JPH09260901A - スイッチ回路 - Google Patents
スイッチ回路Info
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- JPH09260901A JPH09260901A JP8071841A JP7184196A JPH09260901A JP H09260901 A JPH09260901 A JP H09260901A JP 8071841 A JP8071841 A JP 8071841A JP 7184196 A JP7184196 A JP 7184196A JP H09260901 A JPH09260901 A JP H09260901A
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- JP
- Japan
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- circuit
- transmission line
- diode
- electrode
- switch circuit
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 生産コストを増大させることなく、小型のス
イッチ回路を提供すること。 【構成】 第１の回路、第２の回路および第３の回路に
接続され、第１の回路と第３の回路との接続、および第
２の回路と第３の回路との接続を切り換えるためのスイ
ッチ回路であって、第１の伝送線路および第２の伝送線
路が、積層素体内の異なる層上に形成されるとともに、
４５度から９０度の角度で交差するように配置され、第
１のダイオードと第２のダイオードが、積層素体上に形
成されたスイッチ回路。
イッチ回路を提供すること。 【構成】 第１の回路、第２の回路および第３の回路に
接続され、第１の回路と第３の回路との接続、および第
２の回路と第３の回路との接続を切り換えるためのスイ
ッチ回路であって、第１の伝送線路および第２の伝送線
路が、積層素体内の異なる層上に形成されるとともに、
４５度から９０度の角度で交差するように配置され、第
１のダイオードと第２のダイオードが、積層素体上に形
成されたスイッチ回路。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スイッチ回路に関
わり、ディジタル携帯電話などの高周波回路において、
信号の伝送経路を切り換えるための高周波スイッチ回路
に関するものである。
わり、ディジタル携帯電話などの高周波回路において、
信号の伝送経路を切り換えるための高周波スイッチ回路
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】上記スイッチ回路は、図３に示すよう
に、ディジタル携帯電話などにおいて、アンテナと受信
回路との伝送経路および送信回路とアンテナとの伝送経
路を切り換えるのに使用される。
に、ディジタル携帯電話などにおいて、アンテナと受信
回路との伝送経路および送信回路とアンテナとの伝送経
路を切り換えるのに使用される。
【０００３】また上記スイッチ回路は、受信ダイバーシ
チ方式を採用している電話などにおいて、受信回路と第
１のアンテナとの伝送経路および受信回路と第２のアン
テナとの伝送経路を切り換えるのにも使用される。また
同様に、送信ダイバーシチ方式を採用している携帯電話
用の基地局などの場合、送信回路と第１のアンテナとの
伝送経路および送信回路と第２のアンテナとの伝送経路
を切り換えるのに使用してもよい。
チ方式を採用している電話などにおいて、受信回路と第
１のアンテナとの伝送経路および受信回路と第２のアン
テナとの伝送経路を切り換えるのにも使用される。また
同様に、送信ダイバーシチ方式を採用している携帯電話
用の基地局などの場合、送信回路と第１のアンテナとの
伝送経路および送信回路と第２のアンテナとの伝送経路
を切り換えるのに使用してもよい。
【０００４】また上記スイッチ回路は、車載用ブースタ
ーなどとの外部接続用端子を持つ携帯電話などの内部回
路と上記端子への経路との切換や、携帯電話用の基地局
などの複数チャネルの切換用としても用いられる。
ーなどとの外部接続用端子を持つ携帯電話などの内部回
路と上記端子への経路との切換や、携帯電話用の基地局
などの複数チャネルの切換用としても用いられる。
【０００５】以下図４に示す本発明が係るスイッチ回路
の一例を示す回路図で詳細に説明する。このスイッチ回
路は、アンテナＡＮＴ、送信回路ＴＸ、受信回路ＲＸに
接続される。送信回路ＴＸには、第１のコンデンサＣ１
を介して第１のダイオードＤ１のアノードが接続され、
第１のダイオードＤ１のカソードには、第３のコンデン
サＣ３を介してアンテナＡＮＴに接続される。アンテナ
ＡＮＴには、第３のコンデンサＣ３、第２の伝送線路Ｔ
Ｌ２、第４のコンデンサＣ４の直列回路を介して受信回
路ＲＸに接続される。また第１のダイオードＤ１のアノ
ードは、第１の伝送線路ＴＬ１と第２のコンデンサＣ２
の直列回路を介して接地される。さらに、第１の伝送線
路ＴＬ１と第２のコンデンサＣ２の中間には、抵抗Ｒ１
を介してコントロール回路ＶＣ１が接続される。また第
２の伝送線路ＴＬ２と第４のコンデンサＣ４の中間に
は、第２のダイオードＤ２のアノードが接続され、第２
のダイオードＤ２のカソードは、第５のコンデンサＣ５
を介して接地される。さらに、第２のダイオードＤ２の
カソードと第５のコンデンサＣ５の中間には、抵抗Ｒ２
を介してコントロール回路ＶＣ２が接続される。ここで
抵抗Ｒ１を介して接続されるコントロール回路ＶＣ１お
よび抵抗Ｒ２を介して接続されるコントロール回路ＶＣ
２は、スイッチ回路を切り換えるための回路である。
の一例を示す回路図で詳細に説明する。このスイッチ回
路は、アンテナＡＮＴ、送信回路ＴＸ、受信回路ＲＸに
接続される。送信回路ＴＸには、第１のコンデンサＣ１
を介して第１のダイオードＤ１のアノードが接続され、
第１のダイオードＤ１のカソードには、第３のコンデン
サＣ３を介してアンテナＡＮＴに接続される。アンテナ
