JP2015082702A - 半導体装置の駆動制御装置 - Google Patents
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Abstract
Description
12 パワースイッチング素子
14 IGBT部
16 ダイオード部
20 駆動制御装置
24 ゲート駆動回路
26 ゲートモニタ回路
28 ミラー効果判定回路
30 クロック
32 オンオフ判定回路
Claims (10)
- トランジスタとダイオードとが逆並列に接続される半導体装置の駆動制御装置であって、
前記トランジスタのゲートに生じているゲート電圧をモニタするゲート電圧モニタ手段と、
前記ゲート電圧モニタ手段によりモニタした前記ゲート電圧の波形に基づいて、ミラー効果が生ずるか否かを判別するミラー効果有無判別手段と、
前記ミラー効果有無判別手段により判別されるミラー効果の有無に応じて、前記ダイオードが通電しているか否かを判定する通電判定手段と、
を備えることを特徴とする半導体装置の駆動制御装置。 - 前記ゲート電圧モニタ手段は、前記トランジスタのゲートに印加する印加電圧が閾値以上であることで該トランジスタがオンされている状態から該印加電圧を下げたときの前記ゲート電圧をモニタする第1モニタ手段を有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の駆動制御装置。
- 前記ミラー効果有無判別手段は、前記トランジスタがオンされている状態から前記印加電圧が下げられた後の第1所定時間内に、前記第1モニタ手段によりモニタされる前記ゲート電圧がゼロを上回る略一定値に維持される第1期間があるか否かを判別する第1有無判別手段を有し、
前記通電判定手段は、前記第1所定時間内に前記第1期間があると判別される場合にミラー効果が生じたとして前記ダイオードが通電していないと判定し、また、前記第1所定時間内に前記第1期間がないと判別される場合にミラー効果が生じないとして前記ダイオードが通電していると判定する第1通電判定手段を有することを特徴とする請求項2記載の半導体装置の駆動制御装置。 - 前記トランジスタがオンされている状態から前記印加電圧を下げた後、前記通電判定手段により前記ダイオードが通電していないと判定された場合に、該印加電圧を前記閾値以上に戻す第1印加電圧制御手段を備えることを特徴とする請求項3記載の半導体装置の駆動制御装置。
- 前記第1印加電圧制御手段は、前記トランジスタがオンされている状態から前記印加電圧を下げる処理を、前記通電判定手段により前記ダイオードが通電していないと判定される限り第1所定時間間隔ごとに繰り返し行うことを特徴とする請求項4記載の半導体装置の駆動制御装置。
- 前記第1所定時間内に前記第1期間があると判別された場合におけるゼロを上回る略一定値に維持される前記ゲート電圧の大きさに応じて、前記第1所定時間間隔を変更する第1所定時間変更手段を備えることを特徴とする請求項5記載の半導体装置の駆動制御装置。
- 前記ゲート電圧モニタ手段は、前記印加電圧が前記閾値未満であることで該トランジスタがオフされている状態から該印加電圧を上げたときの前記ゲート電圧をモニタする第2モニタ手段を有することを特徴とする請求項2乃至6の何れか一項記載の半導体装置の駆動制御装置。
- 前記ミラー効果有無判別手段は、前記トランジスタがオフされている状態から前記印加電圧が上げられた後の第2所定時間内に、前記第2モニタ手段によりモニタされる前記ゲート電圧が所望電圧を下回る略一定値に維持される第2期間があるか否かを判別する第2有無判別手段を有し、
前記通電判定手段は、前記第2所定時間内に前記第2期間があると判別される場合にミラー効果が生じたとして前記ダイオードが通電していないと判定し、また、前記第2所定時間内に前記第2期間がないと判別される場合にミラー効果が生じないとして前記ダイオードが通電していると判定する第2通電判定手段を有することを特徴とする請求項7記載の半導体装置の駆動制御装置。 - 前記トランジスタがオフされている状態から前記印加電圧を上げた後、前記通電判定手段により前記ダイオードが通電していると判定された場合に、該記印加電圧を前記閾値未満に戻す第2印加電圧制御手段を備えることを特徴とする請求項8記載の半導体装置の駆動制御装置。
- 前記第2印加電圧制御手段は、前記トランジスタがオフされている状態から前記印加電圧を上げる処理を、前記通電判定手段により前記ダイオードが通電していると判定される限り第2所定時間間隔ごとに繰り返し行うことを特徴とする請求項9記載の半導体装置の駆動制御装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101794455B1 (ko) | 2016-08-09 | 2017-11-07 | 공주대학교 산학협력단 | 직류배전용 반도체 스위치의 게이트 구동회로 |
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2013
- 2013-10-21 JP JP2013218665A patent/JP6024641B2/ja active Active
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