JP2003298305A - 高周波スイッチ装置及びこれを用いた電子装置 - Google Patents
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- H03K17/693—Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
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Abstract
イソレーションを改善して、小型かつ高集積度の高周波
スイッチ装置及び及びこれを用いた電子装置を提供す
る。 【解決手段】 半導体チップと、該半導体チップ上に形
成された少なくとも2つのスイッチとを有し、各スイッ
チのグランド部を前記2つのスイッチの間に配置した。
グランド部が2つのスイッチを静電的に絶縁するように
作用するので、2つのスイッチの結合を弱めることがで
きる。これにより、スイッチ間の静電的結合を抑制する
ことができ、2つのスイッチを近接配置することが可能
になり、高周波スイッチ装置の高集積化、小型化が可能
になる。
Description
する高周波スイッチ装置に関し、より詳細には、GaA
sなどの化合物半導体を用いた高周波スイッチ装置に関
する。
高周波スイッチ装置は、低損失で高周波をオン・オフで
きることが求められる。この要求を満たす高周波スイッ
チ装置として、化合物半導体を用いた高周波スイッチ装
置が知られている。
図、図2は高周波スイッチ装置の模式的な平面図であ
る。図1に示す回路は、SPDT(Single Po
leDual Throw)スイッチとして知られてい
る。図示する高周波スイッチ装置は、4つの電界効果ト
ランジスタFET11、FET12、FET21及びF
ET22を有する。FET11とFET22のゲートに
は制御電圧Vcon1が与えられ、FET12とFET
21のゲートには制御電圧Vcon2が与えられる。F
ET11とFET21は信号端子T1とT2の間に直列
に接続され、その接続点に信号端子PCが接続されてい
る。信号端子PCはスイッチの可動接点に相当し、信号
端子T1とT2は固定接点に相当する。信号端子T1は
FET12を介してグランドGND1に接続され、信号
端子T2はFET22を介してグランドGND2に接続
されている。
FET21とFET12はOFF状態にある。同様に、
FET21とFET12がON状態の時には、FET1
1とFET22はOFF状態にある。これらのON/O
FFを制御電圧Vcon1、Vcon2で制御する。F
ET11がONのとき、信号端子PCとT1は接続さ
れ、信号端子PCとT2は切り離されている。この時、
FET22はONしており、信号端子T2をグランド電
位に設定する。FET21がONの時も同様である。
装置は、GaAs基板(GaAsチップ)10上に形成
される。GaAsチップ10上に図示されている四角形
は、パッドである。パッドの横に記載の記号は図1の記
号に対応している。また、図1の回路を模式的に1つの
可動接点と2つの固定接点を持つ記号で図示してある。
2個用いた回路を示す。スイッチSW1とSW2はそれ
ぞれ、図1及び図2に示す高周波スイッチ装置である。
スイッチSW1とSW2の間に2つのフィルタFLT
1、FLT2が接続されている。フィルタFLT1とF
LT2は異なる中心周波数を持ったバンドパスフィルタ
である。スイッチSW1とSW2を切り替えることで、
フィルタFLT1又はFLT2が選択される。スイッチ
SW1とSW2はそれぞれ独立したチップで形成されて
いるため、空間的に離れて配置される。よって、図3
(B)に示すように、スイッチSW1とSW2の静電的
な結合(矢印で示す電気力線の存在)は弱くなり、アイ
ソレーションを50dB以上確保することができる。こ
の減衰量は、通常要求されるフィルタFLT1、FLT
2の抑圧周波数帯域の減衰量40dBより十分に低い。
よって、フィルタFLT1、FLT2の性能が完全に発
揮される。
に示すように、1〜2mm□のGaAs1チップ12に
2個のスイッチSW1、SW2を集積した場合に問題が
発生する。この場合、パッドやスイッチを構成するFE
Tの間隔が数100μm程度となり、空間的に近接して
しまう。この結果、静電的結合によるスイッチSW1、
SW2間のアイソレーションが図4(B)に示すよう
に、例えば30dB程度しか確保することができない。
アイソレーション30dBはフィルタFLT1、FLT
2の抑圧周波数帯域の減衰量40dBよりも悪い。つま
