JP2008263173A - 露光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 光学素子のコンタミネーションを抑制して被露光体を効率よく露光する露光装置を提供する。
【解決手段】光源からの20nm以下の波長を有する光を利用して基板26を露光する露光装置は、それぞれが光を反射する複数の光学素子22と、それぞれが複数の光学素子22の一以上を収納する複数の真空容器3bと、各真空容器3bに収納される光学素子22に形成され得るコンタミネーションを抑制するガスを各真空容器3bに独立に供給するガス供給手段31とを有する。ガス供給手段31は、各真空容器3bに収納されている光学素子22の照明領域の照度に応じて、各真空容器3bに異なる種類のガスを供給する。
【選択図】図3
【解決手段】光源からの20nm以下の波長を有する光を利用して基板26を露光する露光装置は、それぞれが光を反射する複数の光学素子22と、それぞれが複数の光学素子22の一以上を収納する複数の真空容器3bと、各真空容器3bに収納される光学素子22に形成され得るコンタミネーションを抑制するガスを各真空容器3bに独立に供給するガス供給手段31とを有する。ガス供給手段31は、各真空容器3bに収納されている光学素子22の照明領域の照度に応じて、各真空容器3bに異なる種類のガスを供給する。
【選択図】図3
Description
本発明は、極紫外光(Extreme Ultraviolet:EUV)、特に20nm以下の波長の光を露光光として使用する露光装置(以下、「EUV露光装置」という。)に関する。
レチクル(原版)パターンを投影光学系を介してウエハ(基板)に露光する投影露光装置が従来から使用されている。近年、露光装置にはより微細なパターンを効率良く露光することが益々要求され、高解像度化の要求に応えるために紫外光よりも波長が短いEUV光を用いたEUV露光装置が提案されている。
EUV光の波長域においては物質による光の吸収率が高くなるため、EUV露光装置は真空容器内に反射光学系を収納する。スループットの向上のためには、反射光学系を構成する光学素子(ミラー)の光学性能(反射特性)を維持する必要がある。しかし、真空容器内に残存するガスやウエハの基板に塗布されたレジストからの脱ガスの影響により、ミラーが酸化したりその表面に炭素または炭素化合物が堆積したりする。これらのコンタミネーションがあると、ミラーの光学性能が低下してしまう。
そこで、特許文献1は、酸素、水、及び有機物の少なくとも一つを含む劣化要因ガスの分圧が所定範囲になるように還元性ガス、酸化性ガス、及びフッ素化ガスの少なくとも一つを含む劣化抑制ガスを真空容器に導入することを提案している。これにより、ミラーの酸化と炭素の堆積を防止することができるとしている。
その他の従来技術としては特許文献2乃至6がある。
特開2006−49758号公報(0006、0007、図1)
特開2002−110539号公報
特開2003−188096号公報
特許第3467485号明細書
特開2001−59901号公報
特開2005−244015号公報
酸化を防止するために供給される炭素化合物ガスの量が多すぎれば逆に炭素または炭素化合物の堆積を招き、炭素または炭素化合物の堆積を防止するために供給される酸素ガスの量が多すぎれば逆に酸化を招く。このため、特許文献1は、真空容器内の劣化要因ガスの分圧を所定の範囲内に抑えて真空容器全体に劣化抑制ガスを供給している。しかし、本発明者らは、酸化と炭素化合物の堆積は真空容器内の劣化要因ガスの分圧のみによって決定されるのではなく、照度が密接に関係していることを発見した。特許文献1は、各ミラーの照度を考慮しておらず、この方法では反射光学系の各ミラーのコンタミネーションを防止するには不十分である。
酸化は照度が高いミラーの照明領域に発生しやすい。照度が低いミラーでは炭素または炭素化合物の堆積が生じやすい。照度は照明領域の面積が同じであれば光源からウエハに向かって減衰するが、露光光が集光されれば照度は高くなり発散されれば照度は低くなる。結局、各ミラーの照度を個別に調べなければならない。もちろん劣化要因ガス及び劣化抑制ガスの総量が多くなればEUV光が吸収されてスループットが低下するため、劣化抑制ガスの量にも留意する必要がある。
本発明は、光学素子のコンタミネーションを抑制して基板を効率よく露光する露光装置に関する。
