JP2005001936A - カーボンナノチューブの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】非触媒金属等を基板上にパターニングせずに、同一基板上にカーボンナノチューブ生成領域と非生成領域とを形成でき、基板の総面積に占めるカーボンナノチューブ生成領域の割合を調整することができるカーボンナノチューブ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】反応管2内に純NiバルクからなるNi基板1を設置する。このNi基板1は、予め、CNTを生成させたい領域における平均結晶粒径が合成後に60μm以下になるようにしておく。その後、パイプ7aからアセチレンを100cm3/分の流量で供給し、パイプ7bからアルゴンを20cm3/分の流量で供給すると共に、赤外線イメージ炉4により合成部8を加熱する。その際、パイプ7cから排気ガスを排気する。これにより、Ni基板1にCNT生成領域とCNT非生成領域が形成される。
【選択図】 図1
【解決手段】反応管2内に純NiバルクからなるNi基板1を設置する。このNi基板1は、予め、CNTを生成させたい領域における平均結晶粒径が合成後に60μm以下になるようにしておく。その後、パイプ7aからアセチレンを100cm3/分の流量で供給し、パイプ7bからアルゴンを20cm3/分の流量で供給すると共に、赤外線イメージ炉4により合成部8を加熱する。その際、パイプ7cから排気ガスを排気する。これにより、Ni基板1にCNT生成領域とCNT非生成領域が形成される。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、カーボンナノチューブの製造方法に関し、特に、化学気相成長法を使用したカーボンナノチューブの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
カーボンナノチューブ(Carbon Nano Tube:以下、CNTという)は、グラフェンシート(炭素原子が蜂の巣状の規則正しい六員環ネットワークを平面状に形成しているもの)を丸めた直径がナノメートルオーダーの極めて微小な円筒状物質である。CNTには、1層のグラフェンシートで構成された単層CNT(Single−Walled Carbon Nano Tube:SWCNT)と、複数層のグラフェンシートが同心筒状に配列している多層CNT(Multi−Walled Carbon Nano Tube:MWCNT)の2種類がある。このCNTは、従来の物質にない幾何学的及び物理的な特性を有していることから、ナノテクノロジー分野を代表する新素材として、複合材料、電子材料、医療又はエネルギー等の分野でその応用が検討されている。
【0003】
その製造方法としては、アーク放電法及び化学気相成長(Chemical Vapor Deposition:以下、CVDという)法等が知られている(例えば、特許文献1及び2参照。)。前記CVD法においては、Si等の基板上にNi、Fe及びCo等の触媒金属の薄膜を形成したり又は触媒金属の微粒子を担持させ、この触媒金属に炭化水素系のガスを接触させることにより、前記基板上にCNTを合成することができる。
【0004】
【特許文献1】
特開2002−180251号公報 (第2−3頁)
【特許文献2】
特開2002−180252号公報 (第2−3頁)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のCVD法によるCNTの製造方法には、以下に示す問題点がある。前述の方法により基板上にCNTを合成すると、CNTは基板全面に生成する。このため、例えば、回路等のように、同一基板上にCNTが生成している領域と生成していない領域とを形成したい場合は、非触媒金属等を基板上にパターニングしなければならず、非触媒金属薄膜の形成工程が必要になるという問題点がある。また、基板の総面積に占めるCNTの生成領域の割合を調整したい場合においても、非触媒金属等を基板上にパターニングしなければならず、非触媒金属薄膜の形成工程が必要になる。
【0006】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、非触媒金属等を基板上にパターニングせずに、同一基板上にカーボンナノチューブ生成領域と非生成領域とを形成でき、基板の総面積に占めるカーボンナノチューブの生成領域の割合を調整することができるカーボンナノチューブの製造方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るカーボンナノチューブの製造方法は、化学気相成長法によるカーボンナノチューブの製造方法において、反応管内にNi基板を配置し、加熱条件下でNi基板に炭化水素ガスを接触させることにより前記炭化水素ガスを分解して、前記Ni基板上にカーボンナノチューブを生成させる工程を有し、前記Ni基板の平均結晶粒径を変えることにより、前記Ni基板上にカーボンナノチューブが生成する領域を調節することを特徴とする。
