JP2001059901A - 極端紫外光学素子用のキャッピング層 - Google Patents
極端紫外光学素子用のキャッピング層Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 投影ビーム用に極端紫外放射線（EUV）を用
いるリソグラフィ投影装置に使用するための、多層ミラ
ーを有する光学素子、それも化学的、物理的侵害に対
し、より高い耐性を有する光学素子を得ること。 【解決手段】 多層EUVミラーが、ダイヤモンド様炭素
（C）、窒化ホウ素（BN）、炭化ホウ素（B4C）、窒化ケ
イ素（Si3N4）、炭化ケイ素（SiC），B，Pd，Ru，Rh，A
u，MgF2，LiF，C2F4，TiNを含む族、並びにそれらの化
合物や合金から選択した材料からなる保護キャッピング
層を備えている。
いるリソグラフィ投影装置に使用するための、多層ミラ
ーを有する光学素子、それも化学的、物理的侵害に対
し、より高い耐性を有する光学素子を得ること。 【解決手段】 多層EUVミラーが、ダイヤモンド様炭素
（C）、窒化ホウ素（BN）、炭化ホウ素（B4C）、窒化ケ
イ素（Si3N4）、炭化ケイ素（SiC），B，Pd，Ru，Rh，A
u，MgF2，LiF，C2F4，TiNを含む族、並びにそれらの化
合物や合金から選択した材料からなる保護キャッピング
層を備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、極端紫外（EUV）
放射線と共に使用するための光学素子、例えば多層ミラ
ーのキャッピング層（capping layer）に関するもので
ある。より具体的に言えば、本発明は、放射投影ビーム
を供給する照明システムと、マスクを保持するマスクホ
ルダを備えた第１対象（object）テーブルと、基板を保
持する基板ホルダを備えた第２対象テーブルと、基板の
ターゲット部分へマスクの照射部分を転写する投影シス
テムとを含むリソグラフ投影装置内の光学素子に設けら
れるキャッピング層の使用に関するものである。
放射線と共に使用するための光学素子、例えば多層ミラ
ーのキャッピング層（capping layer）に関するもので
ある。より具体的に言えば、本発明は、放射投影ビーム
を供給する照明システムと、マスクを保持するマスクホ
ルダを備えた第１対象（object）テーブルと、基板を保
持する基板ホルダを備えた第２対象テーブルと、基板の
ターゲット部分へマスクの照射部分を転写する投影シス
テムとを含むリソグラフ投影装置内の光学素子に設けら
れるキャッピング層の使用に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】簡単にするため、以下では、投影システ
ムを「レンズ」と呼ぶが、この用語は、例えば屈折レン
ズ、反射レンズ、屈折反射システム、荷電粒子レンズを
含む種々の投影システムを包含するものとして広く解釈
されたい。照明システムも、投影ビームを方向づけ、形
状づけ、制御するために、それらの原理のいずれかに従
って操作する部材を含むことができ、それらの部材も、
以下では集合的にまたは個別的に「レンズ」と呼ぶこと
にする。加えて、第１と第２の対象テーブルは、それぞ
れ「マスクテーブル」、「基板テーブル」と呼ぶ。本明
細書では、本発明が、Ｘ，Ｙ，Ｚの直角方向の基準シス
テムを用いて記述され、Ｉ方向と平行な軸線を中心とす
る回転がＲｉで示されている。更に、文脈上、別の要求
がなされないかぎり、ここで用いる「垂直（Ｚ）」の語
は、装置の特定の方向を含意するより、むしろ、基板ま
たはマスク面に対し直角の方向、または光学システムの
光軸と平行な方向を意味している。同じように、「水
平」という用語は、基板またはマスク面と平行な方向、
または光軸と直角の方向を意味し、したがって「垂直」
方向に対し直角である。
ムを「レンズ」と呼ぶが、この用語は、例えば屈折レン
ズ、反射レンズ、屈折反射システム、荷電粒子レンズを
含む種々の投影システムを包含するものとして広く解釈
されたい。照明システムも、投影ビームを方向づけ、形
状づけ、制御するために、それらの原理のいずれかに従
って操作する部材を含むことができ、それらの部材も、
以下では集合的にまたは個別的に「レンズ」と呼ぶこと
にする。加えて、第１と第２の対象テーブルは、それぞ
れ「マスクテーブル」、「基板テーブル」と呼ぶ。本明
細書では、本発明が、Ｘ，Ｙ，Ｚの直角方向の基準シス
テムを用いて記述され、Ｉ方向と平行な軸線を中心とす
る回転がＲｉで示されている。更に、文脈上、別の要求
がなされないかぎり、ここで用いる「垂直（Ｚ）」の語
は、装置の特定の方向を含意するより、むしろ、基板ま
たはマスク面に対し直角の方向、または光学システムの
光軸と平行な方向を意味している。同じように、「水
平」という用語は、基板またはマスク面と平行な方向、
または光軸と直角の方向を意味し、したがって「垂直」
方向に対し直角である。
【０００３】リソグラフィ投影装置は、例えば、集積回
路（IC）の製造に使用される。その場合、マスク（レチ
クル）は、ICの個別層に対応する回路パターンを有し、
この回路パターンが、感光材料（レジスト）層で被覆さ
れた基板（シリコンウェーハ）上の露出区域（ダイ）に
転写される。一般的に、単一ウェーハは、隣接する複数
ダイの全ネットワークを含み、これらのダイが一度に１
つ順次にレクチルを介して照射される。リソグラフィ投
影装置の或る型式の場合には、一度にダイ上に全レクチ
ルパターンを露光させることによって、各ダイが照射さ
れる。この種の装置は、普通、ウェーハステッパと呼ば
れる。通常、ステップ・アンド・スキャン装置と呼ばれ
る別の装置では、所定基準方向（「走査」方向）の投影
ビームのもとでレクチルパターンを漸次走査する一方、
同期して、前記方向と平行または逆平行にウェーハテー
ブルを走査することにより、各ダイが照射される。なぜ
なら、一般に、投影システムは、倍率Ｍ（概して＜１）
を有し、ウェーハテーブルが走査される速度は、レクチ
ルテーブルが走査される速度のＭ倍となるからである。
ここに記述されているようなリソグラフィ投影装置に関
するこのほかの情報は、例えば国際特許出願ＷＯ９７／
３３２０５から収集できる。
路（IC）の製造に使用される。その場合、マスク（レチ
クル）は、ICの個別層に対応する回路パターンを有し、
この回路パターンが、感光材料（レジスト）層で被覆さ
れた基板（シリコンウェーハ）上の露出区域（ダイ）に
転写される。一般的に、単一ウェーハは、隣接する複数
ダイの全ネットワークを含み、これらのダイが一度に１
つ順次にレクチルを介して照射される。リソグラフィ投
影装置の或る型式の場合には、一度にダイ上に全レクチ
ルパターンを露光させることによって、各ダイが照射さ
れる。この種の装置は、普通、ウェーハステッパと呼ば
れる。通常、ステップ・アンド・スキャン装置と呼ばれ
る別の装置では、所定基準方向（「走査」方向）の投影
ビームのもとでレクチルパターンを漸次走査する一方、
同期して、前記方向と平行または逆平行にウェーハテー
ブルを走査することにより、各ダイが照射される。なぜ
なら、一般に、投影システムは、倍率Ｍ（概して＜１）
を有し、ウェーハテーブルが走査される速度は、レクチ
ルテーブルが走査される速度のＭ倍となるからである。
ここに記述されているようなリソグラフィ投影装置に関
するこのほかの情報は、例えば国際特許出願ＷＯ９７／
３３２０５から収集できる。
【０００４】ごく最近まで、リソグラフィ投影装置は、
単一マスクテーブルと単一基板テーブルを含んでいた。
しかし、現在では、少なくとも２個の独立して可動の基
板テーブルを有する装置が利用可能になっている。例え
ば国際特許出願ＷＯ９８／２８６６５およびＷＯ９８／
４０７９１を参照のこと。この種の多段装置の基本操作
原理は、次のようなものである。すなわち第１基板テー
ブルが投影システム下の露光位置に配置されて、該テー
ブル上の第１基板が露光される間に、第２基板テーブル
が装荷位置に移動して、露光済みの基板を排出し、新し
い基板をピックアップし、新基板について何らかの初期
測定を行ってから、第１基板の露光が完了すると直ち
に、投影システム下の露光位置へ新基板を搬入できるよ
うに準備し、このサイクルが反復される。このようにし
て、装置のスループットを事実上増大でき、他方、それ
によって、装置の所有費用が軽減される。理解すべき点
は、この同じ原則は、露光位置と測定位置との間を移動
する基板が１個だけの場合にしか利用できない点であ
る。
単一マスクテーブルと単一基板テーブルを含んでいた。
しかし、現在では、少なくとも２個の独立して可動の基
板テーブルを有する装置が利用可能になっている。例え
ば国際特許出願ＷＯ９８／２８６６５およびＷＯ９８／
４０７９１を参照のこと。この種の多段装置の基本操作
原理は、次のようなものである。すなわち第１基板テー
ブルが投影システム下の露光位置に配置されて、該テー
ブル上の第１基板が露光される間に、第２基板テーブル
が装荷位置に移動して、露光済みの基板を排出し、新し
い基板をピックアップし、新基板について何らかの初期
測定を行ってから、第１基板の露光が完了すると直ち
に、投影システム下の露光位置へ新基板を搬入できるよ
うに準備し、このサイクルが反復される。このようにし
て、装置のスループットを事実上増大でき、他方、それ
によって、装置の所有費用が軽減される。理解すべき点
は、この同じ原則は、露光位置と測定位置との間を移動
する基板が１個だけの場合にしか利用できない点であ
る。
【０００５】リソグラフィ投影装置の場合、ウェーハ上
に転写できる造作（features）の寸法は、投影放射線の
波長によって制限される。デバイス密度が比較的高い、
したがって操作速度の比較的高い集積回路を製造するに
は、比較的小さい造作を転写できるのが望ましい。最新
のリソグラフィ投影装置は水銀灯またはエキシマレーザ
で発生させた紫外線を用いるのに対し、約13nmの比較的
短い波長の放射線を利用することが提案されている。こ
の放射線は、極端紫外線（EUV）または軟Ｘ線と呼ば
れ、可能な光源は、レーザプラズマ光源または電子蓄積
リングからのシンクロトロン放射を含んでいる。シンク
ロトロン放射を用いるリソグラフィ投影装置のおおよそ
の設計は、J.B.マーフィほか著『投影X線リソグラフィ
用のシンクロトロン放射源およびコンデンサ』（J.B.Mu
rphy et al."Synchrotron radiation sources and cond
ensers for projection x-ray lithography"）（「応用
光学」1993年、32巻24号、6920〜6929頁）に記述されて
いる。
に転写できる造作（features）の寸法は、投影放射線の
波長によって制限される。デバイス密度が比較的高い、
したがって操作速度の比較的高い集積回路を製造するに
は、比較的小さい造作を転写できるのが望ましい。最新
のリソグラフィ投影装置は水銀灯またはエキシマレーザ
で発生させた紫外線を用いるのに対し、約13nmの比較的
短い波長の放射線を利用することが提案されている。こ
の放射線は、極端紫外線（EUV）または軟Ｘ線と呼ば
れ、可能な光源は、レーザプラズマ光源または電子蓄積
リングからのシンクロトロン放射を含んでいる。シンク
ロトロン放射を用いるリソグラフィ投影装置のおおよそ
の設計は、J.B.マーフィほか著『投影X線リソグラフィ
用のシンクロトロン放射源およびコンデンサ』（J.B.Mu
