JP2007214456A - シリコン微細加工に用いるシリコン異方性エッチング剤組成物、シリコンエッチング方法及びそのエッチングを施されたシリコン基板を有する電子機器 - Google Patents
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Abstract
シリコンエッチングにおいて、結晶面によるエッチング速度比やエッチング面の平滑度などのエッチング特性を維持しつつ、シリコンエッチング速度が高くシリコンエッチングプロセス時間が短縮されるエッチング剤組成物を提供すること。
【解決手段】
アルカリ化合物および還元性化合物および防食剤を含有することを特徴とするシリコン異方性エッチング剤組成物。
Description
佐藤、「シリコンエッチング技術」、表面技術、Vol.51、No.8、2000、P754〜759 江刺、「2003マイクロマシン/MEMS技術大全」、p.109〜114
一方、従来シリコン半導体等における電極や配線材料はアルミニウムやアルミニウム合金が多用されている。これらのアルミニウムやアルミニウム合金はアルカリ性水溶液に侵されやすいため、これらを電極や配線材料としアルカリ性のエッチング液を使用する場合はアルミニウムやアルミニウム合金を保護するために何らかの対策を施していた。その対策としては、アルカリ性エッチング液使用後にアルミニウムやアルミニウム合金の形成を行なう方法や、アルカリ性エッチング液に.耐性を有する保護膜をアルミニウムやアルミニウム合金上に形成し保護する方法や、電極や配線材料をアルミニウムやアルミニウム合金からアルカリ性エッチング液に耐性を有する金属に変更する方法や、特許文献7や8のようにアルカリ性エッチング液にシリコンや更に酸化剤を添加してアルミニウムやアルミニウム合金へのエッチング程度を低下させる方法が用いられる。
防食剤の濃度はエッチング剤組成物中の水等への溶解度並びに添加されるアルカリ化合物並びに還元性化合物の濃度によって適宜決定されるが、好ましくは0.001〜35重量%の範囲で使用される。0.001重量%より低い濃度では、所望の電極や配線材料として用いられるアルミニウムやアルミニウム合金へのエッチングを抑制する効果を得られ難く、35重量%より高い濃度ではエッチング剤組成物中での結晶の析出や固化などが生じ取り扱いが容易ではなくなり好ましくない。
本発明におけるシリコンエッチング方法は、主に異方性エッチングを利用した深いシリコンエッチング工程を有するMEMS製造に適用されるが、半導体集積回路や平板表示装置等の製造にも適用出来る。本発明におけるエッチング方法を用いて加工されたシリコン基板を有する電子機器としては、加速度センサー、角速度センサー、半導体圧力センサー、流量センサー、インクジェットプリンターヘッドなどが挙げられる。
10%水酸化テトラメチルアンモニウムと10%ヒドロキシルアミンと5%ソルビトールを含む水溶液に上述のシリコンのエッチング量測定用サンプルを2時間浸漬し、シリコン単結晶の面(100)方向、面(111)方向へのエッチング量を測定したところ、面(100)方向のエッチング量は約165μm、面(111)方向へのエッチングは約9μmであった。また、同組成の水溶液を中に上述のアルミニウム合金を成膜したサンプルを用いてアルミニウム合金のエッチング量を測定したところアルミニウム合金のエッチング速度は15nm/minであった。
10%水酸化テトラメチルアンモニウムと10%ヒドロキシルアミンと5%キシリトールを含む水溶液にて実施例1と同様の測定を行ったところ、シリコン面(100)方向のエッチング量は約167μm、面(111)方向へのエッチングは約9μmであった。また、アルミニウム合金のエッチング速度は11nm/minであった。
10%水酸化テトラメチルアンモニウムと10%硫酸ヒドロキシルアミンと5%果糖を含む水溶液にて実施例1と同様の測定を行ったところ、シリコン面(100)方向のエッチング量は約161μm、面(111)方向へのエッチングは約8μmであった。また、アルミニウム合金のエッチング速度は21nm/minであった。
10%水酸化テトラメチルアンモニウムと10%ヒドラジンと5%リボースを含む水溶液にて実施例1と同様の測定を行ったところ、シリコン面(100)方向のエッチング量は約145μm、面(111)方向へのエッチングは約8μmであった。また、アルミニウム合金のエッチング速度は30nm/minであった。
10%水酸化カリウムと10%マルトースと5%アラビノースを含む水溶液にて実施例1と同様の測定を行ったところ、シリコン面(100)方向のエッチング量は約188μm、面(111)方向へのエッチングは約4μmであった。また、アルミニウム合金のエッチング速度は80nm/minであった。
10%水酸化カリウムと10%アスコルビン酸と5%グルコースを含む水溶液にて実施例1と同様の測定を行ったところ、シリコン面(100)方向のエッチング量は約177μm、面(111)方向へのエッチングは約3μmであった。また、アルミニウム合金のエッチング速度は70nm/minであった。
10%水酸化テトラメチルアンモニウムと10%ヒドロキシルアミンと20%グリセリンと3%ソルビトールを含む水溶液にて実施例1と同様の測定を行ったところ、シリコン面(100)方向のエッチング量は約147μm、面(111)方向へのエッチングは約4μmであった。また、アルミニウム合金のエッチング速度は10nm/minであった。
10%水酸化テトラメチルアンモニウムを含む水溶液にて実施例1と同様の測定を行ったところ、シリコン面(100)方向のエッチング量は約88μm、面(111)方向へのエッチングは約3μmであった。また、アルミニウム合金のエッチング速度は100nm/min以上であった。
10%水酸化カリウムを含む水溶液にて実施例1と同様の測定を行ったところ、シリコン面(100)方向のエッチング量は約116μm、面(111)方向へのエッチングは約2μmであった。また、アルミニウム合金のエッチング速度は100nm/min以上であった。
10%水酸化テトラメチルアンモニウムと1%次亜リン酸アンモニウムを含む水溶液にて実施例1と同様の測定を行ったところ、シリコン面(100)方向のエッチング量は約79μm、面(111)方向へのエッチングは約2μmであった。また、アルミニウム合金のエッチング速度は100nm/min以上であった。
10%フッ化水素酸水溶液にて実施例1と同様の測定を行ったところ、シリコン面(100)方向のエッチングは1μm以下、面(111)方向へのエッチング量も1μm以下であった。また、また、アルミニウム合金のエッチング速度は100nm/min以上であった。
10%水酸化テトラメチルアンモニウムと5%アスパラギン酸を含む水溶液にて実施例1と同様の測定を行ったところ、シリコン面(100)方向のエッチング量は約84μm、面(111)方向へのエッチングは約3μmであった。また、アルミニウム合金のエッチング速度は100nm/min以上であった。
20%水酸化テトラメチルアンモニウムと10%グリセリンを含む水溶液をエッチング剤とし、実施例1と同様の測定を行ったところ、シリコン面(100)方向のエッチング量は約76μm、面(111)方向へのエッチングは約3μmであった。アルミニウム合金のエッチング速度は100nm/min以上であった。
Claims (16)
- アルカリ化合物、還元性化合物、及び防食剤を含有することを特徴とするシリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物。
- 防食剤が糖類、糖アルコール類、及びカテコール類の少なくとも1種を含有することを特徴とする請求項1記載のシリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物。
- アルカリ化合物が有機アルカリ化合物及び無機アルカリ化合物の少なくともいずれか一方を含む請求項1又は2記載のシリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物。
- 有機アルカリ化合物が、第4級水酸化アンモニウム、コリンまたはエチレンジアミンである請求項3記載のシリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物。
- 無機アルカリ化合物が、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニアまたはヒドラジンである請求項3記載のシリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物。
- アルカリ化合物が水酸化テトラメチルアンモニウム及び/又は水酸化カリウムである請求項1又は2記載のシリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物。
- アルカリ化合物が水酸化カリウムとエチレンジアミンの混合物である請求項1又は2記載のシリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物。
- アルカリ化合物が水酸化カリウムとアンモニアの混合物である請求項1又は2記載のシリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物。
- アルカリ化合物が水酸化テトラメチルアンモニウムである請求項1又は2記載のシリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物。
- 還元性化合物がヒドロキシルアミン類、ヒドラジン類、リン酸塩類、次亜リン酸塩類、還元糖類、アスコルビン酸、およびグリオキシル酸並びにそれらの誘導体から選ばれる少なくとも1種である請求項1〜9何れか1項記載のシリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物。
- 還元性化合物がヒドロキシルアミン、硫酸ヒドロキシルアミン、塩化ヒドロキシルアミン、シュウ酸ヒドロキシルアミン、リン酸ヒドロキシルアミン、ジメチルヒドロキシルアミン塩酸塩、ヒドラジン、一塩酸ヒドラジン、二塩酸ヒドラジン、硫酸ヒドラジン、炭酸ヒドラジン、リン酸ヒドラジン、メチルヒドラジン、マルトース、ラクトース、メリビオース、セリビオース、イソマルトオリゴ糖、アスコルビン酸、またはグリオキシル酸である請求項1〜9何れか1項記載のシリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物。
- アルカリ化合物を0.1〜65重量%、還元性化合物を0.1〜50重量%、防食剤を0.001%〜35重量%含有する請求項1〜11何れか1項記載のシリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物。
- 防食剤がアラビノース、ガラクトース、キシリトール、ソルビトール、マンニトール、マンノース、グルコース、ラクトース、マルトール、マルトース、イノシトール、キシロース、リボース、トレハロース、スクロース、果糖、ポリデキストロース、ピロカテコール、ブチルピロカテコールの少なくとも1種を含有する請求項1〜12何れか1項記載のシリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物。
- さらにアルコール、グリセリンおよびグリセリン誘導体の少なくとも1種を含有する請求項1〜13何れか1項記載のシリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物。
- 請求項1乃至14記載のエッチング剤組成物を用いるシリコン微細加工に用いる異方性エッチング方法。
- 請求項15記載のエッチング方法により加工されたシリコン基板を有する電子機器。
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---|---|
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Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009206335A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Hayashi Junyaku Kogyo Kk | シリコン異方性エッチング液組成物 |
WO2009136558A1 (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-12 | 三菱瓦斯化学株式会社 | シリコンエッチング液およびエッチング方法 |
JP2010253650A (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-11 | Yokogawa Electric Corp | シリコンデバイスの製造方法 |
WO2012023387A1 (ja) | 2010-08-20 | 2012-02-23 | 三菱瓦斯化学株式会社 | トランジスタの製造方法 |
WO2012029450A1 (ja) | 2010-08-31 | 2012-03-08 | 三菱瓦斯化学株式会社 | シリコンエッチング液及びそれを用いたトランジスタの製造方法 |
WO2012035888A1 (ja) * | 2010-09-17 | 2012-03-22 | 三菱瓦斯化学株式会社 | シリコンエッチング液及びそれを用いたトランジスタの製造方法 |
DE112010003900T5 (de) | 2009-10-02 | 2012-08-30 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Lösung zum Ätzen von Silizium und Ätz-Verfahren |
JP2013008900A (ja) * | 2011-06-27 | 2013-01-10 | Fujifilm Corp | キャパシタ構造の形成方法及びこれに用いられるシリコンエッチング液 |
JP2013012614A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Fujifilm Corp | エッチング方法及びこれに用いられるシリコンエッチング液 |
WO2013061648A1 (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-02 | 三菱電機株式会社 | シリコン基板のエッチング方法、シリコン基板のエッチング液および太陽電池の製造方法 |
KR20150107773A (ko) | 2013-01-15 | 2015-09-23 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 실리콘 에칭액 및 에칭방법 그리고 미소전기기계소자 |
JP2016127293A (ja) * | 2014-12-29 | 2016-07-11 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドAir Products And Chemicals Incorporated | エッチング液及びその使用方法 |
US20170084719A1 (en) * | 2015-09-21 | 2017-03-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Etching method and method of fabricating a semiconductor device using the same |
KR20180010483A (ko) * | 2016-07-21 | 2018-01-31 | 동우 화인켐 주식회사 | 폴리실리콘 식각액 조성물 및 반도체 소자의 제조방법 |
WO2019198935A1 (ko) * | 2018-04-11 | 2019-10-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 실리콘 질화막 에칭 조성물 및 이를 이용한 에칭 방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0645311A (ja) * | 1992-07-23 | 1994-02-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH0745582A (ja) * | 1993-07-31 | 1995-02-14 | Sony Corp | 半導体構造体及び半導体構造体の製造方法 |
JPH09246234A (ja) * | 1996-03-12 | 1997-09-19 | Seiko Epson Corp | シリコンウェハーの加工方法及びそのシリコンウェハーを用いた電子機器 |
JP2006186329A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-07-13 | Tokuyama Corp | シリコンエッチング液 |
-
2006
- 2006-02-10 JP JP2006034359A patent/JP5109261B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0645311A (ja) * | 1992-07-23 | 1994-02-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH0745582A (ja) * | 1993-07-31 | 1995-02-14 | Sony Corp | 半導体構造体及び半導体構造体の製造方法 |
JPH09246234A (ja) * | 1996-03-12 | 1997-09-19 | Seiko Epson Corp | シリコンウェハーの加工方法及びそのシリコンウェハーを用いた電子機器 |
JP2006186329A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-07-13 | Tokuyama Corp | シリコンエッチング液 |
Cited By (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101217431B1 (ko) * | 2008-02-28 | 2013-01-02 | 하야시 퓨어 케미칼 가부시키가이샤 | 실리콘 이방성 에칭액 조성물 |
JP2009206335A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Hayashi Junyaku Kogyo Kk | シリコン異方性エッチング液組成物 |
WO2009136558A1 (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-12 | 三菱瓦斯化学株式会社 | シリコンエッチング液およびエッチング方法 |
GB2472365A (en) * | 2008-05-09 | 2011-02-02 | Mitsubishi Gas Chemical Co | Silicon etchant and etching method |
JP5472102B2 (ja) * | 2008-05-09 | 2014-04-16 | 三菱瓦斯化学株式会社 | シリコンエッチング液およびエッチング方法 |
US8562855B2 (en) | 2008-05-09 | 2013-10-22 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Silicon etching liquid and etching method |
GB2472365B (en) * | 2008-05-09 | 2012-04-04 | Mitsubishi Gas Chemical Co | Silicon etching liquid and etching method |
JP2010253650A (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-11 | Yokogawa Electric Corp | シリコンデバイスの製造方法 |
DE112010003900T5 (de) | 2009-10-02 | 2012-08-30 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Lösung zum Ätzen von Silizium und Ätz-Verfahren |
US8859411B2 (en) | 2010-08-20 | 2014-10-14 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Method for producing transistor |
TWI658514B (zh) * | 2010-08-20 | 2019-05-01 | 三菱瓦斯化學股份有限公司 | 電晶體之製造方法 |
JP5853953B2 (ja) * | 2010-08-20 | 2016-02-09 | 三菱瓦斯化学株式会社 | トランジスタの製造方法 |
KR101861713B1 (ko) * | 2010-08-20 | 2018-05-29 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 트랜지스터의 제조 방법 |
WO2012023387A1 (ja) | 2010-08-20 | 2012-02-23 | 三菱瓦斯化学株式会社 | トランジスタの製造方法 |
EP2613345A4 (en) * | 2010-08-31 | 2015-03-18 | Mitsubishi Gas Chemical Co | SILICON ETCHING AGENT AND PROCESS FOR PRODUCING TRANSISTORS USING THE SAME |
WO2012029450A1 (ja) | 2010-08-31 | 2012-03-08 | 三菱瓦斯化学株式会社 | シリコンエッチング液及びそれを用いたトランジスタの製造方法 |
EP2618367A4 (en) * | 2010-09-17 | 2015-02-25 | Mitsubishi Gas Chemical Co | SILICON RESIN LIQUID AND METHOD FOR PRODUCING A TRANSISTOR THEREWITH |
US8852451B2 (en) | 2010-09-17 | 2014-10-07 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Silicon etching fluid and method for producing transistor using same |
KR101797162B1 (ko) * | 2010-09-17 | 2017-11-13 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 실리콘 에칭액 및 이를 이용한 트랜지스터의 제조 방법 |
EP2618367A1 (en) * | 2010-09-17 | 2013-07-24 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Silicon etching fluid and method for producing transistor using same |
TWI504726B (zh) * | 2010-09-17 | 2015-10-21 | Mitsubishi Gas Chemical Co | 矽蝕刻液及利用矽蝕刻液之電晶體之製造方法 |
WO2012035888A1 (ja) * | 2010-09-17 | 2012-03-22 | 三菱瓦斯化学株式会社 | シリコンエッチング液及びそれを用いたトランジスタの製造方法 |
JP2013008900A (ja) * | 2011-06-27 | 2013-01-10 | Fujifilm Corp | キャパシタ構造の形成方法及びこれに用いられるシリコンエッチング液 |
JP2013012614A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Fujifilm Corp | エッチング方法及びこれに用いられるシリコンエッチング液 |
WO2013061648A1 (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-02 | 三菱電機株式会社 | シリコン基板のエッチング方法、シリコン基板のエッチング液および太陽電池の製造方法 |
KR20150107773A (ko) | 2013-01-15 | 2015-09-23 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 실리콘 에칭액 및 에칭방법 그리고 미소전기기계소자 |
US9875904B2 (en) | 2013-01-15 | 2018-01-23 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Silicon etching liquid, silicon etching method, and microelectromechanical element |
US9873833B2 (en) | 2014-12-29 | 2018-01-23 | Versum Materials Us, Llc | Etchant solutions and method of use thereof |
JP2019068087A (ja) * | 2014-12-29 | 2019-04-25 | バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー | エッチング液及びその使用方法 |
JP2016127293A (ja) * | 2014-12-29 | 2016-07-11 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドAir Products And Chemicals Incorporated | エッチング液及びその使用方法 |
KR102468776B1 (ko) * | 2015-09-21 | 2022-11-22 | 삼성전자주식회사 | 폴리실리콘 습식 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
KR20170034985A (ko) * | 2015-09-21 | 2017-03-30 | 삼성전자주식회사 | 폴리실리콘 습식 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
US9972696B2 (en) * | 2015-09-21 | 2018-05-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Etching method and method of fabricating a semiconductor device using the same |
US20170084719A1 (en) * | 2015-09-21 | 2017-03-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Etching method and method of fabricating a semiconductor device using the same |
KR20180010483A (ko) * | 2016-07-21 | 2018-01-31 | 동우 화인켐 주식회사 | 폴리실리콘 식각액 조성물 및 반도체 소자의 제조방법 |
KR102532413B1 (ko) | 2016-07-21 | 2023-05-15 | 동우 화인켐 주식회사 | 폴리실리콘 식각액 조성물 및 반도체 소자의 제조방법 |
KR20190118921A (ko) * | 2018-04-11 | 2019-10-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 실리콘 질화막 에칭 조성물 및 이를 이용한 에칭 방법 |
CN111836873A (zh) * | 2018-04-11 | 2020-10-27 | 三星Sdi株式会社 | 氮化硅膜蚀刻组成物与使用其的蚀刻方法 |
KR102362365B1 (ko) * | 2018-04-11 | 2022-02-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 실리콘 질화막 에칭 조성물 및 이를 이용한 에칭 방법 |
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