JPH09260901A - スイッチ回路 - Google Patents
スイッチ回路Info
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- JPH09260901A JPH09260901A JP8071841A JP7184196A JPH09260901A JP H09260901 A JPH09260901 A JP H09260901A JP 8071841 A JP8071841 A JP 8071841A JP 7184196 A JP7184196 A JP 7184196A JP H09260901 A JPH09260901 A JP H09260901A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- transmission line
- diode
- electrode
- switch circuit
- Prior art date
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Transceivers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 生産コストを増大させることなく、小型のス
イッチ回路を提供すること。 【構成】 第1の回路、第2の回路および第3の回路に
接続され、第1の回路と第3の回路との接続、および第
2の回路と第3の回路との接続を切り換えるためのスイ
ッチ回路であって、第1の伝送線路および第2の伝送線
路が、積層素体内の異なる層上に形成されるとともに、
45度から90度の角度で交差するように配置され、第
1のダイオードと第2のダイオードが、積層素体上に形
成されたスイッチ回路。
イッチ回路を提供すること。 【構成】 第1の回路、第2の回路および第3の回路に
接続され、第1の回路と第3の回路との接続、および第
2の回路と第3の回路との接続を切り換えるためのスイ
ッチ回路であって、第1の伝送線路および第2の伝送線
路が、積層素体内の異なる層上に形成されるとともに、
45度から90度の角度で交差するように配置され、第
1のダイオードと第2のダイオードが、積層素体上に形
成されたスイッチ回路。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、スイッチ回路に関
わり、ディジタル携帯電話などの高周波回路において、
信号の伝送経路を切り換えるための高周波スイッチ回路
に関するものである。
わり、ディジタル携帯電話などの高周波回路において、
信号の伝送経路を切り換えるための高周波スイッチ回路
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】上記スイッチ回路は、図3に示すよう
に、ディジタル携帯電話などにおいて、アンテナと受信
回路との伝送経路および送信回路とアンテナとの伝送経
路を切り換えるのに使用される。
に、ディジタル携帯電話などにおいて、アンテナと受信
回路との伝送経路および送信回路とアンテナとの伝送経
路を切り換えるのに使用される。
【0003】また上記スイッチ回路は、受信ダイバーシ
チ方式を採用している電話などにおいて、受信回路と第
1のアンテナとの伝送経路および受信回路と第2のアン
テナとの伝送経路を切り換えるのにも使用される。また
同様に、送信ダイバーシチ方式を採用している携帯電話
用の基地局などの場合、送信回路と第1のアンテナとの
伝送経路および送信回路と第2のアンテナとの伝送経路
を切り換えるのに使用してもよい。
チ方式を採用している電話などにおいて、受信回路と第
1のアンテナとの伝送経路および受信回路と第2のアン
テナとの伝送経路を切り換えるのにも使用される。また
同様に、送信ダイバーシチ方式を採用している携帯電話
用の基地局などの場合、送信回路と第1のアンテナとの
伝送経路および送信回路と第2のアンテナとの伝送経路
を切り換えるのに使用してもよい。
【0004】また上記スイッチ回路は、車載用ブースタ
ーなどとの外部接続用端子を持つ携帯電話などの内部回
路と上記端子への経路との切換や、携帯電話用の基地局
などの複数チャネルの切換用としても用いられる。
ーなどとの外部接続用端子を持つ携帯電話などの内部回
路と上記端子への経路との切換や、携帯電話用の基地局
などの複数チャネルの切換用としても用いられる。
【0005】以下図4に示す本発明が係るスイッチ回路
の一例を示す回路図で詳細に説明する。このスイッチ回
路は、アンテナANT、送信回路TX、受信回路RXに
接続される。送信回路TXには、第1のコンデンサC1
を介して第1のダイオードD1のアノードが接続され、
第1のダイオードD1のカソードには、第3のコンデン
サC3を介してアンテナANTに接続される。アンテナ
ANTには、第3のコンデンサC3、第2の伝送線路T
L2、第4のコンデンサC4の直列回路を介して受信回
路RXに接続される。また第1のダイオードD1のアノ
ードは、第1の伝送線路TL1と第2のコンデンサC2
の直列回路を介して接地される。さらに、第1の伝送線
路TL1と第2のコンデンサC2の中間には、抵抗R1
を介してコントロール回路VC1が接続される。また第
2の伝送線路TL2と第4のコンデンサC4の中間に
は、第2のダイオードD2のアノードが接続され、第2
のダイオードD2のカソードは、第5のコンデンサC5
を介して接地される。さらに、第2のダイオードD2の
カソードと第5のコンデンサC5の中間には、抵抗R2
を介してコントロール回路VC2が接続される。ここで
抵抗R1を介して接続されるコントロール回路VC1お
よび抵抗R2を介して接続されるコントロール回路VC
2は、スイッチ回路を切り換えるための回路である。
の一例を示す回路図で詳細に説明する。このスイッチ回
路は、アンテナANT、送信回路TX、受信回路RXに
接続される。送信回路TXには、第1のコンデンサC1
を介して第1のダイオードD1のアノードが接続され、