本発明の一側面としての露光装置は、光源からの20nm以下の波長を有する光を利用して基板を露光する露光装置であって、それぞれが前記光を反射する複数の光学素子と、それぞれが前記複数の光学素子の一以上を収納する複数の真空容器と、各真空容器に収納される光学素子に形成され得るコンタミネーションを抑制するガスを、各真空容器に独立に供給するガス供給手段と、を有し、前記ガス供給手段は、各真空容器に収納されている光学素子の照明領域の照度に応じて、各真空容器に異なる種類の前記ガスを供給することを特徴とする。
本発明の別の側面としての露光装置は、20nm以下の波長を有する光を利用して基板を露光する露光装置であって、それぞれが前記光を反射する複数の光学素子と、前記複数の光学素子を収納する真空容器と、各光学素子に形成され得るコンタミネーションを抑制するガスを、各光学素子に独立に吹き付けるガス供給手段と、を有し、前記ガス供給手段は、各光学素子の照明領域の照度に応じて、各光学素子に異なる種類の前記ガスを吹き付けることを特徴とする。
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
・ 本発明によれば、光学素子のコンタミネーションによる光学特性の劣化を抑制して光学素子の寿命を延ばすことができ、その結果、被露光体を効率よく露光する露光装置を提供することができる。
以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施例について説明する。
図1は、本発明の一実施例のEUV露光装置1の概略ブロック図である。レーザー10から射出されたレーザー光はレンズ11によって集光される。集光点に形成されたプラズマスポット14から放射されたEUV光は照明光学系16によって集光される。照明光学系16は、楕円ミラー16aと、インテグレータ16bと、偏向ミラー16cとを有し、EUV光を反射型レチクル20に導光する。反射型レチクル20からの反射光は、投影光学系22を介してウエハ26上に投影される。レチクル20、ウエハ26は、それぞれ並進運動が可能なレチクルステージ18、ウエハステージ24上に固定される。EUV露光装置1では、露光光の波長が10nm〜20nmであり、短波長化によって高解像度を達成する。EUV光源は、レーザープラズマ光源(10、11)以外にも、シンクロトロン放射光光源、放電プラズマ光源などを用いてもよい。
露光装置1は真空容器2及び3を有し、真空容器2と3との間は差圧を維持するための作動排気機構17が設けられている。真空容器2は、楕円ミラー16aとインテグレータ16bを収納する。真空容器3は、真空容器3a、3b及び3cを有する。真空容器3aはレチクルステージ18とレチクル20とを収納する。真空容器3bは、偏向ミラー16cと、投影光学系22とを収納する。真空容器3cはウエハステージ24とウエハ26とを収納する。このように真空容器2,真空容器3bには、一以上の光学素子が収納されている。
投影光学系22は、光源側から光路に沿って4枚のミラー22a乃至22dを有するが、5枚ミラー系、図3に示す後述する6枚ミラー系、8枚ミラー系であってもよい。真空容器2、3a乃至3cの各々には排気系28(28a乃至28d)が設けられている。これにより、大気によるEUVの減衰や光電子の散乱を防止することができる。排気系はターボ分子ポンプ、イオンポンプ、ドライポンプなどから構成される。
レチクル20、照明光学系16、投影光学系22に用いられる光学素子は例えばEUVの波長領域において屈折率の異なる2つの物質を交互に積み重ねた多層膜をコーティングしたものが多い。最も一般的な多層膜の構造のひとつとしてモリブデンとシリコンを30〜40対積層させた構造があげられる。これらの光学素子は、要求される性能や寿命を得るために、多層膜の層対の間にさらにルテニウムや4ホウ化炭素などの中間層を設けたり、最上層にルテニウムや酸化チタン、炭素及び炭素を含む化合物や合金からなるキャッピング層を設けたりすることがある。
EUV露光装置1では、ミラー22a乃至22dに独立にガスを供給するガス供給系30を有する。ガス供給系30は、ガス源31a乃至31dと、パイプ32a乃至32dと、バルブ33a乃至33dと、ノズル34a乃至34dを有する。ガス供給系30における各要素のa乃至dは投影光学系22のミラー22a乃至22dにそれぞれ対応している。