rphy et al."Synchrotron radiation sources and cond
ensers for projection x-ray lithography"）（「応用
光学」1993年、32巻24号、6920〜6929頁）に記述されて
いる。
【０００６】EUVスペクトル域内で使用するための光学
素子、例えば多層薄膜反射材は、物理的、化学的損傷に
特に敏感であり、該損傷により反射度や光学品質が有意
に低下することがあり得る。前記の波長での反射度は、
通常のEUVリソグラフィ投影装置は９個の反射材、すな
わち照明レンズ内の２個と、転写レンズ内の６個と、加
えて１個の反射レチクルとを有しているので、特に問題
となる比較的長い波長での反射度に比較しても、既に低
い値となる。したがって、単一のミラーのピーク反射度
が「僅か」1%〜2%減でも、光学システム内には有意な光
のスループット低下が生じる。別の問題は、EUV放射線
のいくつかの放射源、例えばプラズマをベースにした放
射源が「きたない」ことであり、これは、それらの放射
源からは、かなりの量の高速鉄（fast iron）その他の
粒子が放出され、照明システム内の光学素子を往々にし
て損傷するからである。これらの問題を解決するため、
光学システムを極めて高真空に維持する提案がなされて
いるが、その場合、炭化水素の部分圧に特に厳しい要求
が課せられる。炭化水素は、光学素子上で吸収された
後、EUV放射線によって分解され、不透明な炭素膜を残
すからである。
素子、例えば多層薄膜反射材は、物理的、化学的損傷に
特に敏感であり、該損傷により反射度や光学品質が有意
に低下することがあり得る。前記の波長での反射度は、
通常のEUVリソグラフィ投影装置は９個の反射材、すな
わち照明レンズ内の２個と、転写レンズ内の６個と、加
えて１個の反射レチクルとを有しているので、特に問題
となる比較的長い波長での反射度に比較しても、既に低
い値となる。したがって、単一のミラーのピーク反射度
が「僅か」1%〜2%減でも、光学システム内には有意な光
のスループット低下が生じる。別の問題は、EUV放射線
のいくつかの放射源、例えばプラズマをベースにした放
射源が「きたない」ことであり、これは、それらの放射
源からは、かなりの量の高速鉄（fast iron）その他の
粒子が放出され、照明システム内の光学素子を往々にし
て損傷するからである。これらの問題を解決するため、
光学システムを極めて高真空に維持する提案がなされて
いるが、その場合、炭化水素の部分圧に特に厳しい要求
が課せられる。炭化水素は、光学素子上で吸収された
後、EUV放射線によって分解され、不透明な炭素膜を残
すからである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、投影
ビーム用に極端紫外放射線（EUV）を用いるリソグラフ
ィ投影装置に使用するための、多層ミラーを有する光学
素子、それも化学的、物理的侵害により耐え得る光学素
子を得ることにある。
ビーム用に極端紫外放射線（EUV）を用いるリソグラフ
ィ投影装置に使用するための、多層ミラーを有する光学
素子、それも化学的、物理的侵害により耐え得る光学素
子を得ることにある。
【課題を解決する手段】この目的および他の目的は、本
発明により次のようなリソグラフィ投影装置によって達
せられた。すなわち、放射投影ビームを供給する照明シ
ステムと、マスクを保持する第１対象ホルダを備えた第
１対象テーブルと、基板を保持する第２対象ホルダを備
えた第２対象テーブルと、基板のターゲット部分にマス
クの照明部分を転写する投影装置とを含むリソグラフィ
装置であって、前記投影ビームの放射線と等しい波長の
放射線が入射する表面と、前記表面を被覆するキャッピ
ング層とを有する少なくとも１つの光学素子、それも前
記キャッピング層が比較的不活性の材料で形成されてい
る光学素子を特徴とするリソグラフィ装置である。
発明により次のようなリソグラフィ投影装置によって達
せられた。すなわち、放射投影ビームを供給する照明シ
ステムと、マスクを保持する第１対象ホルダを備えた第
１対象テーブルと、基板を保持する第２対象ホルダを備
えた第２対象テーブルと、基板のターゲット部分にマス
クの照明部分を転写する投影装置とを含むリソグラフィ
装置であって、前記投影ビームの放射線と等しい波長の
放射線が入射する表面と、前記表面を被覆するキャッピ
ング層とを有する少なくとも１つの光学素子、それも前
記キャッピング層が比較的不活性の材料で形成されてい
る光学素子を特徴とするリソグラフィ装置である。
【０００８】光学素子は、照明システムと投影システム
の一方に含まれるビーム修正素子、例えば多層近-直角
入射ミラーもしくはすれすれ入射（grazing incidenc
e）ミラー等の反射材か、または散乱板等の積分器か、
または特に多層マスクの場合はマスク自体か、または投
影ビームの方向づけ、集束、形状づけ、制御等に関わる
他の何らかの光学素子のいずれかである。光学素子は、
また画像センサまたはスポットセンサ等のセンサであっ
てもよい。比較的不活性な材料は、特に、抗酸化性でな
ければならず、かつまたダイヤモンド様の炭素（C）、
窒化ホウ素（BN）、炭化ホウ素（B4C）、窒化ケイ素（S
i3N 4）、炭化ケイ素（SiC），B，Pd，Ru，Rh，Au，Mg
F2，LiF，C2F4，TiNを含む族や、それらの化合物および
合金の中から選択できる。
の一方に含まれるビーム修正素子、例えば多層近-直角
入射ミラーもしくはすれすれ入射（grazing incidenc
e）ミラー等の反射材か、または散乱板等の積分器か、
または特に多層マスクの場合はマスク自体か、または投
影ビームの方向づけ、集束、形状づけ、制御等に関わる
他の何らかの光学素子のいずれかである。光学素子は、
また画像センサまたはスポットセンサ等のセンサであっ
てもよい。比較的不活性な材料は、特に、抗酸化性でな
ければならず、かつまたダイヤモンド様の炭素（C）、
窒化ホウ素（BN）、炭化ホウ素（B4C）、窒化ケイ素（S
i3N 4）、炭化ケイ素（SiC），B，Pd，Ru，Rh，Au，Mg
F2，LiF，C2F4，TiNを含む族や、それらの化合物および
合金の中から選択できる。
【０００９】キャッピング層は、その下の光学素子を侵
害から保護するために十分な厚さを有していなければな
らないので、効果的に「化学的に不透明」であるが、入
射放射線を過剰に吸光するほど過剰な厚さであってはな
らない。これらの目的のために、キャッピング層は、0.
5nm〜10nmの範囲の、好ましくは0.5nm〜6nmの範囲の、
最も好ましくは0.5nm〜3nmの範囲の厚さを有している。
キャッピング層は、それ自体多層構造、例えば２層構造
を有し、最も外側の層は、投影ビームの波長での化学耐
性および低屈折率を改善する意図で選択されており、そ
れにより反射度または透過率が改善される。本発明の第
２態様によれば、放射の投影ビームを供給する照明シス
テムと、マスクを保持する第１対象ホルダを備えた第１
対象テーブルと、基板を保持する第２対象ホルダを備え
た第２対象テーブルと、基板のターゲット部分にマスク
の照明部分を転写する投影装置とを含むリソグラフィ投
影装置を用いてデバイスを製造する方法が得られ、該方
法は、パターンを有するマスクを前記第１対象テーブル
に用意する段階と、前記第２対象テーブルに、エネルギ
ー感知材料層によって少なくとも部分的に被覆された基
板を用意する段階と、前記マスクを照射し、前記基板に
前記パターンの照射部分を転写する段階とを含んでお
り、該方法の特徴は、前記リソグラフィ投影装置が、前
記投影ビームの波長と等しい波長の放射線の入射する表
面と、該表面を被覆するキャッピング層とを有する少な
くとも１つの光学素子を含み、該キャッピング層が比較
的不活性の材料で形成されることにある。
害から保護するために十分な厚さを有していなければな
らないので、効果的に「化学的に不透明」であるが、入
射放射線を過剰に吸光するほど過剰な厚さであってはな
らない。これらの目的のために、キャッピング層は、0.
5nm〜10nmの範囲の、好ましくは0.5nm〜6nmの範囲の、
最も好ましくは0.5nm〜3nmの範囲の厚さを有している。
キャッピング層は、それ自体多層構造、例えば２層構造
を有し、最も外側の層は、投影ビームの波長での化学耐
性および低屈折率を改善する意図で選択されており、そ
れにより反射度または透過率が改善される。本発明の第
２態様によれば、放射の投影ビームを供給する照明シス
テムと、マスクを保持する第１対象ホルダを備えた第１
対象テーブルと、基板を保持する第２対象ホルダを備え
た第２対象テーブルと、基板のターゲット部分にマスク
の照明部分を転写する投影装置とを含むリソグラフィ投
影装置を用いてデバイスを製造する方法が得られ、該方
法は、パターンを有するマスクを前記第１対象テーブル
に用意する段階と、前記第２対象テーブルに、エネルギ
ー感知材料層によって少なくとも部分的に被覆された基
板を用意する段階と、前記マスクを照射し、前記基板に
前記パターンの照射部分を転写する段階とを含んでお
り、該方法の特徴は、前記リソグラフィ投影装置が、前
記投影ビームの波長と等しい波長の放射線の入射する表
面と、該表面を被覆するキャッピング層とを有する少な
くとも１つの光学素子を含み、該キャッピング層が比較
的不活性の材料で形成されることにある。
【００１０】本発明によるリソグラフィ投影装置を用い
る製造方法の場合、マスクのパターンが、エネルギー感
知材料製の層（レジスト）によって少なくとも部分的に
被覆された基板上に転写される。この転写段階の前に、
基板には種々の処置、例えば下塗（priming）、レジス
ト被覆、ソフトベークが施される。露光後、基板には、
別の処置、すなわち露光後ベーク（PEB）、現像、ハー
ドベーク、転写された造作の測定／検査が行われる。こ
の一連の処置は、例えば集積回路等のデバイスの個別層
にパターン付けするための基礎として行われる。パター
ン付けされたこの層には、次いで種々の処置、例えばエ
ッチング、イオン注入（ドーピング）、金属化、酸化、
化学・機械式研磨等々が施されるが、これらの処置は、
すべて個別の層を完成させるためのものである。数層が
必要とされる場合には、これらすべての処置、またはそ
れら処置の変化形式が、各層に反復される。場合によっ
ては、複数デバイスが基板（ウェーハ）上に配列され
る。これらのデバイスは、次いでダイシングまたはソー
イング等の技術により互いに分離され、これにより個々
のデバイスがキャリアに取り付けられ、ピンに結合され
ること等が可能になる。これらの処置に関する別の情報
は、例えば次の書籍、すなわちピータ・ヴァン・ザント
著『マイクロチップの製造：半導体加工の実用案内』
（第3版、1997年、マグロウヒル出版社刊、ISBN 0-07-0
67250-4）から得ることができる。
る製造方法の場合、マスクのパターンが、エネルギー感
知材料製の層（レジスト）によって少なくとも部分的に
被覆された基板上に転写される。この転写段階の前に、
基板には種々の処置、例えば下塗（priming）、レジス
ト被覆、ソフトベークが施される。露光後、基板には、
別の処置、すなわち露光後ベーク（PEB）、現像、ハー
ドベーク、転写された造作の測定／検査が行われる。こ
の一連の処置は、例えば集積回路等のデバイスの個別層
にパターン付けするための基礎として行われる。パター
ン付けされたこの層には、次いで種々の処置、例えばエ
ッチング、イオン注入（ドーピング）、金属化、酸化、
