JP2010219339A - 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 - Google Patents
固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010219339A JP2010219339A JP2009064956A JP2009064956A JP2010219339A JP 2010219339 A JP2010219339 A JP 2010219339A JP 2009064956 A JP2009064956 A JP 2009064956A JP 2009064956 A JP2009064956 A JP 2009064956A JP 2010219339 A JP2010219339 A JP 2010219339A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- imaging device
- state imaging
- solid
- storage capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 148
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 209
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 75
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 75
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 141
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 78
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 34
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 9
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 abstract 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 95
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 30
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 30
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 24
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14632—Wafer-level processed structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14687—Wafer level processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/1469—Assemblies, i.e. hybrid integration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/53—Control of the integration time
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
- H04N25/621—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/771—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising storage means other than floating diffusion
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/07—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process
- H01L2224/08—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0805—Shape
- H01L2224/08057—Shape in side view
- H01L2224/08058—Shape in side view being non uniform along the bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/07—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process
- H01L2224/08—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/081—Disposition
- H01L2224/0812—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
- H01L2224/08121—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding the connected bonding areas being not aligned with respect to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/07—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process
- H01L2224/08—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/081—Disposition
- H01L2224/0812—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
- H01L2224/08135—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding the bonding area connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/08137—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding the bonding area connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/07—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process
- H01L2224/08—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/081—Disposition
- H01L2224/0812—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
- H01L2224/08135—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding the bonding area connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/08145—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding the bonding area connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
- H01L2224/8019—Arrangement of the bonding areas prior to mounting
- H01L2224/80194—Lateral distribution of the bonding areas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
- H01L2224/8034—Bonding interfaces of the bonding area
- H01L2224/80357—Bonding interfaces of the bonding area being flush with the surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
- H01L2224/808—Bonding techniques
- H01L2224/80894—Direct bonding, i.e. joining surfaces by means of intermolecular attracting interactions at their interfaces, e.g. covalent bonds, van der Waals forces
- H01L2224/80895—Direct bonding, i.e. joining surfaces by means of intermolecular attracting interactions at their interfaces, e.g. covalent bonds, van der Waals forces between electrically conductive surfaces, e.g. copper-copper direct bonding, surface activated bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
- H01L2224/808—Bonding techniques
- H01L2224/80894—Direct bonding, i.e. joining surfaces by means of intermolecular attracting interactions at their interfaces, e.g. covalent bonds, van der Waals forces
- H01L2224/80896—Direct bonding, i.e. joining surfaces by means of intermolecular attracting interactions at their interfaces, e.g. covalent bonds, van der Waals forces between electrically insulating surfaces, e.g. oxide or nitride layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13062—Junction field-effect transistor [JFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明の固体撮像装置は、光電変換部PDが形成された第1の基板80と、電荷蓄積容量部61及び複数のMOSトランジスタが形成された第2の基板81が張り合わされた構成とされている。また、第1の基板80と、第2の基板81にはそれぞれ接続電極(26,27,56,57)が形成されており、第1の基板80と第2の基板81は、接続電極により電気的に接続されている。これにより、グローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置をより小さい面積に形成することが可能となる。
【選択図】図3
Description
光電変換部は、入射光に応じた信号電荷を生成して蓄積する領域である。また、電荷蓄積容量部は、光電変換部から転送された信号電荷を蓄積する領域である。また、複数のMOSトランジスタは、電荷蓄積容量部に蓄積された信号電荷を転送するために構成されるものである。そして、これらの光電変換部、電荷蓄積容量部、及び複数のMOSトランジスタにより、画素が形成されている。また、第1の基板と、第2の基板にはそれぞれ接続電極が形成されており、第1の基板と第2の基板は、接続電極により電気的に接続されている。
1.第1の実施形態:固体撮像装置
1.1 固体撮像装置全体の構成
1.2 要部の構成
1.3 固体撮像装置の製造方法
1.4 固体撮像装置の回路構成
1.5 固体撮像装置の駆動方法
2.第2の実施形態:固体撮像装置
3.第3の実施形態:電子機器
[1.1 固体撮像装置全体の構成]
図1は、本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置1の全体を示す概略構成図である。
本実施形態例の固体撮像装置1は、シリコンからなる基板11上に配列された複数の画素2から構成される画素部3と、垂直駆動回路4と、カラム信号処理回路5と、水平駆動回路6と、出力回路7と、制御回路8等を有して構成される。
次に、図2〜図3を用いて、本実施形態例の固体撮像装置1の要部の概略構成について説明する。図2は、本実施形態例に係る固体撮像装置1の1画素分の概略断面構成図であり、図3A,Bは、図2に示す固体撮像装置の製造途中における概略断面構成図である。
第1の基板80は、図3Aに示すように、光電変換部PDと、第1転送トランジスタTr1のドレインとされる不純物領域16が形成された半導体基板12と、その半導体基板12上部に形成された、多層配線層17とから構成されている。
このような構成を有する光電変換部PDでは、入射した光Lの光量に応じた信号電荷が生成され、P+型不純物領域15とN型ウェル層14との間に形成された空乏層に光電変換された信号電荷が蓄積される。
本実施形態例では、光電変換部PDと不純物領域16との間の領域が、第1転送トランジスタTr1のチャネル部とされる。
第2の基板81は、図3Bに示すように、複数のMOSトランジスタのソース・ドレインとされる不純物領域30,31,32,34,35が形成された半導体基板28と、その半導体基板28上部に形成された多層配線層36とから構成されている。そして、多層配線層36には、電荷蓄積容量部61が形成されている。本実施形態例において、第2の基板81において形成される複数のMOSトランジスタは、第2転送トランジスタTr2と、リセットトランジスタTr3と、増幅トランジスタTr4と、選択トランジスタTr5である。