ＡＮＴには、第３のコンデンサＣ３、第２の伝送線路Ｔ
Ｌ２、第４のコンデンサＣ４の直列回路を介して受信回
路ＲＸに接続される。また第１のダイオードＤ１のアノ
ードは、第１の伝送線路ＴＬ１と第２のコンデンサＣ２
の直列回路を介して接地される。さらに、第１の伝送線
路ＴＬ１と第２のコンデンサＣ２の中間には、抵抗Ｒ１
を介してコントロール回路ＶＣ１が接続される。また第
２の伝送線路ＴＬ２と第４のコンデンサＣ４の中間に
は、第２のダイオードＤ２のアノードが接続され、第２
のダイオードＤ２のカソードは、第５のコンデンサＣ５
を介して接地される。さらに、第２のダイオードＤ２の
カソードと第５のコンデンサＣ５の中間には、抵抗Ｒ２
を介してコントロール回路ＶＣ２が接続される。ここで
抵抗Ｒ１を介して接続されるコントロール回路ＶＣ１お
よび抵抗Ｒ２を介して接続されるコントロール回路ＶＣ
２は、スイッチ回路を切り換えるための回路である。
【０００６】図４に示すスイッチ回路において、送信回
路ＴＸとアンテナＡＮＴとを接続する場合、コントロー
ル回路ＶＣ１から正の電圧が、コントロール回路ＶＣ２
から０の電圧が与えられる。コントロール回路ＶＣ１か
ら与えられた正の電圧は、第１から第５までのコンデン
サによって直流分がカットされ、第１のダイオードＤ１
および第２のダイオードＤ２を含む回路にのみ印加さ
れ、第１のダイオードＤ１および第２のダイオードＤ２
がＯＮ状態になる。第１のダイオードＤ１がＯＮ状態に
なることによって、送信回路ＴＸとアンテナＡＮＴと間
の伝送経路のインピーダンスが低くなり接続される。一
方ＯＮ状態になった第２のダイオードＤ２および第５の
コンデンサによって、第２の伝送線路ＴＬ２が高周波的
に接地されることにより共振して、第１のダイオードＤ
１のカソードと第３のコンデンサＣ３と第２の伝送線路
ＴＬ２との接続点ＣＰから受信回路ＲＸ側を見たインピ
ーダンスが非常に大きくなり、アンテナＡＮＴと受信回
路ＲＸとの伝送経路は接続されない。このとき、送信回
路ＴＸからの送信信号が受信回路ＲＸに漏洩することな
く、アンテナＡＮＴに伝送されることになる。
路ＴＸとアンテナＡＮＴとを接続する場合、コントロー
ル回路ＶＣ１から正の電圧が、コントロール回路ＶＣ２
から０の電圧が与えられる。コントロール回路ＶＣ１か
ら与えられた正の電圧は、第１から第５までのコンデン
サによって直流分がカットされ、第１のダイオードＤ１
および第２のダイオードＤ２を含む回路にのみ印加さ
れ、第１のダイオードＤ１および第２のダイオードＤ２
がＯＮ状態になる。第１のダイオードＤ１がＯＮ状態に
なることによって、送信回路ＴＸとアンテナＡＮＴと間
の伝送経路のインピーダンスが低くなり接続される。一
方ＯＮ状態になった第２のダイオードＤ２および第５の
コンデンサによって、第２の伝送線路ＴＬ２が高周波的
に接地されることにより共振して、第１のダイオードＤ
１のカソードと第３のコンデンサＣ３と第２の伝送線路
ＴＬ２との接続点ＣＰから受信回路ＲＸ側を見たインピ
ーダンスが非常に大きくなり、アンテナＡＮＴと受信回
路ＲＸとの伝送経路は接続されない。このとき、送信回
路ＴＸからの送信信号が受信回路ＲＸに漏洩することな
く、アンテナＡＮＴに伝送されることになる。
【０００７】一方アンテナＡＮＴと受信回路ＲＸとを接
続する場合には、コントロール回路ＶＣ２から正または
０の電圧が、コントロール回路ＶＣ１から０の電圧が与
えられることにより、第１のダイオードＤ１および第２
のダイオードＤ２がＯＦＦ状態になる。第１のダイオー
ドＤ１がＯＦＦ状態になることによって、送信回路ＴＸ
とアンテナＡＮＴと間の伝送経路のインピーダンスが高
くなり接続されない。またＯＦＦ状態になった第２のダ
イオードＤ２によって、第２の伝送線路ＴＬ２を介して
アンテナＡＮＴと受信回路ＲＸとの伝送経路が接続され
る。このとき、アンテナＡＮＴからの受信信号が送信回
路ＴＸに漏洩することなく、受信回路ＲＸに伝送される
ことになる。上述のようにして、コントロール回路ＶＣ
１およびコントロール回路ＶＣ２から与えられる電圧を
コントロールすることによって、スイッチ回路を切り換
えて、送受信を行うことができる。
続する場合には、コントロール回路ＶＣ２から正または
０の電圧が、コントロール回路ＶＣ１から０の電圧が与
えられることにより、第１のダイオードＤ１および第２
のダイオードＤ２がＯＦＦ状態になる。第１のダイオー
ドＤ１がＯＦＦ状態になることによって、送信回路ＴＸ
とアンテナＡＮＴと間の伝送経路のインピーダンスが高
くなり接続されない。またＯＦＦ状態になった第２のダ
イオードＤ２によって、第２の伝送線路ＴＬ２を介して
アンテナＡＮＴと受信回路ＲＸとの伝送経路が接続され
る。このとき、アンテナＡＮＴからの受信信号が送信回
路ＴＸに漏洩することなく、受信回路ＲＸに伝送される
ことになる。上述のようにして、コントロール回路ＶＣ
１およびコントロール回路ＶＣ２から与えられる電圧を
コントロールすることによって、スイッチ回路を切り換
えて、送受信を行うことができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図５は、図４に示すよ
うな回路を有する従来のスイッチ回路の一例を示す分解
斜視図である。このスイッチ回路は、積層素体を含み、
第１の伝送線路ＴＬ１となる第１のライン電極３１およ
び第２の伝送線路ＴＬ２となる第２のライン電極３２、
誘電体を介して第１のライン電極３１および第２のライ
ン電極３２を挟むように第１のアース電極４１および第
２のアース電極１１や多数のランドおよび一番上の誘電
体層５０には第１のダイオードＤ１をはじめとする表面
実装部品が配置されている。
うな回路を有する従来のスイッチ回路の一例を示す分解
斜視図である。このスイッチ回路は、積層素体を含み、
第１の伝送線路ＴＬ１となる第１のライン電極３１およ
び第２の伝送線路ＴＬ２となる第２のライン電極３２、
誘電体を介して第１のライン電極３１および第２のライ
ン電極３２を挟むように第１のアース電極４１および第
２のアース電極１１や多数のランドおよび一番上の誘電
体層５０には第１のダイオードＤ１をはじめとする表面
