JP2003060151A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JP2003060151A
JP2003060151A JP2001244840A JP2001244840A JP2003060151A JP 2003060151 A JP2003060151 A JP 2003060151A JP 2001244840 A JP2001244840 A JP 2001244840A JP 2001244840 A JP2001244840 A JP 2001244840A JP 2003060151 A JP2003060151 A JP 2003060151A
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JP
Japan
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chip
capacitor
semiconductor chip
semiconductor device
semiconductor
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English (en)
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Hideo Nunokawa
秀男 布川
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体チップの平面サイズを増大することな
く放射ノイズを効果的に低減することのできる半導体装
置を提供することを課題とする。 【解決手段】 回路ブロックと電源ラインと接地ライン
とを有する半導体チップ１の上に、回路ブロックに接続
されるノイズ低減用コンデンサが形成されたコンデンサ
チップ１０を積層して搭載する。また、コンデンサチッ
プ１０と半導体チップ１との間にボンディングワイヤ１
２を往復して設けることにより、電源ライン又は接地ラ
インに接続したインダクタ１６を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般的に半導体装置
に係り、特に不要輻射が低減された半導体装置に関す
る。
【０００２】車載用ＩＣ等の半導体装置は、半導体装置
から放射されるノイズである不要輻射が特に問題視され
るため、不要輻射を低減する対策が求められている。
【０００３】
【従来の技術】ＩＣから放射されるノイズを低減する手
法として、従来はＩＣ内の電源−ＧＮＤ（接地）間にバ
イパスコンデンサ（パスコン）を挿入していた。パスコ
ンを挿入した構成としては、図１に示す構成と図２に示
す構成とがある。
【０００４】図１に示す構成では、半導体チップ１と基
板２上のボンディングパッド（電極端子）３との間にパ
スコン４が取り付けられている。パスコン４は、電源端
子（Ｖｃｃ）に相当するボンディングパッド３と接地端
子（Ｖｓｓ）に相当するボンディングパッド３との間を
バイパスすることによりノイズを除去している。なお、
図１において、半導体チップ１の中央部分に正方形にて
示された領域は、半導体チップ１に形成された回路ブロ
ックを示しており、図１に示す例では４つの回路ブロッ
クＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄが形成されている。パスコン４は、例
えば実装基板２の表面に形成された溝内に挿入されて取
り付けられる。なお、図１において、半導体チップ１の
電極パッド１ａと基板２のボンディングパッド３とはボ
ンディングワイヤ５により接続されている。
【０００５】一方、図２に示す構成では、半導体チップ
１内にパスコン６が形成されている。パスコン６は、半
導体チップ１の製造工程において形成可能な金属酸化膜
によるコンデンサ（ＭＯＳ容量）である。パスコン６
は、半導体チップ１内に形成された回路に接続される電
源ライン（Ｖｃｃ配線）８と接地ライン（Ｖｓｓ配線)
９との間をバイパスすることによりノイズを除去してい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】半導体装置から放射さ