第1のダイオードD1のカソードには、第3のコンデン
サC3を介してアンテナANTに接続される。アンテナ
ANTには、第3のコンデンサC3、第2の伝送線路T
L2、第4のコンデンサC4の直列回路を介して受信回
路RXに接続される。また第1のダイオードD1のアノ
ードは、第1の伝送線路TL1と第2のコンデンサC2
の直列回路を介して接地される。さらに、第1の伝送線
路TL1と第2のコンデンサC2の中間には、抵抗R1
を介してコントロール回路VC1が接続される。また第
2の伝送線路TL2と第4のコンデンサC4の中間に
は、第2のダイオードD2のアノードが接続され、第2
のダイオードD2のカソードは、第5のコンデンサC5
を介して接地される。さらに、第2のダイオードD2の
カソードと第5のコンデンサC5の中間には、抵抗R2
を介してコントロール回路VC2が接続される。ここで
抵抗R1を介して接続されるコントロール回路VC1お
よび抵抗R2を介して接続されるコントロール回路VC
2は、スイッチ回路を切り換えるための回路である。
【0006】図4に示すスイッチ回路において、送信回
路TXとアンテナANTとを接続する場合、コントロー
ル回路VC1から正の電圧が、コントロール回路VC2
から0の電圧が与えられる。コントロール回路VC1か
ら与えられた正の電圧は、第1から第5までのコンデン
サによって直流分がカットされ、第1のダイオードD1
および第2のダイオードD2を含む回路にのみ印加さ
れ、第1のダイオードD1および第2のダイオードD2
がON状態になる。第1のダイオードD1がON状態に
なることによって、送信回路TXとアンテナANTと間
の伝送経路のインピーダンスが低くなり接続される。一
方ON状態になった第2のダイオードD2および第5の
コンデンサによって、第2の伝送線路TL2が高周波的
に接地されることにより共振して、第1のダイオードD
1のカソードと第3のコンデンサC3と第2の伝送線路
TL2との接続点CPから受信回路RX側を見たインピ
ーダンスが非常に大きくなり、アンテナANTと受信回
路RXとの伝送経路は接続されない。このとき、送信回
路TXからの送信信号が受信回路RXに漏洩することな
く、アンテナANTに伝送されることになる。
路TXとアンテナANTとを接続する場合、コントロー
ル回路VC1から正の電圧が、コントロール回路VC2
から0の電圧が与えられる。コントロール回路VC1か
ら与えられた正の電圧は、第1から第5までのコンデン
サによって直流分がカットされ、第1のダイオードD1
および第2のダイオードD2を含む回路にのみ印加さ
れ、第1のダイオードD1および第2のダイオードD2
がON状態になる。第1のダイオードD1がON状態に
なることによって、送信回路TXとアンテナANTと間
の伝送経路のインピーダンスが低くなり接続される。一
方ON状態になった第2のダイオードD2および第5の
コンデンサによって、第2の伝送線路TL2が高周波的
に接地されることにより共振して、第1のダイオードD
1のカソードと第3のコンデンサC3と第2の伝送線路
TL2との接続点CPから受信回路RX側を見たインピ
ーダンスが非常に大きくなり、アンテナANTと受信回
路RXとの伝送経路は接続されない。このとき、送信回
路TXからの送信信号が受信回路RXに漏洩することな
く、アンテナANTに伝送されることになる。
【0007】一方アンテナANTと受信回路RXとを接
続する場合には、コントロール回路VC2から正または
0の電圧が、コントロール回路VC1から0の電圧が与
えられることにより、第1のダイオードD1および第2
のダイオードD2がOFF状態になる。第1のダイオー
ドD1がOFF状態になることによって、送信回路TX
とアンテナANTと間の伝送経路のインピーダンスが高
くなり接続されない。またOFF状態になった第2のダ
イオードD2によって、第2の伝送線路TL2を介して
アンテナANTと受信回路RXとの伝送経路が接続され
る。このとき、アンテナANTからの受信信号が送信回
路TXに漏洩することなく、受信回路RXに伝送される
ことになる。上述のようにして、コントロール回路VC
1およびコントロール回路VC2から与えられる電圧を
コントロールすることによって、スイッチ回路を切り換
えて、送受信を行うことができる。
続する場合には、コントロール回路VC2から正または
0の電圧が、コントロール回路VC1から0の電圧が与
えられることにより、第1のダイオードD1および第2
のダイオードD2がOFF状態になる。第1のダイオー
ドD1がOFF状態になることによって、送信回路TX
とアンテナANTと間の伝送経路のインピーダンスが高
くなり接続されない。またOFF状態になった第2のダ
イオードD2によって、第2の伝送線路TL2を介して
アンテナANTと受信回路RXとの伝送経路が接続され
る。このとき、アンテナANTからの受信信号が送信回
路TXに漏洩することなく、受信回路RXに伝送される
ことになる。上述のようにして、コントロール回路VC
1およびコントロール回路VC2から与えられる電圧を
コントロールすることによって、スイッチ回路を切り換
えて、送受信を行うことができる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】図5は、図4に示すよ
うな回路を有する従来のスイッチ回路の一例を示す分解
斜視図である。このスイッチ回路は、積層素体を含み、
第1の伝送線路TL1となる第1のライン電極31およ
び第2の伝送線路TL2となる第2のライン電極32、
誘電体を介して第1のライン電極31および第2のライ
ン電極32を挟むように第1のアース電極41および第
2のアース電極11や多数のランドおよび一番上の誘電
体層50には第1のダイオードD1をはじめとする表面
実装部品が配置されている。
うな回路を有する従来のスイッチ回路の一例を示す分解
斜視図である。このスイッチ回路は、積層素体を含み、
第1の伝送線路TL1となる第1のライン電極31およ
び第2の伝送線路TL2となる第2のライン電極32、
誘電体を介して第1のライン電極31および第2のライ
