JP2658966B2 - フォトマスク及びその製造方法 - Google Patents
フォトマスク及びその製造方法Info
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- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/265—Selective reaction with inorganic or organometallic reagents after image-wise exposure, e.g. silylation
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は投影露光装置用のフォト
マスク、特に微細なパターン形成が必要な半導体素子製
造用のフォトマスクおよびその製造方法に関する。
マスク、特に微細なパターン形成が必要な半導体素子製
造用のフォトマスクおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の製造工程に於いては、半導
体基板上にパターンを形成するために、光リソグラフィ
技術を用いている。光リソグラフィでは、縮小投影露光
装置によりフォトマスクのパターンを感光性樹脂の塗布
された半導体基板上に転写し、現像により感光性樹脂の
所定のパターンを得ることができる。
体基板上にパターンを形成するために、光リソグラフィ
技術を用いている。光リソグラフィでは、縮小投影露光
装置によりフォトマスクのパターンを感光性樹脂の塗布
された半導体基板上に転写し、現像により感光性樹脂の
所定のパターンを得ることができる。
【０００３】フォトマスクは、透明基板上に遮光膜を成
膜し、遮光膜を部分的に除去して透明領域と遮光領域か
らなるパターンを形成した投影露光用原板である。ま
た、投影露光装置の縮小率（フォトマスク上のパターン
の大きさと、その結像の大きさの比）が１：１でない場
合、特にこの縮小投影露光装置用の原板をレチクルと呼
ぶが、ここではいずれもフォトマスクと記述する。
膜し、遮光膜を部分的に除去して透明領域と遮光領域か
らなるパターンを形成した投影露光用原板である。ま
た、投影露光装置の縮小率（フォトマスク上のパターン
の大きさと、その結像の大きさの比）が１：１でない場
合、特にこの縮小投影露光装置用の原板をレチクルと呼
ぶが、ここではいずれもフォトマスクと記述する。
【０００４】フォトマスク用の透明基板の材料として
は、透明性が高く、寸法変化（自重によるたわみあるい
は熱膨張により生じる誤差）が少ない合成石英が適して
いる。ただし、合成石英は価格が高いためそれほど精度
が要求されない用途には、ソーダガラス等の他の材料も
用いられている。
は、透明性が高く、寸法変化（自重によるたわみあるい
は熱膨張により生じる誤差）が少ない合成石英が適して
いる。ただし、合成石英は価格が高いためそれほど精度
が要求されない用途には、ソーダガラス等の他の材料も
用いられている。
【０００５】一方、透明基板上の遮光膜の材料として
は、導電性及び加工性（エッチングの容易さ）が要求さ
れる。導電性が必要なのは、これまでフォトマスクのパ
ターン描画装置として、電子線描画装置が最も多く用い
られてきたためである。また、縮小投影露光装置の微小
率は５：１が一般的であり、例えば０．４μｍの半導体
素子のパターンであってもフォトマスク上は２μｍのパ
ターンとなるため、遮光膜の加工にはウエットエッチン
グがこれまで用いられてきた。導電性がありかつエウッ
トエッチングによる加工性のよい材料として、クロム
（Ｃｒ）があげられる。また、クロムは耐薬品性も高
く、洗浄も容易なためフォトマスクの遮光材料として用
いられてきた。
は、導電性及び加工性（エッチングの容易さ）が要求さ
れる。導電性が必要なのは、これまでフォトマスクのパ
ターン描画装置として、電子線描画装置が最も多く用い
られてきたためである。また、縮小投影露光装置の微小
率は５：１が一般的であり、例えば０．４μｍの半導体
素子のパターンであってもフォトマスク上は２μｍのパ
ターンとなるため、遮光膜の加工にはウエットエッチン
グがこれまで用いられてきた。導電性がありかつエウッ
トエッチングによる加工性のよい材料として、クロム
（Ｃｒ）があげられる。また、クロムは耐薬品性も高
く、洗浄も容易なためフォトマスクの遮光材料として用
いられてきた。
【０００６】この従来の一般的なフォトマスクの断面図
を図８に示す。石英等の透明基板１上に、クロムの遮光
膜１２および酸化クロムの反射防止膜１３が成膜されて
いる。遮光膜１２の厚さは、露光光を透過率１％程度以
下に遮光するため、６０〜７０ｎｍとなっている。ま
た、反射防止膜は被露光物である半導体基板で反射した
光が投影レンズを通ってフォトマスクで反射し、再び半
導体基板に戻るのを防止する為のものであり、その厚さ
は露光光にｉ線を用いる場合３０ｎｍ程度である（反射
