JP2001119209A

JP2001119209A - 積層型フィルタモジュール

Info

Publication number: JP2001119209A
Application number: JP29443399A
Authority: JP
Inventors: Sadayuki Matsumura; 定幸松村; Noboru Kato; 登加藤; Hiroko Nomura; 浩子野村
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1999-10-15
Filing date: 1999-10-15
Publication date: 2001-04-27

Abstract

(57)【要約】【課題】内蔵されている複数のフィルタ間の電気的結
合が少なく、かつ、小型の積層型フィルタモジュールを
得る。【解決手段】バンドパスフィルタＢＰＦ１を構成する
共振器Ｑ１〜Ｑ３のインダクタＬ１〜Ｌ３の軸と、バン
ドパスフィルタＢＰＦ２を構成する共振器Ｑ４〜Ｑ６の
インダクタＬ４〜Ｌ６の軸とが直交している。インダク
タＬ１〜Ｌ３は、それぞれ絶縁性シート４６，４８の表
面に形成したインダクタ用パターン６１ａ，６１ｂ、６
２ａ，６２ｂ、６３ａ，６３ｂにて構成される。インダ
クタＬ４〜Ｌ６は、それぞれ絶縁性シート４６，４８の
表面に形成したインダクタ用パターン６４ａ，６４ｂ、
６５ａ，６５ｂ、６６ａ，６６ｂにて構成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、積層型フィルタモ
ジュール、例えばマイクロ波帯で使用される積層型デュ
プレクサ、積層型トリプレクサ、積層型ダイプレクサ、
あるいは積層型フィルタアレイ等に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の積層型フィルタモジュールとし
て、従来より、図８及び図９に示す構造の積層型デュプ
レクサが知られている。図８に示すように、この積層型
デュプレクサ１は、インダクタ用パターン１２〜１７を
表面に設けたセラミックシート６と、周波数調整用コン
デンサパターン１８〜２３を表面に設けたセラミックシ
ート７と、結合調整用コンデンサパターン２４〜２７を
表面に設けたセラミックシート５と、シールドパターン
２８ａ，２９ａ、２８ｂ，２９ｂをそれぞれ表面に設け
たセラミックシート３，９等にて構成されている。

【０００３】デュプレクサ１の左半分には、ＬＣ共振器
Ｑ１〜Ｑ３からなる３段のバンドパスフィルタＢＰＦ１
が配設されている。デュプレクサ１の右半分には、ＬＣ
共振器Ｑ４〜Ｑ６からなる３段のバンドパスフィルタＢ
ＰＦ２が配設されている。ＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ６のイン
ダクタＬ１〜Ｌ６は、それぞれインダクタ用パターン１
２，１３，１４，１５，１６，１７により形成される。
ＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ６のコンデンサＣ１〜Ｃ６はそれぞ
れ、周波数調整用コンデンサパターン１８，１９，２
０，２１，２２，２３と、これら周波数調整用コンデン
サパターン１８，１９，２０，２１，２２，２３に対向
しているインダクタ用パターン１２，１３，１４，１
５，１６，１７の先端部とで形成されている。

【０００４】さらに、バンドパスフィルタＢＰＦ１のＬ
Ｃ共振器Ｑ１〜Ｑ３は、インダクタ用パターン１２〜１
４とこれらインダクタ用パターン１２〜１４に対向して
いる結合調整用コンデンサパターン２４，２５とで形成
する結合コンデンサＣｓ１，Ｃｓ２にて電気的に結合し
ている。そして、パターン１２〜１４，１８〜２０，２
４，２５を間に挟んで、シールドパターン２８ａ，２８
ｂが配置されている。同様に、バンドパスフィルタＢＰ
Ｆ２のＬＣ共振器Ｑ４〜Ｑ６は、インダクタ用パターン
１５〜１７とこれらインダクタ用パターン１５〜１７に
対向している結合調整用コンデンサパターン２６，２７
とで形成する結合コンデンサＣｓ３，Ｃｓ４にて電気的
に結合している。そして、パターン１５〜１７，２１〜
２３，２６，２７を間に挟んでシールドパターン２９
ａ，２９ｂが配置されている。

【０００５】図９に示すように、各セラミックシート２
〜９を積層してなる積層体３５には、送信用端子電極Ｔ
ｘ，受信用端子電極Ｒｘ，アンテナ用端子電極ＡＮＴ及
びグランド用端子電極Ｇ１〜Ｇ４が形成されている。送
信用端子電極ＴｘにはＬＣ共振器Ｑ１のインダクタ用パ
ターン１２が接続され、受信用端子電極ＲｘにはＬＣ共
振器Ｑ６のインダクタ用パターン１７が接続され、アン
テナ用端子電極ＡＮＴにはＬＣ共振器Ｑ３，Ｑ４のイン
ダクタ用パターン１４，１５が接続されている。グラン
ド用端子電極Ｇ１，Ｇ２にはそれぞれ、ＬＣ共振器Ｑ１
〜Ｑ３のインダクタ用パターン１２〜１４の一端、並び
に、周波数調整用コンデンサパターン１８〜２０の一端
並びにシールドパターン２８ａ，２８ｂが接続されてい
る。グランド用端子電極Ｇ３，Ｇ４にはそれぞれ、ＬＣ
共振器Ｑ４〜Ｑ６のインダクタ用パターン１５〜１７の
一端、並びに、周波数調整用コンデンサパターン２１〜
２３の一端並びにシールドパターン２９ａ，２９ｂが接
続されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のデュ
プレクサ１は、バンドパスフィルタＢＰＦ１を構成して
いるインダクタ用パターン１２〜１４とバンドパスフィ
ルタＢＰＦ２を構成しているインダクタ用パターン１５
〜１７とが、互いに全長に渡って平行に並走した状態
で、同一のセラミックシート６上に形成されている。こ
のため、インダクタ用パターン１２〜１４で発生する磁
界成分と、インダクタ用パターン１５〜１７で発生する
磁界成分とがインダクタ用パターン１２〜１７の全長に
渡って相互に平行関係を有する。この結果、バンドパス
フィルタＢＰＦ１とＢＰＦ２が電気的に結合し易く、バ
ンドパスフィルタＢＰＦ１，ＰＢＦ２のフィルタ特性が
変化するという問題があった。

【０００７】この対策として、バンドパスフィルタＢＰ
Ｆ１とＢＰＦ２の間隔を広くしたり、バンドパスフィル
タＢＰＦ１とＢＰＦ２の間にシールドパターンを配設し
たりする必要があった。しかしながら、このような対策
をしても、バンドパスフィルタＢＰＦ１とＢＰＦ２の電
気的結合を抑えるには不十分であり、また、デュプレク
サ１が大型化する等の新たな問題が生じた。