り、フィルタFLT1、FLT2が40dBの減衰量を
持っているにもかかわらず、図4(A)の構成全体とし
ては30dBの抑圧周波数帯域減衰量となってしまう。
この結果、半導体チップ上に複数のスイッチを高い集積
度で形成することができない。換言すれば、半導体チッ
プを小型化することができない。
解決し、半導体チップ上に形成されたスイッチ間のアイ
ソレーションを改善して、小型かつ高集積度の高周波ス
イッチ装置及び及びこれを用いた電子装置を提供するこ
とを目的とする。
載のように、半導体チップと、該半導体チップ上に形成
された少なくとも2つのスイッチとを有し、各スイッチ
のグランド部を前記2つのスイッチの間に配置したこと
を特徴とするスイッチ装置である。グランド部が2つの
スイッチを静電的に絶縁するように作用するので、2つ
のスイッチの結合を弱めることができる。これにより、
スイッチ間の静電的結合を抑制することができ、2つの
スイッチを近接配置することが可能になり、高周波スイ
ッチ装置の高集積化、小型化が可能になる。
えば請求項2に記載のように、前記各スイッチのグラン
ド部は、外部接続用のグランド端子である。グランド部
として、外部接続用のグランド端子を用いることができ
る。
えば請求項3に記載のように、前記各スイッチのグラン
ド部は外部接続用のグランド端子であって、該グランド
端子は、前記2つのスイッチの略中央に位置している。
この配置により、2つのスイッチの静電的結合を抑制す
ることができる。
えば請求項4に記載のように、前記各スイッチのグラン
ド部は外部接続用のグランド端子であって、前記2つの
スイッチの固定接点に相当する端子は前記グランド端子
の両側に配置されている。2つのスイッチの固定接点に
相当する端子は、近接していると静電的に強く結合す
る。これらの固定接点をグランド端子の両側に配置した
ことにより、上記静電的結合を弱めることができる。
えば請求項5に記載のように、前記各スイッチのグラン
ド部は外部接続用のグランド端子であって、該グランド
端子を結ぶ仮想的な線の両側に前記2つのスイッチが配
置されている。この配置により、スイッチ間の静電的結
合を弱めることができる。
えば請求項6に記載のように、前記各スイッチのグラン
ド部は外部接続用のグランド端子であって、該グランド
端子は前記2つのスイッチの可動接点に相当する端子よ
りも固定接点に相当する端子に近接して配置されてい
る。これにより、2つのスイッチの固定接点に相当する
端子間の静電的結合を弱めることができる。
えば請求項7に記載のように、前記各スイッチのグラン
ド部は、前記2つのスイッチが形成された前記半導体チ
ップの面と同一の面に設けられている。グランド部が同
一面に形成されているので、スイッチ各部とグランド部
との距離が短くなり、スイッチ間の静電的結合をより効
果的に抑制することができる。
えば請求項8に記載のように、前記各スイッチのグラン
ド部は各スイッチに共通のグランドメタルである。グラ
ンドはスイッチごとに複数個存在するが、このグランド
を各スイッチに共通のグランドメタルとすることで、ス
イッチ間の静電的結合を弱めることができる。
えば請求項9に記載のように、前記各スイッチのグラン
ド部は各スイッチに共通のグランドメタルを含み、前記
半導体チップに形成されたビアを介して前記2つのスイ
ッチが形成された面に対向する面を介して外部と接続可
能である。回路形成面を配線基板とは反対側に向けて実
装する場合を考慮した構成である。半導体チップの裏側
からグランド部をグランド電位に設定することができ
る。
えば請求項10に記載のように、前記2つのスイッチは
同一の信号線内に配置される。これにより、一方のスイ
ッチの出力側と他方のスイッチの入力側とを静電的に絶
縁することができる。
えば請求項11に記載のように、前記半導体チップ上に
は3つ以上のスイッチが形成され、各スイッチのグラン
ド部は前記スイッチを2つのグループに分割するように
一列に配置されていることを特徴とする。一列配列され
たグランド部は、異なるグループに属するスイッチ間を
静電的に絶縁することができる。
えば請求項12に記載のように、前記2つのスイッチの
固定接点は、前記半導体チップの1つのエッジに沿って
配置されている。グランド部とスイッチの固定接点との
配置関係の一態様である。
えば請求項13に記載のように、前記各スイッチの固定
接点は、前記半導体チップの対向する2つのエッジに沿
って配置されている。グランド部とスイッチの固定接点
との配置関係の別の態様である。
に、半導体チップと、該半導体チップ上に形成された少