【0008】
本発明者等は、上述の問題点を解決するために鋭意実験研究を行った結果、純Niバルク上にCNTを合成すると、Niの結晶粒界に沿ってCNTが生成するということを見出した。そこで、本発明においては、熱CVD法によるCNTの合成において、CNTを合成するための触媒金属であるNiを基板として使用し、このNi基板の結晶粒径を変えることにより、Ni基板上に占めるCNTが生成している領域の割合を調節する。これにより、非触媒金属を基板上にパターニングする工程が不要になる。
【0009】
前記カーボンナノチューブを生成させる工程後における前記Ni基板の平均結晶粒径は、60μm以下にすることが好ましく、より好ましくは、10μm以下である。これにより、Ni基板上に効率的にカーボンナノチューブを生成することができ、非触媒金属等を基板上にパターニングする工程を行わずに、同一基板上にCNT生成領域と非生成領域とを形成することができる。
【0010】
また、前記炭化水素ガスには、例えば、アセチレンを使用することができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態に係るカーボンナノチューブの製造方法について、添付の図面を参照して具体的に説明する。本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法においては、加熱条件下で原料ガスを触媒金属に接触させる熱CVD法によりCNTを合成する。図1は本実施形態におけるカーボンナノチューブを製造する装置を示す模式図である。図1に示すように、本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法で使用する熱CVD装置は、横型に設置された反応管2の両端が栓6により閉塞されており、一方の栓6には、反応ガスを供給するパイプ7aと、キャリアガスを供給するパイプ7bとが挿入されている。また、他方の栓6には排気ガスを排気するパイプ7bが挿入されている。更に、反応管2を取り囲むようにして赤外線イメージ炉4が設けられており、この赤外線イメージ炉4により、反応管2内の合成部8が加熱される。
【0012】
次に、上述の如く構成された製造装置を使用して、カーボンナノチューブを製造する方法を説明する。先ず、図1に示すように、反応管2内の合成部8に、CNT生成の触媒金属である純NiバルクからなるNi基板1を設置する。このNi基板1の大きさは、例えば、縦10mm、横20mm、厚さ1mmである。CNT合成の触媒金属であるNiを基板にすることにより、基板上に触媒金属を設ける工程が不要になる。なお、Ni基板1は、ダイヤモンド等により研磨を行いその表面粗さを1μm以下にして、その後アセトン中で超音波洗浄を行う等の前処理を行ってもよい。
【0013】
次に、パイプ7aから反応ガスを供給し、パイプ7bからキャリアガスを供給すると共に、赤外線イメージ炉4により合成部8を反応ガスの分解温度、例えば、700℃程度に加熱する。その際、排気ガスはパイプ7cから排気される。本実施形態における反応ガスとしては、例えば、アセチレン等の炭化水素ガスが使用され、その流量は、例えば100cm3/分である。また、キャリアガスとしては、例えば、アルゴン等の不活性ガスを使用することができ、その流量は、例えば、20cm3/分である。これにより、反応ガスが触媒金属であるNiと接触して分解され、Ni基板1上にCNTが生成する。例えば、合成時間が10分である場合、直径が50nm程度のCNTが、Niの結晶粒界に沿って幅約1μmの範囲で生成する。このように、基板に純Niバルクを使用すると、基板全面にカーボンナノチューブが生成せずに、Niの結晶粒界に沿って生成するため、Ni基板上には、カーボンナノチューブが生成する領域と、カーボンナノチューブが生成されない領域が形成される。なお、CNTの生成の有無及び大きさ等は、TEM(Transmission Electron Microscope:透過型電子顕微鏡)観察により確認することができる。
【0014】
