JPH08222657A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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JPH08222657A
JPH08222657A JP7029101A JP2910195A JPH08222657A JP H08222657 A JPH08222657 A JP H08222657A JP 7029101 A JP7029101 A JP 7029101A JP 2910195 A JP2910195 A JP 2910195A JP H08222657 A JPH08222657 A JP H08222657A
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lead
semiconductor integrated
integrated circuit
signal
metal substrate
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博司 近藤
Hidekazu Hase
英一 長谷
Toru Fujioka
徹 藤岡
Kazumichi Sakamoto
和道 坂本
Tomio Yamada
富男 山田
Toshio Miyamoto
俊夫 宮本
Isao Arai
功 新井
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 特性が安定し、周辺装置への影響を低減した
高周波または高速回路用の半導体集積回路装置を提供す
る。 【構成】 信号用リード部材１の少なくとも一方の側に
近接して、高周波、高速回路用ＩＣを実装するための金
属基板または金属層４から延在する接地用リード部材２
を配設し、各リード部材の少なくとも一部の線幅Ｗまた
は間隔Ｓを、接地用リード部材のインダクタンスの低減
を得るための固有の値にする。また、金属基板４に高周
波短絡または阻止用の受動回路チップ７を搭載し、電源
リード３と接地用リードに流れる高周波成分の信号を抑
圧する。 【効果】 接地用および電源用リードのインダクタンス
に因る高周波電位差を抑制し、高周波エネルギーを半導
体集積回路装置内に閉じ込めることによって、高周波ま
たは高速回路用ＩＣの特性劣化を軽減し、また半導体集
積回路装置外部への高周波信号の漏洩を防止して周辺装
置への影響を回避できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路装置に関
し、特に高周波回路あるいは高速回路の集積化に適した
半導体集積回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、デバイスの高機能化に伴ってＩＣ
パッケージの多ピン化及び多リード線化が進み、リード
線の幅およびリード線の間隔が狭小化される傾向にあ
る。図７の（ａ）は、従来の半導体集積回路装置のう
ち、ＩＣチップが汎用のＳＯＰ（Small Outline Packag
e）タイプのリードフレームに実装された樹脂（レジ
ン）モールド構造の集積回路の一例を示す平面図であ
り、（ｂ）はその断面図である。
【０００３】図において、９はＩＣチップ１３が搭載さ
れるタブフレーム、１０はリード部（リード線またはピ
ン）、１１はタブ釣り用のリード部、１２はモールド樹
脂、１４は、ＩＣチップ表面に形成された電極（パッ
ド）とリード部１０またはタブフレーム９との間を接続
するボンディング・ワイヤである。リード部１０のう
ち、１０ａはモールド樹脂１２の内側に位置するインナ
ーリード部、１０ｂはモールド樹脂１２の外側に位置す
るアウターリード部を示す。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】高速信号で動作させる
高周波回路用の半導体集積回路装置においては、特にリ
ード幅及びリード間隔が狭い時、その装置内の半導体集
積回路を搭載する金属基板を装置外部のシステムの接地
面と同じ接地電位に保つことが困難になり、高周波回路
用半導体集積回路の特性を劣化させる。該金属基板をシ
ステム接地面に接続する為に用いられるリード線のイン
ダクタンスに因る高周波電位差は、上記金属基板の電位
