JP2004079158A - 温度感知器及び偏移温度検出方法 - Google Patents
温度感知器及び偏移温度検出方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004079158A JP2004079158A JP2003203231A JP2003203231A JP2004079158A JP 2004079158 A JP2004079158 A JP 2004079158A JP 2003203231 A JP2003203231 A JP 2003203231A JP 2003203231 A JP2003203231 A JP 2003203231A JP 2004079158 A JP2004079158 A JP 2004079158A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- short
- temperature sensor
- resistance
- test
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
- G01K7/015—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions using microstructures, e.g. made of silicon
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K3/00—Thermometers giving results other than momentary value of temperature
- G01K3/005—Circuits arrangements for indicating a predetermined temperature
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Dram (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
【解決手段】温度の増加に応じて電流が減少する減少抵抗端を有する温度感知器において、前記減少抵抗端と接地端間に直列に連結された複数の2進加重抵抗を有する加重抵抗ストリング部と、前記温度感知器の偏移温度を検出するために印加されるテスト入力信号に応じて前記2進加重抵抗をそれぞれ選択的に短絡させるための短絡スイッチング部と、を含む。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術の分野】
本発明は、温度感知器に係るもので、特に高速テストに適合した偏移温度検出回路を有する温度感知器及び偏移温度検出方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
CPU、メモリ、及びゲートアレイなどのように集積回路チップで具現される多様な半導体装置は、携帯用パーソナルコンピューター、PDA、サーバー、又はワークステーションのような多様な電気製品に組み込まれうる。このような電気製品が電源節約のためのスリープモードにある場合、たいていの回路構成要素はターンオフ状態となる。
【0003】
しかし、揮発性メモリに属するDRAMは、メモリセルに格納されたデータを継続して保存するために、それ自体でメモリセルのデータをリフレッシュすべきである。このような自己リフレッシュ動作の必要のために、DRAMは自己リフレッシュ電力を消耗する。より低電力を要するバッテリ駆動システム(battery operatedsystem)において電力消耗を減らすことは非常に重要で且つクリティカル(critical)である。
【0004】
自己リフレッシュに必要な電力消耗を減らす試みの一つは、リフレッシュ周期を温度に従い変化させるものである。DRAMでのデータ保有タイムは温度が低くなるほど長くなる。従って、温度領域を複数個の領域に分割しておき、低い温度領域ではリフレッシュクロックの周波数を相対的に低くすると、電力の消耗を減らすことになるが、DRAMの内部温度を知るためには低電力消耗の内装型温度感知器が必要とされる。
【0005】
通常のバンドギャップ基準(band−gap reference)回路を用いた従来の温度感知器の回路構成が図9に図示される。即ち、図9に示すように、温度感知器100は電流ミラー型からなる差動増幅器DAと、温度の増加に従い電流が減少する減少抵抗端R1と、温度の増加に従い電流が増加する増加抵抗端Rと、テスト温度Orefと感知温度OT1とを比較した結果を比較出力信号OUTとして出力する比較器OP1と、を含む。ここで、差動増幅器DAのブランチAとブランチBにそれぞれ接続される接合ダイオードD2,D1は互いに同一で、p型MOSトランジスタMP1,MP2,MP3のサイズ比率は1:1:1で、n型MOSトランジスタMN1,MN2,MN3のサイズ比率も1:1:1である。ここで、サイズはチャンネル長さLにゲート幅Wを掛けた値である。
【0006】
以下、図9の温度感知器の動作を説明する。差動増幅器DA内のp型MOSトランジスタMP1,MP2とn型MOSトランジスタMN1,MN2の電流ミラー動作により、IO:Ir=1:1の電流が流れ、ブランチAとブランチBに現れる電圧は互いに同一なレベルとなる。
【0007】
通常の接合ダイオードにおいてターンオン区間での電流式は、
I=Is{e(VD/VT)−1}≒Is×e(VD/VT)
となる。ここで、Isは逆方向飽和電流で、VDはダイオード電圧で、VTはkT/qとしてサーマル電圧である。
【0008】
ブランチAとブランチBに現れる電圧は互いに同一であるため、
VA=VB=VD1=VD2+Ir×R、
IO=Is×e(VD1/VT)⇒VD1=VT×ln(IO/Is)
となる。又、
Ir=Is×e(VD2/VT)⇒VD2=VT×ln(Ir/Is)=VT×ln(M×IO/Is)
であるため、
VT×ln(IO/Is)=VT×ln(M×IO/Is)+Ir×R
となる。
【0009】
従って、Ir=VT×ln(M)/Rであるため、ブランチAには温度に比例する電流が流れることになる。又、I1とIOに同様な領域の電流が流れると、ブランチCの電圧VCはVBの値とほとんど同じであり、VB=VD1=VT×ln(IO/Is)として現れる。
【0010】
普通、VTに比べて逆方向飽和電流Isは温度増加に従ってより大きく増加するため、ダイオード電圧は温度に従い減少する特性を有する。即ち、VCが温度増加に従い減少するため、I1は温度に従い減少する。
【0011】
そこで、抵抗R1の値をチューニングすると、図10に示されるような特定温度T1でIrとI1の値をクロスさせることができる。つまり、図9の温度感知器100は、特定温度T1でトリップポイント(trip point)を有するように設計された温度感知器として機能する。
【0012】
図9の温度感知器は製造工程変化に非常に敏感な特性を有するので、変化したトリップポイントを設計された温度ポイントに合わせる温度チューニング作業がウェハレベルで個別チップ毎に行われるべきである。温度チューニング作業において温度トリミングを行うためには製造工程変化によりシフトされたシフティング温度を検出する作業が先行されるべきである。
【0013】
即ち、温度トリミングを行うためには、製造された温度感知器が設計された目標温度からどのくらい偏移されているかを知るべきである。しかし、プロセスチャンバ内にウェハを投入し、プロセスチャンバの内部温度(テスト温度)を継続して変化させながら比較器OP1の比較出力信号OUTをモニターリングして、温度感知器の偏移温度を検出する作業は、多くのテスト時間を要求する。プロセスチャンバの温度を変化させる作業は比較的長い時間を要求するため、温度チューニング作業の時間ロスを招来し、温度調節誤差に基因して検出された偏移温度に対する信頼性が充分に保証されにくい。
【0014】
又、偏移温度を検出した後に抵抗素子を用いてトリミング作業を行った場合でも検出された偏移温度の信頼性不足とトリミング作業の正確性の欠如に基因して、設計された目標温度にトリップポイントを正確に有する温度感知器を得ることが難しいという問題点があった。したがって、精密なトリミングが要求される場合、偏移温度検出作業が再度追加で必要とされて、トリミング作業が追加で求められる。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明の第1の目的は、従来の問題点及び短所を解決することができる内装型温度感知器及び偏移温度検出方法を提供することにある。
【0016】
本発明の第2の目的は、プロセスチャンバの温度を変化させずに目標温度から偏移された偏移温度を検出することができる偏移温度検出回路を有する温度感知器及び偏移温度検出方法を提供することにある。
【0017】
本発明の第3の目的は、温度チューニングに掛かる作業時間を短縮することができる内装型温度感知器及び偏移温度検出方法を提供することにある。
【0018】
本発明の第4の目的は、偏移温度検出の信頼性を増加させ、トリミング作業誤差を減少又は最小化することができる温度感知器及び偏移温度検出方法を提供することにある。
【0019】
本発明の第5の目的は、電力節減のために半導体メモリ装置のチップ内に採用可能なバンドギャップ基準回路型の温度感知器及び温度感知器の偏移温度検出とトリミングを提供することにある。
【0020】
本発明の第6の目的は、少なくとも一つの固定されたテスト温度での偏移温度を迅速に検出することができる偏移温度検出回路を提供することにある。
【0021】
本発明の第7の目的は、ウェハレベル温度テストで温度チューニング作業に掛かる時間を短縮して半導体製品の生産性を向上させることができる方法を提供することにある。
【0022】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するため本発明による偏移温度検出回路は、温度の増加に従い電流が減少する減少抵抗端を有する温度感知器は、前記減少抵抗端と接地端との間に直列に連結された複数の2進加重抵抗を有する加重抵抗ストリング部と、前記温度感知器の偏移温度を検出するために印加されるテスト入力信号に応じて前記2進加重抵抗をそれぞれ選択的に短絡させる短絡スイッチング部と、を含むことを特徴とする。
【0023】
又、本発明は、温度の増加に従い電流が減少する減少抵抗端と、テスト温度と感知温度とを比較した結果を比較出力信号として出力する比較器とを有する温度感知器における偏移温度検出方法に係り、該方法は、前記減少抵抗端と接地端間に直列に連結された複数の2進加重抵抗を有する加重抵抗ストリング部と、テスト入力信号に応じて前記2進加重抵抗をそれぞれ選択的に短絡させる短絡スイッチング部と、を含む偏移温度検出回路を準備する段階と、前記温度感知器を前記テスト温度に固定する段階と、前記感知温度を上昇させるために前記比較器の出力が二つの論理状態に振動するまで前記テスト入力信号の論理状態を2進逐次近似法に変更させる温度サーチ段階と、最終的に変更された前記テスト入力信号をサーチコード値として保存する段階と、前記テスト温度から前記保存されたサーチコード値を減算して前記偏移温度を求める段階と、を備えることを特徴とする。
【0024】
このような装置的構成によると、プロセスチャンバの温度を変化させずに目標温度で偏移された偏移温度を正確に検出することができるため、温度チューニングに掛かる作業時間が短縮され、偏移温度検出の信頼性が増加される。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて詳しく説明する。ここで、同一又は類似の機能を有する構成要素には、複数の図面において同一又は類似の符号が付されている。