防止膜表面の反射と反射防止膜と遮光膜の界面での反射
が打ち消し合うことで反射を防止しているので露光光に
より最適な反射防止膜の膜厚は異なる）。
を図８に示す。石英等の透明基板１上に、クロムの遮光
膜１２および酸化クロムの反射防止膜１３が成膜されて
いる。遮光膜１２の厚さは、露光光を透過率１％程度以
下に遮光するため、６０〜７０ｎｍとなっている。ま
た、反射防止膜は被露光物である半導体基板で反射した
光が投影レンズを通ってフォトマスクで反射し、再び半
導体基板に戻るのを防止する為のものであり、その厚さ
は露光光にｉ線を用いる場合３０ｎｍ程度である（反射
防止膜表面の反射と反射防止膜と遮光膜の界面での反射
が打ち消し合うことで反射を防止しているので露光光に
より最適な反射防止膜の膜厚は異なる）。
【０００７】近年、半導体素子のパターンが０．４μｍ
をきりマスクパターンも２μｍ以下となると、ウエット
エッチングでの加工に寸法精度上の問題が生じてきた。
そこで、ドライエッチングを用いる加工が検討された。
ところが、クロムは塩素を含むガス（例えば以前使用さ
れたＣＣｌ4 ，あるいはＢＣｌ3 ，Ｃｌ2 ）でなければ
エッチングできなかった。電子線レジストはレジストパ
ターンの矩形性がない上に耐ドライエッチング性が低
く、塩素ガスを用いたドライエッチング中にレジストパ
ターンが細り寸法精度がこれまでのウエットエッチング
より低下するという問題が生じた。
をきりマスクパターンも２μｍ以下となると、ウエット
エッチングでの加工に寸法精度上の問題が生じてきた。
そこで、ドライエッチングを用いる加工が検討された。
ところが、クロムは塩素を含むガス（例えば以前使用さ
れたＣＣｌ4 ，あるいはＢＣｌ3 ，Ｃｌ2 ）でなければ
エッチングできなかった。電子線レジストはレジストパ
ターンの矩形性がない上に耐ドライエッチング性が低
く、塩素ガスを用いたドライエッチング中にレジストパ
ターンが細り寸法精度がこれまでのウエットエッチング
より低下するという問題が生じた。
【０００８】そこで、特公昭６２−３７３８３号公報に
示されているように、クロムに代わりフッ素系ガス（例
えば、ＣＦ4 ，ＣＨＦ3 ）でドライエッチング可能な金
属膜が検討された。フッ素系ガスを用いたドライエッチ
ングでは、金属膜と感光性樹脂（レジスト）のエッチン
グ速度の比（選択比）が大きくとれ為、エッチング中の
レジストの膜べりを抑え寸法精度が向上する。特公昭６
２−３７３８３号公報では、セレン，ゲルマニウム，イ
リジュウム，バナジュウム及びルテニウムがクロムに変
わる遮光膜として示されている。また、タングステンシ
リサイド（ＷＳｉ）およびモリブデンシリサイド（Ｍｏ
Ｓｉ）等の高融点金属シリサイドもフッ素ガスで加工可
能な遮光膜として用いられている。
示されているように、クロムに代わりフッ素系ガス（例
えば、ＣＦ4 ，ＣＨＦ3 ）でドライエッチング可能な金
属膜が検討された。フッ素系ガスを用いたドライエッチ
ングでは、金属膜と感光性樹脂（レジスト）のエッチン
グ速度の比（選択比）が大きくとれ為、エッチング中の
レジストの膜べりを抑え寸法精度が向上する。特公昭６
２−３７３８３号公報では、セレン，ゲルマニウム，イ
リジュウム，バナジュウム及びルテニウムがクロムに変
わる遮光膜として示されている。また、タングステンシ
リサイド（ＷＳｉ）およびモリブデンシリサイド（Ｍｏ
Ｓｉ）等の高融点金属シリサイドもフッ素ガスで加工可
能な遮光膜として用いられている。
【０００９】次に、フォトマスクにおいて最近注目され
ている技術である、位相シフトマスクについて説明す
る。
ている技術である、位相シフトマスクについて説明す
る。
【００１０】従来の光リソグラフィ技術においては、露
光装置の高ＮＡ化により半導体素子パターンの微細化へ
の対応がなされてきた。しかし、露光装置の高ＮＡ化に
より解像力は向上するものの、逆に焦点深度は減少し、
焦点深度の点で更なる微細化が困難となってきた。そこ
で、１９８２年に提案された位相シフトマスクが再び注
目されるようになってきた。一般に、位相シフトマスク
はフォトマスクを透過する露光光の位相を制御し、結像
面で光強度分布を改善する技術である。
光装置の高ＮＡ化により半導体素子パターンの微細化へ
の対応がなされてきた。しかし、露光装置の高ＮＡ化に
より解像力は向上するものの、逆に焦点深度は減少し、
焦点深度の点で更なる微細化が困難となってきた。そこ
で、１９８２年に提案された位相シフトマスクが再び注
目されるようになってきた。一般に、位相シフトマスク
はフォトマスクを透過する露光光の位相を制御し、結像
面で光強度分布を改善する技術である。
【００１１】図９に渋谷−レベンソン（Ｌｅｖｅｎｓｏ
ｎ）方式と呼ばれる、代表的な位相シフトマスクを示
す。通常のクロムの遮光膜１２と酸化クロムの反射防止
膜１３を有するフォトマスク上の一部に、ＳＯＧ膜から
なる透明膜８が形成されている。
ｎ）方式と呼ばれる、代表的な位相シフトマスクを示
