を矩形の一部が欠けた形状にする。なお、
電極（１００１）、（１００３）はいずれか一方をソー
ス電極とし、他方をドレイン電極として使用すればよ
い。

【００４９】上記の構成において、ゲイト電極（１００
２）を構成する配線金属が、半導体膜の活性層（１００
４）のエッジを横切る部分がある。しかしながら、短絡
する半導体膜の活性層のエッジの両側は、電気的に同電
位であるので問題はない。

【００５０】例えば、本実施例のＴＦＴを画素ＴＦＴと
して用いる場合には、ＴＦＴと配線とを形成した後に、
保護膜を形成し、さらに電極を透明導電体で形成すれば
よい。図１０（ａ）において、電極（１００１）、ゲイ
ト電極（１００２）、電極（１００３）をそれぞれ異な
る層に配線し、かつ電極（１００１）をドレイン電極と
して透明導電体で形成し、電極（１００３）をソース電
極として配線金属で形成することにより、画素ＴＦＴを
作成することができる。このような電極構造を採用する
ことにより、リーク電流を減少できると共に、ドレイン
電極として用いられる電極（１００１）とゲイト電極
（１００２）との配線容量を減少することができる。

【００５１】上記のように３層金属配線ができ、配線容
量を無視することができる場合には、ソース電極とドレ
イン電極とが短絡することがないので、電極（１００
３）に切り欠きを形成しないで、図１０（ｂ）に示すよ
うな電極構造を有するＴＦＴを構成することもできる。
半導体の活性層（１００８）において、矩形の電極（１
００５）の外側を囲むように、ゲイト電極（１００
６）、矩形環状の電極（１００７）が配置され、かつ電
極（１００５）、ゲイト電極（１００６）、電極（１０
０７）はそれぞれ外形を略相似な矩形とされ、活性層
（１００８）の中心に対称中心を有するように形成され
ている。

【００５２】また、電極（１００５）と（１００７）は
相異なる層に形成されるため、電極（１００７）には切
り欠きが形成されていない。なお、電極（１００５）、
（１００７）のいずれか一方をソース電極として用い
て、他方をゲイト電極として用いればよい。特に、（１
００７）をソース電極として金属配線で形成して、（１
００５）をドレイン電極として透明導電体で形成した構
造のＴＦＴを画素ＴＦＴとして使用するれば、リーク電
流に対して有効である。

【００５３】ＴＦＴを電荷制御スイッチとして、コンデ
ンサに電荷を蓄積させる場合に、リーク電流を低減する
ことは、コンデンサに電荷を確実に保持させることに効
果がある。電荷の損失が減少すれば、許容電位変位まで
容量を減らすことが可能になり、面積縮小や微細加工に
つながる。

【００５４】［実施例４］図１１（ａ）、図１１（ｂ）
に本実施例のＴＦＴの平面構成図であり、半導体の活性
層（１１０４）において、電極（１１０１）の周囲に
は、ゲイト電極（１１０２）、電極（１１０３）が配置
されている。電極（１１０１）、ゲイト電極（１１０
２）、電極（１１０３）はそれぞれ外形を略相似な矩形
とされ、活性層（１１０４）の中心に対称中心を有する
ように形成されている。

【００５５】電極（１１０１）は、ゲイト電極（１１０
２）を構成する配線金属とは異なる層に配置されている
ので、ゲイト電極（１１０２）と重なることで、コンデ
ンサが形成される。このコンデンサの形成を回避するた
めに、電極（１１０２）を矩形環の一部が欠けた形状と
し、電極（１１０１）との重なりを回避するようにして
いる。［実施例３］のＴＦＴはこのコンデンサを無視で
きる場合に使用して、〔実施例４〕のＴＦＴはコンデン
サを無視できない場合に使用すればよい。

【００５６】電極（１１０１）と電極（１１０３）とは
同一層の配線金属で構成される。従って、短絡をさける
ために、電極（１１０３）は、矩形の一部が欠けた形状
となる。また、電極（１１０１）、（１１０３）のいず
れか一方をソース電極として用いて、他方をドレイン電
極として用いればよい。