第2転送トランジスタTr2、リセットトランジスタTr3、増幅トランジスタTr4、選択トランジスタTr5を構成する各不純物領域30,31,32,34,35は、P型ウェル層29表面側の所望の領域に、それぞれ形成されている。これらの不純物領域30,31,32,34,35は、P型ウェル層29の所望の領域にN型の不純物を高濃度にイオン注入することにより形成されるものである。
図4A,図5A,図6Aは、第1の基板80における第1接続電極27及び第2接続電極26の製造工程図であり、図4B,図5B,図6Bは、第2の基板81における第1接続電極56及び第2接続電極57の製造工程図である。また、図7、及び図8は、第1接続電極27,56及び第2接続電極26,57同士の接着方法を示す図である。なお、第1の基板80における第1接続電極27及び第2接続電極26、及び、第2の基板81における第1接続電極56及び第2接続電極57を形成する前段の工程は、通常の固体撮像装置の製造方法と同様であるから説明を省略する。また、図4〜図8において、図2、及び図3に対応する部分には同一符号を付す。
第2の基板81においても同様に、図4Bに示すように、第2配線層M2’を被覆する層間絶縁膜37を形成した後第3配線層M3’からなる第1接続電極56及び第2接続電極57を形成する。第1接続電極56は、コンタクト部55を介して第3接続配線52に接続されるように形成され、また、第2接続電極57は、電荷保持用電極51にコンタクト部54を介して接続されるように形成する。
そして、本実施形態例では、これらの第1接続電極27,56、及び第2接続電極26,57はそれぞれアルミニウムにより形成されている。
同様に、図5Bに示すように、第2の基板81において、アルミニウムから成る第1接続電極56及び第2接続電極57を形成した後、第1接続電極56及び第2接続電極57を被覆するように接着剤を塗布し、接着剤層37aを形成する。
この接着剤層18a,37aは、層間絶縁膜18,37を兼ねるものである。
次に、図9を用いて、本実施形態例の固体撮像装置1の駆動方法について説明する。図9は、本実施形態例の固体撮像装置1の1画素分の回路構成であり、図10は、隣接する2行2列、4画素分の回路構成である。
垂直信号線9の後段には、列ごとに設けられたカラム信号処理回路5が接続されている。そして、カラム信号処理回路5の後段には水平駆動回路6からの水平選択パルスが入力される水平トランジスタTr7が接続されている。
次に、以上の回路構成を有する固体撮像装置1における駆動方法を、図11に示すタイミングチャート及び、図10の回路構成を用いて説明する。
このように、本実施形態例では、工程数は変わらず、1枚のウェハーからとれるチップ数を増やすことができるので、理論上は、チップ単体のコストを安くすることができる。
次に、本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。図12は、本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置90の全体を示す概略構成図である。
本実施形態例の固体撮像装置90は、第1の実施形態における固体撮像装置1と、電荷蓄積容量部の構成が異なるものである。また、本実施形態例の固体撮像装置90の全体構成は、図1と同様であるから、重複説明を省略する。図12において、図2に対応する部分には同一符号付し、重複説明を省略する。
不純物領域31は、第2転送トランジスタTr2のドレインと、リセットトランジスタTr3のソースに共用される、信号電荷が読み出されるフローティングディフュージョン領域として用いられる。また、不純物領域32は、リセットトランジスタTr3のドレインと、増幅トランジスタTr4のソースに共用される。また、不純物領域34は、増幅トランジスタTr4のドレインと、選択トランジスタTr5のソースに共用される。また、不純物領域35は、選択トランジスタTr5のドレインとされる。
なお、固体撮像装置はワンチップとして形成された形態であってもよいし、画素部と、信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
次に、本発明の第3の実施形態に係る電子機器について説明する。図13は、本発明の第3の実施形態に係る電子機器200の概略構成図である。
本実施形態例の電子機器200は、上述した本発明の第1の実施形態における固体撮像装置1を電子機器(カメラ)に用いた場合の実施形態を示す。
シャッタ装置211は、固体撮像装置1への光照射期間および遮光期間を制御する。
駆動回路212は、固体撮像装置1の転送動作およびシャッタ装置211のシャッタ動作を制御する駆動信号を供給する。駆動回路212から供給される駆動信号(タイミング信号)により、固体撮像装置1の信号転送を行なう。信号処理回路213は、各種の信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリなどの記憶媒体に記憶され、あるいはモニタに出力される。
2 画素
3 画素部
4 垂直駆動回路
5 カラム信号処理回路
6 水平駆動回路
7 出力回路
8 制御回路
9 垂直信号線
10 水平信号線
11 基板
12 半導体基板
13 P型ウェル層
14 N型ウェル層
15 P+型不純物領域
16 不純物領域
17 多層配線層
18 層間絶縁膜
18a 接着剤層
18b 活性化層
19 ゲート電極
22 第2接続配線
23 第1接続配線
26 第2接続電極
27 第1接続電極
28 半導体基板
29 P型ウェル層
30〜35 不純物領域
36 多層配線層
37 層間絶縁膜
37a 接着剤層
37b 活性化層
38〜41 ゲート電極
48 選択配線
49 第2接続配線
50 第1接続配線
51 電荷保持用電極
52 第3接続配線
53 誘電体層
56 第1接続電極
57 第2接続電極
59 カラーフィルタ
60 オンチップレンズ
61 電荷蓄積容量部
80 第1の基板
81 第2の基板
Claims (12)
- 第1の基板に形成された光電変換部であって、入射光に応じた信号電荷を生成して蓄積する光電変換部と、前記第1の基板又は第2の基板に形成された電荷蓄積容量部であって、前記光電変換部から転送される信号電荷を一時的に保持する電荷蓄積容量部と、前記第2の基板に形成された複数のMOSトランジスタであって、前記電荷蓄積容量部に蓄積された信号電荷を転送するための複数のMOSトランジスタと、を有する複数の画素と、
前記第1の基板に形成された接続電極と、
前記第1の基板に形成された接続電極と電気的に接続される前記第2の基板に形成された接続電極と、
を含む固体撮像装置。 - 前記第1の基板に形成された接続電極と、前記第2の基板に形成された接続電極との電気的接続は、前記第1の基板が光入射側にくるように、前記第1の基板と前記第2の基板を貼り合わせることによってなされている
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記第1の基板は、光電変換部で生成され、蓄積された信号電荷を前記電荷蓄積容量部に転送する第1転送トランジスタを有し、
前記第2の基板は、前記電荷蓄積容量部に蓄積された信号電荷をフローティングディフュージョン領域に転送する第2転送トランジスタを有し、
前記第1転送トランジスタのドレインと、前記電荷蓄積容量部と、前記第2転送トランジスタのソースは電気的に接続されている
請求項2記載の固体撮像措置。 - 前記電荷蓄積容量部は、誘電体層と、前記誘電体層を狭持して形成される2つの配線層とにより形成される
請求項3記載の固体撮像装置。 - 前記第2の基板に形成された接続電極は、前記第2転送トランジスタのソースとなる領域を遮光するための遮光膜を兼ねる
請求項4記載の固体撮像装置。 - 前記電荷蓄積容量部は、前記第2の基板を構成する半導体基板に形成された溝部と、前記溝部内表面に形成された第1電極層と、前記第1電極層が形成された溝部内に誘電体層を介して埋め込まれた第2電極層とにより形成される
請求項1記載の固体撮像装置。 - 第1の基板に、入射光に応じた信号電荷を生成して蓄積する光電変換部と、表面に露出するように形成された接続電極を形成する工程、
前記第1の基板又は第2の基板に前記光電変換部から転送される信号電荷を蓄積する電荷蓄積容量部を形成する工程、
前記第2の基板に、前記電荷蓄積容量部に蓄積された信号電荷を順次転送するための複数のMOSトランジスタと、表面に露出するように形成された接続電極を形成する工程、
前記第2の基板表面に露出された前記接続電極と、前記第1の基板表面に露出された前記接続電極とが電気的に接続されるように前記第2の基板上部の光入射側に前記第1の基板を貼り合わせる工程、
を含む固体撮像装置の製造方法。 - 前記第1の基板、及び前記第2の基板のそれぞれの接続電極の表面への露出は、接続電極が形成された後、前記接続電極を被覆するように接着剤層を形成し、前記接着剤層をエッチングすることにより行い、
前記第1の基板と前記第2の基板の貼り合わせは、前記第1の基板及び前記第2の基板表面に露出されたそれぞれの接続配線表面を活性化した後に、圧着することにより行う
請求項7記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記電荷蓄積容量部は、誘電体層と、前記誘電体層を狭持して形成される2つの配線層とを形成することにより形成する
請求項8記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記電荷蓄積容量部は、前記第2の基板を構成する半導体基板に溝部を形成し、前記溝部内表面に第1電極層を形成し、前記第1電極層が形成された溝部内に、誘電体層を介して第2電極層を形成することにより形成する
請求項8記載の固体撮像装置の製造方法。 - 第1の基板に形成された光電変換部であって、入射光に応じた信号電荷を生成して蓄積する光電変換部と、前記第1の基板又は第2の基板に形成された電荷蓄積容量部であって、前記光電変換部から転送される信号電荷を蓄積する電荷蓄積容量部と、前記第2の基板に形成された複数のMOSトランジスタであって、前記電荷蓄積容量部に蓄積された信号電荷を転送するための複数のMOSトランジスタと、を有する複数の画素と、
前記第1の基板に形成された接続電極と、
前記第1の基板に形成された接続電極と電気的に接続される前記第2の基板に形成された接続電極と、を含む固体撮像装置において、
全画素同時刻に、前記光電変換部において信号電荷の蓄積を開始する工程、
全画素同時刻に、前記光電変換部において蓄積された信号電荷を、前記電荷蓄積容量部に転送する工程、
画素毎に、前記電荷蓄積容量部に蓄積された信号電荷を前記複数のMOSトランジスタを介して順次転送する工程、
を含む固体撮像装置の駆動方法。 - 光学レンズと、
第1の基板に形成された光電変換部であって、入射光に応じた信号電荷を生成して蓄積する光電変換部と、前記第2の基板に形成された電荷蓄積容量部であって、前記光電変換部から転送される信号電荷を蓄積する電荷蓄積容量部と、前記第2の基板に形成された複数のMOSトランジスタであって、前記電荷蓄積容量部に蓄積された信号電荷を転送するための複数のMOSトランジスタと、を有する複数の画素と、前記第1の基板に形成された接続電極と、前記第1の基板に形成された接続電極と電気的に接続される前記第2の基板に形成された接続電極と、を含む固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される出力信号を処理する信号処理回路と、
を含む電子機器。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009064956A JP4835710B2 (ja) | 2009-03-17 | 2009-03-17 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 |
TW99103854A TWI401795B (zh) | 2009-03-17 | 2010-02-08 | 固體攝像裝置、固體攝像裝置之製造方法、固體攝像裝置之驅動方法、及電子機器 |
EP20100002084 EP2230690B1 (en) | 2009-03-17 | 2010-03-01 | Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, method of driving the same, and electronic apparatus |
KR1020100018846A KR101640254B1 (ko) | 2009-03-17 | 2010-03-03 | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 제조 방법, 고체 촬상 장치의 구동 방법, 및 전자 기기 |
US12/720,855 US8792034B2 (en) | 2009-03-17 | 2010-03-10 | Solid-state imaging device with charge transfer transistor on different substrates |
CN2010101356922A CN101840926B (zh) | 2009-03-17 | 2010-03-10 | 固态成像装置及其制造方法、驱动方法、以及电子设备 |
CN201310074110.8A CN103227182B (zh) | 2009-03-17 | 2010-03-10 | 固态成像装置及其制造方法 |
US14/322,135 US9159763B2 (en) | 2009-03-17 | 2014-07-02 | Solid state imaging device having a charge accumulation capacitor section |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009064956A JP4835710B2 (ja) | 2009-03-17 | 2009-03-17 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011109927A Division JP5278491B2 (ja) | 2011-05-16 | 2011-05-16 | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 |
JP2011109926A Division JP5348176B2 (ja) | 2011-05-16 | 2011-05-16 | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010219339A true JP2010219339A (ja) | 2010-09-30 |
JP4835710B2 JP4835710B2 (ja) | 2011-12-14 |
Family
ID=42279431