れる放射ノイズは、パスコンによりバイパスされる回路
により形成される電流ループの面積に比例して大きくな
る。図１に示す従来の構成では、電流ループの面積が比
較的大きいため、ノイズ低減効果が低いという問題があ
る。すなわち、図１に示す構成では、パスコン４が基板
２の電源端子と接地端子との間に接続されているため、
図中矢印で示すように電流ループは電源端子から接地端
子までの間の回路を含むループとなり、電流ループの面
積が大きくなる。また、パスコン４として単体のコンデ
ンサを基板２に取り付けるため、部品点数が増えて製造
コストが増大するという問題もある。
【０００７】図２に示す構成では、半導体チップ１内に
コンデンサを形成してパスコンとしたものであり、電流
ループの面積は図１に示す構成における電流ループより
小さい。ここで、半導体チップ１内に形成されるパスコ
ン６は、トランジスタ構造を有するＭＯＳ容量として形
成されるが、ＭＯＳ容量はトランジスタ領域には形成す
ることが出来ない。そこで、パスコン６は、半導体チッ
プ１内の配線領域や空き領域に配置する必要がある。
【０００８】したがって、ある程度の大きさの容量を有
するパスコンを半導体チップ１内に形成する場合、パス
コン６を形成するための領域を設けなければならず、チ
ップサイズが大きくなるという問題がある。また、配線
容量増大によるスピード性能の劣化や、歩留まり低下に
よるコスト増大という問題も発生する。
【０００９】更に、半導体チップ内にパスコンを形成す
る場合、どの程度の容量のパスコンをどの回路ブロック
に対して設けたら効果的であるかということを設計の段
階で正確に知ることがない。すなわち、半導体チップを
試作後で、実際にどの回路ブロックからノイズが多く放
射されているかを測定したうえで、挿入するパスコンの
容量を正確に決定する。このため、パスコンを配置する
箇所の変更や容量値の変更等のリメイクが必要となり、
結果として半導体装置の開発期間が長くなるという問題
がある。
【００１０】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、半導体チップの平面サイズを増大することなく放
射ノイズを効果的に低減することのできる半導体装置を
提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴
とするものである。
【００１２】請求項１記載の発明は、半導体装置であっ
て、回路ブロックと電源ラインと接地ラインとを有する
半導体チップと、前記回路ブロックに接続されるノイズ
低減用コンデンサが形成されたコンデンサチップとを有
し、前記コンデンサチップは前記半導体チップに積層さ
れたことを特徴とするものである。
【００１３】請求項１記載の発明によれば、半導体チッ
プに別部品としてコンデンサチップを積層するので、半
導体チップにノイズ低減用のコンデンサを設ける必要は
なく、また、半導体チップが搭載される基板にノイズ低
減用のコンデンサを設ける必要もない。したがって、半
導体装置の水平面積を増大することなく所望の容量のコ
ンデンサを半導体チップに接続することができ、半導体
チップの回路から放射されるノイズを低減することがで
きる。
【００１４】請求項２記載の発明は、請求項１記載の半
導体装置であって、前記半導体チップには複数の回路ブ
ロックが形成され、前記コンデンサチップは前記回路ブ
ロックに対応して複数のコンデンサを有することを特徴
とするものである。
【００１５】請求項２記載の発明によれば、コンデンサ
チップに複数のコンデンサが形成されるため、複数の回
路ブロックに対して別個にコンデンサを接続することが
できる。
【００１６】請求項３記載の発明は、請求項１記載の半
導体装置であって、前記半導体チップには複数の回路ブ
ロックが形成され、前記コンデンサチップは前記回路ブ
ロックに対応して複数個設けられることを特徴とするも
のである。
【００１７】請求項３記載の発明によれば、複数のコン
デンサチップを半導体チップに積層して設けるため、複
数の回路ブロックに対して別個にコンデンサを接続する
ことができる。
【００１８】請求項４記載の発明は、請求項１乃至３の
うちいずれか一項記載の半導体装置であって、前記半導
体チップは、前記電源ライン又は前記接地ラインから前