【００５７】上記の電極構造において、ゲイト電極（１
１０２）を構成する配線金属が、半導体膜の活性層（１
１０４）のエッジを横切る部分がある。しかし短絡する
半導体膜の活性層（１１０４）のエッジの両側は電気的
に同電位であるので、問題はない。

【００５８】なお、活性層（１００４）に不純物をドー
ピングする場合には、ゲイト電極（１１０２）をマスク
に用いて、不純物をドーピングすると、不純物がドーピ
ングされた半導体膜の活性層（１１０４）を介して、ド
レイン電極とソース電極が短絡してしまう。このため、
半導体膜の活性層（１１０４）をドレイン領域とソース
領域に分離するパターンをマスクに加える等の工夫が必
要になる。

【００５９】本実施例のＴＦＴを画素ＴＦＴとして用い
る場合には、ＴＦＴと配線とを形成した後に、保護膜を
形成し、さらに電極を透明導電体で形成すればよい。図
１１（ａ）において、電極（１１０１）、ゲイト電極
（１１０２）、電極（１１０３）をそれぞれ異なる層に
配線し、かつ電極（１１０１）をドレイン電極として透
明導電体で作成して、電極（１１０３）をソース電極と
して配線金属で形成することにより、画素ＴＦＴを作成
することができる。このような電極構造を採用すること
により、リーク電流を減少できると共に、ドレイン電極
として用いられる電極（１１０１）とゲイト電極（１１
０２）との配線容量を減少することができる。

【００６０】上記のように３層金属配線ができ、配線容
量を無視することができる場合には、ソース電極とドレ
イン電極とが短絡することがないので、電極に切り欠き
を形成しないで、図１１（ｂ）に示すような電極構造を
有するＴＦＴを構成することもできる。半導体の活性層
（１１０８）において、矩形の電極（１１０５）の外側
を囲むように、ゲイト電極（１００６）が配置され、矩
形環状の電極（１１０７）が配置されている。電極（１
１０５）と（１１０７）は相異なる層に形成されるた
め、電極（１１０７）には切り欠きが形成されていな
い。

【００６１】なお、電極（１１０５）、（１１０７）の
いずれか一方をソース電極として用いて、他方をゲイト
電極として用いればよい。特に、（１１０７）をソース
電極として金属配線で形成して、（１１０５）をドレイ
ン電極として透明導電体で形成した構造のＴＦＴを画素
ＴＦＴとして用いると、リーク電流に対して有効とな
る。

【００６２】図１０、図１１に示すように［実施例
３］、［実施例４］の電極構造は、矩形環状の電極が同
一点を対称中心とするように配置されているため、半導
体の活性層に、チャネル領域を電極と略相似形に形成す
る必要がある。更に、ＴＦＴの特性を向上するために、
半導体材料の結晶性を高めることも要求されている。こ
こでは、結晶性の良好な半導体材料を形成する方法とし
て、結晶化を助長する触媒元素を選択的に活性層に添加
する方法を採用する。図１２（ａ）、図１２（ｂ）に基
づいて、結晶化を助長する触媒元素を選択的に活性層に
添加して、結晶成長させ、かつ電極と相似形のチャネル
領域を形成する方法ついて説明する。

【００６３】図１２（ａ）は半導体の活性層の結晶化を
説明する模式図であり、半導体膜をエッチングして島状
の活性層（１２０４）を形成する。活性層（１２０４）
の中心部の矩形状の領域（１２０１）内に結晶化を助長
する触媒元素を添加する。加熱処理等により、矢印（１
２０２）で示すように、矩形環状の領域（１２０１）が
拡大する方向に活性層（１２０４）の結晶成長が進行す
るようにする。

【００６４】他方、図１２（ｂ）は半導体の活性層の結
晶化を説明する他の模式図であり、半導体膜をエッチン
グして島状の活性層（１２０８）を形成する。活性層
（１２０８）の外縁付近の、活性層（１２０８）の中心
に中心を有する円環状の領域（１２０５）に、結晶化を
助長する触媒元素を添加する。加熱処理等により、矢印
（１２０６）で示すように、矩形環状の領域（１２０
５）が縮小する方向に結晶成長が進行するようにする。