ガス源31a乃至31dは、同一又は異なる種類のガスを貯蔵している。但し、ガス源31a乃至31dの中の少なくとも2つは異なる種類のガスを貯蔵している。本実施例のガスは、酸素、酸素含有種、オゾン、水、水素、炭素化合物の少なくとも一つを含む。もちろん特許文献1に記載された劣化抑制ガスも適用可能である。ガス源31a乃至31dには、対応するパイプ32a乃至32d、バルブ33a乃至33d、ノズル34a乃至34dが接続されている。ノズル34a乃至34dは、対応するガスをミラー22a乃至22dの照明領域22a1乃至22d1に吹き付ける。この結果、各ミラーにその光学性能の劣化の抑制に適したガスを選択し、供給することができる。
バルブ33a乃至33dには、制御部40が接続されている。また、制御部40にはメモリ42も接続されている。
メモリ42は、各ミラー22a乃至22dの照明領域22a1乃至22d1に形成され得るコンタミネーションとそれを抑制するガスに関する情報を格納する。コンタミネーションは、設計によって設定された照度と排気系28による排気後の真空容器3bの残留ガスの下で発生するものである。
より詳細には、照明領域22a1乃至22d1が、設計によって設定された照度と排気系28による排気後の真空容器3bの残留ガスの下で予め実験又はシミュレーションを行う。そして、照明領域22a1乃至22d1に形成されるコンタミネーションの種類、即ち、酸化しやすいか炭素または炭素化合物を堆積しやすいか、の情報を取得する。また、単位時間当たりに形成されるコンタミネーションの量、コンタミネーションを抑制し、酸素、酸素含有種、オゾン、水、水素、炭素化合物の少なくとも一つを含むガスの種類の情報も取得する。更に、ガスの真空容器3bへの供給量とコンタミネーションの抑制の効果との関係、ガス供給量とEUV光の吸収量との関係の情報を取得する。そして、メモリ42はこれらの情報を格納する。
制御部40は、メモリ42に格納された情報に基づいてガス供給系30のバルブ33a乃至33dの開閉のタイミングを制御することによってミラー22a乃至22dに供給されるガスの供給量を制御する。例えば、制御部40は、照度が高いミラー22aには炭素化合物ガスを供給し、照度が低いミラー22dには酸素または水蒸気を供給する。
なお、供給するガス種を変える照度の高低の境界は、残留するガス種の分圧状態によって変わる。特に炭素化合物を含むガス種が残留している場合、その炭素化合物の分子量や蒸気圧によって、その照度の境界は変化する。その照度の境界は、実験結果やシミュレーション結果から決定し、メモリ42に格納しておく。例えば、分子量が150程度の炭化水素ガスが顕著に残留しているような条件下では、供給するガス種を変えるEUV光照度の境界は、0.5W/cm2である。この値は、実験結果から決定したものである。
本実施例ではガス源31a乃至31dが貯蔵するガスの種類は先の実験又はシミュレーションに基づいて決定されている。しかし、保守に際して複数の種類のガスを供給する必要があれば、例えば、ガス源31a乃至31dに複数の種類のガスを貯蔵し(ガス源の数は限定されない)、各ガス源と各ノズルとの経路を切り替える切り替え部を設けてもよい。
ミラー22a乃至22dに供給されるガスはミラーの光学性能を維持するためにコンタミネーションの形成を抑制するガスである。一例として、ミラー表面上に炭素キャッピング層が形成されている場合のガス供給系を図2に示す。図2において、23はミラー保持部、バルブ33a乃至33dはバリアブルバルブであり、35は移動機構である。ガス供給系を移動可能とし、気体供給が必要な場合にミラー22a乃至22dの近傍に移動してもよい。また、走査機能を付随させ、ミラー表面の照明領域上を走査してもよい。照明領域としたのは、この部分がEUV光に照明されてコンタミネーションが堆積するからである。ガス供給時には、パルス状に気体を噴出してもよいし、分子漏れの原理を利用し連続的に供給してもよい。
ウエハ26の露光中に炭素または炭素化合物がミラー表面に堆積し光学性能が低下した場合、堆積した炭素または炭素化合物をミラーが所定の性能を回復するまで除去するためにガスを供給する。このガスの供給は、ウエハ26の露光時またはウエハ26の非露光時に行う。ガスは、例えば、水、酸素分子を含むガスや、アルゴンなどを含むガスである。この結果、化学反応やエッチングなどを利用してミラー表面から炭素やその化合物を除去することができる。