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009064956A Active JP4835710B2 (ja) | 2009-03-17 | 2009-03-17 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8792034B2 (ja) |
EP (1) | EP2230690B1 (ja) |
JP (1) | JP4835710B2 (ja) |
KR (1) | KR101640254B1 (ja) |
CN (2) | CN103227182B (ja) |
TW (1) | TWI401795B (ja) |
Cited By (61)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012079861A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
JP2012124318A (ja) * | 2010-12-08 | 2012-06-28 | Sony Corp | 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、および電子機器 |
JP2012164870A (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP2012244331A (ja) * | 2011-05-18 | 2012-12-10 | Olympus Corp | 固体撮像装置、撮像装置および信号読み出し方法 |
JP2012248952A (ja) * | 2011-05-25 | 2012-12-13 | Olympus Corp | 固体撮像装置、撮像装置、および信号読み出し方法 |
JP2012248953A (ja) * | 2011-05-25 | 2012-12-13 | Olympus Corp | 固体撮像装置、撮像装置、および信号読み出し方法 |
JP2012257095A (ja) * | 2011-06-09 | 2012-12-27 | Olympus Corp | 固体撮像装置、撮像装置、および信号読み出し方法 |
JP2013009154A (ja) * | 2011-06-24 | 2013-01-10 | Olympus Corp | 固体撮像装置、撮像装置、および信号読み出し方法 |
JP2013017124A (ja) * | 2011-07-06 | 2013-01-24 | Olympus Corp | 固体撮像装置、撮像装置、および信号読み出し方法 |
JP2013026713A (ja) * | 2011-07-19 | 2013-02-04 | Olympus Corp | 固体撮像装置、撮像装置、および信号読み出し方法 |
JP2013033786A (ja) * | 2011-08-01 | 2013-02-14 | Sony Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2013033896A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-02-14 | Sony Corp | 撮像素子、撮像素子の駆動方法、撮像素子の製造方法、および電子機器 |
JP2013058661A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Sony Corp | 固体撮像素子および電子機器 |
JP2013073988A (ja) * | 2011-09-27 | 2013-04-22 | Sony Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
WO2013065212A1 (ja) * | 2011-11-02 | 2013-05-10 | 株式会社島津製作所 | 放射線検出器 |
JP2013110566A (ja) * | 2011-11-21 | 2013-06-06 | Olympus Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の制御方法、および撮像装置 |
JP2013118345A (ja) * | 2011-12-05 | 2013-06-13 | Canon Inc | 固体撮像装置、カメラおよび固体撮像装置の設計方法 |
JP2013168623A (ja) * | 2012-01-17 | 2013-08-29 | Olympus Corp | 固体撮像装置、撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
JP2013168419A (ja) * | 2012-02-14 | 2013-08-29 | Sony Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、電子機器 |
JP2013187360A (ja) * | 2012-03-08 | 2013-09-19 | Sony Corp | 固体撮像装置、及び、電子機器 |
JP2013247548A (ja) * | 2012-05-28 | 2013-12-09 | Olympus Corp | 固体撮像素子および固体撮像装置 |
JP2014041972A (ja) * | 2012-08-23 | 2014-03-06 | Olympus Corp | 固体撮像装置および撮像装置 |
US8830368B2 (en) | 2012-03-22 | 2014-09-09 | Olympus Corporation | Solid-state imaging device |
US8847296B2 (en) | 2012-01-17 | 2014-09-30 | Olympus Corporation | Solid-state imaging device, imaging apparatus, substrate, semiconductor device and method of manufacturing the solid-state imaging device |
WO2014196255A1 (ja) | 2013-06-07 | 2014-12-11 | オリンパス株式会社 | 半導体装置、固体撮像装置、および撮像装置 |
JP2015041677A (ja) * | 2013-08-21 | 2015-03-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US9025064B2 (en) | 2011-11-02 | 2015-05-05 | Olympus Corporation | Solid-state imaging device, imaging device, and signal readout method |
JPWO2013115075A1 (ja) * | 2012-02-03 | 2015-05-11 | ソニー株式会社 | 半導体装置及び電子機器 |
US9054005B2 (en) | 2012-10-24 | 2015-06-09 | Olympus Corporation | Semiconductor device, imaging device, method of inspecting semiconductor substrate, and method of fabricating semiconductor device |
US9059056B2 (en) | 2011-11-17 | 2015-06-16 | Olympus Corporation | Solid-state imaging device and imaging device |
JP2015115357A (ja) * | 2013-12-09 | 2015-06-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線イメージセンサ |
US9111763B2 (en) | 2011-07-05 | 2015-08-18 | Sony Corporation | Semiconductor device, fabrication method for a semiconductor device and electronic apparatus |
US9123621B2 (en) | 2012-04-23 | 2015-09-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensor, method of manufacturing the same, and camera with plural substrates |
US9142689B2 (en) | 2012-08-08 | 2015-09-22 | Olympus Corporation | Solid-state imaging apparatus and imaging apparatus |
US9153490B2 (en) | 2011-07-19 | 2015-10-06 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, manufacturing method of semiconductor device, semiconductor device, and electronic device |
US9153616B2 (en) | 2012-12-26 | 2015-10-06 | Olympus Corporation | Solid-state imaging device and imaging device with circuit elements distributed on multiple substrates, method of controlling solid-state imaging device, and imaging device with circuit elements distributed on multiple substrates |
US9257468B2 (en) | 2012-11-21 | 2016-02-09 | Olympus Corporation | Solid-state imaging device, imaging device, and signal reading medium that accumulates an amplified signal without digitization |
US9338381B2 (en) | 2012-03-05 | 2016-05-10 | Olympus Corporation | Solid-state image-pickup device, image-pickup device, and signal reading method |
US9349761B2 (en) | 2011-12-07 | 2016-05-24 | Olympus Corporation | Solid-state image pickup device and color signal reading method including a plurality of electrically-coupled substrates |
JP2016139818A (ja) * | 2016-03-04 | 2016-08-04 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、及び、電子機器 |
JP2017011300A (ja) * | 2016-09-30 | 2017-01-12 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびカメラ |
US9560303B2 (en) | 2012-10-26 | 2017-01-31 | Olympus Corporation | Solid-state imaging device, imaging device, and signal reading method |
JP2017519375A (ja) * | 2014-06-12 | 2017-07-13 | ニュー イメージング テクノロジーズ | チャージインジェクションを備えた読出回路構造 |
JP2017199924A (ja) * | 2017-06-21 | 2017-11-02 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2017216480A (ja) * | 2017-09-01 | 2017-12-07 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JPWO2016136488A1 (ja) * | 2015-02-27 | 2017-12-07 | ソニー株式会社 | 半導体装置、固体撮像素子、撮像装置、並びに電子機器 |
JPWO2016140072A1 (ja) * | 2015-03-03 | 2017-12-14 | ソニー株式会社 | 半導体装置、および電子機器 |
JP2018101800A (ja) * | 2013-12-19 | 2018-06-28 | ソニー株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子機器 |
JP2019004043A (ja) * | 2017-06-15 | 2019-01-10 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
WO2019150981A1 (ja) | 2018-02-01 | 2019-08-08 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP2020013909A (ja) * | 2018-07-18 | 2020-01-23 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 受光素子、測距モジュール、および、電子機器 |
WO2020059335A1 (ja) * | 2018-09-18 | 2020-03-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
WO2020100806A1 (en) | 2018-11-16 | 2020-05-22 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging device |
JP2021082775A (ja) * | 2019-11-22 | 2021-05-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置およびその作製方法 |