【００６５】この矢印（１２０２）、（１２０６）で示
す結晶成長により、触媒元素は結晶成長の起点と終点と
に高濃度に存在することが明らかになっている。従っ
て、この領域を避けてチャネル領域を形成する必要があ
るため、チャネルとなる領域（１２０３）、（１２０
７）を結晶成長の起点と終点の略中間に形成して、その
形状が島状の活性層（１２０４）、（１２０８）の中心
に対称中心を有し、図１０、図１０、図１１に示す電極
と略相似形になるように矩形環状に形成する。

【００６６】図１２（ａ）、図１２（ｂ）に示すように
触媒元素を用いて、半導体材料を結晶化をした場合で
も、触媒元素が高濃度に存在する領域を避けて、電極と
相似な矩形環状のチャネル領域（１２０３）、（１２０
７）を形成できる。従って、［実施例３］、［実施例
４］の電極配置を有するＴＦＴの製造工程に、結晶化を
助長する触媒元素を用いて、活性層を選択的に結晶化す
る工程を採用することが可能になる。

【００６７】

【発明の効果】本発明に係る液晶表示装置において、Ｔ
ＦＴの電極構造を半導体膜の活性層のエッジ部分をゲイ
ト電極が横切るようにしても、ゲイト電極が横切る半導
体膜のエッジ部分の電位を等しくし、かつ、このエッジ
部分がソース電極とドレイン電極を結ぶ線上にないよう
にして、ゲイト電極により、ソース電極とドレイン電極
が短絡されないようにしたため、半導体膜のエッジ部分
で生ずるリーク電流を低減することができる。ＴＦＴに
おいて、リーク電流を低減することは、画素部のコンデ
ンサが電位を確実に保持することができる。電位が保持
できれば、次の電位更新まで映像信号の入力状態を恒常
的に維持することができる。従って、液晶表示装置にお
いて、コントラストの低下やフリッカーの発生を回避す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来例の信号線走査回路のブロック回路図で
ある。