化学・機械式研磨等々が施されるが、これらの処置は、
すべて個別の層を完成させるためのものである。数層が
必要とされる場合には、これらすべての処置、またはそ
れら処置の変化形式が、各層に反復される。場合によっ
ては、複数デバイスが基板（ウェーハ）上に配列され
る。これらのデバイスは、次いでダイシングまたはソー
イング等の技術により互いに分離され、これにより個々
のデバイスがキャリアに取り付けられ、ピンに結合され
ること等が可能になる。これらの処置に関する別の情報
は、例えば次の書籍、すなわちピータ・ヴァン・ザント
著『マイクロチップの製造：半導体加工の実用案内』
（第3版、1997年、マグロウヒル出版社刊、ISBN 0-07-0
67250-4）から得ることができる。
【００１１】本明細書では、本発明による装置を使用し
て集積回路を製造することについて説明したが、該装置
は、その他多くの用途に使用可能であることを理解され
たい。例えば、集積光学システム、磁区メモリ用の案内
および検出パターン、液晶ディスプレーパネル、薄膜磁
気ヘッド等々の製造に使用できる。当業者は、これらの
別の用途と関連して、本明細書の「レチクル」、「ウェ
ーハ」、「ダイ」などの用語を、より一般的な用語「マ
スク」、「基板」、「ターゲット区域」と、それぞれ言
い換えて考えるのがよいだろう。
て集積回路を製造することについて説明したが、該装置
は、その他多くの用途に使用可能であることを理解され
たい。例えば、集積光学システム、磁区メモリ用の案内
および検出パターン、液晶ディスプレーパネル、薄膜磁
気ヘッド等々の製造に使用できる。当業者は、これらの
別の用途と関連して、本明細書の「レチクル」、「ウェ
ーハ」、「ダイ」などの用語を、より一般的な用語「マ
スク」、「基板」、「ターゲット区域」と、それぞれ言
い換えて考えるのがよいだろう。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下で本発明および本発明の利点
を好適実施例と添付略示図とを参照して説明する。図面
が異なっても、等しい部品には等しい参照符号が付され
ている。 実施例１ 図１は、本発明によるリソグラフィ投影装置の略示図で
ある。この装置は、EUV放射線の投影ビームＰＢを供給
する放射システムＬＡ，ＩＬと、マスクＭＡ（例えばレ
チクル）を保持するマスクホルダを備え、マスクを部品
ＰＬに対し精密位置決めする第１位置決め装置ＰＭに接
続された第１対象テーブル（マスクテーブル）ＭＴと、
基板Ｗ（例えばレジスト被覆のシリコンウェーハ）用の
基板ホルダを備え、基板を部品ＰＬに対し精密位置決め
する第２位置決め装置ＰＷに接続された第２対象テーブ
ル（基板テーブル）ＷＴと、マスクＭＡの照射部分を基
板Ｗのターゲット部分Ｃ（ダイ）に転写するための投影
システム（「レンズ」）ＰＬとを含んでいる。
を好適実施例と添付略示図とを参照して説明する。図面
が異なっても、等しい部品には等しい参照符号が付され
ている。 実施例１ 図１は、本発明によるリソグラフィ投影装置の略示図で
ある。この装置は、EUV放射線の投影ビームＰＢを供給
する放射システムＬＡ，ＩＬと、マスクＭＡ（例えばレ
チクル）を保持するマスクホルダを備え、マスクを部品
ＰＬに対し精密位置決めする第１位置決め装置ＰＭに接
続された第１対象テーブル（マスクテーブル）ＭＴと、
基板Ｗ（例えばレジスト被覆のシリコンウェーハ）用の
基板ホルダを備え、基板を部品ＰＬに対し精密位置決め
する第２位置決め装置ＰＷに接続された第２対象テーブ
ル（基板テーブル）ＷＴと、マスクＭＡの照射部分を基
板Ｗのターゲット部分Ｃ（ダイ）に転写するための投影
システム（「レンズ」）ＰＬとを含んでいる。
【００１３】放射システムは、放射ビームを発生させる
放射源ＬＡ（例えば、蓄積リングまたはシンクロトロン
またはレーザ誘起プラズマ源の電子ビーム経路の周囲に
配置されたアンジュレータまたはウィグラー）を含んで
いる。このビームは、照明システム（「レンズ」）ＩＬ
に含まれる種々の光学構成部材に沿って進み、その結果
生じる合成ビームＰＢが集束されて、入射瞳とマスクの
ところに一様の照明が与えられる。ビームＰＢは、続い
て、マスクテーブルＭＴ上のマスクホルダ内に保持され
ているマスクＭＡに当てられる。マスクＭＡによって反
射されたビームＰＢは、基板Ｗのターゲット区域Ｃにビ
ームＰＢを集束させるレンズＰＬを通過する。第１位置
決め装置ＰＷと干渉変位測定装置ＩＦとによって、基板
テーブルＷＴは、精密に移動せしめられ、それによりビ
ームＰＢの経路内の異なるターゲット区域Ｃの位置決め
が可能になる。同じように、位置決め装置ＰＭも、例え
ばマスクライブラリからマスクＭＡを機械式に取り出し
た後、マスクＭＡをビームＰＢの経路に対して精密に位
置決めするのに使用できる。概して、対象テーブルＭ
Ｔ，ＷＴの移動は、長行程モジュール（コース位置決
め）と短行程モジュール（精密位置決め）とによって実
現されるが、この点は図１には明示されていない。
放射源ＬＡ（例えば、蓄積リングまたはシンクロトロン
またはレーザ誘起プラズマ源の電子ビーム経路の周囲に
配置されたアンジュレータまたはウィグラー）を含んで
いる。このビームは、照明システム（「レンズ」）ＩＬ
に含まれる種々の光学構成部材に沿って進み、その結果
生じる合成ビームＰＢが集束されて、入射瞳とマスクの
ところに一様の照明が与えられる。ビームＰＢは、続い
て、マスクテーブルＭＴ上のマスクホルダ内に保持され
ているマスクＭＡに当てられる。マスクＭＡによって反
射されたビームＰＢは、基板Ｗのターゲット区域Ｃにビ
ームＰＢを集束させるレンズＰＬを通過する。第１位置
決め装置ＰＷと干渉変位測定装置ＩＦとによって、基板
テーブルＷＴは、精密に移動せしめられ、それによりビ
ームＰＢの経路内の異なるターゲット区域Ｃの位置決め
が可能になる。同じように、位置決め装置ＰＭも、例え
ばマスクライブラリからマスクＭＡを機械式に取り出し
た後、マスクＭＡをビームＰＢの経路に対して精密に位
置決めするのに使用できる。概して、対象テーブルＭ
Ｔ，ＷＴの移動は、長行程モジュール（コース位置決
め）と短行程モジュール（精密位置決め）とによって実
現されるが、この点は図１には明示されていない。
【００１４】図示の装置は、異なる２モードで使用でき
る：すなわち、ステップモードでは、マスクテーブルＭ
Ｔは事実上定置され、全マスク画像が、ターゲット区域
Ｃ上に一度に（すなわち単一の「フラッシュ」で）投影
される。基板テーブルＷＴが、次にｘ方向および／また
はｙ方向に移動せしめられ、その結果、異なるターゲッ
ト区域ＣがビームＰＢによって照射される。走査モード
でも、事実上同じシナリオが適用され、異なる点は、所
定ターゲット区域Ｃが単一「フラッシュ」では露光され
ない点だけである。このため、マスクテーブルＭＴが所
定方向（いわゆる「走査方向」、例えばｘ方向）に速度
ｖで移動可能であり、それによって投影ビームＰＢが、
マスク画像全体にわたって走査され、同時に、基板テー
ブルＷＴが、速度ｖ＝Ｍｖで等方向または逆方向に移動
せしめられる。この式において、ＭはレンズＰＬの倍率
（通常はＭ＝１／４または１／５）である。このように
することで、どちらかと言えば大きいターゲット区域Ｃ
を、解像度を落とすことなく露光することができる。照
明システムＩＬは、同時係属ヨーロッパ特許出願００３
００７８４.６（出願人参照番号Ｐ−０１２９）に記載
の構成にすることができ、該出願は、ここに引用するこ
とで本明細書に援用するものである。
る：すなわち、ステップモードでは、マスクテーブルＭ
Ｔは事実上定置され、全マスク画像が、ターゲット区域
Ｃ上に一度に（すなわち単一の「フラッシュ」で）投影
される。基板テーブルＷＴが、次にｘ方向および／また
はｙ方向に移動せしめられ、その結果、異なるターゲッ
ト区域ＣがビームＰＢによって照射される。走査モード
でも、事実上同じシナリオが適用され、異なる点は、所
定ターゲット区域Ｃが単一「フラッシュ」では露光され
ない点だけである。このため、マスクテーブルＭＴが所
定方向（いわゆる「走査方向」、例えばｘ方向）に速度
ｖで移動可能であり、それによって投影ビームＰＢが、
マスク画像全体にわたって走査され、同時に、基板テー
ブルＷＴが、速度ｖ＝Ｍｖで等方向または逆方向に移動
せしめられる。この式において、ＭはレンズＰＬの倍率
（通常はＭ＝１／４または１／５）である。このように
することで、どちらかと言えば大きいターゲット区域Ｃ
を、解像度を落とすことなく露光することができる。照
明システムＩＬは、同時係属ヨーロッパ特許出願００３
００７８４.６（出願人参照番号Ｐ−０１２９）に記載
の構成にすることができ、該出願は、ここに引用するこ
とで本明細書に援用するものである。
【００１５】例 以下に説明する本発明の複数例は、薄膜設計プログラム
TFCalc（ソフトウェア・スペクトラ社）を使用して行な
われ、かつLPro（４Ｄテクノロジー社）を用いて検証さ
れた計算によって得られるものである。組み込まれたTF
Calcの全体的最適化および指針（needle）最適化ルーチ
ンが、最適化処置に使用された。この処置については、
ティコラヴォフ（A.V.Tikhoravov，応用光学誌32,541
7、1993年）、ティコラヴォフ、トルベツコフ（A.V.Tik
horavov，M.K.Trubetskov，GM.DeBell，応用光学誌35,5
493、1996年）、ドブロフスキ、ケンプ（J.A.Dobrowsk
i，R.A.Kemp、応用光学誌29,2876、1990年）が説明して
おり、ここにそれらを引用することで本明細書に援用す
るものである。種々の材料の光学定数、すなわち複合屈
折率N＝n・ikは、ヘンケ（Henke）ほかによる原子散乱
因子から得られ、かつまたバークレイ（B.L.ヘンケ，E.
M.ガリクソン[Gullikson]，J.C.デイヴィス[Davis]:原
子データおよび核データ表，54[2]，181〜342[1993
年];）のCXROウェブ・サーバーから得られる（http://w
ww.cxro.lbl.gov/optical constants）。使用材料に対
するnとkとの値は、波長の関数として6nm〜42nmからダ
ウンロードされ、nおよびkの値が波長に従属すること
が、すべての計算で含意（implicit）される。特に重要
ないくつかの波長での種々の材料の場合のnとkとの値
は、後出の表１に示してある。本発明による反射材の性
能の向上を示すために、次の例では理想的な「白色」光
照明を用いる。
TFCalc（ソフトウェア・スペクトラ社）を使用して行な
われ、かつLPro（４Ｄテクノロジー社）を用いて検証さ
れた計算によって得られるものである。組み込まれたTF
Calcの全体的最適化および指針（needle）最適化ルーチ
ンが、最適化処置に使用された。この処置については、
ティコラヴォフ（A.V.Tikhoravov，応用光学誌32,541
7、1993年）、ティコラヴォフ、トルベツコフ（A.V.Tik
horavov，M.K.Trubetskov，GM.DeBell，応用光学誌35,5
493、1996年）、ドブロフスキ、ケンプ（J.A.Dobrowsk
i，R.A.Kemp、応用光学誌29,2876、1990年）が説明して
おり、ここにそれらを引用することで本明細書に援用す
るものである。種々の材料の光学定数、すなわち複合屈
折率N＝n・ikは、ヘンケ（Henke）ほかによる原子散乱
因子から得られ、かつまたバークレイ（B.L.ヘンケ，E.