ン電極32を挟むように第1のアース電極41および第
2のアース電極11や多数のランドおよび一番上の誘電
体層50には第1のダイオードD1をはじめとする表面
実装部品が配置されている。
【0009】このスイッチ回路は、第1のライン電極3
1および第2のライン電極32として、送信信号や受信
信号の波長の1/4の長さを持つ2本の伝送線路が必要
であり、従来は特開平7−202502、7−2025
04等に開示されているように、積層素体内の同一の層
上にそれぞれ形成されている。積層素体の誘電率にもよ
るが、上記伝送線路は数10mm程度になるため、小型
化に限界があった。
1および第2のライン電極32として、送信信号や受信
信号の波長の1/4の長さを持つ2本の伝送線路が必要
であり、従来は特開平7−202502、7−2025
04等に開示されているように、積層素体内の同一の層
上にそれぞれ形成されている。積層素体の誘電率にもよ
るが、上記伝送線路は数10mm程度になるため、小型
化に限界があった。
【0010】また特開平7−202503等に開示され
ているように、第1のライン電極および第2のライン電
極を積層素体内の異なる層上に形成した場合、図6に示
すように第1のライン電極31および第2のライン電極
12とがお互いに干渉しないように、第1のライン電極
31を形成した誘電体層30および第2のライン電極1
2を形成した誘電体層10の間にシールド電極21が形
成された誘電体層20を設ける必要があり、全体として
積層素体の層数を増加させ生産コストを増大させること
になる。
ているように、第1のライン電極および第2のライン電
極を積層素体内の異なる層上に形成した場合、図6に示
すように第1のライン電極31および第2のライン電極
12とがお互いに干渉しないように、第1のライン電極
31を形成した誘電体層30および第2のライン電極1
2を形成した誘電体層10の間にシールド電極21が形
成された誘電体層20を設ける必要があり、全体として
積層素体の層数を増加させ生産コストを増大させること
になる。
【0011】本発明の目的は、上記問題点を解決し、生
産コストを増大させることなく、第1のライン電極およ
び第2のライン電極とがお互いに干渉しないような小型
のスイッチ回路を提供することである。
産コストを増大させることなく、第1のライン電極およ
び第2のライン電極とがお互いに干渉しないような小型
のスイッチ回路を提供することである。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は、第1の回路、
第2の回路および第3の回路に接続され、第1の回路と
第3の回路との接続、および第2の回路と第3の回路と
の接続を切り換えるためのスイッチ回路であって、第1
の回路にアノードが接続され、第3の回路にカソードが
接続される第1のダイオード、第1のダイオードのアノ
ードに接続される第1の伝送線路、第3の回路と第2の
回路との間に接続される第2の伝送線路、および第2の
回路にアノードが接続され、アースにカソードが接続さ
れる第2のダイオードを含み、第1の伝送線路および第
2の伝送線路は、積層素体に内蔵され、第1の伝送線路
および第2の伝送線路が、積層素体内の異なる層上に形
成されるとともに、45度から90度の角度で交差する
ように配置され、第1のダイオードと第2のダイオード
が、積層素体上に形成されるスイッチ回路である。
第2の回路および第3の回路に接続され、第1の回路と
第3の回路との接続、および第2の回路と第3の回路と
の接続を切り換えるためのスイッチ回路であって、第1
の回路にアノードが接続され、第3の回路にカソードが
接続される第1のダイオード、第1のダイオードのアノ
ードに接続される第1の伝送線路、第3の回路と第2の
回路との間に接続される第2の伝送線路、および第2の
回路にアノードが接続され、アースにカソードが接続さ
れる第2のダイオードを含み、第1の伝送線路および第
2の伝送線路は、積層素体に内蔵され、第1の伝送線路
および第2の伝送線路が、積層素体内の異なる層上に形
成されるとともに、45度から90度の角度で交差する
ように配置され、第1のダイオードと第2のダイオード
が、積層素体上に形成されるスイッチ回路である。
【0013】本発明において、第1の伝送線路および第
2の伝送線路が、積層素体に内蔵され、第1の伝送線路
および第2の伝送線路が、積層素体内の異なる層上に形
成されるとともに、その各層に形成された伝送線路を投
影的に重ねてみた時、それぞれの伝送線路が45度から
90度の角度で交差するように配置されている。このよ
うに、第1の伝送線路と第2の伝送線路が投影的に見た
時、平行に重なるように伸びるのではなく、クロスする
ように配置する(これをねじれの位置という)ことによ
って、第1の伝送線路と第2の伝送線路との伝送する信
号の互いの干渉を抑制することが出来る。つまり、上下
の伝送線路が平行に重なるように配置されていれば、信
号が伝わり易く、逆に全く別のところにあれば、信号は
伝わらない。しかしながら、小型化を考えた場合、全く
別の場所にそれぞれを形成することは困難なため、本発
明では、なるべく平行に重ならないように、交差させて
配置するものである。この交差としては、90度である
ことが望ましいが、必ずしも90度でなくても良い。好
ましくは、45度以上である。本発明により、第1の伝
送線路と第2の伝送線路との間にシールド層を設けず
に、第1の伝送線路および第2の伝送線路をお互いに干
渉させることなく、スイッチ回路の実装面積を減らせる
ことができる。
2の伝送線路が、積層素体に内蔵され、第1の伝送線路
および第2の伝送線路が、積層素体内の異なる層上に形
成されるとともに、その各層に形成された伝送線路を投
影的に重ねてみた時、それぞれの伝送線路が45度から
90度の角度で交差するように配置されている。このよ
うに、第1の伝送線路と第2の伝送線路が投影的に見た
時、平行に重なるように伸びるのではなく、クロスする
ように配置する(これをねじれの位置という)ことによ
