JP2007329748A - スイッチング素子制御装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、直列に接続された第1スイッチング素子11及び第2スイッチング素子12と、第1スイッチング素子のゲートとソース間の電圧を検出するゲート・ソース間電圧検出手段(130A、130B)とを備え、ゲート・ソース間電圧検出手段の出力結果に基づいて、第1スイッチング素子のターンオンの際に生ずる第1スイッチング素子のゲート・ミラー容量への充電を検出し、該充電の検出結果に基づいて、第2スイッチング素子のターンオフのタイミングを調整することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
第1スイッチング素子のゲートとソース間の電圧を検出するゲート・ソース間電圧検出手段とを備え、
ゲート・ソース間電圧検出手段の出力結果に基づいて、第1スイッチング素子のターンオンの際に生ずる第1スイッチング素子のゲート・ミラー容量への充電を検出し、該充電の検出結果に基づいて、第2スイッチング素子のターンオフのタイミングを調整することを特徴とする。これにより、第1スイッチング素子のターンオンの際のスイッチングタイミングを最適にクロスさせることができる。
第1スイッチング素子のゲート・ミラー容量への充電が終了するタイミングに合わせて、第2スイッチング素子のターンオフのタイミングを調整することを特徴とする。これにより、貫通電流が大きく流れるのを防止しつつ、スイッチングタイミングを最適にクロスさせてリカバリー損失を低減することができる。
第1スイッチング素子のターンオンの際における第1スイッチング素子のゲート・ソース間電圧が上昇してから略一定となってその後再び上昇する当該上昇再開タイミングを検出し、
該検出した上昇再開タイミングに合わせて、第2スイッチング素子のターンオフのタイミングを調整することを特徴とする。これにより、第1スイッチング素子のゲート・ソース間電圧に基づいて、第1スイッチング素子のゲート・ミラー容量への充電が終了するタイミングを適切に検出することができる。
第2スイッチング素子のゲートとソース間の電圧を検出する第2ゲート・ソース間電圧検出手段を備え、
第2ゲート・ソース間電圧検出手段の出力結果に基づいて、第2スイッチング素子のターンオフの際に生ずる第2スイッチング素子のゲート・ミラー容量への放電を検出し、該放電の検出結果に基づいて、第2スイッチング素子のターンオフのタイミングを調整することを特徴とする。これにより、第2スイッチング素子のオフタイミングを検出することができるので、第1スイッチング素子のオンタイミングに、第2スイッチング素子のオフタイミングを略一致させることで、スイッチングタイミングを最適にクロスさせることができる。
第1スイッチング素子のゲート・ミラー容量への充電が終了するタイミングと、第2スイッチング素子のゲート・ミラー容量への放電が開始するタイミングと、を略一致させることを特徴とする。これにより、第1スイッチング素子のゲート・ソース間電圧に基づいて、第1スイッチング素子のゲート・ミラー容量への充電が終了するタイミングを適切に検出することができ、第1スイッチング素子のオンタイミングに、第2スイッチング素子のオフタイミングを略一致させることで、スイッチングタイミングを最適にクロスさせることができる。
第1スイッチング素子のターンオンの際における第1スイッチング素子のゲート・ソース間電圧が上昇してから略一定となってその後再び上昇する当該上昇再開タイミングと、第2スイッチング素子のターンオフの際における第2スイッチング素子のゲート・ソース間電圧が所定値を下回るタイミングと、を略一致させることを特徴とする。これにより、第1スイッチング素子のオンタイミングに、第2スイッチング素子のオフタイミングを略一致させることができ、スイッチングタイミングを最適にクロスさせることができる。
第1スイッチング素子のターンオンの際における第1スイッチング素子のゲート・ソース間電圧がその上昇途中に一時的に略一定となる当該電圧一定期間開始タイミングを検出し、
該検出した電圧一定期間開始タイミングから所定の遅延時間が経過した後に、第2スイッチング素子に対するゲート信号をHighからLoに切替えることを特徴とする。これにより、第2スイッチング素子のゲート・ソース間電圧を検出しなくても、簡易な構成で、スイッチングタイミングを最適にクロスさせることができる。
前記所定の遅延時間が経過する前に第1スイッチング素子のゲート・ミラー容量への充電が終了した場合には、第2スイッチング素子に対するゲート信号をHighからLoに切替えることを特徴とする。
