TWI811037B - 具多層吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造方法 - Google Patents
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- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 55
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- SKJCKYVIQGBWTN-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxyphenyl) methanesulfonate Chemical compound CS(=O)(=O)OC1=CC=C(O)C=C1 SKJCKYVIQGBWTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 16
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 14
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 13
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 claims description 12
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 8
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000623 nickel–chromium alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 claims 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 252
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 52
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 52
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 26
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 25
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 17
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 12
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 11
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 9
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 8
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MMLLNGAMHOZEAP-UHFFFAOYSA-N [Ta+5].[Ta+5].[Ta+5].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] Chemical compound [Ta+5].[Ta+5].[Ta+5].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] MMLLNGAMHOZEAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052767 actinium Inorganic materials 0.000 description 4
- QQINRWTZWGJFDB-UHFFFAOYSA-N actinium atom Chemical compound [Ac] QQINRWTZWGJFDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 4
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 4
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- VFWRGKJLLYDFBY-UHFFFAOYSA-N silver;hydrate Chemical compound O.[Ag].[Ag] VFWRGKJLLYDFBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 4
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000541 cathodic arc deposition Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOUPYJKFGJZQMH-UHFFFAOYSA-N [Nb].[Ru] Chemical compound [Nb].[Ru] WOUPYJKFGJZQMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000000995 aerosol-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- OUFGXIPMNQFUES-UHFFFAOYSA-N molybdenum ruthenium Chemical compound [Mo].[Ru] OUFGXIPMNQFUES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005289 physical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- AJTVWPGZWVJMEA-UHFFFAOYSA-N ruthenium tungsten Chemical compound [Ru].[Ru].[W].[W].[W] AJTVWPGZWVJMEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005382 thermal cycling Methods 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
- G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
- G03F1/58—Absorbers, e.g. of opaque materials having two or more different absorber layers, e.g. stacked multilayer absorbers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/52—Reflectors
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/60—Substrates
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
揭露了極紫外(EUV)遮罩坯料及其製造方法及其生產系統。EUV遮罩坯料包含覆蓋層上的吸收層的多層堆疊,吸收層的多層堆疊包括複數個吸收層對。
Description
本揭露書一般關於極紫外光刻技術,且更具體地關於具有多層吸收劑的極紫外遮罩坯料和製造方法。
極紫外(EUV)光刻(亦稱為軟X射線投影光刻)可用於製造0.0135微米和更小的最小特徵尺寸的半導體裝置。然而,通常在5至100奈米波長範圍中的極紫外光在幾乎所有的材料中被強烈地吸收。因此,極紫外系統藉由反射而不是藉由光的透射而工作。透過使用塗佈有非反射吸收遮罩圖案的一系列鏡子或透鏡元件以及反射元件或遮罩坯料,圖案化的光化學光線反射到抗蝕劑塗佈的半導體基板上。
極紫外光刻系統的透鏡元件和遮罩坯料塗佈有材料(諸如鉬和矽)的反射多層塗層。藉由使用塗佈有多層塗層的基板已獲得了每一透鏡元件或遮罩坯料約65%的反射值,多層塗層強烈地反射了極窄的紫外帶通內的光,例如對於13.5奈米的紫外而言,12.5至14.5奈米的帶通。
第1圖顯示了由EUV遮罩坯料所形成的傳統EUV反射遮罩10,其包括在基板14上的反射多層堆疊12,其藉由布拉格干涉而反射未遮蔽部分的EUV輻射。EUV反射遮罩10的遮罩(非反射)區域16藉由蝕刻緩衝層18和吸收層20而形成。吸收層通常具有51nm至77nm的範圍中的厚度。覆蓋層22形成在反射多層堆疊12之上,並在蝕刻製程期間保護多層堆疊12。如下面將進一步論述的,EUV遮罩坯料由塗佈有多層、覆蓋層和吸收層的低熱膨脹材料基板所製成,接著將其蝕刻以提供遮罩(非反射)區域16和反射區域24。
國際半導體技術路線圖(ITRS)將節點的覆蓋要求指定為技術最小半間距特徵尺寸的一部分。由於對所有反射光刻系統中固有的圖像放置和覆蓋誤差的影響,EUV反射遮罩將需要遵守更精確的平面度規格以供未來的生產。另外,使用具有多層反射器和吸收層的EUV反射遮罩的EUV光刻技術,減少三維(3D)遮罩效應是非常具有挑戰性的。存在有提供EUV遮罩坯料和用於製造EUV遮罩坯料的方法的需求,用以製造EUV反射遮罩和鏡子,其將能夠減少重疊誤差和3D遮罩效應。
本揭露書的一或多個實施例涉及一種製造極紫外(EUV)遮罩坯料的方法,包含以下步驟:提供基板;在基板上形成反射層的多層堆疊,反射層的多層堆疊包括複數個反射層對;在多層堆疊上形成覆蓋層;及在覆蓋層上形成吸收層的多層堆疊,吸收層的多層堆疊包括複數個吸收層對,每一對包含兩種不同的吸收材料,具有不同的消光係數(k)值和不同的折射率(n)值。
本揭露書的另外的實施例涉及一種極紫外(EUV)遮罩坯料,包含:基板;反射層的多層堆疊,在基板上,多層堆疊包括複數個反射層對;覆蓋層,在多層堆疊上;及吸收層的多層堆疊,在覆蓋層上,吸收層的多層堆疊包括複數個吸收層對,每對包含兩種不同的吸收材料,具有不同的消光係數(k)值和不同的折射率(n)值。
本揭露書的進一步實施例涉及一種極紫外(EUV)遮罩坯料生產系統,包含:基板處理真空腔室,用於產生真空;基板處理平台,在真空中,用於輸送負載在基板處理真空腔室中的超低膨脹基板;及多個子腔室,由基板處理平台進入,用於形成EUV遮罩坯料,EUV遮罩坯料包括:反射層的多層堆疊,在基板上,多層堆疊包括複數個反射層對;覆蓋層,在多層堆疊上;及吸收層的多層堆疊,在覆蓋層上,吸收層的多層堆疊包括複數個吸收層對,每對包含兩種不同的吸收材料,具有不同的消光係數(k)值和不同的折射率(n)值。
在描述本揭露書的若干示例性實施例之前,應當理解本揭露書不限於以下的描述中所提出的構造或處理步驟的細節。本揭露書能夠具有其他實施例並能夠以各種方式而實施或執行。
於此所用的術語「水平」被定義為平行於遮罩坯料的平面或表面的平面,而不管其定向如何。術語「垂直」是指剛剛定義的垂直於水平的方向。 「之上方(above)」、「之下方(below)」、「底部」、「頂部」、「側面」(如「側壁」)、「更高」、「更低」、「之上(over)」、「之下(under)」是相對於水平面而定義,如圖所示。
術語「上(on)」表示元件之間存在直接接觸。術語「直接上(directly on)」表示在沒有中間元件的元件之間存在直接接觸。
如在本說明書和附隨的申請專利範圍中所使用的,術語「前驅物」、「反應物」、「反應性氣體」及類似者可互換使用,以表示可與基板表面反應的任何氣體物種。
熟悉本領域者將理解使用諸如「第一」和「第二」的序數來描述處理區域並不意味著處理腔室內的特定位置,或處理腔室內的曝光次序。
現在參考第2圖,顯示了極紫外光刻系統100的示例性實施例。極紫外光刻系統100包括用於產生極紫外光112的極紫外光源102、一組反射元件和目標晶圓110。反射元件包括聚光器104、EUV反射遮罩106、光學減少組件108、遮罩坯料、鏡子或其組合。
極紫外光源102產生極紫外光112。極紫外光112是具有在5至50奈米(nm)的範圍中的波長的電磁輻射。例如,極紫外光源102包括雷射、產生雷射的電漿、放電產生的電漿、自由電子雷射、同步加速輻射或其組合。
極紫外光源102產生具有各種特性的極紫外光112。極紫外光源102在波長範圍上產生寬帶極紫外輻射。例如,極紫外光源102產生具有範圍從5至50nm的波長的極紫外光112。
在一或多個實施例中,極紫外光源102產生具有窄帶寬的極紫外光112。例如,極紫外光源102產生13.5nm的極紫外光112。波長峰的中心為13.5nm。
聚光器104是用於反射和聚焦極紫外光112的光學單元。聚光器104反射並集中來自極紫外光源102的極紫外光112,以照射EUV反射遮罩106。
儘管聚光器104被顯示為單個元件,但是應當理解聚光器104可包括一或多個反射元件,諸如凹面鏡、凸面鏡、平面鏡或其組合,用於反射和集中極紫外光112。例如,聚光器104可為單個凹面鏡或具有凸面、凹面和平面的光學元件的光學組件。
EUV反射遮罩106是具有遮罩圖案114的極紫外反射元件。EUV反射遮罩106產生光刻圖案,以形成待在目標晶圓110上形成的電路佈局。EUV反射遮罩106反射極紫外光112。遮罩圖案114界定電路佈局的一部分。