【0026】
図1は、本発明の一実施形態による温度感知器の回路構成図である。図1に示す温度感知器おいて、温度の増加に従い電流が減少する減少抵抗端NO1を有する温度感知器100が図示されている。温度感知器100には、本発明の目的の一部を達成するための偏移温度検出回路が連結される。前記偏移温度検出回路は、減少抵抗端NO1と接地端VSSとの間に直列に連結された複数の2進加重抵抗RU6,RU5−RU1を有する加重抵抗ストリング部150と、温度感知器100の偏移温度を検出ために印加されるテスト入力信号AU5−AU0に応じて2進加重抵抗RU6,RU5−RU1をそれぞれ選択的に短絡させるための短絡スイッチング部160とを含む。ここで、短絡スイッチング部160は、通常状態においてターンオフされたn型MOSトランジスタTR5−TR0から構成される。
【0027】
減少抵抗端NO1の上部に連結された固定抵抗R1aと減少抵抗端NO1の下部に連結された2進加重抵抗RU6,RU5−RU1との合成抵抗値は、図9の抵抗R1の抵抗値と同一に設定される。又、2進加重抵抗RU6−RU1のうち抵抗RU6の抵抗値は抵抗RU1の抵抗値の32倍の大きさを有し、抵抗RU5の抵抗値は抵抗RU1の抵抗値の16倍の大きさを有し、抵抗RU4の抵抗値は抵抗RU1の抵抗値の8倍の大きさを有し、抵抗RU3の抵抗値は抵抗RU1の抵抗値の4倍の大きさを有し、抵抗RU2の抵抗値は抵抗RU1の抵抗値の2倍の大きさを有する。2進加重抵抗RU6−RU1は、半導体製造工程においてポリシリコンなどのような物質をパターニングすることにより形成されうる。
【0028】
トランジスタTR0をターンオンさせることにより2進加重抵抗RU6−RU1のうち単位抵抗RU1が短絡されるようにした場合、抵抗RU1の抵抗値は合成抵抗値に含まれないため、ブランチCを通じて流れる電流I1がそれだけ増加する。ここでは、抵抗RU1が短絡される場合にトリップポイントが1℃分だけ上昇するように設計され、電流I1が増加すると、トリップポイントが図10の上部領域UAに移動することになる。テスト入力信号AU5−AU0はテストモードの際に固定された温度で温度感知器のトリップポイントを変化させるために提供される信号である。
【0029】
同様に、テスト入力信号AU5が論理レベルハイとして印加されると、抵抗RU6が短絡されるため、トリップポイントは32℃分だけ上昇する。又、テスト入力信号AU4がハイであれば、抵抗RU5が短絡されてトリップポイントが16℃分だけ上昇し、テスト入力信号AU3がハイであれば、抵抗RU4が短絡されてトリップポイントが8℃分だけ上昇し、テスト入力信号AU2がハイであれば、抵抗RU3が短絡されてトリップポイントが4℃分だけ上昇し、テスト入力信号AU1がハイであれば、抵抗RU2が短絡されてトリップポイントが2℃分だけ上昇する。
【0030】
従って、2進加重抵抗RU6−RU1の短絡を2進逐次近似法で行うと、1℃未満の誤差をもつ偏移温度を検出することが可能である。
【0031】
以下、図1のような偏移温度検出回路をもつ温度感知器における偏移温度検出動作を図6を参照して説明する。
【0032】
前記温度感知器のテスト温度は一つの固定された温度、ここでは85℃に設定される。この温度はバーンインテストで主に設定される温度である。プロセスチャンバの内部温度を85℃に設定し、温度感知器が製造されたチップを複数個備えたウェハをプロセスチャンバにいれると、前記温度感知器を前記テスト温度に固定する段階が完了する。
【0033】
これからは前記感知温度を上昇させるために比較器OP1の出力が二つの論理状態(ロー又はハイ)に振動するまでテスト入力信号AU5−AU0の論理状態を2進逐次近似法により変更させる温度サーチ段階が始まる。テストモードでないノーマルモードにおいてテスト入力信号AU5−AU0は全て論理レベルローが与えられる。図6では、例えば温度感知器のトリップポイントが45℃を目標として設計され、工程変化により5℃の誤差が存在して50℃に作られたと仮定し、その50℃を85℃の固定温度で探す方法を示す。図6で横軸はサーチステップを示し、縦軸は温度を示す。
【0034】
温度サーチ段階の初期段階として、ノーマル状態の条件と同一にAU5,AU4,AU3,AU2,AU1,AU0=0,0,0,0,0,0として印加すると、トランジスタTR5−TR0は全てターンオフ状態である。従って、2進加重抵抗RU6−RU1は全てが抵抗として機能する。
信号印加状態では、探そうとする温度、即ち偏移温度は50℃で、現在のチャンバの温度は85℃であるため、図1の比較器OP1の非反転端(+)の印加電圧0Refは反転端(−)の印加電圧0T1よりも高くなって、比較出力信号OUTは1、即ち、ハイレベルとなる。ここで、印加電圧0Refはテスト温度、即ち、現在のチャンバ内の温度を電圧レベルを示し、反転端(−)の印加電圧0T1はトリップポイントの感知温度を電圧レベルで示す。
【0035】
上記の状態でAU5の信号レベルだけを変化させて1として印加すると、図6の矢印AR1のように32℃だけ増加して50℃+32℃=82℃になる。この結果はまだ85℃よりも低い温度状態であるため、比較器OP1の出力OUTはそのまま1としてに現れる。
【0036】
AU5を信号レベル1として印加した状態でも出力がハイとして現れたので、出発ポイントをアップデート(AU=1)した状態でAU4をも1として印加する。これにより、図6の矢印AR2のように16℃だけ再度増加するため、82℃+16℃=98℃になり、テスト温度の85℃よりも高くなった温度状態であるため、比較器OP1の出力OUTは0、即ち、ローとして現れる。
【0037】
出力がローに現れると、出発ポイントを再び以前の出発ポイントに返し(AU5=1、AU4=0)、AU3を1として印加する。即ち、AU5,AU4,AU3,AU2,AU1,AU0=1,0,1,0,0,0である。よって、82℃で図6の区間D3内の矢印AR3のように8℃だけ増加するため、82℃+8℃=90℃になり、まだ85℃よりも高い温度状態であるため、比較器OP1の出力OUTはそのままローとして現れる。
【0038】
出力がローとして現れると、出発ポイントを再び以前の出発ポイントに返し(AU5=1,AU4=0,AU3=0)、AU2を1として印加する。即ち、AU5,AU4,AU3,AU2,AU1,AU0=1,0,0,1,0,0である。よって、図6の区間D4内の矢印AR4のように82℃で4℃だけ増加するため、82℃+4℃=86℃になり、85℃よりも1℃だけが高い温度状態であるため、比較器OP1の出力OUTはローとして現れる。
【0039】
出力がローとして現れると、出発ポイントを再び以前の出発ポイントに返し(AU5=1,AU4=0,AU3=0,AU2=0)、AU1を1として印加する。即ち、AU5,AU4,AU3,AU2,AU1,AU0=1,0,0,0,1,0である。よって、図6の区間D5内の矢印AR5のように82℃で2℃だけ増加されるため、82℃+2℃=84℃となり、85℃よりも1℃だけ低い温度状態であるため、比較器OP1の出力OUTはハイとして現れる。
【0040】
出力がハイに現れると、出発ポイントをアップデートした状態(AU5=1,AU4=0,AU3=0,AU2=0,AU1=1)でAU0を1として印加する。即ち、AU5,AU4,AU2,AU1,AU0=1,0,0,0,1,1である。よって、図6の区間D6内の矢印AR6のように84℃で1℃だけ増加するため、84℃+1℃=85℃になる。従って、85℃と同一な温度状態であるため、比較器OP1の出力OUTはロー又はハイとして現れる。つまり、出力はローとハイに振動し、温度サーチ段階が終了する。
【0041】
最終的に変更された前記テスト入力信号をサーチコード値として保存する段階が行われる。これは、AU5,AU4,AU3,AU2,AU1,AU0=1,0,0,0,1,1の2進数値をテスト装備などに具備されたレジスタDiに保存することにより達成される。
【0042】
次いで、前記テスト温度から前記保存されたサーチコード値を減算して前記偏移温度を求める段階が行われる。前記レジスタ保存値として表現されるΣDiはBCDで、1,0,0,0,1,1であるが、これは10進数の35に対応する。従って、85℃でサーチコード値35℃を引くと、50℃が求められる。つまり、テスト条件の温度が85℃で、比較器の出力が振動状態であるときに印加した入力値が35℃であることがわかったので、製造された温度感知器の偏移温度は85℃−35℃=50℃と判定される。従って、工程チャンバの温度を変化させずに、一つの固定温度において、製造された温度感知器の変化したトリップポイントを確認ことができる。
【0043】
上記のテストを通じてテスト運営者は、テスト対象となる温度感知器のトリップポイントが工程変化により設計温度45℃から+5℃の誤差を有する50℃に作られたことがわかり、−5℃だけが下降されるようにするトリミング作業を行うと、前記温度感知器は実際に45℃でトリップポイントを有することになる。
【0044】
一方、図1の回路構成を変更せずにテスト入力信号AU5−AU0を反対論理のテスト入力信号AD5−AD0として印加して、2進加重抵抗RU6−RU1を通常状態において短絡させ、それぞれ選択的に短絡解除させることによっても前記偏移温度は検出されることになる。この場合、2進加重抵抗RU6−RU1は短絡加重抵抗ストリング部を構成し、n型MOSトランジスタTR5−TR0は短絡解除スイッチング部として機能する。上記の場合の詳細な動作は図2の動作説明を通じて一層深く理解されるだろう。
【0045】
図2は、本発明の他の実施形態による温度感知器の回路構成図である。図示したように、図1の構成に加えて、短絡解除スイッチング部170、短絡加重抵抗ストリング部180、温度上昇トリミング部200、及び温度下降トリミング部300がさらに具備されている。図2において、偏移温度検出回路は、減少抵抗端NO1とノードNO2との間に直列に連結された複数の2進加重抵抗RU6,RU5−RU1を有する加重抵抗ストリング部150と、ノードNO2とノードNO3との間に直列に連結された複数の2進加重抵抗RD6,RD5−RD1を有する短絡加重抵抗ストリング部180と、テスト入力信号AU5−AU0に応じて2進加重抵抗RU6,RU5−RU1をそれぞれ選択的に短絡させるための短絡スイッチング部160と、テスト入力信号AD5−AD0に応じて2進加重抵抗RD6,RD5−RD1をそれぞれ選択的に短絡解除させるための短絡解除スイッチング部170と、を含む。ここで、短絡解除スイッチング部170は通常状態においてターンオンされるn型MOSトランジスタTR5a−TR0aから構成される。
【0046】
偏移温度が設計された目標温度よりも低いと判明した場合、温度を上昇させるトリミング作業が達成されるようにする温度上昇トリミング部200は、加重抵抗ストリング部150とは並列に前記減少抵抗端NO1に連結され、ドレイン−ソースチャンネルが直列に連結されたn型MOSトランジスタN5−N0と、第1−6抵抗スイッチングユニット210−215とから構成される。温度トリミングが行われる前には、n型MOSトランジスタN5−N0は常時ターンオフされる。前記第1−6抵抗スイッチングユニット210−215は全てが同一な内部構成を有し、図3のように構成される。
【0047】