KR20210091131A (ko) | 2018-11-16 | 2021-07-21 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 촬상 장치 |
JP2022043162A (ja) * | 2015-04-23 | 2022-03-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置 |
JP2022103167A (ja) * | 2016-10-18 | 2022-07-07 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | センサ、測距装置 |
WO2022172628A1 (ja) * | 2021-02-15 | 2022-08-18 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
DE112021002028T5 (de) | 2020-03-31 | 2023-01-12 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Abbildungsvorrichtung und elektronische vorrichtung |
WO2023002662A1 (ja) * | 2021-07-19 | 2023-01-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出装置及び電子機器 |
WO2024095743A1 (ja) * | 2022-11-01 | 2024-05-10 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
Families Citing this family (106)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5029624B2 (ja) * | 2009-01-15 | 2012-09-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
KR101648200B1 (ko) * | 2009-10-22 | 2016-08-12 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
WO2011055626A1 (en) | 2009-11-06 | 2011-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101810254B1 (ko) * | 2009-11-06 | 2017-12-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 동작 방법 |
US20110278687A1 (en) * | 2010-05-17 | 2011-11-17 | Fang-Ming Huang | Backside-illuminated sensor with noise reduction |
JP5823740B2 (ja) | 2010-06-16 | 2015-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 入出力装置 |
JP5766519B2 (ja) * | 2010-06-16 | 2015-08-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 入出力装置 |
JP5797471B2 (ja) * | 2010-06-16 | 2015-10-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 入出力装置 |
JP5606182B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2014-10-15 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5693060B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2015-04-01 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、及び撮像システム |
JP5671890B2 (ja) * | 2010-08-31 | 2015-02-18 | 株式会社ニコン | 撮像装置 |
JP5582945B2 (ja) * | 2010-09-28 | 2014-09-03 | キヤノン株式会社 | 撮像システム |
JP5682327B2 (ja) * | 2011-01-25 | 2015-03-11 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、及び電子機器 |
EP3534399A1 (en) | 2011-05-24 | 2019-09-04 | Sony Corporation | Semiconductor device |
JP5537523B2 (ja) * | 2011-09-22 | 2014-07-02 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
JP2013084785A (ja) | 2011-10-11 | 2013-05-09 | Sony Corp | 固体撮像装置、撮像装置 |
JP2013172210A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-09-02 | Canon Inc | 撮像装置 |
CN111223881B (zh) | 2012-03-30 | 2023-04-21 | 株式会社尼康 | 拍摄元件以及拍摄装置 |
JP6277954B2 (ja) | 2012-03-30 | 2018-02-14 | 株式会社ニコン | 撮像ユニット、撮像装置および撮像制御プログラム |
US9153565B2 (en) | 2012-06-01 | 2015-10-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Image sensors with a high fill-factor |
US8629524B2 (en) * | 2012-04-27 | 2014-01-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus for vertically integrated backside illuminated image sensors |
US10090349B2 (en) | 2012-08-09 | 2018-10-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | CMOS image sensor chips with stacked scheme and methods for forming the same |
EP2846538B1 (en) | 2012-05-02 | 2021-06-23 | Nikon Corporation | Imaging device |
FR2990565B1 (fr) | 2012-05-09 | 2016-10-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation de detecteurs infrarouges |
JP2014022561A (ja) * | 2012-07-18 | 2014-02-03 | Sony Corp | 固体撮像装置、及び、電子機器 |
US9165968B2 (en) * | 2012-09-14 | 2015-10-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | 3D-stacked backside illuminated image sensor and method of making the same |
CN102938410B (zh) * | 2012-12-03 | 2017-06-23 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种cmos图像传感器制造方法 |
JP5925713B2 (ja) * | 2013-02-26 | 2016-05-25 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
US9293500B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-03-22 | Apple Inc. | Exposure control for image sensors |
US9276031B2 (en) | 2013-03-04 | 2016-03-01 | Apple Inc. | Photodiode with different electric potential regions for image sensors |
US9041837B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-05-26 | Apple Inc. | Image sensor with reduced blooming |
US9741754B2 (en) | 2013-03-06 | 2017-08-22 | Apple Inc. | Charge transfer circuit with storage nodes in image sensors |
US9549099B2 (en) * | 2013-03-12 | 2017-01-17 | Apple Inc. | Hybrid image sensor |
TWI617014B (zh) * | 2013-03-12 | 2018-03-01 | Sony Semiconductor Solutions Corp | Solid-state imaging device, manufacturing method, and electronic device |
US9319611B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-04-19 | Apple Inc. | Image sensor with flexible pixel summing |
JP6021762B2 (ja) * | 2013-08-28 | 2016-11-09 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置および製造方法、並びに、電子機器 |
JP6257235B2 (ja) | 2013-09-17 | 2018-01-10 | キヤノン株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
JP6141160B2 (ja) | 2013-09-25 | 2017-06-07 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子およびその動作方法、並びに電子機器およびその動作方法 |
US9596423B1 (en) | 2013-11-21 | 2017-03-14 | Apple Inc. | Charge summing in an image sensor |
US9596420B2 (en) | 2013-12-05 | 2017-03-14 | Apple Inc. | Image sensor having pixels with different integration periods |
US9473706B2 (en) | 2013-12-09 | 2016-10-18 | Apple Inc. | Image sensor flicker detection |
JP2015119154A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、及び電子機器 |
US10285626B1 (en) | 2014-02-14 | 2019-05-14 | Apple Inc. | Activity identification using an optical heart rate monitor |
US9277144B2 (en) | 2014-03-12 | 2016-03-01 | Apple Inc. | System and method for estimating an ambient light condition using an image sensor and field-of-view compensation |
US9232150B2 (en) | 2014-03-12 | 2016-01-05 | Apple Inc. | System and method for estimating an ambient light condition using an image sensor |
US9584743B1 (en) | 2014-03-13 | 2017-02-28 | Apple Inc. | Image sensor with auto-focus and pixel cross-talk compensation |
JP6171997B2 (ja) * | 2014-03-14 | 2017-08-02 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその駆動方法、並びに電子機器 |
US9497397B1 (en) | 2014-04-08 | 2016-11-15 | Apple Inc. | Image sensor with auto-focus and color ratio cross-talk comparison |
KR102380829B1 (ko) * | 2014-04-23 | 2022-03-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 촬상 장치 |
US9538106B2 (en) | 2014-04-25 | 2017-01-03 | Apple Inc. | Image sensor having a uniform digital power signature |
US9245846B2 (en) * | 2014-05-06 | 2016-01-26 | International Business Machines Corporation | Chip with programmable shelf life |