光學減少組件108是用於減小遮罩圖案114的圖像的光學單元。來自EUV反射遮罩106的極紫外光112的反射藉由光學減少組件108而減少並反射到目標晶圓110上。光學減少組件108可包括鏡子和其它光學元件,以減小遮罩圖案114的圖像的尺寸。例如,光學減少組件108可包括用於反射和聚焦極紫外光112的凹面鏡。
光學減少組件108減小目標晶圓110上的遮罩圖案114的圖像的尺寸。例如,遮罩圖案114可藉由光學減少組件108以4:1的比例而成像在目標晶圓110上,以形成藉由遮罩圖案114而呈現在目標晶圓110上的電路。極紫外光112可與目標晶圓110同步地掃描反射遮罩106,以在目標晶圓110上形成遮罩圖案114。
現在參考第3圖,顯示了極紫外反射元件生產系統200的實施例。極紫外反射元件包括EUV遮罩坯料204、極紫外(EUV)鏡205或其它反射元件,諸如EUV反射遮罩106。
極紫外反射元件生產系統200可產生遮罩坯料、鏡子或反射第2圖的極紫外光112的其它元件。極紫外反射元件生產系統200藉由將薄塗層施加到來源基板203而製造反射元件。
EUV遮罩坯料204是用於形成第2圖的EUV反射遮罩106的多層結構。可使用半導體製造技術形成EUV遮罩坯料204。EUV反射遮罩106可具有藉由蝕刻和其它製程而形成在遮罩坯料204上的第2圖的遮罩圖案114。
極紫外鏡205是在極紫外光的範圍中反射的多層結構。可使用半導體製造技術而形成極紫外鏡205。 EUV遮罩坯料204和極紫外鏡205可為相對於在每個元件上形成的層的相似結構,然而極紫外鏡205不具有遮罩圖案114。
反射元件是極紫外光112的有效反射器。在一實施例中,EUV遮罩坯料204和極紫外鏡205具有大於60%的極紫外反射率。若反射元件反射超過60%的極紫外光112,則反射元件是有效的。
極紫外反射元件生產系統200包括晶圓裝載和載體處理系統202,來源基板203被加載到晶圓裝載和載體處理系統202中,且反射元件從晶圓裝載和載體處理系統卸載。大氣處理系統206提供對晶圓處理真空腔室208的進入。晶圓裝載和載體處理系統202可包括基板輸送箱、裝載閘和其它部件,以將基板從大氣轉移到系統內側的真空。因為使用EUV遮罩坯料204以非常小的尺寸形成裝置,來源基板203和EUV遮罩坯料204在真空系統中處理,以防止污染和其它缺陷。
晶圓處理真空腔室208可含有兩個真空腔室,第一真空腔室210和第二真空腔室212。第一真空腔室210包括第一晶圓處理系統214,且第二真空腔室212包括第二晶圓處理系統216。儘管用兩個真空腔室描述了晶圓處理真空腔室208,但應理解的是系統可具有任何數量的真空腔室。
晶圓處理真空腔室208可具有圍繞其周邊的複數個埠,用於附接各種其它系統。第一真空腔室210具有脫氣系統218、第一物理氣相沉積系統220、第二物理氣相沉積系統222和預清潔系統224。脫氣系統218用於從基板熱解吸濕氣。預清潔系統224用於清潔晶圓、遮罩坯料、反射鏡或其它光學部件的表面。
可使用物理氣相沉積系統(諸如第一物理氣相沉積系統220和第二物理氣相沉積系統222)在來源基板203上形成導電材料的薄膜。例如,物理氣相沉積系統可包括真空沉積系統,諸如磁控濺射系統、離子濺射系統、脈衝雷射沉積、陰極電弧沉積,或其組合。物理氣相沉積系統(諸如磁控管濺射系統)在來源基板203上形成包括矽、金屬、合金、化合物,或其組合的層的薄層。
物理氣相沉積系統形成反射層、覆蓋層和吸收層。例如,物理氣相沉積系統可形成矽、鉬、氧化鈦、二氧化鈦、氧化釕、氧化鈮、釕鎢、釕鉬、釕鈮、鉻、鉭、氮化物、化合物,或其組合的層。儘管一些化合物被描述為氧化物,但是應當理解化合物可包括氧化物、二氧化物、具有氧原子的原子混合物,或其組合。
第二真空腔室212具有第一多陰極源226、化學氣相沉積系統228、固化腔室230和與其連接的超平滑沉積腔室232。例如,化學氣相沉積系統228可包括可流動的化學氣相沉積系統(FCVD)、電漿輔助化學氣相沉積系統(CVD)、氣溶膠輔助CVD、熱絲CVD系統或類似的系統。在另一個例子中,化學氣相沉積系統228、固化腔室230和超平滑沉積腔室232可在與極紫外反射元件生產系統200分離的系統中。
化學氣相沉積系統228可在來源基板203上形成材料薄膜。例如,化學氣相沉積系統228可用以在來源基板203上形成包括單晶層、多晶層層、非晶層、磊晶層,或其組合的材料層。化學氣相沉積系統228可形成矽、氧化矽、碳氧化矽、碳、鎢、碳化矽、氮化矽、氮化鈦、金屬、合金及適於化學氣相沉積的其它材料的層。例如,化學氣相沉積系統可形成平坦化層。
第一晶圓處理系統214能夠在大氣處理系統206和圍繞第一真空腔室210的周邊的各種系統之間在連續真空中移動來源基板203。第二晶圓處理系統216能夠使來源基板203圍繞第二真空腔室212移動,同時將來源基板203維持在連續的真空中。極紫外反射元件生產系統200可在連續的真空中將來源基板203和EUV遮罩坯料204在第一晶圓處理系統214、第二晶圓處理系統216之間傳送。
現在參考第4圖,顯示了極紫外反射元件302的實施例。在一或多個實施例中,極紫外反射元件302是第3圖的EUV遮罩坯料204或第3圖的極紫外鏡205。 EUV遮罩坯料204和極紫外鏡205是用於反射第2圖的極紫外光112的結構。EUV遮罩坯料204可用以形成第2圖所示的EUV反射遮罩106。
極紫外反射元件302包括基板304、反射層的多層堆疊306和覆蓋層308。在一或多個實施例中,極紫外鏡205用以形成在第2圖的聚光器104,或第1圖的光學減少組件108中使用的反射結構。
可為EUV遮罩坯料204的極紫外反射元件302包括基板304、反射層的多層堆疊306、覆蓋層308和吸收層310。極紫外反射元件302可為EUV遮罩坯料204,其用以藉由將吸收層310圖案化成具有所需電路的佈局而形成第2圖的反射遮罩106。
在以下部分中,為了簡化,用於EUV遮罩坯料204的術語與用於極紫外鏡205的術語可互換使用。在一或多個實施例中,除了形成第2圖的遮罩圖案114之外,遮罩坯料204包括添加了吸收層310的極紫外鏡205的部件。
EUV遮罩坯料204是用於形成具有遮罩圖案114的反射遮罩106的光學平坦結構。在一或多個實施例中,EUV遮罩坯料204的反射表面形成用於反射入射光(諸如第2圖的極紫外光112)的平坦焦平面。
基板304是用於向極紫外反射元件302提供結構支撐的元件。在一或多個實施例中,基板304由具有低熱膨脹係數(CTE)的材料所製成,以在溫度改變期間提供穩定性。在一或多個實施例中,基板304具有諸如針對機械循環、熱循環、晶體形成,或其組合的穩定性的性質。根據一或多個實施例的基板304由諸如矽、玻璃、氧化物、陶瓷、玻璃陶瓷,或其組合的材料所形成。
多層堆疊306是對極紫外光112反射的結構。多層堆疊306包括第一反射層312和第二反射層314的交替反射層。
第一反射層312和第二反射層314形成第4圖的反射對316。在非限制性的實施例中,多層堆疊306包括總共多達120個反射層的20-60個反射對316的範圍。
第一反射層312和第二反射層314可由各種材料所形成。在一個實施例中,第一反射層312和第二反射層314分別由矽和鉬所形成。儘管這些層被顯示為矽和鉬,但是應當理解交替層可由其它材料所形成或具有其它內部結構。
第一反射層312和第二反射層314可具有各種結構。在一個實施例中,第一反射層312和第二反射層314均形成有單層、多層、分層結構、不均勻結構,或其組合。
因為大多數材料吸收極紫外波長的光,所用的光學元件是反射性的,而不是如在其它光刻系統中所使用的透射性的。多層堆疊306藉由具有不同光學特性的交替薄層材料而形成反射結構,以產生布拉格反射器或鏡。
在一個實施例中,每個交替層對於極紫外光112具有不同的光學常數。當交替層的厚度的週期是極紫外光112的波長的一半時,交替層提供諧振反射率。在一個實施例中,對於波長13nm的極紫外光112而言,交替層約為6.5nm厚。應當理解所提供的大小和尺寸在典型元件的正常工程公差內。
多層堆疊306可以各種方式形成。在一個實施例中,第一反射層312和第二反射層314由磁控濺射、離子濺射系統、脈衝雷射沉積、陰極電弧沉積,或其組合而形成。
在說明性實施例中,使用諸如磁控濺射的物理氣相沉積技術而形成多層堆疊306。在一個實施例中,多層堆疊306的第一反射層312和第二反射層314具有藉由磁控濺射技術所形成的特徵,包括精確的厚度、低粗糙度及在層之間的清潔界面。在一實施例中,多層堆疊306的第一反射層312和第二反射層314具有藉由物理氣相沉積所形成的特徵,包括精確的厚度、低粗糙度和在層之間的清潔界面。
可精確地控制使用物理氣相沉積技術而形成的多層堆疊306的層的物理尺寸以增加反射率。在一實施例中,第一反射層312(諸如矽層)具有4.1nm的厚度。第二反射層314(諸如鉬層)具有2.8nm的厚度。層的厚度指示極紫外反射元件的峰值反射率波長。若層的厚度不正確,則可減少所需波長13.5nm處的反射率。
在一實施例中,多層堆疊306具有大於60%的反射率。在一實施例中,使用物理氣相沉積而形成的多層堆疊306具有在66%-67%的範圍中的反射率。在一或多個實施例中,在由較硬材料所形成的多層堆疊306之上形成覆蓋層308提高了反射率。在一些實施例中,使用低粗糙度層、在層之間的清潔界面、改進的層材料,或其組合來實現大於70%的反射率。
在一或多個實施例中,覆蓋層308是允許透射極紫外光112的保護層。在一實施例中,覆蓋層308直接形成在多層堆疊306上。在一或多個實施例中,覆蓋層308保護多層堆疊306免受污染物和機械損壞。在一個實施例中,多層堆疊306對於氧、碳、碳氫化合物或其組合的污染敏感。根據實施例的覆蓋層308與污染物相互作用以中和它們。
在一或多個實施例中,覆蓋層308是對極紫外光112透明的光學均勻結構。極紫外光112透過覆蓋層308以反射離開多層堆疊306。在一或多個實施例,覆蓋層308具有1%至2%的總反射率損失。在一或多個實施例中,每個不同的材料根據厚度具有不同的反射率損失,但是它們都將在1%至2%的範圍中。
在一或多個實施例中,覆蓋層308具有光滑表面。例如,覆蓋層308的表面可具有小於0.2nm RMS(均方根值)的粗糙度。在另一例子中,覆蓋層308的表面在1/100nm和1/1μm的範圍中的長度而言具有0.08nm RMS的粗糙度。RMS粗糙度將根據其量測範圍而變化。對於100nm~1微米的特定範圍而言,粗糙度為0.08nm以下。在較大的範圍中,粗糙度會更高。
覆蓋層308可以各種方法而形成。在一實施例中,覆蓋層308藉由磁控濺射、離子濺射系統、離子束沉積、電子束蒸發、射頻(RF)濺射、原子層沉積(ALD)、脈衝雷射沉積、陰極電弧沉積,或其組合而形成在或直接形成在多層堆疊306上。在一或多個實施例中,覆蓋層308具有藉由磁控濺射技術所形成的物理特徵,包括精確的厚度、低粗糙度和在層之間的清潔界面。在一個實施例中,覆蓋層308具有藉由物理氣相沉積所形成的物理特徵,包括精確的厚度、低的粗糙度和在層之間的清潔界面。
在一或多個實施例中,覆蓋層308由具有足以在清潔期間抵抗侵蝕的硬度的各種材料所形成。在一個實施例中,釕用作覆蓋層材料,因為它是良好的蝕刻停止且在操作條件下是相對惰性的。然而,應當理解可使用其它材料來形成覆蓋層308。在特定的實施例中,覆蓋層308具有在2.5和5.0nm範圍中的厚度。
在一或多個實施例中,吸收層310是吸收極紫外光112的層。在一實施例中,吸收層310用以藉由提供不反射極紫外光112的區域而在反射遮罩106上形成圖案。根據一或多個實施例的吸收層310包含對於極紫外光112的特定頻率(諸如約13.5nm)具有高吸收係數的材料。在一實施例中,吸收層310直接形成在覆蓋層308上,且使用光刻製程蝕刻吸收層310,以形成反射遮罩106的圖案。
根據一或多個實施例,極紫外反射元件302(諸如極紫外鏡205)與基板304、多層堆疊306和覆蓋層308一起形成。極紫外鏡205具有光學平坦的表面,且可有效地和均勻地反射極紫外光112。
根據一或多個實施例,極紫外反射元件302(例如EUV遮罩坯料204)與基板304、多層堆疊306、覆蓋層308和吸收層310形成。遮罩坯料204具有光學平坦表面並且可有效地和均勻地反射極紫外光112。在一個實施例中,遮罩圖案114由遮罩坯料204的吸收層310形成。
根據一或多個實施例,在覆蓋層308之上形成吸收層310增加了反射遮罩106的可靠性。覆蓋層308用作吸收層310的蝕刻停止層。當第2圖的遮罩圖案114被蝕刻到吸收層310中時,吸收層310下面的覆蓋層308停止蝕刻作用以保護多層堆疊306。
現在參考第5圖,極紫外(EUV)遮罩坯料400顯示為包含基板414、在基板414上的反射層412的多層堆疊、包括複數個反射層對的反射層412的多層堆疊。EUV遮罩坯料400進一步包括在反射層412的多層堆疊上的覆蓋層422,且在覆蓋層422上存在吸收層420的多層堆疊420。吸收層的多層堆疊420包括複數個吸收層對420a、420b、420c、420d、420e、420f,每對(420a / 420b、420c / 420d、420e / 420f)包含兩種不同的吸收材料,具有不同的消光係數(k)值和不同的折射率(n)值。例如,吸收層420a由具有與形成吸收層420b的材料的消光係數(k)值不同的消光係數(k)值的材料所製成。類似地,吸收層420c由具有與形成吸收層420d的材料的消光係數(k)值不同的消光係數(k)值的材料所製成,且吸收層420e由具有與形成吸收層420f的材料的消光係數(k)值不同的消光係數(k)值的材料所製成。此外,吸收層420a由具有與形成吸收層420b的材料的折射率(n)值不同的折射率(n)值的材料所製成。類似地,吸收層420c由具有與形成吸收層420d的材料的折射率(n)值不同的折射率(n)值的材料所製成,且吸收層420e由具有與形成吸收層420f的材料的折射率(n)值不同的折射率(n)值的材料所製成。
