JP2001230513A - プリント基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 表面部のランドに表面実装部品の電極が半田
接合されるものにあって、落下衝撃等の衝撃及び反りや
曲げの双方に対する接合信頼性を高める。 【解決手段】 プリント基板１１のランド２２を、半田
ボール１３が接合される半田接合面２２ａに対して、十
分大きい面積を有した楕円形状に形成する。そして、レ
ジスト膜２３に設けられる開口部２３ａを、ランド２２
に対して右寄りに偏心し一部がランド２２からはみ出す
ような円形に形成する。これにて、ランド２２の外周縁
部のうちの一部が、レジスト膜２３により覆われたオー
バーレジスト構造とされ、これと共に、残りの部分が、
レジスト膜２３との間で微小な隙間Ｓが形成されるノン
オーバーレジスト構造とされる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表面実装部品の半
田接合部の接合信頼性に優れたプリント基板及びその製
造方法に関する。

【０００２】

【発明が解決しようとする課題】例えばＢＧＡ（Ball G
rid Array ）タイプの半導体部品などの表面実装部品
を、プリント基板（多層プリント配線基板）に実装する
にあたっては、プリント基板の表面部に形成されたラン
ドに、半田ペーストを印刷塗布した状態で、表面実装部
品の底面の電極（半田ボール）をランドに合致するよう
にマウントし、その後、例えばリフロー炉を通してリフ
ロー半田付けすることが行なわれる。この場合、前記プ
リント基板の表面部は、前記ランド（半田接合面）を除
いて、レジスト膜（ソルダレジスト）により覆われるよ
うになっている。

【０００３】このようなプリント基板のランド部分の構
造として、図９に拡大して示すような、いわゆるオーバ
ーレジスト構造が採用されてきている。即ち、プリント
基板の表層の絶縁基材１の表面部には、例えば銅箔にメ
ッキを施した円形のランド２が、表面実装部品の半田ボ
ール３の接合に必要な大きさよりも径大な形態で設けら
れ、そのランド２の外周部全周を覆う形態にレジスト膜
４が設けられる。これにより、このレジスト膜４に形成
された円形の開口部４ａによって、ランド２の半田接合
面２ａ（図９（ｂ）では便宜上斜線を付して示す）が露
出するようになっている。

【０００４】このようなオーバーレジスト構造によれ
ば、ランド２を半田接合面２よりも径大に構成すること
ができるので、例えば落下衝撃などの衝撃があったとき
に、ランド２と絶縁基材１との界面に応力が集中するこ
とを防止でき、衝撃に対する信頼性を高いものとするこ
とができる。ところが、このオーバーレジスト構造で
は、ランド２の上面（半田接合面２ａ）だけしか半田ボ
ール３と接合されないため、基板（あるいは表面実装部
品）の反りや曲げに対して、半田接合面２ａでの剥離が
生ずるといった虞があり、接合信頼性に劣る問題点があ
った。

【０００５】一方、従来より採用されていた、いわゆる
ノンオーバーレジスト構造は、図１０に示すように、絶
縁基材１の表面部に、必要な大きさの（径小な）ランド
５（図１０（ｂ）では便宜上斜線を付して示す）を形成
すると共に、レジスト膜６を、その開口部６ａがランド
５の外周縁部と僅かな隙間を存するように形成する構造
である。これによれば、半田ボール７の半田が、ランド
５の上面だけでなく側面部にまで回り込むように接合さ
れるので、基板の反りや曲げに対する接合強度が高くな
り、接合信頼性を高いものとすることができる。

【０００６】ところが、このノンオーバーレジスト構造
では、ランド５が小さいものであるため、落下などの衝
撃があると、図１０（ａ）に×印で示すランド５と絶縁
基材１との界面縁部に応力が集中し、絶縁基材１にクラ
ックｋが発生するといった問題があり、落下衝撃などの
衝撃に対しては、信頼性の低いものとなっていた。ちな
みに、上記オーバーレジスト構造では、落下衝撃などに
対する応力集中部位が、図９（ａ）に×印で示すよう
に、金属同士の接合部や半田中となるので、衝撃に対す
る寿命が非常に長くなり、本発明者等の実験によれば、
ノンオーバーレジスト構造に対して約７倍の寿命が得ら
れた。