なくとも2つのスイッチとを有し、各スイッチの固定接
点同士の静電的な結合を抑制する手段を前記2つのスイ
ッチ間に設けたことを特徴とするスイッチ装置である。
この手段により、スイッチ間の静電的結合を抑制するこ
とができ、2つのスイッチを近接配置することが可能に
なり、高周波スイッチ装置の高集積化、小型化が可能に
なる。
例えば請求項15に記載のように、前記手段は前記2つ
のスイッチの間に配置された各スイッチのグランド端子
を含む。また、請求項16に記載のように、前記手段は
前記2つのスイッチの間に配置されたグランドメタルを
含む。
イッチ装置において、例えば請求項17に記載のよう
に、前記半導体チップは、化合物半導体で形成されたチ
ップである。GaAsなどの化合物半導体を用いること
で、高周波を低損失でスイッチすることができる。
に、スイッチ装置と、該スイッチ装置が実装される配線
基板とを有し;前記スイッチ装置は半導体チップと、該
半導体チップ上に形成された少なくとも2つのスイッチ
とを有し、各スイッチのグランド部を前記2つのスイッ
チの間に配置した構成を有し;前記グランド部は前記配
線基板上に形成されたグランドメタルと電気的に接続さ
れていることを特徴とする電子装置である。上述したよ
うに、必要とする特性を維持しつつ、高周波スイッチ装
置を高集積化、小型化することができるので、所望の特
性を有する高集積化、小型化された電子装置を実現する
ことができる。
ば請求項19に記載のように、前記各スイッチのグラン
ド部はパッドであって、前記スイッチ装置が前記配線基
板にフリップチップ実装され、前記スイッチ装置の前記
パッド間を接続するグランドコンタクトパターンが前記
配線基板に形成されていることを特徴とする。
ば請求項20に記載のように、前記グランドコンタクト
パターンは、前記スイッチ装置が実装されている状態
で、前記2つのスイッチを2分割する位置に配置されて
いる。
ば請求項21に記載のように、前記配線基板は、前記ス
イッチ装置の半導体チップの実装面に接触するグランド
メタルを有し、前記各スイッチのグランド部はパッドで
あって、前記グランドメタルにワイヤボンディングで接
続されている。
ば請求項22に記載のように、前記各スイッチのグラン
ド部は各スイッチに共通の第1のグランドメタルを含
み、前記半導体チップに形成されたビアを介して前記2
つのスイッチが形成された面に対向する面を介して、前
記配線基板上に形成された第2のグランドメタルと電気
的に接続されている。
に、パッケージ内に収容されたスイッチ装置及び該スイ
ッチ装置に接続される複数の回路部品とを有し;前記ス
イッチ装置は半導体チップと、該半導体チップ上に形成
された少なくとも2つのスイッチとを有し、各スイッチ
のグランド部を前記2つのスイッチの間に配置した構成
を有し;前記スイッチ装置は、前記パッケージに支持さ
れた入力端子と出力端子との間に、前記複数の回路部品
を選択的に接続することを特徴とする電子装置である。
前記複数の回路部品本来の性能を劣化させることなく、
スイッチ機能を備えた電子装置を実現することができ
る。
ば請求項24に記載のように、前記複数の回路部品は、
特性が異なるフィルタである。フィルタ本来の特性を損
なうことなく、フィルタを切り替える機能を備えた電子
装置を提供することができる。
に、信号処理回路と、該信号処理回路に接続されるモジ
ュールを有し;該モジュールはモジュール内に設けられ
たスイッチ装置及び該スイッチ装置に接続される複数の
回路部品とを有し;前記スイッチ装置は半導体チップ
と、該半導体チップ上に形成された少なくとも2つのス
イッチとを有し、各スイッチのグランド部を前記2つの
スイッチの間に配置した構成を有し;前記スイッチ装置
は、前記モジュールの入力端子と出力端子との間に、前
記複数の回路部品を選択的に接続することを特徴とする
電子装置である。
ば請求項26に記載のように、前記モジュールは、前記
複数の回路部品が異なる特性のフィルタであるフィルタ
モジュールである。
付図面を参照して詳細に説明する。
形態による高周波スイッチ装置を模式的に示す平面図で
ある。図示する高周波スイッチ装置100は、GaAs
などの化合物半導体のチップ14上に、前述した図1の
回路が2つ形成されたものである。以下の説明では、図
1に示す参照記号にAとBの記号を追加して、2つのス
イッチを区別する。例えば、図1に示すFET11に対
応するFETは、図5ではFET11AとFET11B
の参照記号で示されている。図5に示すレイアウトは、
図4(A)のように1つのチップ上に2つのスイッチを
