JP5427390B2 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
半導体装置の作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5427390B2 JP5427390B2 JP2008269014A JP2008269014A JP5427390B2 JP 5427390 B2 JP5427390 B2 JP 5427390B2 JP 2008269014 A JP2008269014 A JP 2008269014A JP 2008269014 A JP2008269014 A JP 2008269014A JP 5427390 B2 JP5427390 B2 JP 5427390B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist pattern
- film
- semiconductor film
- forming
- photomask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 170
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 37
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 94
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 61
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 26
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 259
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 26
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 14
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 14
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 11
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 10
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- -1 tungsten nitride Chemical class 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052990 silicon hydride Inorganic materials 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 3
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 3
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 2
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] Chemical compound [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[O-2].[In+3] OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
- H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
- H01L29/66765—Lateral single gate single channel transistors with inverted structure, i.e. the channel layer is formed after the gate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
本発明の実施の形態について、図1〜図12を用いて説明する。本実施の形態では基板100上に、チャネル形成領域に非晶質半導体膜を適用したTFTを逆スタガ型で作製する方法について工程に従って詳細に説明する。また、それと同時に、他の基板に設けられた回路の配線と電気的に接続するために、基板100の端部に作製される端子部の作製工程を示す。図1は本実施の形態によって作製される半導体装置の上面図であり、図2〜図12は図1のA−B、B−C及びD−E断面を示しており、A―B断面は画素部、B−C及びD−E断面は端子部にそれぞれ該当する。なお、図1においては、一本のソース線及び一本のゲート線が延在した端子部の構成が示されているが、実際の液晶や自発光素子を用いた表示装置では複数の画素がマトリクス状に存在しており、それに対応して複数のソース線及びゲート線が存在していることはいうまでもない。
本実施の形態では、TFTのチャネル形成領域として機能する薄膜に微結晶半導体膜を用いる例について図13を用いて説明する。なお、図13では、図1のA―B断面に対応する画素部についてのみ図示している。
本発明の半導体装置及び電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、オーディオコンポ等)、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDigital Versatile Disc(DVD)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置)などが挙げられる。それら電子機器の具体例を図14及び図15に示す。
101 導電膜
102 レジスト
103 基板
104 遮光部
105 第1のフォトマスク
106 フォトレジストパターン
107 ゲート配線
108 絶縁膜
109 第1の非晶質半導体膜
110 第2の非晶質半導体膜
111 レジスト
112 基板
113 中間透過部
114 遮光部
115 第2のフォトマスク
116 フォトレジストパターン
117 フォトレジストパターン
118 導電膜
119 ソース配線
120 レジスト
121 フォトレジストパターン
122 絶縁膜
123 レジスト
124 基板
125 遮光部
126 第3のフォトマスク
127 フォトレジストパターン
128 開口部
129 透明導電膜
130 レジスト
131 基板
132 遮光部
133 第4のフォトマスク
134 フォトレジストパターン
135 画素部
136 端子部
137 配向膜
138 対向基板
139 対向電極
140 配向膜
141 液晶
142 有機樹脂フィルム
143 銅配線
144 接着剤
145 導電性粒子
146 異方性導電性接着剤
147 樹脂層
157 ゲート電極
159 ソース電極及びドレイン電極
200 基板
201 ゲート電極
202 絶縁膜
203 微結晶半導体膜
204 第1の非晶質半導体膜
205 第2の非晶質半導体膜
206 ソース電極及びドレイン電極
207 絶縁膜
208 透明導電膜
1000 本体
1001 表示部
1002 操作キー
1003 シャッターボタン
1004 本体
1005 筐体
1006 表示部
1007 キーボード
1008 外部接続ポート
1009 ポインティングデバイス
1010 本体
1011 筐体
1012 第1の表示部
1013 第2の表示部
1014 記録媒体(DVD等)読込部
1015 操作キー
1016 スピーカ部
1017 筐体
1018 支持台
1019 表示部
1020 スピーカ
1021 ビデオ入力端子
2000 携帯電話機
2001 本体(A)
2002 本体(B)
2003 筐体
2004 操作スイッチ類
2005 マイクロフォン