って、第1の伝送線路と第2の伝送線路との伝送する信
号の互いの干渉を抑制することが出来る。つまり、上下
の伝送線路が平行に重なるように配置されていれば、信
号が伝わり易く、逆に全く別のところにあれば、信号は
伝わらない。しかしながら、小型化を考えた場合、全く
別の場所にそれぞれを形成することは困難なため、本発
明では、なるべく平行に重ならないように、交差させて
配置するものである。この交差としては、90度である
ことが望ましいが、必ずしも90度でなくても良い。好
ましくは、45度以上である。本発明により、第1の伝
送線路と第2の伝送線路との間にシールド層を設けず
に、第1の伝送線路および第2の伝送線路をお互いに干
渉させることなく、スイッチ回路の実装面積を減らせる
ことができる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、実施例に従い本発明を詳細
に説明する。 (実施例1)図1に本発明に係る一実施例の斜視図を示
す。このスイッチ回路600は、積層素体601、第1
のダイオード603、第2のダイオード604を含む。
図2に積層素体601の内部構造を示す。積層素体60
1は、複数の誘電体層などを積層することによって形成
される。
に説明する。 (実施例1)図1に本発明に係る一実施例の斜視図を示
す。このスイッチ回路600は、積層素体601、第1
のダイオード603、第2のダイオード604を含む。
図2に積層素体601の内部構造を示す。積層素体60
1は、複数の誘電体層などを積層することによって形成
される。
【0015】最下層の第1の誘電体層100には、第1
のアース電極101が形成され、第1の誘電体層100
の一方の対向する端部との接続のために引き出し電極1
01aおよび101bが形成される。本実施例では第1
の誘電体層100の長手方向の対向する両端部に、引き
出し電極101aおよび101bが形成されているが、
第1の誘電体層100の幅方向の対向する端部に引き出
し電極(図示しない)を形成してもよい。
のアース電極101が形成され、第1の誘電体層100
の一方の対向する端部との接続のために引き出し電極1
01aおよび101bが形成される。本実施例では第1
の誘電体層100の長手方向の対向する両端部に、引き
出し電極101aおよび101bが形成されているが、
第1の誘電体層100の幅方向の対向する端部に引き出
し電極(図示しない)を形成してもよい。
【0016】第1の誘電体層100の上には、第2の誘
電体層200が形成される。第2の誘電体層200上に
は、蛇行するように第2の伝送線路201が形成され
る。
電体層200が形成される。第2の誘電体層200上に
は、蛇行するように第2の伝送線路201が形成され
る。
【0017】第2の誘電体層200の上には、第3の誘
電体層300が形成される。第3の誘電体層300上に
は、蛇行するように第1の伝送線路301が形成され
る。第1の伝送線路301は、積層素体601を上方か
ら透視したとき、第2の伝送線路201と90度の角度
で交差するように配置される。また、第3の誘電体層3
00には、ビアホール302aおよび302bが形成さ
れる。ビアホール302aは、第2の伝送線路201の
一端部に対応する位置に形成され、ビアホール302b
は、第2の伝送線路201の他端部に対応する位置に形
成される。
電体層300が形成される。第3の誘電体層300上に
は、蛇行するように第1の伝送線路301が形成され
る。第1の伝送線路301は、積層素体601を上方か
ら透視したとき、第2の伝送線路201と90度の角度
で交差するように配置される。また、第3の誘電体層3
00には、ビアホール302aおよび302bが形成さ
れる。ビアホール302aは、第2の伝送線路201の
一端部に対応する位置に形成され、ビアホール302b
は、第2の伝送線路201の他端部に対応する位置に形
成される。
【0018】第3の誘電体層300の上には、第4の誘
電体層400が形成される。第4の誘電体層400上に
は、第2のアース電極401が形成され、第4の誘電体
層400の一方の対向する端部との接続のために引き出
し電極401aおよび401bが、それぞれ第1の誘電
体層100に形成された引き出し電極101aおよび1
01bに対応する位置に形成される。本実施例では第4
の誘電体層400の長手方向の対向する両端部に、第2
の引き出し電極401aおよび401bが形成されてい
るが、第4の誘電体層400の幅方向の対向する端部に
引き出し電極(図示しない)を形成してもよい。また、
第4の誘電体層400には、ビアホール402a、40
2b、402cおよび402dが形成される。ビアホー
ル402aは、第2の伝送線路201の一端部に対応す
る位置に形成され、ビアホール402bは、第2の伝送
線路201の他端部に対応する位置に形成される。ビア
ホール402cは、第1の伝送線路301の一端部に対
応する位置に形成され、ビアホール402dは、第1の
伝送線路301の他端部に対応する位置に形成される。
電体層400が形成される。第4の誘電体層400上に
は、第2のアース電極401が形成され、第4の誘電体
層400の一方の対向する端部との接続のために引き出
し電極401aおよび401bが、それぞれ第1の誘電
体層100に形成された引き出し電極101aおよび1
01bに対応する位置に形成される。本実施例では第4
の誘電体層400の長手方向の対向する両端部に、第2
の引き出し電極401aおよび401bが形成されてい
るが、第4の誘電体層400の幅方向の対向する端部に
引き出し電極(図示しない)を形成してもよい。また、
第4の誘電体層400には、ビアホール402a、40
2b、402cおよび402dが形成される。ビアホー
ル402aは、第2の伝送線路201の一端部に対応す
る位置に形成され、ビアホール402bは、第2の伝送
線路201の他端部に対応する位置に形成される。ビア
ホール402cは、第1の伝送線路301の一端部に対
応する位置に形成され、ビアホール402dは、第1の
伝送線路301の他端部に対応する位置に形成される。