在一個實施例中,極紫外遮罩坯料400包括複數個反射層412選自含鉬(Mo)材料和含矽(Si)材料,例如,鉬(Mo)和矽(Si)。用以形成吸收層420a、420b、420c、420d、420e和420f的吸收材料選自由鉑(Pt)、鋅(Zn)、金(Au)、氧化鎳(NiO)、氧化銀(Ag
2O)、銥(Ir)、鐵(Fe)、二氧化錫(SnO
2)、鈷(Co)、鎳鉻合金、Ni
8Cr
2、氧化錫(SnO)、銅(Cu)、銀(Ag)、錒(Ac)、碲(Te)、碘化銫(CsI)、錫(Sn)、碲化鋅(ZnTe)、銻(Sb)、鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)、氮氧化鉭(TaNO)、鉻(Cr)、氮化鉻(CrN)和硼酸鉭(TaBO)所組成的群組。
在一或多個實施例中,吸收層對420a/420b、420c/420d、420e/420f包含第一層(420a、420c、420e)及第二層(420b、420d、420f),第一層(420a、420c、420e)包括選自由鉭(Ta) 、氮化鉭(TaN)、氮氧化鉭(TaNO)、硼酸鉭(TaBO)所組成的群組的吸收材料,第二層(420b、420d、420f)包括選自由鉑(Pt)、鋅(Zn)、金(Au)、氧化鎳(NiO)、氧化銀(Ag
2O)、銥(Ir)、鐵(Fe)、二氧化錫(SnO
2)、鈷(Co)、鎳鉻合金(特別是Ni
8Cr
2)、氧化錫(SnO)、銅(Cu)、銀(Ag)、錒(Ac)、碲(Te)、碘化銫(CsI)、錫(Sn)、碲化鋅(ZnTe)、鉻(Cr)、氮化鉻(CrN)及銻(Sb)所組成的群組的吸收材料。在特定的實施例中,吸收層對包含第一層(420a、420c、420e)及第二層(420b、420d、420f),第一層(420a、420c、420e)包括選自氮化鉭(TaN)的吸收材料,第二層(420b、420d、420f)包括選自鎳(Ni)的吸收材料。
根據一或多個實施例,吸收層對包含第一吸收層(420a、420c、420e)和第二吸收層(420b、420d、420f),第一吸收層(420a、420c、420e)和第二吸收層(420b、420d、420f)的每一者具有在0.1nm和1nm的範圍中的厚度,例如在1nm和5nm的範圍中,或在1nm和3nm的範圍中。在一或多個特定的實施例中,第一層420a的厚度為0.5nm、0.6nm、0.7nm、0.8nm、0.9nm、1nm、1.1nm、1.2nm、1.3nm、1.4nm、1.5nm、1.6nm 、1.7nm、1.8nm、1.9nm、2nm、2.1nm、2.2nm、2.3nm、2.4nm、2.5nm、2.6nm、2.7nm、2.8nm、2.9nm、3nm、3.1nm、3.2nm、3.3 nm、3.4nm、3.5nm、3.6nm、3.7nm、3.8nm、3.9nm、4nm、4.1nm、4.2nm、4.3nm、4.4nm、4.5nm、4.6nm、4.7nm、4.8nm及5nm。在一或多個實施例中,每對的第一吸收層和第二吸收層的厚度是相同或不同的。例如,第一吸收層和第二吸收層具有使得第一吸收層厚度與第二吸收層厚度的比率為1:1、1.5:1、2:1、2.5:1、3:1、 3.5:1、4:1、4.5:1、5:1、6:1、7:1、8:1、9:1、10:1、11:1、12:1、13:1、 14:1、15:1、16:1、17:1、18:1、19:1或20:1的厚度,這導致在每一對中的第一吸收層具有等於或大於第二吸收層厚度的厚度。替代地,第一吸收層和第二吸收層具有使得第二吸收層厚度與第一吸收層厚度的比率為1.5:1、2:1、2.5:1、3:1、3.5:1 、4:1、4.5:1、5:1、6:1、7:1、8:1、9:1、10:1、11:1、12:1、13:1、14:1、15 :1、16:1、17:1、18:1、19:1或20:1的厚度,這導致在每一對中的第二吸收層具有等於或大於第一吸收層厚度的厚度。
根據一或多個實施例,選擇不同的吸收材料和吸收層的厚度,使得極紫外光由於光吸收(absorbance)及由於藉由來自反射層的多層堆疊所反射的光的破壞性干涉(destructive interference)所引起的相位變化而被吸收。儘管在第5圖中顯示了三個吸收層對420a/420b、420c/420d和420e/420f,申請專利範圍不應受限於特定數量的吸收層對。根據一或多個實施例,EUV遮罩坯料400可包括在5至60個的範圍中的吸收層對,或在10至40個的範圍中的吸收層對。
根據一或多個實施例,吸收層具有提供小於2%的反射率和其它蝕刻性質的厚度。可使用供應氣體來進一步改變吸收層的材料性質,例如,氮(N
2)氣可用以形成以上所提供的材料的氮化物。根據一或多個實施例的吸收層的多層堆疊是不同材料的單獨厚度的重複圖案,使得EUV光不僅由於光吸收且由於藉由多層吸收劑堆疊(將破壞性地干涉來自下面的反射材料的多層堆疊的光線)所引起的相位變化而被吸收,以提供更好的對比度。
例如,考慮第一種情況,在40ML的Mo和Si上具有15nm的TaN的10nm的Ni的吸收劑堆疊。基於Ni和TaN的n和k,吸收堆疊將吸收13.5nm的EUV。在根據一實施例的第二種情況中,可在40ML的Mo和Si的頂部上製造厚度2和3nm的Ni和TaN的5個雙層。在第二種情況中,光不僅被總厚度10nm的Ni和15nm的TaN吸收,而且額外地提供了破壞性地干涉從40ML 的Mo和Si鏡所反射的光的相位變化,從而提供增強的對比度。因此,第二種情況的堆疊對於反射率損失將提供超過50%的改良。可進一步優化伽馬(為Ni與TaN的厚度的比率)、單層的厚度及多層的數目,以提供更大的對比度。第6圖是用於第一種情況的反射率曲線,而第7圖是用於第二種情況的反射率曲線。
本揭露書的另一態樣關於一種製造極紫外(EUV)遮罩坯料的方法,包含以下步驟:提供基板;在基板上形成反射層的多層堆疊,多層堆疊包括複數個反射層對;在反射層的多層堆疊上形成覆蓋層;及在覆蓋層上形成吸收層的多層堆疊,吸收層的多層堆疊包括複數個吸收層對,每一對包含兩種不同的吸收材料,具有不同的消光係數(k)值和不同的折射率(n)值。EUV遮罩坯料可具有上面關於第4圖和第5圖而描述的實施例的任何特徵,且該方法可在關於第3圖所描述的系統中執行。
因此,在一實施例中,複數個反射層選自含鉬(Mo)材料和含矽(Si)材料,且吸收層由選自由鉑(Pt)、鋅(Zn)、金(Au)、氧化鎳(NiO)、氧化銀(Ag
2O)、銥(Ir)、鐵(Fe)、二氧化錫(SnO
2)、鈷(Co)、鎳鉻合金、Ni
8Cr
2、氧化錫(SnO)、銅(Cu)、銀(Ag)、錒(Ac)、碲(Te)、碘化銫(CsI)、錫(Sn)、碲化鋅(ZnTe)、銻(Sb)、鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)、氮氧化鉭(TaNO)、硼酸鉭(TaBO)所組成的群組的材料所製成。替代地,在一實施例中,吸收層對包含第一層及第二層,第一層由選自由鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)、氮氧化鉭(TaNO)、硼酸鉭(TaBO)所組成的群組的材料所製成,第二層由選自由鉑(Pt)、鋅(Zn)、金(Au)、氧化鎳(NiO)、氧化銀(Ag
2O)、銥(Ir)、鐵(Fe)、二氧化錫(SnO
2)、鈷(Co)、鎳鉻合金(特別是Ni
8Cr
2)、氧化錫(SnO)、銅(Cu)、銀(Ag)、錒(Ac)、碲(Te)、碘化銫(CsI)、錫(Sn)、碲化鋅(ZnTe)、鉻(Cr)、氮化鉻(CrN)及銻(Sb)所組成的群組的材料所製成。在特定的實施例中,吸收層對包含第一層及第二層,第一層包括選自氮化鉭(TaN)的吸收材料,第二層包括選自鎳(Ni)的吸收材料。
在另一個特定的方法實施例中,不同的吸收層形成在具有包含第一吸收材料的第一陰極和包含第二吸收材料的第二陰極的物理氣相沉積腔室中。現在參考第8圖,根據一實施例顯示了多陰極源腔室500的上部。第一多陰極源腔室500包括具有藉由頂部配接器504所覆蓋的圓柱形主體部分502的底座結構501。頂部配接器504具有用於數個陰極源(諸如陰極源506、508、510、512及514)的設置,定位在頂部配接器504周圍。
多陰極源腔室500可為第3圖所示的系統的一部分。在一實施例中,極紫外(EUV)遮罩坯料生產系統包含用於產生真空的基板處理真空腔室,在真空中的基板處理平台,用於輸送負載在基板處理真空腔室中的基板,及由基板處理平台進入的多個子腔室,用於形成EUV遮罩坯料,包括在基板上的反射層的多層堆疊,多層堆疊包括複數個反射層對,反射層的多層堆疊上的覆蓋層,及覆蓋層上的吸收層的多層堆疊,吸收層的多層堆疊包括複數個吸收層對,每對包含兩種不同的吸收材料,其具有不同的消光係數(k)值和不同的折射率(n)值。該系統可用以製造相關於第4圖或第5圖所顯示的EUV遮罩坯料,並具有相關於第4圖或第5圖所描述的相關於EUV遮罩坯料所描述的任何特質。
貫穿這份說明書對「一個實施例」、「某些實施例」、「一或多個實施例」或「一實施例」的參照意味著結合實施例所描述的特定特徵、結構、材料或特性包括在本揭露書的至少一個實施例中。因此,在整個這份說明書中的各個地方中,諸如「在一或多個實施例中」、「在某些實施例中」、「在一個實施例中」或「在一實施例中」的短語的出現不一定代表本揭露書的相同實施例。此外,特定的特徵、結構、材料或特性可以任何合適的方式組合在一或多個實施例中。
儘管已經參考特定實施例而描述了於此的揭露書,但是應當理解這些實施例僅僅是本揭露書的原理和應用的說明。對於熟悉本領域者顯而易見的是,可對本揭露書的方法和裝置進行各種修改和變化而不背離本揭露書的精神和範圍。因此,本揭露書意欲包括在附隨的申請專利範圍及其等效元件的範圍內的修改和變化。
10:反射遮罩
12:多層堆疊
14:基板
16:遮罩(非反射)區域
18:緩衝層
20:吸收層
22:覆蓋層
24:反射區域
100:極紫外光刻系統
102:極紫外光源
104:聚光器
106:反射遮罩
108:光學減少組件
110:目標晶圓
112:極紫外光
114:遮罩圖案
200:極紫外反射元件生產系統
202:晶圓裝載和載體處理系統
203:來源基板
204:遮罩坯料
205:極紫外(EUV)鏡
206:大氣處理系統
208:晶圓處理真空腔室
210:第一真空腔室
212:第二真空腔室
214:第一晶圓處理系統
216:第二晶圓處理系統
218:脫氣系統
220:第一物理氣相沉積系統
222:第二物理氣相沉積系統
224:預清潔系統
226:第一多陰極源
228:化學氣相沉積系統
230:固化腔室
232:超平滑沉積腔室
302:極紫外反射元件
304:基板
306:多層堆疊
308:覆蓋層
310:吸收層
312:第一反射層
314:第二反射層
316:反射對
400:遮罩坯料
412:反射層
414:基板
420:吸收層/多層堆疊
420a:吸收層對/吸收層
420b:吸收層對/吸收層
420c:吸收層對/吸收層
420d:吸收層對/吸收層
420e:吸收層對/吸收層
420f:吸收層對/吸收層
422:覆蓋層
500:多陰極源腔室
501:底座結構
502:圓柱形主體部分
504:頂部配接器
506:陰極源
508:陰極源
510:陰極源
512:陰極源
514:陰極源
因此,可詳細瞭解本揭露書的上述特徵的方式,簡要概述於上的本揭露書的更具體的描述可藉由參考實施例而獲得,其中一些實施例顯示在附隨的圖式。然而,應當注意附隨的圖式僅顯示了本揭露書的典型實施例,且因此不應將其視為限制其範圍,因為本揭露書可允許其他等效的實施例。
第1圖示意性地顯示了採用傳統吸收劑的背景技術的EUV反射遮罩;
第2圖示意性地顯示了極紫外光刻系統的實施例;
第3圖顯示了極紫外反射元件生產系統的實施例;
第4圖顯示了諸如EUV遮罩坯料之類的極紫外反射元件的實施例;
第5圖顯示了諸如EUV遮罩坯料的極紫外反射元件的實施例;
第6圖是遮罩坯料的反射曲線;
第7圖是遮罩坯料的反射曲線;及
第8圖顯示了物理沉積腔室的實施例。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無
國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無
400:遮罩坯料
412:反射層
414:基板
420:吸收層/多層堆疊
420a:吸收層對/吸收層
420b:吸收層對/吸收層
420c:吸收層對/吸收層
420d:吸收層對/吸收層
420e:吸收層對/吸收層
420f:吸收層對/吸收層
422:覆蓋層
Claims (20)
- 一種製造一極紫外(EUV)遮罩坯料的方法,包含以下步驟:在一基板上形成一多個反射層的多層堆疊,該多個反射層的多層堆疊包括複數個反射層對;在該多個反射層的多層堆疊上形成一覆蓋層;及在該覆蓋層上形成一多個吸收層的多層堆疊,該多個吸收層的多層堆疊包括複數個吸收層對,每一對包含兩種不同的吸收材料,具有不同的消光係數(k)值和不同的折射率(n)值,其中該等吸收層對包含一第一層及一第二層,該第一層包括選自氮化鉭(TaN)及氮氧化鉭(TaNO)所組成的群組的一吸收材料,該第二層包括選自由鋅(Zn)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳鉻合金、Ni8Cr2、銅(Cu)及碲化鋅(ZnTe)所組成的群組的一吸收材料。
- 如請求項1所述之方法,其中該第一層包括氮化鉭(TaN)。
- 如請求項1所述之方法,其中該第一層包括氮氧化鉭(TaNO)。
- 如請求項1所述之方法,其中該第二層包括鋅(Zn)。
- 如請求項1所述之方法,其中該第二層係選自由鎳鉻合金及Ni8Cr2所組成的群組。