形成した場合に生ずる図4(B)の問題点を解決するこ
とができる。
チが形成され(以下、スイッチSW1という)、右方に
は他方のスイッチ(以下、スイッチSW2という)が形
成されている。スイッチSW1の2つのグランドGND
1AとGND2Aは、グランド部の一実施例であるグラ
ンドパッド16Aで形成される。FET12AとFET
22Aのソースとグランドパッド16Aとは、グランド
配線18Aで接続されている。同様に、スイッチSW2
の2つのグランドGND1BとGND2Bは、グランド
部の一実施例であるグランドパッド16Bに相当する。
FET12BとFET22Bのソースとグランドパッド
16Bは、グランド配線18Bで接続されている。
スイッチSW2のグランドパッド16Bが、2つのスイ
ッチSW1、SW2の間に配置されている。図5の構成
では、2つのスイッチSW1、SW2の略中央にグラン
ドパッド16Aと16Bが配置されている。この配置は
また、グランドパッド16Aと16Bを結ぶ仮想的な線
の両側にスイッチSW1とSW2が位置しているとも言
える。グランドパッド16Aと16Bにグランド電位を
与えると、参照番号20で示すグランド領域(斜線の領
域)が形成される。グランド領域20はスイッチSW1
とスイッチSW2を静電的に絶縁する。つまり、スイッ
チSW1とSW2を始点又は終点とする電気力線の終点
又は始点はグランドパッド16A、16Bとなる。グラ
ンドパット16A、16Bはグランド領域20を形成
し、スイッチSW1とSW2の静電的結合を抑制するの
で、スイッチの高集積化及び高周波スイッチ装置の小型
化が可能となる。
SW1とSW2との間に配置されていればアイソレーシ
ョンの効果を奏する。従って、例えばグランドパッド1
6A、16Bを内側に位置させ、両者間の距離が短くな
るように配置しても、同様の作用・効果を奏する。ま
た、スイッチSW1とSW2の間にグランド領域20を
形成する手段は、図5に限定されるものではなく、後述
するように、他の様々な手段を用いることができる。
態の特徴を明確にするために、制御電圧Vcon1A
(=Vcon1B)が印加されるパッドとFETとの配
線、及び制御電圧Vcon2A(=Vcon2B)が印
加されるパッドとFETとの配線の図示を省略してあ
る。
2に示す高周波スイッチ装置のレイアウトを2つ、1つ
の半導体チップ14上にミラー反転配置した高周波スイ
ッチ装置110である。図示するように、スイッチSW
1の2つのグランドパッドGND1A、GND2Aは半
導体チップのコーナ部分に位置し、同様にスイッチSW
2の2つのグランドパッドGND1B、GND2Bも半
導体チップのコーナ部に位置している。FET12Aと
FET12Bとの間、及びFET22AとFET22B
との間には、これらを静電的に絶縁するものは何も存在
していない。前述したように、チップが1〜2mm□の
チップでは、これらの距離は数100μmである。従っ
て静電的な結合が強く、前述した問題点が発生する。
細に示した平面図である。ただし、図7(A)に示すグ
ランドパッド16A、16Bの位置は図5と異なり、上
下が逆となっている。グランドパット16A、16Bは
上下どちらであってもよい。また、図7(B)は、図7
(A)のレイアウトで実現される回路をそのレイアウト
に対応させて図示した回路図である。グランドパッド1
6A、16Bが2つのスイッチSW1、SW2の間に位
置している。グランドパッド16A、16Bの配置を他
のパッドとの関係で特定すると、次の通りである。グラ
ンドパッド16Aは、スイッチSW1の可動接点に相当
するパッドPCAよりも固定接点に相当するパッドT1
A、T2Aにより近い位置に配置されている。同様に、
グランドパッド16Bは、スイッチSW2の可動接点に
相当するパッドPCBよりも、固定接点に相当するパッ
ドT1B、T2Bにより近い位置に配置されている。こ
れを模式的に示すと、図7(C)の通りである。前述し
たように、グランドパッド16A、16Bがグランド電
位に設定されると、グランド領域20がスイッチSW1
とSW2の間に形成される。このグランド領域20は、
近接して配置されているスイッチSW1の固定接点T1
A、T2AとスイッチSW2の固定接点T1B、T2B
との間の静電的結合を抑制するように機能する。つま
り、スイッチSW1の出力側のスイッチSW2の入力側
が静電的に絶縁される。これにより、2つのスイッチS
W1、SW2間のアイソレーションを十分に保つことが
できる。
第1実施形態による高周波スイッチ装置100を示す平