図3は、図2の抵抗スイッチングユニットの具体回路図であり、このユニットは、インバーターを構成するp型及びn型MOSトランジスタPM1,NM1と、ラッチL1を構成するインバーターIN1,IN2と、ヒューズFUS1とからなる。トリミング作業の際にヒューズFUS1はカッティングされうるが、トリミング作業の以前にはカッティングされない。ヒューズFUS1がカッティングされない場合、ハイからローに遷移されるパワーアップ信号POWERUPによりp型MOSトランジスタPM1がターンオンされるため、ラッチL1の出力OUはローに固定される。しかし、ヒューズFUS1がカッティングされると、パワーアップ信号POWERUPのハイ区間でn型MOSトランジスタNM1のターンオンによりラッチされたハイ状態がパワーアップ信号のロー区間でも出力OUTとして固定される。つまり、各抵抗スイッチングユニット内のヒューズがカッティングされた場合にのみ、それに対応するn型MOSトランジスタN5−N0が個別的にターンオンされることがわかる。例えば、トランジスタN5がターンオンされる場合には、抵抗RU6が短絡されて感知温度は35℃だけ上昇する。
【0048】
偏移温度が設計された目標温度よりも高く判定された場合、温度を下降させるトリミング作業が達成されるようにする温度下降トリミング部300は、ノードNO3と接地端VSSとの間に直列に連結された2進加重抵抗RD6a,RD5a−RD1aをもつ短絡加重抵抗下降ストリング部310と、ノードNO3に対し短絡加重抵抗下降ストリング部310とは並列に連結された複数のヒューズFU6−FU1を含むヒューズストリング320とから構成される。ヒューズFU6−FU1がカッティングされない場合、短絡加重抵抗下降ストリング部310内の抵抗は短絡され、ヒューズがカッティングされると、それに対応される抵抗が短絡解除されて抵抗として機能する。つまり、ヒューズをカッティングして、それに対応する抵抗を用いると、感知温度は下降する。
例えば、ヒューズFU6がカッティングされる場合、抵抗RD6aは短絡解除されて感知温度は32℃だけ下降する。
【0049】
図4は、図2に印加されるテスト入力信号を発生するための信号発生器の具体的な回路図である。インバーター60−65は、それぞれ印加される入力信号A5−A0の論理を反転する。インバーター60−65の出力は、NANDゲート70−75とNORゲート80−85のそれぞれの一方の入力端子への入力として共通提供される。NANDゲート70−75の他方の入力端子には第1テスト信号PTESTDが共通に印加され、NORゲート80−85の他方の入力端子には第2テスト信号PTESTUがインバーター66を通じて供給印加される。ここで、入力信号A5−A0はアドレス信号とすることができる。従って、第2テスト信号PTESTUがハイとして印加され、入力信号A5−A0が全てハイとして印加されると、テスト入力信号AU5−AU0は全てハイとして出力されることがわかる。
【0050】
以下、図2のような偏移温度検出回路、温度上昇トリミング部200及び温度下降トリミング部300を有する温度感知器における偏移温度検出動作及び温度トリミングを図7及び図8を参照して説明する。
【0051】
まず、図2の説明の前に工程変化による2進加重抵抗の誤差問題を説明する。図6を通じて説明した図1の動作説明は実質的に理想的な場合である。製造工程の工程偏差により図1内の2進加重抵抗RU1が正確に感知温度を1℃だけ上昇させない場合がある。すると、2進加重抵抗RU6も正確に32℃だけ感知温度を上昇させることができなく、2進加重抵抗RU5も正確に16℃だけ感知温度を上昇させることができない。
【0052】
従って、製造工程の工程偏差により10%の温度誤差が発生した場合に図1の回路動作は図7のように行われる。図7に示すように、図6で説明された矢印AR1−AR6に対応して10%ずつ誤差をもつ矢印AR1a−AR6aが現れたことがわかる。即ち、図7に示されるXはチューニング用抵抗の製造工程誤差率を示すもので、X=0.9であれば、10%の抵抗誤差を有することを意味する。Xが1である場合には工程誤差がない理想的な場合を示す。つまり、図7においてX=0.9であれば、理想的な場合に比べ10%の誤差を有し、1,0,0,1,1,1がレジスタ保存値となり、これは10進数39℃である。従って、X=1である場合に比べ4℃の誤差が発生することがわかる。そこで、微細温度チューニングの必要の際に偏移温度と抵抗誤差率Xを一緒に求めるのが重要であることがわかる。以下に説明される図2の回路において偏移温度と共に抵抗誤差率をも一緒に求めるのが図8を参照して説明される。
【0053】
図2を参照しながら、まず、第1テスト温度の85℃に設定してテストを行う場合を説明する。勿論、この場合でも温度感知器のトリップポイントが48℃を目指して設計され、工程変化により5℃のトリップポイント誤差が存在して50℃に定められたと仮定する。初期にノーマル状態の条件と同一にAU5,AU4,AU3,AU2,AU1,AU0=0,0,0,0,0,0として印加し、AD5,AD4,AD3,AD2,AD1,AD0=1,1,1,1,1,1,として印加すると、トランジスタTR5−TR0は全てターンオフ状態であり、トランジスタTR5a−TR0aは全てターンオン状態である。一方、ヒューズのカッティングがまだ行われない状態であるため、温度上昇トリミング部200内のn型MOSトランジスタN5−N0はターンオフ状態である。従って、n型MOSトランジスタN5−N0と並列に連結された2進加重抵抗RU6−RU1は抵抗として機能する。反面、短絡加重抵抗ストリング部180内の2進加重抵抗RD6−RD1と、温度下降トリミング部300内の2進加重抵抗RD6a,RD5a−RD1aは全て短絡されているため、抵抗として機能しない。従って、ノードNO3に接地電圧VSSが実質的に形成される。
【0054】
感知温度を上昇させるために比較器OP1の出力が二つの論理状態(ロー又はハイ)に振動するまでテスト入力信号AU5−AU0の論理状態を2進逐次近似法で変更させる温度サーチ段階が始まる。図8の上部に示される矢印ARU1−AUR6は、偏移温度50X℃を85℃の固定された温度で探す方法を示す。
【0055】
温度サーチ段階の初期段階において、ノーマル状態の条件と同一にAU5,AU4,AU3,AU2,AU1,AU0=0,0,0,0,0,0として印加すると、トランジスタTR5−TR0は全てターンオフ状態である。従って、2進加重抵抗RU6−RU1は全て抵抗として機能する。
信号印加状態では探そうとする温度、即ち、偏移温度は50X℃で、現在のチャンバの温度は85℃であるため、図2の比較器OP1の非反転端(+)の印加電圧0Refは反転端(−)の印加電圧0T1よりも高くなって、比較出力信号OUTは1、即ち、ハイレベルとなる。
【0056】
上記の状態でAU5の信号レベルだけを変化させて1として印加すると、図8の矢印ARU1のように32X℃(ここで、Xは抵抗誤差率)だけ増加されて、50℃+32X℃=82X℃になる。その結果はまだ85℃よりも低い温度状態であるため、比較器OP1の出力OUTはそのまま1に現れる。
【0057】
AU5を信号レベル1として印加した状態でも出力がハイとして現れたので、出発ポイントをアップデート(AU5=1)した状態でAU4も1として印加する。よって、図8の矢印ARU2のように16X℃が再度増加されるため、82X℃+16X℃=98X℃になる。これは、テスト温度の85℃よりも高くなった温度状態であるため、比較器OP1の出力OUTは0、即ち、ローとして現れる。
【0058】
出力がローに現れると、出発ポイントを再度以前の出発ポイントに返し(AU5=1,AU4=0)、AU3を1として印加する。即ち、AU5,AU4,AU3,AU2,AU1,AU0=1,0,1,0,0,0である。よって、82X℃から図8の矢印ARU3のように8X℃だけ増加するため、82X℃+8X℃=90X℃になる。従って、未だ85℃よりも高い温度状態であるため、比較器OP1の出力OUTはそのままローとして現れる。
【0059】
出力がローとして現れると、出発ポイントを再度以前の出発ポイントに返し(AU5=1,AU4=0,AU3=0)、AU2を1として印加する。即ち、AU5,AU4,AU3,AU2,AU1,AU0=1,0,0,1,0,0である。よって、図8の矢印ARU4のように82℃から4℃だけ増加されるため、82X℃+4X℃=86X℃になる。従って、85℃よりも1℃だけ高い温度状態であるため、比較器OP1の出力OUTはローとして現れる。
【0060】
出力がローとして現れると、出発ポイントを再度以前の出発ポイントに返し(AU5=1,AU4=0,AU3=0,AU2=0)、AU1を1として印加する。即ち、AU5,AU4,AU3,AU2,AU1,AU0=1,0,0,0,1,0である。よって、図8の矢印ARU5のように82℃から2X℃だけ増加されるため、82X℃+2X℃=84X℃になる。従って、85℃よりも1℃だけ低い温度状態であるため、比較器OP1の出力OUTはハイとして現れる。
【0061】
出力がハイとして現れると、出発ポイントをアップデートした状態(AU5=1,AU4=0,AU3=0,AU2=0,AU1=1)でAU0を1として印加する。即ち、AU5,AU4,AU3,AU2,AU1,AU0=1,0,0,0,1,1である。よって、図8の矢印ARU6のように84℃から1℃だけ増加されるため、84X℃+1X℃=85X℃になる。従って、Xを考慮しないと、85℃と同一な温度状態になるため、比較器OP1の出力OUTはロー又はハイとして現れる。
つまり、出力はローとハイに振動して、温度サーチ段階は終了する。
【0062】
次いで、最終的に変更されたテスト入力信号をサードコード値として保存する段階が行われ、これはAU5,AU4,AU3,AU2,AU1,AU0=1,0,0,0,1,1の2進数値をテスト装備などに具備されたレジスタDiに保存することにより達成される。
【0063】
次いで、テスト温度より保存されたサーチコード値を減算して偏移温度を求める段階が行われる。前記レジスタ保存値に表現されるΣ(Di)xはBCDとして1,0,0,0,1,1であるが、これは10進数の35に対応する。従って、85℃からサーチコード値35℃を引くと、50℃が求められる。つまり、テスト条件の温度が85℃とのことがわかり、比較器の出力が振動状態であるときに印加した入力値が35℃とのことを探したので、製造された温度感知器の偏移温度はXを考慮しない場合に85℃−35℃=50℃と判定される。
【0064】
よって、図8内の矢印ARU1−ARU6として現れた動作説明は抵抗誤差率Xを考慮しない場合に図6の動作説明と同一であることがわかる。
【0065】
以下、第2テスト温度を−5℃に設定し、テストを行う場合を説明する。85℃のテストに続いて−5℃のテストを行うと、偏移温度と共に抵抗誤差率Xが求められる。
【0066】
以下、感知温度を下降させるために比較器OP1の出力が二つの論理状態(ロー又はハイ)に振動するまでテスト入力信号AD5−AD0の論理状態を2進逐次近似法で変更させる温度サーチ段階が始まる。図8の下部に示される矢印ARD1−ARD6は、偏移温度50X℃を−5℃の固定された温度で探す方法を示す。
【0067】
同様に、温度サーチ段階の初期段階において、ノーマル状態の条件と同一にAD5,AD4,AD3,AD2,AD1,AD0=1,1,1,1,1,1として印加すると、トランジスタTR5a−TR0aは全てターンオン状態である。従って、2進加重抵抗RD6−RD1は全て短絡された状態であるため、抵抗として機能しない。信号印加状態では、探そうとする温度、即ち、偏移温度は50X℃で、現在チャンバ温度は−5℃であるため、図2の比較器OP1の非反転端(+)の印加電圧0Refは反転端(−)の印加電圧0T1よりも低くなって比較出力信号OUTは0、即ち、ローレベルになる。
【0068】
上記の状態でAD5の信号レベルだけを変化させて0として印加すると、図8の矢印ARD1のように32X℃(ここで、Xは抵抗誤差率)だけ減少されて50℃−32X℃=18X℃になる。
【0069】
AD5を信号レベル0として印加した状態でも出力がローとして現れたので、出発ポイントをアップデート(AD5=0)した状態でAD4も0として印加する。従って、図8の矢印ARD2のように16X℃が再度減少されるため、18X℃−16X℃=2X℃になり、結果はまだ−5℃よりも高い温度状態であるため、比較器OP1の出力OUTはそのまま0として現れる。
【0070】
AD4を信号レベル0として印加した状態でもその出力がローとして現れたので、出発ポイントをアップデート(AD5=0,AD4=0)した状態でAD3も0として印加する。従って、図8の矢印ARD3のように8X℃だけ再度減少されるため、2X℃−8X℃=−6X℃となり、−5℃よりも低い温度状態であるため、比較器OP1の出力OUTはハイに現れる。
【0071】
出力がハイに現れると、出発ポイントを再度以前の出発ポイントに返し(AD5=0,AD4=0,AD3=1)、AD2を0として印加する。即ち、AD5,AD4,AD3,AD2,AD1,AD0=0,0,1,1,1,1である。従って、2X℃から図8の矢印ARD4のように4X℃だけ減少されるため、2X℃−4X℃=−2℃となる。従って、まだ−5℃よりも高い温度状態であるため、比較器OP1の出力OUTはそのままローとして現れる。
【0072】
出力がローとして現れると、出発ポイントをアップデート(AD5=0,AD4=0,AD3=1,AD2=0)した状態でAD1も0として印加する。それで、図8の矢印ARD5のように2X℃だけが再度減少されるため、−2X℃−2X℃=−4X℃となり、そのまま−5℃よりも高い温度状態であるため、比較器OP1の出力OUTはローとして現れる。
【0073】
出力がローとして現れると、出発ポイントを再度アップデータ(AD5=0,AD4=0,AD3=1,AD2=0,AD1=0)した状態でAD0も0として印加する。それで、図8の矢印ARD6のように1X℃だけ再度減少されるため−5X℃となり、Xを考慮しないと、−5℃のような状態であるから比較器OP1の出力OUTはハイとローに振動しながら現れる。
【0074】
次いで、最終的に変更されたテスト入力信号をサーチコード値として保存する段階が行われるが、これはAD5,AD4,AD3,AD2,AD1,AD0=0,0,1,0,0,0を反転させてレジスタEiに保存することにより達成される。−5℃のテストにおいては0,0,1,0,0,0を反転した2進数値、即ち、1,1,0,1,1,1がテスト装備などに具備されたレジスタEiに保存されることを留意されたい。
【0075】
次いで、前記テスト温度に前記保存されたサーチコード値を加算して偏移温度を求める段階が行われる。レジスタ保存値として表現されるΣ(Ei)xはBCDとして1,1,0,1,1,1であるが、これは10進数55に相応するため、−5℃にサーチコード値55を加算すると、50℃が求められる。つまり、テスト条件の温度が−5℃とのことが分かり比較器の出力が振動状態であるとき、レジスタに貯蔵された値が55℃とのことを探したので、製造された温度感知器の偏移温度はXを考慮しない場合に−5℃+55℃=50℃として判定される。
【0076】
一つのテストのみを通じては変異温度がわかり、前記二つの場合のテストを行うと、抵抗誤差率Xまでも求められることになる。即ち、抵抗誤差率Xは二つのレジスタに保存された保存値を合算した後に、これを90℃で割ることにより求められる。ここで、90℃は85℃のテストと−5℃のテスト間の温度差、即ち85℃−(−5℃)=90℃となる。これを数式的に表現すると、
X={Σ(Di)+Σ(Ei)}/90
となる。
【0077】
このように、二つの固定された温度でテストを行うと、偏移温度の検出と共に抵抗誤差率Xも求めることができる。抵抗誤差率Xがわかると、トリミング作業で誤差率Xが考慮されるべきである。例えば、10%の誤差率を有すると判定されたとき、10%だけの誤差率を補正する作業がヒューズの追加カッティング又は未カッティングを通じてなされる。
【0078】
図2のテストを通じてテスト運営者は、テスト対象となる図2の温度感知器のトリップポイントが工程変化により設計温度45℃で+5℃の誤差を有するとき、即ち、偏移温度が50℃として判定された場合(X=1と仮定)には温度下降トリミング部300内のヒューズFU1,FU3をレーザービームなどの光線を用いてブローイングすることにより、−5℃だけ下降されるトリミング作業が達成される。もし、設計温度45℃で−5℃の誤差率をもつ場合(即ち、偏移温度が40℃である場合)であれば、温度上昇トリミング部200内の第4及び第6抵抗スイッチングユニット213,215内のヒューズFUS1がそれぞれブローイング(カッティング)される。
【0079】
前記トリミング作業により製造された温度感知器は、ノーマル動作で設計されたトリップポイントで動作する。
【0080】
図5は図2の温度感知器を採用した半導体メモリ装置のリフレッシュ動作関連のブロック図である。図1又は図2に示される温度感知器10がチップ20内に設置されることがわかる。メモリセルアレイ18近くに設置される温度感知器10は、温度感知出力TDをリフレッシュ周期制御信号発生器12に印加する。チップ20が受ける温度に従い変化される温度感知出力TDは、リフレッシュ周期制御信号発生器12のリフレッシュ出力制御信号RCONの状態を変化させる。リフレッシュ出力制御信号RCONに応じてセルフリフレッシュクロックSRCLKを発生するセルフリフレッシュクロック発生器14は、温度の高低に従いセルフリフレッシュクロックSRCLKの周波数を変化させる。セルフリフレッシュクロックSRCLKに応じてメモリセルアレイ18のリフレッシュ動作を制御するリフレッシュ制御回路16は、チップ20内の温度が低い場合には、温度が高い場合に比べリフレッシュ動作周期が長くなるように制御する。
【0081】
従って、温度領域を複数個の領域に分割しておき、低い温度領域ではリフレッシュ動作周期を長くすると、半導体メモリで消耗される電力が節減される。
【0082】
本発明の温度感知器は、半導体メモリ装置だけでなく、他の集積回路にも温度感知動作のために組み込まれることができる。
【0083】
上記の説明では、本発明の実施形態をもって図面を参照して説明したが、本発明の技術的思想の範囲内で本発明を多様に変形または変更できるのは本発明が属する分野の当業者には明白である。例えば、思案の異なった偏移温度検出回路の細部的構成及び偏移温度検出方法、又はトリミング方法を多様に変更できるのは勿論のことである。
【0084】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の偏移温度検出回路をもつ温度感知器及び偏移温度検出方法は、プロセスチャンバの温度を変化させずに目標温度で偏移された偏移温度を正確に検出できるので、温度チューニングにかかる作業時間を短縮し、偏移温度検出の信頼性を増加させるという効果がある。又、トリミング作業誤差を減少又は最小化できるという効果がある。
【0085】
又、温度感知器を電源節約のために半導体集積回路内に採用する場合、ウェハレベルの温度テスト及びトリミングに掛かる時間が低減されて半導体製品の製造費用が低減されるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態による温度感知器の回路構成図である。
【図2】本発明の他の実施形態による温度感知器の回路構成図である。
【図3】図2の抵抗スイッチングユニットの具体的な回路図である。
【図4】図2に印加されるテスト入力信号を発生するための信号発生器の具体的な回路図である。
【図5】図2の温度感知器を採用した半導体メモリ装置のリフレッシュ動作関連ブロック図である。
【図6】、
【図7】、
【図8】
図1又は図2に示した温度感知器の温度偏移温度感知動作を説明するの図である。
【図9】通常のバンドギャップ基準回路を用いた温度感知器の回路構成図である。
【図10】図9の温度感知器の動作に従い抵抗端に現れる温度対電流変化グラフである。
Claims (25)
- 温度の増加に応じて電流が減少する減少抵抗端を有する温度感知器において、
前記減少抵抗端と接地端との間に直列に連結された複数の2進加重抵抗を有する加重抵抗ストリング部と、前記温度感知器の偏移温度を検出するために印加されるテスト入力信号に応じて前記2進加重抵抗をそれぞれ選択的に短絡させるための短絡スイッチング部と、を含む偏移温度検出回路、
を備えることを特徴とする温度感知器。 - 前記2進加重抵抗の短絡は2進逐次近似法により行われることを特徴とする請求項1に記載の温度感知器。
- 前記短絡スイッチング部は、前記2進加重抵抗に対応して前記減少抵抗端と接地端との間にドレイン−ソースチャンネルが直列に連結されたn型MOSトランジスタを含むことを特徴とする請求項1に記載の温度感知器。
- 前記減少抵抗端に前記加重抵抗ストリング部とは並列に連結され、前記偏移温度が目標温度よりも低いと判定された場合に温度を上昇させるトリミング作業が達成されるように前記温度上昇トリミング部をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の温度感知器。
- 前記温度上昇トリミング部は、
前記2進加重抵抗に対応して前記減少抵抗端と接地端との間にドレイン−ソースチャンネルが直列に連結されたn型MOSトランジスタと、
ヒューズカッティングにより前記n型MOSトランジスタのうち対応するトランジスタを独立的にスイッチングさせるための抵抗スイッチングユニットと、
を含むことを特徴とする請求項4に記載の温度感知器。 - 前記加重抵抗ストリング部と接地との間に連結され、前記偏移温度が目標温度よりも高いと判定された場合に温度を下降させるトリミング作業が達成されるように前記温度下降トリミング部をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の温度感知器。
- 前記温度下降トリミング部は、
前記加重抵抗ストリング部と接地との間に直列に連結された2進加重抵抗を含む短絡加重抵抗下降ストリング部と、
前記短絡加重抵抗下降ストリング部とは並列に連結された複数のヒューズを含むヒューズストリングと、
を含むことを特徴とする請求項6に記載の温度感知器。 - 前記2進加重抵抗は加重値の順序に従って連結されていることを特徴とする請求項1に記載の温度感知器。
- n型MOSトランジスタは、通常状態においてターンオフされていることを特徴とする請求項3に記載の温度感知器。
- 温度の増加に応じて電流が減少する減少抵抗端を有する温度感知器において、
前記減少抵抗端と接地端との間に直列に連結され、通常状態において短絡された複数の2進加重抵抗を有する短絡加重抵抗ストリング部と、前記温度感知器の偏移温度を検出するために印加されるテスト入力信号に応じて前記2進加重抵抗をそれぞれ選択的に短絡解除させるための短絡解除スイッチング部と、を含む偏移温度検出回路、
を備えることを特徴とする温度感知器。 - 前記2進加重抵抗の短絡は2進逐次近似法により行われることを特徴とする請求項10に記載の温度感知器。
- 前記短絡解除スイッチング部は、前記2進加重抵抗に対応して前記減少抵抗端と接地端との間にドレインーソースチャンネルが直列に連結されたn型MOSトランジスタを含むことを特徴とする請求項10に記載の温度感知器。
- 前記減少抵抗端に前記短絡加重抵抗ストリング部とは並列に連結され、前記偏移温度が目標温度よりも低いと判定された場合に温度を上昇させるトリミング作業が達成されるように前記温度上昇トリミング部をさらに備えることを特徴とする請求項10に記載の温度感知器。
- 前記温度上層トリミング部は、
前記2進加重抵抗に対応して前記減少抵抗端と接地端との間にドレイン−ソースチャンネルが直列に連結されたn型MOSトランジスタと、
ヒューズカッティングにより前記n型MOSトランジスタのうち対応するトランジスタを独立的にスイッチングさせるための抵抗スイッチングユニットと、
を含むことを特徴とする請求項13に記載の温度感知器。 - 前記短絡加重抵抗ストリング部と接地との間に連結され、前記偏移温度が目標温度よりも高いと判定された場合に温度を下降させるトリミング作業が達成されるように前記温度下降トリミング部をさらに備えることを特徴とする請求項10に記載の温度感知器。
- 前記温度下降トリミング部は、
前記短絡加重抵抗ストリング部と接地端との間に直列に連結された2進加重抵抗を含む短絡加重抵抗下降ストリング部と、
前記短絡加重抵抗下降ストリング部とは並列に連結された複数のヒューズを含むヒューズストリング部と、
を含むことを特徴とする請求項15に記載の温度感知器。 - 前記2進加重抵抗は加重値の順序に従って連結されていることを特徴とする請求項10に記載の温度感知器。
- n型MOSトランジスタは、通常状態においてターンオンされていることを特徴とする請求項12に記載の温度感知器。
- 温度の増加に従い電流が減少する減少抵抗端と、テスト温度と感知温度とを比較した結果を比較出力信号として出力する比較器を有する温度感知器の偏移温度検出方法において、
前記減少抵抗端と接地端との間に直列に連結された複数の2進加重抵抗を有する加重抵抗ストリング部と、テスト入力信号に応じて前記2進加重抵抗をそれぞれ選択的に短絡させるための短絡スイッチング部と、を含む偏移温度検出回路を準備する段階と、
前記温度感知器を前記テスト温度により固定する段階と、
前記感知温度を上昇させるために前記比較器の出力が二つの論理状態に振動するまで前記テスト入力信号の論理状態を2進逐次近似法で変更させる温度サーチ段階と、
最終的に変更された前記テスト入力信号をサーチコード値として保存する段階と、
前記テスト温度から前記保存されたサーチコード値を減算して前記偏移温度を求める段階と、
を備えることを特徴とする温度感知器の偏移温度検出方法。 - 温度の増加に従い電流が減少する減少抵抗端と、テスト温度と感知温度とを比較した結果を比較出力信号として出力する比較器を有する温度感知器の偏移温度検出方法において、
前記減少抵抗端と接地端との間に直列に連結され、通常状態において短絡された複数の2進加重抵抗を有する短絡加重抵抗ストリング部と、印加されるテスト入力信号に応じて前記2進加重抵抗をそれぞれ選択的に短絡解除させるための短絡解除スイッチング部と、を含む偏移温度検出回路を準備する段階と、
前記温度感知器を前記テスト温度で固定する段階と、
前記感知温度を下降させるために前記比較器の出力が二つの論理状態に振動するまで前記テスト入力信号の論理状態を2進逐次近似法で変更させる温度サーチ段階と、
最終的に変更された前記テスト入力信号を反転してサーチコード値として保存する段階と、
前記テスト温度に前記貯蔵されたサーチコード値を加算して前記偏移温度を求める段階と、
を備えることを特徴とする温度感知器の偏移温度検出方法。 - 温度の増加に従い電流が減少する減少抵抗端を有する温度感知器において、
前記減少抵抗端と接地端との間に直列に連結された複数の2進加重抵抗を有する加重抵抗ストリング部と、前記温度感知器の偏移温度を検出するために印加される第1テスト入力信号に応じて前記2進加重抵抗をそれぞれ選択的に短絡させるための短絡スイッチング部と、前記加重抵抗ストリング部と接地端との間に直列に連結され、通常状態において短絡された複数の2進加重抵抗を有する短絡加重抵抗ストリング部と、前記温度感知器の偏移温度を検出するために印加される第2テスト入力信号に応じて前記2進加重抵抗をそれぞれ選択的に短絡解除させるための短絡解除スイッチング部と、を含む偏移温度検出回路と、
前記減少抵抗端に前記加重抵抗ストリング部とは並列に連結され、前記偏移温度が目標温度よりも低いと判定された場合に温度を上昇させるトリミング作業が達成されるようにする前記温度上昇トリミング部と、
前記短絡加重抵抗ストリング部と接地との間に連結され、前記偏移温度が目標温度よりも高いと判定された場合に温度を下降させるトリミング作業が達成されるようにする前記温度下降トリミング部と、
を備えることを特徴とする温度感知器。 - 温度の増加に従い電流が減少する減少抵抗端と、テスト温度と感知温度とを比較した結果を比較出力信号として出力する比較器とを有する温度感知器の偏移温度検出及び抵抗誤差率検出方法において、
前記減少抵抗端と接地端との間に直列に連結された複数の2進加重抵抗を有する加重抵抗ストリング部と、前記温度感知器の偏移温度を検出するために印加される第1テスト入力信号に応じて前記2進加重抵抗をそれぞれ選択的に短絡させるための短絡スイッチング部と、前記加重抵抗ストリングと接地端との間に直列に連結され、通常状態において短絡された複数の2進加重抵抗を有する短絡加重抵抗ストリング部と、前記温度感知器の偏移温度を検出するために印加される短絡加重抵抗ストリング部と、前記温度感知器の偏移温度を検出するために印加される第2テスト入力信号に応じて前記2進加重抵抗をそれぞれ選択的に短絡解除させるための短絡解除スイッチング部と、を含む偏移温度検出回路を準備する段階と、
前記温度感知器を第1テスト温度に固定する段階と、
前記感知温度を上昇させるために前記比較器の出力が二つの論理状態に振動するまで前記テスト入力信号の論理状態を2進逐次近似法で変更させる温度サーチ段階と、
最終的に変更された前記第1テスト入力信号をサーチコード値として保存する段階と、
前記第1テスト温度から前記貯蔵されたサーチコード値を減算して前記偏移温度を求める段階と、
前記温度感知器を前記第1テスト温度とは異なる第2テスト温度により固定する段階と、
前記感知温度を下降させるために前記比較器の出力が二つの論理状態に振動するまで前記第2テスト入力信号の論理状態を2進逐次近似法で変更させる温度サーチ段階と、
最終的に変更された前記第2テスト入力信号を反転してサーチコード値として保存する段階と、
前記第2テスト温度に前記保存されたサーチコード値を加算して前記偏移温度を求める段階と、
前記第1、第2テスト温度でそれぞれ保存された保存値を加算して、これを前記第1テスト温度と第2テスト温度との差で割ることにより抵抗誤差率を求める段階と、
を備えることを特徴とする温度感知器の偏移温度検出及び抵抗誤差率検出方法。 - 温度の増加に従い電流が減少する減少抵抗端と、テスト温度と感知温度とを比較した結果を比較出力信号として出力する比較器を有する温度感知器の温度チューニング方法において、
前記減少抵抗端と接地端との間に直列に連結された複数の2進加重抵抗を有する加重抵抗ストリング部と、前記温度感知器の偏移温度を検出するために印加される第1テスト入力信号に応じて前記2進加重抵抗をそれぞれ選択的に短絡させるための短絡スイッチング部と、前記加重抵抗ストリング部と接地端との間に直列に連結され、通常状態において短絡された複数の2進加重抵抗を有する短絡加重抵抗ストリング部と、前記温度感知器の偏移温度を検出するために印加される第2テスト入力信号に応じて前記2進加重抵抗をそれぞれ選択的に短絡解除させるための短絡解除スイッチング部と、を含む検出回路と、前記減少抵抗端に前記加重抵抗ストリング部とは並列に連結され、前記偏移温度が目標温度よりも低いと判定された場合に温度を上昇させるトリミング作業が達成されるようにする前記温度上昇トリミング部と、前記短絡加重抵抗ストリング部と接地との間に連結され、前記偏移温度が目標温度よりも高いと判定された場合に温度を下降させるトリミング作業が達成されるようにする前記温度下降トリミング部と、を提供する段階と、
前記温度感知器を第1テスト温度に固定する段階と、
前記感知温度を上昇させるために前記比較器の出力が二つの論理状態に振動するまで前記テスト入力信号の論理状態を2進逐次近似法で変更させる温度サーチ段階と、
最終的に変更された前記第1テスト入力信号をサーチコード値として保存する段階と、
前記第1テスト温度から前記保存されたサーチコード値を減算して前記偏移温度を求める段階と、
前記温度感知器を前記第1テスト温度とは異なる第2テスト温度に固定する段階と、
前記感知温度を下降させるために前記比較器の出力が二つの論理状態に振動するまで前記第2テスト入力信号の論理状態を2進逐次近似法で変更させる温度サーチ段階と、
最終的に変更された前記第2テスト入力信号を反転してサーチコード値として保存する段階と、
前記第2テスト温度に前記保存されたサーチコード値を加算して前記偏移温度を求める段階と、
前記第1、第2テスト温度でそれぞれ保存された保存値を加算して、これを前記第1テスト温度と第2テスト温度との差で割ることにより抵抗誤差率を求める段階と、
前記偏移温度が目標温度よりも高いと判定された場合には前記抵抗誤差率に従い前記温度下降トリミング部を用いてトリミングを行い、前記偏移温度が目標温度よりも低いと判定された場合には前記抵抗誤差率に従い前記温度上昇トリミング部を用いてトリミングを行う段階と、
を備えることを特徴とする温度感知器のチューニング方法。 - 前記温度感知器は半導体メモリ装置に適用されることを特徴とする請求項23に記載の温度感知器の温度チューニング方法。
- 前記温度感知器の出力は半導体メモリ装置の自己リフレッシュ動作周期を制御するために用いられることを特徴とする請求項24に記載の温度感知器の温度チューニング方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0046993A KR100475736B1 (ko) | 2002-08-09 | 2002-08-09 | 고속 테스트에 적합한 편이온도 검출회로를 갖는온도감지기 및 편이온도 검출방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004079158A true JP2004079158A (ja) | 2004-03-11 |
Family
ID=31185811
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003203231A Pending JP2004079158A (ja) | 2002-08-09 | 2003-07-29 | 温度感知器及び偏移温度検出方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7106127B2 (ja) |
JP (1) | JP2004079158A (ja) |
KR (1) | KR100475736B1 (ja) |
DE (1) | DE10336294B4 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006004612A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-01-05 | Samsung Electronics Co Ltd | ヒステリシス特性を有する温度感知回路 |
JP2007093607A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体メモリ素子の温度情報出力装置及びその実行方法 |
JP2007327932A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体メモリ素子の温度情報出力装置及びその実行方法 |
US7663470B2 (en) | 2005-05-24 | 2010-02-16 | Freescale Semiconductor, Inc. | Trimming circuit and electronic circuit |