を変動させ、半導体集積回路内での信号の干渉を増加
し、更に高周波エネルギ−を半導体集積回路装置外部に
放射する。
【０００５】また、半導体集積回路装置内の高周波回路
用半導体集積回路にリード線を介して電源電圧を供給
し、あるいは外部システム接地面を接続する時、上記と
同様に、リード線のインダクタンスに因る高周波電位差
が上記金属基板の電位を変動させ、半導体集積回路内で
の信号の干渉を増加して回路の特性を劣化させ、更に高
周波エネルギ−を半導体集積回路装置外部に放射する。
【０００６】例えば、リード線のピッチをＰ(mm)、リー
ド線の長さ（インナーリード長とアウターリード長の
和）をＬ(mm)の時、リード線幅の最大値をＰ／２(mm)、
リード線の厚さの最大値をＰ／２(mm)と仮定すれば、信
号の最高使用周波数ｆmax(MHz)に対して、リード線のイ
ンダクティブリアクタンスＸは次式で表される。
【０００７】
【数１】
【０００８】このため、半導体集積回路装置に接続する
システム信号線の特性インピーダンスＺ0(Ω)が次式の
関係にあるとき、半導体集積回路装置のリード線インダ
クタンスによる特性劣化が顕著になる。
【０００９】
【数２】
【００１０】上述した問題は、ＤＩＰタイプ、ＰＬＣＣ
タイプ、ＱＦＰタイプ等の他の形式のパッケージにおい
ても同様に存在する。
【００１１】従来技術において、これらのリード線イン
ダクタンスに起因する問題は、既存のリード線の線幅を
太くすること、殊に接地用リード線の線幅を太くするこ
とにより解決しよう試みられてきた。
【００１２】本発明の目的は、太いリード線をに頼るこ
となく、接地用リード線のインダクタンスを低減した、
高周波回路用あるいは高速信号回路用の半導体集積回路
装置の構成を提供することにある。本発明の他の目的
は、電源供給用リード線および接地用リード線のインダ
クタンスの効果を軽減することによって、半導体集積回
路装置に内蔵される半導体集積回路の特性劣化を押さえ
ると共に、高周波エネルギーの漏洩を防止できるように
した高周波回路用あるいは高速信号回路用の半導体集積
回路装置の構成を提供することにある。本発明の他の目
的は、上記目的を達成すると同時に、外部回路と接続す
る信号リード部に所望のインピーダンス整合が得られる
ようにした高周波あるいは高速信号回路用の半導体集積
回路装置の構成を提供することにある。本発明の他の目
的は、アウターリード部が規定の配列構造を有し、樹脂
モールドパッケジに適した構造の高周波回路用あるいは
高速信号回路用の半導体集積回路装置を提供することに
ある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体集積回路装置は、導電性の金属基板
（または金属層）と、該金属基板の周辺に配置された信
号用および電源用の複数のリード部材と、表面に複数の
電極を備え上記金属基板上に搭載された高周波回路用の
半導体集積回路チップと、該半導体集積回路チップ表面
の電極と上記信号用あるいは電源用の各リード部材の内
端部との間を接続する配線部材とからなり、上記金属基
板が、信号用の各リード部材の少なくとも一方の側に近
接して該金属基板から延在するリード部材を備え、該延
在リード部材が、少なくともその一部において、信号用
または電源用のリード部材を伝搬する高周波信号の影響
を受けることなく高周波的に安定した接地電位を保つた
めに設計された固有の線幅、または隣接する信号用また
は電源用リード部材との間の固有の間隔を備えることを
特徴とする。
【００１４】具体的には、上記金属基板から延在する接
地用リード部材の少なくとも一部において、幅Ｗ１が、
Ｗ１＞０．７（Ｗ２／２＋Ｓ）となる構成とする。ここ
で、Ｗ２は、信号用または電源用リード部材の幅、Ｓ
は、該信号用または電源用リード部材とこれに隣接する
接地用延在リード部材の相対する端面間のギャップの幅
を示す。
【００１５】本発明の好ましい一実施形態によれば、上
記接地用、信号用および電源用の各リード部材は、それ
ぞれの外端部側において、例えば汎用ＬＳＩで既に規格
化されている規定の線幅と間隔の配列を備えたまま上記
目的を達成し、更に信号用リード部材を固有の幅に設計
してインピ−ダンス整合をとることができる。
【００１６】本発明の他の特徴は、上記金属基板上に少
なくとも１つのコンデンサ、抵抗、インダクタ又はそれ