実装部品が配置されている。
【０００９】このスイッチ回路は、第１のライン電極３
１および第２のライン電極３２として、送信信号や受信
信号の波長の１／４の長さを持つ２本の伝送線路が必要
であり、従来は特開平７−２０２５０２、７−２０２５
０４等に開示されているように、積層素体内の同一の層
上にそれぞれ形成されている。積層素体の誘電率にもよ
るが、上記伝送線路は数１０ｍｍ程度になるため、小型
化に限界があった。
１および第２のライン電極３２として、送信信号や受信
信号の波長の１／４の長さを持つ２本の伝送線路が必要
であり、従来は特開平７−２０２５０２、７−２０２５
０４等に開示されているように、積層素体内の同一の層
上にそれぞれ形成されている。積層素体の誘電率にもよ
るが、上記伝送線路は数１０ｍｍ程度になるため、小型
化に限界があった。
【００１０】また特開平７−２０２５０３等に開示され
ているように、第１のライン電極および第２のライン電
極を積層素体内の異なる層上に形成した場合、図６に示
すように第１のライン電極３１および第２のライン電極
１２とがお互いに干渉しないように、第１のライン電極
３１を形成した誘電体層３０および第２のライン電極１
２を形成した誘電体層１０の間にシールド電極２１が形
成された誘電体層２０を設ける必要があり、全体として
積層素体の層数を増加させ生産コストを増大させること
になる。
ているように、第１のライン電極および第２のライン電
極を積層素体内の異なる層上に形成した場合、図６に示
すように第１のライン電極３１および第２のライン電極
１２とがお互いに干渉しないように、第１のライン電極
３１を形成した誘電体層３０および第２のライン電極１
２を形成した誘電体層１０の間にシールド電極２１が形
成された誘電体層２０を設ける必要があり、全体として
積層素体の層数を増加させ生産コストを増大させること
になる。
【００１１】本発明の目的は、上記問題点を解決し、生
産コストを増大させることなく、第１のライン電極およ
び第２のライン電極とがお互いに干渉しないような小型
のスイッチ回路を提供することである。
産コストを増大させることなく、第１のライン電極およ
び第２のライン電極とがお互いに干渉しないような小型
のスイッチ回路を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、第１の回路、
第２の回路および第３の回路に接続され、第１の回路と
第３の回路との接続、および第２の回路と第３の回路と
の接続を切り換えるためのスイッチ回路であって、第１
の回路にアノードが接続され、第３の回路にカソードが
接続される第１のダイオード、第１のダイオードのアノ
ードに接続される第１の伝送線路、第３の回路と第２の
回路との間に接続される第２の伝送線路、および第２の
回路にアノードが接続され、アースにカソードが接続さ
れる第２のダイオードを含み、第１の伝送線路および第
２の伝送線路は、積層素体に内蔵され、第１の伝送線路
および第２の伝送線路が、積層素体内の異なる層上に形
成されるとともに、４５度から９０度の角度で交差する
ように配置され、第１のダイオードと第２のダイオード
が、積層素体上に形成されるスイッチ回路である。
第２の回路および第３の回路に接続され、第１の回路と
第３の回路との接続、および第２の回路と第３の回路と
の接続を切り換えるためのスイッチ回路であって、第１
の回路にアノードが接続され、第３の回路にカソードが
接続される第１のダイオード、第１のダイオードのアノ
ードに接続される第１の伝送線路、第３の回路と第２の
回路との間に接続される第２の伝送線路、および第２の
回路にアノードが接続され、アースにカソードが接続さ
れる第２のダイオードを含み、第１の伝送線路および第
２の伝送線路は、積層素体に内蔵され、第１の伝送線路
および第２の伝送線路が、積層素体内の異なる層上に形
成されるとともに、４５度から９０度の角度で交差する
ように配置され、第１のダイオードと第２のダイオード
が、積層素体上に形成されるスイッチ回路である。
【００１３】本発明において、第１の伝送線路および第
２の伝送線路が、積層素体に内蔵され、第１の伝送線路
および第２の伝送線路が、積層素体内の異なる層上に形
成されるとともに、その各層に形成された伝送線路を投
影的に重ねてみた時、それぞれの伝送線路が４５度から
９０度の角度で交差するように配置されている。このよ
うに、第１の伝送線路と第２の伝送線路が投影的に見た
時、平行に重なるように伸びるのではなく、クロスする
ように配置する（これをねじれの位置という）ことによ
って、第１の伝送線路と第２の伝送線路との伝送する信
号の互いの干渉を抑制することが出来る。つまり、上下
の伝送線路が平行に重なるように配置されていれば、信
号が伝わり易く、逆に全く別のところにあれば、信号は
伝わらない。しかしながら、小型化を考えた場合、全く
別の場所にそれぞれを形成することは困難なため、本発
明では、なるべく平行に重ならないように、交差させて
配置するものである。この交差としては、９０度である
ことが望ましいが、必ずしも９０度でなくても良い。好
ましくは、４５度以上である。本発明により、第１の伝
送線路と第２の伝送線路との間にシールド層を設けず
に、第１の伝送線路および第２の伝送線路をお互いに干
渉させることなく、スイッチ回路の実装面積を減らせる
ことができる。
２の伝送線路が、積層素体に内蔵され、第１の伝送線路
および第２の伝送線路が、積層素体内の異なる層上に形
成されるとともに、その各層に形成された伝送線路を投
影的に重ねてみた時、それぞれの伝送線路が４５度から
９０度の角度で交差するように配置されている。このよ
うに、第１の伝送線路と第２の伝送線路が投影的に見た
時、平行に重なるように伸びるのではなく、クロスする
ように配置する（これをねじれの位置という）ことによ
って、第１の伝送線路と第２の伝送線路との伝送する信
号の互いの干渉を抑制することが出来る。つまり、上下
の伝送線路が平行に重なるように配置されていれば、信
号が伝わり易く、逆に全く別のところにあれば、信号は
伝わらない。しかしながら、小型化を考えた場合、全く