本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法においては、Ni基板1におけるNi平均結晶粒径がCNT合成後に60μm以下になるようにする。Ni基板1におけるCNT合成前後の平均結晶粒径と基板に占めるCNT生成領域の割合との関係を表1に示す。表1に示す値は、FE−SEM(Field Emission − Scanning Electron Microscope:電界放射型走査電子顕微鏡)により、Ni基板1の組織及びCNT生成の分布状態を観察し、その結果から求めている。なお、Ni基板の平均結晶粒径の測定には、JIS H 0501の伸銅品結晶粒度試験方法に記載されている切断法を適用している。また、CNTの生成領域は、Ni基板1の粒界に沿って幅1μmの領域に成長するとして計算している。
【0015】
【表1】
【0016】
表1に示すように、基板面積に占めるCNT生成領域の割合は、Ni基板1の平均結晶粒径が大きくなるに従い減少する。よって、Ni基板1の平均粒径を変化させることにより、基板面積に占めるCNT生成領域の割合を調節することができる。例えば、合成後の平均結晶が60μm以下の場合は、CTN生成割合が0.5%以上であるが、合成後の平均結晶粒径が75μmであるNi基板1を使用してCNT合成を行うと、CNTはほとんど生成せず、基板面積に占めるCNTの生成領域は0.1%程度に低減する。従って、本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法においては、Ni基板1の平均結晶粒径をCNT合成後に60μm以下になるようにする。更に、合成後における基板1の平均結晶粒径が10μm以下になるようにすると、CNTの生成領域の割合が25%を超えるため、より生産性を向上させることができる。
【0017】
本実施形態におけるNi基板の平均結晶粒径は、各種熱処理等により調節することができる。例えば、Niの再結晶温度である700℃以上で熱処理を行った場合、処理時間の増加に伴いNi基板の平均結晶粒径は増加する。また、CNT合成後のNi基板1の平均結晶粒径は、合成前よりもわずかに粗大化する。図2は横軸に時間をとり、縦軸に基板温度をとって、700℃で10分間合成を行った場合のNi基板1の温度変化を示すグラフ図である。なお、図2に示す基板温度は、Ni基板1に取り付けた熱電対3により測定した値である。CNT合成工程において、Ni基板1は図2に示すような熱履歴を受け、これによりNi基板1の平均結晶粒径は粗大化する。このため、本実施形態においては、Ni基板1の平均結晶粒径を合成後の値で規定しており、合成に使用するNi基板は、合成工程により平均結晶粒径が変化することを考慮して選択することが好ましい。
【0018】
なお、基板にCNT生成の触媒金属ではないCuを使用し、本実施形態と同様の方法及び条件でCNTの合成を行うと、Cu基板の結晶粒の大きさに関わらず、CNTは生成しない。また、CNT生成の触媒金属であるFeを基板にして、前述の実施形態と同様の方法及び条件でCNTの合成を行うと、Fe基板の結晶粒の大きさに関わらず、基板全面にCNTが生成する。よって、Fe基板では、結晶粒によりCNTの生成領域を制御することはできない。
【0019】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、カーボンナノチューブ生成の触媒金属であるNiを基板として使用し、そのNi基板の結晶粒径を変えることにより、前記Ni基板上にカーボンナノチューブが生成される領域を調節することができるため、非触媒金属等を基板上にパターニングせずに、同一基板上にカーボンナノチューブ生成領域及び非生成領域を形成することができ、また、基板の総面積に占めるカーボンナノチューブ生成領域の割合を調整することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態のカーボンナノチューブの製造方法において使用する熱CVD装置を示す模式図である。
【図2】横軸に時間をとり、縦軸に基板温度をとって、700℃で10分間CNT合成を行った場合のNi基板の温度変化を示すグラフ図である。。
【符号の説明】
1;Ni基板
2;反応管
3;熱電対
4;赤外線イメージ炉
5;温度コントローラー
6;栓
7;パイプ
8;合成部
【発明の属する技術分野】
本発明は、カーボンナノチューブの製造方法に関し、特に、化学気相成長法を使用したカーボンナノチューブの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