- 如請求項1所述之方法,其中該第二層包括 鐵(Fe)。
- 如請求項1所述之方法,其中該第二層包括鈷(Co)。
- 如請求項1所述之方法,其中該第二層包括銅(Cu)。
- 如請求項1所述之方法,其中該第二層包括碲化鋅(ZnTe)。
- 如請求項1所述之方法,其中該方法包含以下步驟:形成5至60個的一範圍的吸收層對。
- 一種極紫外(EUV)遮罩坯料,包含:一基板;一多個反射層的多層堆疊,在該基板上,該多個反射層的多層堆疊包括複數個反射層,該複數個反射層包括多個反射層對;一覆蓋層,在該多個反射層的多層堆疊上;及一多個吸收層的多層堆疊,在該覆蓋層上,該多個吸收層的多層堆疊包括複數個吸收層對,每對包含兩種不同的吸收材料,具有不同的消光係數(k)值和不同的折射率(n)值,其中該等吸收層對包含一第一層及一第二層,該第一層包括選自氮化鉭(TaN)及氮氧化鉭(TaNO)所組成的群組的一吸收材料,該第二層包括選自由鋅(Zn)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳鉻合金、Ni8Cr2、銅(Cu)及碲化鋅(ZnTe)所組成的群組的一吸收材料。
- 如請求項11所述之極紫外(EUV)遮罩坯料,其中該第一層包括氮化鉭(TaN)。
- 如請求項11所述之極紫外(EUV)遮罩坯料,其中該第一層包括氮氧化鉭(TaNO)。
- 如請求項11所述之極紫外(EUV)遮罩坯料,其中該第二層包括鋅(Zn)。
- 如請求項11所述之極紫外(EUV)遮罩坯料,其中該第二層係選自由鎳鉻合金及Ni8Cr2所組成的群組。
- 如請求項11所述之極紫外(EUV)遮罩坯料,其中該第二層包括鐵(Fe)。
- 如請求項11所述之極紫外(EUV)遮罩坯料,其中該第二層包括鈷(Co)。
- 如請求項11所述之極紫外(EUV)遮罩坯料,其中該第二層包括銅(Cu)。
- 如請求項11所述之極紫外(EUV)遮罩坯料,其中該第二層包括碲化鋅(ZnTe)。
- 如請求項11所述之極紫外(EUV)遮罩坯料,其包含5至60個的一範圍的吸收層對。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201662367388P | 2016-07-27 | 2016-07-27 | |
US62/367,388 | 2016-07-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202246878A TW202246878A (zh) | 2022-12-01 |
TWI811037B true TWI811037B (zh) | 2023-08-01 |
Family
ID=61009661
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW110117665A TWI774375B (zh) | 2016-07-27 | 2017-07-04 | 具多層吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造方法 |
TW111127673A TWI811037B (zh) | 2016-07-27 | 2017-07-04 | 具多層吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造方法 |
TW106122347A TWI730139B (zh) | 2016-07-27 | 2017-07-04 | 具多層吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW110117665A TWI774375B (zh) | 2016-07-27 | 2017-07-04 | 具多層吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW106122347A TWI730139B (zh) | 2016-07-27 | 2017-07-04 | 具多層吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10747102B2 (zh) |
JP (1) | JP7022110B2 (zh) |
SG (1) | SG11201811396XA (zh) |
TW (3) | TWI774375B (zh) |
WO (1) | WO2018022371A1 (zh) |
Families Citing this family (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI774375B (zh) | 2016-07-27 | 2022-08-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 具多層吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造方法 |
TWI821984B (zh) | 2016-07-27 | 2023-11-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有合金吸收劑的極紫外線遮罩坯料及製造極紫外線遮罩坯料的方法 |
WO2018219572A1 (en) * | 2017-06-01 | 2018-12-06 | Asml Netherlands B.V. | Patterning device |
US10890842B2 (en) * | 2017-09-21 | 2021-01-12 | AGC Inc. | Reflective mask blank, reflective mask, and process for producing reflective mask blank |
US10802393B2 (en) * | 2017-10-16 | 2020-10-13 | Globalfoundries Inc. | Extreme ultraviolet (EUV) lithography mask |
US10347486B1 (en) * | 2017-12-19 | 2019-07-09 | International Business Machines Corporation | Patterning material film stack with metal-containing top coat for enhanced sensitivity in extreme ultraviolet (EUV) lithography |
KR20230036161A (ko) | 2018-06-22 | 2023-03-14 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 금속 막들의 촉매화된 증착 |
CN110658676B (zh) * | 2018-06-29 | 2022-10-25 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 极紫外光微影光罩及其制造方法 |
DE102018211596A1 (de) | 2018-07-12 | 2020-01-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines reflektierenden optischen Elementes einer Projektionsbelichtungsanlage und reflektierendes optisches Element für eine Projektionsbelichtungsanlage, Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage |
TWI805795B (zh) * | 2018-07-20 | 2023-06-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 基板定位設備與方法 |
US20200041892A1 (en) * | 2018-07-31 | 2020-02-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Extreme ultraviolet mask and method of manufacturing the same |
TW202026770A (zh) * | 2018-10-26 | 2020-07-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於極紫外線掩模吸收劑的ta-cu合金材料 |
TWI835896B (zh) * | 2018-10-26 | 2024-03-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有後側塗層的極紫外線掩模 |
US11194244B2 (en) | 2018-12-21 | 2021-12-07 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber and processes for manufacture |
US11249390B2 (en) | 2019-01-31 | 2022-02-15 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
TW202035792A (zh) | 2019-01-31 | 2020-10-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收體材料 |
TWI828843B (zh) | 2019-01-31 | 2024-01-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外線(euv)遮罩素材及其製造方法 |
TW202043905A (zh) | 2019-03-01 | 2020-12-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 物理氣相沉積系統與處理 |
US11639544B2 (en) | 2019-03-01 | 2023-05-02 | Applied Materials, Inc. | Physical vapor deposition system and processes |
US20200278603A1 (en) * | 2019-03-01 | 2020-09-03 | Applied Materials, Inc. | Extreme Ultraviolet Mask Blank With Multilayer Absorber And Method Of Manufacture |
TWI818151B (zh) | 2019-03-01 | 2023-10-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 物理氣相沉積腔室及其操作方法 |
WO2020184473A1 (ja) * | 2019-03-13 | 2020-09-17 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
TWI836073B (zh) * | 2019-05-22 | 2024-03-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩坯體及其製造方法 |
TW202104667A (zh) * | 2019-05-22 | 2021-02-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收材料 |
TW202104668A (zh) * | 2019-05-22 | 2021-02-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收劑材料 |
TWI836072B (zh) | 2019-05-22 | 2024-03-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有嵌入吸收層之極紫外光遮罩 |
TW202104666A (zh) | 2019-05-22 | 2021-02-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收劑材料 |
TW202104617A (zh) * | 2019-05-22 | 2021-02-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收材料 |
US20200371427A1 (en) * | 2019-05-22 | 2020-11-26 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11275304B2 (en) | 2019-05-22 | 2022-03-15 | Applied Materials Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber matertals |
KR102285098B1 (ko) * | 2019-07-12 | 2021-08-04 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선용 반사형 블랭크 마스크 및 그 제조방법 |