負荷に流れる電流を検出する負荷電流検出手段を備え、
前記所定の遅延時間を、負荷電流の大きさに応じて変化させることを特徴とする。これにより、負荷電流の大きさに応じた適切な遅延時間を設定することができる。
第1スイッチング素子のゲートとソース間の電圧を検出するゲート・ソース間電圧検出手段とを備え、
ゲート・ソース間電圧検出手段の出力結果に基づいて、第1スイッチング素子のターンオフの際に生ずる第1スイッチング素子のゲート・ミラー容量からの放電を検出し、該放電の検出結果に基づいて、第2スイッチング素子のターンオンのタイミングを調整することを特徴とする。これにより、第1スイッチング素子のターンオフの際のスイッチングタイミングを最適にクロスさせることができる。
第1スイッチング素子のゲート・ミラー容量からの放電が開始するタイミングに合わせて、第2スイッチング素子のターンオンのタイミングを調整することを特徴とする。
第1スイッチング素子のターンオフの際における第1スイッチング素子のゲート・ソース間電圧がその下降途中に一時的に略一定となる当該電圧一定期間開始タイミングを検出し、
該検出した電圧一定期間開始タイミングに合わせて、第2スイッチング素子のターンオンのタイミングを調整することを特徴とする。
第2スイッチング素子のゲートとソース間の電圧を検出する第2ゲート・ソース間電圧検出手段を備え、
第2ゲート・ソース間電圧検出手段の出力結果に基づいて、第2スイッチング素子のターンオンの際に生ずる第2スイッチング素子のゲート・ミラー容量への充電を検出し、該充電の検出結果に基づいて、第2スイッチング素子のターンオンのタイミングを調整することを特徴とする。
第1スイッチング素子のゲート・ミラー容量への放電が開始するタイミングと、第2スイッチング素子のゲート・ミラー容量への充電が開始するタイミングと、を略一致させることを特徴とする。
第1スイッチング素子のターンオフの際における第1スイッチング素子のゲート・ソース間電圧がその下降途中に一時的に略一定となる当該電圧一定期間開始タイミングと、第2スイッチング素子のターンオンの際における第2スイッチング素子のゲート・ソース間電圧が上昇してから所定値を上回るタイミングと、を略一致させることを特徴とする。
第1スイッチング素子のゲート・ミラー容量への放電が開始しても第2スイッチング素子に対するゲート信号がLoである場合には、第2スイッチング素子に対するゲート信号をLoからHighに切替えることを特徴とする。
直列に接続された第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子と、
第2スイッチング素子のゲートとソース間の電圧を検出するゲート・ソース間電圧検出手段とを備え、
ゲート・ソース間電圧検出手段の出力結果に基づいて、第1スイッチング素子のターンオンの際に生ずる第2スイッチング素子のゲート・ソース間電圧の持ち上がりを検出し、該持ち上がりの検出結果に基づいて、第2スイッチング素子のターンオフのタイミングを調整することを特徴とする。これにより、第1スイッチング素子のターンオフの際のスイッチングタイミングを最適にクロスさせることができる。
第2スイッチング素子のゲート・ソース間電圧が所定値よりも大きくなる時点から所定の遅延時間後に、第2スイッチング素子に対するゲート信号をHighからLoに切替えることを特徴とする。これにより、第1スイッチング素子のゲート・ソース間電圧を検出しなくても、簡易な構成で、第1スイッチング素子のターンオンの際のスイッチングタイミングを最適にクロスさせることができる。
直列に接続された第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子と、
第2スイッチング素子のゲートとソース間の電圧を検出するゲート・ソース間電圧検出手段とを備え、
ゲート・ソース間電圧検出手段の出力結果に基づいて、第1スイッチング素子のターンオフの際に生ずる第2スイッチング素子のゲート・ソース間電圧の持ち下がりを検出し、該持ち下がりの検出結果に基づいて、第2スイッチング素子のターンオンのタイミングを調整することを特徴とする。これにより、第1スイッチング素子のターンオフの際のスイッチングタイミングを最適にクロスさせることができる。
第2スイッチング素子のゲート・ソース間電圧が所定値よりも小さくなった時点で、第2スイッチング素子に対するゲート信号をLoからHighに切替えることを特徴とする。これにより、第1スイッチング素子のゲート・ソース間電圧を検出しなくても、簡易な構成で、第1スイッチング素子のターンオフの際のスイッチングタイミングを最適にクロスさせることができる。