面図である。図8(A)は、半導体チップ14上のパッ
ドを、半導体チップ14の裏面(上面)から透視して見
たものである。また、図8(B)は、図8(A)のVI
IIB−VIIIB線断面図である。配線基板(実装基
板)24上には、パターニングされたグランドメタル2
6が形成されている。グランドメタル26は、矩形のグ
ランドコンタクト部26eを有する。フリップチップ実
装された高周波スイッチ装置100のグランドパッド1
6A,16Bはバンプ30を介してグランドコンタクト
部26eに接続されている。また、グランドパッド16
A、16B以外のパッドは、はんだなどのバンプを介し
て配線基板24上に形成された配線28に接続されてい
る。グランドコンタクト部26eは、半導体チップ14
を2分割する位置で、半導体チップ14の短手方向に延
びている。これにより、グランドパッド16Aと16B
を単にグランド電位に設定する構成に比べ、スイッチS
W1とSW2とのアイソレーションはより一層強化され
る。なお、図8(A)、(B)は配線基板24とフリッ
プチップ実装された高周波スイッチ装置100とを備え
た本発明の電子装置の一実施形態を示す図でもある。
スイッチ装置100の別の実装方法を示す平面図であ
る。また、図9(B)は図9(A)のIXB−IXB線断
面図である。高周波スイッチ装置100は、FETやパ
ッドが形成されている半導体チップ14の回路形成面が
上に向くように、配線基板24に実装されている。回路
形成面に対向する面(底面)が、配線基板24上に形成
されたグランドメタル40上に搭載されている。グラン
ドメタル40は半導体チップ14の底面よりも広い面積
を持ち、グランドパッド16A、16Bはボンディング
ワイヤ42により、グランドメタル40の露出部分に接
続されている。グランドパッド16A、16B以外のパ
ッドはボンディングワイヤ42により、配線基板24上
に形成された配線28に接続されている。
による高周波スイッチ装置100を用いて図4(A)に
示すフィルタ装置を構成した場合の周波数特性(本発明
として図示してある)と、図6に示す比較例110のレ
イアウトを用いて同様のフィルタ装置を構成した場合の
周波数特性を示す図である。高周波スイッチ装置はいず
れも、フリップチップ実装を用いた。本発明によるフィ
ルタ装置は、グランドパッド16A、16Bをスイッチ
SW1とSW2の中間に配置したため、これらの静電的
結合が弱くなり、フィルタ本来の帯域外抑圧度(−40
dB程度)がそのまま引き出されている。これに対し、
比較例110ではスイッチSW1とSW2の静電的結合
が強く、帯域外抑圧度はフィルタ本来の帯域外抑圧度よ
りも劣化している。
の第2実施形態を示す平面図、及び図11(B)は図1
1(A)のXIB−XIB断面図である。本実施の形態
は、高周波スイッチ及びこれを配線基板に実装した電子
回路である。高周波スイッチ装置120は、配線基板2
4上に形成されたグランドメタル40上に実装されてい
る。半導体チップ14の回路形成面は上向きである。回
路形成面にグランドパターン46を有する。グランドパ
ターン46は半導体チップ14のほぼ中央に位置し、ス
イッチSW1とSW2との間に介在している。グランド
パターン46は、半導体チップ14を横断するように配
置されている。半導体チップ14には、グランドパター
ン46と外部との電気的接続を形成するために、ビア4
8A、48Bが形成されている。ビア48A、48Bは
半導体チップ14内部を貫通し、半導体チップ14の底
面まで延びている。ビア48A、48Bは半導体チップ
14に形成されたビアホール内に、導電性材料を充填し
たものである。ビア48A、48Bの先端は半導体チッ
プ14の底面から露出し、配線基板24上に形成された
グランドメタル40に接触している。
ば、半導体チップ14の回路形成面にスイッチSW1と
SW2を分離するように配置されたグランドパターン4
6を設けたので、スイッチSW1とSW2との静電的結
合を抑制することができ、高集積化及び小型化が可能と
なる。
第3実施形態による高周波スイッチ装置を用いたフィル
タ装置の回路図、及び図12(B)は図12(A)のフ
ィルタ装置で用いられる高周波スイッチ装置の模式的な
平面図である。本実施形態で用いられる高周波スイッチ
装置は、3つ以上のスイッチを1つの半導体チップ上に
集積した形態の一例であって、4つのスイッチSW1〜
SW4を備える。
W1〜SW4と4つのフィルタFLT1〜FLT4を備
える。スイッチSW1とスイッチSW2は1つの信号線
上に設けられ、通過帯域特性が異なる2つのフィルタF
LT1、FLT2の1つを選択して信号線に接続する。
同様に、スイッチSW3とSW4は別の信号線上に設け
られ、通過帯域特性が異なる2つのフィルタFLT3、
FLT4の1つを選択して信号線に接続する。例えば、
フィルタFLT3はスイッチSW3の固定接点T1Cと
スイッチSW4の固定接点T1Dとの間に接続されてい
る。またフィルタFLT4は、スイッチSW3の固定接
点T2CとスイッチSW4の固定接点T2Dとの間に接
続されている。スイッチSW3とSW4の組み合わせ
で、スイッチSW3の可動接点PCCに印加される信号
をフィルタFLT3又はFLT4のいずれか一方を通過
させ、スイッチSW4の可動接点PCDに出力する。な
お、スイッチSW1〜SW4の状態は、それぞれの制御
電圧Vcon1〜Vcon4がOFFの時である。
1〜SW4を備える高周波スイッチ装置140は、半導
体チップ60上に形成されている。スイッチSW1〜S
W4はマトリクス状に配置されている。スイッチSW1
のグランドパッド16A,スイッチSW2のグランドパ
ッド16B、スイッチSW3のグランドパッド16C、
及びスイッチSW4のグランドパッド16Dは、半導体
チップ60の回路形成面上に形成されている。グランド
パッド16A〜16Dは1つの列を形成するように配列
されている。この列は、スイッチSW1とSW2を分離
し、スイッチSW3とSW4とを分離するように位置し
ている。また、グランドパッド16A〜16Dの列は、
スイッチSW1〜SW4を2つのグループ(スイッチS
W1とSW3のグループと、SW2とSW4のグルー
プ)に分離するように配置されている。グランドパッド
16A〜16Dをグランド電位に接地すると、グランド
領域62が図示するように形成される。従って、スイッ
チSW1とSW2との静電的結合及びスイッチSW3と
SW4の静電的結合を抑制することができる。
に対し、前述の第2実施形態の技術を適用することがで
きる。この場合、参照番号62で示す斜線領域は、半導
体チップ60の回路形成面上に設けられたグランドパタ
ーンである。グランドパターン62は、参照番号16A
〜16Dの位置に形成されたビアにより、半導体チップ
60の裏面で外部との電気的接続がなされる。
の第4実施形態によるフィルタ装置の回路図である。ま
た、図13(B)は図13(A)で用いられている高周
波スイッチ装置の回路図である。
150はセラミックスなどのパッケージ80内に収容さ
れた高周波スイッチ装置100と2つのフィルタFLT
1、FLT2とを備える。フィルタ装置150は、入力
端子72と出力端子74とを備える。INは入力端子7
2に印加される入力信号、OUTは出力端子74から取
り出される出力信号を意味する。高周波スイッチ装置1
00は例えば、図8や図9に示すようにして配線基板2
4上に実装されている。フィルタFLT1、FLT2も
配線基板24上に実装されている。高周波スイッチ装置
100とフィルタFLT1、FLT2との電気的接続
は、図8や図9に示す配線28を用いて行われる。図8
のフリップチップ実装を採用した場合には、参照番号7
0の斜線部分は前述のグランドコンタクト部26eに相
当する。また、図9に示す実装方法を採用した場合に
は、参照番号70の斜線部分はグランド領域となる。ま
た、高周波スイッチ装置100に代えて、図11に示す
高周波スイッチ装置120を用いた場合には、図13
(A)の斜線部分70は半導体チップ14の回路実装面
上に形成されたグランドパターン46に相当する。
スイッチSW1とSW2の配置は、前述した第1から第
3の実施形態とは異なる別の実施形態である。スイッチ
SW1の2つの可動接点に相当する信号端子T1A、T
2Aは半導体チップ14のエッジに沿って一列に配置さ
れている。言い換えれば、信号端子T1A、T2Aは半
導体チップ14の同じ側に設けられている。同様に、ス
イッチSW2の2つの可動接点に相当する信号端子T1
B、T2Bは半導体チップ14の同じエッジに沿って
(同じ側に)一列に配置されている。同じ側に固定接点
(信号端子)が配置されていると、外付けの回路部品と
の接続を短距離で行うことができる場合がある。図13
(A)はこの一例である。このような配置であっても、
グランドパッド16A、16BがスイッチSW1とSW
2との間に形成されているので、十分なアイソレーショ
ンを確保することができる。
図10の実線で示す特性を有する。また、高周波スイッ
チ装置100が小型化、高集積化されているので、フィ
ルタ装置150も小型化、高集積化が可能になる。な