カーボンナノチューブ(Carbon Nano Tube:以下、CNTという)は、グラフェンシート(炭素原子が蜂の巣状の規則正しい六員環ネットワークを平面状に形成しているもの)を丸めた直径がナノメートルオーダーの極めて微小な円筒状物質である。CNTには、1層のグラフェンシートで構成された単層CNT(Single−Walled Carbon Nano Tube:SWCNT)と、複数層のグラフェンシートが同心筒状に配列している多層CNT(Multi−Walled Carbon Nano Tube:MWCNT)の2種類がある。このCNTは、従来の物質にない幾何学的及び物理的な特性を有していることから、ナノテクノロジー分野を代表する新素材として、複合材料、電子材料、医療又はエネルギー等の分野でその応用が検討されている。
【0003】
その製造方法としては、アーク放電法及び化学気相成長(Chemical Vapor Deposition:以下、CVDという)法等が知られている(例えば、特許文献1及び2参照。)。前記CVD法においては、Si等の基板上にNi、Fe及びCo等の触媒金属の薄膜を形成したり又は触媒金属の微粒子を担持させ、この触媒金属に炭化水素系のガスを接触させることにより、前記基板上にCNTを合成することができる。
【0004】
【特許文献1】
特開2002−180251号公報 (第2−3頁)
【特許文献2】
特開2002−180252号公報 (第2−3頁)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のCVD法によるCNTの製造方法には、以下に示す問題点がある。前述の方法により基板上にCNTを合成すると、CNTは基板全面に生成する。このため、例えば、回路等のように、同一基板上にCNTが生成している領域と生成していない領域とを形成したい場合は、非触媒金属等を基板上にパターニングしなければならず、非触媒金属薄膜の形成工程が必要になるという問題点がある。また、基板の総面積に占めるCNTの生成領域の割合を調整したい場合においても、非触媒金属等を基板上にパターニングしなければならず、非触媒金属薄膜の形成工程が必要になる。
【0006】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、非触媒金属等を基板上にパターニングせずに、同一基板上にカーボンナノチューブ生成領域と非生成領域とを形成でき、基板の総面積に占めるカーボンナノチューブの生成領域の割合を調整することができるカーボンナノチューブの製造方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るカーボンナノチューブの製造方法は、化学気相成長法によるカーボンナノチューブの製造方法において、反応管内にNi基板を配置し、加熱条件下でNi基板に炭化水素ガスを接触させることにより前記炭化水素ガスを分解して、前記Ni基板上にカーボンナノチューブを生成させる工程を有し、前記Ni基板の平均結晶粒径を変えることにより、前記Ni基板上にカーボンナノチューブが生成する領域を調節することを特徴とする。
【0008】
本発明者等は、上述の問題点を解決するために鋭意実験研究を行った結果、純Niバルク上にCNTを合成すると、Niの結晶粒界に沿ってCNTが生成するということを見出した。そこで、本発明においては、熱CVD法によるCNTの合成において、CNTを合成するための触媒金属であるNiを基板として使用し、このNi基板の結晶粒径を変えることにより、Ni基板上に占めるCNTが生成している領域の割合を調節する。これにより、非触媒金属を基板上にパターニングする工程が不要になる。
【0009】
前記カーボンナノチューブを生成させる工程後における前記Ni基板の平均結晶粒径は、60μm以下にすることが好ましく、より好ましくは、10μm以下である。これにより、Ni基板上に効率的にカーボンナノチューブを生成することができ、非触媒金属等を基板上にパターニングする工程を行わずに、同一基板上にCNT生成領域と非生成領域とを形成することができる。
【0010】
また、前記炭化水素ガスには、例えば、アセチレンを使用することができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態に係るカーボンナノチューブの製造方法について、添付の図面を参照して具体的に説明する。本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法においては、加熱条件下で原料ガスを触媒金属に接触させる熱CVD法によりCNTを合成する。図1は本実施形態におけるカーボンナノチューブを製造する装置を示す模式図である。図1に示すように、本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法で使用する熱CVD装置は、横型に設置された反応管2の両端が栓6により閉塞されており、一方の栓6には、反応ガスを供給するパイプ7aと、キャリアガスを供給するパイプ7bとが挿入されている。また、他方の栓6には排気ガスを排気するパイプ7bが挿入されている。更に、反応管2を取り囲むようにして赤外線イメージ炉4が設けられており、この赤外線イメージ炉4により、反応管2内の合成部8が加熱される。