また、露光光の強度やミラー近傍の残留ガス、特に、水の分圧によっては、ミラー表面が酸化や侵食などによって劣化する場合もある。ミラーを構成している材料がシリコンである場合など、一度酸化してしまうと元に戻すことができない場合がある。これを回避するために、ウエハ26の露光時に炭素化合物を含む気体を光学素子表面上に供給することによって、光学素子表面材料と水分子の反応をしにくくさせ、結果的に酸化を抑止することができる。
露光装置1に設置されている光学素子は露光光の照度と晒される雰囲気(残留ガス種)が異なるため、光学素子毎にコンタミネーションの種類や程度が異なる。本実施例のように、コンタミネーションの抑制に適したガスを適量だけ供給することによってコンタミネーションとガスによるEUV光の吸収量を最小にすることができ、光学素子の光学性能を維持してスループットを高めることができる。
本実施例では、制御部40は、メモリ42に格納した情報に基づいてガス供給及び停止のタイミングを制御する。しかし、メモリ42の情報に加えてミラーの劣化又は回復、あるいは、残留ガス成分または供給ガス状態を検出する検出部44を設けて制御をより正確におこなってもよい。この場合、制御部40は検出部44の検出結果に基づいてガス供給及び停止のタイミングを制御する。検出部44は、撮像装置や、ミラー近傍の残留ガスを監視する質量分析器や、ミラーの照度を測定する照度計や、ミラー表面の表面状態を予測するためにその電流値を計測する電流計などである。
実施例1ではミラー22a乃至22dを一つの真空容器3bに収納しているが、実施例2は、供給するガスの種類に応じて異なる真空容器に収納している。本実施例のEUV露光装置1Aの要部を図3に示す。
真空容器3は、真空容器3a、3b1、3b2、3cを有する。真空容器3aは、レチクルステージ18、レチクルチャック19、レチクル20を収納する。真空容器3b1は、6枚ミラー系の投影光学系22のミラー22a乃至22dを収納している。真空容器3b2は、投影光学系22のミラー22e乃至22fを収納している。23はミラーの保持部である。真空容器3cは、ウエハステージ24、ウエハチャック25、ウエハ26を収納する。真空容器3aと3cは図1に示すものと実質的に同じである。更に、露光装置では不図示の照明光学系を格納する真空容器や同じく不図示の光源を格納する真空容器、ウエハやレチクルを交換するための真空容器など、複数の真空容器が存在するが、本実施例では投影光学系の部分のみ図示している。
投影光学系の光学素子が配置される真空容器の中で、光源に近い真空容器3b1は排気系28c1によって排気され、ガス源31e及び31fがパイプ32e及び32fと図示しないバルブを介して接続される。本実施例ではガス源31e及び31fのガスは同一のガス炭化化合物を含むガスである。これは投影光学系22の物体面に近くに配置され、真空容器3b1に収納されているミラー22a乃至22dは、比較的照度が高く酸化しやすいからである。なお、パイプ32e及び32fの先端には図示しないノズルが形成され、ミラー22a乃至22dの照明領域近傍まで延びているが作図の便宜上省略されている。
投影光学系の光学素子が配置される真空容器の中で、ウエハ26に近い真空容器3b2は、排気系28c2によって排気され、ガス源31gがパイプ32gと図示しないバルブを介して接続されている。本実施例ではガス源31gのガスは酸素、酸素含有種、オゾン、水、水素の少なくとも一つを含むである。これは投影光学系22の瞳面の近くに配置され真空容器3b2に収納されているミラー22fは発散光を受光して比較的照度が低く、炭素または炭素化合物が堆積し易いからである。また、投影光学系22の像面の近くに配置され真空容器3b2に収納されているミラー22eはウエハ26のレジストからの炭素を含む脱ガスに晒されて炭素または炭素化合物が堆積し易いからである。なお、パイプ32gの先端には図示しないノズルが形成され、ミラー22e及び22fの照明領域近傍まで延びているが作図の便宜上省略されている。
このように、同一のガスを供給して制御可能なミラー群は本実施例のようにまとめて制御することができる。制御部40やメモリ42は図3では省略されているが、図1と同様である。
本実施例においては、投影光学系を真空容器3b1と真空容器3b2とに分けた場合で説明した。しかし、照明光学系および投影光学系のそれぞれを一つの真空容器に収納する場合にも本実施例の発明を適用することができる。この場合は、照明光学系を収納する真空容器には酸化抑止のガス、例えば炭化化合物のガスを導入し、投影光学系を収納する真空容器には炭素堆積抑止のガス、例えば酸素、酸素含有種、オゾン、水、水素の少なくとも一つを含むガスを導入する。