【図２】従来のＴＦＴの平面構成図である。

【図３】従来のＴＦＴの平面構成図であり、リーク電
流の発生場所を示す説明図である。

【図４】従来のリーク電流の発生機構の説明図であ
る。

【図５】実施例１のＴＦＴの構成図である。

【図６】実施例２のＴＦＴの構成図である。

【図７】実施例１、実施例２において、半導体の活性
層の結晶化を説明する模式図である。

【図８】アナログバッファ回路の構成図である。

【図９】アナログバッファ回路の素子配置図である。

【図１０】実施例３のＴＦＴの構成図である。

【図１１】実施例４のＴＦＴの構成図である。

【図１２】実施例３、実施例４において、半導体の活
性層の結晶化を説明する模式図である。

【符号の説明】

（５０１）、（５０３）、（５０５）、（５０７）・・
・電極（５０２）、（５０６）・・・ゲイト電極（５０４）、（５０８）・・・半導体膜の活性層（６０１）、（６０３）、（６０５）、（６０７）・・
・電極（６０２）、（６０６）・・・ゲイト電極（６０４）、（６０８）・・・半導体膜の活性層（７０１）、（７０５）・・・触媒添加領域（７０２）、（７０６）・・・成長方向（７０３）、（７０７）・・・ゲイト電極（７０４）、（７０８）・・・半導体膜の活性層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ゲイト電極がドレイン電極を囲むように配
置され、前記ゲイト電極の外側に、前記ゲイト電極をほ
ぼ囲むようにソース電極が配置された構造の薄膜トラン
ジスタを画素薄膜トランジスタとして有することを特徴
とする液晶表示装置。
【請求項２】請求項１において、前記ゲイト電極と、前
記ドレイン電極と、前記ソース電極とがほぼ同心円状に
配置された電極構造を有する薄膜トランジスタを画素薄
膜トランジスタとして有することを特徴とする液晶表示
装置。
【請求項３】請求項１において、前記ゲイト電極と、前
記ドレイン電極と、前記ソース電極とがほぼ同一の点を
対称中心とする矩形、あるいは多角形の電極構造を有す
る薄膜トランジスタを画素薄膜トランジスタとして有す
ることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】請求項１において、前記ドレイン電極又は
前記ソース電極と相似形又はそれに近い形状の触媒添加
領域によって、結晶化された薄膜トランジスタを画素薄
膜トランジスタとして有することを特徴とする液晶表示
装置。
【請求項５】請求項１において、前記ドレイン電極を透
明導電体で構成した薄膜トランジスタを画素薄膜トラン
ジスタとして有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】ゲイト電極がドレイン電極をほぼ囲むよう
に配置され、前記ゲイト電極の外側に、前記ゲイト電極
をほぼ囲むようにソース電極が配置された構造の薄膜ト
ランジスタを画素薄膜トランジスタとして有することを
特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】請求項６において、前記ゲイト電極と、前
記ドレイン電極と、前記ソース電極とがほぼ同心円状に
配置された電極構造を有する薄膜トランジスタを画素薄
膜トランジスタとして有することを特徴とする液晶表示
装置。
【請求項８】請求項６において、前記ゲイト電極と、前
記ドレイン電極と、前記ソース電極とがほぼ同一の点を
対称中心とする矩形、あるいは多角形の電極構造を有す
る薄膜トランジスタを画素薄膜トランジスタとして有す
ることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】請求項６において、前記ドレイン電極又は
前記ソース電極と相似形又はそれに近い形状の触媒添加
領域によって、結晶化された薄膜トランジスタを画素薄
膜トランジスタとして有することを特徴とする液晶表示
装置。
【請求項１０】請求項６において、前記ドレイン電を透
明導電体で構成した薄膜トランジスタを画素薄膜トラン
ジスタとして有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】ゲイト電極がソース電極を囲むように配
置され、前記ゲイト電極の外側に、前記ゲイト電極をほ
ぼ囲むようにドレイン電極が配置された電極構造を有す
る薄膜トランジスタを画素薄膜トランジスタとして有す
ることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１２】請求項１１において、前記ゲイト電極
と、前記ドレイン電極と、前記ソース電極とがほぼ同心
円状に配置された電極構造を有する薄膜トランジスタを
画素薄膜トランジスタとして有することを特徴とする液
晶表示装置。
【請求項１３】請求項１１において、前記ゲイト電極
と、前記ドレイン電極と、前記ソース電極とがほぼ同一
の点を対称中心とする矩形、あるいは多角形の電極構造
を有する薄膜トランジスタを画素薄膜トランジスタとし
て有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１４】請求項１１において、前記ドレイン電極
又は前記ソース電極と相似形又はそれに近い形状の触媒
添加領域によって、結晶化された薄膜トランジスタを画