【0012】
次に、上述の如く構成された製造装置を使用して、カーボンナノチューブを製造する方法を説明する。先ず、図1に示すように、反応管2内の合成部8に、CNT生成の触媒金属である純NiバルクからなるNi基板1を設置する。このNi基板1の大きさは、例えば、縦10mm、横20mm、厚さ1mmである。CNT合成の触媒金属であるNiを基板にすることにより、基板上に触媒金属を設ける工程が不要になる。なお、Ni基板1は、ダイヤモンド等により研磨を行いその表面粗さを1μm以下にして、その後アセトン中で超音波洗浄を行う等の前処理を行ってもよい。
【0013】
次に、パイプ7aから反応ガスを供給し、パイプ7bからキャリアガスを供給すると共に、赤外線イメージ炉4により合成部8を反応ガスの分解温度、例えば、700℃程度に加熱する。その際、排気ガスはパイプ7cから排気される。本実施形態における反応ガスとしては、例えば、アセチレン等の炭化水素ガスが使用され、その流量は、例えば100cm3/分である。また、キャリアガスとしては、例えば、アルゴン等の不活性ガスを使用することができ、その流量は、例えば、20cm3/分である。これにより、反応ガスが触媒金属であるNiと接触して分解され、Ni基板1上にCNTが生成する。例えば、合成時間が10分である場合、直径が50nm程度のCNTが、Niの結晶粒界に沿って幅約1μmの範囲で生成する。このように、基板に純Niバルクを使用すると、基板全面にカーボンナノチューブが生成せずに、Niの結晶粒界に沿って生成するため、Ni基板上には、カーボンナノチューブが生成する領域と、カーボンナノチューブが生成されない領域が形成される。なお、CNTの生成の有無及び大きさ等は、TEM(Transmission Electron Microscope:透過型電子顕微鏡)観察により確認することができる。
【0014】
本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法においては、Ni基板1におけるNi平均結晶粒径がCNT合成後に60μm以下になるようにする。Ni基板1におけるCNT合成前後の平均結晶粒径と基板に占めるCNT生成領域の割合との関係を表1に示す。表1に示す値は、FE−SEM(Field Emission − Scanning Electron Microscope:電界放射型走査電子顕微鏡)により、Ni基板1の組織及びCNT生成の分布状態を観察し、その結果から求めている。なお、Ni基板の平均結晶粒径の測定には、JIS H 0501の伸銅品結晶粒度試験方法に記載されている切断法を適用している。また、CNTの生成領域は、Ni基板1の粒界に沿って幅1μmの領域に成長するとして計算している。
【0015】
【表1】
【0016】
表1に示すように、基板面積に占めるCNT生成領域の割合は、Ni基板1の平均結晶粒径が大きくなるに従い減少する。よって、Ni基板1の平均粒径を変化させることにより、基板面積に占めるCNT生成領域の割合を調節することができる。例えば、合成後の平均結晶が60μm以下の場合は、CTN生成割合が0.5%以上であるが、合成後の平均結晶粒径が75μmであるNi基板1を使用してCNT合成を行うと、CNTはほとんど生成せず、基板面積に占めるCNTの生成領域は0.1%程度に低減する。従って、本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法においては、Ni基板1の平均結晶粒径をCNT合成後に60μm以下になるようにする。更に、合成後における基板1の平均結晶粒径が10μm以下になるようにすると、CNTの生成領域の割合が25%を超えるため、より生産性を向上させることができる。
【0017】