US9686485B2 (en) | 2014-05-30 | 2017-06-20 | Apple Inc. | Pixel binning in an image sensor |
US9729809B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-08-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method of semiconductor device or electronic device |
US20160099281A1 (en) * | 2014-10-07 | 2016-04-07 | Terapede Systems Inc. | 3d high resolution x-ray sensor with integrated scintillator grid |
TWI747805B (zh) * | 2014-10-08 | 2021-12-01 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 攝像裝置及製造方法、以及電子機器 |
JP6700655B2 (ja) * | 2014-10-30 | 2020-05-27 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および光電変換装置の製造方法 |
CN110649050B (zh) * | 2014-12-18 | 2022-11-18 | 索尼公司 | 固态图像传感器、成像装置和电子设备 |
KR102261268B1 (ko) | 2014-12-29 | 2021-06-09 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
WO2017057373A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 株式会社ニコン | 撮像素子、撮像装置、および電子機器 |
KR102109316B1 (ko) * | 2015-09-30 | 2020-05-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 촬상 소자 및 전자 카메라 |
US10944924B2 (en) | 2015-09-30 | 2021-03-09 | Nikon Corporation | Image sensor and electronic camera |
US9565375B1 (en) * | 2015-11-03 | 2017-02-07 | Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas | Pixel and an array of pixels |
CN106876419B (zh) * | 2015-12-10 | 2019-07-30 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Cmos图像传感器及其形成方法 |
JP6682839B2 (ja) * | 2015-12-14 | 2020-04-15 | セイコーエプソン株式会社 | 画像読取装置及び半導体装置 |
CN106981495B (zh) * | 2016-01-15 | 2019-10-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种cmos图像传感器及其制作方法 |
US10297631B2 (en) * | 2016-01-29 | 2019-05-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Metal block and bond pad structure |
CN109076180B (zh) * | 2016-02-29 | 2021-12-07 | 株式会社尼康 | 摄像元件及摄像装置 |
CN113225498A (zh) | 2016-03-24 | 2021-08-06 | 株式会社尼康 | 摄像元件和摄像装置 |
CN108886048B (zh) * | 2016-03-31 | 2022-12-16 | 索尼公司 | 摄像装置、摄像装置的制造方法和电子装置 |
US9912883B1 (en) | 2016-05-10 | 2018-03-06 | Apple Inc. | Image sensor with calibrated column analog-to-digital converters |
CN106098714B (zh) * | 2016-06-07 | 2019-06-07 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 背照式全局曝光像素单元结构及制造方法 |
US10128284B2 (en) * | 2016-06-23 | 2018-11-13 | Qualcomm Incorporated | Multi diode aperture simulation |
JP6753169B2 (ja) | 2016-06-28 | 2020-09-09 | セイコーエプソン株式会社 | 画像読取装置及び半導体装置 |
CN106229322B (zh) * | 2016-07-27 | 2019-08-20 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种背照堆叠式全局曝光像素单元结构及其形成方法 |
JP6818875B2 (ja) | 2016-09-23 | 2021-01-20 | アップル インコーポレイテッドApple Inc. | 積層背面照射型spadアレイ |
US10656251B1 (en) | 2017-01-25 | 2020-05-19 | Apple Inc. | Signal acquisition in a SPAD detector |
CN110235024B (zh) | 2017-01-25 | 2022-10-28 | 苹果公司 | 具有调制灵敏度的spad检测器 |
US10962628B1 (en) | 2017-01-26 | 2021-03-30 | Apple Inc. | Spatial temporal weighting in a SPAD detector |
US10070090B2 (en) * | 2017-02-03 | 2018-09-04 | SmartSens Technology (U.S.), Inc. | Stacked image sensor pixel cell with selectable shutter modes and in-pixel CDS |
US9991298B1 (en) * | 2017-02-03 | 2018-06-05 | SmartSens Technology (US), Inc. | Stacked image sensor pixel cell with a charge amplifier and selectable shutter modes and in-pixel CDS |
KR102372748B1 (ko) * | 2017-04-24 | 2022-03-11 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 적층형 이미지 센서 |
CN107240593B (zh) * | 2017-05-19 | 2020-01-10 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种堆叠式全局曝光像素单元结构及其形成方法 |
US11244980B2 (en) | 2017-06-29 | 2022-02-08 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Semiconductor device |
US10622538B2 (en) | 2017-07-18 | 2020-04-14 | Apple Inc. | Techniques for providing a haptic output and sensing a haptic input using a piezoelectric body |
US10090342B1 (en) | 2017-08-01 | 2018-10-02 | Semiconductor Components Industries, Llc | Stacked image sensor capacitors and related methods |
US10440301B2 (en) | 2017-09-08 | 2019-10-08 | Apple Inc. | Image capture device, pixel, and method providing improved phase detection auto-focus performance |
KR102467845B1 (ko) * | 2017-10-24 | 2022-11-16 | 삼성전자주식회사 | 적층형 씨모스 이미지 센서 |
CN108171192B (zh) * | 2018-01-05 | 2020-06-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 指纹识别检测电路及其驱动方法、显示装置 |
KR102598041B1 (ko) * | 2018-02-28 | 2023-11-07 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 칩 |
US10560646B2 (en) * | 2018-04-19 | 2020-02-11 | Teledyne Scientific & Imaging, Llc | Global-shutter vertically integrated pixel with high dynamic range |
US10848693B2 (en) | 2018-07-18 | 2020-11-24 | Apple Inc. | Image flare detection using asymmetric pixels |
US11019294B2 (en) | 2018-07-18 | 2021-05-25 | Apple Inc. | Seamless readout mode transitions in image sensors |
CN112424928A (zh) * | 2018-07-24 | 2021-02-26 | 索尼半导体解决方案公司 | 半导体装置 |
KR102591627B1 (ko) * | 2018-08-17 | 2023-10-20 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
KR102587498B1 (ko) | 2018-10-02 | 2023-10-10 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
WO2020081006A1 (en) * | 2018-10-16 | 2020-04-23 | Agency For Science, Technology And Research | Stacked arrangement and method of forming the same |
CN110379790A (zh) | 2019-07-25 | 2019-10-25 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种晶圆结构及其制造方法、芯片结构 |
US11196947B2 (en) * | 2019-09-17 | 2021-12-07 | New Imaging Technologies | Optical sensor |
CN111180477B (zh) * | 2020-01-06 | 2022-06-28 | 宁波飞芯电子科技有限公司 | 图像传感器及图像采集设备 |
US11563910B2 (en) | 2020-08-04 | 2023-01-24 | Apple Inc. | Image capture devices having phase detection auto-focus pixels |
KR20220021159A (ko) | 2020-08-13 | 2022-02-22 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
US20220093492A1 (en) * | 2020-09-18 | 2022-03-24 | Intel Corporation | Direct bonding in microelectronic assemblies |
US11990448B2 (en) | 2020-09-18 | 2024-05-21 | Intel Corporation | Direct bonding in microelectronic assemblies |
JP2022119378A (ja) * | 2021-02-04 | 2022-08-17 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、機器 |
US11791332B2 (en) | 2021-02-26 | 2023-10-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Stacked semiconductor device and method |
US11546532B1 (en) | 2021-03-16 | 2023-01-03 | Apple Inc. | Dynamic correlated double sampling for noise rejection in image sensors |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001077341A (ja) * | 1999-09-06 | 2001-03-23 | Shimadzu Corp | 2次元アレイ型検出装置 |
JP2002314061A (ja) * | 2001-04-18 | 2002-10-25 | Sharp Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2004172377A (ja) * | 2002-11-20 | 2004-06-17 | Shimadzu Corp | 放射線検出器及び放射線撮像装置 |