第1のスイッチング素子は、メインスイッチング素子であり、第2のスイッチング素子は、同期整流用スイッチング素子であることを特徴とする。これにより、出力電圧を決定するメインスイッチング素子のデューティを変化させることなく、デットタイムを調整できる。
即ち、Ts(k+1)=Ts(k)−α。
即ち、Ts(k+1)=Ts(k)+α。
11 メインスイッチング素子
12 同期整流用スイッチング素子
123 PWM信号生成回路
124A〜124D デットタイム制御回路
130A、130B 第1検出器
132A、132C、132D 第2検出器
134B、134D 負荷電流検出器
Claims (23)
- 直列に接続された第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子と、
第1スイッチング素子のゲートとソース間の電圧を検出するゲート・ソース間電圧検出手段とを備え、
ゲート・ソース間電圧検出手段の出力結果に基づいて、第1スイッチング素子のターンオンの際に生ずる第1スイッチング素子のゲート・ミラー容量への充電を検出し、該充電の検出結果に基づいて、第2スイッチング素子のターンオフのタイミングを調整することを特徴とする、スイッチング素子制御装置。 - 第1スイッチング素子のゲート・ミラー容量への充電が終了するタイミングに合わせて、第2スイッチング素子のターンオフのタイミングを調整する、請求項1にスイッチング素子制御装置。
- 第1スイッチング素子のターンオンの際における第1スイッチング素子のゲート・ソース間電圧が上昇してから略一定となってその後再び上昇する当該上昇再開タイミングを検出し、
該検出した上昇再開タイミングに合わせて、第2スイッチング素子のターンオフのタイミングを調整する、請求項1又は2にスイッチング素子制御装置。 - 第2スイッチング素子のゲートとソース間の電圧を検出する第2ゲート・ソース間電圧検出手段を備え、
第2ゲート・ソース間電圧検出手段の出力結果に基づいて、第2スイッチング素子のターンオフの際に生ずる第2スイッチング素子のゲート・ミラー容量への放電を検出し、該放電の検出結果に基づいて、第2スイッチング素子のターンオフのタイミングを調整する、請求項1〜3のいずれかに記載のスイッチング素子制御装置。 - 第1スイッチング素子のゲート・ミラー容量への充電が終了するタイミングと、第2スイッチング素子のゲート・ミラー容量への放電が開始するタイミングと、を略一致させる、請求項4に記載のスイッチング素子制御装置。
- 第1スイッチング素子のターンオンの際における第1スイッチング素子のゲート・ソース間電圧が上昇してから略一定となってその後再び上昇する当該上昇再開タイミングと、第2スイッチング素子のターンオフの際における第2スイッチング素子のゲート・ソース間電圧が所定値を下回るタイミングと、を略一致させる、請求項5にスイッチング素子制御装置。
- 第1スイッチング素子のターンオンの際における第1スイッチング素子のゲート・ソース間電圧がその上昇途中に一時的に略一定となる当該電圧一定期間開始タイミングを検出し、
該検出した電圧一定期間開始タイミングから所定の遅延時間が経過した後に、第2スイッチング素子に対するゲート信号をHighからLoに切替える、請求項1〜3のいずれかに記載のスイッチング素子制御装置。 - 前記所定の遅延時間が経過する前に第1スイッチング素子のゲート・ミラー容量への充電が終了した場合には、第2スイッチング素子に対するゲート信号をHighからLoに切替える、請求項7にスイッチング素子制御装置。
- 負荷に流れる電流を検出する負荷電流検出手段を備え、
前記所定の遅延時間を、負荷電流の大きさに応じて変化させる、請求項7又は8にスイッチング素子制御装置。 - 直列に接続された第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子と、
第1スイッチング素子のゲートとソース間の電圧を検出するゲート・ソース間電圧検出手段とを備え、
ゲート・ソース間電圧検出手段の出力結果に基づいて、第1スイッチング素子のターンオフの際に生ずる第1スイッチング素子のゲート・ミラー容量からの放電を検出し、該放電の検出結果に基づいて、第2スイッチング素子のターンオンのタイミングを調整することを特徴とする、スイッチング素子制御装置。 - 第1スイッチング素子のゲート・ミラー容量からの放電が開始するタイミングに合わせて、第2スイッチング素子のターンオンのタイミングを調整する、請求項10にスイッチング素子制御装置。