図4は、実施例3のEUV露光装置1Bの概略ブロック図である。EUV露光装置1Bは、EUV露光装置1と基本構成は同じであるが、EUV露光装置1Bは、露光光の照度、波長、照明領域を制御し、必要な電磁波を形成する機構を備えている点でEUV露光装置1と相違する。また、必要に応じて露光光とは別の光源を設けてもよい。
露光装置1Bは、保守時に、光学素子に必要に応じて電磁波を照射し、それらの電磁波は各光学素子に適した照度、波長、照明領域に調整されている。また、照射される電磁波の照度、波長、照明領域は、各光学素子の状態に応じて可変でもよい。
露光装置1Bは、照明光学系16に露光光の強度を調整するフィルタ50、照明領域を調整するアパーチャーもしくはアイリス52を配置している。また、必要に応じて、望ましくない領域に電磁波が照射されるのを防止するビームダンパー54を配置してもよい。これらを移動可能とし、使用するときに露光光の光路内などに移動してもよい。
照明光学系16では、ウエハ26の露光中に高強度の露光光が照射され、光学素子上に炭素キャッピング層を用いた場合に、キャッピング層が消費される。キャッピング層が消費されてその下の光学素子が剥き出しになると、光学素子表面が酸化され、著しく性能を落とす恐れがある。これらの光学素子はキャッピング層が消費され尽くす前に、例えば一定時間が経過したあと、キャッピング層を補修するなど保守を施さなければならない。露光光の強度をそのまま用いると強すぎる場合は、フィルタ50などで強度を下げ、アパーチャーもしくはアイリス52で照明領域を調整し、光学素子に照射する。このとき、実施例1であげたような機構を用いて炭素化合物を含む適当な気体を適当な分圧で導入すると効率よくキャッピング層を補修でき、酸化耐性を回復することができる。
投影光学系22のミラーのうちウエハ26に近いミラーは、ウエハ26表面のレジストからの脱ガスにさらされやすく、炭素または炭素化合物の堆積が起こりやすい。本実施例では、これらの堆積が起こりやすい光学素子に比較的近いウエハステージ24上に別光源として紫外線ランプ60を搭載した。酸素、酸素含有種、オゾン、水、水素の少なくとも一つを含むガスが存在する状態で、光学素子に紫外線が照射されることにより、その光学素子が洗浄される。また、光源付近に、コリメータ62とアパーチャーもしくはアイリス64を設置し、光源からの光を必要に応じて所望の形状に整形できるようにした。これらは移動可能であり、使用する際に露光光の光路内などに移動してきてもよい。
投影光学系22のレジストから遠い光学素子にも紫外線を必要な照度、波長、照明領域で照射できるような光学系を設けてもよい。本実施例では、投影光学系付近に移動、回転可能な紫外線反射ミラー66を配置し、投影光学系のどの光学素子にも紫外線が照射できるようにした。紫外線ランプ60および紫外線反射ミラー66は、照射手段を構成する。
また、本実施例において、ウエハステージ24上にミラーを搭載し、別光源は真空容器3の外から窓などを通して導入してもよい。また、別光源はランプのような連続光ではなくレーザーのようにパルス状のものを用いてもよい。また、レチクルステージ上にも同様に別光源を設けてもよい。
図5は、EUV露光装置1乃至1Bに適用可能な電位調節手段の要部ブロック図である。図5において、ミラー22a及び22bの上にはキャッピング層22a2及び22b2が設けられる。ミラー22a及び22bは図示しない保持部23を通じて接地されている。
また、トリガ発生器70と電源又は波形発生器(以下、単に、「電源」という)72がキャッピング層22a2に接続されたスイッチ74aに接続されている。同様に、トリガ発生器70と電源又は波形発生器(以下、単に、「電源」という)72がキャッピング層22b2に接続されたスイッチ74bに接続されている。トリガ発生器70、電源72、スイッチ74a及び74bは電位調節手段を構成している。
電位調節手段によって各ミラーに独立に、それらのキャッピング層に所望のタイミングで所望の電荷を印加することができる。電源72は、各ミラー毎に印加する電荷を制御できるようにチャンネルを設けてもよい。
ウエハ26の露光中、各光学素子に照射される露光光の照度は異なるため、表面の帯電状態も光学素子毎に異なる。また、光学素子の膜構成や基板の材質によっても帯電状態は様々である。照度の低い光が照射され、二次電子の放出も少ない光学素子については、光学素子表面が接地されていれば発生した電荷は直ちに中和される。しかし、照度の高い強度を受光する場合や二次電子の放出が多い光学素子は、帯電状態になりやすい。表面に蓄積された電荷もコンタミネーションの原因となり得るため、帯電の程度により中和する必要がある。