M.ガリクソン[Gullikson]，J.C.デイヴィス[Davis]:原
子データおよび核データ表，54[2]，181〜342[1993
年];）のCXROウェブ・サーバーから得られる（http://w
ww.cxro.lbl.gov/optical constants）。使用材料に対
するnとkとの値は、波長の関数として6nm〜42nmからダ
ウンロードされ、nおよびkの値が波長に従属すること
が、すべての計算で含意（implicit）される。特に重要
ないくつかの波長での種々の材料の場合のnとkとの値
は、後出の表１に示してある。本発明による反射材の性
能の向上を示すために、次の例では理想的な「白色」光
照明を用いる。
【００１６】比較例１ 比較例１は、ゼロドゥア（Zerodur）（RTM）ガラス基板
上に成長した最適化されていない50周期Mo/Siシステム
から成る標準Si基多層積層体であり、該基板はｄMo＝2.
8nmおよびｄSi＝4.1nmを生じる分配率（partition rati
o）Γ＝0.4を有している。加えて、最終Si層は、酸化さ
れ、効果的に-2nmの天然酸化物層を生成すると思われ
る。この積層体の分析では、-13.4nmでR＝0.731のピー
ク反射度が得られる。この積層体は、本発明による積層
体の性能比較の基準となるものである。 例２〜２３ 本発明による例２〜２３は、後出の表２に詳細に示した
ように、基準例１の積層体の変化形から成っている。表
２の欄２には、積層体の複数層に用いられる材料が挙げ
られ、欄３には、適用された最適化が示されている。す
なわちＮは最適化を行わなかったことを示し、Ｙは全体
的最適化を、Ｙ（ｎ）は指針（needle）最適化（なお後
述する）を表している。欄４には、用いられたキャッピ
ング層が、欄５には、ピーク反射度Ｒが、欄６には、関
連ユニット内でのピーク反射度R9 peakが、欄７には、関
連ユニット内での（集積）反射度R9 intが、それぞれ示
されている。
上に成長した最適化されていない50周期Mo/Siシステム
から成る標準Si基多層積層体であり、該基板はｄMo＝2.
8nmおよびｄSi＝4.1nmを生じる分配率（partition rati
o）Γ＝0.4を有している。加えて、最終Si層は、酸化さ
れ、効果的に-2nmの天然酸化物層を生成すると思われ
る。この積層体の分析では、-13.4nmでR＝0.731のピー
ク反射度が得られる。この積層体は、本発明による積層
体の性能比較の基準となるものである。 例２〜２３ 本発明による例２〜２３は、後出の表２に詳細に示した
ように、基準例１の積層体の変化形から成っている。表
２の欄２には、積層体の複数層に用いられる材料が挙げ
られ、欄３には、適用された最適化が示されている。す
なわちＮは最適化を行わなかったことを示し、Ｙは全体
的最適化を、Ｙ（ｎ）は指針（needle）最適化（なお後
述する）を表している。欄４には、用いられたキャッピ
ング層が、欄５には、ピーク反射度Ｒが、欄６には、関
連ユニット内でのピーク反射度R9 peakが、欄７には、関
連ユニット内での（集積）反射度R9 intが、それぞれ示
されている。
【００１７】９反射材システムの場合、光学的スループ
ットのより有用な尺度は、一連の９個の反射材の正味反
射度であるR9の値である。R9 intは、R9対λ（波長）ス
ペクトルの曲線より下の区域である。所定積層体の場合
のR9 peakとR9 intとの間の変化は、最適化処置、組み入
れられた材料、キャッピング層の材料のいずれかの関
数、またはこれら３つの何らかの組合わせの関数である
スペクトル半値幅の変化を示す。例２〜２０のすべての
最終表面層は、4.1nm〜4.5nmのSi層であり、該層上に
は、欄４に示したキャッピング層が析出されるか、また
はSiOの場合には成長せしめられる。SiO2の成長には、
表面Si層が消費されるので、例２の場合、酸化前には、
表面の２層は2nmのSi層、残りの複数層は約4nmのSi層で
あり、多層の最終層と見なされる層は2nmのSiO2層であ
る。例２１〜２３は4.0nm〜4.4nmのRb層で終わり、この
層に欄４に示した仕様のキャッピング層が析出される。
ットのより有用な尺度は、一連の９個の反射材の正味反
射度であるR9の値である。R9 intは、R9対λ（波長）ス
ペクトルの曲線より下の区域である。所定積層体の場合
のR9 peakとR9 intとの間の変化は、最適化処置、組み入
れられた材料、キャッピング層の材料のいずれかの関
数、またはこれら３つの何らかの組合わせの関数である
スペクトル半値幅の変化を示す。例２〜２０のすべての
最終表面層は、4.1nm〜4.5nmのSi層であり、該層上に
は、欄４に示したキャッピング層が析出されるか、また
はSiOの場合には成長せしめられる。SiO2の成長には、
表面Si層が消費されるので、例２の場合、酸化前には、
表面の２層は2nmのSi層、残りの複数層は約4nmのSi層で
あり、多層の最終層と見なされる層は2nmのSiO2層であ
る。例２１〜２３は4.0nm〜4.4nmのRb層で終わり、この
層に欄４に示した仕様のキャッピング層が析出される。
【００１８】例２は、最適化されていないMo/Si積層体
であり、この積層体では、2nmの天然酸化物が6nmのSi表
面層上に成長でき（比較例１の4nm表面層と比較され
る）、この結果、Rが1%増、R9 peakが13%増、R9 intが7%
増となる。例３では、R9 intの25%の利得が、2nmのBのキ
ャッピング層析出によって達せられる。更に、例４〜例
７での増加は、RhまたはRuをキャッピング層に選択し、
積層体を最適化することで得られる。２成分（Mo/Si）
多層積層体の場合に最高36%増にするには、例７に示す
ような最適化によって達成できる。図２は、1.5nmのキ
ャッピング層を有する51周期（102層）の最適化されたM
o/Si積層体の層構造を示している。この図では、層０は
基板表面である。見られるように、Mo/Si積層体の最適
化の結果、積層体全体の層厚が漸次円滑に変化する一
方、周期幅は、名目上、約6.8nm〜7.0nmの範囲で一定に
とどまる。基板近くでは、dMo＝dSi＝3.5nmが、表面近
くでdMo＝2.7nmとdSi＝4.2nmとに変化する。図２に示し
た積層体の場合、分配率Γが、表面から始めの20周期
（１周期＝１対の層、すなわち１つのMo層と１つのSi
層）では約0.4にとどまり、その後、次第に変化して基
板のところで約0.5になる。したがって、材料内の吸光
率が高いほど、表面近くでの厚さが薄くなって、最適反
射応答が得られるように思われる。この現象について
は、更に後述する。
であり、この積層体では、2nmの天然酸化物が6nmのSi表
面層上に成長でき（比較例１の4nm表面層と比較され
る）、この結果、Rが1%増、R9 peakが13%増、R9 intが7%
増となる。例３では、R9 intの25%の利得が、2nmのBのキ
ャッピング層析出によって達せられる。更に、例４〜例
７での増加は、RhまたはRuをキャッピング層に選択し、
積層体を最適化することで得られる。２成分（Mo/Si）
多層積層体の場合に最高36%増にするには、例７に示す
ような最適化によって達成できる。図２は、1.5nmのキ
ャッピング層を有する51周期（102層）の最適化されたM
o/Si積層体の層構造を示している。この図では、層０は
基板表面である。見られるように、Mo/Si積層体の最適
化の結果、積層体全体の層厚が漸次円滑に変化する一
方、周期幅は、名目上、約6.8nm〜7.0nmの範囲で一定に
とどまる。基板近くでは、dMo＝dSi＝3.5nmが、表面近
くでdMo＝2.7nmとdSi＝4.2nmとに変化する。図２に示し
た積層体の場合、分配率Γが、表面から始めの20周期
（１周期＝１対の層、すなわち１つのMo層と１つのSi
層）では約0.4にとどまり、その後、次第に変化して基
板のところで約0.5になる。したがって、材料内の吸光
率が高いほど、表面近くでの厚さが薄くなって、最適反
射応答が得られるように思われる。この現象について
は、更に後述する。
【００１９】例８〜例１２の３成分システムは、始めは
２成分Mo/Si積層体として構成され、Mo層とSi層との間
に、初期厚がゼロに設定された第３材料が挿入されてい
る。次いで、予め設定された目標反射度に接近するま
で、全体的最適化によりすべての層の厚さが変更され
る。Mo-Rh/SiとMo-Ru/Siとの場合、Moは表面近くが好ま
しく、RhまたはRuは基板近くが好ましいのに対して、Mo
-RbCl/Siシステムの場合には、RbCl（単一の存在）が部
分的に積層体の中央のSiに代わる、つまり隣接するRbCl
層とSi層の合計厚が、標準積層体内のSi厚に近付けられ
る。Mo-Ru/Si積層体の層構造は図３に示してある。この
積層体は、最上層を含めて50Si層を有し、したがって、
全体で148層を有し、加えて1.5nmのRuキャッピング層を
有している。図では、層０が基板表面である。Mo-Ru/Si
システムの場合、計算スループットで標準Mo/Si積層体
より50%の増が認められる。
２成分Mo/Si積層体として構成され、Mo層とSi層との間
に、初期厚がゼロに設定された第３材料が挿入されてい
る。次いで、予め設定された目標反射度に接近するま
で、全体的最適化によりすべての層の厚さが変更され
る。Mo-Rh/SiとMo-Ru/Siとの場合、Moは表面近くが好ま
しく、RhまたはRuは基板近くが好ましいのに対して、Mo
-RbCl/Siシステムの場合には、RbCl（単一の存在）が部
分的に積層体の中央のSiに代わる、つまり隣接するRbCl
層とSi層の合計厚が、標準積層体内のSi厚に近付けられ
る。Mo-Ru/Si積層体の層構造は図３に示してある。この
積層体は、最上層を含めて50Si層を有し、したがって、
全体で148層を有し、加えて1.5nmのRuキャッピング層を
有している。図では、層０が基板表面である。Mo-Ru/Si
システムの場合、計算スループットで標準Mo/Si積層体
より50%の増が認められる。
【００２０】例１２は、指針最適化（needle optimisat
ion）を利用した場合の、Mo-Ru/SiシステムでのR9 intの
改善を示したものである。指針最適化ルーチンでは、指
定材料の付加層、この場合はゼロに近い厚さのMo，Ru，
Rhが、周期的に積層体に付加される。これらの層は、次
いで局所最適化処置により成長せしめられるか、除かれ
るかする。したがって、指針最適化された積層体は、ま
たRhと付加Mo層とを含み、その結果、標準積層体に比較
してR9 intの59%増となる。また、この場合、R9 int＞R9
peakであり、ピーク反射度が、最適化された標準Mo-Ru/
Si積層体の場合より僅かだけ低い0.764の値となる点に
注目すべきである。このことは、事実上、比較的広いス
ペクトル半値幅が、R9と13.4nm域での波長との関係を示