JP2006038657A (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Kyocera Corp | マイクロ化学チップおよびその製造方法 |
JP2006217410A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Tohoku Univ | 光センサおよび固体撮像装置 |
JP2008071961A (ja) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Shimadzu Corp | 光または放射線検出器の製造方法 |
JP2008277511A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Fujifilm Corp | 撮像素子及び撮像装置 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63142663A (ja) * | 1986-12-04 | 1988-06-15 | Sharp Corp | 半導体装置とその製造方法 |
US6204524B1 (en) * | 1999-07-14 | 2001-03-20 | Micron Technology, Inc. | CMOS imager with storage capacitor |
US6710425B2 (en) * | 2001-04-26 | 2004-03-23 | Zeevo, Inc. | Structure to increase density of MIM capacitors between adjacent metal layers in an integrated circuit |
JP4006207B2 (ja) | 2001-09-27 | 2007-11-14 | シャープ株式会社 | 電荷検出装置並びにそれを含むmos型固体撮像装置およびccd型固体撮像装置 |
JP2003133437A (ja) * | 2001-10-24 | 2003-05-09 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
US7372495B2 (en) * | 2002-08-23 | 2008-05-13 | Micron Technology, Inc. | CMOS aps with stacked avalanche multiplication layer and low voltage readout electronics |
JP4403687B2 (ja) | 2002-09-18 | 2010-01-27 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動制御方法 |
JP4045226B2 (ja) * | 2002-10-31 | 2008-02-13 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
US6960796B2 (en) * | 2002-11-26 | 2005-11-01 | Micron Technology, Inc. | CMOS imager pixel designs with storage capacitor |
JP3811473B2 (ja) * | 2003-02-25 | 2006-08-23 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
US7542085B2 (en) * | 2003-11-26 | 2009-06-02 | Aptina Imaging Corporation | Image sensor with a capacitive storage node linked to transfer gate |
KR100938866B1 (ko) * | 2004-02-25 | 2010-01-27 | 에스.오.아이. 테크 실리콘 온 인슐레이터 테크놀로지스 | 광검출장치 |
JP4969771B2 (ja) * | 2004-07-12 | 2012-07-04 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びそのキャパシタ調整方法 |
KR100610481B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2006-08-08 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 수광영역을 넓힌 이미지센서 및 그 제조 방법 |
JP4442570B2 (ja) * | 2005-04-11 | 2010-03-31 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
JP4892886B2 (ja) | 2005-08-04 | 2012-03-07 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及び撮像装置 |
US7326986B2 (en) * | 2006-01-06 | 2008-02-05 | International Business Machines Corporation | Trench memory |
JP2007228460A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Mitsumasa Koyanagi | 集積センサを搭載した積層型半導体装置 |
KR100801447B1 (ko) * | 2006-06-19 | 2008-02-11 | (주)실리콘화일 | 배면 광 포토다이오드를 이용한 이미지센서 및 그 제조방법 |
US8049256B2 (en) * | 2006-10-05 | 2011-11-01 | Omnivision Technologies, Inc. | Active pixel sensor having a sensor wafer connected to a support circuit wafer |
KR100860466B1 (ko) * | 2006-12-27 | 2008-09-25 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지센서 및 그 제조방법 |
KR100835892B1 (ko) * | 2007-03-26 | 2008-06-09 | (주)실리콘화일 | 칩 적층 이미지센서 |
US7965329B2 (en) * | 2008-09-09 | 2011-06-21 | Omnivision Technologies, Inc. | High gain read circuit for 3D integrated pixel |
US8890047B2 (en) * | 2011-09-21 | 2014-11-18 | Aptina Imaging Corporation | Stacked-chip imaging systems |
-
2009
- 2009-03-17 JP JP2009064956A patent/JP4835710B2/ja active Active
-
2010
- 2010-02-08 TW TW99103854A patent/TWI401795B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-03-01 EP EP20100002084 patent/EP2230690B1/en active Active
- 2010-03-03 KR KR1020100018846A patent/KR101640254B1/ko active IP Right Grant
- 2010-03-10 CN CN201310074110.8A patent/CN103227182B/zh active Active
- 2010-03-10 CN CN2010101356922A patent/CN101840926B/zh active Active
- 2010-03-10 US US12/720,855 patent/US8792034B2/en active Active
-
2014
- 2014-07-02 US US14/322,135 patent/US9159763B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001077341A (ja) * | 1999-09-06 | 2001-03-23 | Shimadzu Corp | 2次元アレイ型検出装置 |
JP2002314061A (ja) * | 2001-04-18 | 2002-10-25 | Sharp Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2004172377A (ja) * | 2002-11-20 | 2004-06-17 | Shimadzu Corp | 放射線検出器及び放射線撮像装置 |
JP2006038657A (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Kyocera Corp | マイクロ化学チップおよびその製造方法 |
JP2006217410A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Tohoku Univ | 光センサおよび固体撮像装置 |
JP2008071961A (ja) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Shimadzu Corp | 光または放射線検出器の製造方法 |
JP2008277511A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Fujifilm Corp | 撮像素子及び撮像装置 |
Cited By (102)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012079861A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
JP2012124318A (ja) * | 2010-12-08 | 2012-06-28 | Sony Corp | 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、および電子機器 |
US9269735B2 (en) | 2010-12-08 | 2016-02-23 | Sony Corporation | Method of manufacturing solid-state imaging device, solid-state imaging device, and electronic apparatus |
US9171875B2 (en) | 2011-02-08 | 2015-10-27 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus |
US11164904B2 (en) | 2011-02-08 | 2021-11-02 | Sony Group Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus |
US11798971B2 (en) | 2011-02-08 | 2023-10-24 | Sony Group Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus |
US9911779B2 (en) | 2011-02-08 | 2018-03-06 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus |
US9496307B2 (en) | 2011-02-08 | 2016-11-15 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus |
JP2012164870A (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
US10622399B2 (en) | 2011-02-08 | 2020-04-14 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus |
US10121814B2 (en) | 2011-02-08 | 2018-11-06 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus |
JP2012244331A (ja) * | 2011-05-18 | 2012-12-10 | Olympus Corp | 固体撮像装置、撮像装置および信号読み出し方法 |
JP2012248952A (ja) * | 2011-05-25 | 2012-12-13 | Olympus Corp | 固体撮像装置、撮像装置、および信号読み出し方法 |
JP2012248953A (ja) * | 2011-05-25 | 2012-12-13 | Olympus Corp | 固体撮像装置、撮像装置、および信号読み出し方法 |
US9888199B2 (en) | 2011-05-25 | 2018-02-06 | Olympus Corporation | Solid-state imaging device, imaging device, and signal reading method |
JP2012257095A (ja) * | 2011-06-09 | 2012-12-27 | Olympus Corp | 固体撮像装置、撮像装置、および信号読み出し方法 |
US9066029B2 (en) | 2011-06-09 | 2015-06-23 | Olympus Corporation | Solid-state image pickup device, image pickup device, and signal reading method |
US9426402B2 (en) | 2011-06-09 | 2016-08-23 | Olympus Corporation | Solid-state image pickup device, image pickup device, and signal reading method |
JP2013009154A (ja) * | 2011-06-24 | 2013-01-10 | Olympus Corp | 固体撮像装置、撮像装置、および信号読み出し方法 |
JP2013033896A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-02-14 | Sony Corp | 撮像素子、撮像素子の駆動方法、撮像素子の製造方法、および電子機器 |
US9911778B2 (en) | 2011-07-05 | 2018-03-06 | Sony Corporation | Semiconductor device, fabrication method for a semiconductor device and electronic apparatus |
US10038024B2 (en) | 2011-07-05 | 2018-07-31 | Sony Corporation | Semiconductor device, fabrication method for a semiconductor device and electronic apparatus |
US11569123B2 (en) | 2011-07-05 | 2023-01-31 | Sony Corporation | Semiconductor device, fabrication method for a semiconductor device and electronic apparatus |
US9111763B2 (en) | 2011-07-05 | 2015-08-18 | Sony Corporation | Semiconductor device, fabrication method for a semiconductor device and electronic apparatus |
US9443802B2 (en) | 2011-07-05 | 2016-09-13 | Sony Corporation | Semiconductor device, fabrication method for a semiconductor device and electronic apparatus |
US9070796B2 (en) | 2011-07-06 | 2015-06-30 | Olympus Corporation | Solid-state imaging device and imaging apparatus |
JP2013017124A (ja) * | 2011-07-06 | 2013-01-24 | Olympus Corp | 固体撮像装置、撮像装置、および信号読み出し方法 |
JP2013026713A (ja) * | 2011-07-19 | 2013-02-04 | Olympus Corp | 固体撮像装置、撮像装置、および信号読み出し方法 |
US9525004B2 (en) | 2011-07-19 | 2016-12-20 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, manufacturing method of semiconductor device, semiconductor device, and electronic device |
US9627429B2 (en) | 2011-07-19 | 2017-04-18 | Sony Corporation | Semiconductor device and electronic device having bonded substrates |
US9153490B2 (en) | 2011-07-19 | 2015-10-06 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, manufacturing method of semiconductor device, semiconductor device, and electronic device |
JP2013033786A (ja) * | 2011-08-01 | 2013-02-14 | Sony Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2013058661A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Sony Corp | 固体撮像素子および電子機器 |
JP2013073988A (ja) * | 2011-09-27 | 2013-04-22 | Sony Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US9025064B2 (en) | 2011-11-02 | 2015-05-05 | Olympus Corporation | Solid-state imaging device, imaging device, and signal readout method |
WO2013065212A1 (ja) * | 2011-11-02 | 2013-05-10 | 株式会社島津製作所 | 放射線検出器 |
US9059056B2 (en) | 2011-11-17 | 2015-06-16 | Olympus Corporation | Solid-state imaging device and imaging device |
JP2013110566A (ja) * | 2011-11-21 | 2013-06-06 | Olympus Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の制御方法、および撮像装置 |
JP2013118345A (ja) * | 2011-12-05 | 2013-06-13 | Canon Inc | 固体撮像装置、カメラおよび固体撮像装置の設計方法 |
US9349761B2 (en) | 2011-12-07 | 2016-05-24 | Olympus Corporation | Solid-state image pickup device and color signal reading method including a plurality of electrically-coupled substrates |
US9478520B2 (en) | 2012-01-17 | 2016-10-25 | Olympus Corporation | Solid-state imaging device, imaging apparatus, substrate, semiconductor device and method of manufacturing the solid-state imaging device |
JP2013168623A (ja) * | 2012-01-17 | 2013-08-29 | Olympus Corp | 固体撮像装置、撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
US8847296B2 (en) | 2012-01-17 | 2014-09-30 | Olympus Corporation | Solid-state imaging device, imaging apparatus, substrate, semiconductor device and method of manufacturing the solid-state imaging device |
US10199414B2 (en) | 2012-02-03 | 2019-02-05 | Sony Corporation | Semiconductor device and electronic equipment |
JPWO2013115075A1 (ja) * | 2012-02-03 | 2015-05-11 | ソニー株式会社 | 半導体装置及び電子機器 |
US9634158B2 (en) | 2012-02-03 | 2017-04-25 | Sony Corporation | Semiconductor device and electronic equipment |
JP2013168419A (ja) * | 2012-02-14 | 2013-08-29 | Sony Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、電子機器 |
US9338381B2 (en) | 2012-03-05 | 2016-05-10 | Olympus Corporation | Solid-state image-pickup device, image-pickup device, and signal reading method |
JP2013187360A (ja) * | 2012-03-08 | 2013-09-19 | Sony Corp | 固体撮像装置、及び、電子機器 |
US8830368B2 (en) | 2012-03-22 | 2014-09-09 | Olympus Corporation | Solid-state imaging device |
US9123621B2 (en) | 2012-04-23 | 2015-09-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensor, method of manufacturing the same, and camera with plural substrates |
JP2013247548A (ja) * | 2012-05-28 | 2013-12-09 | Olympus Corp | 固体撮像素子および固体撮像装置 |
US9142689B2 (en) | 2012-08-08 | 2015-09-22 | Olympus Corporation | Solid-state imaging apparatus and imaging apparatus |
US8766160B2 (en) | 2012-08-23 | 2014-07-01 | Olympus Corporation | Solid-state imaging device and imaging device |
JP2014041972A (ja) * | 2012-08-23 | 2014-03-06 | Olympus Corp | 固体撮像装置および撮像装置 |
US9054005B2 (en) | 2012-10-24 | 2015-06-09 | Olympus Corporation | Semiconductor device, imaging device, method of inspecting semiconductor substrate, and method of fabricating semiconductor device |
US9560303B2 (en) | 2012-10-26 | 2017-01-31 | Olympus Corporation | Solid-state imaging device, imaging device, and signal reading method |
US10194110B2 (en) | 2012-11-21 | 2019-01-29 | Olympus Corporation | Solid-state imaging device, imaging device, and signal reading method |
US9257468B2 (en) | 2012-11-21 | 2016-02-09 | Olympus Corporation | Solid-state imaging device, imaging device, and signal reading medium that accumulates an amplified signal without digitization |
US9153616B2 (en) | 2012-12-26 | 2015-10-06 | Olympus Corporation | Solid-state imaging device and imaging device with circuit elements distributed on multiple substrates, method of controlling solid-state imaging device, and imaging device with circuit elements distributed on multiple substrates |
WO2014196255A1 (ja) | 2013-06-07 | 2014-12-11 | オリンパス株式会社 | 半導体装置、固体撮像装置、および撮像装置 |
US9748178B2 (en) | 2013-06-07 | 2017-08-29 | Olympus Corporation | Semiconductor device, solid-state imaging device, and imaging device |
JP2015041677A (ja) * | 2013-08-21 | 2015-03-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2015115357A (ja) * | 2013-12-09 | 2015-06-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線イメージセンサ |
JP2018101800A (ja) * | 2013-12-19 | 2018-06-28 | ソニー株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子機器 |
JP2017519375A (ja) * | 2014-06-12 | 2017-07-13 | ニュー イメージング テクノロジーズ | チャージインジェクションを備えた読出回路構造 |
JPWO2016136488A1 (ja) * | 2015-02-27 | 2017-12-07 | ソニー株式会社 | 半導体装置、固体撮像素子、撮像装置、並びに電子機器 |
US11004879B2 (en) | 2015-02-27 | 2021-05-11 | Sony Corporation | Semiconductor device, solid-state image pickup element, imaging device, and electronic apparatus |
JP2021052210A (ja) * | 2015-02-27 | 2021-04-01 | ソニー株式会社 | 半導体装置、固体撮像装置、撮像装置、および電子機器 |