2006 スピーカ
2007 回路基板
2008 表示パネル(A)
2009 表示パネル(B)
2010 蝶番
Claims (6)
- 透光性を有する基板上にゲート電極を形成し、
前記基板及び前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を成膜し、
前記ゲート絶縁膜上に第1の半導体膜を成膜し、
前記第1の半導体膜上に一導電型の不純物元素を含有する第2の半導体膜を成膜し、
前記第2の半導体膜上に接して、多階調フォトマスクを用いて第1のフォトレジストパターンを形成し、
前記第1のフォトレジストパターンをマスクとして前記第1の半導体膜及び前記第2の半導体膜のエッチングを行い、
前記第1のフォトレジストパターンを加工して第2のフォトレジストパターンを形成し、
前記ゲート絶縁膜、前記エッチングが行われた前記第2の半導体膜、及び前記第2のフォトレジストパターン上に導電膜を成膜し、
前記第2のフォトレジストパターン上に成膜された前記導電膜を前記第2のフォトレジストパターンと同時に除去することによってソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 透光性を有する基板上に画素部のゲート電極及び端子部に延在するゲート配線を同一の材料で形成し、
前記基板、前記ゲート電極、及び前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を成膜し、
前記ゲート絶縁膜上に第1の半導体膜を成膜し、
前記第1の半導体膜上に一導電型の不純物元素を含有する第2の半導体膜を成膜し、
前記第2の半導体膜上に接して、多階調フォトマスクを用いて第1のフォトレジストパターンを形成し、
前記第1のフォトレジストパターンをマスクとして前記第1の半導体膜及び前記第2の半導体膜のエッチングを行い、
前記第1のフォトレジストパターンを加工して第2のフォトレジストパターンを形成し、
前記ゲート絶縁膜、前記エッチングが行われた前記第2の半導体膜、及び前記第2のフォトレジストパターン上に導電膜を成膜し、
前記第2のフォトレジストパターン上に成膜された前記導電膜を前記第2のフォトレジストパターンと同時に除去することによって前記画素部のソース電極及びドレイン電極と、前記端子部に延在するソース配線と、を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 透光性を有する基板上に第1の導電膜を成膜し、
前記第1の導電膜上に、第1のフォトマスクを用いて第1のフォトレジストパターンを形成し、
前記第1のフォトレジストパターンをマスクとして前記第1の導電膜のエッチングを行い、画素部のゲート電極及び端子部に延在するゲート配線を形成し、
前記基板、前記ゲート電極、及び前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を成膜し、
前記ゲート絶縁膜上に第1の半導体膜を成膜し、
前記第1の半導体膜上に一導電型の不純物元素を含有する第2の半導体膜を成膜し、
前記第2の半導体膜上に、多階調フォトマスクである第2のフォトマスクを用いて第2のフォトレジストパターンを形成し、
前記第2のフォトレジストパターンをマスクとして前記第1の半導体膜及び前記第2の半導体膜に第1のエッチングを行い、
前記第2のフォトレジストパターンを加工して第3のフォトレジストパターンを形成し、
前記ゲート絶縁膜、前記第1のエッチングが行われた前記第2の半導体膜、及び前記第3のフォトレジストパターン上に第2の導電膜を成膜し、
前記第3のフォトレジストパターン上に成膜された前記第2の導電膜を前記第3のフォトレジストパターンと同時に除去することによって前記画素部のソース電極及びドレイン電極と、前記端子部に延在するソース配線と、を形成し、
前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記ソース配線をマスクとして前記第1の半導体膜及び前記第2の半導体膜に第2のエッチングを行い、
前記ゲート電極、前記ゲート配線、前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記ソース配線をフォトマスクとした裏面露光により、第4のフォトレジストパターンを形成し、
前記第4のフォトレジストパターンをマスクとして前記第1の半導体膜に第3のエッチングを行い、
前記ゲート絶縁膜、前記第3のエッチングが行われた前記第1の半導体膜、前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記ソース配線上に絶縁膜を成膜し、
前記絶縁膜上に、第3のフォトマスクを用いて第5のフォトレジストパターンを形成し、
前記第5のフォトレジストパターンをマスクとして前記絶縁膜に第4のエッチングを行い、前記絶縁膜に開口部を形成し、
前記ゲート配線、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記ソース配線、及び前記第4のエッチングが行われた前記絶縁膜上に透明導電膜を成膜し、
前記透明導電膜上に、第4のフォトマスクを用いて第6のフォトレジストパターンを形成し、
前記第6のフォトレジストパターンをマスクとして前記透明導電膜に第5のエッチングを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1または2において、
前記第2のフォトレジストパターンは逆テーパー形状であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項3において、
前記第3のフォトレジストパターンは逆テーパー形状であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至5のいずれか一において、前記多階調フォトマスクはハーフトーンフォトマスク又はグレートーンフォトマスクであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008269014A JP5427390B2 (ja) | 2007-10-23 | 2008-10-17 | 半導体装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007275804 | 2007-10-23 | ||
JP2007275804 | 2007-10-23 | ||
JP2008269014A JP5427390B2 (ja) | 2007-10-23 | 2008-10-17 | 半導体装置の作製方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009124122A JP2009124122A (ja) | 2009-06-04 |
JP2009124122A5 JP2009124122A5 (ja) | 2011-10-27 |
JP5427390B2 true JP5427390B2 (ja) | 2014-02-26 |
Family
ID=40588490
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008269014A Expired - Fee Related JP5427390B2 (ja) | 2007-10-23 | 2008-10-17 | 半導体装置の作製方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7776664B2 (ja) |
JP (1) | JP5427390B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101448903B1 (ko) * | 2007-10-23 | 2014-10-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 및 그의 제작방법 |