す図４に見られるように、指針最適化処置の結果得られ
ることを示している。曲線Ａは、基準例１の標準Mo/Si
積層体、曲線Ｂは、例４の、最適化されたMo/Si積層
体、曲線Ｃは、例１２の、指針最適化されたMo-Ru/Si積
層体、曲線Ｄは、例１９の、指針最適化されたMo-Ru-Sr
/Si積層体、曲線Ｅは、例２２の、最適化されたMo/Rb積
層体を、それぞれで示している。
ion）を利用した場合の、Mo-Ru/SiシステムでのR9 intの
改善を示したものである。指針最適化ルーチンでは、指
定材料の付加層、この場合はゼロに近い厚さのMo，Ru，
Rhが、周期的に積層体に付加される。これらの層は、次
いで局所最適化処置により成長せしめられるか、除かれ
るかする。したがって、指針最適化された積層体は、ま
たRhと付加Mo層とを含み、その結果、標準積層体に比較
してR9 intの59%増となる。また、この場合、R9 int＞R9
peakであり、ピーク反射度が、最適化された標準Mo-Ru/
Si積層体の場合より僅かだけ低い0.764の値となる点に
注目すべきである。このことは、事実上、比較的広いス
ペクトル半値幅が、R9と13.4nm域での波長との関係を示
す図４に見られるように、指針最適化処置の結果得られ
ることを示している。曲線Ａは、基準例１の標準Mo/Si
積層体、曲線Ｂは、例４の、最適化されたMo/Si積層
体、曲線Ｃは、例１２の、指針最適化されたMo-Ru/Si積
層体、曲線Ｄは、例１９の、指針最適化されたMo-Ru-Sr
/Si積層体、曲線Ｅは、例２２の、最適化されたMo/Rb積
層体を、それぞれで示している。
【００２１】３成分積層体内の層の順序は変更可能であ
る。例えば、Mo-Rh/Siの代わりにRh-Mo/Siを用いてもよ
く、またMo-Ru/Siの代わりにRu-Mo/Siを用いてもよい。
例１３〜例２０の４成分積層体は、前述の３成分積層体
と似た形式で構成された。最も好ましい組み合わせは、
出力強度の相対増が最大88%のMo-Ru-Sr/Siである。図５
は、Ruキャッピング層を有する50周期Mo-Ru-Sr/Siの層
厚（nm）を示している。既述のように、層0は基板表面
を表している。また基板の始めの50層内では、RuがMoよ
り優位を占める。Mo層厚断面内のスパイク波形は、数値
最適化技術が示唆するように、Ru層全体がMo層に取り替
えられた層を示している。このことはR9 intの利得にと
って重要なことではなく、関連する複数Mo層は、複数対
のMo/Ru層に取り替えることができる。Srは、積層体内
のSiに対し類似の働きをする。これは、Srが高いｎ値と
低い吸光係数ｋとを有するためである（表１参照）。Sr
層内での低い吸光率は、積層体の上半部では好ましい。
既述のMo-Ru/Siの例の場合にように、Si、Sr、Ru、Moの
厚さの合計は、図２に示した最適化されたSiおよびSrの
厚さに、それぞれ近づいている。材料の好ましい順序は
Ru-Mo-Sr-Siである。複数層の組分けも変更でき、例え
ばRu-Mo-Sr/Siは、計算目的の場合、Ru-Mo/Sr-Siと見な
してよい。
る。例えば、Mo-Rh/Siの代わりにRh-Mo/Siを用いてもよ
く、またMo-Ru/Siの代わりにRu-Mo/Siを用いてもよい。
例１３〜例２０の４成分積層体は、前述の３成分積層体
と似た形式で構成された。最も好ましい組み合わせは、
出力強度の相対増が最大88%のMo-Ru-Sr/Siである。図５
は、Ruキャッピング層を有する50周期Mo-Ru-Sr/Siの層
厚（nm）を示している。既述のように、層0は基板表面
を表している。また基板の始めの50層内では、RuがMoよ
り優位を占める。Mo層厚断面内のスパイク波形は、数値
最適化技術が示唆するように、Ru層全体がMo層に取り替
えられた層を示している。このことはR9 intの利得にと
って重要なことではなく、関連する複数Mo層は、複数対
のMo/Ru層に取り替えることができる。Srは、積層体内
のSiに対し類似の働きをする。これは、Srが高いｎ値と
低い吸光係数ｋとを有するためである（表１参照）。Sr
層内での低い吸光率は、積層体の上半部では好ましい。
既述のMo-Ru/Siの例の場合にように、Si、Sr、Ru、Moの
厚さの合計は、図２に示した最適化されたSiおよびSrの
厚さに、それぞれ近づいている。材料の好ましい順序は
Ru-Mo-Sr-Siである。複数層の組分けも変更でき、例え
ばRu-Mo-Sr/Siは、計算目的の場合、Ru-Mo/Sr-Siと見な
してよい。
【００２２】図６は、指針最適化された50周期（50Si
層）Mo-Ru-Sr/Si積層体の層厚を示す。Rhは、積層体の
下半部にのみ含まれ、主に始めの40層内にある。最下の
複数層のRhは、Ru層より好ましい。なぜなら、吸光係数
が高いにもかかわらず、Siとの光学的コントラストがよ
り著しいからである。SrとYとは、Yの錯体化学的性質と
Srの高い反応度とのために、あまり容易には析出でき
ず、したがって、従来の積層体より好ましいとはいえな
いが、それでもなお利点はある。Mo-Ru-Zr/SiとMo-Ru-R
bCl/Siとは、Ru-Mo-Zr/SiおよびRu-Mo-RbCl/Siの順序の
層同様に、特に期待される。RbとSiの光学定数の比較
（表１）が示しているのは、Rbが原則としてスペーサ層
としてより好ましい材料であるという点である。13.4nm
でのｎ値がSiのｎ値に似ている（１に近い）ことで、Rb
は、例えばMoおよびRuとの光学的コントラストを維持す
るだろう。加えて、吸光係数ｋがSiのそれに比して低い
値であることで、Rbは最適に近いスペーサ材料となる。
このことは、表２から分かるように、例２１〜例２３に
より証明される。標準Mo/Si積層体より2倍高いR9 int値
を生じる等価Mo/Si積層体に比較されるMo/Rb積層体の場
合、5%のピーク反射度増が見られる。しかし、Rb基のシ
ステムには、Rbの高い反射度と極端に低い融点（39゜C）
とのため、構成上、操作上の難点が存在する。
層）Mo-Ru-Sr/Si積層体の層厚を示す。Rhは、積層体の
下半部にのみ含まれ、主に始めの40層内にある。最下の
複数層のRhは、Ru層より好ましい。なぜなら、吸光係数
が高いにもかかわらず、Siとの光学的コントラストがよ
り著しいからである。SrとYとは、Yの錯体化学的性質と
Srの高い反応度とのために、あまり容易には析出でき
ず、したがって、従来の積層体より好ましいとはいえな
いが、それでもなお利点はある。Mo-Ru-Zr/SiとMo-Ru-R
bCl/Siとは、Ru-Mo-Zr/SiおよびRu-Mo-RbCl/Siの順序の
層同様に、特に期待される。RbとSiの光学定数の比較
（表１）が示しているのは、Rbが原則としてスペーサ層
としてより好ましい材料であるという点である。13.4nm
でのｎ値がSiのｎ値に似ている（１に近い）ことで、Rb
は、例えばMoおよびRuとの光学的コントラストを維持す
るだろう。加えて、吸光係数ｋがSiのそれに比して低い
値であることで、Rbは最適に近いスペーサ材料となる。
このことは、表２から分かるように、例２１〜例２３に
より証明される。標準Mo/Si積層体より2倍高いR9 int値
を生じる等価Mo/Si積層体に比較されるMo/Rb積層体の場
合、5%のピーク反射度増が見られる。しかし、Rb基のシ
ステムには、Rbの高い反射度と極端に低い融点（39゜C）
とのため、構成上、操作上の難点が存在する。
【００２３】基準例２４ 基準例２４は、ゼロデュア（RTM）ガラス基板上に成長
した最適化されない80周期Mo/Beシステムを含む、11.3n
mで使用される多層積層体であり、該基板は、d Mo＝2.3n
mとdBc＝3.4nmを生じる分配率Γ＝0.4を有している。こ
れにより、11.3nmで使用するように調整された例２５〜
例４０用の基準が得られる。
した最適化されない80周期Mo/Beシステムを含む、11.3n
mで使用される多層積層体であり、該基板は、d Mo＝2.3n
mとdBc＝3.4nmを生じる分配率Γ＝0.4を有している。こ
れにより、11.3nmで使用するように調整された例２５〜
例４０用の基準が得られる。
【００２４】例２５〜例４０ 表３は、表２に対応し、本発明による例２５〜例４０の
データを示すものである。これらの例は、11.3nmで使用
するように調整された反射積層体である。最適化の効果
およびキャッピング層析出は、11.3nmの場合、13.4nmの
場合ほど重要ではなく、R9 intが8%だけ改善されるのみ
である。しかし、RuとRhとは、11.3nm窓用には、Moより
好ましい。Ru/Be積層体は、Mo/Be基準例に比して最大70
%増の相対光学スループットを有する一方、Rh/Be積層体
のスループットは33%増である。この値は、Ru/Beの場合
より有意に低い値であるとしても、この組み合わせは、
Rh-Be界面の化学的性質等の要因のため、本発明のいく
つかの用途の場合には好ましいものである。
データを示すものである。これらの例は、11.3nmで使用
するように調整された反射積層体である。最適化の効果
およびキャッピング層析出は、11.3nmの場合、13.4nmの
場合ほど重要ではなく、R9 intが8%だけ改善されるのみ
である。しかし、RuとRhとは、11.3nm窓用には、Moより
好ましい。Ru/Be積層体は、Mo/Be基準例に比して最大70
%増の相対光学スループットを有する一方、Rh/Be積層体
のスループットは33%増である。この値は、Ru/Beの場合
より有意に低い値であるとしても、この組み合わせは、
Rh-Be界面の化学的性質等の要因のため、本発明のいく
つかの用途の場合には好ましいものである。
【００２５】本発明の特に好ましい実施例は、反射度の
著しい増大を示す、「指針」最適化されたRh/Be積層体
である。これは、最適化処置中にPd，Ru，Moを取り込む
ことにより、該積層体が、Rh-Ru-Pd-Mo/BeまたはPd-Rh-
Ru-Mo/Be多成分積層体に効果的に変成されるためであ
る。図７には、1.5nmのRuキャッピング層を有する80周
期（80Be層）Ru-Sr/Be積層体の層厚が示されている。類
似の結果は、Ru/Sr-Be積層体でも達せられる。既述のよ
うに、基板表面は層0で示されている。類似の光学定数
のため、BeとSrとは、基板近くで優勢なRuを有する積層
体内で類似の機能を発揮する。表面近くでのBeとSrとの
合計厚は約4.1nm、Ruの厚さは約1.7nmである。これらの
厚さは、Γ＝0.4の値を有するMo/Be積層体の厚さと明ら
かに異なる。これは、Ruの吸光係数がMoのそれより高い
値だからであり、このためRuの厚さは、より薄い方が好
ましい。Moの代わりにRuを用いることによる利得は、Be
との光学的コントラストの結果増によるものである。好
ましい積層体周期は、Ru-Sr-Beである。
著しい増大を示す、「指針」最適化されたRh/Be積層体