らを集積した受動回路チップを搭載し、半導体集積回路
チップの表面に形成された電極を該受動回路チップを経
由して上記金属基板または電源用のリード部材に接続す
ることにより、高周波電流が接地用リード部材に流れる
ことを阻止して、上記金属基板を高周波的に接地電位に
保ち、更にリード部材を介して高周波エネルギーが半導
体集積回路装置外部に放射漏出を防止することにある。
【００１７】本発明の更に他の特徴は、各リード部材の
遠端部に連なる一部を残して、金属基板、半導体集積回
路チップおよび配線部材をモールド部材で覆い、上記モ
ールド部材で覆われたインナーリード部分において線幅
または間隔を調節することにより、金属基板の接地電位
の確立と信号線インピーダンス整合をとるための構造を
実現可能にしたことにある。好ましい実施例によれば、
各リード部材は、それぞれのアウターリードの端部が上
記モールド部材の主要面よりも突出して位置するよう
に、少なくとも１ヶ所において屈曲される。
【００１８】
【作用】本発明によれば、信号用のリード部材の少なく
とも一方の側に近接して、金属基板から延在する接地用
リード部材を配置し、該接地用リード部材の少なくとも
一部において、線幅Ｗ１を固有の値、具体的には、信号
用または電源用リード部材の幅をＷ２、該信号用または
電源用リード部材とこれに隣接する接地用延在リード部
材の相対する端面間のギャップの幅をＳとした場合に、
Ｗ１＞０．７（Ｗ２／２＋Ｓ）となる構成とすることに
より、接地用リード部材を高周波的に接地電位に安定化
し、接地用リード部材の等価インダクタンスを低減でき
るようにしている。このため、本発明によれば、金属基
板を有効な接地面として使用でき、接地インダクタンス
による半導体集積回路チップの特性劣化を低減できる。
また、上記構成により、信号用リード部のインピ−ダン
ス整合を実現することも可能であり、信号用リード部に
おける高周波信号の反射に起因する問題を軽減でき、リ
ード部材を流れる高周波電流による半導体集積回路装置
の周囲空間への高周波エネルギーの放射漏洩を防止する
ことができる。
【００１９】また、本発明によれば、接地用のリード部
材を半導体集積回路チップが搭載される金属基板と一体
化し、その一部を延在させる形式で構成することによっ
て、樹脂モールドによる安価なパッケージングを可能と
し、接地電位の確立とインピ−ダンス整合のためのリー
ド部材の間隔、線幅の調整をインナーリード部で行うこ
とによって、アウターリード部の線幅と間隔は他の汎用
のＬＳＩと同様に規定の配列構造とすることが可能とな
る。更に、本発明の好ましい実施例では、金属基板上
に、コンデンサ、抵抗、インダクタ、またはそれらを集
積した回路等の付加チップを実装し、これらの付加チッ
プを介して、高周波回路用ＩＣチップ上の電極パッドと
パッケージの電源用リード部材または上記接地用金属基
板とを結線することによって、ＩＣチップ内部で発生し
た高周波信号成分が入出力リード部材以外のリード部材
から外部へ漏洩するのを防止している。上記構造によれ
ば、装置内部で発生した高周波エネルギーを半導体集積
回路装置内に閉じ込めることができ、周辺の他の回路装
置への影響をなくし、自装置の内部回路の電気特性を一
層良好に保つことができる。
【００２０】
【実施例】図１は、表面実装形フラットパッケージＴＳ
ＳＯＰ（thin shrink small outline package）タイプ
のリードフレームタブを金属基板として用いた本発明の
半導体集積回路装置の一実施例を示す。図において、１
（１ａ、１ｂ）は信号用リード、２（２ａ、２ｂ）は上
記信号用リードの両側に設けられた接地用リード（以
下、ＧＮＤリードという）、３はバイアス供給用リード
（電源用リード）を示す。本実施例では、ＧＮＤリード
２は、良導電性の金属タブフレーム（金属基板）４と一
体に構成されている。５は上記タブフレーム４に搭載さ
れた半導体集積回路（以下、ＩＣという）であり、半導
体技術で形成された回路素子によって構成された高周
波、高速用の回路機能を備え、その表面に複数の電極パ
ッド６（６ａ〜６ｆ）が形成されている。
【００２１】簡略化して示した本実施例において、６ａ
と６ｂは電源用、６ｃと６ｄは信号用、６ｅと６ｆは接
地用の電極パッドを示す。また、７（７ａ、７ｂ）は金
属基板４に搭載されたコンデンサ等を含む付加素子チッ