素薄膜トランジスタとして有することを特徴とする液晶
表示装置。
【請求項１５】ゲイト電極がソース電極をほぼ囲むよう
に配置され、前記ゲイト電極の外側に、前記ゲイト電極
をほぼ囲むようにドレイン電極が配置された電極構造を
有する薄膜トランジスタを画素薄膜トランジスタとして
有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１６】請求項１５において、前記ゲイト電極
と、前記ドレイン電極と、前記ソース電極とがほぼ同心
円状に配置された電極構造を有する薄膜トランジスタを
画素薄膜トランジスタとして有することを特徴とする液
晶表示装置。
【請求項１７】請求項１５において、前記ゲイト電極
と、前記ドレイン電極と、前記ソース電極とがほぼ同一
の点を対称中心とする矩形、あるいは多角形の電極構造
を有する薄膜トランジスタを画素薄膜トランジスタとし
て有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１８】請求項１５において、前記ドレイン電極
又は前記ソース電極と相似形又はそれに近い形状の触媒
添加領域によって、結晶化された薄膜トランジスタを画
素薄膜トランジスタとして有することを特徴とする液晶
表示装置。
【請求項１９】ゲイト電極がドレイン電極を囲むように
配置され、前記ゲイト電極の外側に、前記ゲイト電極を
ほぼ囲むようにソース電極が配置された電極構造を有す
る薄膜トランジスタにより、周辺駆動回路を構成するこ
とを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２０】請求項１９において、前記ゲイト電極
と、前記ドレイン電極と、前記ソース電極とがほぼ同心
円状に配置された電極構造を有する薄膜トランジスタに
より、周辺駆動回路を構成することを特徴とする液晶表
示装置。
【請求項２１】請求項１９において、前記ゲイト電極
と、前記ドレイン電極と、前記ソース電極とがほぼ同一
の点を対称中心とする矩形、あるいは多角形の電極構造
を有する薄膜トランジスタを周辺駆動回路の構成トラン
ジスタとして有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２２】請求項１９において、ドレイン電極又は
ソース電極と相似形又はそれに近い形状の触媒添加領域
によって、結晶化された薄膜トランジスタを画素薄膜ト
ランジスタとして有することを特徴とする液晶表示装
置。
【請求項２３】ゲイト電極がドレイン電極をほぼ囲むよ
うに配置され、前記ゲイト電極の外側に、前記ゲイト電
極をほぼ囲むように、ソース電極が配置された電極構造
の薄膜トランジスタにより、周辺駆動回路を構成するこ
とを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２４】請求項２３において、前記ゲイト電極
と、前記ドレイン電極と、前記ソース電極とがほぼ同心
円状に配置された電極構造を有する薄膜トランジスタを
周辺駆動回路の構成トランジスタとして有することを特
徴とする液晶表示装置。
【請求項２５】請求項２３において、前記ゲイト電極
と、前記ドレイン電極と、前記ソース電極とがほぼ同一
の点を対称中心とする矩形、あるいは多角形の電極構造
を有する薄膜トランジスタにより、周辺駆動回路を構成
することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２６】請求項２３において、前記ドレイン電極
又は前記ソース電極と相似形又はそれに近い形状の触媒
添加領域によって、結晶化された薄膜トランジスタを画
素薄膜トランジスタとして有することを特徴とする液晶
表示装置。
【請求項２７】ゲイト電極がソース電極を囲むように配
置され、前記ゲイト電極の外側に、前記ゲイト電極をほ
ぼ囲むように、ドレイン電極が配置された構造の薄膜ト
ランジスタにより周辺駆動回路を構することを特徴とす
る液晶表示装置。
【請求項２８】請求項２７において、前記ゲイト電極
と、前記ドレイン電極と、前記ソース電極とがほぼ同心
円状に配置された電極構造を有する薄膜トランジスタに
より、周辺駆動回路を構成することを特徴とする液晶表
示装置。
【請求項２９】請求項２７において、前記ゲイト電極
と、前記ドレイン電極と、前記ソース電極とがほぼ同一
の点を対称中心とする矩形、あるいは多角形の電極構造
を有する薄膜トランジスタにより、周辺駆動回路を構成
することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３０】請求項２７において、前記ドレイン電極
又は前記ソース電極と相似形又はそれに近い形状の触媒
添加領域によって、結晶化された薄膜トランジスタを画
素薄膜トランジスタとして有することを特徴とする液晶
表示装置。
【請求項３１】ゲイト電極がソース電極をほぼ囲むよう
に配置され、前記ゲイト電極の外側に、前記ゲイト電極
をほぼ囲むようにドレイン電極が配置された電極構造を
有する薄膜トランジスタにより、周辺駆動回路を構成す
ることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３２】請求項３１において、前記ゲイト電極