記回路ブロックへの接続ライン上に設けられた第１の電
源パッドを有し、前記コンデンサチップはコンデンサに
接続された第２の電極パッドを有し、前記コンデンサチ
ップの第２の電極パッドはボンディングワイヤにより前
記半導体チップの第１の電極パッドに電気的に接続され
たことを特徴とするものである。
【００１９】請求項４記載の発明によれば、既存のワイ
ヤボンディングを用いて容易にコンデンサチップを半導
体チップ上に積層して搭載することができる。
【００２０】請求項５記載の発明は、請求項１乃至３の
うちいずれか一項記載の半導体装置であって、前記半導
体チップは、前記電源ライン又は前記接地ラインから前
記回路ブロックへの接続ライン上に設けられた第１の電
源パッドを有し、前記コンデンサチップはコンデンサに
接続された第２の電極パッドを有し、前記コンデンサチ
ップはフリップチップボンディングにより前記半導体チ
ップの第１の電極パッドに接続されたことを特徴とする
ものである。
【００２１】請求項５記載の発明によれば、既存のフリ
ップチップボンディングにより容易にコンデンサチップ
を半導体チップに積層して固定することができる。ま
た、半導体装置の垂直方向の厚みの増大を抑制すること
ができる。
【００２２】請求項６記載の発明は、請求項１乃至５の
うちいずれか一項記載の半導体装置であって、前記コン
デンサチップのノイズ低減用コンデンサは、ＭＯＳ容量
により形成されたことを特徴とするものである。
【００２３】請求項６記載の発明によれば、既存の半導
体製造技術により容易にコンデンサチップを製造するこ
とができる。
【００２４】請求項７記載の発明は、請求項１乃至６の
うちいずれか一項記載の半導体装置であって、前記半導
体チップは、前記回路ブロックに接続された前記第１の
電極パッド以外の第３の電極パッドを有し、前記コンデ
ンサチップは、コンデンサに接続された前記第２の電極
パッド以外の第４の電極パッドを有し、前記コンデンサ
チップの前記第４の電極パッドと前記半導体チップの前
記第３の電極パッドとをボンディングワイヤにより接続
することにより、前記電源ラインと前記接地ラインとの
少なくとも一方に接続されたインダクタを形成すること
を特徴とするものである。
【００２５】請求項７記載の発明によれば、電源ライン
と接地ラインとの少なくとも一方に接続されたインダク
タをボンディングワイヤにより容易に形成することがで
き、半導体チップの内部で発生したノイズの高周波成分
を効果的にカットすることができる。その結果、電源ラ
イン又は接地ラインに流出するノイズを減衰させること
ができる。
【００２６】請求項８記載の発明は、請求項７記載の半
導体装置であって、前記コンデンサチップの前記第４の
電極パッドは複数個設けられ、且つ前記半導体チップの
前記第３の電極パッドは複数個設けられ、前記コンデン
サチップの前記第４の電極パッドと前記半導体チップの
前記第３の電源パッドとをボンディングワイヤにより交
互に順番に接続することにより前記インダクタを形成す
ることを特徴とするものである。
【００２７】請求項８記載の発明によれば、インダクタ
を形成するためのボンディングワイヤを直列に複数本設
けることができるため、インダクタンスを増大すること
ができ、より効果的にノイズを減衰させることができ
る。
【００２８】請求項９記載の発明は、回路ブロックと電
源ラインと接地ラインとを有する第１の半導体チップ
と、該第１の半導体チップの上に積層して搭載された第
２の半導体チップとを有する半導体装置であって、前記
第１の半導体チップは、前記第１の半導体チップ内に形
成された回路から分離された電極パッドを有し、前記第
２の半導体チップは、前記第２の半導体チップ内に形成
された回路から分離された電極パッドを有し、前記第１
の半導体チップの前記電極パッドと前記第２の半導体チ
ップの前記電極とをボンディングワイヤにより接続する
ことにより、前記電源ラインと前記接地ラインとの少な
くとも一方に接続されたインダクタを形成することを特
徴とするものである。
【００２９】請求項９記載の発明によれば、電源ライン
と接地ラインとの少なくとも一方に接続されたインダク
タをボンディングワイヤにより容易に形成することがで
き、第１の半導体チップの内部で発生したノイズの高周