別の場所にそれぞれを形成することは困難なため、本発
明では、なるべく平行に重ならないように、交差させて
配置するものである。この交差としては、９０度である
ことが望ましいが、必ずしも９０度でなくても良い。好
ましくは、４５度以上である。本発明により、第１の伝
送線路と第２の伝送線路との間にシールド層を設けず
に、第１の伝送線路および第２の伝送線路をお互いに干
渉させることなく、スイッチ回路の実装面積を減らせる
ことができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、実施例に従い本発明を詳細
に説明する。 （実施例１）図１に本発明に係る一実施例の斜視図を示
す。このスイッチ回路６００は、積層素体６０１、第１
のダイオード６０３、第２のダイオード６０４を含む。
図２に積層素体６０１の内部構造を示す。積層素体６０
１は、複数の誘電体層などを積層することによって形成
される。
に説明する。 （実施例１）図１に本発明に係る一実施例の斜視図を示
す。このスイッチ回路６００は、積層素体６０１、第１
のダイオード６０３、第２のダイオード６０４を含む。
図２に積層素体６０１の内部構造を示す。積層素体６０
１は、複数の誘電体層などを積層することによって形成
される。
【００１５】最下層の第１の誘電体層１００には、第１
のアース電極１０１が形成され、第１の誘電体層１００
の一方の対向する端部との接続のために引き出し電極１
０１ａおよび１０１ｂが形成される。本実施例では第１
の誘電体層１００の長手方向の対向する両端部に、引き
出し電極１０１ａおよび１０１ｂが形成されているが、
第１の誘電体層１００の幅方向の対向する端部に引き出
し電極（図示しない）を形成してもよい。
のアース電極１０１が形成され、第１の誘電体層１００
の一方の対向する端部との接続のために引き出し電極１
０１ａおよび１０１ｂが形成される。本実施例では第１
の誘電体層１００の長手方向の対向する両端部に、引き
出し電極１０１ａおよび１０１ｂが形成されているが、
第１の誘電体層１００の幅方向の対向する端部に引き出
し電極（図示しない）を形成してもよい。
【００１６】第１の誘電体層１００の上には、第２の誘
電体層２００が形成される。第２の誘電体層２００上に
は、蛇行するように第２の伝送線路２０１が形成され
る。
電体層２００が形成される。第２の誘電体層２００上に
は、蛇行するように第２の伝送線路２０１が形成され
る。
【００１７】第２の誘電体層２００の上には、第３の誘
電体層３００が形成される。第３の誘電体層３００上に
は、蛇行するように第１の伝送線路３０１が形成され
る。第１の伝送線路３０１は、積層素体６０１を上方か
ら透視したとき、第２の伝送線路２０１と９０度の角度
で交差するように配置される。また、第３の誘電体層３
００には、ビアホール３０２ａおよび３０２ｂが形成さ
れる。ビアホール３０２ａは、第２の伝送線路２０１の
一端部に対応する位置に形成され、ビアホール３０２ｂ
は、第２の伝送線路２０１の他端部に対応する位置に形
成される。
電体層３００が形成される。第３の誘電体層３００上に
は、蛇行するように第１の伝送線路３０１が形成され
る。第１の伝送線路３０１は、積層素体６０１を上方か
ら透視したとき、第２の伝送線路２０１と９０度の角度
で交差するように配置される。また、第３の誘電体層３
００には、ビアホール３０２ａおよび３０２ｂが形成さ
れる。ビアホール３０２ａは、第２の伝送線路２０１の
一端部に対応する位置に形成され、ビアホール３０２ｂ
は、第２の伝送線路２０１の他端部に対応する位置に形
成される。
【００１８】第３の誘電体層３００の上には、第４の誘
電体層４００が形成される。第４の誘電体層４００上に
は、第２のアース電極４０１が形成され、第４の誘電体
層４００の一方の対向する端部との接続のために引き出
し電極４０１ａおよび４０１ｂが、それぞれ第１の誘電
体層１００に形成された引き出し電極１０１ａおよび１
０１ｂに対応する位置に形成される。本実施例では第４
の誘電体層４００の長手方向の対向する両端部に、第２
の引き出し電極４０１ａおよび４０１ｂが形成されてい
るが、第４の誘電体層４００の幅方向の対向する端部に
引き出し電極（図示しない）を形成してもよい。また、
第４の誘電体層４００には、ビアホール４０２ａ、４０
２ｂ、４０２ｃおよび４０２ｄが形成される。ビアホー
ル４０２ａは、第２の伝送線路２０１の一端部に対応す
る位置に形成され、ビアホール４０２ｂは、第２の伝送
線路２０１の他端部に対応する位置に形成される。ビア
ホール４０２ｃは、第１の伝送線路３０１の一端部に対
応する位置に形成され、ビアホール４０２ｄは、第１の
伝送線路３０１の他端部に対応する位置に形成される。
電体層４００が形成される。第４の誘電体層４００上に
は、第２のアース電極４０１が形成され、第４の誘電体
層４００の一方の対向する端部との接続のために引き出
し電極４０１ａおよび４０１ｂが、それぞれ第１の誘電
体層１００に形成された引き出し電極１０１ａおよび１
０１ｂに対応する位置に形成される。本実施例では第４
の誘電体層４００の長手方向の対向する両端部に、第２
の引き出し電極４０１ａおよび４０１ｂが形成されてい
るが、第４の誘電体層４００の幅方向の対向する端部に
引き出し電極（図示しない）を形成してもよい。また、
第４の誘電体層４００には、ビアホール４０２ａ、４０
２ｂ、４０２ｃおよび４０２ｄが形成される。ビアホー
ル４０２ａは、第２の伝送線路２０１の一端部に対応す
る位置に形成され、ビアホール４０２ｂは、第２の伝送
線路２０１の他端部に対応する位置に形成される。ビア
ホール４０２ｃは、第１の伝送線路３０１の一端部に対
応する位置に形成され、ビアホール４０２ｄは、第１の
伝送線路３０１の他端部に対応する位置に形成される。
【００１９】第４の誘電体層４００の上には、最上層で
ある第５の誘電体層５００が形成される。第５の誘電体
層５００上には、第１、第２、第３、第４および第５の
コンデンサＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４およびＣ５であるチ