プであり、その等価回路の一例は図２（ａ）または
（ｂ）に示され、その接地面は金属基板４と一致する。
８はボンディング・ワイヤであり、これらの要素はレジ
ンモールドによって封入される。リード１、２、３は、
破線で示したレジンモールドの側面を境界として、主要
部がその外側に位置するアウタリード部分と、主要部が
レジンモールドの内側に位置するインナーリード部分と
に分かれる。
【００２２】本実施例では、ＧＮＤリード２の線幅とそ
の信号用リード１との間隔の調整をそれぞれのインナー
リード部において行うことにより、ＧＮＤリード２の接
地電位を確立し、また同時に信号用リード１の高周波イ
ンピーダンス整合を信号用リード１の線幅の調整により
実現している。その具体例については、図３〜図５を参
照して後述する。
【００２３】上記実施例において、電源用パッド６ａ、
６ｂは、それぞれ付加素子チップ７ａ、７ｂを経由して
バイアス供給用のリード３ａ、３ｂに接続されている。
このようにして、半導体集積回路装置の内部に高周波バ
イパスあるいは阻止用の付加素子を配置して高周波信号
をパッケージ内で閉じることにより、金属基板４を安定
な接地面として用いることができる。接地用のパッド６
ｅ、６ｆは、ボンディングワイヤのインダクタンス成分
を下げて回路特性を安定化させるために、複数のボンデ
ィングワイヤを並列的に使用して金属基板４と接続され
ている。
【００２４】従来の装置では、例えば、集積回路パッケ
ージの外側でバイアス用リードとアース間にチップコン
デンサを接続する構成となっているため、バイアス用リ
ードと接地用リードを流れる高周波電流に起因する電圧
降下によって半導体集積回路の特性劣化を引き起こし、
またパッケージ外部へ高周波エネルギ−を輻射して、半
導体集積回路装置に近接して実装される他の回路装置に
影響を及ぼし、回路特性を劣化させる１つの要因となっ
ている。本実施例の構成によれば、これらの不都合が解
消される。
【００２５】上記実施例の構成は、例えば、従来の表面
実装形プラスチックパッケージＴＳＳＯＰタイプのリー
ドフレームに形状的な変更を加え、タブフレーム部分に
主たるＩＣチップと付加的なチップ素子を実装すること
によって実現できるため、自動化による量産が容易であ
り、安価な製造コストで装置を提供することができる。
【００２６】図３は、ＴＳＳＯＰタイプのリードフレー
ムの要部を示す平面図である。ここでは、タブフレーム
４と、タブフレームから独立した１本の信号用リード１
と、信号用リードの両側に位置し、タブフレームから延
在して配置された１組のＧＮＤリード２（２ａ、２ｂ）
を示し、他のリード群は省略してある。破線１３はレジ
ンモールドの端面を示す。汎用規格のＴＳＳＯＰ型パッ
ケージを一例として挙げると、隣接するリード間のピッ
チは０．６５ｍｍ、各リードの厚さは約０．１７ｍｍ、
アウターリード部分の長さと幅は各々約０．９ｍｍと約
０．２２ｍｍ、インナーリード部分の長さは約１．０６
ｍｍ、インナーリード部分で計測したＧＮＤリード２ａ
と２ｂの信号リードに面していない側の縁の間の距離
（図中で、２・Ｗ１＋２・Ｓ＋Ｗ２）は約１．６８ｍｍ
である。
【００２７】ここで、インナーリード部における信号用
リード１の線幅をＷ２、ＧＮＤリード２の線幅をＷ１、
インナーリード部における信号用リード１とＧＮＤリー
ド２の間の間隔をＳとすると、ＧＮＤリードの接地電位
を保証するためには、Ｗ１＞０．７×（Ｗ２／２＋Ｓ）
を満足すればよく、同時に、信号線の特性インピ−ダン
スが約１４０Ωのアウターリード部分の形状を変えずに
信号線１を５０Ωにインピ−ダンス整合するためには、
インナ−リード部の特性インピ−ダンスが約３０Ωとな
るように各リードの寸法を設計すればよい。
【００２８】例えば、信号リードのインナーリード部分
の線幅Ｗ２を０．２５ｍｍに選ぶと、隣接するＧＮＤリ
ード２との間隔Ｓを約０．０９ｍｍとし、Ｗ１を約０．
６２ｍｍとすれば、上記不等式を充分満足してＧＮＤリ
ードのインダクタンスを軽減でき、同時にインピ−ダン
ス整合を実現できる。
【００２９】図４は、信号リード１の一方の側にのみＧ
ＮＤリード２を配置して接地インダクタンスの低減を実
現し、同時にインピーダンス整合をした例を示す。上記
構成において、リードのピッチ、リード線の厚さ、アウ
ターリードの長さと幅、インナーリード長は図３の実施