波成分を効果的にカットすることができる。その結果、
電源ライン又は接地ラインに流出するノイズを減衰させ
ることができる。
【００３０】請求項１０記載の発明は、請求項９記載の
半導体装置であって、前記第１の半導体チップの前記電
極パッドは複数個設けられ、且つ前記第２の半導体チッ
プの前記電極パッドは複数個設けられ、前記第１の半導
体チップの前記電極パッドと前記第２の半導体チップの
前記電極パッドとをボンディングワイヤにより交互に順
番に接続することにより前記インダクタを形成すること
を特徴とするものである。
【００３１】請求項１０記載の発明によれば、インダク
タを形成するためのボンディングワイヤを直列に複数本
設けることができるため、インダクタンスを増大するこ
とができ、より効果的にノイズを減衰させることができ
る。
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施例について図
面と共に説明する。
【００３２】図３は本発明の第１実施例による半導体装
置の構成を示す図である。図３（ａ）は半導体装置に組
み込まれた半導体チップの構成を示す平面図であり、図
３（ｂ）は半導体チップの側面図である。なお、図３に
おいて、図１及び図２に示す構成部品と同等な部品には
同じ符号を付し、その説明は省略する。
【００３３】本発明の第１実施例による半導体装置は、
半導体チップ１の上にコンデンサチップ１０を積層して
設けたものである。コンデンサチップ１０は、パスコン
として機能するコンデンサが半導体製造技術を用いて形
成されている。コンデンサチップ１０は、半導体チップ
１に比較して小さなサイズであり、半導体チップ１の中
央部分に積層することができる。すなわち、コンデンサ
チップ１０は、半導体チップの周辺部分に配列された電
極パッド１ａの内側の領域に積層することができる。こ
の領域は半導体チップ１の回路ブロックＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ
が形成された領域に相当する。
【００３４】コンデンサチップ１０には、半導体チップ
１の回路ブロックの数に応じて必要な数のコンデンサが
形成される。図３に示す例では、半導体チップ１の回路
ブロックＡと回路ブロックＤがパスコンを必要するた
め、これに対応して２つのコンデンサがコンデンサチッ
プ１０に形成されている。
【００３５】図３（ｂ）に示すように、コンデンサチッ
プ１０は、その回路形成面１０ａを上に向けた状態（フ
ェイスアップ）で、絶縁性接着材等により半導体チップ
１上に固定される。そして、回路形成面に形成された電
極１０ｂは、半導体チップ１の電流路に形成された電極
パッド１ｂにボンディングワイヤ１２により接続され
る。コンデンサチップ１０に接続される電極パッド１ｂ
は電極パッド１ａの配列とは異なる位置に形成される。
【００３６】すなわち、電極パッド１ｂは、電源ライン
８から回路部ブロックＡ（回路ブロックＣ）への接続ラ
イン上と、接地ライン９から回路部ブロックＡ（回路ブ
ロックＣ）への接続ライン上とに設けられる。電極パッ
ド１ｂの位置は、電流ループの大きさに影響するため、
なるべく回路ブロックに近い位置が好ましい。
【００３７】以上のように積層された半導体チップ１と
コンデンサチップ１０は、基板２上で封止樹脂等により
封止され、基板２の下面に外部接続用端子が設けられて
半導体装置として形成される。
【００３８】以上のような構成の半導体装置では、パス
コンを必要とする回路ブロックＡ及び回路ブロックＤに
対してコンデンサチップ１０に形成されたコンデンサを
接続することができる。コンデンサチップ１０に形成さ
れたコンデンサは、パスコンとして機能して、回路ブロ
ックＡ及び回路ブロックＤからの放射ノイズを低減す
る。
【００３９】コンデンサチップ１０は半導体チップ１０
の中央部分に積層されるため、半導体装置の面積を増大
することはない。また、コンデンサチップ１０は半導体
チップとは別個に製造することができるため、コンデン
サの容量を自由に設定することができ、各回路ブロック
に対して最適な容量のパスコンを接続することができ
る。
【００４０】さらに、半導体チップ１には電極パッド１
ｂを設けておくだけでよく、コンデンサチップ１０の変
更により、容易にパスコンの容量を変更することができ