JP5357493B2 (ja) * | 2007-10-23 | 2013-12-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP5137798B2 (ja) | 2007-12-03 | 2013-02-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
EP2232561A4 (en) * | 2007-12-03 | 2015-05-06 | Semiconductor Energy Lab | METHOD OF MANUFACTURING A THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING A DISPLAY ARRANGEMENT |
US8101442B2 (en) * | 2008-03-05 | 2012-01-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing EL display device |
JP5503995B2 (ja) * | 2009-02-13 | 2014-05-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
EP2302359A1 (en) | 2009-09-24 | 2011-03-30 | Université De Reims Champagne-Ardenne | Serum infrared spectroscopy for non invasive assessment of hepatic fibrosis in patients with chronic liver disease |
JP5348002B2 (ja) * | 2010-02-10 | 2013-11-20 | カシオ計算機株式会社 | 薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
JP5743064B2 (ja) * | 2011-02-17 | 2015-07-01 | 株式会社Joled | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置 |
CN102655146B (zh) * | 2012-02-27 | 2013-06-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、阵列基板的制备方法及显示装置 |
CN102707575B (zh) * | 2012-05-18 | 2015-02-25 | 北京京东方光电科技有限公司 | 掩模板及制造阵列基板的方法 |
CN102738007B (zh) * | 2012-07-02 | 2014-09-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管的制造方法及阵列基板的制造方法 |
CN104040693B (zh) * | 2012-12-04 | 2017-12-12 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 一种金属氧化物tft器件及制造方法 |
GB2561004B (en) | 2017-03-31 | 2022-06-01 | Pragmatic Printing Ltd | Electronic structures and their methods of manufacture |
US20200035709A1 (en) * | 2018-07-30 | 2020-01-30 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Method for manufacturing thin-film transistor array substrate and thin-film transistor array substrate |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56122123A (en) | 1980-03-03 | 1981-09-25 | Shunpei Yamazaki | Semiamorphous semiconductor |
USRE34658E (en) | 1980-06-30 | 1994-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device of non-single crystal-structure |
JPH0311744A (ja) | 1989-06-09 | 1991-01-21 | Citizen Watch Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JPH09127707A (ja) * | 1995-10-30 | 1997-05-16 | Casio Comput Co Ltd | レジストパターンの形成方法 |
DE69635239T2 (de) | 1995-11-21 | 2006-07-06 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristall-Anzeige |
JPH10198292A (ja) * | 1996-12-30 | 1998-07-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
US6297519B1 (en) * | 1998-08-28 | 2001-10-02 | Fujitsu Limited | TFT substrate with low contact resistance and damage resistant terminals |
US6493048B1 (en) | 1998-10-21 | 2002-12-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same |
KR100325079B1 (ko) * | 1999-12-22 | 2002-03-02 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 고개구율 및 고투과율 액정표시장치의 제조방법 |
US7023021B2 (en) | 2000-02-22 | 2006-04-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2001324725A (ja) * | 2000-05-12 | 2001-11-22 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP3507771B2 (ja) * | 2000-07-03 | 2004-03-15 | 鹿児島日本電気株式会社 | パターン形成方法及び薄膜トランジスタの製造方法 |
US7223643B2 (en) | 2000-08-11 | 2007-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
TW488080B (en) | 2001-06-08 | 2002-05-21 | Au Optronics Corp | Method for producing thin film transistor |
KR100789090B1 (ko) | 2002-12-30 | 2007-12-26 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 제조방법 |
JP2005322845A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体デバイスと、その製造装置、および製造方法 |