ップコンデンサ６０５ａ、６０５ｂ、６０５ｃ、６０５
ｄおよび６０５ｅ、第１および第２のダイオードＤ１お
よびＤ２となるチップダイオード６０３および６０４、
第１および第２の抵抗Ｒ１およびＲ２となる６０６ａお
よび６０６ｂ、およびそれらの素子と積層素体内に形成
された第１の伝送線路３０１および第２の伝送線路２０
１を接続するための複数のランドなどが形成される。第
５の誘電体層５００には、ビアホール５０２ａ、５０２
ｂ、５０２ｃおよび５０２ｄが形成され、図４に示す回
路を構成するように第５の誘電体層５００上に形成され
た所定のランドと接続される。また、ビアホール５０２
ａは、第２の伝送線路２０１の一端部に対応する位置に
形成され、ビアホール５０２ｂは、第２の伝送線路２０
１の他端部に対応する位置に形成される。ビアホール５
０２ｃは、第１の伝送線路３０１の一端部に対応する位
置に形成され、ビアホール５０２ｄは、第１の伝送線路
３０１の他端部に対応する位置に形成される。
ある第５の誘電体層５００が形成される。第５の誘電体
層５００上には、第１、第２、第３、第４および第５の
コンデンサＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４およびＣ５であるチ
ップコンデンサ６０５ａ、６０５ｂ、６０５ｃ、６０５
ｄおよび６０５ｅ、第１および第２のダイオードＤ１お
よびＤ２となるチップダイオード６０３および６０４、
第１および第２の抵抗Ｒ１およびＲ２となる６０６ａお
よび６０６ｂ、およびそれらの素子と積層素体内に形成
された第１の伝送線路３０１および第２の伝送線路２０
１を接続するための複数のランドなどが形成される。第
５の誘電体層５００には、ビアホール５０２ａ、５０２
ｂ、５０２ｃおよび５０２ｄが形成され、図４に示す回
路を構成するように第５の誘電体層５００上に形成され
た所定のランドと接続される。また、ビアホール５０２
ａは、第２の伝送線路２０１の一端部に対応する位置に
形成され、ビアホール５０２ｂは、第２の伝送線路２０
１の他端部に対応する位置に形成される。ビアホール５
０２ｃは、第１の伝送線路３０１の一端部に対応する位
置に形成され、ビアホール５０２ｄは、第１の伝送線路
３０１の他端部に対応する位置に形成される。
【００２０】第１の誘電体層１００から第５の誘電体層
５００が一体となり、外部電極６０２ａ、６０２ｂ、６
０２ｃ、６０２ｄ、６０２ｅ、６０２ｆ、６０２ｇおよ
び６０２ｈが形成されて積層素体６００となる。ビアホ
ール３０２ａ、４０２ａ、５０２ａおよびランド６０７
を介して、第２の伝送線路２０１の一端と第３のコンデ
ンサ６０５ｃの一方の電極および第１のダイオード６０
３のカソード側が接続される。また、ビアホール３０２
ｂ、４０２ｂ、５０２ｂおよびランド６０８を介して、
第２の伝送線路２０１の他端と第４のコンデンサ６０５
ｄの一方の電極および第２のダイオード６０３のアノー
ド側が接続される。
５００が一体となり、外部電極６０２ａ、６０２ｂ、６
０２ｃ、６０２ｄ、６０２ｅ、６０２ｆ、６０２ｇおよ
び６０２ｈが形成されて積層素体６００となる。ビアホ
ール３０２ａ、４０２ａ、５０２ａおよびランド６０７
を介して、第２の伝送線路２０１の一端と第３のコンデ
ンサ６０５ｃの一方の電極および第１のダイオード６０
３のカソード側が接続される。また、ビアホール３０２
ｂ、４０２ｂ、５０２ｂおよびランド６０８を介して、
第２の伝送線路２０１の他端と第４のコンデンサ６０５
ｄの一方の電極および第２のダイオード６０３のアノー
ド側が接続される。
【００２１】ビアホール４０２ｄ、５０２ｄおよびラン
ド６１０を介して、第１の伝送線路３０１の一端と第１
のコンデンサ６０５ａの一方の電極および第１のダイオ
ード６０３のアノード側が接続される。また、ビアホー
ル４０２ｃ、５０２ｃおよびランド６０９を介して、第
１の伝送線路３０１の他端と第２のコンデンサ６０５ｂ
の一方の電極および第１の抵抗６０６ａが接続される。
ド６１０を介して、第１の伝送線路３０１の一端と第１
のコンデンサ６０５ａの一方の電極および第１のダイオ
ード６０３のアノード側が接続される。また、ビアホー
ル４０２ｃ、５０２ｃおよびランド６０９を介して、第
１の伝送線路３０１の他端と第２のコンデンサ６０５ｂ
の一方の電極および第１の抵抗６０６ａが接続される。
【００２２】外部電極６０２ａは、第１の抵抗６０６ａ
の他方の電極に接続される。この外部電極６０２ａはコ
ントロール回路ＶＣ１に接続される。外部電極６０２ｂ
は、第３のコンデンサ６０５ｃの他方の電極に接続され
る。この外部電極６０２ｂはアンテナＡＮＴに接続され
る。外部電極６０２ｃは、第２の抵抗６０６ｂの他方の
電極に接続される。この外部電極６０２ｃはコントロー
ル回路ＶＣ２に接続される。外部電極６０２ｄは、第５
のコンデンサ６０５ｅの他方の電極、第１のアース電極
１０１の引き出し電極１０１ｂおよび第２のアース電極
４０１の引き出し電極４０１ｂに接続される。この外部
電極６０２ｄは接地される。外部電極６０２ｅは、第４
のコンデンサ６０５ｄの他方の電極に接続される。この
外部電極６０２ｅは受信回路ＲＸに接続される。外部電
極６０２ｇは、第１のコンデンサ６０５ａの他方の電極
に接続される。この外部電極６０２ｇは送信回路ＴＸに
接続される。外部電極６０２ｈは、第２のコンデンサ６
０５ｂの他方の電極、第１のアース電極１０１の引き出
し電極１０１ａおよび第２のアース電極４０１の引き出
し電極４０１ａに接続される。この外部電極６０２ｈは
接地される。このようにして図１に示すスイッチ回路６
００は図４に示す回路となる。
の他方の電極に接続される。この外部電極６０２ａはコ
ントロール回路ＶＣ１に接続される。外部電極６０２ｂ
は、第３のコンデンサ６０５ｃの他方の電極に接続され
る。この外部電極６０２ｂはアンテナＡＮＴに接続され
る。外部電極６０２ｃは、第２の抵抗６０６ｂの他方の
電極に接続される。この外部電極６０２ｃはコントロー
ル回路ＶＣ２に接続される。外部電極６０２ｄは、第５
のコンデンサ６０５ｅの他方の電極、第１のアース電極
１０１の引き出し電極１０１ｂおよび第２のアース電極