【0019】第4の誘電体層400の上には、最上層で
ある第5の誘電体層500が形成される。第5の誘電体
層500上には、第1、第2、第3、第4および第5の
コンデンサC1、C2、C3、C4およびC5であるチ
ップコンデンサ605a、605b、605c、605
dおよび605e、第1および第2のダイオードD1お
よびD2となるチップダイオード603および604、
第1および第2の抵抗R1およびR2となる606aお
よび606b、およびそれらの素子と積層素体内に形成
された第1の伝送線路301および第2の伝送線路20
1を接続するための複数のランドなどが形成される。第
5の誘電体層500には、ビアホール502a、502
b、502cおよび502dが形成され、図4に示す回
路を構成するように第5の誘電体層500上に形成され
た所定のランドと接続される。また、ビアホール502
aは、第2の伝送線路201の一端部に対応する位置に
形成され、ビアホール502bは、第2の伝送線路20
1の他端部に対応する位置に形成される。ビアホール5
02cは、第1の伝送線路301の一端部に対応する位
置に形成され、ビアホール502dは、第1の伝送線路
301の他端部に対応する位置に形成される。
ある第5の誘電体層500が形成される。第5の誘電体
層500上には、第1、第2、第3、第4および第5の
コンデンサC1、C2、C3、C4およびC5であるチ
ップコンデンサ605a、605b、605c、605
dおよび605e、第1および第2のダイオードD1お
よびD2となるチップダイオード603および604、
第1および第2の抵抗R1およびR2となる606aお
よび606b、およびそれらの素子と積層素体内に形成
された第1の伝送線路301および第2の伝送線路20
1を接続するための複数のランドなどが形成される。第
5の誘電体層500には、ビアホール502a、502
b、502cおよび502dが形成され、図4に示す回
路を構成するように第5の誘電体層500上に形成され
た所定のランドと接続される。また、ビアホール502
aは、第2の伝送線路201の一端部に対応する位置に
形成され、ビアホール502bは、第2の伝送線路20
1の他端部に対応する位置に形成される。ビアホール5
02cは、第1の伝送線路301の一端部に対応する位
置に形成され、ビアホール502dは、第1の伝送線路
301の他端部に対応する位置に形成される。
【0020】第1の誘電体層100から第5の誘電体層
500が一体となり、外部電極602a、602b、6
02c、602d、602e、602f、602gおよ
び602hが形成されて積層素体600となる。ビアホ
ール302a、402a、502aおよびランド607
を介して、第2の伝送線路201の一端と第3のコンデ
ンサ605cの一方の電極および第1のダイオード60
3のカソード側が接続される。また、ビアホール302
b、402b、502bおよびランド608を介して、
第2の伝送線路201の他端と第4のコンデンサ605
dの一方の電極および第2のダイオード603のアノー
ド側が接続される。
500が一体となり、外部電極602a、602b、6
02c、602d、602e、602f、602gおよ
び602hが形成されて積層素体600となる。ビアホ
ール302a、402a、502aおよびランド607
を介して、第2の伝送線路201の一端と第3のコンデ
ンサ605cの一方の電極および第1のダイオード60
3のカソード側が接続される。また、ビアホール302
b、402b、502bおよびランド608を介して、
第2の伝送線路201の他端と第4のコンデンサ605
dの一方の電極および第2のダイオード603のアノー
ド側が接続される。
【0021】ビアホール402d、502dおよびラン
ド610を介して、第1の伝送線路301の一端と第1
のコンデンサ605aの一方の電極および第1のダイオ
ード603のアノード側が接続される。また、ビアホー
ル402c、502cおよびランド609を介して、第
1の伝送線路301の他端と第2のコンデンサ605b
の一方の電極および第1の抵抗606aが接続される。
ド610を介して、第1の伝送線路301の一端と第1
のコンデンサ605aの一方の電極および第1のダイオ
ード603のアノード側が接続される。また、ビアホー
ル402c、502cおよびランド609を介して、第
1の伝送線路301の他端と第2のコンデンサ605b
の一方の電極および第1の抵抗606aが接続される。
【0022】外部電極602aは、第1の抵抗606a
の他方の電極に接続される。この外部電極602aはコ
ントロール回路VC1に接続される。外部電極602b
は、第3のコンデンサ605cの他方の電極に接続され
る。この外部電極602bはアンテナANTに接続され
る。外部電極602cは、第2の抵抗606bの他方の
電極に接続される。この外部電極602cはコントロー
ル回路VC2に接続される。外部電極602dは、第5
のコンデンサ605eの他方の電極、第1のアース電極
101の引き出し電極101bおよび第2のアース電極
401の引き出し電極401bに接続される。この外部
電極602dは接地される。外部電極602eは、第4
のコンデンサ605dの他方の電極に接続される。この
外部電極602eは受信回路RXに接続される。外部電
極602gは、第1のコンデンサ605aの他方の電極
に接続される。この外部電極602gは送信回路TXに
接続される。外部電極602hは、第2のコンデンサ6
05bの他方の電極、第1のアース電極101の引き出
し電極101aおよび第2のアース電極401の引き出
し電極401aに接続される。この外部電極602hは
接地される。このようにして図1に示すスイッチ回路6
00は図4に示す回路となる。
の他方の電極に接続される。この外部電極602aはコ
ントロール回路VC1に接続される。外部電極602b
は、第3のコンデンサ605cの他方の電極に接続され
る。この外部電極602bはアンテナANTに接続され
る。外部電極602cは、第2の抵抗606bの他方の