US11385536B2 (en) | 2019-08-08 | 2022-07-12 | Applied Materials, Inc. | EUV mask blanks and methods of manufacture |
KR102285099B1 (ko) | 2020-01-08 | 2021-08-04 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선용 반사형 블랭크 마스크 및 포토마스크 |
US11204545B2 (en) * | 2020-01-16 | 2021-12-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | EUV photo masks and manufacturing method thereof |
US11630385B2 (en) | 2020-01-24 | 2023-04-18 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
TW202129401A (zh) | 2020-01-27 | 2021-08-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外線遮罩坯體硬遮罩材料 |
TWI817073B (zh) | 2020-01-27 | 2023-10-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩坯體硬遮罩材料 |
TW202131087A (zh) | 2020-01-27 | 2021-08-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收劑材料 |
TW202141165A (zh) | 2020-03-27 | 2021-11-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收材料 |
TWI836207B (zh) * | 2020-04-17 | 2024-03-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收材料 |
US11300871B2 (en) * | 2020-04-29 | 2022-04-12 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
TW202202641A (zh) | 2020-07-13 | 2022-01-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外線遮罩吸收劑材料 |
US11609490B2 (en) | 2020-10-06 | 2023-03-21 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11513437B2 (en) | 2021-01-11 | 2022-11-29 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11592738B2 (en) | 2021-01-28 | 2023-02-28 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US20220382148A1 (en) * | 2021-05-28 | 2022-12-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Extreme ultraviolet mask with alloy based absorbers |
US11815803B2 (en) | 2021-08-30 | 2023-11-14 | Applied Materials, Inc. | Multilayer extreme ultraviolet reflector materials |
US11782337B2 (en) | 2021-09-09 | 2023-10-10 | Applied Materials, Inc. | Multilayer extreme ultraviolet reflectors |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200938502A (en) * | 2007-11-30 | 2009-09-16 | Corning Inc | Low expansion glass material having low expansivity gradien |
US20110104595A1 (en) * | 2008-07-14 | 2011-05-05 | Asahi Glass Company, Limited | Reflective mask blank for euv lithography and mask for euv lithography |
US20150212402A1 (en) * | 2014-01-30 | 2015-07-30 | Globalfoundries Inc. | Mask structures and methods of manufacturing |
US20160011502A1 (en) * | 2014-07-11 | 2016-01-14 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet reflective element with multilayer stack and method of manufacturing thereof |
TW201606335A (zh) * | 2014-07-11 | 2016-02-16 | 應用材料股份有限公司 | 具有非晶層之極紫外線反射元件及其製造方法 |
Family Cites Families (151)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4410407A (en) | 1981-12-22 | 1983-10-18 | Raytheon Company | Sputtering apparatus and methods |
JPS6376325A (ja) | 1987-06-30 | 1988-04-06 | Agency Of Ind Science & Technol | X線リソグラフィ−用マスクのx線吸収体膜 |
JP3078163B2 (ja) | 1993-10-15 | 2000-08-21 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ用反射型マスクおよび縮小投影露光装置 |
DE19508405A1 (de) | 1995-03-09 | 1996-09-12 | Leybold Ag | Kathodenanordnung für eine Vorrichtung zum Zerstäuben von einem Target-Paar |
US6057237A (en) | 1997-04-29 | 2000-05-02 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing barrier layers for copper |
US6323131B1 (en) | 1998-06-13 | 2001-11-27 | Agere Systems Guardian Corp. | Passivated copper surfaces |
US6132566A (en) | 1998-07-30 | 2000-10-17 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for sputtering ionized material in a plasma |
US6013399A (en) | 1998-12-04 | 2000-01-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Reworkable EUV mask materials |
TWI267704B (en) | 1999-07-02 | 2006-12-01 | Asml Netherlands Bv | Capping layer for EUV optical elements |
JP3529676B2 (ja) | 1999-09-16 | 2004-05-24 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
US6562522B1 (en) | 1999-10-29 | 2003-05-13 | Intel Corporation | Photomasking |
JP4397496B2 (ja) | 2000-02-25 | 2010-01-13 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 反射型露光マスクおよびeuv露光装置 |
US6583068B2 (en) | 2001-03-30 | 2003-06-24 | Intel Corporation | Enhanced inspection of extreme ultraviolet mask |
US6396900B1 (en) | 2001-05-01 | 2002-05-28 | The Regents Of The University Of California | Multilayer films with sharp, stable interfaces for use in EUV and soft X-ray application |
US20030008148A1 (en) | 2001-07-03 | 2003-01-09 | Sasa Bajt | Optimized capping layers for EUV multilayers |
DE10155112B4 (de) | 2001-11-09 | 2006-02-02 | Infineon Technologies Ag | Reflexionsmaske für die EUV-Lithographie und Herstellungsverfahren dafür |
EP1333323A3 (en) | 2002-02-01 | 2004-10-06 | Nikon Corporation | Self-cleaning reflective optical elements for use in x-ray optical systems, and optical systems and microlithography systems comprising same |
JP3806702B2 (ja) | 2002-04-11 | 2006-08-09 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク及びそれらの製造方法並びに半導体の製造方法 |
KR20070086692A (ko) | 2002-04-11 | 2007-08-27 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 이들의 제조방법 |
US6835503B2 (en) | 2002-04-12 | 2004-12-28 | Micron Technology, Inc. | Use of a planarizing layer to improve multilayer performance in extreme ultra-violet masks |
JP2003315977A (ja) * | 2002-04-25 | 2003-11-06 | Hoya Corp | リソグラフィーマスクブランクの製造方法及び製造装置 |
US6641899B1 (en) | 2002-11-05 | 2003-11-04 | International Business Machines Corporation | Nonlithographic method to produce masks by selective reaction, articles produced, and composition for same |
US6913706B2 (en) | 2002-12-28 | 2005-07-05 | Intel Corporation | Double-metal EUV mask absorber |
US6908713B2 (en) | 2003-02-05 | 2005-06-21 | Intel Corporation | EUV mask blank defect mitigation |
JP2004273794A (ja) | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | X線マスクの製造方法およびそれにより製造されたx線マスクを用いた半導体装置の製造方法 |
JP4521753B2 (ja) | 2003-03-19 | 2010-08-11 | Hoya株式会社 | 反射型マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