【０００８】そこで、本発明の目的は、内蔵されている
複数のフィルタ間の電気的結合が少なく、かつ、小型の
積層型フィルタモジュールを提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
め、本発明に係る積層型フィルタモジュールは、少なく
とも１対の入出力端子を有し、一端が接地されかつ他端
が開放されたインダクタ用導体を有する複数個のフィル
タを積層体に埋設し、前記隣り合うフィルタ同士のイン
ダクタ用導体が全長に渡って平行に並走する部分を有さ
ないことを特徴とする。ここに、「インダクタ用導体が
全長に渡って平行に並走する部分を有さない」というこ
とは、インダクタ用導体を、それぞれ接地端から開放端
を見たとき、各インダクタがその伸びる方向の全長に渡
って互いに並行に伸びる部分がないという意味である。
そして、インダクタ用導体が全長に渡って平行に並走す
る部分を有さないようにするために、例えば、インダク
タ用導体を互いに直交させたり、インダクタ用導体を互
いに対向させたり、あるいは、インダクタ用導体を互い
にインターデジタル状に配置させたりしている。

【００１０】

【作用】以上の構成により、フィルタ同士のインダクタ
用導体は、並走する部分を有さないため、フィルタ間の
電気的結合が抑えられる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る積層型フィル
タモジュールの実施形態について添付図面を参照して説
明する。

【００１２】［第１実施形態、図１〜図３］図１に積層
型デュプレクサ４１の構成を示し、図２及び図３にそれ
ぞれ、デュプレクサ４１の外観斜視図及び電気等価回路
図を示す。デュプレクサ４１は、ＬＣ並列共振器Ｑ１〜
Ｑ３を有する３段のバンドパスフィルタＢＰＦ１と、Ｌ
Ｃ並列共振器Ｑ４〜Ｑ６を有する３段のバンドパスフィ
ルタＢＰＦ２とを組み合わせたものである。

【００１３】図１に示すように、積層型デュプレクサ４
１は、周波数調整用コンデンサパターン７３ａ〜７６
ａ，７３ｂ〜７６ｂをそれぞれ設けた絶縁性シート４
５，４９と、インダクタ用パターン６１ａ〜６６ａ，６
１ｂ〜６６ｂをそれぞれ設けた絶縁性シート４６，４８
と、結合調整用コンデンサパターン８１〜８４を設けた
絶縁性シート４７と、シールドパターン９４ａ，９５
ａ、９４ｂ，９５ｂをそれぞれ設けた絶縁性シート４
３，５１と、ダミー用絶縁性シート４４，５０等にて構
成されている。

【００１４】絶縁性シート４２〜５１は、誘電体粉末や
磁性体粉末を結合剤等と一緒に混練したものをシート状
にしたものである。インダクタ用パターン６１ａ〜６６
ａ，６１ｂ〜６６ｂや周波数調整用コンデンサパターン
７３ａ〜７６ａ，７３ｂ〜７６ｂ等はＡｇ，Ｐｄ，Ｃ
ｕ，Ａｕ，Ａｇ−Ｐｄ等からなり、印刷等の方法により
形成される。

【００１５】インダクタ用パターン６１ａ〜６３ａ，６
１ｂ〜６３ｂは、絶縁性シート４６，４８の略左側半分
の領域に形成されている。インダクタ用パターン６１ａ
〜６３ａ，６１ｂ〜６３ｂは、絶縁性シート４６，４８
の左辺から右辺に向かって平行に並走された状態で配置
されている。インダクタ用パターン６１ａ〜６３ａ，６
１ｂ〜６３ｂのそれぞれの一端はシート４６，４８の左
辺に露出し、他端は開放端とされている。

【００１６】インダクタ用パターン６１ａ，６１ｂは略
同一形状であり、シート４６，４７を介して積層され、
２重構造のインダクタＬ１を構成している。同様に、イ
ンダクタ用パターン６２ａ，６２ｂ、６３ａ，６３ｂも
それぞれ２重構造のインダクタＬ２，Ｌ３を構成してい
る。インダクタＬ１〜Ｌ３が２重構造であるため、イン
ダクタ用パターン６１ａと６１ｂの間隔、インダクタ用
パターン６２ａと６２ｂの間隔及びインダクタ用パター
ン６３ａと６３ｂの間隔を調整することにより、インダ
クタＬ１〜Ｌ３のそれぞれの周囲に発生する磁界Ｈの分
布を最適化することができ、磁界Ｈがインダクタ用パタ
ーン６１ａ〜６３ｂのエッジ部に集中するのを緩和する
ことができる。

【００１７】インダクタＬ１〜Ｌ３の軸は、絶縁性シー
ト４６，４８の左辺から右辺に向かう方向に対して平行
である。そして、インダクタＬ１〜Ｌ３に電流が流れる
と、インダクタＬ１〜Ｌ３のそれぞれの周囲に、インダ
クタＬ１〜Ｌ３の軸方向に対して垂直な面を周回する磁
界が発生する。

【００１８】インダクタ用パターン６１ａ，６１ｂは、
それぞれ引出しパターン８５ａ，８５ｂに接続し、該引
出しパターン８５ａ，８５ｂはシート４６，４８の奥側
の辺の左側部に露出している。インダクタ用パターン６
３ａ，６３ｂは、それぞれインダクタ用パターン９１
ａ，９１ｂに接続している。インダクタ用パターン９１
ａ，９１ｂは、インピーダンスマッチング用インダクタ
Ｌｓ１を構成している。

【００１９】周波数調整用コンデンサパターン７３ａ，
７３ｂは、絶縁性シート４５，４９の略中央左寄りの位
置に、シート４５，４９の手前側の辺から奥側の辺に向
かって延在している。周波数調整用コンデンサパターン
７３ａ，７３ｂは、それぞれシート４５，４８を挟んで
インダクタ用パターン６１ａ，６１ｂの先端部に対向
し、コンデンサＣ１を形成する。そして、コンデンサＣ
１と２重構造のインダクタＬ１とでＬＣ並列共振器Ｑ１
を構成する。さらに、周波数調整用コンデンサパターン
７３ａ，７３ｂは、インダクタ用パターン６２ａ，６２
ｂの先端部に対向してコンデンサＣ２を形成すると共
に、インダクタ用パターン６３ａ，６３ｂの先端部に対
向してコンデンサＣ３を形成する。そして、コンデンサ
Ｃ２と２重構造のインダクタＬ２とでＬＣ並列共振器Ｑ
２を構成し、コンデンサＣ３と２重構造のインダクタＬ
３とでＬＣ並列共振器Ｑ３を構成する。

【００２０】結合調整用コンデンサパターン８１，８２
は、シート４７の中央左寄りに配置され、シート４２〜
５１の積み重ね方向において、インダクタ用パターン６
１ａ〜６３ａと６１ｂ〜６３ｂとの間に位置する。この
結合調整用コンデンサパターン８１，８２は、シート４
６，４７を挟んでインダクタ用パターン６１ａ〜６３
ａ，６１ｂ〜６３ｂの先端部に対向し、共振器Ｑ１と共
振器Ｑ２を結合する結合コンデンサＣｓ１及び共振器Ｑ
２と共振器Ｑ３を結合する結合コンデンサＣｓ２を形成
する。そして、パターン６１ａ〜６３ｂ、７３ａ，７３
ｂを間に挟んで広面積のシールドパターン９４ａ，９４
ｂが配置されている。

【００２１】インダクタ用パターン６４ａ〜６６ａ，６
４ｂ〜６６ｂは、絶縁性シート４６，４８の略右側半分
の領域に形成されている。インダクタ用パターン６４ａ
〜６６ａ，６４ｂ〜６６ｂは、絶縁性シート４６，４８
の手前側の辺から奥側の辺に向かって平行に並走された
状態で配置されている。インダクタ用パターン６４ａ〜
６６ａ，６４ｂ〜６６ｂのそれぞれの一端はシート４
６，４８の手前側の辺に露出し、他端は開放端とされて
いる。インダクタ用パターン６４ａ，６４ｂは、シート
４６，４７を介して積層され、２重構造のインダクタＬ
４を構成している。同様に、インダクタ用パターン６５
ａ，６５ｂ、６６ａ，６６ｂもそれぞれ２重構造のイン
ダクタＬ５，Ｌ６を構成している。

【００２２】インダクタＬ４〜Ｌ６の軸は、絶縁性シー
ト４６，４８の手前側の辺から奥側の辺に向かう方向に
対して平行である。そして、インダクタＬ４〜Ｌ６に電
流が流れると、インダクタＬ４〜Ｌ６のそれぞれの周囲
に、インダクタＬ４〜Ｌ６の軸方向に対して垂直な面を
周回する磁界が発生する。なお、インダクタＬ４〜Ｌ６
の軸をシート４６，４８の右辺から左辺に向かう方向に
対して平行にし、インダクタＬ１〜Ｌ３の軸をシート４
６，４８の手前側の辺から奥側の辺に向かう方向に対し
て平行にしたものであってもよいことは言うまでもな
い。

【００２３】インダクタ用パターン６６ａ，６６ｂは、
それぞれ引出しパターン８６ａ，８６ｂに接続し、該引
出しパターン８６ａ，８６ｂはシート４６，４８の右辺
に露出している。インダクタ用パターン６４ａ，６４ｂ
はインダクタ用パターン９２ａ，９２ｂに接続してい
る。インダクタ用パターン９２ａ，９２ｂは、インピー
ダンスマッチング用インダクタＬｓ２を構成している。
インダクタ用パターン９２ａ，９２ｂは、それぞれイン
ダクタ用パターン９１ａ，９１ｂと共に、引出しパター
ン８７ａ，８７ｂに接続している。引出しパターン８７
ａ，８７ｂはシート４６，４８の手前側の辺の中央部に
露出している。

【００２４】周波数調整用コンデンサパターン７４ａ〜
７６ａ，７４ｂ〜７６ｂは、絶縁性シート４５，４９の
略右側半分の領域に形成され、それぞれの一端はシート
４５，４９の奥側の辺に露出している。周波数調整用コ
ンデンサパターン７４ａ，７４ｂは、それぞれ周波数調
整用コンデンサパターン７３ａ，７３ｂに接続してい
る。

【００２５】周波数調整用コンデンサパターン７４ａ，
７４ｂは、それぞれシート４５，４８を挟んでインダク
タ用パターン６４ａ，６４ｂの先端部に対向し、コンデ
ンサＣ４を形成する。そして、コンデンサＣ４と２重構
造のインダクタＬ４とでＬＣ並列共振器Ｑ４を構成す
る。周波数調整用コンデンサパターン７５ａ，７５ｂ
は、それぞれインダクタ用パターン６５ａ，６５ｂの先
端部に対向し、コンデンサＣ５を形成する。そして、コ
ンデンサＣ５と２重構造のインダクタＬ５とでＬＣ並列
共振器Ｑ５を構成する。周波数調整用コンデンサパター
ン７６ａ，７６ｂは、それぞれインダクタ用パターン６
６ａ，６６ｂの先端部に対向し、コンデンサＣ６を形成
する。そして、コンデンサＣ６と２重構造のインダクタ
Ｌ６とでＬＣ並列共振器Ｑ６を構成する。

【００２６】結合調整用コンデンサパターン８３，８４
は、シート４７の右側に配置され、シート４２〜５１の
積み重ね方向において、インダクタ用パターン６４ａ〜
６６ａと６４ｂ〜６６ｂとの間に位置する。この結合調
整用コンデンサパターン８３，８４は、シート４６，４
７を挟んでインダクタ用パターン６４ａ〜６６ａ，６４
ｂ〜６６ｂの先端部に対向し、共振器Ｑ４と共振器Ｑ５
を結合する結合コンデンサＣｓ３及び共振器Ｑ５と共振
器Ｑ６を結合する結合コンデンサＣｓ４を形成する。そ
して、パターン６４ａ〜６６ｂ，７４ａ〜７６ｂを間に
挟んで広面積のシールドパターン９５ａ，９５ｂが配置
されている。該シールドパターン９５ａ，９５ｂは、そ
れぞれ接続パターン９６ａ，９６ｂを介してシールドパ
ターン９４ａ，９４ｂに電気的に接続している。

【００２７】以上の構成からなる各シート４２〜５１は
図１に示すように順に積み重ねられ、一体的に焼成され
ることにより、図２に示す積層体１００とされる。積層
体１００の左右の端面にはそれぞれグランド用端子電極
Ｇ１及び受信用端子電極Ｒｘが形成されている。積層体
１００の奥側の側面には送信用端子電極Ｔｘとグランド
用端子電極Ｇ３が形成され、手前側の側面にはアンテナ
用端子電極ＡＮＴとグランド用端子電極Ｇ２，Ｇ４が形
成されている。

【００２８】送信用端子電極Ｔｘには引出しパターン８
５ａ，８５ｂが接続され、受信用端子電極Ｒｘには引出
しパターン８６ａ，８６ｂが接続され、アンテナ用端子
電極ＡＮＴには引出しパターン８７ａ，８７ｂが接続さ
れている。グランド用端子電極Ｇ１にはシールドパター
ン９４ａ，９４ｂ及びインダクタ用パターン６１ａ〜６
３ａ，６１ｂ〜６３ｂの端部が接続され、グランド用端
子電極Ｇ２にはシールドパターン９４ａ，９４ｂ及び周
波数調整用コンデンサパターン７３ａ，７３ｂの端部が
接続され、グランド用端子電極Ｇ３にはシールドパター
ン９５ａ，９５ｂ及び周波数調整用コンデンサパターン
７４ａ〜７６ａ，７４ｂ〜７６ｂの端部が接続され、グ
ランド用端子電極Ｇ４には、シールドパターン９５ａ，
９５ｂ及びインダクタ用パターン６４ａ〜６６ａ，６４
ｂ〜６６ｂの端部が接続されている。

【００２９】図３は、こうして得られた積層型デュプレ
クサ４１の電気等価回路図である。共振器Ｑ１〜Ｑ３
は、結合コンデンサＣｓ１，Ｃｓ２を介して電気的に接
続され、３段のバンドパスフィルタＢＰＦ１を構成して
いる。共振器Ｑ４〜Ｑ６は結合コンデンサＣｓ３，Ｃｓ
４を介して電気的に接続され、３段のバンドパスフィル
タＢＰＦ２を構成している。さらに、バンドパスフィル
タＢＰＦ１の一端（共振器Ｑ１）は送信用端子電極Ｔｘ
に接続され、他端（共振器Ｑ３）はインピーダンスマッ
チング用インダクタＬｓ１を介してアンテナ用端子電極
ＡＮＴに接続されている。バンドパスフィルタＢＰＦ２
の一端（共振器Ｑ６）は受信用端子電極Ｒｘに接続さ
れ、他端（共振器Ｑ４）はインピーダンスマッチング用
インダクタＬｓ２を介してアンテナ用端子電極ＡＮＴに
接続されている。

【００３０】次に、以上の構成からなる積層型デュプレ
クサ４１の作用効果について説明する。このデュプレク
サ４１は、送信回路系（図示せず）から送信用端子電極
Ｔｘに入った送信信号をバンドパスフィルタＢＰＦ１を
介してアンテナ用端子電極ＡＮＴから出力すると共に、
アンテナ用端子電極ＡＮＴから入った受信信号をバンド
パスフィルタＢＰＦ２を介して受信用端子電極Ｒｘから
受信回路系（図示せず）に出力する。

【００３１】バンドパスフィルタＢＰＦ１の通過周波数
は、インダクタＬ１とコンデンサＣ１にて構成される共
振器Ｑ１と、インダクタＬ２とコンデンサＣ２にて構成
される共振器Ｑ２と、インダクタＬ３とコンデンサＣ３
にて構成される共振器Ｑ３のそれぞれの共振周波数によ
って決まる。そして、バンドパスフィルタＢＰＦ１の通
過周波数調整は、例えば、コンデンサＣ１〜Ｃ３のコン
デンサパターン７３ａ，７３ｂの面積を変えることによ
って、コンデンサＣ１〜Ｃ３の静電容量を変えて行われ
る。

【００３２】一方、バンドパスフィルタＢＰＦ２の通過
周波数は、インダクタＬ４とＣ４にて構成される共振器
Ｑ４と、インダクタＬ５とコンデンサＣ５にて構成され
る共振器Ｑ５と、インダクタＬ６とコンデンサＣ６にて
構成される共振器Ｑ６のそれぞれの共振周波数によって
決まる。そして、バンドパスフィルタＢＰＦ２の通過周
波数調整は、例えば、コンデンサＣ４〜Ｃ６のコンデン
サパターン７４ａ〜７６ａ，７４ｂ〜７６ｂの面積を変
えることによって行われる。

【００３３】この積層型デュプレクサ４１において、図
１に示すように、バンドパスフィルタＢＰＦ１のインダ
クタＬ１〜Ｌ３の軸方向とバンドパスフィルタＢＰＦ２
のインダクタＬ４〜Ｌ６の軸方向とは直交している。従
って、インダクタＬ１〜Ｌ３に電流が流れて発生する磁
界とインダクタＬ４〜Ｌ６に電流が流れて発生する磁界
とが直交し、インダクタＬ１〜Ｌ３とインダクタＬ４〜
Ｌ６との間の電気的結合を最小にすることができる。こ
の結果、減衰特性の劣化やインピーダンスずれ等の少な
い積層型デュプレクサ４１を得ることができる。

【００３４】ここに、バンドパスフィルタＢＰＦ１とＢ
ＰＦ２の間に電気的に接続されたインピーダンスマッチ
ング用インダクタＬｓ１，Ｌｓ２を直交させる必要はな
い。

【００３５】［第２実施形態、図４及び図５］図４に積
層型デュプレクサ１１０の構成を示し、図５にデュプレ
クサ１１０の外観斜視図を示す。デュプレクサ１１０
は、共振器Ｑ１〜Ｑ３を有する３段のバンドパスフィル
タＢＰＦ１と、共振器Ｑ４〜Ｑ６を有する３段のバンド
パスフィルタＢＰＦ２とを組み合わせたものである。

【００３６】インダクタ用パターン１１１ａ〜１１３
ａ，１１１ｂ〜１１３ｂは、絶縁性シート４６，４８の
略左側半分の領域に形成されている。インダクタ用パタ
ーン１１１ａ〜１１３ａ，１１１ｂ〜１１３ｂは、絶縁
性シート４６，４８の左辺から右辺に向かって平行に並
走された状態で配置されている。インダクタ用パターン
１１１ａ〜１１３ａ，１１１ｂ〜１１３ｂのそれぞれの
一端はシート４６，４８の左辺に露出し、他端は開放端
とされている。

【００３７】インダクタ用パターン１１１ａ，１１１ｂ
は略同一形状であり、シート４６，４７を介して積層さ
れ、２重構造のインダクタＬ１を構成している。同様
に、インダクタ用パターン１１２ａ，１１２ｂ、１１３
ａ，１１３ｂもそれぞれ２重構造のインダクタＬ２，Ｌ
３を構成している。インダクタＬ１〜Ｌ３の軸は、絶縁
性シート４６，４８の左辺から右辺に向かう方向に対し
て平行である。