４０１の引き出し電極４０１ｂに接続される。この外部
電極６０２ｄは接地される。外部電極６０２ｅは、第４
のコンデンサ６０５ｄの他方の電極に接続される。この
外部電極６０２ｅは受信回路ＲＸに接続される。外部電
極６０２ｇは、第１のコンデンサ６０５ａの他方の電極
に接続される。この外部電極６０２ｇは送信回路ＴＸに
接続される。外部電極６０２ｈは、第２のコンデンサ６
０５ｂの他方の電極、第１のアース電極１０１の引き出
し電極１０１ａおよび第２のアース電極４０１の引き出
し電極４０１ａに接続される。この外部電極６０２ｈは
接地される。このようにして図１に示すスイッチ回路６
００は図４に示す回路となる。
【００２３】この実施例の第１の伝送線路３０１および
第２の伝送線路２０１を透過的に見た平面図を図７に示
す。この第１の伝送線路３０１と第２の伝送線路２０１
が重なる部分は、それぞれの直線部であり、互いにほぼ
９０度で交差している。この図１に示すスイッチ回路６
００は、第１の伝送線路３０１および第２の伝送線路２
０１が、積層素体６０１に内蔵され、第１の伝送線路３
０１および第２の伝送線路２０１が、積層素体６０１内
の異なる層上に形成されるとともに、４５度から９０度
の角度で交差するように配置され、第１のダイオード６
０３と第２のダイオード６０４が積層素体６０１上に形
成される。そのため、第１の伝送線路３０１と第２の伝
送線路２０１との間にシールド層を設けずに、第１の伝
送線路３０１および第２の伝送線路２０１をお互いに干
渉させることなく、スイッチ回路６００の実装面積を減
らすことができ、スイッチ回路６００を小型にできる。
第２の伝送線路２０１を透過的に見た平面図を図７に示
す。この第１の伝送線路３０１と第２の伝送線路２０１
が重なる部分は、それぞれの直線部であり、互いにほぼ
９０度で交差している。この図１に示すスイッチ回路６
００は、第１の伝送線路３０１および第２の伝送線路２
０１が、積層素体６０１に内蔵され、第１の伝送線路３
０１および第２の伝送線路２０１が、積層素体６０１内
の異なる層上に形成されるとともに、４５度から９０度
の角度で交差するように配置され、第１のダイオード６
０３と第２のダイオード６０４が積層素体６０１上に形
成される。そのため、第１の伝送線路３０１と第２の伝
送線路２０１との間にシールド層を設けずに、第１の伝
送線路３０１および第２の伝送線路２０１をお互いに干
渉させることなく、スイッチ回路６００の実装面積を減
らすことができ、スイッチ回路６００を小型にできる。
【００２４】このスイッチ回路６００は、第１の伝送線
路３０１および第２の伝送線路２０１を積層素体６０１
内の同じ誘電体層に形成したものに比べ、第１の伝送線
路３０１および第２の伝送線路２０１を立体的に配置で
きるため、平面的に見て実装面積を減らすことができ
る。
路３０１および第２の伝送線路２０１を積層素体６０１
内の同じ誘電体層に形成したものに比べ、第１の伝送線
路３０１および第２の伝送線路２０１を立体的に配置で
きるため、平面的に見て実装面積を減らすことができ
る。
【００２５】さらに、このスイッチ回路６００は、第１
の伝送線路３０１および第２の伝送線路２０１を積層素
体６０１内の異なる誘電体層に形成し、その間にシール
ド層を形成したものに比べ、積層される誘電体層及びビ
アホールの数を減らすことができる。そのため、積層素
体６０１の全体の厚みを減らすことができ、かつ歩留ま
りを向上させ生産コストを低くできる。
の伝送線路３０１および第２の伝送線路２０１を積層素
体６０１内の異なる誘電体層に形成し、その間にシール
ド層を形成したものに比べ、積層される誘電体層及びビ
アホールの数を減らすことができる。そのため、積層素
体６０１の全体の厚みを減らすことができ、かつ歩留ま
りを向上させ生産コストを低くできる。
【００２６】また、このスイッチ回路６００は、第１の
伝送線路３０１および第２の伝送線路２０１が積層素体
に内蔵されているため、外部からの影響を受けにくい。
また、金属あるいは樹脂ケースを被せたり、樹脂モール
ドなどを施してもよい。本実施例では、積層素体６０１
上に複数のコンデンサを形成しているが、積層素体６０
１に内蔵してもよいし、同様に積層素体６０１上に形成
している複数の抵抗を厚膜印刷などで形成したり、ダイ
オードをベアチップにして所定の各ランドにボンディン
グにより接続した場合にも適応されうる。
伝送線路３０１および第２の伝送線路２０１が積層素体
に内蔵されているため、外部からの影響を受けにくい。
また、金属あるいは樹脂ケースを被せたり、樹脂モール
ドなどを施してもよい。本実施例では、積層素体６０１
上に複数のコンデンサを形成しているが、積層素体６０
１に内蔵してもよいし、同様に積層素体６０１上に形成
している複数の抵抗を厚膜印刷などで形成したり、ダイ
オードをベアチップにして所定の各ランドにボンディン
グにより接続した場合にも適応されうる。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、第１の伝送線路および
第２の伝送線路をそれぞれ積層素体内に形成し、しかも
別の層に設けるとともに、その間にシールド層を設ける
ことなく、第１の伝送線路および第２の伝送線路のお互
いの干渉を抑制することが出来、スイッチ回路を小型化
できる。これにより、スイッチ回路を装着する携帯電話
あるいは高周波回路の小型化が達成される。
第２の伝送線路をそれぞれ積層素体内に形成し、しかも
別の層に設けるとともに、その間にシールド層を設ける
ことなく、第１の伝送線路および第２の伝送線路のお互
いの干渉を抑制することが出来、スイッチ回路を小型化
できる。これにより、スイッチ回路を装着する携帯電話
あるいは高周波回路の小型化が達成される。
【図１】本発明に係る一実施例の斜視図である。
【図２】図１に示す本発明に係る実施例の積層素体の分
解斜視図である。
解斜視図である。
【図３】スイッチ回路の機能を示す図である。
【図４】図１に示す実施例の回路図である。
【図５】従来の技術を示す分解斜視図である。
【図６】従来の他の技術を示す分解斜視図である。