JP2011237410A (ja) * | 2010-05-03 | 2011-11-24 | Sharp Corp | 温度センサアレイ回路用のアレイ素子、該アレイ素子を用いた温度センサアレイ回路、および、該温度センサアレイ回路を含むam−ewod装置 |
Families Citing this family (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100440262B1 (ko) * | 2002-07-18 | 2004-07-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 온도 감지 회로 |
KR100475736B1 (ko) | 2002-08-09 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 고속 테스트에 적합한 편이온도 검출회로를 갖는온도감지기 및 편이온도 검출방법 |
US7118273B1 (en) | 2003-04-10 | 2006-10-10 | Transmeta Corporation | System for on-chip temperature measurement in integrated circuits |
US7180211B2 (en) * | 2003-09-22 | 2007-02-20 | Micro Technology, Inc. | Temperature sensor |
US6934645B2 (en) * | 2003-09-25 | 2005-08-23 | Infineon Technologies Ag | Temperature sensor scheme |
KR100541824B1 (ko) * | 2003-10-06 | 2006-01-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 집적회로에 채용하기 적합한 온도감지 회로 |
JP2005347377A (ja) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Ricoh Co Ltd | 過熱保護回路を備えた半導体集積回路 |
JP4731836B2 (ja) * | 2004-06-08 | 2011-07-27 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 表示装置 |
KR100699826B1 (ko) * | 2004-06-14 | 2007-03-27 | 삼성전자주식회사 | 하나의 브랜치를 이용하여 다수개의 검출 온도 포인트를제공하는 온도 감지기 및 편이 온도 검출 방법 |
US8122187B2 (en) * | 2004-07-02 | 2012-02-21 | Qualcomm Incorporated | Refreshing dynamic volatile memory |
KR100618876B1 (ko) | 2004-11-10 | 2006-09-04 | 삼성전자주식회사 | 히스테리시스 특성을 갖는 시퀀셜 트랙킹 온도 센서 및 그온도 센싱 방법 |
US7127368B2 (en) * | 2004-11-19 | 2006-10-24 | Stmicroelectronics Asia Pacific Pte. Ltd. | On-chip temperature sensor for low voltage operation |
US7206244B2 (en) * | 2004-12-01 | 2007-04-17 | Freescale Semiconductor, Inc. | Temperature based DRAM refresh |
KR100605581B1 (ko) * | 2004-12-28 | 2006-07-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 콘택 저항의 온도 특성을 이용한 디지털 온도 감지기 및그를 사용한 셀프 리프레시 구동장치 |
JP4838518B2 (ja) * | 2005-02-22 | 2011-12-14 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体記憶装置 |
US20060203883A1 (en) * | 2005-03-08 | 2006-09-14 | Intel Corporation | Temperature sensing |
US20060229839A1 (en) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | United Memories, Inc. Colorado Springs | Temperature sensing and monitoring technique for integrated circuit devices |
JP4864338B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2012-02-01 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路 |
KR100674974B1 (ko) * | 2005-05-25 | 2007-01-29 | 삼성전자주식회사 | 감지 온도를 조절할 수 있는 반도체 온도 센서 |
US7809519B2 (en) * | 2005-07-18 | 2010-10-05 | Micron Technology, Inc. | System and method for automatically calibrating a temperature sensor |
KR100736403B1 (ko) * | 2005-08-19 | 2007-07-09 | 삼성전자주식회사 | 온도 검출기, 온도 검출방법, 및 상기 온도 검출기를구비하는 반도체 장치 |
KR100772560B1 (ko) * | 2005-09-29 | 2007-11-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 소자의 온도 정보 출력 장치 및 방법 |
KR100666178B1 (ko) | 2005-11-16 | 2007-01-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 디지털 온도 검출회로 |
US7441949B2 (en) * | 2005-12-16 | 2008-10-28 | Micron Technology, Inc. | System and method for providing temperature data from a memory device having a temperature sensor |
KR100712545B1 (ko) | 2006-01-11 | 2007-05-02 | 삼성전자주식회사 | 구간별 온도에 따라 온도 코드를 발생하는 온도 센서 및구간별 온도 검출 방법 |
US7936203B2 (en) * | 2006-02-08 | 2011-05-03 | Micron Technology, Inc. | Temperature compensation via power supply modification to produce a temperature-independent delay in an integrated circuit |
US7383149B1 (en) * | 2006-04-19 | 2008-06-03 | Darryl Walker | Semiconductor device having variable parameter selection based on temperature and test method |
US7480588B1 (en) * | 2006-04-19 | 2009-01-20 | Darryl Walker | Semiconductor device having variable parameter selection based on temperature and test method |
US9262326B2 (en) * | 2006-08-14 | 2016-02-16 | Qualcomm Incorporated | Method and apparatus to enable the cooperative signaling of a shared bus interrupt in a multi-rank memory subsystem |
KR100851989B1 (ko) | 2006-10-12 | 2008-08-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치의 온도정보 출력회로 및 방법 |
US7821315B2 (en) * | 2007-11-08 | 2010-10-26 | Qualcomm Incorporated | Adjustable duty cycle circuit |
US8615205B2 (en) * | 2007-12-18 | 2013-12-24 | Qualcomm Incorporated | I-Q mismatch calibration and method |
JP4581030B2 (ja) * | 2007-12-20 | 2010-11-17 | パナソニック株式会社 | 電力変換装置および電力変換装置の制御方法 |
US7896545B2 (en) | 2008-03-19 | 2011-03-01 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for temperature calibration and sensing |
US8970272B2 (en) * | 2008-05-15 | 2015-03-03 | Qualcomm Incorporated | High-speed low-power latches |
US8712357B2 (en) * | 2008-11-13 | 2014-04-29 | Qualcomm Incorporated | LO generation with deskewed input oscillator signal |
US8718574B2 (en) * | 2008-11-25 | 2014-05-06 | Qualcomm Incorporated | Duty cycle adjustment for a local oscillator signal |
US8847638B2 (en) * | 2009-07-02 | 2014-09-30 | Qualcomm Incorporated | High speed divide-by-two circuit |
US8791740B2 (en) | 2009-07-16 | 2014-07-29 | Qualcomm Incorporated | Systems and methods for reducing average current consumption in a local oscillator path |