US7608490B2 (en) | 2005-06-02 | 2009-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7588970B2 (en) | 2005-06-10 | 2009-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR101201017B1 (ko) | 2005-06-27 | 2012-11-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101225440B1 (ko) | 2005-06-30 | 2013-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US7807516B2 (en) | 2005-06-30 | 2010-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
US7867791B2 (en) | 2005-07-29 | 2011-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device using multiple mask layers formed through use of an exposure mask that transmits light at a plurality of intensities |
US7914971B2 (en) | 2005-08-12 | 2011-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light exposure mask and method for manufacturing semiconductor device using the same |
US8149346B2 (en) | 2005-10-14 | 2012-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
TWI460851B (zh) | 2005-10-17 | 2014-11-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
JP2007165860A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
EP1793266B1 (en) | 2005-12-05 | 2017-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transflective Liquid Crystal Display with a Horizontal Electric Field Configuration |
CN101322066B (zh) | 2005-12-05 | 2011-12-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示器 |
TWI400758B (zh) | 2005-12-28 | 2013-07-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置的製造方法 |
US7821613B2 (en) | 2005-12-28 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
TWI322288B (en) | 2006-03-07 | 2010-03-21 | Au Optronics Corp | Manufacture method of pixel array substrate |
KR101277218B1 (ko) * | 2006-06-29 | 2013-06-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 제조방법 및 액정표시소자의 제조방법 |
-
2008
- 2008-10-17 JP JP2008269014A patent/JP5427390B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-21 US US12/255,382 patent/US7776664B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090117691A1 (en) | 2009-05-07 |
US7776664B2 (en) | 2010-08-17 |
JP2009124122A (ja) | 2009-06-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5427390B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP5383256B2 (ja) | 薄膜トランジスタ及びその作製方法、並びに表示装置及びその作製方法 | |
JP5357493B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP5380037B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
US8895333B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device with pixel electrode over gate electrode of thin film transistor | |
US8148730B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device | |
JP5367338B2 (ja) | 表示装置の作製方法 | |
JP5394126B2 (ja) | 薄膜トランジスタ及び該薄膜トランジスタを有する表示装置 | |
US8541785B2 (en) | Display device | |
TW201250864A (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
US7883943B2 (en) | Method for manufacturing thin film transistor and method for manufacturing display device | |
JP5371487B2 (ja) | 薄膜トランジスタ及びその作製方法、並びに表示装置及びその作製方法 | |
JP2009265635A (ja) | 表示装置及びその作製方法 | |
JP5997725B2 (ja) | 表示装置 | |
JP5593025B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5539765B2 (ja) | トランジスタの作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110907 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110907 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130618 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130620 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130726 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131126 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131202 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5427390 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |