JP2006157880A - 高周波モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】高周波モジュール1は、アンテナ端子ANT1,ANT2に接続されたスイッチ回路10と、受信信号端子RX1,RX2およびスイッチ回路10に接続されたダイプレクサ11と、送信信号端子TX1,TX2およびスイッチ回路10に接続されたダイプレクサ12とを備えている。ダイプレクサ11は、2つのバンドパスフィルタ20,30と、ローパスフィルタ40とを有している。ダイプレクサ12は、2つのバンドパスフィルタ50,60と、ローパスフィルタ70とを有している。各バンドパスフィルタ20,30,50,60は共振回路を用いて構成されている。
【選択図】図1
Description
アンテナに接続されるアンテナ端子と、
第1の周波数帯域における受信信号である第1の受信信号を出力する第1の受信信号端子と、
第1の周波数帯域よりも高周波側の第2の周波数帯域における受信信号である第2の受信信号を出力する第2の受信信号端子と、
第1の周波数帯域における送信信号である第1の送信信号が入力される第1の送信信号端子と、
第2の周波数帯域における送信信号である第2の送信信号が入力される第2の送信信号端子と、
アンテナ端子に接続されたスイッチ回路と、
第1および第2の受信信号端子およびスイッチ回路に直接または間接的に接続された第1のダイプレクサと、
第1および第2の送信信号端子およびスイッチ回路に直接または間接的に接続された第2のダイプレクサと、
上記各要素を一体化する基板とを備えている。
[第1の実施の形態]
始めに、本発明の第1の実施の形態に係る高周波モジュールについて説明する。本実施の形態に係る高周波モジュールは、無線LAN用の通信装置に用いられ、第1の周波数帯域における受信信号および送信信号と、第1の周波数帯域よりも高周波側の第2の周波数帯域における受信信号および送信信号とを処理するものである。第1の周波数帯域は、例えばIEEE802.11bにおいて使用される2.4GHz帯である。第2の周波数帯域は、例えばIEEE802.11aやIEEE802.11gにおいて使用される5GHz帯である。また、本実施の形態に係る高周波モジュールは、ダイバシティに対応可能なものである。
次に、図30ないし図34を参照して、本発明の第2の実施の形態に係る高周波モジュールについて説明する。まず、図30を参照して、本実施の形態に係る高周波モジュールの回路構成について説明する。図30は、本実施の形態に係る高周波モジュールの回路構成を示すブロック図である。本実施の形態に係る高周波モジュール501の回路構成は、基本的には、図4に示した高周波回路部の回路構成と同じである。本実施の形態に係る高周波モジュール501は、第1の実施の形態に係る高周波モジュール1における端子RX1,RX2,TX1,TX2を備えていない。代わりに、本実施の形態に係る高周波モジュール501は、平衡信号の形態の第1の受信信号を出力する2つの第1の受信信号端子RX11,RX12と、平衡信号の形態の第2の受信信号を出力する2つの第2の受信信号端子RX21,RX22と、平衡信号の形態の第1の送信信号が入力される2つの第1の送信信号端子TX11,TX12と、平衡信号の形態の第2の送信信号が入力される2つの第2の送信信号端子TX21,TX22とを備えている。
Claims (17)
- アンテナに接続されるアンテナ端子と、
第1の周波数帯域における受信信号である第1の受信信号を出力する第1の受信信号端子と、
前記第1の周波数帯域よりも高周波側の第2の周波数帯域における受信信号である第2の受信信号を出力する第2の受信信号端子と、
前記第1の周波数帯域における送信信号である第1の送信信号が入力される第1の送信信号端子と、
前記第2の周波数帯域における送信信号である第2の送信信号が入力される第2の送信信号端子と、
前記アンテナ端子に接続されたスイッチ回路と、
前記第1および第2の受信信号端子および前記スイッチ回路に直接または間接的に接続された第1のダイプレクサと、
前記第1および第2の送信信号端子および前記スイッチ回路に直接または間接的に接続された第2のダイプレクサと、
上記各要素を一体化する基板とを備え、
前記スイッチ回路は、前記第1および第2のダイプレクサのいずれかを前記アンテナ端子に接続するものであり、
前記第1のダイプレクサは、前記アンテナ端子に入力され前記スイッチ回路を通過した第1の受信信号を通過させて前記第1の受信信号端子に送る第1の受信用バンドパスフィルタと、前記アンテナ端子に入力され前記スイッチ回路を通過した第2の受信信号を通過させて前記第2の受信信号端子に送る第2の受信用バンドパスフィルタとを有し、
前記第2のダイプレクサは、前記第1の送信信号端子に入力された第1の送信信号を通過させて前記スイッチ回路に送る第1の送信用バンドパスフィルタと、前記第2の送信信号端子に入力された第2の送信信号を通過させて前記スイッチ回路に送る第2の送信用バンドパスフィルタとを有し、
前記各バンドパスフィルタは、共振回路を用いて構成されていることを特徴とする高周波モジュール。 - 前記アンテナ端子として第1および第2のアンテナ端子を備え、前記スイッチ回路は、前記第1および第2のダイプレクサのいずれかを、前記第1および第2のアンテナ端子のいずれかに接続することを特徴とする請求項1記載の高周波モジュール。
- 前記基板は、交互に積層された誘電体層と導体層とを含む積層基板であり、前記各共振回路は、前記誘電体層と導体層を用いて構成されていることを特徴とする請求項1または2記載の高周波モジュール。
- 前記各共振回路は、前記導体層を用いて構成された分布定数線路を含むことを特徴とする請求項3記載の高周波モジュール。
- 前記各共振回路は、前記導体層を用いて構成されインダクタンスを有する伝送線路を含み、
前記第1の受信用バンドパスフィルタにおける共振回路に含まれる前記伝送線路の長手方向と前記第2の受信用バンドパスフィルタにおける共振回路に含まれる前記伝送線路の長手方向は直交し、
前記第1の送信用バンドパスフィルタにおける共振回路に含まれる前記伝送線路の長手方向と前記第2の送信用バンドパスフィルタにおける共振回路に含まれる前記伝送線路の長手方向は直交していることを特徴とする請求項3または4記載の高周波モジュール。 - 前記基板は、前記第1のダイプレクサに含まれる全ての共振回路と前記第2のダイプレクサに含まれる全ての共振回路との間に配置されると共にグランドに接続される導体部を含むことを特徴とする請求項3ないし5のいずれかに記載の高周波モジュール。
- 前記スイッチ回路は前記基板に搭載され、前記導体層は、前記スイッチ回路と全ての共振回路との間に配置されると共にグランドに接続されるグランド用導体層を含むことを特徴とする請求項3ないし6のいずれかに記載の高周波モジュール。
- 前記スイッチ回路は、前記基板に搭載されていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の高周波モジュール。
- 前記スイッチ回路は、GaAs化合物半導体による電界効果トランジスタを用いて構成されていることを特徴とする請求項1ないし8のいずれかに記載の高周波モジュール。
- 前記第1のダイプレクサは、更に、前記第2の受信用バンドパスフィルタに直列に接続され、第2の受信信号を通過させるローパスフィルタを有し、
前記第2のダイプレクサは、更に、前記第2の送信用バンドパスフィルタに直列に接続され、第2の送信信号を通過させるローパスフィルタを有することを特徴とする請求項1ないし9のいずれかに記載の高周波モジュール。 - 前記第1のダイプレクサは、更に、前記スイッチ回路と前記第1の受信用バンドパスフィルタとの間に挿入されたインダクタと、前記スイッチ回路と前記第2の受信用バンドパスフィルタとの間に挿入されたキャパシタとを有し、
前記第2のダイプレクサは、更に、前記スイッチ回路と前記第1の送信用バンドパスフィルタとの間に挿入されたインダクタと、前記スイッチ回路と前記第2の送信用バンドパスフィルタとの間に挿入されたキャパシタとを有することを特徴とする請求項1ないし10のいずれかに記載の高周波モジュール。 - 更に、
前記第1の受信信号端子と前記第1のダイプレクサとの間に挿入された第1のアンプおよび第3の受信用バンドパスフィルタと、
前記第2の受信信号端子と前記第1のダイプレクサとの間に挿入された第2のアンプおよび第4の受信用バンドパスフィルタと、
前記第1の送信信号端子と前記第2のダイプレクサとの間に挿入された第3のアンプおよび第3の送信用バンドパスフィルタと、
前記第2の送信信号端子と前記第2のダイプレクサとの間に挿入された第4のアンプおよび第4の送信用バンドパスフィルタとを備え、
前記基板は、交互に積層された誘電体層と導体層とを含み、高周波モジュールの構成要素を一体化する積層基板であり、
前記スイッチ回路および前記第1ないし第4のアンプは、前記基板に搭載されていることを特徴とする請求項1または2記載の高周波モジュール。 - 前記第1の受信信号端子は、平衡信号の形態の第1の受信信号を出力するものであり、
前記第2の受信信号端子は、平衡信号の形態の第2の受信信号を出力するものであり、
前記第1の送信信号端子は、平衡信号の形態の第1の送信信号が入力されるものであり、
前記第2の送信信号端子は、平衡信号の形態の第2の送信信号が入力されるものであり、
前記第1のダイプレクサは、不平衡信号の形態の第1および第2の受信信号を出力し、
前記第2のダイプレクサには、不平衡信号の形態の第1および第2の送信信号が入力され、
高周波モジュールは、更に、
前記第1のダイプレクサより出力される不平衡信号の形態の第1の受信信号を、平衡信号の形態の第1の受信信号に変換して、前記第1の受信信号端子に送る第1のバランと、
前記第1のダイプレクサより出力される不平衡信号の形態の第2の受信信号を、平衡信号の形態の第2の受信信号に変換して、前記第2の受信信号端子に送る第2のバランと、
前記第1の送信信号端子に入力された平衡信号の形態の第1の送信信号を、不平衡信号の形態の第1の送信信号に変換して、前記第2のダイプレクサに送る第3のバランと、
前記第2の送信信号端子に入力された平衡信号の形態の第2の送信信号を、不平衡信号の形態の第2の送信信号に変換して、前記第2のダイプレクサに送る第4のバランとを備えたことを特徴とする請求項12記載の高周波モジュール。 - 前記基板は、互いに反対側を向く第1の面と第2の面とを有し、
前記スイッチ回路および前記第1ないし第4のアンプは、前記第1の面に搭載され、
高周波モジュールは、高周波モジュールの構成要素の一部を構成すると共に前記第1の面に搭載された複数の受動素子を含むことを特徴とする請求項12または13記載の高周波モジュール。 - 更に、前記第1の面およびこの第1の面に搭載された全ての要素を覆う樹脂層を備えたことを特徴とする請求項14記載の高周波モジュール。
- 前記の全ての端子は、前記第2の面に配置されていることを特徴とする請求項15記載の高周波モジュール。
- 前記スイッチ回路および前記第1ないし第4のアンプは、いずれも、前記複数の受動素子のうちの最も高いものの高さよりも小さい高さを有するベアチップの形態の半導体素子になっていることを特徴とする請求項14ないし16のいずれかに記載の高周波モジュール。
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