る。また、コンデンサチップ１を標準の容量として予め
作製しておき、異なる半導体チップに対して共通に使用
することとしてもよい。
【００４１】ここで、コンデンサチップ１０の構成につ
いて説明する。コンデンサチップ１０は、パスコンとし
て機能するコンデンサが形成されたチップであり、半導
体製造技術により形成される。
【００４２】図４はコンデンサチップ１０に形成される
コンデンサの一例を電気回路として模式的に表した図で
あり、図５は図４に示すコンデンサの構造を示す図であ
る。図４及び図５に示すように、コンデンサチップ１０
に形成されるコンデンサは、トランジスタ構造を有する
ＭＯＳ容量として構成される。すなわち、Ｐ型シリコン
基板上にトランジスタを形成し、そのゲート酸化膜によ
りコンデンサを構成している。したがって、コンデンサ
チップ１０は、従来の半導体製造技術により容易に製造
することができる。
【００４３】次に、本発明の第２実施例について、図６
を参照しながら説明する。図６は本発明の第２実施例に
よる半導体装置の構成を示す図である。図６（ａ）は半
導体装置に組み込まれた半導体チップの構成を示す平面
図であり、図６（ｂ）は半導体チップの側面図である。
なお、図６において、図３に示す構成部品と同等な部品
には同じ符号を付し、その説明は省略する。
【００４４】本実施例では、半導体チップ１は図３に示
す半導体チップ１と同じ構成であるが、コンデンサチッ
プの構成が異なる。本実施例では、コンデンサチップ１
０Ａは、各回路ブロックに対して個別に設けられてい
る。また、各コンデンサチップ１０Ａは、回路形成面１
０Ａａを下に向けた状態（フェイスダウン）で、半導体
チップ１に対しフリップチップ実装されている。
【００４５】すなわち、各コンデンサチップ１０Ａは、
電極パッド１０Ａｂ上にハンダボール等の突起電極１４
を有しており、突起電極１４を半導体チップ１の電極パ
ッド１ｂに接合する。したがって、本実施例では、コン
デンサチップ１０Ａを半導体チップ１に接続するためボ
ンディングワイヤを必要とせず、図３に示す半導体装置
に比較して、半導体装置の垂直方向の厚みを減少するこ
とができる。
【００４６】なお、本実施例では、コンデンサチップ１
０Ａを回路ブロックに対して個別に設けているが、図３
に示すように複数のコンデンサが形成されたコンデンサ
チップとして、これを半導体チップ１に対してフリップ
チップ実装してもよい。
【００４７】次に本発明の第３実施例について、図７及
び図８を参照しながら説明する。図７は本発明の第３実
施例による半導体装置の構成を示す図である。図７
（ａ）は半導体装置に組み込まれた半導体チップの構成
を示す平面図であり、図７（ｂ）は半導体チップの側面
図である。なお、図７において、図３に示す構成部品と
同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省略する。
また、図８は図７に示す半導体チップの回路構成を示す
回路図である。
【００４８】本実施例では、図３に示すコンデンサチッ
プ１０に代えて、コンデンサチップ１０Ｂを使用する。
コンデンサチップ１０Ｂには、コンデンサチップ１０と
同様に、複数のコンデンサが形成される。そして、回路
形成面１０Ｂａにはコンデンサに接続された電極パッド
１０Ｂｂが設けられる。ただし、回路形成面１０Ｂａに
は、電極パッド１０Ｂｂのほかに電極パッド１０Ｂｃが
設けられる。電極パッド１０Ｂｃはコンデンサチップ１
０Ｂ内の回路には接続されておらず、互いに独立した電
極パッドである。
【００４９】また、本実施例では、図３に示す半導体チ
ップ１に代えて、半導体チップ１Ａを使用する。半導体
チップ１Ａは基本的に半導体チップ１と構造は同じであ
るが、周囲部分に配列された電極パッド１Ａａに加えて
電極パッド１Ａｃが設けられている点が異なる。電極パ
ッド１Ａｃのうち、一つは電源ライン８に接続されてい
るが、他の電極パッド１Ａｃは半導体チップ１Ａ内では
何にも接続されおらず、互いに独立した電極パッドであ
る。
【００５０】コンデンサチップ１０Ｂは、図３に示す構
成と同様に、半導体チップ１Ａに積層される。そして、
コンデンサに接続された電極パッド１０Ｂｂは、半導体
チップ１Ａの電極１Ａｂにボンディングワイヤ１２によ