JP7131602B2 (ja) | 2015-02-27 | 2022-09-06 | ソニーグループ株式会社 | 半導体装置、固体撮像装置、撮像装置、および電子機器 |
US10770490B2 (en) | 2015-03-03 | 2020-09-08 | Sony Corporation | Semiconductor device and electronic apparatus |
JPWO2016140072A1 (ja) * | 2015-03-03 | 2017-12-14 | ソニー株式会社 | 半導体装置、および電子機器 |
JP7212752B2 (ja) | 2015-04-23 | 2023-01-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置 |
JP7463572B2 (ja) | 2015-04-23 | 2024-04-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置 |
JP2022043162A (ja) * | 2015-04-23 | 2022-03-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置 |
JP2016139818A (ja) * | 2016-03-04 | 2016-08-04 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、及び、電子機器 |
JP2017011300A (ja) * | 2016-09-30 | 2017-01-12 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびカメラ |
JP7413432B2 (ja) | 2016-10-18 | 2024-01-15 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | センサ、測距装置 |
JP2022103167A (ja) * | 2016-10-18 | 2022-07-07 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | センサ、測距装置 |
JP2019004043A (ja) * | 2017-06-15 | 2019-01-10 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
JP7038494B2 (ja) | 2017-06-15 | 2022-03-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像素子 |
JP2017199924A (ja) * | 2017-06-21 | 2017-11-02 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2017216480A (ja) * | 2017-09-01 | 2017-12-07 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2019150981A1 (ja) | 2018-02-01 | 2019-08-08 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
US11942502B2 (en) | 2018-02-01 | 2024-03-26 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device, method for manufacturing the same, and electronic apparatus |
EP3748956A4 (en) * | 2018-02-01 | 2021-03-17 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ASSOCIATED MANUFACTURING PROCESS, AND ELECTRONIC APPARATUS |
KR20240031429A (ko) | 2018-02-01 | 2024-03-07 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법, 및 전자 기기 |
KR20200113200A (ko) | 2018-02-01 | 2020-10-06 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법, 및 전자 기기 |
CN111630843A (zh) * | 2018-02-01 | 2020-09-04 | 索尼半导体解决方案公司 | 固态摄像装置、其制造方法和电子设备 |
EP4276907A2 (en) | 2018-02-01 | 2023-11-15 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device and method for manufacturing same, and electronic apparatus |
US11538845B2 (en) | 2018-07-18 | 2022-12-27 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Light receiving element, ranging module, and electronic apparatus |
JP2020013909A (ja) * | 2018-07-18 | 2020-01-23 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 受光素子、測距モジュール、および、電子機器 |
US11764246B2 (en) | 2018-07-18 | 2023-09-19 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Light receiving element, ranging module, and electronic apparatus |
JP7362198B2 (ja) | 2018-07-18 | 2023-10-17 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 受光素子、測距モジュール、および、電子機器 |
WO2020059335A1 (ja) * | 2018-09-18 | 2020-03-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
KR20210091131A (ko) | 2018-11-16 | 2021-07-21 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 촬상 장치 |
WO2020100806A1 (en) | 2018-11-16 | 2020-05-22 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging device |
JP2021082775A (ja) * | 2019-11-22 | 2021-05-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置およびその作製方法 |
DE112021002028T5 (de) | 2020-03-31 | 2023-01-12 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Abbildungsvorrichtung und elektronische vorrichtung |
WO2022172628A1 (ja) * | 2021-02-15 | 2022-08-18 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
WO2023002662A1 (ja) * | 2021-07-19 | 2023-01-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出装置及び電子機器 |
WO2024095743A1 (ja) * | 2022-11-01 | 2024-05-10 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2230690A3 (en) | 2013-11-06 |
KR101640254B1 (ko) | 2016-07-15 |
US9159763B2 (en) | 2015-10-13 |
US20140312392A1 (en) | 2014-10-23 |
CN101840926A (zh) | 2010-09-22 |
US8792034B2 (en) | 2014-07-29 |
CN103227182B (zh) | 2017-04-12 |
TW201126702A (en) | 2011-08-01 |
CN103227182A (zh) | 2013-07-31 |
EP2230690B1 (en) | 2014-09-10 |
TWI401795B (zh) | 2013-07-11 |
US20100238334A1 (en) | 2010-09-23 |
EP2230690A2 (en) | 2010-09-22 |
CN101840926B (zh) | 2013-04-03 |
JP4835710B2 (ja) | 2011-12-14 |
KR20100105377A (ko) | 2010-09-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4835710B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 | |
KR101836039B1 (ko) | 고체 촬상 센서, 고체 촬상 센서의 구동 방법, 촬상 장치 및 전자 기기 | |
JP4941490B2 (ja) | 固体撮像装置、及び電子機器 | |
JP6024103B2 (ja) | 撮像素子、撮像素子の駆動方法、撮像素子の製造方法、および電子機器 | |
JP5257176B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器 | |
JP5476745B2 (ja) | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 | |
JP5369779B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器 | |
KR101679864B1 (ko) | 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 전자기기 | |
US20160005784A1 (en) | Solid-state image pickup device, method of manufacturing thereof, and electronic apparatus | |
JP2012199489A (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び電子機器 | |
JP5332572B2 (ja) | 固体撮像装置、及び電子機器 | |
JP2010050149A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
US20110241080A1 (en) | Solid-state imaging device, method for manufacturing the same, and electronic apparatus | |
TWI709235B (zh) | 固體攝像元件、其製造方法及電子機器 | |
US20120104523A1 (en) | Solid-state imaging device manufacturing method of solid-state imaging device, and electronic apparatus | |
JP2011066241A (ja) | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 | |
JP5348176B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 | |
CN211208448U (zh) | 堆叠芯片图像传感器和固态堆叠芯片图像传感器 | |
JP5278491B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 | |
JP2006129298A (ja) | Cmos固体撮像素子 | |
JP2015142067A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法、半導体装置、並びに電子機器 | |
JP4985862B2 (ja) | 固体撮像装置の駆動方法 | |
JP2014078869A (ja) | 固体撮像素子および撮像装置並びに固体撮像素子の駆動制御方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110311 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110315 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110516 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110621 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110811 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110830 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110912 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141007 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4835710 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141007 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |