JP2001352224A - バンドパスフィルタ - Google Patents
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- JP2001352224A JP2001352224A JP2000173089A JP2000173089A JP2001352224A JP 2001352224 A JP2001352224 A JP 2001352224A JP 2000173089 A JP2000173089 A JP 2000173089A JP 2000173089 A JP2000173089 A JP 2000173089A JP 2001352224 A JP2001352224 A JP 2001352224A
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- electrode
- insulating layer
- resonance circuit
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
- H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
- H03H7/1775—Parallel LC in shunt or branch path
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
- H03H7/1708—Comprising bridging elements, i.e. elements in a series path without own reference to ground and spanning branching nodes of another series path
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
- H03H2001/0021—Constructional details
- H03H2001/0085—Multilayer, e.g. LTCC, HTCC, green sheets
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- Filters And Equalizers (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 減衰極の周波数を変えると帯域幅が大きく変
わってしまう。 【解決手段】 コイルとコンデンサが並列に接続され、
電磁気的に結合した複数の共振回路、入力側の共振回路
と入力端子間に接続された第1のコンデンサ及び、出力
側の共振回路と出力端子間に接続された第2のコンデン
サを備える。第1のコンデンサと第2のコンデンサは、
それぞれ1対の容量電極を絶縁層を介して対向させて形
成される。この時、第1のコンデンサの一方の容量電極
と第2のコンデンサの他方の容量電極を絶縁層を介して
対向させて第3のコンデンサを形成すると共に、第1の
コンデンサの他方の容量電極と第2のコンデンサの一方
の容量電極を絶縁層を介して対向させて第4のコンデン
サを形成する。 【効果】 帯域幅に大きな影響を与えることなく減衰極
の周波数を設定できる。
わってしまう。 【解決手段】 コイルとコンデンサが並列に接続され、
電磁気的に結合した複数の共振回路、入力側の共振回路
と入力端子間に接続された第1のコンデンサ及び、出力
側の共振回路と出力端子間に接続された第2のコンデン
サを備える。第1のコンデンサと第2のコンデンサは、
それぞれ1対の容量電極を絶縁層を介して対向させて形
成される。この時、第1のコンデンサの一方の容量電極
と第2のコンデンサの他方の容量電極を絶縁層を介して
対向させて第3のコンデンサを形成すると共に、第1の
コンデンサの他方の容量電極と第2のコンデンサの一方
の容量電極を絶縁層を介して対向させて第4のコンデン
サを形成する。 【効果】 帯域幅に大きな影響を与えることなく減衰極
の周波数を設定できる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の共振回路を
電磁気的に結合させ、入力側の共振回路を第1のコンデ
ンサを介して入力端子に、出力側の共振回路を第2のコ
ンデンサを介して出力端子にそれぞれ接続したバンドパ
スフィルタに関する。
電磁気的に結合させ、入力側の共振回路を第1のコンデ
ンサを介して入力端子に、出力側の共振回路を第2のコ
ンデンサを介して出力端子にそれぞれ接続したバンドパ
スフィルタに関する。
【0002】
【従来の技術】従来のバンドパスフィルタに、例えば、
図7に示す様な、コイルL3とコンデンサC8が並列接
続された共振回路71と、コイルL4とコンデンサC9
が並列接続された共振回路72を電磁気的に結合し、共
振回路71がコンデンサC10を介して入力端子に、共
振回路72がコンデンサC11を介して出力端子にそれ
ぞれ接続されたものがある。なお、コンデンサC12
は、2つの共振回路が電磁気的に結合することにより形
成される容量を示している。
図7に示す様な、コイルL3とコンデンサC8が並列接
続された共振回路71と、コイルL4とコンデンサC9
が並列接続された共振回路72を電磁気的に結合し、共
振回路71がコンデンサC10を介して入力端子に、共
振回路72がコンデンサC11を介して出力端子にそれ
ぞれ接続されたものがある。なお、コンデンサC12
は、2つの共振回路が電磁気的に結合することにより形
成される容量を示している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】この様なバンドパスフ
ィルタは、通過帯域よりも高周波数側か低周波数側又は
その両方に減衰極が形成される。この種のバンドパスフ
ィルタが実装される電子機器においては、通過帯域の周
波数や帯域幅等がほぼ同じものでも、種類によってノイ
ズの存在する周波数が異なっているのが一般的であり、
電子機器の種類に応じてバンドパスフィルタの減衰極の
周波数を変える必要がある。しかしながら、従来のバン
ドパスフィルタは、ノイズの存在する周波数が異なるも
のに使用するために減衰極の周波数を変えた場合、帯域
幅が大きく変わってしまい、容量性結合と誘導性結合の
バランスとコンデンサC10、C11の容量値を設定し
直す必要があった。従って、従来のバンドパスフィルタ
は、減衰極の周波数以外の特性が同じものでもその種類
に応じて別々に設計する必要があり、回路設計が複雑に
なると共に、設計コストが増加するという問題があっ
た。
ィルタは、通過帯域よりも高周波数側か低周波数側又は
その両方に減衰極が形成される。この種のバンドパスフ
ィルタが実装される電子機器においては、通過帯域の周
波数や帯域幅等がほぼ同じものでも、種類によってノイ
ズの存在する周波数が異なっているのが一般的であり、
電子機器の種類に応じてバンドパスフィルタの減衰極の
周波数を変える必要がある。しかしながら、従来のバン
ドパスフィルタは、ノイズの存在する周波数が異なるも
のに使用するために減衰極の周波数を変えた場合、帯域
幅が大きく変わってしまい、容量性結合と誘導性結合の
バランスとコンデンサC10、C11の容量値を設定し
直す必要があった。従って、従来のバンドパスフィルタ
は、減衰極の周波数以外の特性が同じものでもその種類
に応じて別々に設計する必要があり、回路設計が複雑に
なると共に、設計コストが増加するという問題があっ
た。
【0004】本発明は、帯域幅に大きな影響を与えるこ
となく減衰極の周波数を設定できるバンドパスフィルタ
を提供することを目的とする。
となく減衰極の周波数を設定できるバンドパスフィルタ
を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明のバンドパスフィ
ルタは、入力側の共振回路と入力端子間に接続された第
1のコンデンサと、出力側の共振回路と出力端子間に接
続された第2のコンデンサの容量電極を改良することに
より上記課題を解決するものである。すなわち、コイル
とコンデンサが並列に接続され、電磁気的に結合した複
数の共振回路、入力側の共振回路と入力端子間に接続さ
れた第1のコンデンサ及び、出力側の共振回路と出力端
子間に接続された第2のコンデンサを備えたバンドパス
フィルタにおいて、第1のコンデンサと第2のコンデン
サは、それぞれ1対の容量電極を絶縁層を介して対向さ
せて形成される。さらに、第1のコンデンサの一方の容
量電極と第2のコンデンサの他方の容量電極を絶縁層を
介して対向させて第3のコンデンサを形成すると共に、
第1のコンデンサの他方の容量電極と第2のコンデンサ
の一方の容量電極を絶縁層を介して対向させて第4のコ
ンデンサを形成する。第3のコンデンサは、入力端子と
第2のコンデンサの共振回路側間に接続されたり、出力
端子と第1のコンデンサの共振回路側間に接続されたり
する。また、第4のコンデンサは、出力端子と第1のコ
ンデンサの共振回路側間に接続されたり入力端子と第2
のコンデンサの共振回路側間に接続されたりする。
ルタは、入力側の共振回路と入力端子間に接続された第
1のコンデンサと、出力側の共振回路と出力端子間に接
続された第2のコンデンサの容量電極を改良することに
より上記課題を解決するものである。すなわち、コイル
とコンデンサが並列に接続され、電磁気的に結合した複
数の共振回路、入力側の共振回路と入力端子間に接続さ
れた第1のコンデンサ及び、出力側の共振回路と出力端
子間に接続された第2のコンデンサを備えたバンドパス
フィルタにおいて、第1のコンデンサと第2のコンデン
サは、それぞれ1対の容量電極を絶縁層を介して対向さ
せて形成される。さらに、第1のコンデンサの一方の容
量電極と第2のコンデンサの他方の容量電極を絶縁層を
介して対向させて第3のコンデンサを形成すると共に、
第1のコンデンサの他方の容量電極と第2のコンデンサ
の一方の容量電極を絶縁層を介して対向させて第4のコ
ンデンサを形成する。第3のコンデンサは、入力端子と
第2のコンデンサの共振回路側間に接続されたり、出力
端子と第1のコンデンサの共振回路側間に接続されたり
する。また、第4のコンデンサは、出力端子と第1のコ
ンデンサの共振回路側間に接続されたり入力端子と第2
のコンデンサの共振回路側間に接続されたりする。
【0006】また、本発明は、コイルとコンデンサが並
列に接続され、電磁気的に結合した複数の共振回路、入
力側の共振回路と入力端子間に接続された第1のコンデ
ンサ及び、出力側の共振回路と出力端子間に接続された
第2のコンデンサを備えたバンドパスフィルタにおい
て、複数の共振回路のコイルは、絶縁層とコイルパター
ンを交互に積層し、絶縁層間のコイルパターンを接続し
て形成され、第1のコンデンサと第2のコンデンサは、
それぞれ1対の容量電極を絶縁層を介して対向させて形
成され、第1のコンデンサの一方の容量電極と第2のコ
ンデンサの他方の容量電極を絶縁層を介して対向させて
第3のコンデンサを形成すると共に、第1のコンデンサ
の他方の容量電極と第2のコンデンサの一方の容量電極
を絶縁層を介して対向させて第4のコンデンサを形成す
る。
列に接続され、電磁気的に結合した複数の共振回路、入
力側の共振回路と入力端子間に接続された第1のコンデ
ンサ及び、出力側の共振回路と出力端子間に接続された
第2のコンデンサを備えたバンドパスフィルタにおい
て、複数の共振回路のコイルは、絶縁層とコイルパター
ンを交互に積層し、絶縁層間のコイルパターンを接続し
て形成され、第1のコンデンサと第2のコンデンサは、
それぞれ1対の容量電極を絶縁層を介して対向させて形
成され、第1のコンデンサの一方の容量電極と第2のコ
ンデンサの他方の容量電極を絶縁層を介して対向させて
第3のコンデンサを形成すると共に、第1のコンデンサ
の他方の容量電極と第2のコンデンサの一方の容量電極
を絶縁層を介して対向させて第4のコンデンサを形成す
る。
【0007】
【発明の実施の形態】本発明のバンドパスフィルタは、
コイルとコンデンサが並列に接続され、電磁気的に結合
した複数の共振回路、入力側の共振回路と入力端子間に
接続された第1のコンデンサ及び、出力側の共振回路と
出力端子間に接続された第2のコンデンサを備える。こ
の複数の共振回路のコイルは、アース電極が形成された
絶縁層上に絶縁層とコイルパターンを交互に積層し、絶
縁層間のコイルパターンを接続して形成される。また、
第1のコンデンサと第2のコンデンサは、それぞれ1対
の容量電極を絶縁層を介して対向させて形成される。こ
の時、第1のコンデンサの一方の容量電極と第2のコン
デンサの他方の容量電極のそれぞれ一部を絶縁層を介し
て対向させて第3のコンデンサを形成すると共に、第1
のコンデンサの他方の容量電極と第2のコンデンサの一
方の容量電極のそれぞれ一部を絶縁層を介して対向させ
て第4のコンデンサを形成する。従って、本発明のバン
ドパスフィルタは、第1のコンデンサの一方の容量電極
と第2のコンデンサの他方の容量電極によって入力端子
と第2のコンデンサの共振回路側間又は出力端子と第1
のコンデンサの共振回路側間に第3のコンデンサが形成
され、かつ第1のコンデンサの他方の容量電極と第2の
コンデンサの一方の容量電極によって出力端子と第1の
コンデンサの共振回路側間又は入力端子と第2のコンデ
ンサの共振回路側間に第4のコンデンサが形成されるこ
とになる。
コイルとコンデンサが並列に接続され、電磁気的に結合
した複数の共振回路、入力側の共振回路と入力端子間に
接続された第1のコンデンサ及び、出力側の共振回路と
出力端子間に接続された第2のコンデンサを備える。こ
の複数の共振回路のコイルは、アース電極が形成された
絶縁層上に絶縁層とコイルパターンを交互に積層し、絶
縁層間のコイルパターンを接続して形成される。また、
第1のコンデンサと第2のコンデンサは、それぞれ1対
の容量電極を絶縁層を介して対向させて形成される。こ
の時、第1のコンデンサの一方の容量電極と第2のコン
デンサの他方の容量電極のそれぞれ一部を絶縁層を介し
て対向させて第3のコンデンサを形成すると共に、第1
のコンデンサの他方の容量電極と第2のコンデンサの一
方の容量電極のそれぞれ一部を絶縁層を介して対向させ
て第4のコンデンサを形成する。従って、本発明のバン
ドパスフィルタは、第1のコンデンサの一方の容量電極
と第2のコンデンサの他方の容量電極によって入力端子
と第2のコンデンサの共振回路側間又は出力端子と第1
のコンデンサの共振回路側間に第3のコンデンサが形成
され、かつ第1のコンデンサの他方の容量電極と第2の
コンデンサの一方の容量電極によって出力端子と第1の
コンデンサの共振回路側間又は入力端子と第2のコンデ
ンサの共振回路側間に第4のコンデンサが形成されるこ
とになる。
【0008】
【実施例】以下、本発明のバンドパスフィルタを図1乃
至図6を参照して説明する。図1は本発明のバンドパス
フィルタの第1の実施例を示す分解斜視図、図2は本発
明のバンドパスフィルタの第1の実施例の斜視図、図3
は本発明のバンドパスフィルタの回路図である。図1に
おいて、11A〜11Fは絶縁層、13A、13B、1
4A、14Bはコイルパターン、15、16、17、1
8は容量電極である。絶縁層11A、11B、11C、
11D、11E、11Fは、誘電体材料又は磁性材料で
形成される。絶縁層11Aの表面には、アース電極12
が形成される。このアース電極12は、絶縁層11Aの
対向する側面まで引出される。絶縁層11Bの表面に
は、コイルパターン13Aとコイルパターン14Aが形
成される。コイルパターン13Aとコイルパターン14
Aは、接触しない様に所定の間隔を空けて互いに線対称
に形成される。コイルパターン13Aの一端とコイルパ
ターン14Aの一端は、互いに接続されて絶縁層11B
の側面まで引出される。絶縁層11Cの表面には、コイ
ルパターン13Bとコイルパターン14Bが形成され
る。コイルパターン13Bとコイルパターン14Bは、
接触しない様に所定の間隔を空けて互いに線対称に形成
され、コイルパターン13Bの一端がコイルパターン1
3Aの他端に、コイルパターン14Bの一端がコイルパ
ターン14Aの他端にそれぞれ接続される。この様にコ
イルパターン13Aと13Bが接続されてらせん状のコ
イルが形成される。また、コイルパターン14Aと14
Bが接続されてらせん状のコイルが形成される。絶縁層
11Dの表面には、容量電極15と容量電極16が形成
される。容量電極15は、後述の容量電極17との間で
所定の容量が得られる様に形成されると共に、容量電極
16側に突出する凸部15Tが形成される。容量電極1
6は、後述の容量電極18との間で所定の容量が得られ
る様に形成されると共に、容量電極15側に突出する凸
部16Tが形成される。絶縁層11Eの表面には、容量
電極17と容量電極18が形成される。容量電極17
は、容量電極15と対向する位置に形成されると共に、
容量電極18側に突出して凸部16Tと対向する位置に
凸部17Tが形成される。また、容量電極18は、容量
電極16と対向する位置に形成されると共に、容量電極
17側に突出して凸部15Tと対向する位置に凸部17
Tが形成される。この容量電極17の引出端と容量電極
18の引出端は、絶縁層11Eの同じ側面まで引出され
る。絶縁層11Aから絶縁層11Eまで順次積層し、保
護用の絶縁層11Fで覆われた積層体の側面には、図2
に示す様に端子電極21、22、23、24、25、2
6が形成される。そして、コイルパターン13Aとコイ
ルパターン14Aの接続端とアース電極12が外部端子
22を介して接続される。外部端子21、23、25が
アース電極12に、外部端子24が容量電極17に、外
部端子26が容量電極18に接続される。
至図6を参照して説明する。図1は本発明のバンドパス
フィルタの第1の実施例を示す分解斜視図、図2は本発
明のバンドパスフィルタの第1の実施例の斜視図、図3
は本発明のバンドパスフィルタの回路図である。図1に
おいて、11A〜11Fは絶縁層、13A、13B、1
4A、14Bはコイルパターン、15、16、17、1
8は容量電極である。絶縁層11A、11B、11C、
11D、11E、11Fは、誘電体材料又は磁性材料で
形成される。絶縁層11Aの表面には、アース電極12
が形成される。このアース電極12は、絶縁層11Aの
対向する側面まで引出される。絶縁層11Bの表面に
は、コイルパターン13Aとコイルパターン14Aが形
成される。コイルパターン13Aとコイルパターン14
Aは、接触しない様に所定の間隔を空けて互いに線対称
に形成される。コイルパターン13Aの一端とコイルパ
ターン14Aの一端は、互いに接続されて絶縁層11B
の側面まで引出される。絶縁層11Cの表面には、コイ
ルパターン13Bとコイルパターン14Bが形成され
る。コイルパターン13Bとコイルパターン14Bは、
接触しない様に所定の間隔を空けて互いに線対称に形成
され、コイルパターン13Bの一端がコイルパターン1
3Aの他端に、コイルパターン14Bの一端がコイルパ
ターン14Aの他端にそれぞれ接続される。この様にコ
イルパターン13Aと13Bが接続されてらせん状のコ
イルが形成される。また、コイルパターン14Aと14
Bが接続されてらせん状のコイルが形成される。絶縁層
11Dの表面には、容量電極15と容量電極16が形成
される。容量電極15は、後述の容量電極17との間で
所定の容量が得られる様に形成されると共に、容量電極
16側に突出する凸部15Tが形成される。容量電極1
6は、後述の容量電極18との間で所定の容量が得られ
る様に形成されると共に、容量電極15側に突出する凸
部16Tが形成される。絶縁層11Eの表面には、容量
電極17と容量電極18が形成される。容量電極17
は、容量電極15と対向する位置に形成されると共に、
容量電極18側に突出して凸部16Tと対向する位置に
凸部17Tが形成される。また、容量電極18は、容量
電極16と対向する位置に形成されると共に、容量電極
17側に突出して凸部15Tと対向する位置に凸部17
Tが形成される。この容量電極17の引出端と容量電極
18の引出端は、絶縁層11Eの同じ側面まで引出され
る。絶縁層11Aから絶縁層11Eまで順次積層し、保
護用の絶縁層11Fで覆われた積層体の側面には、図2
に示す様に端子電極21、22、23、24、25、2
6が形成される。そして、コイルパターン13Aとコイ
ルパターン14Aの接続端とアース電極12が外部端子
22を介して接続される。外部端子21、23、25が
アース電極12に、外部端子24が容量電極17に、外
部端子26が容量電極18に接続される。
【0009】この様に形成されたバンドパスフィルタ
は、図3の様な回路が形成される。すなわち、コイルパ
ターン13A、13BによってコイルL1が、コイルパ
ターン14A、14BによってコイルL2がそれぞれ形
成される。このコイルL1とコイルL2は、電磁気的に
結合する。また、コイルパターン13Aと13B間の線
間容量及びコイルパターン13Aとアース電極12間の
容量によってコイルL1と並列にコンデンサC1が形成
される。さらに、コイルパターン14Aと14B間の線
間容量及びコイルパターン14Aとアース電極12間の
容量によってコイルL2と並列にコンデンサC2が形成
される。このコイルL1とコンデンサC1で入力側の共
振回路が形成され、コイルL2とコンデンサC2で出力
側の共振回路が形成される。また、容量電極15と容量
電極17によって入力端子と入力側の共振回路間にコン
デンサC3が、容量電極16と容量電極18によって出
力端子と出力側の共振回路間にコンデンサC4がそれぞ
れ形成される。さらに、容量電極15の凸部15Tと容
量電極18の凸部18TによってコンデンサC6が、容
量電極16の凸部16Tと容量電極17の凸部17Tに
よってコンデンサC7が形成される。またさらに、コイ
ルL1とコイルL2は電磁気的に結合するので、2つの
コイルのコイルパターン間に形成された容量によってコ
イルL1の他端とコイルL2の他端間に結合容量C5が
接続される。
は、図3の様な回路が形成される。すなわち、コイルパ
ターン13A、13BによってコイルL1が、コイルパ
ターン14A、14BによってコイルL2がそれぞれ形
成される。このコイルL1とコイルL2は、電磁気的に
結合する。また、コイルパターン13Aと13B間の線
間容量及びコイルパターン13Aとアース電極12間の
容量によってコイルL1と並列にコンデンサC1が形成
される。さらに、コイルパターン14Aと14B間の線
間容量及びコイルパターン14Aとアース電極12間の
容量によってコイルL2と並列にコンデンサC2が形成
される。このコイルL1とコンデンサC1で入力側の共
振回路が形成され、コイルL2とコンデンサC2で出力
側の共振回路が形成される。また、容量電極15と容量
電極17によって入力端子と入力側の共振回路間にコン
デンサC3が、容量電極16と容量電極18によって出
力端子と出力側の共振回路間にコンデンサC4がそれぞ
れ形成される。さらに、容量電極15の凸部15Tと容
量電極18の凸部18TによってコンデンサC6が、容
量電極16の凸部16Tと容量電極17の凸部17Tに
よってコンデンサC7が形成される。またさらに、コイ
ルL1とコイルL2は電磁気的に結合するので、2つの
コイルのコイルパターン間に形成された容量によってコ
イルL1の他端とコイルL2の他端間に結合容量C5が
接続される。
【0010】この様なバンドパスフィルタは、通過帯域
の高周波側に減衰極が形成される。この減衰極の周波数
は、容量電極15の凸部15Tと容量電極18の凸部1
8Tの対向面積及び容量電極16の凸部16Tと容量電
極17の凸部17Tの対向面積を変えてコンデンサC6
及びコンデンサC7の容量を調整することにより図4に
示す様に調整される。図4において、横軸は周波数、縦
軸は減衰量、41は従来のバンドパスフィルタの特性、
42、43は本発明のバンドパスフィルタのコンデンサ
C6、C7の容量をそれぞれ0.02pF、1pFにし
たバンドパスフィルタの特性を示している。本発明のバ
ンドパスフィルタは、コンデンサC6、C7の容量を増
加させることにより減衰極の周波数が通過帯域の中心周
波数に近づき、特性が急峻になっている。また、本発明
のバンドパスフィルタは、コンデンサC6、C7の容量
を0pFにしたもの(すなわち、従来のバンドパスフィ
ルタ)の比帯域幅(帯域幅/中心周波数)と、コンデン
サC6、C7の容量を増加させていったものの比帯域幅
(帯域幅/中心周波数)を比較すると図5に示す様にほ
ぼ一定となっている。従って、本発明のバンドパスフィ
ルタは、帯域幅に大きな影響を与えることなく減衰極を
変えられると言うことができる。
の高周波側に減衰極が形成される。この減衰極の周波数
は、容量電極15の凸部15Tと容量電極18の凸部1
8Tの対向面積及び容量電極16の凸部16Tと容量電
極17の凸部17Tの対向面積を変えてコンデンサC6
及びコンデンサC7の容量を調整することにより図4に
示す様に調整される。図4において、横軸は周波数、縦
軸は減衰量、41は従来のバンドパスフィルタの特性、
42、43は本発明のバンドパスフィルタのコンデンサ
C6、C7の容量をそれぞれ0.02pF、1pFにし
たバンドパスフィルタの特性を示している。本発明のバ
ンドパスフィルタは、コンデンサC6、C7の容量を増
加させることにより減衰極の周波数が通過帯域の中心周
波数に近づき、特性が急峻になっている。また、本発明
のバンドパスフィルタは、コンデンサC6、C7の容量
を0pFにしたもの(すなわち、従来のバンドパスフィ
ルタ)の比帯域幅(帯域幅/中心周波数)と、コンデン
サC6、C7の容量を増加させていったものの比帯域幅
(帯域幅/中心周波数)を比較すると図5に示す様にほ
ぼ一定となっている。従って、本発明のバンドパスフィ
ルタは、帯域幅に大きな影響を与えることなく減衰極を
変えられると言うことができる。
【0011】図6は、本発明のバンドパスフィルタの第
2の実施例を示す分解斜視図である。絶縁層61A、6
1B、61C、61D、61E、61F、61G、61
Hは、誘電体材料又は磁性材料で形成される。絶縁層6
1Aの表面には、アース電極62が形成される。このア
ース電極62は、絶縁層11Aの対向する側面まで引出
される。絶縁層61Bの表面には、コイルパターン63
Aとコイルパターン64Aが形成される。コイルパター
ン63Aとコイルパターン64Aは、接触しない様に所
定の間隔を空けて互いに点対称に形成される。コイルパ
ターン63Aの一端とコイルパターン64Aの一端は、
絶縁層11Bの対向する側面に別々に引出される。絶縁
層61Cの表面には、コイルパターン63Bとコイルパ
ターン64Bが形成される。コイルパターン63Bとコ
イルパターン64Bは、接触しない様に所定の間隔を空
けて互いに点対称に形成され、コイルパターン63Bの
一端がコイルパターン63Aの他端に、コイルパターン
64Bの一端がコイルパターン64Aの他端にそれぞれ
接続される。絶縁層61Dの表面には、コイルパターン
63Cとコイルパターン64Cが形成される。コイルパ
ターン63Cとコイルパターン64Cは、接触しない様
に所定の間隔を空けて互いに点対称に形成され、コイル
パターン63Cの一端がコイルパターン63Bの他端
に、コイルパターン64Cの一端がコイルパターン64
Bの他端にそれぞれ接続される。絶縁層61Eの表面に
は、コイルパターン63Dとコイルパターン64Dが形
成される。コイルパターン63Dとコイルパターン64
Dは、接触しない様に所定の間隔を空けて互いに点対称
に形成され、コイルパターン63Dの一端がコイルパタ
ーン63Cの他端に、コイルパターン64Dの一端がコ
イルパターン64Cの他端にそれぞれ接続される。この
様にコイルパターン63A、63B、63C、63Dが
順次接続されてらせん状のコイルが形成される。また、
コイルパターン64A、64B、64C、64Dが順次
接続されてらせん状のコイルが形成される。絶縁層61
Fの表面には、容量電極65と容量電極66が形成され
る。容量電極65と容量電極66は、それぞれL字状に
形成されると共に、絶縁層61Fの表面に互いに点対称
に形成される。絶縁層61Gの表面には、容量電極67
と容量電極68が形成される。容量電極67は、L字状
に形成され、容量電極65と66にそれぞれ一部が対向
する様に形成される。また、容量電極68は、L字状に
形成され、容量電極66と65にそれぞれ一部が対向す
る様に形成される。この容量電極67の引出端と容量電
極68の引出端は、絶縁層61Gの対向する側面に引出
される。絶縁層61Aから絶縁層61Gまで順次積層
し、保護用の絶縁層11Hで覆われた積層体の側面には
端子電極が形成される。
2の実施例を示す分解斜視図である。絶縁層61A、6
1B、61C、61D、61E、61F、61G、61
Hは、誘電体材料又は磁性材料で形成される。絶縁層6
1Aの表面には、アース電極62が形成される。このア
ース電極62は、絶縁層11Aの対向する側面まで引出
される。絶縁層61Bの表面には、コイルパターン63
Aとコイルパターン64Aが形成される。コイルパター
ン63Aとコイルパターン64Aは、接触しない様に所
定の間隔を空けて互いに点対称に形成される。コイルパ
ターン63Aの一端とコイルパターン64Aの一端は、
絶縁層11Bの対向する側面に別々に引出される。絶縁
層61Cの表面には、コイルパターン63Bとコイルパ
ターン64Bが形成される。コイルパターン63Bとコ
イルパターン64Bは、接触しない様に所定の間隔を空
けて互いに点対称に形成され、コイルパターン63Bの
一端がコイルパターン63Aの他端に、コイルパターン
64Bの一端がコイルパターン64Aの他端にそれぞれ
接続される。絶縁層61Dの表面には、コイルパターン
63Cとコイルパターン64Cが形成される。コイルパ
ターン63Cとコイルパターン64Cは、接触しない様
に所定の間隔を空けて互いに点対称に形成され、コイル
パターン63Cの一端がコイルパターン63Bの他端
に、コイルパターン64Cの一端がコイルパターン64
Bの他端にそれぞれ接続される。絶縁層61Eの表面に
は、コイルパターン63Dとコイルパターン64Dが形
成される。コイルパターン63Dとコイルパターン64
Dは、接触しない様に所定の間隔を空けて互いに点対称
に形成され、コイルパターン63Dの一端がコイルパタ
ーン63Cの他端に、コイルパターン64Dの一端がコ
イルパターン64Cの他端にそれぞれ接続される。この
様にコイルパターン63A、63B、63C、63Dが
順次接続されてらせん状のコイルが形成される。また、
コイルパターン64A、64B、64C、64Dが順次
接続されてらせん状のコイルが形成される。絶縁層61
Fの表面には、容量電極65と容量電極66が形成され
る。容量電極65と容量電極66は、それぞれL字状に
形成されると共に、絶縁層61Fの表面に互いに点対称
に形成される。絶縁層61Gの表面には、容量電極67
と容量電極68が形成される。容量電極67は、L字状
に形成され、容量電極65と66にそれぞれ一部が対向
する様に形成される。また、容量電極68は、L字状に
形成され、容量電極66と65にそれぞれ一部が対向す
る様に形成される。この容量電極67の引出端と容量電
極68の引出端は、絶縁層61Gの対向する側面に引出
される。絶縁層61Aから絶縁層61Gまで順次積層
し、保護用の絶縁層11Hで覆われた積層体の側面には
端子電極が形成される。
【0012】以上、本発明のバンドパスフィルタの実施
例を述べたが、本発明はこれらの実施例に限られるもの
ではない。例えば、実施例では第3のコンデンサが出力
端子と第1のコンデンサの共振回路側間に接続し、第4
のコンデンサが入力端子と第2のコンデンサの共振回路
側間に接続しているが、第3のコンデンサが入力端子と
第2のコンデンサの共振回路側間に接続し、第4のコン
デンサが出力端子と第1のコンデンサの共振回路側間に
接続してもよい。また、3つ以上の共振回路を電磁気的
に結合したものについても適用できる。
例を述べたが、本発明はこれらの実施例に限られるもの
ではない。例えば、実施例では第3のコンデンサが出力
端子と第1のコンデンサの共振回路側間に接続し、第4
のコンデンサが入力端子と第2のコンデンサの共振回路
側間に接続しているが、第3のコンデンサが入力端子と
第2のコンデンサの共振回路側間に接続し、第4のコン
デンサが出力端子と第1のコンデンサの共振回路側間に
接続してもよい。また、3つ以上の共振回路を電磁気的
に結合したものについても適用できる。
【0013】
【発明の効果】以上述べた様に、本発明のバンドパスフ
ィルタは、入力側の共振回路と入力端子間に接続された
第1のコンデンサ及び、出力側の共振回路と出力端子間
に接続された第2のコンデンサが、それぞれ1対の容量
電極を絶縁層を介して対向させて形成され、第1のコン
デンサの一方の容量電極と第2のコンデンサの他方の容
量電極を絶縁層を介して対向させて第3のコンデンサを
形成すると共に、第1のコンデンサの他方の容量電極と
第2のコンデンサの一方の容量電極を絶縁層を介して対
向させて第4のコンデンサを形成するので、入力端子と
第2のコンデンサの共振回路側間又は出力端子と第1の
コンデンサの共振回路側間に第3のコンデンサが接続さ
れ、出力端子と第1のコンデンサの共振回路側間又は入
力端子と第2のコンデンサの共振回路側間に第4のコン
デンサが接続されることになる。従って、本発明のバン
ドパスフィルタは、第3のコンデンサと第4のコンデン
サの容量を調節することにより帯域幅に大きな影響を与
えることなく減衰極の周波数を設定できる。
ィルタは、入力側の共振回路と入力端子間に接続された
第1のコンデンサ及び、出力側の共振回路と出力端子間
に接続された第2のコンデンサが、それぞれ1対の容量
電極を絶縁層を介して対向させて形成され、第1のコン
デンサの一方の容量電極と第2のコンデンサの他方の容
量電極を絶縁層を介して対向させて第3のコンデンサを
形成すると共に、第1のコンデンサの他方の容量電極と
第2のコンデンサの一方の容量電極を絶縁層を介して対
向させて第4のコンデンサを形成するので、入力端子と
第2のコンデンサの共振回路側間又は出力端子と第1の
コンデンサの共振回路側間に第3のコンデンサが接続さ
れ、出力端子と第1のコンデンサの共振回路側間又は入
力端子と第2のコンデンサの共振回路側間に第4のコン
デンサが接続されることになる。従って、本発明のバン
ドパスフィルタは、第3のコンデンサと第4のコンデン
サの容量を調節することにより帯域幅に大きな影響を与
えることなく減衰極の周波数を設定できる。
【図1】 本発明のバンドパスフィルタの第1の実施例
を示す分解斜視図である。
を示す分解斜視図である。
【図2】 本発明のバンドパスフィルタの第1の実施例
の斜視図である。
の斜視図である。
【図3】 本発明のバンドパスフィルタの回路図であ
る。
る。
【図4】 バンドパスフィルタの特性図である。
【図5】 バンドパスフィルタの比帯域幅の特性図であ
る。
る。
【図6】 本発明のバンドパスフィルタの第2の実施例
を示す分解斜視図である。
を示す分解斜視図である。
【図7】 従来のバンドパスフィルタの回路図である。
11A〜11F 絶縁層 13A、13B、14A、14B コイルパターン 15、16、17、18 容量電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5E001 AB03 AC05 AC08 AF06 AH01 AZ01 5E070 AA05 AB01 AB07 BA11 CB03 CB13 CB17 5E082 AA01 AB03 BB02 DD08 EE04 EE16 EE23 EE35 FF05 FG06 FG26 GG10 JJ03 JJ23 KK01 5J024 CA06 DA04 DA29 EA03 KA02
Claims (5)
- 【請求項1】 コイルとコンデンサが並列に接続され、
電磁気的に結合した複数の共振回路、入力側の共振回路
と入力端子間に接続された第1のコンデンサ及び、出力
側の共振回路と出力端子間に接続された第2のコンデン
サを備えたバンドパスフィルタにおいて、 該第1のコンデンサと第2のコンデンサは、それぞれ1
対の容量電極を絶縁層を介して対向させて形成され、第
1のコンデンサの一方の容量電極と第2のコンデンサの
他方の容量電極を該絶縁層を介して対向させて第3のコ
ンデンサを形成すると共に、第1のコンデンサの他方の
容量電極と第2のコンデンサの一方の容量電極を該絶縁
層を介して対向させて第4のコンデンサを形成すること
を特徴とするバンドパスフィルタ。 - 【請求項2】 コイルとコンデンサが並列に接続され、
電磁気的に結合した複数の共振回路、入力側の共振回路
と入力端子間に接続された第1のコンデンサ及び、出力
側の共振回路と出力端子間に接続された第2のコンデン
サを備えたバンドパスフィルタにおいて、 該複数の共振回路のコイルは、絶縁層とコイルパターン
を交互に積層し、該絶縁層間のコイルパターンを接続し
て形成され、該第1のコンデンサと第2のコンデンサ
は、それぞれ1対の容量電極を絶縁層を介して対向させ
て形成され、第1のコンデンサの一方の容量電極と第2
のコンデンサの他方の容量電極を該絶縁層を介して対向
させて第3のコンデンサを形成すると共に、第1のコン
デンサの他方の容量電極と第2のコンデンサの一方の容
量電極を該絶縁層を介して対向させて第4のコンデンサ
を形成することを特徴とするバンドパスフィルタ。 - 【請求項3】 コイルとコンデンサが並列に接続され、
電磁気的に結合した複数の共振回路、入力側の共振回路
と入力端子間に接続された第1のコンデンサ及び、出力
側の共振回路と出力端子間に接続された第2のコンデン
サを備えたバンドパスフィルタにおいて、 該複数の共振回路のコイルは、アース電極上に絶縁層と
コイルパターンを交互に積層し、該絶縁層間のコイルパ
ターンを接続して形成され、該第1のコンデンサと第2
のコンデンサは、それぞれ1対の容量電極を絶縁層を介
して対向させて形成され、第1のコンデンサの一方の容
量電極と第2のコンデンサの他方の容量電極を該絶縁層
を介して対向させて第3のコンデンサを形成すると共
に、第1のコンデンサの他方の容量電極と第2のコンデ
ンサの一方の容量電極を該絶縁層を介して対向させて第
4のコンデンサを形成することを特徴とするバンドパス
フィルタ。 - 【請求項4】 前記第3のコンデンサが入力端子と第2
のコンデンサの共振回路側間に接続され、前記第4のコ
ンデンサが出力端子と第1のコンデンサの共振回路側間
に接続された請求項1乃至請求項3に記載のバンドパス
フィルタ。 - 【請求項5】 前記第3のコンデンサが出力端子と第1
のコンデンサの共振回路側間に接続され、前記第4のコ
ンデンサが入力端子と第2のコンデンサの共振回路側間
に接続された請求項1乃至請求項3に記載のバンドパス
フィルタ。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000173089A JP2001352224A (ja) | 2000-06-09 | 2000-06-09 | バンドパスフィルタ |
US09/876,236 US20010050601A1 (en) | 2000-06-09 | 2001-06-08 | Bandpass filter |
EP01305003A EP1162738A3 (en) | 2000-06-09 | 2001-06-08 | Bandpass filter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000173089A JP2001352224A (ja) | 2000-06-09 | 2000-06-09 | バンドパスフィルタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001352224A true JP2001352224A (ja) | 2001-12-21 |
Family
ID=18675381
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000173089A Pending JP2001352224A (ja) | 2000-06-09 | 2000-06-09 | バンドパスフィルタ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20010050601A1 (ja) |
EP (1) | EP1162738A3 (ja) |
