JP2019161720A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2019161720A5
JP2019161720A5 JP2018041630A JP2018041630A JP2019161720A5 JP 2019161720 A5 JP2019161720 A5 JP 2019161720A5 JP 2018041630 A JP2018041630 A JP 2018041630A JP 2018041630 A JP2018041630 A JP 2018041630A JP 2019161720 A5 JP2019161720 A5 JP 2019161720A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pwm signal
gate
conducting
signal
pwm
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018041630A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7372027B2 (ja
JP2019161720A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2018041630A priority Critical patent/JP7372027B2/ja
Priority claimed from JP2018041630A external-priority patent/JP7372027B2/ja
Priority to EP19764383.6A priority patent/EP3764533A4/en
Priority to PCT/JP2019/001524 priority patent/WO2019171783A1/ja
Publication of JP2019161720A publication Critical patent/JP2019161720A/ja
Publication of JP2019161720A5 publication Critical patent/JP2019161720A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7372027B2 publication Critical patent/JP7372027B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (12)

  1. 3相各相の上アームに接続される第1のデュアルゲートIGBTおよび当該3相各相の下アームに接続される第2のデュアルゲートIGBTと、
    前記第1および前記第2のデュアルゲートIGBTそれぞれに逆並列に接続されるダイオードとから構成されるインバータ装置であって、
    前記第1および前記第2のデュアルゲートIGBTそれぞれは、第1および第2のゲート端子を有し、前記第1および前記第2のゲート端子の少なくともいずれかに閾値電圧以上の電圧を印加することで非導通状態から導通状態へ移行し、前記第1および第2のゲート端子に前記閾値電圧未満の電圧印加されることで導通状態から非導通状態へ移行する特性を有し、
    前記第1のデュアルゲートIGBTの前記第1のゲート端子は、第1のPWM信号を用いて生成した第1のゲート信号により駆動され、前記第1のデュアルゲートIGBTの前記第2のゲート端子は、第3のPWM信号を用いて生成した第のゲート信号により駆動され、
    前記第2のデュアルゲートIGBTの前記第1のゲート端子は、第2のPWM信号を用いて生成した第のゲート信号により駆動され、前記第2のデュアルゲートIGBTの前記第2のゲート端子は、第4のPWM信号を用いて生成した第4のゲート信号により駆動され
    前記第1のPWM信号は、負荷を駆動制御するための電圧指令信号に基づいて導通幅が変調され、
    前記第2のPWM信号は、前記第1のPWM信号の正負を逆相にした信号であり、
    前記第3のPWM信号は、前記第1のPWM信号の導通幅が予め設定された期間より大きい場合には、当該第1のPWM信号と同じ導通幅の期間内に位置し当該第1のPWM信号の導通幅より短い導通幅に変調され、前記第1のPWM信号の導通幅が前記予め設定された期間以下の場合には、非導通のままであり、
    前記第4のPWM信号は、前記第2のPWM信号の導通幅が前記予め設定された期間より大きい場合には、当該第2のPWM信号と同じ導通幅の期間内に位置し当該第2のPWM信号の導通幅より短い導通幅に変調され、前記第2のPWM信号の導通幅が前記予め設定された期間以下の場合には、非導通のままであり、
    前記第1のデュアルゲートIGBTの前記第1のゲート端子の端子電圧を検知し、当該端子電圧を第1のフィードバック信号として前記第1のPWM信号と比較し、当該双方の信号が異なる際には警告信号を出力し、
    前記第2のデュアルゲートIGBTの前記第1のゲート端子の端子電圧を検知し、当該端子電圧を第2のフィードバック信号として前記第2のPWM信号と比較し、当該双方の信号が異なる際には警告信号を出力する
    ことを特徴とするインバータ装置。
  2. 請求項1に記載のインバータ装置であって、
    前記警告信号に基づいて、前記第1から第4のPWM信号全てを導通とする
    ことを特徴とするインバータ装置。
  3. 請求項1に記載のインバータ装置であって、
    前記第3のPWM信号は、前記第1のPWM信号が非導通から導通へ変化するタイミングから少なくとも1μ秒経過した後に非導通から導通へ変化し、前記第1のPWM信号が導通から非導通へ変化するタイミングから少なくとも5μ秒以前に導通から非導通へ変化し、
    前記第4のPWM信号は、前記第2のPWM信号が非導通から導通へ変化するタイミングから少なくとも1μ秒経過した後に非導通から導通へ変化し、前記第2のPWM信号が導通から非導通へ変化するタイミングから少なくとも5μ秒以前に導通から非導通へ変化し、
    前記第1のPWM信号は、前記第2のPWM信号が非導通の期間幅より短い導通幅であり、かつ当該導通幅が前記第2のPWM信号の非導通の期間内に生成され、
    前記第2のPWM信号は、前記第1のPWM信号が非導通の期間幅より短い導通幅であり、かつ当該導通幅が前記第1のPWM信号の非導通の期間内に生成され、
    前記第1のPWM信号は、前記第2のPWM信号が導通から非導通に変化するタイミングから少なくとも2μ秒経過した後に非導通から導通に変化し、
    前記第2のPWM信号は、前記第1のPWM信号が導通から非導通に変化するタイミングから少なくとも2μ秒経過した後に非導通から導通に変化する
    ことを特徴とするインバータ装置。
  4. 請求項1からのいずれか1項に記載のインバータ装置であって、
    前記第1のデュアルゲートIGBTの前記第2のゲート端子の端子電圧を検知し、当該端子電圧を第3のフィードバック信号として前記第3のPWM信号と比較し、当該双方の信号が異なる際には警告信号を出力し、
    前記第2のデュアルゲートIGBTの前記第2のゲート端子の端子電圧を検知し、当該端子電圧を第4のフィードバック信号として前記第4のPWM信号と比較し、当該双方の信号が異なる際には警告信号を出力する
    ことを特徴とするインバータ装置。
  5. 請求項1からのいずれか1項に記載のインバータ装置であって、
    前記ダイオードは、半導体基体に炭化ケイ素を用いたショットキーバリアダイオードである
    ことを特徴とするインバータ装置。
  6. 請求項1から5のいずれか1項に記載のインバータ装置であって、
    前記第1および第2のPWM信号を生成するPWM制御演算部と、
    前記第1のPWM信号を受けて前記第3のPWM信号を生成する第1のPWM信号変換部と、
    前記第2のPWM信号を受けて前記第4のPWM信号を生成する第2のPWM信号変換部と、
    前記第1から第4のPWM信号をそれぞれに受けて前記第1から第4のゲート信号を生成する第1から第4のゲート出力回路部と
    を備え、
    前記第1のPWM信号変換部、前記第1のゲート出力回路部および前記第3のゲート出力回路部により第1のゲート駆動回路を構成し、
    前記第2のPWM信号変換部、前記第2のゲート出力回路部および前記第4のゲート出力回路部により第2のゲート駆動回路を構成する
    ことを特徴とするインバータ装置。
  7. 請求項1から5のいずれか1項に記載のインバータ装置であって、
    前記第1および第2のPWM信号を生成するPWM制御演算部と、
    前記第1のPWM信号を受けて前記第3のPWM信号を生成する第1のPWM信号変換部と、
    前記第2のPWM信号を受けて前記第4のPWM信号を生成する第2のPWM信号変換部と、
    前記第1から第4のPWM信号をそれぞれに受けて前記第1から第4のゲート信号を生成する第1から第4のゲート出力回路部と
    を備え、
    前記第1のゲート出力回路部および前記第3のゲート出力回路部により第1のゲート駆動回路を構成し、
    前記第2のゲート出力回路部および前記第4のゲート出力回路部により第2のゲート駆動回路を構成し、
    前記第1のPWM信号変換部および前記第2のPWM信号変換部を前記PWM制御演算部内に設ける
    ことを特徴とするインバータ装置。
  8. 請求項6または7に記載のインバータ装置であって、
    前記PWM制御演算部は、プログラム可能な集積回路から構成される
    ことを特徴とするインバータ装置。
  9. 請求項1から8のいずれか1項に記載のインバータ装置を搭載した電気鉄道車両
  10. 3相各相の上アームに接続される第1のデュアルゲートIGBTおよび当該3相各相の下アームに接続される第2のデュアルゲートIGBTと、前記第1および前記第2のデュアルゲートIGBTそれぞれに逆並列に接続されるダイオードとから構成されるインバータ装置の駆動方法であって、
    前記第1および前記第2のデュアルゲートIGBTそれぞれは、第1および第2のゲート端子を備え、前記第1および前記第2のゲート端子の少なくともいずれかに閾値電圧以上の電圧が印加されることで非導通状態から導通状態へ移行し、前記第1および前記第2のゲート端子に前記閾値電圧未満の電圧が印加されることで導通状態から非導通状態へ移行する特性を有し、
    前記第1のデュアルゲートIGBTの前記第1のゲート端子を、第1のPWM信号を用いて生成した第1のゲート信号により駆動し、前記第1のデュアルゲートIGBTの前記第2のゲート端子を、第3のPWM信号を用いて生成した第3のゲート信号により駆動し、
    前記第2のデュアルゲートIGBTの前記第1のゲート端子を、第2のPWM信号を用いて生成した第2のゲート信号により駆動し、前記第2のデュアルゲートIGBTの前記第2のゲート端子を、第4のPWM信号を用いて生成した第4のゲート信号により駆動し、
    前記第1のPWM信号を、負荷を駆動制御するための電圧指令信号に基づいて導通幅を変調し、
    前記第2のPWM信号を、前記第1のPWM信号の正負を逆相にした信号とし、
    前記第3のPWM信号を、前記第1のPWM信号の導通幅が予め設定された期間より大きい場合には、当該第1のPWM信号と同じ導通幅の期間内に位置し当該第1のPWM信号の導通幅より短い導通幅に変調し、前記第1のPWM信号の導通幅が前記予め設定された期間以下の場合には、非導通のままとし、
    前記第4のPWM信号を、前記第2のPWM信号の導通幅が前記予め設定された期間より大きい場合には、当該第2のPWM信号と同じ導通幅の期間内に位置し当該第2のPWM信号の導通幅より短い導通幅に変調し、前記第2のPWM信号の導通幅が前記予め設定された期間以下の場合には、非導通のままとし、
    前記第1のデュアルゲートIGBTの前記第1のゲート端子の端子電圧を検知し、当該端子電圧を第1のフィードバック信号として前記第1のPWM信号と比較し、当該双方の信号が異なる際には警告信号を出力し、
    記第2のデュアルゲートIGBTの前記第1のゲート端子の端子電圧を検知し、当該端子電圧を第2のフィードバック信号として前記第2のPWM信号と比較し、当該双方の信号が異なる際には警告信号を出力する
    ことを特徴とするインバータ装置の駆動方法
  11. 請求項10に記載のインバータ装置の駆動方法であって、
    前記第3のPWM信号を、前記第1のPWM信号が非導通から導通へ変化するタイミングから少なくとも1μ秒経過した後に非導通から導通へ変化させ、前記第1のPWM信号が導通から非導通へ変化するタイミングから少なくとも5μ秒以前に導通から非導通へ変化させ、
    前記第4のPWM信号を、前記第2のPWM信号が非導通から導通へ変化するタイミングから少なくとも1μ秒経過した後に非導通から導通へ変化させ、前記第2のPWM信号が導通から非導通へ変化するタイミングから少なくとも5μ秒以前に導通から非導通へ変化させ、
    前記第1のPWM信号を、前記第2のPWM信号が非導通の期間幅より短い導通幅であり、かつ当該導通幅が前記第2のPWM信号の非導通の期間内に生成し、
    前記第2のPWM信号を、前記第1のPWM信号が非導通の期間幅より短い導通幅であり、かつ当該導通幅が前記第1のPWM信号の非導通の期間内に生成し、
    前記第1のPWM信号を、前記第2のPWM信号が導通から非導通に変化するタイミングから少なくとも2μ秒経過した後に非導通から導通に変化させ、
    前記第2のPWM信号を、前記第1のPWM信号が導通から非導通に変化するタイミングから少なくとも2μ秒経過した後に非導通から導通に変化させる
    ことを特徴とするインバータ装置の駆動方法。
  12. 請求項10または11に記載のインバータ装置の駆動方法であって、
    前記第1のデュアルゲートIGBTの前記第2のゲート端子の端子電圧を検知し、当該端子電圧を第3のフィードバック信号として前記第3のPWM信号と比較し、当該双方の信号が異なる際には警告信号を出力し、
    前記第2のデュアルゲートIGBTの前記第2のゲート端子の端子電圧を検知し、当該端子電圧を第4のフィードバック信号として前記第4のPWM信号と比較し、当該双方の信号が異なる際には警告信号を出力する
    ことを特徴とするインバータ装置の駆動方法。
JP2018041630A 2018-03-08 2018-03-08 インバータ装置 Active JP7372027B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018041630A JP7372027B2 (ja) 2018-03-08 2018-03-08 インバータ装置
EP19764383.6A EP3764533A4 (en) 2018-03-08 2019-01-18 INVERTER DEVICE AND ITS ATTACK PROCESS
PCT/JP2019/001524 WO2019171783A1 (ja) 2018-03-08 2019-01-18 インバータ装置およびその駆動方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018041630A JP7372027B2 (ja) 2018-03-08 2018-03-08 インバータ装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2019161720A JP2019161720A (ja) 2019-09-19
JP2019161720A5 true JP2019161720A5 (ja) 2021-04-01
JP7372027B2 JP7372027B2 (ja) 2023-10-31

Family

ID=67847028

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018041630A Active JP7372027B2 (ja) 2018-03-08 2018-03-08 インバータ装置

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP3764533A4 (ja)
JP (1) JP7372027B2 (ja)
WO (1) WO2019171783A1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11374563B2 (en) 2020-03-03 2022-06-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for controlling semiconductor device