電極に接続される。この外部電極602cはコントロー
ル回路VC2に接続される。外部電極602dは、第5
のコンデンサ605eの他方の電極、第1のアース電極
101の引き出し電極101bおよび第2のアース電極
401の引き出し電極401bに接続される。この外部
電極602dは接地される。外部電極602eは、第4
のコンデンサ605dの他方の電極に接続される。この
外部電極602eは受信回路RXに接続される。外部電
極602gは、第1のコンデンサ605aの他方の電極
に接続される。この外部電極602gは送信回路TXに
接続される。外部電極602hは、第2のコンデンサ6
05bの他方の電極、第1のアース電極101の引き出
し電極101aおよび第2のアース電極401の引き出
し電極401aに接続される。この外部電極602hは
接地される。このようにして図1に示すスイッチ回路6
00は図4に示す回路となる。
【0023】この実施例の第1の伝送線路301および
第2の伝送線路201を透過的に見た平面図を図7に示
す。この第1の伝送線路301と第2の伝送線路201
が重なる部分は、それぞれの直線部であり、互いにほぼ
90度で交差している。この図1に示すスイッチ回路6
00は、第1の伝送線路301および第2の伝送線路2
01が、積層素体601に内蔵され、第1の伝送線路3
01および第2の伝送線路201が、積層素体601内
の異なる層上に形成されるとともに、45度から90度
の角度で交差するように配置され、第1のダイオード6
03と第2のダイオード604が積層素体601上に形
成される。そのため、第1の伝送線路301と第2の伝
送線路201との間にシールド層を設けずに、第1の伝
送線路301および第2の伝送線路201をお互いに干
渉させることなく、スイッチ回路600の実装面積を減
らすことができ、スイッチ回路600を小型にできる。
第2の伝送線路201を透過的に見た平面図を図7に示
す。この第1の伝送線路301と第2の伝送線路201
が重なる部分は、それぞれの直線部であり、互いにほぼ
90度で交差している。この図1に示すスイッチ回路6
00は、第1の伝送線路301および第2の伝送線路2
01が、積層素体601に内蔵され、第1の伝送線路3
01および第2の伝送線路201が、積層素体601内
の異なる層上に形成されるとともに、45度から90度
の角度で交差するように配置され、第1のダイオード6
03と第2のダイオード604が積層素体601上に形
成される。そのため、第1の伝送線路301と第2の伝
送線路201との間にシールド層を設けずに、第1の伝
送線路301および第2の伝送線路201をお互いに干
渉させることなく、スイッチ回路600の実装面積を減
らすことができ、スイッチ回路600を小型にできる。
【0024】このスイッチ回路600は、第1の伝送線
路301および第2の伝送線路201を積層素体601
内の同じ誘電体層に形成したものに比べ、第1の伝送線
路301および第2の伝送線路201を立体的に配置で
きるため、平面的に見て実装面積を減らすことができ
る。
路301および第2の伝送線路201を積層素体601
内の同じ誘電体層に形成したものに比べ、第1の伝送線
路301および第2の伝送線路201を立体的に配置で
きるため、平面的に見て実装面積を減らすことができ
る。
【0025】さらに、このスイッチ回路600は、第1
の伝送線路301および第2の伝送線路201を積層素
体601内の異なる誘電体層に形成し、その間にシール
ド層を形成したものに比べ、積層される誘電体層及びビ
アホールの数を減らすことができる。そのため、積層素
体601の全体の厚みを減らすことができ、かつ歩留ま
りを向上させ生産コストを低くできる。
の伝送線路301および第2の伝送線路201を積層素
体601内の異なる誘電体層に形成し、その間にシール
ド層を形成したものに比べ、積層される誘電体層及びビ
アホールの数を減らすことができる。そのため、積層素
体601の全体の厚みを減らすことができ、かつ歩留ま
りを向上させ生産コストを低くできる。
【0026】また、このスイッチ回路600は、第1の
伝送線路301および第2の伝送線路201が積層素体
に内蔵されているため、外部からの影響を受けにくい。
また、金属あるいは樹脂ケースを被せたり、樹脂モール
ドなどを施してもよい。本実施例では、積層素体601
上に複数のコンデンサを形成しているが、積層素体60
1に内蔵してもよいし、同様に積層素体601上に形成
している複数の抵抗を厚膜印刷などで形成したり、ダイ
オードをベアチップにして所定の各ランドにボンディン
グにより接続した場合にも適応されうる。
伝送線路301および第2の伝送線路201が積層素体
に内蔵されているため、外部からの影響を受けにくい。
また、金属あるいは樹脂ケースを被せたり、樹脂モール
ドなどを施してもよい。本実施例では、積層素体601
上に複数のコンデンサを形成しているが、積層素体60
1に内蔵してもよいし、同様に積層素体601上に形成
している複数の抵抗を厚膜印刷などで形成したり、ダイ
オードをベアチップにして所定の各ランドにボンディン
グにより接続した場合にも適応されうる。
【0027】
【発明の効果】本発明によれば、第1の伝送線路および
第2の伝送線路をそれぞれ積層素体内に形成し、しかも
別の層に設けるとともに、その間にシールド層を設ける
ことなく、第1の伝送線路および第2の伝送線路のお互
いの干渉を抑制することが出来、スイッチ回路を小型化
できる。これにより、スイッチ回路を装着する携帯電話
あるいは高周波回路の小型化が達成される。
第2の伝送線路をそれぞれ積層素体内に形成し、しかも
別の層に設けるとともに、その間にシールド層を設ける
ことなく、第1の伝送線路および第2の伝送線路のお互
いの干渉を抑制することが出来、スイッチ回路を小型化
できる。これにより、スイッチ回路を装着する携帯電話
あるいは高周波回路の小型化が達成される。
【図1】本発明に係る一実施例の斜視図である。
【図2】図1に示す本発明に係る実施例の積層素体の分
解斜視図である。