JP (1) | JP2001352224A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003258585A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-12 | Toko Inc | 積層型電子部品 |
JP2003273686A (ja) * | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Toko Inc | 積層型電子部品 |
JP2006013849A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Hitachi Metals Ltd | バンドパスフィルタ、高周波回路、高周波回路部品、およびこれらを用いたマルチバンド通信装置 |
WO2008143071A1 (ja) * | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層帯域通過フィルタ |
WO2019097774A1 (ja) * | 2017-11-20 | 2019-05-23 | 株式会社村田製作所 | バンドパスフィルタ |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030056243A (ko) * | 2001-12-27 | 2003-07-04 | 삼성전기주식회사 | 트리플렉서 회로 및 이를 구현한 적층칩형 트리플렉서 |
JP4134129B2 (ja) * | 2004-10-28 | 2008-08-13 | Tdk株式会社 | 高周波モジュール |
CN109104164A (zh) * | 2018-10-16 | 2018-12-28 | 深圳飞骧科技有限公司 | 一种ipd滤波器及其强化滤波架构 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4395836C2 (de) * | 1992-11-19 | 2003-02-20 | Tdk Corp | Filter mit Dielektrischen Schichten |
JPH09214274A (ja) * | 1996-02-08 | 1997-08-15 | Murata Mfg Co Ltd | Lc複合部品 |
-
2000
- 2000-06-09 JP JP2000173089A patent/JP2001352224A/ja active Pending
-
2001
- 2001-06-08 US US09/876,236 patent/US20010050601A1/en not_active Abandoned
- 2001-06-08 EP EP01305003A patent/EP1162738A3/en not_active Withdrawn
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003258585A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-12 | Toko Inc | 積層型電子部品 |
JP2003273686A (ja) * | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Toko Inc | 積層型電子部品 |
JP2006013849A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Hitachi Metals Ltd | バンドパスフィルタ、高周波回路、高周波回路部品、およびこれらを用いたマルチバンド通信装置 |
WO2008143071A1 (ja) * | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層帯域通過フィルタ |
JPWO2008143071A1 (ja) * | 2007-05-18 | 2010-08-05 | 株式会社村田製作所 | 積層帯域通過フィルタ |
US7907034B2 (en) | 2007-05-18 | 2011-03-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated band-pass filter having an even number of LC parallel resonators |
KR101026712B1 (ko) | 2007-05-18 | 2011-04-08 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 적층 대역 통과 필터 |
WO2019097774A1 (ja) * | 2017-11-20 | 2019-05-23 | 株式会社村田製作所 | バンドパスフィルタ |
CN111357198A (zh) * | 2017-11-20 | 2020-06-30 | 株式会社村田制作所 | 带通滤波器 |
JPWO2019097774A1 (ja) * | 2017-11-20 | 2020-11-19 | 株式会社村田製作所 | バンドパスフィルタ |
CN111357198B (zh) * | 2017-11-20 | 2023-05-16 | 株式会社村田制作所 | 带通滤波器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1162738A3 (en) | 2004-02-04 |
EP1162738A2 (en) | 2001-12-12 |
US20010050601A1 (en) | 2001-12-13 |
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