と、前記ドレイン電極と、前記ソース電極とがほぼ同心
円状に配置された電極構造を有する薄膜トランジスタに
より、周辺駆動回路を構成することを特徴とする液晶表
示装置。
【請求項３３】請求項３１において、前記ゲイト電極
と、前記ドレイン電極と、前記ソース電極とがほぼ同一
の点を対称中心とする矩形、あるいは多角形の電極構造
を有する薄膜トランジスタにより、周辺駆動回路を構成
することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３４】請求項３１において、前記ドレイン電極
又は前記ソース電極と相似形又はそれに近い形状の触媒
添加領域によって、結晶化された薄膜トランジスタを画
素薄膜トランジスタとして有することを特徴とする液晶
表示装置。
【請求項３５】ゲイト電極がドレイン電極を囲むように
配置され、前記ゲイト電極の外側に、前記ゲイト電極を
囲むようにソース電極が配置された構造の薄膜トランジ
スタを画素薄膜トランジスタとして有することを特徴と
する液晶表示装置。
【請求項３６】請求項３５において、前記ゲイト電極
と、前記ドレイン電極と、前記ソース電極とがほぼ同心
円状に配置された電極構造を有する薄膜トランジスタを
画素薄膜トランジスタとして有することを特徴とする液
晶表示装置。
【請求項３７】請求項３５において、前記ゲイト電極
と、前記ドレイン電極と、前記ソース電極とがほぼ同一
の点を対称中心とする矩形、あるいは多角形の電極構造
を有する薄膜トランジスタを画素薄膜トランジスタとし
て有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３８】請求項３５において、前記ドレイン電極
または前記ソース電極と相似形またはそれに近い形状の
触媒添加領域によって、結晶化された薄膜トランジスタ
を画素薄膜トランジスタとして有することを特徴とする
液晶表示装置。
【請求項３９】請求項３５において、前記ドレイン電極
が透明導電体で構成された薄膜トランジスタを画素薄膜
トランジスタとして有することを特徴とする液晶表示装
置。
【請求項４０】ゲイト電極がドレイン電極をほぼ囲むよ
うに配置され、前記ゲイト電極の外側に、前記ゲイト電
極を囲むようにソース電極が配置された電極構造の薄膜
トランジスタを画素薄膜トランジスタとして有すること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項４１】請求項４０において、前記ゲイト電極
と、前記ドレイン電極と、前記ソース電極とが、ほぼ同
心円状に配置された電極構造を有する薄膜トランジスタ
を画素薄膜トランジスタとして有することを特徴とする
液晶表示装置。
【請求項４２】請求項４０において、前記ゲイト電極
と、前記ドレイン電極と、前記ソース電極とがほぼ同一
の点を対称中心とする矩形、あるいは多角形の電極構造
を有する薄膜トランジスタを画素薄膜トランジスタとし
て有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４３】請求項４０において、前記ドレイン電極
又は前記ソース電極と相似形又はそれに近い形状の触媒
添加領域によって、結晶化された薄膜トランジスタを画
素薄膜トランジスタとして有することを特徴とする液晶
表示装置。
【請求項４４】請求項４０において、前記ドレイン電極
が透明導電体で構成された薄膜トランジスタを画素薄膜
トランジスタとして有することを特徴とする液晶表示装
置。
【請求項４５】ゲイト電極がソース電極を囲むように配
置され、前記ゲイト電極の外側に、前記ゲイト電極を囲
むように、ドレイン電極が配置された電極構造を有する
薄膜トランジスタを画素薄膜トランジスタとして有する
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４６】請求項４５において、前記ゲイト電極
と、前記ドレイン電極と、前記ソース電極とがほぼ同心
円状に配置された電極構造を有する薄膜トランジスタを
画素薄膜トランジスタとして有することを特徴とする液
晶表示装置。
【請求項４７】請求項４５において、前記ゲイト電極
と、前記ドレイン電極と、前記ソース電極とがほぼ同一
の点を対称中心とする矩形、あるいは多角形の電極構造
を有する薄膜トランジスタを画素薄膜トランジスタとし
て有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４８】請求項４５において、前記ドレイン電極
又は前記ソース電極と相似形又はそれに近い形状の触媒
添加領域によって、結晶化された薄膜トランジスタを画
素薄膜トランジスタとして有することを特徴とする液晶
表示装置。
【請求項４９】ゲイト電極がソース電極をほぼ囲むよう
に配置され、前記ゲイト電極の外側に、前記ゲイト電極
を囲むようにドレイン電極が配置された電極構造を有す
る薄膜トランジスタを画素薄膜トランジスタとして有す
ることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５０】請求項４９において、前記ゲイト電極
と、前記ドレイン電極と、前記ソース電極とがほぼ同心
円状に配置された電極構造を有する薄膜トランジスタを
画素薄膜トランジスタとして有することを特徴とする液