である。これは、最適化処置中にPd，Ru，Moを取り込む
ことにより、該積層体が、Rh-Ru-Pd-Mo/BeまたはPd-Rh-
Ru-Mo/Be多成分積層体に効果的に変成されるためであ
る。図７には、1.5nmのRuキャッピング層を有する80周
期（80Be層）Ru-Sr/Be積層体の層厚が示されている。類
似の結果は、Ru/Sr-Be積層体でも達せられる。既述のよ
うに、基板表面は層0で示されている。類似の光学定数
のため、BeとSrとは、基板近くで優勢なRuを有する積層
体内で類似の機能を発揮する。表面近くでのBeとSrとの
合計厚は約4.1nm、Ruの厚さは約1.7nmである。これらの
厚さは、Γ＝0.4の値を有するMo/Be積層体の厚さと明ら
かに異なる。これは、Ruの吸光係数がMoのそれより高い
値だからであり、このためRuの厚さは、より薄い方が好
ましい。Moの代わりにRuを用いることによる利得は、Be
との光学的コントラストの結果増によるものである。好
ましい積層体周期は、Ru-Sr-Beである。
【００２６】図８には、Be基多層積層体の選択スペクト
ルが示されている。この図が示しているのは、５つの積
層体の場合の11.3nm域でのR9と波長との関係である。Ａ
は基準Mo/Be積層体、ＢはRuキャッピング層を有する最
適化されたMo/Be積層体、Ｃは最適化されたRu/Be積層
体、Ｄは指針最適化されたRh/Be積層体、ＥはRuキャッ
ピング層を有する最適化されたRu-Sr/Be積層体である。
例３５〜例４０は、最高で２倍のスループット増を生じ
させる、ストロンチウムを含む３成分システムである。
この波長域では、RhとRuは、キャッピング層として最適
であり、Rを0.7%〜1.0%増加させる。
ルが示されている。この図が示しているのは、５つの積
層体の場合の11.3nm域でのR9と波長との関係である。Ａ
は基準Mo/Be積層体、ＢはRuキャッピング層を有する最
適化されたMo/Be積層体、Ｃは最適化されたRu/Be積層
体、Ｄは指針最適化されたRh/Be積層体、ＥはRuキャッ
ピング層を有する最適化されたRu-Sr/Be積層体である。
例３５〜例４０は、最高で２倍のスループット増を生じ
させる、ストロンチウムを含む３成分システムである。
この波長域では、RhとRuは、キャッピング層として最適
であり、Rを0.7%〜1.0%増加させる。
【００２７】例４１〜例４４ 11nm〜14nm域のEUVについての、種々の多層システムの
前記コンピュータ分析から、９ミラー光学システムの場
合のピーク反射度および集積反射度の有意な増大が可能
であることが分かるだろう。キャッピング層の選択と、
全体的最適化と指針最適化のルーチンと、それに最も重
要な、積層体内での材料の付加または交換とを組み合わ
せることによって、反射度増強の処方が得られるように
思われる。種々の真空蒸着技術を用いて概して容易に析
出されるRhおよびRu等の金属からは、特に、11.3nm域で
Beとの組み合わせで利点が得られる。前記域では、前記
金属の理論性能は、Moのそれをしのいでいる。更に、既
述の種々の組み合わせを用いることで、Mo/Si（Be）に
関連する界面粗さの問題が幾分緩和されることも考えら
れる。
前記コンピュータ分析から、９ミラー光学システムの場
合のピーク反射度および集積反射度の有意な増大が可能
であることが分かるだろう。キャッピング層の選択と、
全体的最適化と指針最適化のルーチンと、それに最も重
要な、積層体内での材料の付加または交換とを組み合わ
せることによって、反射度増強の処方が得られるように
思われる。種々の真空蒸着技術を用いて概して容易に析
出されるRhおよびRu等の金属からは、特に、11.3nm域で
Beとの組み合わせで利点が得られる。前記域では、前記
金属の理論性能は、Moのそれをしのいでいる。更に、既
述の種々の組み合わせを用いることで、Mo/Si（Be）に
関連する界面粗さの問題が幾分緩和されることも考えら
れる。
【００２８】例えばMo-Rh/SiとMo-Ru/Siの積層体では、
基板近くや、逆に表面近くでRh（Ru）がMoより優勢とな
ることで成績が改善される。これは、13.4nmの場合、Rh
とRuが、MoとよりもSiと高い光学的コントラストを示す
からである。他方、吸光係数ｋの値、したがって層内の
吸光率の値は、MoのほうがRhおよびRuより低い。積層体
表面近くでは、低吸光率にして、入射放射線ができるだ
け深くに透過するようにすることで、フェーザ加算が最
大となるようにする。反射強度を最大化するには、しか
し、強度が減少する積層体内の深部で光学的コントラス
トが増大することが好ましい。Srを積層体に組入れる場
合、Srが積層体の表面区域近く位置するようにして、部
分的にSiと代わるようにするのが好ましい。これも、同
じような論拠で説明できる。すなわち、Srのｎ値はSiの
それより低い値であり、したがって、ｎ値の低い材料と
の光学的コントラストが僅かに低くなる一方、Srのｋ値
がSiのそれより低いことは（表１参照）、層内での吸光
率がより低いことを意味し、したがって積層体表面近く
にSrが位置することが好ましい。11.3nmの場合のBe基積
層体について得られたデータは、類似の効果が得られる
ことを示している。
基板近くや、逆に表面近くでRh（Ru）がMoより優勢とな
ることで成績が改善される。これは、13.4nmの場合、Rh
とRuが、MoとよりもSiと高い光学的コントラストを示す
からである。他方、吸光係数ｋの値、したがって層内の
吸光率の値は、MoのほうがRhおよびRuより低い。積層体
表面近くでは、低吸光率にして、入射放射線ができるだ
け深くに透過するようにすることで、フェーザ加算が最
大となるようにする。反射強度を最大化するには、しか
し、強度が減少する積層体内の深部で光学的コントラス
トが増大することが好ましい。Srを積層体に組入れる場
合、Srが積層体の表面区域近く位置するようにして、部
分的にSiと代わるようにするのが好ましい。これも、同
じような論拠で説明できる。すなわち、Srのｎ値はSiの
それより低い値であり、したがって、ｎ値の低い材料と
の光学的コントラストが僅かに低くなる一方、Srのｋ値
がSiのそれより低いことは（表１参照）、層内での吸光
率がより低いことを意味し、したがって積層体表面近く
にSrが位置することが好ましい。11.3nmの場合のBe基積
層体について得られたデータは、類似の効果が得られる
ことを示している。
【００２９】例４１〜例４４は、キセノン-ジェット・
レーザ誘起プラズマ源（Xe-Jet LPS）を用いて使用する
ために設計され、該プラズマ源は、既述の反射材の設計
域より幾分低い約10.9nmのピーク出力強度を有してい
る。図９は、種々の反射材のR9反射度（左軸）および相
対Xe-Jet LPS放射強度（右軸）と波長（nm）（X軸）と
の関係を示すものである。図９では、（ａ）が、従来の
最適化されていないMo/Si積層体のスペクトル応答であ
り、相対反射度の図形の基準として使用され、（ｂ）
は、既述の例７に類似の、最適化されたMo/Si積層体で
あり、（ｃ）は、最適化されたRh-Ru-Mo/Sr-Si積層体で
あり、（ｄ）は、既述の比較例２４に類似した従来の、
最適化されていないMo/Be積層体であり、（ｅ）は、既
述の例４０に類似の最適化されたRh-Mo/Be積層体であ
り、（ｆ）は、最適化されたPd-Rh-Ru-Mo/Be積層体であ
り、（ｇ）は、本発明の例４１を構成する最適化された
Pd-Rh-Ru/RbCl積層体であり、（ｈ）は、本発明の例４
２を構成する最適化されたRh-Ru/P積層体であり、
（ｉ）は、本発明の例４３を構成する最適化されたRh-R
u/Srである。
レーザ誘起プラズマ源（Xe-Jet LPS）を用いて使用する
ために設計され、該プラズマ源は、既述の反射材の設計
域より幾分低い約10.9nmのピーク出力強度を有してい
る。図９は、種々の反射材のR9反射度（左軸）および相
対Xe-Jet LPS放射強度（右軸）と波長（nm）（X軸）と
の関係を示すものである。図９では、（ａ）が、従来の
最適化されていないMo/Si積層体のスペクトル応答であ
り、相対反射度の図形の基準として使用され、（ｂ）
は、既述の例７に類似の、最適化されたMo/Si積層体で
あり、（ｃ）は、最適化されたRh-Ru-Mo/Sr-Si積層体で
あり、（ｄ）は、既述の比較例２４に類似した従来の、
最適化されていないMo/Be積層体であり、（ｅ）は、既
述の例４０に類似の最適化されたRh-Mo/Be積層体であ
り、（ｆ）は、最適化されたPd-Rh-Ru-Mo/Be積層体であ
り、（ｇ）は、本発明の例４１を構成する最適化された
Pd-Rh-Ru/RbCl積層体であり、（ｈ）は、本発明の例４
２を構成する最適化されたRh-Ru/P積層体であり、
（ｉ）は、本発明の例４３を構成する最適化されたRh-R
u/Srである。
【００３０】例４１〜例４３は、既述のその他の例より
低い値のR9 peakとR9 intを有してはいるが、Xe-Jet LPS
の最大放射に極めて近いピーク反射度が得られる利点を
有している。したがって、この放射源とともに使用する
には理想的である。最適化されていないMo/Si積層体の
スループットを1.0とすると、例４１（ｇ），４２
（ｈ），４３（ｉ）では、それぞれ3.0、5.7、6.5の相
対スループットが得られる。これらのスループットは、
また5.7のMo/Be積層体（ｄ）のスループットと十分に比
肩し得る値であり、きわめて毒性の高いBeの使用が避け
られる。ピーク反射度の更なる改善は、PとSrを組み合
わせた４成分積層体、たとえばRu-Ru/P-Ceにより、9.0n
m〜12nm域で0.75を超える値を得ることで達せられる。
例４４には、更に別の利点が示されている。例４４は、
10.9nmでR＝0.776のピーク反射度を有する指針最適化さ
れたRh-Ru/Sr-Ce積層体である。図１０は、10nm〜12nm
域で例４４のR（左軸）およびR9（右軸）が、波長に完
全従属する関係を示した線図である。図１１は、この積
層体の層厚を示している。
低い値のR9 peakとR9 intを有してはいるが、Xe-Jet LPS
の最大放射に極めて近いピーク反射度が得られる利点を
有している。したがって、この放射源とともに使用する
には理想的である。最適化されていないMo/Si積層体の
スループットを1.0とすると、例４１（ｇ），４２
（ｈ），４３（ｉ）では、それぞれ3.0、5.7、6.5の相
対スループットが得られる。これらのスループットは、
また5.7のMo/Be積層体（ｄ）のスループットと十分に比
肩し得る値であり、きわめて毒性の高いBeの使用が避け
られる。ピーク反射度の更なる改善は、PとSrを組み合
わせた４成分積層体、たとえばRu-Ru/P-Ceにより、9.0n
m〜12nm域で0.75を超える値を得ることで達せられる。
例４４には、更に別の利点が示されている。例４４は、