り接続される。これにより、半導体チップ１Ａの回路ブ
ロックに必要なパスコンが接続され、放射ノイズが低減
される。
【００５１】コンデンサチップによるパスコンの接続
は、図３に示す構成と同様であるが、本実施例では、コ
ンデンサチップ１０Ｂに設けられた電極パッド１０Ｂｃ
と半導体チップ１Ａに設けられた電極パッド１Ａｃとが
ボンディングワイヤ１４により接続されている。
【００５２】図７に示す例では、コンデンサチップ１０
Ｂに４つの電極パッド１０Ｂｃが設けられ、これに対応
して半導体チップ１Ａに４つの電極パッド１Ａｃが設け
られている。半導体チップ１Ａの電極パッド１Ａｃは、
電源端子（Ｖｃｃ）としての電極パッド１ａに対して整
列して配置されている。そして、電源端子（Ｖｃｃ）と
しての電極パッド１Ａａと、コンデンサチップ１０Ｂに
４つの電極パッド１０Ｂｃのうち図中一番上側の電極パ
ッド１０Ｂｃとがボンディングワイヤ１４により接続さ
れる。
【００５３】また、一番上側の電極パッド１０Ｂｃと、
電源端子（Ｖｃｃ）としての電極パッド１Ａａに最も近
い電極パッド１Ａｃとがボンディングワイヤ１４により
接続される。さらに、電源端子（Ｖｃｃ）としての電極
パッド１Ａａに最も近い電極パッド１Ａｃと、コンデン
サチップ１０Ｂの一番上側の電極パッド１０Ｂｃの一つ
下の電極パッド１０Ｂｃとがボンディングワイヤ１４に
より接続される。
【００５４】以上のような接続方法で、半導体チップ１
Ａの４つの電極パッド１Ａｃとコンデンサチップ１０Ｂ
の４つ電極パッド１０Ｂｃとがボンディングワイヤで接
続される。ここで、図７の４つの電極パッド１０Ｂｃの
一番下側の電極パッド１０Ｂｃは、半導体チップ１Ａ内
で電源ライン（Ｖｃｃ配線）８に接続されている。した
がって、電源端子（Ｖｃｃ）に相当する電極パッド１０
Ａａは、８本のボンディングワイヤ１４を介して電源ラ
イン８に接続されることとなる。上述の８本のボンディ
ングワイヤ１４は、電源ラインに接続されたインダクタ
として作用し、電源ライン上の高周波成分を減衰させて
ノイズを低減する。
【００５５】図８は半導体チップ１Ａ内に形成された回
路を示す。電源端子（Ｖｃｃ）は、ボンディングワイヤ
１４よりなるインダクタ１６を介して電源ライン８に接
続される。ボンディングワイヤとして一般的な数十μｍ
幅の金線を用いた場合、そのインダクタンスは、１ｍｍ
当たり１ｎＨである。したがって、１０ｍｍのボンディ
ングワイヤでは１０ｎＨのインダクタンスしか得られな
い。
【００５６】しかし、本実施例のように、ボンディング
ワイヤ１４を、コンデンサチップ上の電極パッド１０Ｂ
ｃと半導体チップ１Ａ上の電極パッド１Ａｃとの間を何
回も往復して設けることにより、大きなインダクタンス
を設けることができ、ノイズ低減効果を高めることがで
きる。図７に示す構成では、ボンディングワイヤ４が４
往復してから電源ライン８に接続されるため、８倍の大
きさのインダクタンスを設けることができる。
【００５７】なお、本実施例では、ボンディングワイヤ
１４により形成さるインダクタンスを電源ライン側に設
けたが、接地ライン側に設けることとしてもよく、ま
た、電源ライン側と接地ライン側の両方に設けることと
してもよい。
【００５８】また、本実施例では、コンデンサチップ１
０Ｂに電極パッド１０Ｂｃを設けた構成であるが、電極
パッド１０Ｂｃを設けるチップはコンデンサチップに限
るものではなく、コンデンサチップ以外の半導体チップ
であってもよい。すなわち、インダクタを設けることに
よるノイズ低減にはパスコンが設けられている必要があ
るが、必ずしも上述の第１及び第２実施例のようにコン
デンサチップを積層してパスコンを設ける構成とする必
要はない。例えば、第１の半導体チップ上の第２の半導
体チップを積層した構成の半導体チップにおいて、第１
の半導体チップと第２の半導体チップとにインダクタ形
成用に電極を形成し、ボンディングワイヤで接続するこ
とでも、上述の実施例のようにインダクタを形成するこ
とができ、ノイズ低減の効果を得ることができる。
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、次に述べる
種々の効果を実現することができる。
【００５９】請求項１記載の発明によれば、半導体チッ