す。通常のクロムの遮光膜１２と酸化クロムの反射防止
膜１３を有するフォトマスク上の一部に、ＳＯＧ膜から
なる透明膜８が形成されている。
【００１２】この方式のマスクは特にラインアンドスペ
ースのような繰り返しパターンに対して用いられ、フォ
トマスク上の隣接する透明領域を透過する光に１８０度
の位相差を与える位相シフトマスクである。孤立パター
ンの形成には適していない。光は伝波する物質の屈折率
により波長が変化するため、位相シフターと呼ばれる透
明膜の膜厚ｔを、ｔ＝λ／２（ｎ−１）（ここで、λは
露光光の波長、ｎは透明膜の屈折率）とすることによ
り、位相シフターを通る光と通らない光の光路差により
１８０度の位相差を生じさせることができる。通常、位
相シフターの材料としては、ＳＯＧ（スピン・オン・グ
ラス）膜あるいはスパッタ法やＣＶＤ法によるＳｉＯ2
膜等が用いられる。また、位相シフターはフッ素ガスを
用いたドライエッチングにより加工されるが、このとき
透明基板１である石英もエッチングされてしまうため、
透明基板１上にエッチングストッパー１０が必要とな
る。エッチングストッパー１０はフッ素ガスを用いたド
ライエッチングでもエッチングされにくい、ＩＴＯ（イ
ンジュウム・ティン・オキサイド），アルミナ（Ａｌ2
Ｏ3 ），酸化錫（ＳｎＯ2 ）等の透明性のある金属酸化
物が用いられ、例えばＳＯＧ膜とならばこれら酸化物の
いずれも１０前後の選択比が得られる。
ースのような繰り返しパターンに対して用いられ、フォ
トマスク上の隣接する透明領域を透過する光に１８０度
の位相差を与える位相シフトマスクである。孤立パター
ンの形成には適していない。光は伝波する物質の屈折率
により波長が変化するため、位相シフターと呼ばれる透
明膜の膜厚ｔを、ｔ＝λ／２（ｎ−１）（ここで、λは
露光光の波長、ｎは透明膜の屈折率）とすることによ
り、位相シフターを通る光と通らない光の光路差により
１８０度の位相差を生じさせることができる。通常、位
相シフターの材料としては、ＳＯＧ（スピン・オン・グ
ラス）膜あるいはスパッタ法やＣＶＤ法によるＳｉＯ2
膜等が用いられる。また、位相シフターはフッ素ガスを
用いたドライエッチングにより加工されるが、このとき
透明基板１である石英もエッチングされてしまうため、
透明基板１上にエッチングストッパー１０が必要とな
る。エッチングストッパー１０はフッ素ガスを用いたド
ライエッチングでもエッチングされにくい、ＩＴＯ（イ
ンジュウム・ティン・オキサイド），アルミナ（Ａｌ2
Ｏ3 ），酸化錫（ＳｎＯ2 ）等の透明性のある金属酸化
物が用いられ、例えばＳＯＧ膜とならばこれら酸化物の
いずれも１０前後の選択比が得られる。
【００１３】また、特にコンタクトホールパターンのよ
うな孤立パターンに対しては、ハーフトーン方式（例え
ば特開平４−１６２０３９号公報）の位相シフトマスク
が注目されている。図１０にハーフトーン方式の位相シ
フトマスクの断面図を示す。透明基板１上に厚さ約１２
０ｎｍの酸窒化クロムの半透明膜１７が形成されてい
る。この酸窒化クロムの半透明膜１７は１０％程度の光
を透過させると同時に、透過する光と透過しない光にお
たがいに１８０度の位相差を生じせている。このような
ハーフトーン用の半透明膜の材料としては、クロム系の
酸化クロム（ＣｒＯ），窒化クロム（ＣｒＮ）あるいは
酸窒化クロム（ＣｒＯＮ）とモリブデンシリサイド系の
酸化モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉＯ），酸窒化モリ
ブデンシリサイド（ＭｏＳｉＯＮ）が一般的に用いられ
ている。
うな孤立パターンに対しては、ハーフトーン方式（例え
ば特開平４−１６２０３９号公報）の位相シフトマスク
が注目されている。図１０にハーフトーン方式の位相シ
フトマスクの断面図を示す。透明基板１上に厚さ約１２
０ｎｍの酸窒化クロムの半透明膜１７が形成されてい
る。この酸窒化クロムの半透明膜１７は１０％程度の光
を透過させると同時に、透過する光と透過しない光にお
たがいに１８０度の位相差を生じせている。このような
ハーフトーン用の半透明膜の材料としては、クロム系の
酸化クロム（ＣｒＯ），窒化クロム（ＣｒＮ）あるいは
酸窒化クロム（ＣｒＯＮ）とモリブデンシリサイド系の
酸化モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉＯ），酸窒化モリ
ブデンシリサイド（ＭｏＳｉＯＮ）が一般的に用いられ
ている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】図８に示した従来のフ
ォトマスクにおいては、遮光膜としてクロムを用いてい
たため、ドライエッチングが困難であるという問題点が
生じていた。すなわち、塩素ガスによるエッチングで
は、エッチング中のレジスト膜べりによりパターン寸法
が変化し、寸法精度が十分得られなかった。そして、遮