お、フィルタFLT1、FLT2は例えば、弾性表面波
共振器をラダー型に接続した構成の弾性表面波フィルタ
である。
実施形態による電子装置の構成を示すブロック図であ
る。この電子装置は、携帯電話やPDA(Person
al DigitalAssistant)などの無線
通信装置である。図示する無線通信装置は、音声処理回
路81、ベースバンド回路82、中間周波(IF)/高
周波(RF)回路83、前記フィルタ装置150、パワ
ーアンプ85、低雑音アンプ86、デュプレクサ87、
アンテナ88及び制御部89を備える。フィルタ装置1
50は送信系に用いられており、送信周波数に応じたフ
ィルタが選択される。スイッチSW1、SW2の切り替
えは、制御部89が出力する制御電圧Vcon1、Vc
on2で制御される。
発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発
明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能で
ある。例えば、上記実施の形態はPSDTのスイッチ構
成を用いているが、その他のスイッチ構成、例えばDP
DT(Dual Pole Dual Throw)や
SPNT(Single Pole N(整数) Th
row)などを用いた場合も同様に実施できる。
半導体チップ上に形成されたスイッチ間のアイソレーシ
ョンを改善して、小型かつ高集積度の高周波スイッチ装
置及び及びこれを用いた電子装置を提供することができ
る。
図である。
用いてフィルタ装置を構成した例(A)とその特性
(B)を示す図である。
プを用いて実現しようとした場合に考えられる構成
(A)と、その特性(B)を示す図である。
置の模式的な平面図である。
である。
す平面図(A)、この高周波スイッチ装置の回路図
(B)及びこの高周波スイッチ装置の利点を説明するた
めの図(C)である。
基板にフリップチップ実装した電子装置の平面図
(A)、及びVIIIB−VIIIB線断面図である。
基板にフェイスアップ実装した電子装置の平面図
(A)、及びIXB−IXB線断面図である。
いたフィルタ装置の周波数特性と、比較例の周波数特性
を示すグラフである。
装置を用いた電子装置の模式的な平面図(A)、及びX
IB−XIB線断面図である。
装置を用いたフィルタ装置の回路図(A)、及びこのフ
ィルタ装置で用いられる高周波スイッチ装置の模式的な
平面図(B)である。
回路図(A)、及びこのフィルタ装置で用いられている
高周波スイッチ装置の回路図である。
を示すブロック図である。
Claims (26)
- 【請求項1】 半導体チップと、該半導体チップ上に形
成された少なくとも2つのスイッチとを有し、各スイッ
チのグランド部を前記2つのスイッチの間に配置したこ
とを特徴とするスイッチ装置。 - 【請求項2】 前記各スイッチのグランド部は、外部接
続用のグランド端子であることを特徴とする請求項1記
載のスイッチ装置。 - 【請求項3】 前記各スイッチのグランド部は外部接続
用のグランド端子であって、該グランド端子は、前記2
つのスイッチの略中央に位置していることを特徴とする
請求項1記載のスイッチ装置。 - 【請求項4】 前記各スイッチのグランド部は外部接続
用のグランド端子であって、前記2つのスイッチの固定
接点に相当する端子は前記グランド端子の両側に配置さ
れていることを特徴とする請求項1記載のスイッチ装
置。 - 【請求項5】 前記各スイッチのグランド部は外部接続
用のグランド端子であって、該グランド端子を結ぶ仮想
的な線の両側に前記2つのスイッチが配置されているこ
とを特徴とする請求項1記載のスイッチ装置。 - 【請求項6】 前記各スイッチのグランド部は外部接続
用のグランド端子であって、該グランド端子は前記2つ
のスイッチの可動接点に相当する端子よりも固定接点に
相当する端子に近接して配置されていることを特徴とす
る請求項1記載のスイッチ装置。 - 【請求項7】 前記各スイッチのグランド部は、前記2
つのスイッチが形成された前記半導体チップの面と同一
の面に設けられていることを特徴とする請求項1記載の
スイッチ装置。 - 【請求項8】 前記各スイッチのグランド部は各スイッ
チに共通のグランドメタルであることを特徴とする請求
項1記載のスイッチ装置。 - 【請求項9】 前記各スイッチのグランド部は各スイッ
チに共通のグランドメタルを含み、前記半導体チップに
形成されたビアを介して前記2つのスイッチが形成され
た面に対向する面を介して外部と接続可能であることを