WO2022185703A1 (ja) * 2021-03-03 2022-09-09 株式会社日立製作所 制御線の配線構造、それを有する鉄道用電力変換器、制御線敷設方法
WO2023286627A1 (ja) * 2021-07-16 2023-01-19 株式会社日立製作所 電力変換装置および電力変換方法
JP2023106740A (ja) 2022-01-21 2023-08-02 株式会社東芝 駆動装置及び半導体モジュール
WO2023243451A1 (ja) * 2022-06-17 2023-12-21 株式会社日立製作所 電力変換器の制御装置および制御方法
WO2024053303A1 (ja) * 2022-09-06 2024-03-14 株式会社日立製作所 電力変換装置および電力変換方法
WO2024071276A1 (ja) * 2022-09-30 2024-04-04 株式会社日立製作所 保護回路および保護方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3075007B2 (ja) * 1992-05-01 2000-08-07 富士電機株式会社 スイッチング装置及びダブルゲート型半導体装置の制御装置
JP2004222367A (ja) * 2003-01-10 2004-08-05 Toshiba Corp ゲート駆動装置及び電力変換装置
JP4398719B2 (ja) 2003-12-25 2010-01-13 株式会社東芝 半導体装置
JP4338721B2 (ja) * 2006-08-22 2009-10-07 株式会社日立製作所 電力変換装置及びその異常検出方法
JP5750311B2 (ja) 2011-05-31 2015-07-22 日立オートモティブシステムズ株式会社 インバータ駆動装置
DE112012006885T5 (de) * 2012-09-07 2015-06-03 Hitachi, Ltd. Schaltvorrichtung zum Stromrichten und Stromrichtvorrichtung
JP6413965B2 (ja) * 2015-07-20 2018-10-31 株式会社デンソー 半導体装置
JP6531026B2 (ja) * 2015-10-20 2019-06-12 株式会社 日立パワーデバイス 電力変換装置
JP6555186B2 (ja) * 2016-05-10 2019-08-07 株式会社デンソー 交流電動機の制御装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2019161720A5 (ja)
KR101297545B1 (ko) 양방향 스위치회로 및 이를 구비한 전력변환장치
US8508964B2 (en) Variable duty cycle switching with imposed delay
US8890496B2 (en) Drive controller
US11171638B2 (en) Electronic apparatus
US20130242438A1 (en) Driver for switching element and control system for rotary machine using the same
JP5752234B2 (ja) 電力変換装置
TW200924381A (en) Drive circuit for voltage driven type semiconductor element and inverter device
JP7372027B2 (ja) インバータ装置
JP6550884B2 (ja) モータ駆動装置
US10236676B2 (en) Power converter and method for operating a power converter to minimize a number of triggering processes of a semiconductor switch
CN105453434A (zh) 采用氮化镓开关的驱动单元
WO2015072098A1 (ja) ゲート駆動回路およびそれを用いた電力変換装置
AU2012201953B2 (en) Synchronous regulation circuit for turn-on and turn-off phase angle of the AC voltage
CA2836432A1 (en) Method for operating an electrical power rectifier, as well as an electrical power rectifier
JP2014064373A (ja) 駆動制御装置及び駆動制御方法
JP2018007403A (ja) 電力変換装置
JP2016052198A5 (ja)
JP2011172342A (ja) ゲート駆動回路の電源装置
JP2018029259A (ja) トランジスタ駆動回路
JP2017212837A (ja) 電圧駆動型半導体スイッチング素子の駆動電源装置及びその制御方法
JP5644403B2 (ja) スイッチング回路、ハーフブリッジ回路および三相インバータ回路
WO2016192799A1 (en) Parallel-coupled switching devices and switch-mode power converter
US10454467B2 (en) Control device for transistors
JP5917356B2 (ja) スイッチング装置