【図７】本発明に係る一実施例の伝送線路の透過平面図
である。
である。
１００ 第１の誘電体層 １０１ 第１のアース電極 １０１ａ、１０１ｂ 引き出し電極 ２００ 第２の誘電体層 ２０１ 第２の伝送線路 ３００ 第３の誘電体層 ３０１ 第１の伝送線路 ３０２ａ、３０２ｂ ビアホール ４００ 第４の誘電体層 ４０１ 第２のアース電極 ４０１ａ、４０１ｂ 引き出し電極 ４０２ａ、４０２ｂ、４０２ｃ、４０２ｄ ビアホール ５００ 第５の誘電体層 ５０２ａ、５０２ｂ、５０２ｃ、５０２ｄ ビアホール ６００ スイッチ回路 ６０１ 積層素体 ６０２ａ、６０２ｂ、６０２ｃ、６０２ｄ、６０２ｅ、
６０２ｆ、６０２ｇ、６０２ｈ 外部電極 ６０３、６０４ ダイオード ６０５ａ、６０５ｂ、６０５ｃ、６０５ｄ、６０５ｅ
コンデンサ ６０６ａ、６０６ｂ 抵抗 ６０７、６０８、６０９、６１０ ランド
６０２ｆ、６０２ｇ、６０２ｈ 外部電極 ６０３、６０４ ダイオード ６０５ａ、６０５ｂ、６０５ｃ、６０５ｄ、６０５ｅ
コンデンサ ６０６ａ、６０６ｂ 抵抗 ６０７、６０８、６０９、６１０ ランド
Claims (4)
- 【請求項１】 第１の回路、第２の回路および第３の回
路に接続され、前記第１の回路と前記第３の回路との接
続、および前記第２の回路と前記第３の回路との接続を
切り換えるためのスイッチ回路であって、前記第１の回
路にアノードが接続され、前記第３の回路にカソードが
接続される第１のダイオード、前記第１のダイオードの
アノードに接続される第１の伝送線路、前記第３の回路
と前記第２の回路との間に接続される第２の伝送線路、
および前記第２の回路にアノードが接続され、アースに
カソードが接続される第２のダイオードを含み、前記第
１の伝送線路および前記第２の伝送線路は、積層素体に
内蔵され、前記第１の伝送線路および前記第２の伝送線
路が、前記積層素体内の異なる層上に形成されるととも
に、４５度から９０度の角度で交差するように配置さ
れ、前記第１のダイオードと前記第２のダイオードが、
前記積層素体上に配置されたことを特徴とするスイッチ
回路。 - 【請求項２】 第１の回路、第２の回路および第３の回
路に接続され、前記第１の回路と前記第３の回路との接
続、および前記第２の回路と前記第３の回路との接続を
切り換えるためのスイッチ回路であって、前記第１の回
路にアノードが接続され、前記第３の回路にカソードが
接続される第１のダイオード、前記第１のダイオードの
アノードに接続される第１の伝送線路、前記第３の回路
と前記第２の回路との間に接続される第２の伝送線路、
および前記第２の回路にアノードが接続され、アースに
カソードが接続される第２のダイオードを含み、前記第
１の伝送線路および前記第２の伝送線路は、積層素体に
内蔵され、前記第１の伝送線路および前記第２の伝送線
路が、前記積層素体内の異なる層上に形成されるととも
に、ねじれの位置に配置され、前記第１のダイオードと
前記第２のダイオードが、前記積層素体上に配置された
ことを特徴とするスイッチ回路。 - 【請求項３】 前記第１の伝送線路および前記第２の伝
送線路が交差する部分がそれぞれ前記第１の伝送線路お
よび前記第２の伝送線路の直線部であることを特徴とす
る請求項１または請求項２に記載のスイッチ回路。 - 【請求項４】 前記第１の伝送線路または前記第２の伝
送線路がトリプレートラインであることを特徴とする請
求項１または請求項２に記載のスイッチ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8071841A JPH09260901A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | スイッチ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8071841A JPH09260901A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | スイッチ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260901A true JPH09260901A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=13472180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8071841A Pending JPH09260901A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | スイッチ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09260901A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11225088A (ja) * | 1997-12-03 | 1999-08-17 | Hitachi Metals Ltd | マルチバンド用高周波スイッチモジュール |
| JP2000049651A (ja) * | 1998-07-27 | 2000-02-18 | Hitachi Metals Ltd | マルチバンド用高周波スイッチモジュール |
| EP1024605A2 (en) * | 1999-01-27 | 2000-08-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency switch |
| JP2001352268A (ja) * | 2000-06-09 | 2001-12-21 | Hitachi Metals Ltd | 高周波スイッチモジュール |
| US6563396B2 (en) | 1999-09-28 | 2003-05-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite high frequency component and mobile communication apparatus incorporating the same |