光膜としてフッ素を含んだガスでエッチング可能な金属
およびシリサイドを用いた場合、フッ素ガスによるエッ
チングの際に透明基板もエッチングされてしまうという
問題点が生じていた。すなわち、透明基板の表面がエッ
チングにより荒れ、透過率が局所的に変化してしまっ
た。
ォトマスクにおいては、遮光膜としてクロムを用いてい
たため、ドライエッチングが困難であるという問題点が
生じていた。すなわち、塩素ガスによるエッチングで
は、エッチング中のレジスト膜べりによりパターン寸法
が変化し、寸法精度が十分得られなかった。そして、遮
光膜としてフッ素を含んだガスでエッチング可能な金属
およびシリサイドを用いた場合、フッ素ガスによるエッ
チングの際に透明基板もエッチングされてしまうという
問題点が生じていた。すなわち、透明基板の表面がエッ
チングにより荒れ、透過率が局所的に変化してしまっ
た。
【００１５】また、図１０に示した従来のハーフトーン
位相シフト方式のフォトマスクでは半透明膜としてクロ
ムの酸窒化物を用いていたので、塩素ガスによるドライ
エッチング時のレジスト膜減りによるパターン寸法変化
が大きいという問題が生じていた。そして、この他のハ
ーフトーン方式のフォトマスクにおいては、半透明膜と
してフッ素を含んだガスでエッチング可能な金属および
シリサイドの酸窒化物を用いていたので、フッ素ガスに
よるエッチングの際に透明基板もエッチングされてしま
うという問題点が生じていた。特に、位相シフトマスク
においては、透明基板がエッチングされると位相エラー
（位相差の目標値からのずれ）が生じるため解像特性が
悪化してしまっていた。また、このハーフトーン方式で
は、渋谷−レベンソン方式の位相シフトマスクで用いら
れているエッチングストッパーを用いても、半透明膜
（酸窒化物）とエッチングストッパー（金属酸化物）で
はエッチングの選択比が取れず、位相エラーの問題は解
決できていなかった。
位相シフト方式のフォトマスクでは半透明膜としてクロ
ムの酸窒化物を用いていたので、塩素ガスによるドライ
エッチング時のレジスト膜減りによるパターン寸法変化
が大きいという問題が生じていた。そして、この他のハ
ーフトーン方式のフォトマスクにおいては、半透明膜と
してフッ素を含んだガスでエッチング可能な金属および
シリサイドの酸窒化物を用いていたので、フッ素ガスに
よるエッチングの際に透明基板もエッチングされてしま
うという問題点が生じていた。特に、位相シフトマスク
においては、透明基板がエッチングされると位相エラー
（位相差の目標値からのずれ）が生じるため解像特性が
悪化してしまっていた。また、このハーフトーン方式で
は、渋谷−レベンソン方式の位相シフトマスクで用いら
れているエッチングストッパーを用いても、半透明膜
（酸窒化物）とエッチングストッパー（金属酸化物）で
はエッチングの選択比が取れず、位相エラーの問題は解
決できていなかった。
【００１６】本発明の目的は、ドライエッチングにより
十分な寸法精度が得られる遮光膜を有し、しかも透明基
板がエッチングされることのないフォトマスク及びその
製造方法を提供することにある。
十分な寸法精度が得られる遮光膜を有し、しかも透明基
板がエッチングされることのないフォトマスク及びその
製造方法を提供することにある。
【００１７】本発明の他の目的は、ドライエッチングに
より十分な寸法精度が得られる半透明膜を有し、しかも
透明基板がエッチングされることのない位相シフト方式
のフォトマスク及びその製造方法を提供することにあ
る。
より十分な寸法精度が得られる半透明膜を有し、しかも
透明基板がエッチングされることのない位相シフト方式
のフォトマスク及びその製造方法を提供することにあ
る。
【００１８】
【課題を解決するための手段】第１の発明のフォトマス
クは、透明基板上に順次形成された遮光膜と反射防止膜
を有するフォトマスクにおいて、前記遮光膜としてルテ
ニウムを用い、かつ前記反射防止膜として酸化ルテニウ
ムを用いたことを特徴とするものである。
クは、透明基板上に順次形成された遮光膜と反射防止膜
を有するフォトマスクにおいて、前記遮光膜としてルテ
ニウムを用い、かつ前記反射防止膜として酸化ルテニウ
ムを用いたことを特徴とするものである。
【００１９】第２の発明のフォトマスクの製造方法は、
透明基板上にルテニウムからなる遮光膜と酸化ルテニウ
ムからなる反射防止膜を順次形成してマスクブランクを
形成する工程と、前記マスクブランク上に感光性樹脂を
塗布し電子線又は紫外光描画を行った後シリル化処理を
行ないシリル化層を形成する工程と、前記シリル化層を
マスクとし酸素ガスを用いたドライエッチングにより前
記感光性樹脂膜と前記反射防止膜および前記遮光膜をエ
ッチングする工程とを含むことを特徴とするものであ
る。
透明基板上にルテニウムからなる遮光膜と酸化ルテニウ
ムからなる反射防止膜を順次形成してマスクブランクを
形成する工程と、前記マスクブランク上に感光性樹脂を
塗布し電子線又は紫外光描画を行った後シリル化処理を
行ないシリル化層を形成する工程と、前記シリル化層を
マスクとし酸素ガスを用いたドライエッチングにより前
記感光性樹脂膜と前記反射防止膜および前記遮光膜をエ
ッチングする工程とを含むことを特徴とするものであ
る。
【００２０】第３の発明のフォトマスクは、透明基板上
に順次形成された遮光膜と反射防止膜を有するフォトマ
スクにおいて、前記遮光膜としてルテニウムを用い、前
記反射防止膜として酸化クロム，窒化クロム又は酸窒化
クロムのうちいずれか一つを用いたことを特徴とするも
のである。
に順次形成された遮光膜と反射防止膜を有するフォトマ
スクにおいて、前記遮光膜としてルテニウムを用い、前
記反射防止膜として酸化クロム，窒化クロム又は酸窒化
クロムのうちいずれか一つを用いたことを特徴とするも
のである。
【００２１】第４の発明のフォトマスクの製造方法は、
透明基板上にルテニウムからなる遮光膜と酸化クロム，
窒化クロム又は酸窒化クロムのうちのいずれか一つから
なる反射防止膜を順次形成してマスクブランクを作成す
る工程と、前記マスクブランク上に感光性樹脂を塗布し
たのち電子線又は紫外光描画および現像を行ない感光性
樹脂膜をパターニングする工程と、前記感光性樹脂膜を
マスクとし塩素を含んだガスを用いたドライエッチング
により前記反射防止膜をエッチングし、続いて酸素ガス
を用いたドライエッチングにより前記遮光膜をエッチン
グする工程とを含むことを特徴とするものである。
透明基板上にルテニウムからなる遮光膜と酸化クロム，
窒化クロム又は酸窒化クロムのうちのいずれか一つから
なる反射防止膜を順次形成してマスクブランクを作成す
る工程と、前記マスクブランク上に感光性樹脂を塗布し
たのち電子線又は紫外光描画および現像を行ない感光性
樹脂膜をパターニングする工程と、前記感光性樹脂膜を
マスクとし塩素を含んだガスを用いたドライエッチング
により前記反射防止膜をエッチングし、続いて酸素ガス
を用いたドライエッチングにより前記遮光膜をエッチン
グする工程とを含むことを特徴とするものである。
【００２２】第５の発明のフォトマスクは、透明基板上
に順次形成された遮光膜と反射防止膜を有するフォトマ
スクにおいて、前記遮光膜としてルテニウムを用い、前
記反射防止膜として高融点金属シリサイドの酸化物，窒
化物又は酸窒化物のうちいずれか一つを用いたことを特
徴とするものである。
に順次形成された遮光膜と反射防止膜を有するフォトマ
スクにおいて、前記遮光膜としてルテニウムを用い、前
記反射防止膜として高融点金属シリサイドの酸化物，窒
化物又は酸窒化物のうちいずれか一つを用いたことを特
徴とするものである。
【００２３】第６の発明のフォトマスクの製造方法は、
透明基板上にルテニウムからなる遮光膜と高融点金属シ
リサイドの酸化物，窒化物又は酸窒化物のうちのいずれ
か一つからなる反射防止膜を順次形成してマスクブラン
クを作成する工程と、前記マスクブランク上に感光性樹
脂を塗布し電子線又は紫外光描画および現像を行ない感
光性樹脂膜をパターニングする工程と、前記感光性樹脂
膜をマスクとしフッ素を含んだガスを用いたドライエッ
チングにより前記反射防止膜をエッチングし、続いて酸
素ガスを用いたドライエッチングにより前記遮光膜をエ
ッチングする工程とを含むことを特徴とするものであ
る。
透明基板上にルテニウムからなる遮光膜と高融点金属シ
リサイドの酸化物，窒化物又は酸窒化物のうちのいずれ
か一つからなる反射防止膜を順次形成してマスクブラン
クを作成する工程と、前記マスクブランク上に感光性樹
脂を塗布し電子線又は紫外光描画および現像を行ない感
光性樹脂膜をパターニングする工程と、前記感光性樹脂
膜をマスクとしフッ素を含んだガスを用いたドライエッ
チングにより前記反射防止膜をエッチングし、続いて酸
素ガスを用いたドライエッチングにより前記遮光膜をエ
ッチングする工程とを含むことを特徴とするものであ
る。
【００２４】第７の発明のフォトマスクは、透明基板上
に半透明膜を有し、かつ前記半透明膜を透過する露光光
と透過しない露光光の位相を１８０度異ならせるハーフ
トーン方式のフォトマスクにおいて、前記半透明膜とし
てルテニウム，酸化ルテニウム，窒化ルテニウム又は酸
窒化ルテニウムのうちの少なくとも一つを用いたことを
特徴とするものである。
に半透明膜を有し、かつ前記半透明膜を透過する露光光
と透過しない露光光の位相を１８０度異ならせるハーフ
トーン方式のフォトマスクにおいて、前記半透明膜とし
てルテニウム，酸化ルテニウム，窒化ルテニウム又は酸
窒化ルテニウムのうちの少なくとも一つを用いたことを
特徴とするものである。
【００２５】第８の発明のフォトマスクの製造方法は、
透明基板上にルテニウム，酸化ルテニウム，窒化ルテニ
ウム又は酸窒化ルテニウムのうちの少なくとも一つの材
料により半透明膜を形成しマスクブランクを作成する工
程と、前記マスクブランク上に感光性樹脂を塗布し電子
線又は紫外光描画を行った後シリル化処理を行ないシリ
ル化層を形成する工程と、前記シリル化層をマスクとし
酸素ガスを用いたドライエッチングにより前記感光性樹
脂膜および前記半透明膜をエッチングする工程とを含む
ことを特徴とするものである。
透明基板上にルテニウム，酸化ルテニウム，窒化ルテニ
ウム又は酸窒化ルテニウムのうちの少なくとも一つの材
料により半透明膜を形成しマスクブランクを作成する工
程と、前記マスクブランク上に感光性樹脂を塗布し電子
線又は紫外光描画を行った後シリル化処理を行ないシリ
ル化層を形成する工程と、前記シリル化層をマスクとし
酸素ガスを用いたドライエッチングにより前記感光性樹
脂膜および前記半透明膜をエッチングする工程とを含む
ことを特徴とするものである。
【００２６】第９の発明のフォトマスクは、透明基板上
に順次形成された半透明膜と遮光膜との積層膜からなる
半透明領域と、この半透明領域により区画され前記透明
基板からなる透明領域によりパターンが形成され、前記
透明領域を透過する光と前記半透明領域を透過する光に
互いに１８０度の位相差を生じさせるハーフトーン方式
のフォトマスクにおいて、前記半透明膜としてルテニウ
ム，酸化ルテニウム，窒化ルテニウム又は酸窒化ルテニ
ウムのうちの少なくとも一つを用い、前記透明膜として
酸化シリコン，窒化シリコン又は酸窒化シリコンのいず
れか一つを用いたことを特徴とするものである。
に順次形成された半透明膜と遮光膜との積層膜からなる
半透明領域と、この半透明領域により区画され前記透明
基板からなる透明領域によりパターンが形成され、前記
透明領域を透過する光と前記半透明領域を透過する光に
互いに１８０度の位相差を生じさせるハーフトーン方式
のフォトマスクにおいて、前記半透明膜としてルテニウ
ム，酸化ルテニウム，窒化ルテニウム又は酸窒化ルテニ
ウムのうちの少なくとも一つを用い、前記透明膜として
酸化シリコン，窒化シリコン又は酸窒化シリコンのいず
れか一つを用いたことを特徴とするものである。
【００２７】第１０の発明のフォトマスクの製造方法
は、透明基板上にルテニウム，酸化ルテニウム，窒化ル
テニウム又は酸窒化ルテニウムのうちの少なくとも一つ
の材料により半透明膜を形成したのちその上に酸化シリ
コン，窒化シリコン又は酸窒化シリコンのいずれか一つ
からなる透明膜を形成しマスクブランクを作成する工程
と、前記マスクブランク上に感光性樹脂を塗布し電子線
又は紫外光描画及び現像を行ない感光性樹脂膜をパター
ニングする工程と、前記感光性樹脂膜をマスクとしフッ
素ガスを用いたドライエッチングにより前記透明膜をエ
ッチングし、続いて酸素ガスを用いたドライエッチング
により前記半透明膜をエッチングする工程とを含むこと
を特徴とするものである。
は、透明基板上にルテニウム，酸化ルテニウム，窒化ル
テニウム又は酸窒化ルテニウムのうちの少なくとも一つ
の材料により半透明膜を形成したのちその上に酸化シリ
コン，窒化シリコン又は酸窒化シリコンのいずれか一つ
からなる透明膜を形成しマスクブランクを作成する工程
と、前記マスクブランク上に感光性樹脂を塗布し電子線
又は紫外光描画及び現像を行ない感光性樹脂膜をパター
ニングする工程と、前記感光性樹脂膜をマスクとしフッ
素ガスを用いたドライエッチングにより前記透明膜をエ
ッチングし、続いて酸素ガスを用いたドライエッチング
により前記半透明膜をエッチングする工程とを含むこと
を特徴とするものである。
【００２８】第１１の発明のフォトマスクは、透明基板
上に形成された半透明膜からなる半透明領域と、この半
透明領域により区画され前記透明基板からなる透明領域
によりパターンが形成され、前記透明領域を透過する光
と前記半透明領域を透過する光に互いに１８０度の位相
差を生じさせるハーフトーン方式のフォトマスクにおい
て、前記半透明膜は、ルテニウム，酸化ルテニウム，窒
化ルテニウム又は酸窒化ルテニウムのうちの少なくとも
一つの材料からなる第１の半透明膜と、酸化クロム，窒
化クロム又は酸窒化クロムのうちのいずれか一つからな
る第２の半透明膜とから構成されていることを特徴とす
るものである。
上に形成された半透明膜からなる半透明領域と、この半
透明領域により区画され前記透明基板からなる透明領域
によりパターンが形成され、前記透明領域を透過する光
と前記半透明領域を透過する光に互いに１８０度の位相
差を生じさせるハーフトーン方式のフォトマスクにおい
て、前記半透明膜は、ルテニウム，酸化ルテニウム，窒
化ルテニウム又は酸窒化ルテニウムのうちの少なくとも
一つの材料からなる第１の半透明膜と、酸化クロム，窒
化クロム又は酸窒化クロムのうちのいずれか一つからな
る第２の半透明膜とから構成されていることを特徴とす
るものである。
【００２９】第１２の発明のフォトマスクの製造方法
は、透明基板上にルテニウム，酸化ルテニウム，窒化ル
テニウム又は酸窒化ルテニウムのうちの少なくとも一つ
の材料により第１の半透明膜を形成したのちその上に酸
化クロム，窒化クロム又は酸窒化クロムのいずれか一つ
からなる第２の半透明膜を形成しマスクブランクを作成
する工程と、前記マスクブランク上に感光性樹脂を塗布
し電子線又は紫外光描画及び現像を行ない感光性樹脂膜
をパターニングする工程と、前記感光性樹脂膜をマスク
とし塩素を含んだガスを用いたドライエッチングにより
前記第２の半透明膜をエッチングし、続いて酸素ガスを
用いたドライエッチングにより前記第１の半透明膜をエ
ッチングする工程を含むことを特徴とするものである。
は、透明基板上にルテニウム，酸化ルテニウム，窒化ル
テニウム又は酸窒化ルテニウムのうちの少なくとも一つ
の材料により第１の半透明膜を形成したのちその上に酸
化クロム，窒化クロム又は酸窒化クロムのいずれか一つ
からなる第２の半透明膜を形成しマスクブランクを作成
する工程と、前記マスクブランク上に感光性樹脂を塗布
し電子線又は紫外光描画及び現像を行ない感光性樹脂膜
をパターニングする工程と、前記感光性樹脂膜をマスク
とし塩素を含んだガスを用いたドライエッチングにより
前記第２の半透明膜をエッチングし、続いて酸素ガスを
用いたドライエッチングにより前記第１の半透明膜をエ
ッチングする工程を含むことを特徴とするものである。
【００３０】第１３の発明のフォトマスクは、透明基板
上に形成された半透明膜からなる半透明領域と、この半
透明領域により区画され前記透明基板からなる透明領域
によりパターンが形成され、前記透明領域を透過する光
と前記半透明領域を透過する光に互いに１８０度の位相
差を生じさせるハーフトーン方式のフォトマスクにおい
て、前記半透明膜は、ルテニウム，酸化ルテニウム，窒
化ルテニウム又は酸窒化ルテニウムのうちの少なくとも
一つの材料からなる第１の半透明膜と高融点金属シリサ
イドの酸化物，窒化物，あるいは酸窒化物のうちのいず
れか一つからなる第２の半透明膜とから構成されている
ことを特徴とするものである。
上に形成された半透明膜からなる半透明領域と、この半
透明領域により区画され前記透明基板からなる透明領域
によりパターンが形成され、前記透明領域を透過する光
と前記半透明領域を透過する光に互いに１８０度の位相
差を生じさせるハーフトーン方式のフォトマスクにおい
て、前記半透明膜は、ルテニウム，酸化ルテニウム，窒
化ルテニウム又は酸窒化ルテニウムのうちの少なくとも
一つの材料からなる第１の半透明膜と高融点金属シリサ
イドの酸化物，窒化物，あるいは酸窒化物のうちのいず
れか一つからなる第２の半透明膜とから構成されている
ことを特徴とするものである。
【００３１】第１４の発明のフォトマスクの製造方法
は、透明基板上にルテニウム，酸化ルテニウム，窒化ル
テニウム又は酸窒化ルテニウムのうちの少なくとも一つ
の材料により第１の半透明膜を形成したのちその上に高
融点金属シリサイドの酸化物，窒化物又は酸窒化物のう
ちいずれか一つからなる第２の半透明膜を形成しマスク
ブランクを作成する工程と、前記マスクブランク上に感
光性樹脂を塗布し電子線又は紫外光描画及び現像を行な
い感光性樹脂膜をパターニングする工程と、前記感光性
樹脂膜をマスクとしフッ素ガスを用いたドライエッチン
グにより前記第２の半透明膜をエッチングし、続いて酸
素ガスを用いたドライエッチングにより前記第１の半透
明膜をエッチングする工程とを含むことを特徴とするも
のである。
は、透明基板上にルテニウム，酸化ルテニウム，窒化ル
テニウム又は酸窒化ルテニウムのうちの少なくとも一つ
の材料により第１の半透明膜を形成したのちその上に高
融点金属シリサイドの酸化物，窒化物又は酸窒化物のう
ちいずれか一つからなる第２の半透明膜を形成しマスク
ブランクを作成する工程と、前記マスクブランク上に感
光性樹脂を塗布し電子線又は紫外光描画及び現像を行な
い感光性樹脂膜をパターニングする工程と、前記感光性
樹脂膜をマスクとしフッ素ガスを用いたドライエッチン
グにより前記第２の半透明膜をエッチングし、続いて酸
素ガスを用いたドライエッチングにより前記第１の半透
明膜をエッチングする工程とを含むことを特徴とするも
のである。
【００３２】
【実施例】次に本発明を図面を用いて説明する。図１
（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例を説明する為の
基板の断面図である。
（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例を説明する為の
基板の断面図である。
【００３３】まず、図１（ａ）に示すように、石英から
なる透明基板１上に、スパッタ法により厚さ７００ｎｍ
のルテニウムの遮光膜２を成膜し、続いてスパッタ中に
酸素ガスを供給し厚さ３０ｎｍの酸化ルテニウムの反射
防止膜３を成膜する。次に、全面に感光性樹脂膜４を塗
布し、電子線５を用いる描画法により、所定のパターン
を描画する。
なる透明基板１上に、スパッタ法により厚さ７００ｎｍ
のルテニウムの遮光膜２を成膜し、続いてスパッタ中に