【０００７】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的は、表面部に設けられたランドに表面実装
部品の電極が半田接合されるものにあって、落下衝撃な
どの衝撃及び反りや曲げの双方に対する接合信頼性を高
めることができるプリント基板及びその製造方法を提供
するにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の請求項１のプリント基板は、表面実装部品
が半田接合されるランドの外周縁部のうちの一部を、レ
ジスト膜に覆われたオーバーレジスト構造とすると共
に、そのランドの外周縁部の残りの部分を、レジスト膜
の開口部の内周縁部との間で隙間が形成されるノンオー
バーレジスト構造としたところに特徴を有する。

【０００９】これによれば、ランドのうちオーバーレジ
スト構造とされた部分では、外側に面積を拡大すること
ができるので、ランド面積を大きくして、落下衝撃など
の衝撃に対する接合強度を高いものとすることができ
る。これと共に、ランドのうちノンオーバーレジスト構
造とされている部分では、半田接合時に、その半田がラ
ンドの側面までも回り込む構造とすることができ、反り
や曲げに対する接合強度を高いものとすることができ
る。

【００１０】従って、請求項１の発明によれば、いわば
オーバーレジスト構造とノンオーバーレジスト構造とを
併用したランド構造としたことにより、落下衝撃などの
衝撃及び反りや曲げの双方に対する半田接合部の接合信
頼性を高めることができるという優れた効果を得ること
ができる。

【００１１】ところで、上記した本発明のランド構造
は、表面実装部品の電極が接合される全てのランドに対
して採用されることが、信頼性を高める上で最も望まし
い。ところが、例えばＢＧＡタイプ等の微細電極ピッチ
を有する表面実装部品が実装される場合などでは、多数
個のランドを微細ピッチで整列状態に設ける必要がある
ため、全てのランドに上記構造を採用することがスペー
ス的に困難になることが考えられる。

【００１２】そこで、そのような場合には、上記ランド
構造を、少なくとも最も外側に位置するランドについて
適用することができる（請求項２の発明）。これによれ
ば、落下衝撃などの衝撃、反りや曲げに対して最も応力
が作用しやすい、外側のランドについて、上記ランド構
造が採用されているので、半田接合部の接合信頼性を高
めるに効果的となる。

【００１３】また、上記ランド構造においては、ランド
の外周縁部のうちの表面実装部品の外側に位置する部分
をノンオーバーレジスト構造とし、内側に位置する部分
をオーバーレジスト構造とすることができる（請求項３
の発明）。これによれば、プリント基板の反りや曲げに
よる応力は表面実装部品の外側部分に強く作用する事情
があり、そのため表面実装部品の外側に位置する部分を
ノンオーバーレジスト構造とすることにより、その部分
について反りや曲げに対する接合強度を高いものとする
ことができて、より効果的となる。

【００１４】そして、本発明のプリント基板の製造方法
は、絶縁基材の表面部に、半田接合面よりも大きな面積
となるランドを含んだ形態で導体パターンを形成する導
体パターン形成工程と、前記絶縁基材の表面部全面に、
レジストを塗布するレジスト塗布工程と、前記レジスト
のうちランドの半田接合面及び隙間に相当する部分を開
口させてランドを露出させる開口工程とを含むところに
特徴を有する（請求項４の発明）。

【００１５】これによれば、レジスト膜の開口部によ
り、ランドの半田接合面及び隙間に相当する部分が開口
した状態となり、外周縁部のうちの一部がレジスト膜に
覆われたオーバーレジスト構造とされると共に、外周縁
部の残りの部分がレジスト膜との間で隙間が形成される
ノンオーバーレジスト構造とされたランド構造を得るこ
とができる。この場合、開口工程におけるレジスト膜の
開口位置及び形状を調整するだけで、上記オーバーレジ
スト構造とノンオーバーレジスト構造とを併用したラン
ド構造を得ることができ、工程を容易に済ませることが
できる。

【００１６】より具体的には、感光性のレジストを採用
すると共に、上記開口工程において、レジスト上に、ラ
ンドの半田接合面及び隙間に相当するフォトマスクを配
する工程と、そのフォトマスクを通して露光させること
によりレジストを硬化させる工程と、前記フォトマスク
及びレジストの未硬化部分を除去してランドの半田接合
面を露出させる工程とを実行することができる（請求項
５の発明）。これによれば、フォトマスクによって、レ
ジスト膜の微細な開口部を、任意の形状及び位置に精度
良く形成することが可能となる。

【００１７】また、上記と同様の目的を達成するため、
本発明の請求項６のプリント基板は、複数のランドのう
ち、所定数のランドを、その外周縁部がレジスト膜に覆
われたオーバーレジスト構造とし、残りのランドを、そ
の外周縁部と前記レジスト膜の開口部の内周縁部との間
で隙間が形成されるノンオーバーレジスト構造としたと
ころに特徴を有する。

【００１８】これによれば、複数のランドのうちオーバ
ーレジスト構造とされたものについては、ランド面積を
大きくして、落下衝撃などの衝撃に対する接合強度を高
いものとすることができる。これと共に、残りのランド
はノンオーバーレジスト構造とされているので、半田接
合時に、その半田がランドの側面までも回り込む構造と
することができ、反りや曲げに対する接合強度を高いも
のとすることができる。従って、請求項６の発明によれ
ば、オーバーレジスト構造とノンオーバーレジスト構造
とを混在させたランド構造としたことにより、複数のラ
ンド全体として、落下衝撃などの衝撃及び反りや曲げの
双方に対する半田接合部の接合信頼性を高めることがで
きるという優れた効果を得ることができる。

【００１９】この場合、オーバーレジスト構造のランド
と、ノンオーバーレジスト構造のランドとを、所定の比
率で混在するように設けることができ（請求項７の発
明）、これによれば、比率の調整により、落下衝撃など
の衝撃に対する耐性及び反りや曲げに対する耐性に関し
て、どちらをどの程度重視するかといった要求に対応す
ることが可能となる。また、オーバーレジスト構造のラ
ンドと、ノンオーバーレジスト構造のランドとを、交互
に位置して設けるようにすれば（請求項８の発明）、落
下衝撃などの衝撃に対する耐性及び反りや曲げに対する
耐性の双方について、良好なものとすることができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施例につ
いて、図１ないし図５を参照しながら説明する。図２
は、本実施例に係るプリント基板１１の表面部に、例え
ばＢＧＡ（BallGrid Array ）タイプの表面実装部品１
２を実装した様子を概略的に示している。周知のよう
に、前記表面実装部品１２は、矩形状のパッケージの下
面に、電極としての多数個の半田ボール１３をアレイ状
に備えて構成されている。

【００２１】この場合、前記表面実装部品１２は、例え
ば図５（ａ）に示すように、インターポーザ１４が、フ
ィルム（テープ）タイプのものであり、ポリイミドテー
プからなるインタポーザ１４の上面に、ＬＳＩチップ１
５を接着剤１６により装着し、ＬＳＩチップ１５の電極
とインタポーザ１４上の銅パッド１７とを金等のボンデ
ィングワイヤ１８により接続した上で、全体をモールド
樹脂１９により覆って構成されている。前記半田ボール
１３は、前記銅パッド１７と接続された状態でインタポ
ーザ１４の下面側に設けられるようになっている。尚、
この半田ボール１３は、多数個のものが、表面実装部品
１２の下面のうち外周側に、例えば３列の矩形枠状に位
置して微細ピッチで整列状態に設けられている（図３参
照）。

【００２２】これに対し、前記プリント基板１１は、例
えば多層プリント配線基板からなり、詳しく図示はしな
いが、例えばガラスクロスを含有したエポキシ樹脂から
なる絶縁基材２０（図１，図４に表層のみ図示）を多層
に積層して構成されると共に、その表面部及び層間に、
例えば銅箔にメッキを施してなる導体パターン２１（図
４に表面部の一部のみを図示）を有して構成されてい
る。

【００２３】そして、その導体パターン２１のうち表面
部のものは、前記表面実装部品１２の底面の半田ボール
１３に対応したランド２２を有している。従って、図３
に示すように、ランド２２は、多数個のものが３列の矩
形枠状に位置して微細ピッチで整列状態に設けられてい
る。この場合、ランド２２の列数は３列に限定されない
ことは勿論である。また、このプリント基板１１の表面
部は、必要部分（前記ランド２２部分）を除いて、ソル
ダレジストからなるレジスト膜２３により覆われてい
る。このランド２２部分の構造の詳細については後述す
る。

【００２４】後の製造方法の説明でも述べるように、表
面実装部品１２をプリント基板１１に実装するにあたっ
ては、前記プリント基板１１の表面部のランド２２部分
に半田ペースト２４（図４（ｈ）参照）が塗布され、そ
の各ランド２２上に各半田ボール１３が載置されるよう
に、表面実装部品１２が位置決め状態で搭載（マウン
ト）され、その後、図示しないリフロー炉を通してリフ
ロー加熱されるようになっている。これにて、半田ボー
ル１３と半田ペースト２４とが溶融して一体化し、その
後冷却硬化することによって、ランド２２の半田接合面
２２ａに半田接合され、もって、表面実装部品１２のプ
リント基板１１に対する電気的，機械的接続がなされる
のである。

【００２５】さて、図１は、前記プリント基板１１の１
個のランド２２部分の構造を拡大して示すものである。
ここで、図４にも示すように、前記ランド２２は、半田
ボール１３が接合されるほぼ円形の半田接合面２２ａ
（図１（ｂ）では便宜上斜線を付して示す）に対して、
十分大きい面積を有した、図で前後方向にやや長い楕円
形状に形成されている。そして、前記レジスト膜２３
は、前記半田接合面２２ａ部分に開口する開口部２３ａ
を有するのであるが、この開口部２３ａは、前記ランド
２２に対して右寄りに偏心し一部がランド２２からはみ
出すような円形に開口して形成されている。

【００２６】これにて、ランド２２の外周縁部のうち
の、図で右側に位置する部分を除いた一部は、レジスト
膜２３により覆われたオーバーレジスト構造とされ、こ
れと共に、残りの部分つまりランド２２の外周縁部のう
ちの図で右側部位は、レジスト膜２３の開口部２３ａの
内周縁部との間で微小な隙間Ｓが形成されるノンオーバ
ーレジスト構造とされているのである。

【００２７】次に、上記構成の作用について、図４も参
照して述べる。図４は、上記プリント基板１１の製造手
順（（ａ）〜（ｇ））、及び、そのプリント基板１１に
対する表面実装部品１２の実装手順（（ｈ）〜（ｊ））
を１個のランド２２部分に関して模式的に示している。
ここで、プリント基板１１の表層部を構成する絶縁基材
２０は、表面に銅箔２５を接合した状態で与えられ（図
４（ａ））、まず、この絶縁基材２０の表面に、前記ラ
ンド２２を含む導体パターン２１を形成する導体パター
ン形成工程が実行される。

【００２８】この導体パターン２１の形成は、前記銅箔
２５の表面に対し、例えは周知のフォト法によりエッチ
ングレジスト２６を所定のパターン（導体パターン２１
に相当するパターン）で塗布し（図４（ｂ））、その
後、エッチングにより銅箔２５のうち余分な部分を除去
し（図４（ｃ））、更にエッチングレジスト２６を除去
する（図４（ｄ））ことにより行なわれる。これにて、
上述のように、半田接合面２２ａよりも十分に大きな面
積となる楕円形状のランド２２を含んだ形態で導体パタ
ーン２１が形成される。尚、図示はしないが、この後、
導体パターン２１に対する銅等のメッキや、多層の絶縁
基材２０の積層等が行なわれる。

【００２９】次に、表層の絶縁基材２０の表面部に、未
硬化状のレジスト２７を塗布するレジスト塗布工程が実
行される（図４（ｅ））。本実施例では、このレジスト
２７として感光性レジストが採用され、印刷により表面
部の全面に塗布されるようになっている。そして、レジ
スト２７のうち前記ランド２２の半田接合面２２ａ及び
隙間Ｓに相当する部分を開口させてランド２２を露出さ
せる開口工程が実行される。

【００３０】この開口工程では、まず、レジスト２７上
に、ランド２２の半田接合面２２ａ及び隙間Ｓ、つまり
円形の開口部２３ａに相当するフォトマスク２８が配置
され、その状態で、前記フォトマスク２８を通してレジ
スト２７を露光させることが行なわれる（図４
（ｆ））。これにより、塗布されたレジスト２７のうち
フォトマスク２８により覆われていない部分が硬化する
ようになる。次いで、前記フォトマスク２８が剥離され
ると共に、レジスト２７のうち未硬化部分がエッチング
により除去される。これにて、図４（ｇ）に示すよう
に、円形の開口部２３ａを有したレジスト膜２３が形成
されるのである。

【００３１】これにより、ランド２２の外周縁部のうち
図で右側に位置する部分を除いてレジスト膜２３により
覆われると共に、開口部２３ａによりランド２２の半田
接合面２２ａが露出され、更にランド２２の右側部位と
レジスト膜２３の開口部２３ａの内周縁部との間で隙間
Ｓが形成されることになり、いわばオーバーレジスト構
造とノンオーバーレジスト構造とを併用したランド構造
を有したプリント基板１１が得られるのである。

【００３２】この場合、従来より行なわれている製造プ
ロセスを特に複雑化させることなくプリント基板１１を
製造することができ、開口工程におけるフォトマスク２
８の位置及び形状をレジスト膜２３の開口部２３ａに合
わせて調整するだけで、上記オーバーレジスト構造とノ
ンオーバーレジスト構造とを併用したランド構造を得る
ことができ、工程を容易に済ませることができる。ま
た、感光性レジスト２７を用いたフォト工程によって、
レジスト膜２３の微細な開口部２３ａを、任意の形状及
び位置に精度良く形成することが可能となる。

【００３３】しかる後、上記プリント基板１１に表面実
装部品１２が実装されるのであるが、この実装工程で
は、上述のように、まず、プリント基板１１の表面部の
ランド２２部分に半田ペースト２４が例えばスクリーン
印刷により塗布され（図４（ｈ））、次いで、図４
（ｉ）に示すように、前記各ランド２２上に各半田ボー
ル１３が載置されるように、表面実装部品１２が位置決
め状態で搭載（マウント）され （図では半田ボール１
３のみ示す）、その後、図示しないリフロー炉を通して
リフロー加熱され、半田接合されるようになっている
（図４（ｊ））。

【００３４】これにて、図１（ａ）に示すように、半田
ボール１３（半田接合部）は、ランド２２の半田接合面
２２ａの上面に接合されるだけでなく、半田ボール１３
がランド２２のうち右側の隙間Ｓ部分をその側面部にま
で回り込むように接合されるようになるのである。尚、
このように表面実装部品１２が実装されたプリント基板
１１は、例えば携帯電話機、カーナビ、自動車のエンジ
ンＥＣＵといった小型電子機器に組込まれるようになっ
ている。

【００３５】上記したプリント基板１１のランド構造に
おいては、ランド２２のうち右側部分を除く部分がオー
バーレジスト構造とされているので、この部分では、ラ
ンド２２の面積を外側に拡大することができる。従っ
て、ランド２２の面積を十分に大きくすることができ、
落下衝撃などの衝撃に対する接合強度を高いものとする
ことができる。そして、これと共に、ランド２２のうち
右側部では、ノンオーバーレジスト構造とされているの
で、この部分では、半田接合部がランド２２の側面まで
も回り込む構造とされ、反りや曲げに対する接合強度を
高いものとすることができる。

【００３６】この結果、本実施例のプリント基板１１に
よれば、表面部に設けられたランド２２に表面実装部品
１２の半田ボール１３が接合されるものにあって、いわ
ばオーバーレジスト構造とノンオーバーレジスト構造と
を併用したランド構造としたことにより、落下衝撃など
の衝撃及び反りや曲げの双方に対する半田接合部の接合
信頼性を高めることができるという優れた効果を奏する
ものである。また、本実施例のプリント基板１１の製造
方法によれば、簡単な工程で上記オーバーレジスト構造
とノンオーバーレジスト構造とを併用したランド構造を
得ることができ、工程を容易に済ませることができるも
のである。

【００３７】尚、上記実施例では、インタポーザ１４が
フィルムタイプの表面実装部品（ＢＧＡ）１２について
説明したが、図５（ｂ）に示すように、表面実装部品３
１としては、インタポーザ３２が基板タイプ（ＢＴレジ
ン）のものであっても良いことは勿論である。この場
合、インタポーザ３２には、内部に埋込まれた形態の配
線パターン３３が設けられており、そのうち下面側の電
極部３３ａに半田ボール３４が接続されるようになって
いる。このとき、電極部３３ａと半田ボール３４との接
続に、上記したようなランド２２と半田ボール１３との
接合構造と同様の構造を適用することができ、これによ
り、表面実装部品３１における半田ボール３４の接続信
頼性を高めることが可能となるのである。

【００３８】また、上記実施例にて説明したような、オ
ーバーレジスト構造とノンオーバーレジスト構造とを併
用したランド構造は、プリント基板１１上の全てのラン
ド２２について、採用されることが信頼性を高める上で
最も望ましい。ところが、多数個のランド２２が微細ピ
ッチで設けられるケースでは、全てのランド２２に上記
構造を採用することがスペース的に困難になる場合が生
ずる。

【００３９】そこで、そのようなケースでは、図３に便
宜上斜線を付して示すように、少なくとも最も外側の列
に位置するランド２２について、上記ランド構造を適用
するようにしても良い。これによれば、落下衝撃などの
衝撃、反りや曲げに対して最も応力が作用しやすい、外
側のランド２２について、上記ランド構造が採用されて
いるので、半田接合部の接合信頼性を高めるに効果的と
なる。

【００４０】そして、上記実施例では、ランド２２を楕
円形とし、レジスト膜２３の開口部２３ａを円形に形成
したが、ランド及び開口部の形状としては、他にも図６
に例示するようないくつかの形状が考えられる。この図
６では、ランドの形状及びレジスト膜の開口部の形状
（隙間Ｓ）のみを示し、ランドの上面の半田接合面（露
出面）については、便宜上斜線を付して示している。

【００４１】即ち、図６（ａ）及び（ｂ）に示すよう
に、ランド４１を円形に形成してレジスト膜の開口部４
２を楕円形に形成しても良く、また、図６（ｃ）に示す
ように、ランド４３を四角形に形成してレジスト膜の開
口部４４を楕円形に形成したり、図６（ｄ）に示すよう
に、ランド４５を円形に形成してレジスト膜の開口部４
６を四角形に形成しても良い。図６（ｅ）に示すよう
に、ランド４７を円形に形成してレジスト膜の開口部４
８を星形に形成したり、図６（ｆ）に示すように、ラン
ド４９を星形に形成してレジスト膜の開口部５０を円形
に形成しても良い。それら以外でも様々な形状とするこ
とが可能である。

【００４２】図７は、本発明の第２の実施例に係るプリ
ント基板５１のランド５２部分の構成を概略的に示して
いる。このプリント基板５１においては、やはりランド
５２は、半田接合面５２ａ（便宜上斜線を付して示す）
よりも十分大きな面積を有して構成されており、レジス
ト膜５３の開口部５３ａは、そのランド５２から偏心す
るような位置に形成され、いわばオーバーレジスト構造
とノンオーバーレジスト構造とを併用したランド構造と
されている。このとき、本実施例では、ランド５２の外
周縁部のうちの表面実装部品１２の外側（図で右側及び
上側）に位置する部分が隙間Ｓが形成されるノンオーバ
ーレジスト構造とされ、内側に位置する部分がオーバー
レジスト構造とされているのである。

【００４３】これによれば、プリント基板５１の反りや
曲げによる応力は表面実装部品１２の外側部分に強く作
用する事情があり、そのため表面実装部品１２の外側に
位置する部分をノンオーバーレジスト構造とすることに
より、その部分について反りや曲げに対する接合強度を
高いものとすることができて、より効果的となるもので
ある。尚、この場合、全てのランド５２について上記構
造を採用しても良いし、最も外側に位置するランド５２
についてのみ適用するようにしても良い。

【００４４】図８は、本発明の第３の実施例に係るプリ
ント基板６１のランド部分の構成を概略的に示してい
る。この第３の実施例においては、オーバーレジスト構
造とされたランド６２と、ノンオーバーレジスト構造と
されたランド６３とが、交互に位置するように混在した
構成とされている。この場合、ランド６２については、
径大に形成されると共に、レジスト膜６４の開口部６４
ａが径小に形成され、ランド６３については、径小に形
成されると共に、レジスト膜６４の開口部６４ｂが径大
に形成されている。

【００４５】これによれば、複数のランド６２，６３の
うちオーバーレジスト構造とされたランド５２について
は、ランド面積を大きくして、落下衝撃などの衝撃に対
する接合強度を高いものとすることができる。これと共
に、残りのランド６３はノンオーバーレジスト構造とさ
れているので、半田接合時に、その半田がランド６３の
側面までも回り込む構造とすることができ、反りや曲げ
に対する接合強度を高いものとすることができる。

【００４６】従って、この第３の実施例によっても、オ
ーバーレジスト構造とノンオーバーレジスト構造とを混
在させたランド構造としたことにより、複数のランド６
２，６３全体として、落下衝撃などの衝撃及び反りや曲
げの双方に対する半田接合部の接合信頼性を高めること
ができるという優れた効果を得ることができる。また、
本実施例では、オーバーレジスト構造のランド６２と、
ノンオーバーレジスト構造のランド６３とを、交互に位
置して設けていることにより、落下衝撃などの衝撃に対
する耐性及び反りや曲げに対する耐性の双方について、
良好なものとすることができる。

【００４７】尚、オーバーレジスト構造のランドと、ノ
ンオーバーレジスト構造のランドとを、２：１や３：１
といった比率で混在させるようにすることも可能であ
り、その比率の調整により、落下衝撃などの衝撃に対す
る耐性及び反りや曲げに対する耐性に関して、どちらを
どの程度重視するかといった要求に対応することが可能
となる。１：１の比率で設ける場合でも、必ずしも交互
に位置させることに限定されるものではない。

【００４８】その他、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、例えば表面実装部品としては、ＢＧＡタ
イプのものに限らず、例えばＱＦＰタイプ，ＣＳＰタイ
プ，ＭＣＭタイプ等の各種パッケージ部品や、ベアチッ
プ部品等の表面実装部品全般に本発明を適用することが
でき、また、絶縁基材や導体パターン等の材質等につい
ても、様々なものが採用できる等、要旨を逸脱しない範
囲内で適宜変更して実施し得るものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例を示すもので、ランド構
造を拡大して示す縦断面図（ａ）、及び、半田ボールを
除いた状態の平面図（ｂ）

【図２】プリント基板上に表面実装部品を実装した様子
を概略的に示す正面図

【図３】プリント基板のランド部分の平面図

【図４】製造工程を順に示す図

【図５】表面実装部品の構造を部分的に示すもので、イ
ンタポーザがフィルムタイプのもの（ａ）及び基板タイ
プのもの（ｂ）を示す縦断面図

【図６】ランド及び開口部の形状のいくつかの変形例を
示す平面図

【図７】本発明の第２の実施例を示すプリント基板のラ
ンド部分の平面図

【図８】本発明の第３の実施例を示すプリント基板のラ
ンド部分の平面図

【図９】従来例を示す図１相当図

【図１０】別の従来例を示す図１相当図

【符号の説明】

図面中、１１，５１，６１はプリント基板、１２，３１
は表面実装部品、１３，３４は半田ボール、２０は絶縁
基材、２１は導体パターン、２２，４１，４３，４５，
４７，４９，５２，６２，６３はランド、２２ａ，５２
ａは半田接合面、２３，５３，６４はレジスト膜、２３
ａ，４２，４４，４６，４８，５０，５３ａ，６４ａ，
６４ｂは開口部、２７はレジスト、２８はフォトマス
ク、Ｓは隙間を示す。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松永 泰明 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 Ｆターム(参考） 5E314 AA24 BB02 BB06 BB11 BB12 CC01 FF05 FF27 GG09 GG12 5E319 AA03 AB05 AC13 BB04 BB05 CC33 GG03 GG11 GG20 5E336 AA04 BB01 BB03 BC31 CC31 EE03 GG06 GG16

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基材の表面部に、表面実装部品が半
   田接合されるランドを含む導体パターンを設けると共
   に、前記ランドの半田接合面を除いた部分をレジスト膜
   により覆うようにしたプリント基板であって、 前記ランドは、その外周縁部のうちの一部が前記レジス
   ト膜に覆われたオーバーレジスト構造とされ、 残りの部分では、その外周縁部と前記レジスト膜の開口
   部の内周縁部との間で隙間が形成されるノンオーバーレ
   ジスト構造とされていることを特徴とするプリント基
   板。
2. 【請求項２】 微細電極ピッチを有する表面実装部品が
   実装される多数個のランドを整列状態に有してなるもの
   であって、 前記外周縁部の一部がオーバーレジスト構造とされ残り
   がノンオーバーレジスト構造とされるランド構造は、少
   なくとも最も外側に位置するランドについて適用されて
   いることを特徴とする請求項１記載のプリント基板。
3. 【請求項３】 前記ランドにおいては、その外周縁部の
   うちの前記表面実装部品の外側に位置する部分がノンオ
   ーバーレジスト構造とされ、内側に位置する部分がオー
   バーレジスト構造とされていることを特徴とする請求項
   １又は２記載のプリント基板。
4. 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかに記載のプ
   リント基板を製造するための方法であって、 絶縁基材の表面部に、半田接合面よりも大きな面積とな
   るランドを含んだ形態で導体パターンを形成する導体パ
   ターン形成工程と、 前記絶縁基材の表面部全面に、レジストを塗布するレジ
   スト塗布工程と、 前記レジストのうち前記ランドの半田接合面及び隙間に
   相当する部分を開口させてランドを露出させる開口工程
   とを含むことを特徴とするプリント基板の製造方法。
5. 【請求項５】 前記レジスト塗布工程では、感光性のレ
   ジストが塗布されると共に、 前記開口工程は、 前記レジスト上に、前記ランドの半田接合面及び隙間に
   相当するフォトマスクを配する工程と、 前記フォトマスクを通して露光させることにより前記レ
   ジストを硬化させる工程と、 前記フォトマスク及びレジストの未硬化部分を除去して
   ランドの半田接合面を露出させる工程とを含むことを特
   徴とする請求項４記載のプリント基板の製造方法。
6. 【請求項６】 絶縁基材の表面部に、表面実装部品が半
   田接合される複数のランドを含む導体パターンを設ける
   と共に、前記ランドの半田接合面を除いた部分をレジス
   ト膜により覆うようにしたプリント基板であって、 前記複数のランドのうち、所定数のランドは、その外周
   縁部が前記レジスト膜に覆われたオーバーレジスト構造
   とされ、 残りのランドは、その外周縁部と前記レジスト膜の開口
   部の内周縁部との間で隙間が形成されるノンオーバーレ
   ジスト構造とされていることを特徴とするプリント基
   板。
7. 【請求項７】 前記オーバーレジスト構造のランドと、
   ノンオーバーレジスト構造のランドとは、所定の比率で
   混在して設けられることを特徴とする請求項６記載のプ
   リント基板。
8. 【請求項８】 前記オーバーレジスト構造のランドと、
   ノンオーバーレジスト構造のランドとは、交互に位置し
   て設けられることを特徴とする請求項６又は７記載のプ
   リント基板。