本実施形態におけるNi基板の平均結晶粒径は、各種熱処理等により調節することができる。例えば、Niの再結晶温度である700℃以上で熱処理を行った場合、処理時間の増加に伴いNi基板の平均結晶粒径は増加する。また、CNT合成後のNi基板1の平均結晶粒径は、合成前よりもわずかに粗大化する。図2は横軸に時間をとり、縦軸に基板温度をとって、700℃で10分間合成を行った場合のNi基板1の温度変化を示すグラフ図である。なお、図2に示す基板温度は、Ni基板1に取り付けた熱電対3により測定した値である。CNT合成工程において、Ni基板1は図2に示すような熱履歴を受け、これによりNi基板1の平均結晶粒径は粗大化する。このため、本実施形態においては、Ni基板1の平均結晶粒径を合成後の値で規定しており、合成に使用するNi基板は、合成工程により平均結晶粒径が変化することを考慮して選択することが好ましい。
【0018】
なお、基板にCNT生成の触媒金属ではないCuを使用し、本実施形態と同様の方法及び条件でCNTの合成を行うと、Cu基板の結晶粒の大きさに関わらず、CNTは生成しない。また、CNT生成の触媒金属であるFeを基板にして、前述の実施形態と同様の方法及び条件でCNTの合成を行うと、Fe基板の結晶粒の大きさに関わらず、基板全面にCNTが生成する。よって、Fe基板では、結晶粒によりCNTの生成領域を制御することはできない。
【0019】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、カーボンナノチューブ生成の触媒金属であるNiを基板として使用し、そのNi基板の結晶粒径を変えることにより、前記Ni基板上にカーボンナノチューブが生成される領域を調節することができるため、非触媒金属等を基板上にパターニングせずに、同一基板上にカーボンナノチューブ生成領域及び非生成領域を形成することができ、また、基板の総面積に占めるカーボンナノチューブ生成領域の割合を調整することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態のカーボンナノチューブの製造方法において使用する熱CVD装置を示す模式図である。
【図2】横軸に時間をとり、縦軸に基板温度をとって、700℃で10分間CNT合成を行った場合のNi基板の温度変化を示すグラフ図である。。
【符号の説明】
1;Ni基板
2;反応管
3;熱電対
4;赤外線イメージ炉
5;温度コントローラー
6;栓
7;パイプ
8;合成部
Claims (4)
- 化学気相成長法によるカーボンナノチューブの製造方法において、反応管内にNi基板を配置し、加熱条件下でNi基板に炭化水素ガスを接触させることにより前記炭化水素ガスを分解して、前記Ni基板上にカーボンナノチューブを生成させる工程を有し、前記Ni基板の平均結晶粒径を変えることにより、前記Ni基板上にカーボンナノチューブが生成する領域を調節することを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。
- 前記カーボンナノチューブを生成させる工程後における前記Ni基板の平均結晶粒径を60μm以下にすることを特徴とする請求項1に記載のカーボンナノチューブの製造方法。
- 前記Ni基板の平均結晶粒径を10μm以下にすることを特徴とする請求項2に記載のカーボンナノチューブの製造方法。
- 前記炭化水素ガスとして、アセチレンを使用することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のカーボンナノチューブの製造方法。
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JP (1) | JP2005001936A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007055821A (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-08 | Ulvac Japan Ltd | グラファイトナノファイバの製造方法 |
WO2007074506A1 (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Fujitsu Limited | カーボンナノチューブの成長方法及び成長システム |
JP2009256204A (ja) * | 2008-04-18 | 2009-11-05 | Qinghua Univ | カーボンナノチューブの製造方法 |
WO2009135344A1 (zh) * | 2008-05-07 | 2009-11-12 | 中南大学 | 化学气相沉积合成无金属催化剂自组生长碳纳米管的方法 |
-
2003
- 2003-06-11 JP JP2003166870A patent/JP2005001936A/ja active Pending
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