解斜視図である。
【図3】スイッチ回路の機能を示す図である。
【図4】図1に示す実施例の回路図である。
【図5】従来の技術を示す分解斜視図である。
【図6】従来の他の技術を示す分解斜視図である。
【図7】本発明に係る一実施例の伝送線路の透過平面図
である。
である。
100 第1の誘電体層 101 第1のアース電極 101a、101b 引き出し電極 200 第2の誘電体層 201 第2の伝送線路 300 第3の誘電体層 301 第1の伝送線路 302a、302b ビアホール 400 第4の誘電体層 401 第2のアース電極 401a、401b 引き出し電極 402a、402b、402c、402d ビアホール 500 第5の誘電体層 502a、502b、502c、502d ビアホール 600 スイッチ回路 601 積層素体 602a、602b、602c、602d、602e、
602f、602g、602h 外部電極 603、604 ダイオード 605a、605b、605c、605d、605e
コンデンサ 606a、606b 抵抗 607、608、609、610 ランド
602f、602g、602h 外部電極 603、604 ダイオード 605a、605b、605c、605d、605e
コンデンサ 606a、606b 抵抗 607、608、609、610 ランド
Claims (4)
- 【請求項1】 第1の回路、第2の回路および第3の回
路に接続され、前記第1の回路と前記第3の回路との接
続、および前記第2の回路と前記第3の回路との接続を
切り換えるためのスイッチ回路であって、前記第1の回
路にアノードが接続され、前記第3の回路にカソードが
接続される第1のダイオード、前記第1のダイオードの
アノードに接続される第1の伝送線路、前記第3の回路
と前記第2の回路との間に接続される第2の伝送線路、
および前記第2の回路にアノードが接続され、アースに
カソードが接続される第2のダイオードを含み、前記第
1の伝送線路および前記第2の伝送線路は、積層素体に
内蔵され、前記第1の伝送線路および前記第2の伝送線
路が、前記積層素体内の異なる層上に形成されるととも
に、45度から90度の角度で交差するように配置さ
れ、前記第1のダイオードと前記第2のダイオードが、
前記積層素体上に配置されたことを特徴とするスイッチ
回路。 - 【請求項2】 第1の回路、第2の回路および第3の回
路に接続され、前記第1の回路と前記第3の回路との接
続、および前記第2の回路と前記第3の回路との接続を
切り換えるためのスイッチ回路であって、前記第1の回
路にアノードが接続され、前記第3の回路にカソードが
接続される第1のダイオード、前記第1のダイオードの
アノードに接続される第1の伝送線路、前記第3の回路
と前記第2の回路との間に接続される第2の伝送線路、
および前記第2の回路にアノードが接続され、アースに
カソードが接続される第2のダイオードを含み、前記第
1の伝送線路および前記第2の伝送線路は、積層素体に
内蔵され、前記第1の伝送線路および前記第2の伝送線
路が、前記積層素体内の異なる層上に形成されるととも
に、ねじれの位置に配置され、前記第1のダイオードと
前記第2のダイオードが、前記積層素体上に配置された
ことを特徴とするスイッチ回路。 - 【請求項3】 前記第1の伝送線路および前記第2の伝
送線路が交差する部分がそれぞれ前記第1の伝送線路お
よび前記第2の伝送線路の直線部であることを特徴とす
る請求項1または請求項2に記載のスイッチ回路。 - 【請求項4】 前記第1の伝送線路または前記第2の伝
送線路がトリプレートラインであることを特徴とする請
求項1または請求項2に記載のスイッチ回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8071841A JPH09260901A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | スイッチ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8071841A JPH09260901A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | スイッチ回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09260901A true JPH09260901A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=13472180
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8071841A Pending JPH09260901A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | スイッチ回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09260901A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11225088A (ja) * | 1997-12-03 | 1999-08-17 | Hitachi Metals Ltd | マルチバンド用高周波スイッチモジュール |
JP2000049651A (ja) * | 1998-07-27 | 2000-02-18 | Hitachi Metals Ltd | マルチバンド用高周波スイッチモジュール |
EP1024605A2 (en) * | 1999-01-27 | 2000-08-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency switch |
JP2001352268A (ja) * | 2000-06-09 | 2001-12-21 | Hitachi Metals Ltd | 高周波スイッチモジュール |