晶表示装置。
【請求項５１】請求項４９において、前記ゲイト電極
と、前記ドレイン電極と、前記ソース電極とがほぼ同一
の点を対称中心とする矩形、あるいは多角形の電極構造
を有する薄膜トランジスタを画素薄膜トランジスタとし
て有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５２】請求項４９において、前記ドレイン電極
又は前記ソース電極と相似形又はそれに近い形状の触媒
添加領域によって、結晶化された薄膜トランジスタを画
素薄膜トランジスタとして有することを特徴とする液晶
表示装置。
【請求項５３】ゲイト電極がドレイン電極を囲むように
配置され、前記ゲイト電極の外側に、前記ゲイト電極を
囲むようにソース電極が配置された電極構造を有する薄
膜トランジスタにより、周辺駆動回路を構成することを
特徴とする液晶表示装置。
【請求項５４】請求項５３において、前記ゲイト電極
と、前記ドレイン電極と、前記ソース電極とがほぼ同心
円状に配置された電極構造を有する薄膜トランジスタに
より、周辺駆動回路を構成することを特徴とする液晶表
示装置。
【請求項５５】請求項５３において、前記ゲイト電極
と、前記ドレイン電極と、前記ソース電極とがほぼ同一
の点を対称中心とする矩形、あるいは多角形の電極構造
を有する薄膜トランジスタにより、周辺駆動回路を構成
することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５６】請求項５３において、前記ドレイン電極
又は前記ソース電極と相似形又はそれに近い形状の触媒
添加領域によって、結晶化されることを特徴とする薄膜
トランジスタを画素薄膜トランジスタとして有する液晶
表示装置。
【請求項５７】ゲイト電極がドレイン電極をほぼ囲むよ
うに配置され、前記ゲイト電極の外側に、前記ゲイト電
極を囲むようにソース電極が配置された電極構造を有す
る薄膜トランジスタにより、周辺駆動回路を構成するこ
とを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５８】請求項５７において、前記ゲイト電極
と、前記ドレイン電極と、前記ソース電極とがほぼ同心
円状に配置された電極構造を有する薄膜トランジスタに
より、周辺駆動回路を構成することを特徴とする液晶表
示装置。
【請求項５９】請求項５７において、前記ゲイト電極
と、前記ドレイン電極と、前記ソース電極とがほぼ同一
の点を対称中心とする矩形、あるいは多角形の電極構造
を有する薄膜トランジスタを周辺駆動回路の構成トラン
ジスタとして有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６０】請求項５７において、前記ドレイン電極
又は前記ソース電極と相似形又はそれに近い形状の触媒
添加領域によって、結晶化された薄膜トランジスタを画
素薄膜トランジスタとして有することを特徴とする液晶
表示装置。
【請求項６１】ゲイト電極がソース電極を囲むように配
置され、前記ゲイト電極の外側に、前記ゲイト電極を囲
むようにドレイン電極が配置された電極構造を有する薄
膜トランジスタにより、周辺駆動回路を構成することを
特徴とする液晶表示装置。
【請求項６２】請求項６１において、前記ゲイト電極
と、前記ドレイン電極と、前記ソース電極とがほぼ同心
円状に配置された電極構造を有する薄膜トランジスタに
より、周辺駆動回路を構成することを特徴とする液晶表
示装置。
【請求項６３】請求項６１において、前記ゲイト電極
と、前記ドレイン電極と、前記ソース電極とがほぼ同一
の点を対称中心とする矩形、あるいは多角形の電極構造
を有する薄膜トランジスタにより、周辺駆動回路を構成
することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６４】請求項６１において、前記ドレイン電極
又は前記ソース電極と相似形又はそれに近い形状の触媒
添加領域によって、結晶化された薄膜トランジスタを画
素薄膜トランジスタとして有することを特徴とする液晶
表示装置。
【請求項６５】ゲイト電極がソース電極をほぼ囲むよう
に配置され、前記ゲイト電極の外側に、前記ゲイト電極
を囲むようにドレイン電極が配置された電極構造を有す
る薄膜トランジスタにより、周辺駆動回路を構成するこ
とを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６６】請求項６５において、前記ゲイト電極
と、前記ドレイン電極と、前記ソース電極とがほぼ同心
円状に配置された電極構造を有する薄膜トランジスタに
より、周辺駆動回路を構成することを特徴とする液晶表
示装置。
【請求項６７】請求項６５において、前記ゲイト電極
と、前記ドレイン電極と、前記ソース電極とがほぼ同一
の点を対称中心とする矩形、あるいは多角形の電極構造
を有する薄膜トランジスタにより、周辺駆動回路を構成
することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６８】請求項６５において、前記ドレイン電極
又は前記ソース電極と相似形又はそれに近い形状の触媒
添加領域によって、結晶化された薄膜トランジスタを画
素薄膜トランジスタとして有する液晶表示装置。