【００３８】インダクタ用パターン１１１ａ，１１１ｂ
は、それぞれ引出しパターン１３５ａ，１３５ｂに接続
し、該引出しパターン１３５ａ，１３５ｂはシート４
６，４８の奥側の辺の左側部に露出している。インダク
タ用パターン１１３ａ，１１３ｂは、それぞれインダク
タ用パターン１４１ａ，１４１ｂに接続している。イン
ダクタ用パターン１４１ａ，１４１ｂは、インピーダン
スマッチング用インダクタＬｓ１を構成している。

【００３９】一方、インダクタ用パターン１１４ａ〜１
１６ａ，１１４ｂ〜１１６ｂは、絶縁性シート４６，４
８の略右側半分の領域に形成されている。インダクタ用
パターン１１４ａ〜１１６ａ，１１４ｂ〜１１６ｂは、
絶縁性シート４６，４８の右辺から左辺に向かって平行
に並走された状態で配置されている。インダクタ用パタ
ーン１１４ａ〜１１６ａ，１１４ｂ〜１１６ｂのそれぞ
れの一端はシート４６，４８の右辺に露出し、他端は開
放端とされている。インダクタ用パターン１１４ａ，１
１４ｂは、シート４６，４７を介して積層され、２重構
造のインダクタＬ４を構成している。同様に、インダク
タ用パターン１１５ａ，１１５ｂ、１１６ａ，１１６ｂ
もそれぞれ２重構造のインダクタＬ５，Ｌ６を構成して
いる。

【００４０】インダクタＬ４，Ｌ５，Ｌ６の軸はそれぞ
れインダクタＬ３，Ｌ２，Ｌ１の軸と略同一線上にあ
る。インダクタ用パターン１１１ａ，１１２ａ，１１３
ａの開放側先端部とインダクタ用パターン１１６ａ，１
１５ａ，１１４ａの開放側先端部とがそれぞれ対向し、
インダクタ用パターン１１１ｂ，１１２ｂ，１１３ｂの
開放側先端部とインダクタ用パターン１１６ｂ，１１５
ｂ，１１４ｂの開放側先端部とがそれぞれ対向してい
る。なお、本第２実施形態では、インダクタ用パターン
１１１ａ〜１１６ｂをシート４６，４８の左右の辺から
内側に向かって延在するように形成しているが、逆方向
に延在するように形成してもよい。

【００４１】インダクタ用パターン１１６ａ，１１６ｂ
は、それぞれ引出しパターン１３６ａ，１３６ｂに接続
し、該引出しパターン１３６ａ，１３６ｂはシート４
６，４８の奥側の辺の右側部に露出している。インダク
タ用パターン１１４ａ，１１４ｂはインダクタ用パター
ン１４２ａ，１４２ｂに接続している。インダクタ用パ
ターン１４２ａ，１４２ｂは、インピーダンスマッチン
グ用インダクタＬｓ２を構成している。インダクタ用パ
ターン１４２ａ，１４２ｂは、それぞれインダクタ用パ
ターン１４１ａ，１４１ｂと共に、引出しパターン１３
７ａ，１３７ｂに接続している。引出しパターン１３７
ａ，１３７ｂはシート４６，４８の手前側の辺の左側部
に露出している。

【００４２】周波数調整用コンデンサパターン１２１ａ
〜１２６ａ，１２１ｂ〜１２６ｂは、絶縁性シート４
５，４９の中央部に形成され、それぞれの一端は接続パ
ターン１２７ａ，１２７ｂに電気的に接続している。接
続パターン１２７ａ，１２７ｂは、その両端部がシート
４５，４９の奥側の辺及び手前側の辺に露出している。

【００４３】周波数調整用コンデンサパターン１２１
ａ，１２１ｂは、インダクタ用パターン１１１ａ，１１
１ｂの先端部に対向し、コンデンサＣ１を形成する。そ
して、コンデンサＣ１と２重構造のインダクタＬ１とで
ＬＣ並列共振器Ｑ１を構成する。周波数調整用コンデン
サパターン１２２ａ，１２２ｂは、インダクタ用パター
ン１１２ａ，１１２ｂの先端部に対向してコンデンサＣ
２を形成する。そして、コンデンサＣ２と２重構造のイ
ンダクタＬ２とでＬＣ並列共振器Ｑ２を構成する。周波
数調整用コンデンサパターン１２３ａ，１２３ｂは、イ
ンダクタ用パターン１１３ａ，１１３ｂの先端部に対向
してコンデンサＣ３を形成する。そして、コンデンサＣ
３と２重構造のインダクタＬ３とでＬＣ並列共振器Ｑ３
を構成する。

【００４４】周波数調整用コンデンサパターン１２４
ａ，１２４ｂは、それぞれインダクタ用パターン１１４
ａ，１１４ｂの先端部に対向し、コンデンサＣ４を形成
する。そして、コンデンサＣ４と２重構造のインダクタ
Ｌ４とでＬＣ並列共振器Ｑ４を構成する。周波数調整用
コンデンサパターン１２５ａ，１２５ｂは、それぞれイ
ンダクタ用パターン１１５ａ，１１５ｂの先端部に対向
し、コンデンサＣ５を形成する。そして、コンデンサＣ
５と２重構造のインダクタＬ５とでＬＣ並列共振器Ｑ５
を構成する。周波数調整用コンデンサパターン１２６
ａ，１２６ｂは、それぞれインダクタ用パターン１１６
ａ，１１６ｂの先端部に対向し、コンデンサＣ６を形成
する。そして、コンデンサＣ６と２重構造のインダクタ
Ｌ６とでＬＣ並列共振器Ｑ６を構成する。

【００４５】結合調整用コンデンサパターン１３１，１
３２は、インダクタ用パターン１１１ａ〜１１３ａ，１
１１ｂ〜１１３ｂの先端部に対向し、共振器Ｑ１と共振
器Ｑ２を結合する結合コンデンサＣｓ１及び共振器Ｑ２
と共振器Ｑ３を結合する結合コンデンサＣｓ２を形成す
る。同様に、結合調整用コンデンサパターン１３３，１
３４は、インダクタ用パターン１１４ａ〜１１６ａ，１
１４ｂ〜１１６ｂの先端部に対向し、共振器Ｑ４と共振
器Ｑ５を結合する結合コンデンサＣｓ３及び共振器Ｑ５
と共振器Ｑ６を結合する結合コンデンサＣｓ４を形成す
る。そして、パターン１１１ａ〜１１６ｂ，１２１ａ〜
１２７ｂを間に挟んで広面積のシールドパターン１４４
ａ，１４４ｂが配置されている。

【００４６】各シート４２〜５１は図４に示すように順
に積み重ねられ、一体的に焼成されることにより、図５
に示す積層体１５０とされる。積層体１５０の左右の端
面にはそれぞれグランド用端子電極Ｇ１，Ｇ４が形成さ
れている。積層体１５０の奥側の側面には、送信用端子
電極Ｔｘ、受信用端子電極Ｒｘ及びグランド用端子電極
Ｇ２が形成され、手前側の側面にはアンテナ用端子電極
ＡＮＴとグランド用端子電極Ｇ３が形成されている。

【００４７】送信用端子電極Ｔｘには引出しパターン１
３５ａ，１３５ｂが接続され、受信用端子電極Ｒｘには
引出しパターン１３６ａ，１３６ｂが接続され、アンテ
ナ用端子電極ＡＮＴには引出しパターン１３７ａ，１３
７ｂが接続されている。グランド用端子電極Ｇ１にはシ
ールドパターン１４４ａ，１４４ｂ及びインダクタ用パ
ターン１１１ａ〜１１３ａ，１１１ｂ〜１１３ｂの端部
が接続され、グランド用端子電極Ｇ２にはシールドパタ
ーン１４４ａ，１４４ｂ及び接続パターン１２７ａ，１
２７ｂの端部が接続され、グランド用端子電極Ｇ３には
シールドパターン１４４ａ，１４４ｂ及び接続パターン
１２７ａ，１２７ｂの端部が接続され、グランド用端子
電極Ｇ４には、シールドパターン１４４ａ，１４４ｂ及
びインダクタ用パターン１１４ａ〜１１６ａ，１１４ｂ
〜１１６ｂの端部が接続されている。こうして得られた
積層型デュプレクサ１１０は、図３に示した電気等価回
路と同様の等価回路を有している。

【００４８】この積層型デュプレクサ１１０において、
図４に示すように、バンドパスフィルタＢＰＦ１のイン
ダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３の軸は、バンドパスフィルタＢ
ＰＦ２のインダクタＬ６，Ｌ５，Ｌ４の軸と略同一線上
に位置し、インダクタＬ１〜Ｌ３とインダクタＬ４〜Ｌ
６とは互いに対向している。従って、インダクタＬ１〜
Ｌ３に電流が流れて発生する磁界とインダクタＬ４〜Ｌ
６に電流が流れて発生する磁界とが殆ど交鎖せず、イン
ダクタＬ１〜Ｌ３とインダクタＬ４〜Ｌ６との間の電気
的結合を最小にすることができる。この結果、減衰特性
の劣化やインピーダンスずれ等の少ない積層型デュプレ
クサ１１０を得ることができる。

【００４９】［第３実施形態、図６及び図７］図６に積
層型デュプレクサ１６０の構成を示し、図７にデュプレ
クサ１６０の外観斜視図を示す。デュプレクサ１６０
は、共振器Ｑ１〜Ｑ３を有する３段のバンドパスフィル
タＢＰＦ１と、共振器Ｑ４〜Ｑ６を有する３段のバンド
パスフィルタＢＰＦ２とを組み合わせたものである。

【００５０】インダクタ用パターン１６１ａ〜１６３
ａ，１６１ｂ〜１６３ｂは、絶縁性シート４６，４８の
略左側半分の領域に形成されている。インダクタ用パタ
ーン１６１ａ〜１６３ａ，１６１ｂ〜１６３ｂは、絶縁
性シート４６，４８の手前側の辺から奥側の辺に向かっ
て平行に並走された状態で配置されている。インダクタ
用パターン１６１ａ〜１６３ａ，１６１ｂ〜１６３ｂの
それぞれの一端はシート４６，４８の手前側の辺に露出
し、他端は開放端とされている。

【００５１】インダクタ用パターン１６１ａ，１６１ｂ
は略同一形状であり、シート４６，４７を介して積層さ
れ、２重構造のインダクタＬ１を構成している。同様
に、インダクタ用パターン１６２ａ，１６２ｂ、１６３
ａ，１６３ｂもそれぞれ２重構造のインダクタＬ２，Ｌ
３を構成している。インダクタＬ１〜Ｌ３の軸は、絶縁
性シート４６，４８の手前側の辺から奥側の辺に向かう
方向に対して平行である。

【００５２】インダクタ用パターン１６１ａ，１６１ｂ
は、それぞれ引出しパターン１８５ａ，１８５ｂに接続
し、該引出しパターン１８５ａ，１８５ｂはシート４
６，４８の左辺に露出している。インダクタ用パターン
１６３ａ，１６３ｂは、それぞれインダクタ用パターン
１９１ａ，１９１ｂに接続している。インダクタ用パタ
ーン１９１ａ，１９１ｂは、インピーダンスマッチング
用インダクタＬｓ１を構成している。

【００５３】一方、インダクタ用パターン１６４ａ〜１
６６ａ，１６４ｂ〜１６６ｂは、絶縁性シート４６，４
８の略右側半分の領域に形成されている。インダクタ用
パターン１６４ａ〜１６６ａ，１６４ｂ〜１６６ｂは、
絶縁性シート４６，４８の奥側の辺から手前側の辺に向
かって平行に並走された状態で配置されている。インダ
クタ用パターン１６４ａ〜１６６ａ，１６４ｂ〜１６６
ｂのそれぞれの一端はシート４６，４８の奥側の辺に露
出し、他端は開放端とされている。インダクタ用パター
ン１６４ａ，１６４ｂは、シート４６，４７を介して積
層され、２重構造のインダクタＬ４を構成している。同
様に、インダクタ用パターン１６５ａ，１６５ｂ、１６
６ａ，１６６ｂもそれぞれ２重構造のインダクタＬ５，
Ｌ６を構成している。

【００５４】バンドパスフィルタＢＰＦ１のインダクタ
Ｌ１〜Ｌ３とバンドパスフィルタＢＰＦ２のインダクタ
Ｌ４〜Ｌ６とは、互い違いに配置されている。つまり、
インダクタ用パターン１６１ａ〜１６３ａ，１６１ｂ〜
１６３ｂとインダクタ用パターン１６４ａ〜１６６ａ，
１６４ｂ〜１６６ｂとは、それぞれ互いにインターデジ
タル状に配置されている。

【００５５】インダクタ用パターン１６６ａ，１６６ｂ
は、それぞれ引出しパターン１８６ａ，１８６ｂに接続
し、該引出しパターン１８６ａ，１８６ｂはシート４
６，４８の右辺に露出している。インダクタ用パターン
１６４ａ，１６４ｂはインダクタ用パターン１９２ａ，
１９２ｂに接続している。インダクタ用パターン１９２
ａ，１９２ｂは、インピーダンスマッチング用インダク
タＬｓ２を構成している。インダクタ用パターン１９２
ａ，１９２ｂは、それぞれインダクタ用パターン１９１
ａ，１９１ｂと共に、引出しパターン１８７ａ，１８７
ｂに接続している。引出しパターン１８７ａ，１８７ｂ
はシート４６，４８の奥側の辺の中央部に露出してい
る。

【００５６】周波数調整用コンデンサパターン１７１ａ
〜１７３ａ，１７１ｂ〜１７３ｂは、絶縁性シート４
５，４９の略左側半分の領域に形成され、それぞれの一
端はシート４５，４９の奥側の辺に露出している。周波
数調整用コンデンサパターン１７４ａ〜１７６ａ，１７
４ｂ〜１７６ｂは、絶縁性シート４５，４９の略右側半
分の領域に形成され、それぞれの一端はシート４５，４
９の手前側の辺に露出している。

【００５７】周波数調整用コンデンサパターン１７１
ａ，１７１ｂは、インダクタ用パターン１６１ａ，１６
１ｂの先端部に対向し、コンデンサＣ１を形成する。そ
して、コンデンサＣ１とインダクタＬ１とで共振器Ｑ１
を構成する。周波数調整用コンデンサパターン１７２
ａ，１７２ｂは、インダクタ用パターン１６２ａ，１６
２ｂの先端部に対向し、コンデンサＣ２を形成する。そ
して、コンデンサＣ２とインダクタＬ２とで共振器Ｑ２
を構成する。周波数調整用コンデンサパターン１７３
ａ，１７３ｂは、インダクタ用パターン１６３ａ，１６
３ｂの先端部に対向し、コンデンサＣ３を形成する。そ
して、コンデンサＣ３とインダクタＬ３とで共振器Ｑ３
を構成する。

【００５８】周波数調整用コンデンサパターン１７４
ａ，１７４ｂは、インダクタ用パターン１６４ａ，１６
４ｂの先端部に対向し、コンデンサＣ４を形成する。そ
して、コンデンサＣ４とインダクタＬ４とで共振器Ｑ４
を構成する。周波数調整用コンデンサパターン１７５
ａ，１７５ｂは、インダクタ用パターン１６５ａ，１６
５ｂの先端部に対向し、コンデンサＣ５を形成する。そ
して、コンデンサＣ５とインダクタＬ５とで共振器Ｑ５
を構成する。周波数調整用コンデンサパターン１７６
ａ，１７６ｂは、インダクタ用パターン１６６ａ，１６
６ｂの先端部に対向し、コンデンサＣ６を形成する。そ
して、コンデンサＣ６とインダクタＬ６とで共振器Ｑ６
を構成する。

【００５９】結合調整用コンデンサパターン１８１，１
８２は、インダクタ用パターン１６１ａ〜１６３ａ，１
６１ｂ〜１６３ｂの先端部に対向し、共振器Ｑ１と共振
器Ｑ２を結合する結合コンデンサＣｓ１及び共振器Ｑ２
と共振器Ｑ３を結合する結合コンデンサＣｓ２を形成す
る。同様に、結合調整用コンデンサパターン１８３，１
８４は、インダクタ用パターン１６４ａ〜１６６ａ，１
６４ｂ〜１６６ｂの先端部に対向し、共振器Ｑ４と共振
器Ｑ５を結合する結合コンデンサＣｓ３及び共振器Ｑ５
と共振器Ｑ６を結合する結合コンデンサＣｓ４を形成す
る。そして、パターン１６１ａ〜１６３ｂ，１７１ａ〜
１７３ｂを間に挟んで広面積のシールドパターン１９３
ａ，１９３ｂが配置され、パターン１６４ａ〜１６６
ｂ，１７４ａ〜１７６ｂを間に挟んで広面積のシールド
パターン１９４ａ，１９４ｂが配置されている。

【００６０】以上の構成からなる各シート４２〜５１は
図６に示すように順に積み重ねられ、一体的に焼成され
ることにより、図７に示す積層体２００とされる。積層
体２００の左右の端面にはそれぞれ送信用端子電極Ｔｘ
及び受信用端子電極Ｒｘが形成されている。積層体２０
０の奥側の側面にはアンテナ用端子電極ＡＮＴとグラン
ド用端子電極Ｇ１，Ｇ３が形成され、手前側の側面には
グランド用端子電極Ｇ２，Ｇ４が形成されている。

【００６１】送信用端子電極Ｔｘには引出しパターン１
８５ａ，１８５ｂが接続され、受信用端子電極Ｒｘには
引出しパターン１８６ａ，１８６ｂが接続され、アンテ
ナ用端子電極ＡＮＴには引出しパターン１８７ａ，１８
７ｂが接続されている。グランド用端子電極Ｇ１にはシ
ールドパターン１９３ａ，１９３ｂ及び周波数調整用コ
ンデンサパターン１７１ａ〜１７３ａ，１７１ｂ〜１７
３ｂの端部が接続され、グランド用端子電極Ｇ２にはシ
ールドパターン１９３ａ，１９３ｂ及びインダクタ用パ
ターン１６１ａ〜１６３ａ，１６１ｂ〜１６３ｂの端部
が接続され、グランド用端子電極Ｇ３にはシールドパタ
ーン１９４ａ，１９４ｂ及びインダクタ用パターン１６
４ａ〜１６６ａ，１６４ｂ〜１６６ｂの端部が接続さ
れ、グランド用端子電極Ｇ４には、シールドパターン１
９４ａ，１９４ｂ及び周波数調整用コンデンサパターン
１７４ａ〜１７６ａ，１７４ｂ〜１７６ｂの端部が接続
されている。