US7033739B2 (en) | 2003-04-24 | 2006-04-25 | Intel Corporation | Active hardmask for lithographic patterning |
US7282307B2 (en) | 2004-06-18 | 2007-10-16 | Freescale Semiconductor, Inc. | Reflective mask useful for transferring a pattern using extreme ultra violet (EUV) radiation and method of making the same |
US20060008749A1 (en) | 2004-07-08 | 2006-01-12 | Frank Sobel | Method for manufacturing of a mask blank for EUV photolithography and mask blank |
US20060024589A1 (en) | 2004-07-28 | 2006-02-02 | Siegfried Schwarzl | Passivation of multi-layer mirror for extreme ultraviolet lithography |
US7407729B2 (en) | 2004-08-05 | 2008-08-05 | Infineon Technologies Ag | EUV magnetic contrast lithography mask and manufacture thereof |
WO2006030627A1 (ja) | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Asahi Glass Company, Limited | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランクスおよびその製造方法 |
US8575021B2 (en) | 2004-11-22 | 2013-11-05 | Intermolecular, Inc. | Substrate processing including a masking layer |
FR2884965B1 (fr) | 2005-04-26 | 2007-06-08 | Commissariat Energie Atomique | Structure de blanc de masque ajustable pour masque euv a decalage de phase |
US7432201B2 (en) | 2005-07-19 | 2008-10-07 | Applied Materials, Inc. | Hybrid PVD-CVD system |
KR20070036519A (ko) | 2005-09-29 | 2007-04-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반사형 마스크 |
JP4652946B2 (ja) | 2005-10-19 | 2011-03-16 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク用基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 |
US20070090084A1 (en) | 2005-10-20 | 2007-04-26 | Pei-Yang Yan | Reclaim method for extreme ultraviolet lithography mask blank and associated products |
JP4926523B2 (ja) | 2006-03-31 | 2012-05-09 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法 |
KR20080001023A (ko) | 2006-06-29 | 2008-01-03 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선 반사형 블랭크 마스크와 포토마스크 및 그제조방법 |
DE102006046000A1 (de) | 2006-09-27 | 2007-08-30 | Schott Ag | EUV Maskenblank und Verfahren zu dessen Herstellung |
TWI427334B (zh) | 2007-02-05 | 2014-02-21 | Zeiss Carl Smt Gmbh | Euv蝕刻裝置反射光學元件 |
KR100879139B1 (ko) | 2007-08-31 | 2009-01-19 | 한양대학교 산학협력단 | 위상 반전 마스크 및 이의 제조방법 |
JP4532533B2 (ja) | 2007-09-18 | 2010-08-25 | アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 | Euv露光用マスクブランクおよびeuv露光用マスク |
JP5194888B2 (ja) | 2007-09-27 | 2013-05-08 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク及びその製造方法並びに半導体素子の製造方法 |
KR100972863B1 (ko) | 2008-04-22 | 2010-07-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 극자외선 리소그라피 마스크 및 그 제조 방법 |
DE102008042212A1 (de) | 2008-09-19 | 2010-04-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Reflektives optisches Element und Verfahren zu seiner Herstellung |
WO2010050359A1 (ja) | 2008-10-30 | 2010-05-06 | キヤノンアネルバ株式会社 | 多層膜スパッタリング装置及び多層膜形成方法 |
US8587662B1 (en) | 2008-11-06 | 2013-11-19 | Target Brands, Inc. | Theft trend analysis and response |
KR101095681B1 (ko) | 2008-12-26 | 2011-12-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 극자외선 리소그래피를 위한 포토마스크 및 그 제조방법 |
US8962220B2 (en) | 2009-04-02 | 2015-02-24 | Toppan Printing Co., Ltd. | Reflective photomask and reflective photomask blank |
EP2264460A1 (en) | 2009-06-18 | 2010-12-22 | Nxp B.V. | Device having self-assembled-monolayer |
JP5766393B2 (ja) | 2009-07-23 | 2015-08-19 | 株式会社東芝 | 反射型露光用マスクおよび半導体装置の製造方法 |
JP5418293B2 (ja) | 2010-02-25 | 2014-02-19 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスクおよび反射型フォトマスクブランクならびにその製造方法 |
JP5590113B2 (ja) | 2010-03-02 | 2014-09-17 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法 |
JP5559948B2 (ja) | 2010-03-12 | 2014-07-23 | Hoya株式会社 | 多層反射膜付基板の製造方法および反射型マスクブランクの製造方法 |
KR20130007570A (ko) | 2010-03-16 | 2013-01-18 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | Euv 리소그래피 광학 부재용 기재, 및 그의 제조 방법 |
KR101625382B1 (ko) | 2010-04-29 | 2016-05-30 | (주)에스앤에스텍 | 극자외선용 반사형 블랭크 마스크, 포토마스크 및 그의 제조방법 |
JP5581797B2 (ja) | 2010-05-11 | 2014-09-03 | 大日本印刷株式会社 | 反射型マスクの製造方法 |
JP5830089B2 (ja) | 2010-06-15 | 2015-12-09 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Euvリソグラフィ用のマスク、euvリソグラフィシステム、及びマスクの結像を最適化する方法 |
TWI554630B (zh) | 2010-07-02 | 2016-10-21 | 應用材料股份有限公司 | 減少沉積不對稱性的沉積設備及方法 |
US8764995B2 (en) | 2010-08-17 | 2014-07-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Extreme ultraviolet light (EUV) photomasks, and fabrication methods thereof |
KR20140004057A (ko) | 2010-08-24 | 2014-01-10 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | Euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 |
EP2617076B1 (en) | 2010-09-15 | 2014-12-10 | Ricoh Company, Limited | Electromechanical transducing device and manufacturing method thereof |
JP6013720B2 (ja) | 2010-11-22 | 2016-10-25 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 反射型マスクの製造方法、および反射型マスクの製造装置 |
US8426085B2 (en) | 2010-12-02 | 2013-04-23 | Intermolecular, Inc. | Method and apparatus for EUV mask having diffusion barrier |
JP5880449B2 (ja) | 2011-01-26 | 2016-03-09 | 旭硝子株式会社 | フォトマスクの製造方法 |
JP5648558B2 (ja) | 2011-03-30 | 2015-01-07 | 凸版印刷株式会社 | 反射型マスクブランク、及び反射型マスクブランクの製造方法 |
JP2011228743A (ja) | 2011-07-26 | 2011-11-10 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、ならびにこれを用いたパターン転写方法 |
EP2763157B1 (en) | 2011-09-28 | 2020-07-08 | Toppan Printing Co., Ltd. | Mask blank for reflection-type exposure, and mask for reflection-type exposure |
JPWO2013077430A1 (ja) | 2011-11-25 | 2015-04-27 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法 |
JP2013120868A (ja) | 2011-12-08 | 2013-06-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射型マスクブランクス、反射型マスク、および、それらの製造方法 |
US8691476B2 (en) | 2011-12-16 | 2014-04-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | EUV mask and method for forming the same |
KR20130085774A (ko) | 2012-01-20 | 2013-07-30 | 에스케이하이닉스 주식회사 | Euv 마스크 |
WO2013152921A1 (en) | 2012-04-12 | 2013-10-17 | Asml Netherlands B.V. | Pellicle, reticle assembly and lithographic apparatus |