本実施例では、電荷を印加する電位調節手段を用いて露光光と同期するようにパルス状にミラー表面に所定の負電荷を印加し、ミラー表面に発生した電荷を瞬時に中和する。実験又はシミュレーションで光学素子が帯電する電荷を測定してメモリ42に予め格納される。制御部40は、メモリ42に格納された情報に基づいて光学素子に印加する電荷量とスイッチ74a及び74bの開閉のタイミングを制御する。
また、制御部40は、炭素キャッピング膜の補修を行なう際は、逆に、適当な電荷を印加することによってキャッピング膜が生成されやすい状況を形成してもよい。かかる情報も実験又はシミュレーションを通じて予めメモリ42に格納されている。
デバイス(半導体集積回路素子等)は、前述のいずれかの実施例の露光装置を使用して感光剤を塗布した基板(ウエハ等)を露光する工程と、その基板を現像する工程と、他の周知の工程と、を経ることにより製造される。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、コンタミネーションが除去されるべき光学素子は照明光学系やその他の光学素子であってもよい。
1、1A、1B 露光装置
2、3 真空容器
28 排気系
30 ガス供給系
34a−34d ノズル
40 制御部
42 メモリ
2、3 真空容器
28 排気系
30 ガス供給系
34a−34d ノズル
40 制御部
42 メモリ
Claims (9)
- 光源からの20nm以下の波長を有する光を利用して基板を露光する露光装置であって、
それぞれが前記光を反射する複数の光学素子と、
それぞれが前記複数の光学素子の一以上を収納する複数の真空容器と、
各真空容器に収納される光学素子に形成され得るコンタミネーションを抑制するガスを、各真空容器に独立に供給するガス供給手段と、を有し、
前記ガス供給手段は、各真空容器に収納されている光学素子の照明領域の照度に応じて、各真空容器に異なる種類の前記ガスを供給することを特徴とする露光装置。 - 前記ガス供給手段は、各真空容器に収納される光学素子の照明領域の照度に応じて、各真空容器に異なる種類及び異なる供給量の前記ガスを供給することを特徴とする請求項1記載の露光装置。
- 各真空容器に収納される光学素子の照明領域に設定された照度と、前記基板の露光時に前記真空容器に残留するガスの下で形成され得るコンタミネーションを抑制するガスに関する情報を格納するメモリと、
前記メモリに格納された前記情報に基づいて前記ガス供給手段による前記コンタミネーションを抑制するガスの種類を制御する制御手段と、を有することを特徴とする請求項1記載の露光装置。 - 前記ガス供給手段は、
前記基板に近い真空容器には酸素、酸素含有種、オゾン、水、水素の少なくとも一つを含むガスを供給し、
前記光源に近い真空容器には炭化化合物を含むガスを供給することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。 - 前記ガス供給手段は、前記基板を露光している時に、前記異なる種類の前記ガスを供給することを特徴とする請求項1記載の露光装置。
- 前記光とは波長の異なる光を前記複数の光学素子のうちの少なくとも1つの光学素子に照射する照射手段を有することを特徴とする請求項1記載の露光装置。
- 各光学素子の電位を調節する電位調節手段を有することを特徴とする請求項1記載の露光装置。
- 20nm以下の波長を有する光を利用して基板を露光する露光装置であって、
それぞれが前記光を反射する複数の光学素子と、
前記複数の光学素子を収納する真空容器と、
各光学素子に形成され得るコンタミネーションを抑制するガスを、各光学素子に独立に吹き付けるガス供給手段と、を有し、
前記ガス供給手段は、各光学素子の照明領域の照度に応じて、各光学素子に異なる種類の前記ガスを吹き付けることを特徴とする露光装置。 - 請求項1乃至8のうちいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
前記露光された基板を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
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