特徴とする請求項1記載のスイッチ装置。 - 【請求項10】 前記2つのスイッチは同一の信号線内
に配置されることを特徴とする請求項1記載のスイッチ
装置。 - 【請求項11】 前記半導体チップ上には3つ以上のス
イッチが形成され、各スイッチのグランド部は前記スイ
ッチを2つのグループに分割するように一列に配置され
ていることを特徴とする請求項1記載のスイッチ装置。 - 【請求項12】 前記2つのスイッチの固定接点は、前
記半導体チップの1つのエッジに沿って配置されている
ことを特徴とする請求項1記載のスイッチ装置。 - 【請求項13】 前記各スイッチの固定接点は、前記半
導体チップの対向する2つのエッジに沿って配置されて
いることを特徴とする請求項1記載のスイッチ装置。 - 【請求項14】 半導体チップと、該半導体チップ上に
形成された少なくとも2つのスイッチとを有し、各スイ
ッチの固定接点同士の静電的な結合を抑制する手段を前
記2つのスイッチ間に設けたことを特徴とするスイッチ
装置。 - 【請求項15】 前記手段は、前記2つのスイッチの間
に配置された各スイッチのグランド端子を含むことを特
徴とする請求項14記載のスイッチ装置。 - 【請求項16】 前記手段は、前記2つのスイッチの間
に配置されたグランドメタルを含むことを特徴とする請
求項14記載のスイッチ装置。 - 【請求項17】 前記半導体チップは、化合物半導体で
形成されたチップであることを特徴とする請求項1から
16のいずれか一項記載のスイッチ装置。 - 【請求項18】 スイッチ装置と、該スイッチ装置が実
装される配線基板とを有し、 前記スイッチ装置は半導体チップと、該半導体チップ上
に形成された少なくとも2つのスイッチとを有し、各ス
イッチのグランド部を前記2つのスイッチの間に配置し
た構成を有し、 前記グランド部は前記配線基板上に形成されたグランド
メタルと電気的に接続されていることを特徴とする電子
装置。 - 【請求項19】 前記各スイッチのグランド部はパッド
であって、前記スイッチ装置が前記配線基板にフリップ
チップ実装され、前記スイッチ装置の前記パッド間を接
続するグランドコンタクトパターンが前記配線基板に形
成されていることを特徴とする請求項18記載の電子装
置。 - 【請求項20】 前記グランドコンタクトパターンは、
前記スイッチ装置が実装されている状態で、前記2つの
スイッチを2分割する位置に配置されていることを特徴
とする請求項19記載の電子装置。 - 【請求項21】 前記配線基板は、前記スイッチ装置の
半導体チップの実装面に接触するグランドメタルを有
し、前記各スイッチのグランド部はパッドであって、前
記グランドメタルにワイヤボンディングで接続されてい
ることを特徴とする請求項18記載の電子装置。 - 【請求項22】 前記各スイッチのグランド部は各スイ
ッチに共通の第1のグランドメタルを含み、前記半導体
チップに形成されたビアを介して前記2つのスイッチが
形成された面に対向する面を介して、前記配線基板上に
形成された第2のグランドメタルと電気的に接続されて
いることを特徴とする請求項18記載の電子装置。 - 【請求項23】 パッケージ内に収容されたスイッチ装
置及び該スイッチ装置に接続される複数の回路部品とを
有し、 前記スイッチ装置は半導体チップと、該半導体チップ上
に形成された少なくとも2つのスイッチとを有し、各ス
イッチのグランド部を前記2つのスイッチの間に配置し
た構成を有し、 前記スイッチ装置は、前記パッケージに支持された入力
端子と出力端子との間に、前記複数の回路部品を選択的
に接続することを特徴とする電子装置。 - 【請求項24】 前記複数の回路部品は、特性が異なる
フィルタであることを特徴とする請求項23記載の電子
装置。 - 【請求項25】 信号処理回路と、該信号処理回路に接
続されるモジュールを有し、 該モジュールはモジュール内に設けられたスイッチ装置
及び該スイッチ装置に接続される複数の回路部品とを有
し、 前記スイッチ装置は半導体チップと、該半導体チップ上
に形成された少なくとも2つのスイッチとを有し、各ス
イッチのグランド部を前記2つのスイッチの間に配置し
た構成を有し、 前記スイッチ装置は、前記モジュールの入力端子と出力
端子との間に、前記複数の回路部品を選択的に接続する
ことを特徴とする電子装置。 - 【請求項26】 前記モジュールは、前記複数の回路部
品が異なる特性のフィルタであるフィルタモジュールで
あることを特徴とする請求項25記載の電子装置。
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