プに別部品としてコンデンサチップを積層するので、半
導体チップにノイズ低減用のコンデンサを設ける必要は
なく、また、半導体チップが搭載される基板にノイズ低
減用のコンデンサを設ける必要もない。したがって、半
導体装置の水平面積を増大することなく所望の容量のコ
ンデンサを半導体チップに接続することができ、半導体
チップの回路から放射されるノイズを低減することがで
きる。
【００６０】請求項２記載の発明によれば、コンデンサ
チップに複数のコンデンサが形成されるため、複数の回
路ブロックに対して別個にコンデンサを接続することが
できる。
【００６１】請求項３記載の発明によれば、複数のコン
デンサチップを半導体チップに積層して設けるため、複
数の回路ブロックに対して別個にコンデンサを接続する
ことができる。
【００６２】請求項４記載の発明によれば、既存のワイ
ヤボンディングを用いて容易にコンデンサチップを半導
体チップ上に積層して搭載することができる。
【００６３】請求項５記載の発明によれば、既存のフリ
ップチップボンディングにより容易にコンデンサチップ
を半導体チップに積層して固定することができる。ま
た、半導体装置の垂直方向の厚みの増大を抑制すること
ができる。
【００６４】請求項６記載の発明によれば、既存の半導
体製造技術により容易にコンデンサチップを製造するこ
とができる。
【００６５】請求項７記載の発明によれば、電源ライン
と接地ラインとの少なくとも一方に接続されたインダク
タをボンディングワイヤにより容易に形成することがで
き、半導体チップの内部で発生したノイズの高周波成分
を効果的にカットすることができる。その結果、電源ラ
イン又は接地ラインに流出するノイズを減衰させること
ができる。
【００６６】請求項８記載の発明によれば、インダクタ
を形成するためのボンディングワイヤを直列に複数本設
けることができるため、インダクタンスを増大すること
ができ、より効果的にノイズを減衰させることができ
る。
【００６７】請求項９記載の発明によれば、電源ライン
と接地ラインとの少なくとも一方に接続されたインダク
タをボンディングワイヤにより容易に形成することがで
き、第１の半導体チップの内部で発生したノイズの高周
波成分を効果的にカットすることができる。その結果、
電源ライン又は接地ラインに流出するノイズを減衰させ
ることができる。
【００６８】請求項１０記載の発明によれば、インダク
タを形成するためのボンディングワイヤを直列に複数本
設けることができるため、インダクタンスを増大するこ
とができ、より効果的にノイズを減衰させることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】パスコンが組み込まれた従来の半導体装置の一
例の構成を示す平面図である。
【図２】パスコンが組み込まれた従来の半導体装置の他
の例の構成を示す平面図である。
【図３】本発明の第１実施例による半導体装置の構成を
示す図である。
【図４】コンデンサチップに形成されるコンデンサを電
気回路として模式的に表した図である。
【図５】図４に示すコンデンサの構造を示す図である。
【図６】本発明の第２実施例による半導体装置の構成を
示す図である。
【図７】本発明の第３実施例による半導体装置の構成を
示す図である。
【図８】図７に示す半導体チップの回路構成を示す回路
図である。
【符号の説明】
１ 半導体チップ １ａ，１ｂ，１０ｂ 電極パッド ２ 基板 ３ ボンディングパッド ５，１２， ボンディングワイヤ ８ 電源ライン（Ｖｃｃ配線） ９ 接地ライン（Ｖｓｓ配線） １０ コンデンサチップ １０ａ 回路形成面 １４ 突起電極 １６ インダクタ

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 回路ブロックと電源ラインと接地ライン
    とを有する半導体チップと、前記回路ブロックに接続さ
    れるノイズ低減用コンデンサが形成されたコンデンサチ
    ップとを有し、 前記コンデンサチップは前記半導体チップに積層された
    ことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置であって、 前記半導体チップには複数の回路ブロックが形成され、