US8658333B2 (en) | 2012-06-04 | 2014-02-25 | Nanya Technology Corporation | Reflective mask |
US8962222B2 (en) | 2012-06-13 | 2015-02-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photomask and method for forming the same |
US8765331B2 (en) | 2012-08-17 | 2014-07-01 | International Business Machines Corporation | Reducing edge die reflectivity in extreme ultraviolet lithography |
US8932785B2 (en) | 2012-10-16 | 2015-01-13 | Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co. Kg | EUV mask set and methods of manufacturing EUV masks and integrated circuits |
US9146458B2 (en) | 2013-01-09 | 2015-09-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | EUV mask |
US9442387B2 (en) | 2013-02-01 | 2016-09-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Extreme ultraviolet lithography process |
US9812303B2 (en) | 2013-03-01 | 2017-11-07 | Applied Materials, Inc. | Configurable variable position closed track magnetron |
US9135499B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-09-15 | Tyco Fire & Security Gmbh | Predictive theft notification for the prevention of theft |
US20140254001A1 (en) | 2013-03-07 | 2014-09-11 | Globalfoundries Inc. | Fabry-perot thin absorber for euv reticle and a method of making |
US9298081B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-03-29 | Globalfoundries Inc. | Scattering enhanced thin absorber for EUV reticle and a method of making |
US20140272684A1 (en) | 2013-03-12 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet lithography mask blank manufacturing system and method of operation therefor |
US9354508B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Planarized extreme ultraviolet lithography blank, and manufacturing and lithography systems therefor |
US9310675B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Extreme ultraviolet light (EUV) photomasks, and fabrication methods thereof |
JP2014229825A (ja) | 2013-05-24 | 2014-12-08 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法および、該マスクブランク用の反射層付基板の製造方法 |
JP6408790B2 (ja) * | 2013-05-31 | 2018-10-17 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
US9091947B2 (en) | 2013-07-19 | 2015-07-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Extreme ultraviolet light (EUV) photomasks and fabrication methods thereof |
US9134604B2 (en) | 2013-08-30 | 2015-09-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Extreme ultraviolet (EUV) mask and method of fabricating the EUV mask |
JP2015073013A (ja) | 2013-10-03 | 2015-04-16 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法 |
KR101567057B1 (ko) | 2013-11-15 | 2015-11-09 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
US9261774B2 (en) | 2013-11-22 | 2016-02-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Extreme ultraviolet lithography process and mask with reduced shadow effect and enhanced intensity |
JP6301127B2 (ja) | 2013-12-25 | 2018-03-28 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法 |
US10279488B2 (en) | 2014-01-17 | 2019-05-07 | Knightscope, Inc. | Autonomous data machines and systems |
US9329597B2 (en) | 2014-01-17 | 2016-05-03 | Knightscope, Inc. | Autonomous data machines and systems |
US11183375B2 (en) | 2014-03-31 | 2021-11-23 | Applied Materials, Inc. | Deposition system with multi-cathode and method of manufacture thereof |
KR20160002332A (ko) | 2014-06-30 | 2016-01-07 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
US9612522B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask blank production system with thin absorber and manufacturing system therefor |
US9581889B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-02-28 | Applied Materials, Inc. | Planarized extreme ultraviolet lithography blank with absorber and manufacturing system therefor |
US9739913B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet capping layer and method of manufacturing and lithography thereof |
KR102499220B1 (ko) | 2014-09-17 | 2023-02-13 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 반사형 마스크 및 그 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US9709884B2 (en) | 2014-11-26 | 2017-07-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | EUV mask and manufacturing method by using the same |
US9471866B2 (en) | 2015-01-05 | 2016-10-18 | Tyco Fire and Securtiy GmbH | Anti-theft system used for customer service |
US9588440B2 (en) | 2015-02-12 | 2017-03-07 | International Business Machines Corporation | Method for monitoring focus in EUV lithography |
US9551924B2 (en) | 2015-02-12 | 2017-01-24 | International Business Machines Corporation | Structure and method for fixing phase effects on EUV mask |
KR101726045B1 (ko) | 2015-06-04 | 2017-04-13 | 한양대학교 산학협력단 | 극자외선 노광 공정용 마스크, 및 그 제조 방법 |
TWI694304B (zh) | 2015-06-08 | 2020-05-21 | 日商Agc股份有限公司 | Euv微影術用反射型光罩基底 |
KR101829604B1 (ko) | 2015-08-17 | 2018-03-29 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선용 포토마스크 및 그 제조방법 |
TWI623805B (zh) | 2015-08-17 | 2018-05-11 | S&S技術股份有限公司 | 用於極紫外線微影之空白遮罩及使用其之光罩 |
US9673042B2 (en) | 2015-09-01 | 2017-06-06 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for in-situ cleaning of copper surfaces and deposition and removal of self-assembled monolayers |
US20170092533A1 (en) | 2015-09-29 | 2017-03-30 | Applied Materials, Inc. | Selective silicon dioxide deposition using phosphonic acid self assembled monolayers as nucleation inhibitor |
US10163629B2 (en) | 2015-11-16 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Low vapor pressure aerosol-assisted CVD |
US10431440B2 (en) | 2015-12-20 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for processing a substrate |
US9791771B2 (en) | 2016-02-11 | 2017-10-17 | Globalfoundries Inc. | Photomask structure with an etch stop layer that enables repairs of detected defects therein and extreme ultraviolet(EUV) photolithograpy methods using the photomask structure |