例と同一とし、インナ−リード部における信号リード１
のＧＮＤリード２とは反対側の縁から、ＧＮＤリード２
の信号リード１とは反対側の縁までの距離（図中の符号
で示すと、Ｗ１＋Ｗ２＋Ｓに相当する距離）を汎用ＴＳ
ＳＯＰタイプのパッケージと同じ約１．０３ｍｍに固定
し、インナ−リード部の形状を調節するものと仮定す
る。
【００３０】ＧＮＤリードの高周波接地電位を保証する
ためには、Ｗ１＞０．７×（Ｗ２／２＋Ｓ）を満足すれ
ばよい。また、アウターリード部分の形状を変えずに信
号線１を７５Ωにインピ−ダンス整合するためには、例
えば、インナーリード部の信号リード１の幅Ｗ２を０．
２５ｍｍに選んだ場合、信号リード１とＧＮＤリード２
との距離Ｓを約０．１１ｍｍとし、Ｗ１を０．６７ｍｍ
とすればよく、このとき上記不等式を充分満たしてＧＮ
Ｄリードのインダクタンスを軽減できる。
【００３１】図５は本発明の他の実施例を示す図であ
り、汎用ＴＳＳＯＰタイプのパッケージにおいて、イン
ナーリード部とアウターリード部を同一線幅にして、接
地インダクタンスを低減し同時にインピーダンス整合を
も実現する場合のリード構造の一例を示す。例えば、信
号リード１のＧＮＤリード２とは反対側の縁から、ＧＮ
Ｄリード２の信号リード１とは反対側の縁までの距離
（図中のＷ１＋Ｗ２＋Ｓ）を１．０３ｍｍに固定した場
合、ＧＮＤリードが、上述したＷ１＞０．７×（Ｗ２／
２＋Ｓ）を満足して接地電位の安定性を保証すると同時
に、信号線１の特性インピーダンスを仕様値７５Ωに整
合させるためには、信号リード１の幅Ｗ２を例えば０．
２５ｍｍに選んだ場合、信号リード１とＧＮＤリード２
との距離Ｓを約０．２０ｍｍとし、Ｗ１を０．５８ｍｍ
とすればよい。
【００３２】図６は、本発明の更に他の実施例として、
ＬＣＣタイプのパッケージを採用した半導体集積回路装
置の一例を示す。４０は、表面にＩＣチップの搭載領域
となる金属層４’を形成したセラミック等の絶縁基板で
あり、側面部にパッケ−ジ外部の信号線、電源線または
接地線と接続するための複数のリード部を備えている。
１（１ａ、１ｂ）は信号用リード、２（２ａ、２ｂ、２
ｃ）はＧＮＤ用リードであり、これらのＧＮＤ用リード
は金属層４’の一部を基板側面部に延在させた形となっ
ている。
【００３３】１ｃは、金属層４’の形成領域において基
板４０の表面から裏面に貫通するように形成された信号
用リードであり、金属層４’から独立した小領域の表面
金属層が信号用リード１ｃに接続する電極となってい
る。２ａ’、２ｂ’は、上記信号用リード１ｃの両側に
形成されたＧＮＤリードであり、それぞれ基板４０の表
面から裏面に貫通し、表面の金属層４’と接続されてい
る。なお、リード１ｃ、２ａ’、２ｂ’は、それぞれ基
板を貫通する孔を導電体で充填するか、貫通孔表面を導
電体で覆うことにより形成される。上記構成において
も、信号用リード１の幅または直径をＷ２、ＧＮＤリー
ド２の幅または直径をＷ１、信号用リード１とＧＮＤリ
ード２の間のギャップ間隔をＳとすると、ＧＮＤリード
の高周波接地電位を保証するためには Ｗ１＞０．７×
（Ｗ２／２＋Ｓ）を満足すればよい。
【００３４】上述した実施例では、２つのタイプのパッ
ケージについて説明したが、本発明は、例えばＤＩＰタ
イプ、ＰＬＣＣタイプ、ＱＦＰタイプ、ＰＧＡタイプ
等、他のＩＣパッケージ形体を採用した半導体集積回路
装置にも適用できる。
【００３５】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の半導体集積回路装置構造によれば、信号用リードに隣
接する接地用リード部のインダクタンスを低減すること
により、接地用リードに接続される半導体集積回路搭載
用金属面に安定した接地電位を確立できる。また、高周
波半導体集積回路の特性劣化と、半導体集積回路装置で
発生した高周波、高速信号エネルギーの放射漏洩を防止
でき、信号用リード線の高周波インピーダンスの整合も
可能である。
【００３６】また、高周波回路用ＩＣチップを搭載する
半導体集積回路装置内の金属基板または金属層に付加受
動回路チップを実装して、装置内で発生した高周波およ
び高速信号エネルギーを装置内に閉じ込めることによ
り、電源用リードおよび接地用リードを流れる高周波電
流による半導体集積回路の特性劣化を抑制し、また、信
号エネルギ−の装置外部への放射漏洩を抑えて周辺の他
の回路装置への干渉を回避することを可能にする。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体集積回路装置の一実施例を
示す斜視図。
【図２】付加素子チップの構成を示す等価回路の例を示
す図。
【図３】接地リードのインダクタンス低減を達成するた
めのリード構造の一実施例を示す図。
【図４】接地リードのインダクタンス低減を達成するた
めのリード構造の他の実施例を示す図。
【図５】接地リードのインダクタンス低減を達成するた
めのリード構造の更に他の実施例を示す図。
【図６】本発明による半導体集積回路装置の他の実施例
を示す基板斜視図。
【図７】従来の半導体集積回路装置の一例を示す図。
【符号の説明】
１…信号用リード、２…ＧＮＤ用リード、３…バイアス
（電源）用リード、４…金属基板、５…高周波回路用Ｉ
Ｃチップ、６…電極パッド、７…受動回路チップ、８…
ボンディングワイヤ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂本 和道 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 山田 富男 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 宮本 俊夫 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 新井 功 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】導電性の金属基板と、上記金属基板の周辺
    に配置された信号用および電源用の複数のリード部材
    と、上記金属基板上に搭載され表面に複数の電極を備え
    た高周波回路用半導体集積回路チップと、上記半導体集
    積回路チップ表面の電極と上記信号用および電源用の各
    リード部材の内端部との間を接続する配線部材とからな
    り、 上記金属基板が、信号用または電源用の各リード部材の
    少なくとも一方の側に近接して該金属基板から延在する
    接地用リード部材を備え、該延在リード部材の少なくと
    もその一部において、線幅Ｗ１が、Ｗ１＞０．７（Ｗ２
    ／２＋Ｓ）となっている（但し、Ｗ２は信号用または電
    源用リード部材の幅、Ｓは信号用または電源用リード部
    材とこれに隣接する接地用延在リード部材の相対する端
    面間のギャップの幅を示す）ことを特徴とする半導体集
    積回路装置。
  2. 【請求項２】前記接地用、信号用および電源用の各リー
    ド部材が、外端部側において規定の線幅と間隔を有する
    ことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路装
    置。
  3. 【請求項３】前記金属基板上に搭載された少なくとも１
    つのコンデンサ、抵抗、インダクタ又はそれらを集積し
    た受動回路チップを備え、該受動回路チップ上の少なく
    とも１つの電極が前記半導体集積回路チップの表面に形
    成された少なくとも１つの電極と配線部材により接続さ
    れ、上記回路チップの他の電極が前記金属基板表面また
    は信号用あるいは電源用のリード部材に接続されること
    を特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体集
    積回路装置。
  4. 【請求項４】前記半導体集積回路チップの表面に形成さ
    れた少なくとも１つの接地用電極が、複数の配線部材に
    よって前記金属基板に並列的に接続されたことを特徴と
    する請求項１〜請求項３の何れかに記載の半導体集積回
    路装置。
  5. 【請求項５】前記各リード部材の遠端部に連なる一部を
    残して、前記金属基板と半導体集積回路チップと配線部
    材とリード部材とがモールド部材によって覆われたこと
    を特徴とする請求項１〜請求項４の何れかに記載の半導
    体集積回路装置。
  6. 【請求項６】前記各リード部材が、それぞれの遠端部を
    前記金属基板とは異なる高さに位置させるように、少な
    くとも１ヶ所において屈曲されていることを特徴とする
    請求項１〜請求項５の何れかに記載の半導体集積回路装
    置。
  7. 【請求項７】前記信号用リード部材に供給される信号の
    最高使用周波数をｆmax(MHz)、該信号用リード部材の長
    さをＬ(mm)、隣接する接地用リード部材との間のピッチ
    をＰ(mm)、半導体集積回路装置に接続するシステム信号
    線の特性インピーダンスをＺ0(Ω)とした場合（但し、
    ｆmaxは、ディジタルＩＣにおいてはクロック周波数ｆc
    lkの３倍、高周波アナログＩＣにおいてはその動作周波
    数とする）、 ｆmax・Ｌ・（ln（２・Ｌ／Ｐ）＋１／２）＞４０・Ｚ0 の関係にあることを特徴とする請求項１〜請求項６の何
    れかに記載の半導体集積回路装置。
  8. 【請求項８】導電性の金属基板と、上記金属基板の周辺
    に配置された信号用および電源用の複数のリード部材
    と、表面に複数の電極を備え上記金属基板上に搭載され
    た高周波回路用半導体集積回路チップと、上記半導体集
    積回路チップ表面の電極と上記信号用および電源用の各
    リード部材の内端部との間を接続する配線部材と、上記
    各リード部材の遠端部に連なる一部を残して、上記金属
    基板、半導体集積回路チップおよび配線部材を覆うモー
    ルド部材とからなり、上記金属基板が信号用の各リード
    部材の少なくとも一方の側に近接して該金属基板から延
    在する接地用リード部材を備え、 信号用のリード部材が、上記モールド部材で覆われたイ
    ンナーリード部分においてインピーダンス整合を得るた
    めの固有の線幅、または隣接する接地用リード部材との
    間の固有の間隔を備えることを特徴とする半導体集積回
    路装置。
  9. 【請求項９】前記金属基板上に搭載され前記モールド部
    材で覆われた少なくとも１つのコンデンサ、抵抗、イン
    ダクタ又はそれらを集積した回路チップを備え、該回路
    チップ上の少なくとも１つの電極が前記半導体集積回路
    チップの表面に形成された少なくとも１つの電極と配線
    部材により接続され、上記回路チップの他の電極が前記
    金属基板表面または信号用あるいは電源用のリード部材
    に接続されたことを特徴とする請求項８に記載の半導体
    集積回路装置。
  10. 【請求項１０】前記各リード部材のそれぞれの遠端部が
    前記モールド部材の主要面よりも突出して位置するよう
    に、少なくとも１ヶ所において屈曲されていることを特
    徴とする請求項８または請求項９に記載の半導体集積回
    路装置。
  11. 【請求項１１】前記各リード部材が、前記モールド部材
    から露出したアウターリード部分において、規定の形状
    とピッチをもつ所定の配列構造をもつことを特徴とする
    請求項８〜請求項１０の何れかに記載の半導体集積回路
    装置。
  12. 【請求項１２】主要面に接地電極となるべき導電性の金
    属層を備える基板と、上記基板の側面または該基板の２
    つの主要面間を貫通する開口の側面に、上記金属層から
    電気的に分離して形成された信号用および電源用の複数
    のリード部材と、表面に複数の電極を備え上記金属層上
    に搭載された高周波回路用半導体集積回路チップと、上
    記半導体集積回路チップ表面に形成された電極と上記信
    号用および電源用の各リード部材の内端部との間を接続
    する配線部材とからなり、上記基板の金属層が、該基板
    の側面または該基板の２つの主要面間を貫通する開口の
    側面に信号用の各リード部材の少なくとも一方の側に近
    接して該金属層から延在する複数のリード部材を備え、
    該延在リード部材が 信号用または電源用のリード部材
    を伝搬する高周波信号に対し少なくともその一部におい
    て高周波的に変動しない接地電位を保つために設計され
    た固有の線幅または隣接する信号用または電源用のリー
    ド部材との固有の間隔を備えることを特徴とする半導体
    集積回路装置。
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