DE102010063062A1 (de) | 2010-12-14 | 2012-06-14 | Endress + Hauser Wetzer Gmbh + Co. Kg | Schutzrohrinnenteil für ein Thermometer mit einem Schutzrohr |
US8854098B2 (en) | 2011-01-21 | 2014-10-07 | Qualcomm Incorporated | System for I-Q phase mismatch detection and correction |
US9154077B2 (en) | 2012-04-12 | 2015-10-06 | Qualcomm Incorporated | Compact high frequency divider |
US9194754B2 (en) | 2014-03-28 | 2015-11-24 | Darryl G. Walker | Power up of semiconductor device having a temperature circuit and method therefor |
US20160054374A1 (en) | 2014-08-20 | 2016-02-25 | Darryl G. Walker | Semiconductor device including temperature ranges having temperature thresholds and method of determining therefor |
US10141058B1 (en) | 2015-02-17 | 2018-11-27 | Darryl G. Walker | Multi-chip non-volatile semiconductor memory package including heater and sensor elements |
KR102504177B1 (ko) * | 2016-08-02 | 2023-03-02 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체장치 |
CN106404208B (zh) * | 2016-09-08 | 2019-11-15 | 四川长虹空调有限公司 | 一种检测电动机绕组温度的方法及包含电动机的设备 |
US10481014B2 (en) * | 2017-06-15 | 2019-11-19 | Micron Technology, Inc. | Adaptive throttling |
CN110737257A (zh) * | 2019-06-12 | 2020-01-31 | 武汉卡尔玛汽车电子有限公司 | 一种基于can可编程的汽车温度传感器电阻信号输出装置 |
JP2021043786A (ja) * | 2019-09-12 | 2021-03-18 | キオクシア株式会社 | 半導体装置および電圧供給方法 |
KR20210062249A (ko) * | 2019-11-21 | 2021-05-31 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 온도 감지 회로를 포함하는 반도체 장치 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56128433A (en) * | 1980-03-14 | 1981-10-07 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Detecting apparatus of temperature |
JPS56132815A (en) * | 1980-03-21 | 1981-10-17 | Nec Corp | Reference step voltage generating circuit |
JPS6159570B2 (ja) * | 1980-12-16 | 1986-12-17 | Fujitsu Ltd | |
JPH07296582A (ja) * | 1994-04-21 | 1995-11-10 | Goldstar Electron Co Ltd | メモリセルアレイのセルフリフレッシュ制御回路 |
JPH08294229A (ja) * | 1995-04-20 | 1996-11-05 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
JPH10215179A (ja) * | 1997-01-30 | 1998-08-11 | Rohm Co Ltd | D/aコンバータ |
JP2000048561A (ja) * | 1998-07-23 | 2000-02-18 | Texas Instr Inc <Ti> | 温度依存クロック回路 |
US6320809B1 (en) * | 2000-07-05 | 2001-11-20 | Micron Technology, Inc. | Low voltage level power-up detection circuit |
JP2003132678A (ja) * | 2001-10-29 | 2003-05-09 | Fujitsu Ltd | 温度検出機能を備えた半導体装置、試験方法、及び温度検出機能を備えた半導体記憶装置のリフレッシュ制御方法 |
JP2003330551A (ja) * | 2002-05-09 | 2003-11-21 | Fuji Electric Co Ltd | 電圧可変レギュレータ |
JP2004273103A (ja) * | 2003-03-06 | 2004-09-30 | Samsung Electronics Co Ltd | 電圧レギュレータ回路及び半導体メモリ装置 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4014238A (en) * | 1974-08-13 | 1977-03-29 | C.G. Conn, Ltd. | Tone signal waveform control network for musical instrument keying system |
GB2054997B (en) * | 1979-05-23 | 1984-01-18 | Suwa Seikosha Kk | Temperature detecting circuit |
US5025248A (en) | 1989-09-01 | 1991-06-18 | Microthermo | Automatic temperature monitoring system |
US5638418A (en) | 1993-02-05 | 1997-06-10 | Dallas Semiconductor Corporation | Temperature detector systems and methods |
US5375093A (en) | 1992-01-21 | 1994-12-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Temperature detecting circuit and dynamic random access memory device |
JP3186276B2 (ja) * | 1992-01-21 | 2001-07-11 | 松下電器産業株式会社 | 温度検知回路およびダイナミック・ランダムアクセス・メモリ装置 |
JP2701710B2 (ja) * | 1993-11-29 | 1998-01-21 | 日本電気株式会社 | 多値電圧源回路 |
CA2150502A1 (en) * | 1994-08-05 | 1996-02-06 | Michael F. Mattes | Method and apparatus for measuring temperature |
JPH09297623A (ja) * | 1996-05-08 | 1997-11-18 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 電圧/電流レギュレータ回路 |
DE19640383C1 (de) * | 1996-09-30 | 1998-04-09 | Siemens Ag | Temperatursensorschaltung |
US5875142A (en) * | 1997-06-17 | 1999-02-23 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit with temperature detector |
US6056435A (en) | 1997-06-24 | 2000-05-02 | Exergen Corporation | Ambient and perfusion normalized temperature detector |
US5961215A (en) | 1997-09-26 | 1999-10-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Temperature sensor integral with microprocessor and methods of using same |
KR19990048860A (ko) * | 1997-12-11 | 1999-07-05 | 김영환 | 반도체 메모리 소자의 온도 감지 회로 |
US6157244A (en) * | 1998-10-13 | 2000-12-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Power supply independent temperature sensor |
US6879816B2 (en) | 1998-11-12 | 2005-04-12 | Broadcom Corporation | Integrated switchless programmable attenuator and low noise amplifier |
US6316988B1 (en) * | 1999-03-26 | 2001-11-13 | Seagate Technology Llc | Voltage margin testing using an embedded programmable voltage source |
DE69933670D1 (de) | 1999-08-31 | 2006-11-30 | St Microelectronics Srl | Temperaturfühler in Cmos-Technologie |
KR100361693B1 (ko) * | 1999-09-06 | 2002-11-22 | 주식회사 케이이씨 | 온도 보상용 트리밍장치 |
US6316991B1 (en) * | 2000-03-29 | 2001-11-13 | Cirrus Logic, Inc. | Out-of-calibration circuits and methods and systems using the same |
US6348832B1 (en) | 2000-04-17 | 2002-02-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Inc. | Reference current generator with small temperature dependence |
KR100631935B1 (ko) * | 2000-06-30 | 2006-10-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치의 셀프 리프레시 회로 |
JP4043703B2 (ja) | 2000-09-04 | 2008-02-06 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置、マイクロコンピュータ、及びフラッシュメモリ |
US6591210B1 (en) | 2000-11-21 | 2003-07-08 | National Semiconductor Corporation | Circuit and method to combined trim and set point |
KR20020056382A (ko) | 2000-12-29 | 2002-07-10 | 박종섭 | 반도체소자의 평탄화방법 |
JP3818197B2 (ja) | 2002-03-29 | 2006-09-06 | 株式会社デンソー | 複数の過熱検出回路を有する回路装置 |
KR100475736B1 (ko) | 2002-08-09 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 고속 테스트에 적합한 편이온도 검출회로를 갖는온도감지기 및 편이온도 검출방법 |
-
2002
- 2002-08-09 KR KR10-2002-0046993A patent/KR100475736B1/ko active IP Right Grant
-
2003
- 2003-07-28 US US10/627,693 patent/US7106127B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-07-29 JP JP2003203231A patent/JP2004079158A/ja active Pending
- 2003-08-01 DE DE10336294A patent/DE10336294B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-08-30 US US10/928,498 patent/US6937087B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56128433A (en) * | 1980-03-14 | 1981-10-07 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Detecting apparatus of temperature |
JPS56132815A (en) * | 1980-03-21 | 1981-10-17 | Nec Corp | Reference step voltage generating circuit |
JPS6159570B2 (ja) * | 1980-12-16 | 1986-12-17 | Fujitsu Ltd | |
JPH07296582A (ja) * | 1994-04-21 | 1995-11-10 | Goldstar Electron Co Ltd | メモリセルアレイのセルフリフレッシュ制御回路 |
JPH08294229A (ja) * | 1995-04-20 | 1996-11-05 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
JPH10215179A (ja) * | 1997-01-30 | 1998-08-11 | Rohm Co Ltd | D/aコンバータ |
JP2000048561A (ja) * | 1998-07-23 | 2000-02-18 | Texas Instr Inc <Ti> | 温度依存クロック回路 |
US6320809B1 (en) * | 2000-07-05 | 2001-11-20 | Micron Technology, Inc. | Low voltage level power-up detection circuit |
JP2003132678A (ja) * | 2001-10-29 | 2003-05-09 | Fujitsu Ltd | 温度検出機能を備えた半導体装置、試験方法、及び温度検出機能を備えた半導体記憶装置のリフレッシュ制御方法 |
JP2003330551A (ja) * | 2002-05-09 | 2003-11-21 | Fuji Electric Co Ltd | 電圧可変レギュレータ |
JP2004273103A (ja) * | 2003-03-06 | 2004-09-30 | Samsung Electronics Co Ltd | 電圧レギュレータ回路及び半導体メモリ装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006004612A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-01-05 | Samsung Electronics Co Ltd | ヒステリシス特性を有する温度感知回路 |
US7663470B2 (en) | 2005-05-24 | 2010-02-16 | Freescale Semiconductor, Inc. | Trimming circuit and electronic circuit |
JP2007093607A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体メモリ素子の温度情報出力装置及びその実行方法 |
JP2007327932A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体メモリ素子の温度情報出力装置及びその実行方法 |
JP2011237410A (ja) * | 2010-05-03 | 2011-11-24 | Sharp Corp | 温度センサアレイ回路用のアレイ素子、該アレイ素子を用いた温度センサアレイ回路、および、該温度センサアレイ回路を含むam−ewod装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20040013885A (ko) | 2004-02-14 |
US7106127B2 (en) | 2006-09-12 |
DE10336294A1 (de) | 2004-02-26 |
KR100475736B1 (ko) | 2005-03-10 |
US20040071191A1 (en) | 2004-04-15 |
US20050024097A1 (en) | 2005-02-03 |
US6937087B2 (en) | 2005-08-30 |
DE10336294B4 (de) | 2005-09-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2004079158A (ja) | 温度感知器及び偏移温度検出方法 | |
KR100652422B1 (ko) | 온-칩 온도 센서 및 온도 검출 방법, 이를 이용한 리프레쉬제어 방법 | |
US7107178B2 (en) | Temperature sensing circuit for use in semiconductor integrated circuit | |
JP4406405B2 (ja) | 温度感知システム | |
US7180380B2 (en) | Zoned thermal monitoring | |
US6695475B2 (en) | Temperature sensing circuit and method | |
US6690241B2 (en) | Ring oscillator having variable capacitance circuits for frequency adjustment | |
US10458857B2 (en) | Accurate on-chip temperature sensing using thermal oscillator | |
US8061895B2 (en) | Semiconductor device | |
US7423473B2 (en) | Sequential tracking temperature sensors and methods | |
US7315792B2 (en) | Temperature detector providing multiple detected temperature points using single branch and method of detecting shifted temperature | |
CN108474820A (zh) | 用于计量***的参考电路 | |
US7502710B2 (en) | Temperature detection circuit | |
KR100712545B1 (ko) | 구간별 온도에 따라 온도 코드를 발생하는 온도 센서 및구간별 온도 검출 방법 | |
KR20210083537A (ko) | 빌트-인 셀프 테스트 회로 및 이를 포함하는 온도 측정 회로 | |
US7882455B2 (en) | Circuit and method using distributed phase change elements for across-chip temperature profiling | |
US20130322188A1 (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
KR100843226B1 (ko) | 온-칩 온도 센서 및 온도 검출 방법, 이를 이용한 리프레쉬제어 방법 | |
US6778456B2 (en) | Temperature detecting circuit | |
US20230176112A1 (en) | Semiconductor chip and test method of the same | |
US10571516B2 (en) | CMOS process skew sensor | |
KR20000070663A (ko) | 감지 회로 | |
JPH10290563A (ja) | 半導体装置の電圧発生回路 | |
JPH0621787A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060706 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20080201 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080616 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090714 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090924 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101026 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110322 |