KR102149907B1 (ko) | 2016-03-03 | 2020-08-31 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 주기적 공기-물 노출에 의한 개선된 자기-조립 단분자층 차단 |
JP6739960B2 (ja) | 2016-03-28 | 2020-08-12 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
US10061191B2 (en) | 2016-06-01 | 2018-08-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | High durability extreme ultraviolet photomask |
TWI821984B (zh) | 2016-07-27 | 2023-11-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有合金吸收劑的極紫外線遮罩坯料及製造極紫外線遮罩坯料的方法 |
TWI774375B (zh) | 2016-07-27 | 2022-08-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 具多層吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造方法 |
US11926894B2 (en) | 2016-09-30 | 2024-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Reactant vaporizer and related systems and methods |
US11011357B2 (en) | 2017-02-21 | 2021-05-18 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for multi-cathode substrate processing |
JP7082606B2 (ja) | 2017-03-02 | 2022-06-08 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
US10704139B2 (en) | 2017-04-07 | 2020-07-07 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber target for reducing defects in workpiece during dielectric sputtering |
US10847368B2 (en) | 2017-04-07 | 2020-11-24 | Applied Materials, Inc. | EUV resist patterning using pulsed plasma |
KR20180127197A (ko) | 2017-05-18 | 2018-11-28 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
JP6729508B2 (ja) | 2017-06-29 | 2020-07-22 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
JP6863169B2 (ja) | 2017-08-15 | 2021-04-21 | Agc株式会社 | 反射型マスクブランク、および反射型マスク |
EP3454119B1 (en) | 2017-09-09 | 2023-12-27 | IMEC vzw | Euv absorbing alloys |
US10504705B2 (en) | 2017-09-15 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Physical vapor deposition chamber with static magnet assembly and methods of sputtering |
US10890842B2 (en) | 2017-09-21 | 2021-01-12 | AGC Inc. | Reflective mask blank, reflective mask, and process for producing reflective mask blank |
US10802393B2 (en) | 2017-10-16 | 2020-10-13 | Globalfoundries Inc. | Extreme ultraviolet (EUV) lithography mask |
KR102402767B1 (ko) | 2017-12-21 | 2022-05-26 | 삼성전자주식회사 | 극자외선 마스크 블랭크, 극자외선 마스크 블랭크를 이용하여 제조된 포토마스크, 포토마스크를 이용한 리소그래피 장치 및 포토마스크를 이용한 반도체 장치 제조 방법 |
KR102237572B1 (ko) | 2018-05-02 | 2021-04-07 | 한양대학교 산학협력단 | Euv 리소그래피용 마스크 및 그 제조 방법 |
US20190384156A1 (en) | 2018-06-13 | 2019-12-19 | AGC Inc. | Reflective mask blank, reflective mask, and method of manufacturing reflective mask blank |
TWI821300B (zh) | 2018-06-19 | 2023-11-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有護罩座的沉積系統 |
JP6636581B2 (ja) | 2018-08-01 | 2020-01-29 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
JP7376278B2 (ja) | 2018-08-16 | 2023-11-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 固体原料昇華器 |
TW202026770A (zh) | 2018-10-26 | 2020-07-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於極紫外線掩模吸收劑的ta-cu合金材料 |
TWI828843B (zh) | 2019-01-31 | 2024-01-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外線(euv)遮罩素材及其製造方法 |
TWI836072B (zh) | 2019-05-22 | 2024-03-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有嵌入吸收層之極紫外光遮罩 |
KR20220065763A (ko) | 2019-09-26 | 2022-05-20 | 호야 가부시키가이샤 | 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조 방법 |
TW202129401A (zh) | 2020-01-27 | 2021-08-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外線遮罩坯體硬遮罩材料 |
TWI817073B (zh) | 2020-01-27 | 2023-10-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩坯體硬遮罩材料 |
TW202141165A (zh) | 2020-03-27 | 2021-11-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收材料 |
US11300871B2 (en) | 2020-04-29 | 2022-04-12 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11442356B2 (en) | 2020-05-11 | 2022-09-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Lithography mask with an amorphous capping layer |
US11592737B2 (en) | 2020-05-29 | 2023-02-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | EUV photo masks and manufacturing method thereof |
US11609490B2 (en) | 2020-10-06 | 2023-03-21 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
-
2017
- 2017-07-04 TW TW110117665A patent/TWI774375B/zh active
- 2017-07-04 TW TW111127673A patent/TWI811037B/zh active
- 2017-07-04 TW TW106122347A patent/TWI730139B/zh active
- 2017-07-18 US US15/652,499 patent/US10747102B2/en active Active
- 2017-07-19 JP JP2019503657A patent/JP7022110B2/ja active Active
- 2017-07-19 WO PCT/US2017/042747 patent/WO2018022371A1/en active Application Filing
- 2017-07-19 SG SG11201811396XA patent/SG11201811396XA/en unknown
-
2020
- 2020-03-17 US US16/821,444 patent/US11022876B2/en active Active
-
2021
- 2021-04-12 US US17/227,717 patent/US11754917B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200938502A (en) * | 2007-11-30 | 2009-09-16 | Corning Inc | Low expansion glass material having low expansivity gradien |
US20110104595A1 (en) * | 2008-07-14 | 2011-05-05 | Asahi Glass Company, Limited | Reflective mask blank for euv lithography and mask for euv lithography |
US20150212402A1 (en) * | 2014-01-30 | 2015-07-30 | Globalfoundries Inc. | Mask structures and methods of manufacturing |
US20160011502A1 (en) * | 2014-07-11 | 2016-01-14 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet reflective element with multilayer stack and method of manufacturing thereof |
TW201606335A (zh) * | 2014-07-11 | 2016-02-16 | 應用材料股份有限公司 | 具有非晶層之極紫外線反射元件及其製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2018022371A1 (en) | 2018-02-01 |
TWI774375B (zh) | 2022-08-11 |
TW201812434A (zh) | 2018-04-01 |
SG11201811396XA (en) | 2019-02-27 |
US10747102B2 (en) | 2020-08-18 |
JP7022110B2 (ja) | 2022-02-17 |
TW202246878A (zh) | 2022-12-01 |
US11754917B2 (en) | 2023-09-12 |
US20200218145A1 (en) | 2020-07-09 |
US20180031964A1 (en) | 2018-02-01 |
JP2019525240A (ja) | 2019-09-05 |
US11022876B2 (en) | 2021-06-01 |
US20220082925A1 (en) | 2022-03-17 |
TW202141162A (zh) | 2021-11-01 |
TWI730139B (zh) | 2021-06-11 |
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