    前記コンデンサチップは前記回路ブロックに対応して複
    数のコンデンサを有することを特徴とする半導体装置。
  3. 【請求項３】 請求項１記載の半導体装置であって、 前記半導体チップには複数の回路ブロックが形成され、
    前記コンデンサチップは前記回路ブロックに対応して複
    数個設けられることを特徴とする半導体装置。
  4. 【請求項４】 請求項１乃至３のうちいずれか一項記載
    の半導体装置であって、 前記半導体チップは、前記電源ライン又は前記接地ライ
    ンから前記回路ブロックへの接続ライン上に設けられた
    第１の電源パッドを有し、 前記コンデンサチップはコンデンサに接続された第２の
    電極パッドを有し、前記コンデンサチップの第２の電極
    パッドはボンディングワイヤにより前記半導体チップの
    第１の電極パッドに電気的に接続されたことを特徴とす
    る半導体装置。
  5. 【請求項５】 請求項１乃至３のうちいずれか一項記載
    の半導体装置であって、 前記半導体チップは、前記電源ライン又は前記接地ライ
    ンから前記回路ブロックへの接続ライン上に設けられた
    第１の電源パッドを有し、 前記コンデンサチップはコンデンサに接続された第２の
    電極パッドを有し、前記コンデンサチップはフリップチ
    ップボンディングにより前記半導体チップの第１の電極
    パッドに接続されたことを特徴とする半導体装置。
  6. 【請求項６】 請求項１乃至５のうちいずれか一項記載
    の半導体装置であって、 前記コンデンサチップのノイズ低減用コンデンサは、Ｍ
    ＯＳ容量により形成されたことを特徴とする半導体装
    置。
  7. 【請求項７】 請求項１乃至６のうちいずれか一項記載
    の半導体装置であって、 前記半導体チップは、前記回路ブロックに接続された前
    記第１の電極パッド以外の第３の電極パッドを有し、 前記コンデンサチップは、コンデンサに接続された前記
    第２の電極パッド以外の第４の電極パッドを有し、 前記コンデンサチップの前記第４の電極パッドと前記半
    導体チップの前記第３の電極パッドとをボンディングワ
    イヤにより接続することにより、前記電源ラインと前記
    接地ラインとの少なくとも一方に接続されたインダクタ
    を形成することを特徴とする半導体装置。
  8. 【請求項８】 請求項７記載の半導体装置であって、 前記コンデンサチップの前記第４の電極パッドは複数個
    設けられ、且つ前記半導体チップの前記第３の電極パッ
    ドは複数個設けられ、 前記コンデンサチップの前記第４の電極パッドと前記半
    導体チップの前記第３の電源パッドとをボンディングワ
    イヤにより交互に順番に接続することにより前記インダ
    クタを形成することを特徴とする半導体装置。
  9. 【請求項９】 回路ブロックと電源ラインと接地ライン
    とを有する第１の半導体チップと、該第１の半導体チッ
    プの上に積層して搭載された第２の半導体チップとを有
    する半導体装置であって、 前記第１の半導体チップは、前記第１の半導体チップ内
    に形成された回路から分離された電極パッドを有し、 前記第２の半導体チップは、前記第２の半導体チップ内
    に形成された回路から分離された電極パッドを有し、 前記第１の半導体チップの前記電極パッドと前記第２の
    半導体チップの前記電極とをボンディングワイヤにより
    接続することにより、前記電源ラインと前記接地ライン
    との少なくとも一方に接続されたインダクタを形成する
    ことを特徴とする半導体装置。
  10. 【請求項１０】 請求項９記載の半導体装置であって、 前記第１の半導体チップの前記電極パッドは複数個設け
    られ、且つ前記第２の半導体チップの前記電極パッドは
    複数個設けられ、 前記第１の半導体チップの前記電極パッドと前記第２の
    半導体チップの前記電極パッドとをボンディングワイヤ
    により交互に順番に接続することにより前記インダクタ
    を形成することを特徴とする半導体装置。
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