JP2013178522A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (2)

1. 島状の半導体層と、
   前記島状の半導体層上の絶縁膜と、
   前記絶縁膜上の第１の配線層と、
   前記第１の配線層と同層の電極層と、
   前記絶縁膜上でかつ前記第１の配線層と交差する方向に延びる第２の配線層と、
   を有し、
   前記第２の配線層と前記電極層とは電気的に接続され、
   前記島状の半導体層と、前記絶縁膜と、前記電極層と、前記第２の配線層とは重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
2. 島状の半導体層と、
   前記島状の半導体層上の絶縁膜と、
   前記絶縁膜上のソース配線層と、
   前記ソース配線層と同層の電極層と、
   前記絶縁膜上でかつ前記ソース配線層と交差する方向に延びるコモン配線層と、
   を有し、
   前記コモン配線層と前記電極層とは電気的に接続され、
   前記島状の半導体層と、前記絶縁膜と、前記電極層と、前記コモン配線層とは重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。