| US6831528B2 (en) | 2000-12-28 | 2004-12-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency switching module and high-frequency apparatus equipped with the same |
| EP1473846A3 (en) * | 1997-12-03 | 2006-03-29 | Hitachi Metals, Ltd. | Multiband high-frequency switching modul |
| JP2006157880A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-06-15 | Tdk Corp | 高周波モジュール |
| US7388453B2 (en) | 2004-11-15 | 2008-06-17 | Tdk Corporation | High frequency module |
| US7565116B2 (en) | 2004-11-15 | 2009-07-21 | Tdk Corporation | High frequency module |
| CN115955766A (zh) * | 2023-03-09 | 2023-04-11 | 武汉嘉晨电子技术有限公司 | 一种抑制emc干扰的fpc排线及智能bdu |
-
1996
- 1996-03-27 JP JP8071841A patent/JPH09260901A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11225088A (ja) * | 1997-12-03 | 1999-08-17 | Hitachi Metals Ltd | マルチバンド用高周波スイッチモジュール |
| EP1473846A3 (en) * | 1997-12-03 | 2006-03-29 | Hitachi Metals, Ltd. | Multiband high-frequency switching modul |
| JP2000049651A (ja) * | 1998-07-27 | 2000-02-18 | Hitachi Metals Ltd | マルチバンド用高周波スイッチモジュール |
| EP1583253A3 (en) * | 1999-01-27 | 2005-10-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency switch |
| EP1024605A2 (en) * | 1999-01-27 | 2000-08-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency switch |
| US7391284B2 (en) | 1999-01-27 | 2008-06-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency switch |
| EP1024605A3 (en) * | 1999-01-27 | 2003-12-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency switch |
| US6897738B2 (en) | 1999-01-27 | 2005-05-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency switch |
| EP1583253A2 (en) * | 1999-01-27 | 2005-10-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency switch |
| US6563396B2 (en) | 1999-09-28 | 2003-05-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite high frequency component and mobile communication apparatus incorporating the same |
| JP2001352268A (ja) * | 2000-06-09 | 2001-12-21 | Hitachi Metals Ltd | 高周波スイッチモジュール |
| JP4565368B2 (ja) * | 2000-06-09 | 2010-10-20 | 日立金属株式会社 | 高周波スイッチモジュール |
| US6831528B2 (en) | 2000-12-28 | 2004-12-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency switching module and high-frequency apparatus equipped with the same |
| JP2006157880A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-06-15 | Tdk Corp | 高周波モジュール |
| US7388453B2 (en) | 2004-11-15 | 2008-06-17 | Tdk Corporation | High frequency module |
| US7565116B2 (en) | 2004-11-15 | 2009-07-21 | Tdk Corporation | High frequency module |
| CN115955766A (zh) * | 2023-03-09 | 2023-04-11 | 武汉嘉晨电子技术有限公司 | 一种抑制emc干扰的fpc排线及智能bdu |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041129 |