US6563396B2 (en) | 1999-09-28 | 2003-05-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite high frequency component and mobile communication apparatus incorporating the same |
US6831528B2 (en) | 2000-12-28 | 2004-12-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency switching module and high-frequency apparatus equipped with the same |
EP1473846A3 (en) * | 1997-12-03 | 2006-03-29 | Hitachi Metals, Ltd. | Multiband high-frequency switching modul |
JP2006157880A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-06-15 | Tdk Corp | 高周波モジュール |
US7388453B2 (en) | 2004-11-15 | 2008-06-17 | Tdk Corporation | High frequency module |
US7565116B2 (en) | 2004-11-15 | 2009-07-21 | Tdk Corporation | High frequency module |
CN115955766A (zh) * | 2023-03-09 | 2023-04-11 | 武汉嘉晨电子技术有限公司 | 一种抑制emc干扰的fpc排线及智能bdu |
-
1996
- 1996-03-27 JP JP8071841A patent/JPH09260901A/ja active Pending
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11225088A (ja) * | 1997-12-03 | 1999-08-17 | Hitachi Metals Ltd | マルチバンド用高周波スイッチモジュール |
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EP1583253A3 (en) * | 1999-01-27 | 2005-10-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency switch |
EP1024605A2 (en) * | 1999-01-27 | 2000-08-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency switch |
US7391284B2 (en) | 1999-01-27 | 2008-06-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency switch |
EP1024605A3 (en) * | 1999-01-27 | 2003-12-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency switch |
US6897738B2 (en) | 1999-01-27 | 2005-05-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency switch |
EP1583253A2 (en) * | 1999-01-27 | 2005-10-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency switch |
US6563396B2 (en) | 1999-09-28 | 2003-05-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite high frequency component and mobile communication apparatus incorporating the same |
JP2001352268A (ja) * | 2000-06-09 | 2001-12-21 | Hitachi Metals Ltd | 高周波スイッチモジュール |
JP4565368B2 (ja) * | 2000-06-09 | 2010-10-20 | 日立金属株式会社 | 高周波スイッチモジュール |
US6831528B2 (en) | 2000-12-28 | 2004-12-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency switching module and high-frequency apparatus equipped with the same |
JP2006157880A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-06-15 | Tdk Corp | 高周波モジュール |
US7388453B2 (en) | 2004-11-15 | 2008-06-17 | Tdk Corporation | High frequency module |
US7565116B2 (en) | 2004-11-15 | 2009-07-21 | Tdk Corporation | High frequency module |
CN115955766A (zh) * | 2023-03-09 | 2023-04-11 | 武汉嘉晨电子技术有限公司 | 一种抑制emc干扰的fpc排线及智能bdu |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041129 |