10.9nmでR＝0.776のピーク反射度を有する指針最適化さ
れたRh-Ru/Sr-Ce積層体である。図１０は、10nm〜12nm
域で例４４のR（左軸）およびR9（右軸）が、波長に完
全従属する関係を示した線図である。図１１は、この積
層体の層厚を示している。
【００３１】例４５〜例４８ 表４には別のいくつかの積層体構成が示されている。こ
の表では、例４５はRu-Nb/Siの３層積層体である。この
積層体は、ニオブもSi基積層体では改善に役立つが、他
の点では、表２の例８〜例１２の場合と同じであること
を示している。12.8nmでの使用時には、種々の多層積層
体が最適である。表５の例４７と例４８とは、そのよう
な２つの多層積層体である。例４６では、12.8nmでの従
来のMo/SiのR値（比較例１と等価）が与えられる。容易
に分かることは、Moの一部に代えてRuを加えることによ
り、この周波数で反射度が改善される一方、シリコンの
一部に代えてベリリウムをスペーサとして使用すること
により更に反射度が改善されることである。概して、ラ
ンタノイド（希土金属）は、Mo，Ru，Rh等の金属と良好
な光学的コントラストを有し、基板近くの反射材として
好ましい。基板近くの位置で光学的コントラストが得ら
れるのは、ランタノイドが１に極めて近い屈折率ｎを有
するからであり、この点が、9nm〜16nm域で他の材料ほ
ど吸光係数ｋが低い値ではない欠点を補って余りある点
である。ランタンは、13nmの場合または13nmに近い場合
に特に好ましい。
の表では、例４５はRu-Nb/Siの３層積層体である。この
積層体は、ニオブもSi基積層体では改善に役立つが、他
の点では、表２の例８〜例１２の場合と同じであること
を示している。12.8nmでの使用時には、種々の多層積層
体が最適である。表５の例４７と例４８とは、そのよう
な２つの多層積層体である。例４６では、12.8nmでの従
来のMo/SiのR値（比較例１と等価）が与えられる。容易
に分かることは、Moの一部に代えてRuを加えることによ
り、この周波数で反射度が改善される一方、シリコンの
一部に代えてベリリウムをスペーサとして使用すること
により更に反射度が改善されることである。概して、ラ
ンタノイド（希土金属）は、Mo，Ru，Rh等の金属と良好
な光学的コントラストを有し、基板近くの反射材として
好ましい。基板近くの位置で光学的コントラストが得ら
れるのは、ランタノイドが１に極めて近い屈折率ｎを有
するからであり、この点が、9nm〜16nm域で他の材料ほ
ど吸光係数ｋが低い値ではない欠点を補って余りある点
である。ランタンは、13nmの場合または13nmに近い場合
に特に好ましい。
【００３２】本発明で使用可能な更に別のスペーサは、
多孔質材料、例えばバルクシリカの約1/10の密度を有す
る低密度（多孔質）シリカ（エーロゲル）である。図１
２は、その種の多孔質シリカを用いたRh-Ru/SiO2-aero
積層体の波長感度を示している。該積層体の、11nm未満
の比較的広い域の反射率ピークが示されている。使用で
きる他の低密度材料には、チタニアとアルミナのエーロ
ゲルや、ナノポーラス・シリコン、メソポーラス・シリ
コン、ナノクラスタ・シリコン、その他の半導体が挙げ
られる。これらの材料は、8nm〜20nmの特定波長に調整
された反射材の製造に使用できる。これらの材料が有用
なのは、ｎ値とｋ値が密度に従属しているからである。
密度が低くなるにつれて、屈折率ｎは１となる傾向があ
り、吸光係数ｋはゼロになる傾向がある。典型的なSiエ
ーロゲルの密度は、0.2gcm3であるのに対し、多孔質Si
の密度は1.63gcm3である。
多孔質材料、例えばバルクシリカの約1/10の密度を有す
る低密度（多孔質）シリカ（エーロゲル）である。図１
２は、その種の多孔質シリカを用いたRh-Ru/SiO2-aero
積層体の波長感度を示している。該積層体の、11nm未満
の比較的広い域の反射率ピークが示されている。使用で
きる他の低密度材料には、チタニアとアルミナのエーロ
ゲルや、ナノポーラス・シリコン、メソポーラス・シリ
コン、ナノクラスタ・シリコン、その他の半導体が挙げ
られる。これらの材料は、8nm〜20nmの特定波長に調整
された反射材の製造に使用できる。これらの材料が有用
なのは、ｎ値とｋ値が密度に従属しているからである。
密度が低くなるにつれて、屈折率ｎは１となる傾向があ
り、吸光係数ｋはゼロになる傾向がある。典型的なSiエ
ーロゲルの密度は、0.2gcm3であるのに対し、多孔質Si
の密度は1.63gcm3である。
【００３３】例４９〜例６５ 使用可能なキャッピング層の別の例は、既出の表と等し
いデータが記載されている表５および表６に示されてい
る。表５では、例４９が、最適化された（13.4nm用に）
50周期Mo/Si積層体からなる比較例であり、該積層体の
最も外側の層は2nmのSiO2だが、この層は、積層体内の
最終Si層の自然酸化によって生成したものである。この
比較例は、本発明の例５０〜例５７に対するR9 peakとR9
intとの相対値の基準を形成している。これらの例は、
比較例４９とは、前記キャッピング層が異なるだけであ
り、該キャッピング層は、酸化する前に積層体の最終Si
層に析出される。パラジウム（Pd）、炭化ホウ素（B
4C）、窒化ホウ素（BN）、炭化ケイ素（SiC）、窒化ケ
イ素（Si3N 4）、ダイヤモンド様炭素（dl-C）のそれぞ
れが、反射率の改善または許容し得る減少を示す一方、
化学的侵害に対して高い程度の耐性を示す。
いデータが記載されている表５および表６に示されてい
る。表５では、例４９が、最適化された（13.4nm用に）
50周期Mo/Si積層体からなる比較例であり、該積層体の
最も外側の層は2nmのSiO2だが、この層は、積層体内の
最終Si層の自然酸化によって生成したものである。この
比較例は、本発明の例５０〜例５７に対するR9 peakとR9
intとの相対値の基準を形成している。これらの例は、
比較例４９とは、前記キャッピング層が異なるだけであ
り、該キャッピング層は、酸化する前に積層体の最終Si
層に析出される。パラジウム（Pd）、炭化ホウ素（B
4C）、窒化ホウ素（BN）、炭化ケイ素（SiC）、窒化ケ
イ素（Si3N 4）、ダイヤモンド様炭素（dl-C）のそれぞ
れが、反射率の改善または許容し得る減少を示す一方、
化学的侵害に対して高い程度の耐性を示す。
【００３４】表６では、例５８が、最適化された（11.3
nm用に）80周期Mo/Be積層体からなる比較例であり、同
じように最終Be層の自然酸化により生成される2nmのBeO
が最も外側の層になっている。この比較例は、本発明の
例５９〜例６５の場合のR9 pe akとR9 intとの相対値の基
準を形成している。例５９〜例６５が比較例５８と異な
る点は、前記キャッピング層だけであり、該キャッピン
グ層は、外側Be層が酸化する前に析出される。各材料層
により反射度は改善されるか、または許容し得る減少を
示すが、他方、化学的な侵害に対する高い程度の耐性を
示す。 例６６〜例７６ 例６６〜例７６では、キャッピング層が、多層被覆の修
正された最終層並びに専用キャッピング内層を含むこと
で、２層または３層の保護構成体が形成され、表面の厚
さが全体にわたって増加せしめられ、かつ多層析出によ
る不完全な被覆の恐れが低減されている。こうした点が
図１３に示されている。本発明の例６６〜例７６の反射
材は、基板１０を含み、基板１０には、第１材料１１と
第２材料１２との交互の、Ｎ周期の層が析出される。図
１３には、第１周期１３のみが示されているが、最後の
周期を除いて、すべての周期が類似している。最後の第
Ｎ周期は、第１材料の層１５と、第３材料の層１６と、
キャッピング材料のキャッピング内層１７とを含んでい
る。以下では、第１材料をＸで、第２材料をＹで、第３
材料をＺで表すことにする。
nm用に）80周期Mo/Be積層体からなる比較例であり、同
じように最終Be層の自然酸化により生成される2nmのBeO
が最も外側の層になっている。この比較例は、本発明の
例５９〜例６５の場合のR9 pe akとR9 intとの相対値の基
準を形成している。例５９〜例６５が比較例５８と異な
る点は、前記キャッピング層だけであり、該キャッピン
グ層は、外側Be層が酸化する前に析出される。各材料層
により反射度は改善されるか、または許容し得る減少を
示すが、他方、化学的な侵害に対する高い程度の耐性を
示す。 例６６〜例７６ 例６６〜例７６では、キャッピング層が、多層被覆の修
正された最終層並びに専用キャッピング内層を含むこと
で、２層または３層の保護構成体が形成され、表面の厚
さが全体にわたって増加せしめられ、かつ多層析出によ
る不完全な被覆の恐れが低減されている。こうした点が
図１３に示されている。本発明の例６６〜例７６の反射
材は、基板１０を含み、基板１０には、第１材料１１と
第２材料１２との交互の、Ｎ周期の層が析出される。図
１３には、第１周期１３のみが示されているが、最後の
周期を除いて、すべての周期が類似している。最後の第
Ｎ周期は、第１材料の層１５と、第３材料の層１６と、
キャッピング材料のキャッピング内層１７とを含んでい
る。以下では、第１材料をＸで、第２材料をＹで、第３
材料をＺで表すことにする。
【００３５】第１材料Ｘは、MO，Ru，Rh，Nb，Pd，Y，Z
rのうちの１つ以上、第２材料Ｙは、Be，Si，Sr，Rb，R
bCl，Pのうちの1つ以上である。最終周期は、第１材料
Ｘが既述のように選択される一方、第３材料Ｚが、並の
値の屈折率ｎ（＞0.96）と十分に低い吸光係数ｋ（＜0.
01）とを有する1組の、不活性性と安定性で知られる材
料から選択されるように構成されている。10nm〜15nmの
スペクトル域には、次の材料、すなわちB4C，BN，ダイ
アモンド様C，Si3N4，SiCが適当である。これらの材料
は、理想的な「スペーサ」ではないが、層１６内での吸
光による反射損失は、多層による長期的な化学的、構造
的保全性により緩和される。加えて、層１５、１６の組
み合わせは、-2 四分波長の光学的全厚（この場合、四
分波の光学的厚さは、QW＝4nd/λで与えられる）を有
し、このため、反射係数に寄与し、比較的厚い（＞3n
m）キャッピング層によって生じる反射度の著しい減少
を防止する。加えて、キャッピング層１７の材料は、屈
折率ｎが低いので、高い光学的コントラストが、層１
６、１７間に維持される。層１６、１７の境界は、また
入射波と反射波との重なりによって形成される定常波の
節を局在させるのに役立つ。この構成の場合、キャッピ
ング層１７に適当な材料は、Ru，Rh，Pd，ダイアモンド
様Cである。
rのうちの１つ以上、第２材料Ｙは、Be，Si，Sr，Rb，R
bCl，Pのうちの1つ以上である。最終周期は、第１材料
Ｘが既述のように選択される一方、第３材料Ｚが、並の
値の屈折率ｎ（＞0.96）と十分に低い吸光係数ｋ（＜0.
01）とを有する1組の、不活性性と安定性で知られる材
料から選択されるように構成されている。10nm〜15nmの
スペクトル域には、次の材料、すなわちB4C，BN，ダイ
アモンド様C，Si3N4，SiCが適当である。これらの材料
は、理想的な「スペーサ」ではないが、層１６内での吸
光による反射損失は、多層による長期的な化学的、構造
的保全性により緩和される。加えて、層１５、１６の組
み合わせは、-2 四分波長の光学的全厚（この場合、四
分波の光学的厚さは、QW＝4nd/λで与えられる）を有
し、このため、反射係数に寄与し、比較的厚い（＞3n
m）キャッピング層によって生じる反射度の著しい減少
を防止する。加えて、キャッピング層１７の材料は、屈
折率ｎが低いので、高い光学的コントラストが、層１
６、１７間に維持される。層１６、１７の境界は、また
入射波と反射波との重なりによって形成される定常波の
節を局在させるのに役立つ。この構成の場合、キャッピ
ング層１７に適当な材料は、Ru，Rh，Pd，ダイアモンド
様Cである。
【００３６】表７は、７９周期のMo/Beに、既述の構成
の付加周期Ｘ/Ｚが加わった例６６〜例７１用の層材料
と層厚とを示している。これらの例は、11.3nmの場合に
使用するためのものである。例６６では、Be層の全体が
酸化され、Ruキャッピング層が析出される。これは基準
例である。例７６は、SiCが11.3nm域には理想的ではな
いことを示している。しかし、例７０、７１は、75%を
超えるR値が、まだこの構成で可能であることを明瞭に
示している。Rhは、その不活性性のため、Mo層の代わり
に用いられ、CまたはB4Cが層１６として析出され、層１
６にRu被覆が層１７として付加される。これによって、
保護被覆構造を形成する7.7nmの厚さの３層が得られ
る。例６８、６９は、それぞれ例７０、７１に類似して
いるが、重要な相違点は、層１７の厚さが2QWによって
増大し 、その結果、低い値だが、まだかなりの値の反
射度が得られ、13.7nmという事実上比較的高い３層厚が
得られる。
の付加周期Ｘ/Ｚが加わった例６６〜例７１用の層材料
と層厚とを示している。これらの例は、11.3nmの場合に
使用するためのものである。例６６では、Be層の全体が
酸化され、Ruキャッピング層が析出される。これは基準
例である。例７６は、SiCが11.3nm域には理想的ではな
いことを示している。しかし、例７０、７１は、75%を
超えるR値が、まだこの構成で可能であることを明瞭に
示している。Rhは、その不活性性のため、Mo層の代わり
に用いられ、CまたはB4Cが層１６として析出され、層１
６にRu被覆が層１７として付加される。これによって、
保護被覆構造を形成する7.7nmの厚さの３層が得られ
る。例６８、６９は、それぞれ例７０、７１に類似して
いるが、重要な相違点は、層１７の厚さが2QWによって
増大し 、その結果、低い値だが、まだかなりの値の反
射度が得られ、13.7nmという事実上比較的高い３層厚が
得られる。
【００３７】同じように、表８は、４９周期Mo/Siに、
この場合もRuキャッピング層で終わるＸ/Ｚの組み合わ
せで形成される周期が付加された例７２〜例７６の場合
の層材料と層厚とを示している。基準例７２は、完全に
酸化したSi表面層と、その上に設けられたRuキャッピン
グ層を示している。Ｚ層１６には、SiCとB4Cとが最適材
料である。しかし、これらの例が用いられる13.4nmで
は、Moを、より不活性な金属Rhに代えることができない
ため、２層保護構造が形成され、その場合には、層１
６、１７の組み合わせ厚（ｄZ＋ｄCL）は約5.5nm〜6.0n
mである。例７３では、SiC層の厚さは、2QWによって増
大し、その結果、反射度を犠牲にして12.6nmの保護２層
体厚が得られる。キャッピング層に適当なその他の材料
は、Au，MgF2、LiF，C2F4（テフロン（登録商標）），T
iNである。以上、本発明の特定実施例を説明したが、本
発明は、以上の説明とは別様に実施することも可能であ
る。該説明は、本発明を制限する意図のものではない。
この場合もRuキャッピング層で終わるＸ/Ｚの組み合わ
せで形成される周期が付加された例７２〜例７６の場合
の層材料と層厚とを示している。基準例７２は、完全に
酸化したSi表面層と、その上に設けられたRuキャッピン
グ層を示している。Ｚ層１６には、SiCとB4Cとが最適材
料である。しかし、これらの例が用いられる13.4nmで
は、Moを、より不活性な金属Rhに代えることができない
ため、２層保護構造が形成され、その場合には、層１
６、１７の組み合わせ厚（ｄZ＋ｄCL）は約5.5nm〜6.0n
mである。例７３では、SiC層の厚さは、2QWによって増
大し、その結果、反射度を犠牲にして12.6nmの保護２層
体厚が得られる。キャッピング層に適当なその他の材料
は、Au，MgF2、LiF，C2F4（テフロン（登録商標）），T
iNである。以上、本発明の特定実施例を説明したが、本
発明は、以上の説明とは別様に実施することも可能であ
る。該説明は、本発明を制限する意図のものではない。
【表１】
【表２】
【表３】
【表４】
【表５】
【表６】
【表７】
【表８】
【図１】本発明のリソグラフィ投影装置を示す図。
【図２】本発明による51周期の最適化されたMo/Si積層
体内の層厚を示すグラフ。
体内の層厚を示すグラフ。
【図３】本発明による50周期のMo-Ru/Si積層体内の層厚
を示すグラフ。
を示すグラフ。
【図４】本発明の種々のミラーと従来のミラーとの比較
のため、13.4nm域でのR9と波長との関係を示すグラフ。
のため、13.4nm域でのR9と波長との関係を示すグラフ。
【図５】本発明による50周期Mo-Ru-Sr/Si積層体内の層
厚を示すグラフ。
厚を示すグラフ。
【図６】本発明による指針最適化された50周期のMo-Ru-
Sr/Si積層体内の層厚を示すグラフ。
Sr/Si積層体内の層厚を示すグラフ。
【図７】本発明による80周期のRu-Sr/Be積層体内の層厚
を示すグラフ。
を示すグラフ。
【図８】本発明を実施する種々のミラーと従来のミラー
との比較のため、11.3nm域でのR9と波長との関係を示す
グラフ。
との比較のため、11.3nm域でのR9と波長との関係を示す
グラフ。
【図９】従来式および本発明による種々の積層体のR9と
波長との関係、並びにXe-ジェット・レーザ誘起プラズマ
源の放射強度を示すグラフ。
波長との関係、並びにXe-ジェット・レーザ誘起プラズマ
源の放射強度を示すグラフ。
【図１０】本発明によるRh-Ru/Sr-Ce積層体の場合のRお
よびR9と波長との関係を示すグラフ。
よびR9と波長との関係を示すグラフ。
【図１１】本発明による最適化されたRh-Ru/Sr-Ce積層
体内の層厚を示すグラフ。
体内の層厚を示すグラフ。
【図１２】本発明によるRh-Ru/SiO2-aero積層体の場合
のRと波長との関係を示すグラフ。
のRと波長との関係を示すグラフ。
【図１３】本発明によるキャッピング層を有する多層被
覆のグラフ。
覆のグラフ。
ＬＡ 放射システム ＰＢ 極端紫外線の投影ビーム ＭＴ マスクテーブル ＭＡ マスク（レチクル） ＰＭ 第１位置決め装置 ＷＴ 基板テーブル ＰＬ 投影システム Ｗ 基板 Ｃ ターゲット部分（ダイ）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/20 ５０３ Ｇ０３Ｆ 7/20 ５０３ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１５Ｄ
Claims (16)
- 【請求項１】 リソグラフィ投影装置であって、 放射投影ビームを供給する照明システム（ＬＡ，ＩＬ）
と、 マスク（ＭＡ）を保持するための第１対象ホルダを備え
た第１対象テーブル（ＭＴ）と、 基板（Ｗ）を保持する第２対象ホルダを備えた第２対象
テーブルと、 前記基板のターゲット部分（Ｃ）に前記マスクの照明部
分を転写するための投影装置（ＰＬ）とを含むリソグラ
フィ投影装置において、 前記投影ビームの放射線と等しい波長の放射線が入射す
る表面と、前記表面を被覆するキャッピング層とを有す
る少なくとも１つの光学素子であって、前記キャッピン
グ層が不活性の材料で形成されている前記光学素子を特
徴とする、リソグラフィ投影装置。 - 【請求項２】 前記不活性の材料が、前記光学素子の残
部が形成されている材料より不活性である、請求項１に
記載された投影装置。 - 【請求項３】 前記不活性の材料が、前記光学素子の残
部が形成されている材料より酸化が容易でない、請求項
１または請求項２に記載された投影装置。 - 【請求項４】 前記不活性の材料が、前記光学素子の残
部が形成されている材料より硬質である、請求項１から
請求項３までのいずれか１項に記載された投影装置。 - 【請求項５】 前記光学素子がビーム修正素子である、
請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載された
投影装置。 - 【請求項６】 前記光学素子が、多層被覆を有する反射
材であり、前記多層被覆に前記キャッピング層が設けら
れている、請求項５に記載された投影装置。 - 【請求項７】 前記光学素子がセンサである、請求項１
から請求項４までのいずれか１項に記載された投影装
置。 - 【請求項８】 前記キャッピング層が、0.5nm〜10nmの
範囲の厚さを有している、請求項１から請求項７までの
いずれか１項に記載された投影装置。 - 【請求項９】 前記不活性の材料が、ダイヤモンド様の
炭素（C）、窒化ホウ素（BN）、炭化ホウ素（B4C）、窒
化ケイ素（Si3N4）、炭化ケイ素（SiC），B，Pd，Ru，R
h，Au，MgF2，LiF，C2F4，TiNを含む族、並びにそれら
の化合物や合金のなかから選択される、請求項１から請
求項８までのいずれか１項に記載された投影装置。 - 【請求項１０】 前記キャッピング層が、異なる材料製
の２つまたは３つの内層を含む、請求項１から請求項８
までのいずれか１項に記載された投影装置。 - 【請求項１１】 前記光学素子が、前記表面に多層反射
被覆を有する反射材を含み、前記多層反射被覆が、前記
投影ビームの波長で低い屈折率を有する第１材料の複数
層を含み、該複数層が、前記波長で高い屈折率を有する
第２材料の複数層と交互に積層されており、前記キャッ
ピング層が、 前記第１材料製の第１内層と、前記波長で前記第１材料
より高い屈折率を有し、かつ前記第２材料より不活性の
第３材料製の第２内層と、比較的不活性の第４材料で形
成された第３内層とを含み、前記第１、第２、第３の内
層が、前記第３内層が最も外側となる順序で設けられて
いる、請求項１０に記載された投影装置。 - 【請求項１２】 前記第３材料が、前記波長で約0.96を
超える屈折率と、前記波長で約0.01未満の吸光係数を有
する、請求項１１に記載された投影装置。 - 【請求項１３】 前記第１材料が、Mo，Ru，Rh，Nb，P
d，Y，Zrを含む族、並びにこれらの材料の化合物および
合金から選択された１つ以上の材料であり、 前記第２材料が、Be，Si，Sr，Rb，RbCl，Pを含む族、
並びにこれらの材料の化合物および合金から選択された
１つ以上の材料であり、 前記第３材料が、B4C，BN，ダイアモンド様C，Si3N4、S
iCを含む族から選択され、 前記第４材料が、Ru，Rh，Pd，ダイアモンド様Cを含む
族から選択されている、請求項１２に記載された投影装
置。 - 【請求項１４】 前記投影ビームが、8nm〜20nm、の範
囲の波長を有する極端紫外放射線を含む、請求項１から
請求項１３までのいずれか１項に記載された投影装置。 - 【請求項１５】 リソグラフィ投影装置を使用してデバ
イスを製造する方法であって、該リソグラフィ投影装置
が、 放射の投影ビームを供給するための照明システム（Ｌ
Ａ，ＩＬ）と、 マスク（ＭＡ）を保持するための第１対象ホルダを備え
た第１対象テーブル（ＭＴ）と、 基板（Ｗ）を保持するための第２対象ホルダを備えた第
２対象テーブル（ＷＴ）と、 前記基板のターゲット部分（Ｃ）に前記マスクの照明部
分を転写するための投影装置（ＰＬ）とを含んでおり、
前記方法が、 パターンを有する前記マスクを前記第１対象テーブルに
用意する段階と、 前記第２対象テーブルにエネルギー感知材料層により少
なくとも部分的に被覆された基板を用意する段階と、 前記マスクを照射し、前記基板に前記パターンの照射部
分を転写する段階とを含む方法において、 前記リソグラフィ投影装置が、前記投影ビーム（ＰＢ）
の波長と等しい波長の放射線が入射する表面と、前記表
面を被覆するキャッピング層とを有する少なくとも１つ
の光学素子を含み、前記キャッピング層が不活性の材料
で形成されていることを特徴とする、リソグラフィ投影
装置を使用してデバイスを製造する方法。 - 【請求項１６】 デバイスにおいて、請求項１５に記載
された方法によって製造される、デバイス。
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| EP99305283 | 1999-07-02 | ||
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| EP99307932 | 1999-10-07 |
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| Publication Number | Publication Date |
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