- 第1スイッチング素子のターンオフの際における第1スイッチング素子のゲート・ソース間電圧がその下降途中に一時的に略一定となる当該電圧一定期間開始タイミングを検出し、
該検出した電圧一定期間開始タイミングに合わせて、第2スイッチング素子のターンオンのタイミングを調整する、請求項10又は11にスイッチング素子制御装置。 - 第2スイッチング素子のゲートとソース間の電圧を検出する第2ゲート・ソース間電圧検出手段を備え、
第2ゲート・ソース間電圧検出手段の出力結果に基づいて、第2スイッチング素子のターンオンの際に生ずる第2スイッチング素子のゲート・ミラー容量への充電を検出し、該充電の検出結果に基づいて、第2スイッチング素子のターンオンのタイミングを調整する、請求項10〜12のいずれかに記載のスイッチング素子制御装置。 - 第1スイッチング素子のゲート・ミラー容量への放電が開始するタイミングと、第2スイッチング素子のゲート・ミラー容量への充電が開始するタイミングと、を略一致させる、請求項13に記載のスイッチング素子制御装置。
- 第1スイッチング素子のターンオフの際における第1スイッチング素子のゲート・ソース間電圧がその下降途中に一時的に略一定となる当該電圧一定期間開始タイミングと、第2スイッチング素子のターンオンの際における第2スイッチング素子のゲート・ソース間電圧が上昇してから所定値を上回るタイミングと、を略一致させる、請求項14にスイッチング素子制御装置。
- 第1スイッチング素子のゲート・ミラー容量への放電が開始しても第2スイッチング素子に対するゲート信号がLoである場合には、第2スイッチング素子に対するゲート信号をLoからHighに切替える、請求項10にスイッチング素子制御装置。
- 直列に接続された第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子と、
第2スイッチング素子のゲートとソース間の電圧を検出するゲート・ソース間電圧検出手段とを備え、
ゲート・ソース間電圧検出手段の出力結果に基づいて、第1スイッチング素子のターンオンの際に生ずる第2スイッチング素子のゲート・ソース間電圧の持ち上がりを検出し、該持ち上がりの検出結果に基づいて、第2スイッチング素子のターンオフのタイミングを調整することを特徴とする、スイッチング素子制御装置。 - 第2スイッチング素子のゲート・ソース間電圧が所定値よりも大きくなる時点から所定の遅延時間後に、第2スイッチング素子に対するゲート信号をHighからLoに切替える、請求項17に記載のスイッチング素子制御装置。
- 直列に接続された第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子と、
第2スイッチング素子のゲートとソース間の電圧を検出するゲート・ソース間電圧検出手段とを備え、
ゲート・ソース間電圧検出手段の出力結果に基づいて、第1スイッチング素子のターンオフの際に生ずる第2スイッチング素子のゲート・ソース間電圧の持ち下がりを検出し、該持ち下がりの検出結果に基づいて、第2スイッチング素子のターンオンのタイミングを調整することを特徴とする、スイッチング素子制御装置。 - 第2スイッチング素子のゲート・ソース間電圧が所定値よりも小さくなった時点で、第2スイッチング素子に対するゲート信号をLoからHighに切替える、請求項19に記載のスイッチング素子制御装置。
- 同期整流型のDC−DCコンバータにおける電圧制御に用いられる請求項1〜20のいずれかに記載のスイッチング素子制御装置において、
第1のスイッチング素子は、メインスイッチング素子であり、第2のスイッチング素子は、同期整流用スイッチング素子である、スイッチング素子制御装置。 - 前記第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子は、MOSFETである、請求項1〜21のいずれかに記載のスイッチング素子制御装置。
- 前記第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子は、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)であり、前記ゲート・ソース間電圧は、ゲート・エミッタ間電圧に置き換えられる、請求項1〜21のいずれかに記載のスイッチング素子制御装置。
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