【００６２】この積層型デュプレクサ１６０において、
図６に示すように、バンドパスフィルタＢＰＦ１のイン
ダクタＬ１〜Ｌ３とバンドパスフィルタＢＰＦ２のイン
ダクタＬ４〜Ｌ６とは、互いにインターデジタル状に配
置している。ここで、インダクタ用パターン１６１ａ〜
１６６ｂの長さをλ／４（λ：所望の共振周波数の波
長）に設定すると、共振器Ｑ１〜Ｑ６はλ／４共振器と
される。この場合、インダクタ用パターン１６１ａ〜１
６６ｂの接地部分で電流密度が最大となり、発生する磁
界も最も大きくなる。ところが、デュプレクサ１６０
は、磁界が最大となるインダクタ用パターン１６１ａ〜
１６３ａ，１６１ｂ〜１６３ｂの接地部分とインダクタ
用パターン１６４ａ〜１６６ａ，１６４ｂ〜１６６ｂの
接地部分が離れているので、インダクタＬ１〜Ｌ３とイ
ンダクタＬ４〜Ｌ６との間の電気的結合を最小にするこ
とができる。この結果、減衰特性の劣化やインピーダン
スずれ等の少ない積層型デュプレクサ１６０を得ること
ができる。

【００６３】［他の実施形態］なお、本発明に係る積層
型フィルタモジュールは前記実施形態に限定するもので
はなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができ
る。例えば、前記実施形態は、バンドパスフィルタを組
み合わせて構成したデュプレクサを例にして説明した
が、他に、ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ及びト
ラップ回路、あるいは、これら異なる種類の回路を組み
合わせてデュプレクサを構成してもよい。さらに、フィ
ルタモジュールは、デュプレクサ以外に、トリプレク
サ、ダイプレクサ、あるいはフィルタアレイ等のよう
に、一つの積層体内に複数個のフィルタが内蔵されたも
のを含む。ダイプレクサは、例えばローパスフィルタと
ハイパスフィルタを組み合わせて構成される。フィルタ
アレイは、例えば、機能的に独立した複数個のバンドパ
スフィルタを内蔵したものである。

【００６４】また、前記実施形態は、バンドパスフィル
タＢＰＦ１の全てのインダクタＬ１〜Ｌ３とバンドパス
フィルタＢＰＦ２の全てのインダクタＬ４〜Ｌ６とを直
交等させているが、フィルタ同士の隣り合うインダクタ
用導体が互いに直交したり、対向したり、あるいは、イ
ンターデジタル状に配置されていれば、必ずしも全ての
インダクタを直交等させる必要はない。例えば、間隔が
離れており、電気的結合が生じないインダクタ同士の場
合、電気的結合が生じても電気特性に影響がない場合、
あるいは、電気的結合を積極的に利用する場合等には、
全てのインダクタを直交等させる必要はない。

【００６５】さらに、前記実施形態において、インピー
ダンスマッチングのためにインダクタＬｓ１，Ｌｓ２を
用いているが、この代わりにコンデンサを用いてもよ
い。また、各インダクタ用パターン６１ａ〜６６ａ等
は、同一絶縁性シート上に形成されているが、これらイ
ンダクタ用パターン６１ａ〜６６ａ等を異なる絶縁性シ
ート上に形成してもよい。

【００６６】さらに、前記実施形態は、それぞれ導体が
形成された絶縁性シートを積み重ねた後、一体的に焼成
するものであるが、必ずしもこれに限定されない。絶縁
性シートは予め焼成されたものを用いてもよい。また、
以下に説明する製法によってフィルタモジュールを作成
してもよい。印刷等の方法によりペースト状の絶縁材料
にて絶縁層を形成した後、その絶縁層の表面にペースト
状の導電性材料を塗布して任意の導体を形成する。次
に、ペースト状の絶縁材料を前記導体の上から塗布して
導体が内蔵された絶縁層とする。同様にして、順に重ね
塗りすることにより積層構造を有するフィルタモジュー
ルが得られる。

【００６７】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、インダクタ用導体は、全く並走する部分を有さ
ないので、それぞれのインダクタで発生する磁界成分が
殆ど交鎖せず、あるいは、交鎖しても直交するだけであ
る。従って、インダクタ相互間の電気的結合を抑えるこ
とができる。この結果、隣り合うフィルタ同士の間隔を
広くする等の対策をとる必要がなくなる。また、フィル
タ同士の間隔を、従来より狭くすることも可能であり、
積層型フィルタモジュールの小型化を図ることもでき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る積層型フィルタモジュールの第１
実施形態を示す分解斜視図。

【図２】図１に示した積層型フィルタモジュールの外観
を示す斜視図。

【図３】図２に示した積層型フィルタモジュールの電気
等価回路図。

【図４】本発明に係る積層型フィルタモジュールの第２
実施形態を示す分解斜視図。

【図５】図４に示した積層型フィルタモジュールの外観
を示す斜視図。

【図６】本発明に係る積層型フィルタモジュールの第３
実施形態を示す分解斜視図。

【図７】図６に示した積層型フィルタモジュールの外観
を示す斜視図。

【図８】従来の積層型フィルタモジュールの分解斜視
図。

【図９】図８に示した積層型フィルタモジュールの外観
を示す斜視図。

【符号の説明】

４１，１１０，１６０…積層型デュプレクサ４２〜５１…絶縁性シート６１ａ〜６６ｂ，１１１ａ〜１１６ｂ，１６１ａ〜１６
６ｂ…インダクタ用パターン７３ａ〜７６ｂ，１２１ａ〜１２６ｂ，１７１ａ〜１７
６ｂ…コンデンサ用パターンＴｘ…送信用端子電極Ｒｘ…受信用端子電極ＡＮＴ…アンテナ用端子電極Ｃ１〜Ｃ６…コンデンサＬ１〜Ｌ６…インダクタＱ１〜Ｑ６…共振器ＢＰＦ１，ＢＰＦ２…バンドパスフィルタ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者野村浩子京都府長岡京市天神二丁目26番10号株式会社村田製作所内Ｆターム(参考） 5J006 HA35 HB05 HB21 JA01 JA21 KA03 LA03 LA13 NA03 NB07 NC03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも１対の入出力端子を有し、一
端が接地されかつ他端が開放されたインダクタ用導体を
有する複数個のフィルタを積層体に埋設し、前記隣り合
うフィルタのインダクタ用導体が全長に渡って平行に並
走する部分を有さないことを特徴とする積層型フィルタ
モジュール。
【請求項２】前記インダクタ用導体が互いに直交して
いることを特徴とする請求項１記載の積層型フィルタモ
ジュール。
【請求項３】前記インダクタ用導体が互いに対向して
いることを特徴とする請求項１記載の積層型フィルタモ
ジュール。
【請求項４】前記インダクタ用導体が互いにインター
デジタル状に配置されていることを特徴とする請求項１
記載の積層型フィルタモジュール。