酸素ガスを供給し厚さ３０ｎｍの酸化ルテニウムの反射
防止膜３を成膜する。次に、全面に感光性樹脂膜４を塗
布し、電子線５を用いる描画法により、所定のパターン
を描画する。
【００３４】次に、図１（ｂ）に示すように、ヘキサメ
チルジシラザン（ＨＭＤＳ）雰囲気中で１８０℃，３分
間のベークを行うシリル化法により、描画された感光性
樹脂膜４の表面に、シリコンを供給しシリル化層６を形
成する。
チルジシラザン（ＨＭＤＳ）雰囲気中で１８０℃，３分
間のベークを行うシリル化法により、描画された感光性
樹脂膜４の表面に、シリコンを供給しシリル化層６を形
成する。
【００３５】次に、図１（ｃ）に示すように、平行平板
ＲＩＥドライエッチング装置を用い、酸素流量：２０ｓ
ｃｃｍ，パワー：１００ｎＷ，圧力：２０ｍＴｏｒｒの
条件を用いる酸素ドライエッチングにより、シリル化層
６をマスクとして未露光部の感光性樹脂膜４をエッチン
グし、引き続き酸化ルテニウムの反射防止膜３及びルテ
ニウムの遮光膜２をエッチングする。
ＲＩＥドライエッチング装置を用い、酸素流量：２０ｓ
ｃｃｍ，パワー：１００ｎＷ，圧力：２０ｍＴｏｒｒの
条件を用いる酸素ドライエッチングにより、シリル化層
６をマスクとして未露光部の感光性樹脂膜４をエッチン
グし、引き続き酸化ルテニウムの反射防止膜３及びルテ
ニウムの遮光膜２をエッチングする。
【００３６】そして最後に、図１（ｄ）に示すように、
酸洗浄（硫酸加水、１００℃）により感光性樹脂膜４を
剥離し、フォトマスクを完成させる。
酸洗浄（硫酸加水、１００℃）により感光性樹脂膜４を
剥離し、フォトマスクを完成させる。
【００３７】なお、上記の酸化ルテニウム及びルテニウ
ムの酸素によるドライエッチングにおいては、感光性樹
脂膜のパターンと同等の寸法精度で酸化ルテニウム及び
ルテニウムが加工でき、かつ透明基板には影響を及ぼさ
ないという利点がある。すなわち、図８に示した従来の
酸化クロムの反射防止膜１３及びクロムの遮光膜１２を
用いたフォトマスクにおいては、塩素ガスによるエッチ
ングの際に感光性樹脂膜にサイドエッチングが生じ、寸
法が徐々に細くなるため、十分な加工精度が得られてい
なかった。また、従来の高融点金属シリサイドの酸化物
の反射防止膜と高融点金属シリサイドの遮光膜を用いた
フォトマスクにおいては、フッ素ガスによるエッチング
により、透明基板の表面にダメージが生じ透過率の低下
を生じさせていた。しかし、上記第１の実施例の酸素ド
ライエッチングでは、感光性樹脂膜および酸化ルテニウ
ム／ルテニウムにサイドエッチングはほとんど生じず、
かつ透明基板である石英はまったくエッチングされな
い。
ムの酸素によるドライエッチングにおいては、感光性樹
脂膜のパターンと同等の寸法精度で酸化ルテニウム及び
ルテニウムが加工でき、かつ透明基板には影響を及ぼさ
ないという利点がある。すなわち、図８に示した従来の
酸化クロムの反射防止膜１３及びクロムの遮光膜１２を
用いたフォトマスクにおいては、塩素ガスによるエッチ
ングの際に感光性樹脂膜にサイドエッチングが生じ、寸
法が徐々に細くなるため、十分な加工精度が得られてい
なかった。また、従来の高融点金属シリサイドの酸化物
の反射防止膜と高融点金属シリサイドの遮光膜を用いた
フォトマスクにおいては、フッ素ガスによるエッチング
により、透明基板の表面にダメージが生じ透過率の低下
を生じさせていた。しかし、上記第１の実施例の酸素ド
ライエッチングでは、感光性樹脂膜および酸化ルテニウ
ム／ルテニウムにサイドエッチングはほとんど生じず、
かつ透明基板である石英はまったくエッチングされな
い。
【００３８】図２（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施
例を説明する為の基板の断面図である。まず図２（ａ）
に示すように、石英の透明基板１上に、スパッタ法によ
り厚さ７００ｎｍのルテニウムの遮光膜２を成膜し、続
いてスパッタのターゲットを変更して酸素ガスを供給し
つつスパッタを行い厚さ３０ｎｍの酸化クロムの反射防
止膜３Ａを成膜する。次に、全面に感光性樹脂膜４を塗
布し、電子線描画法により、所定のパターンを描画す
る。
例を説明する為の基板の断面図である。まず図２（ａ）
に示すように、石英の透明基板１上に、スパッタ法によ
り厚さ７００ｎｍのルテニウムの遮光膜２を成膜し、続
いてスパッタのターゲットを変更して酸素ガスを供給し
つつスパッタを行い厚さ３０ｎｍの酸化クロムの反射防
止膜３Ａを成膜する。次に、全面に感光性樹脂膜４を塗
布し、電子線描画法により、所定のパターンを描画す
る。
【００３９】次に、図２（ｂ）に示すように、現像して
感光性樹脂膜４のパターンを形成した後、塩素ガスを用
いたドライエッチングにより、酸化クロムの反射防止膜
３Ａをエッチングする。次に、図２（ｃ）に示すよう
に、酸素ドライエッチングにより、ルテニウムの遮光膜
２をエッチングする。そして最後に、図２（ｄ）に示す
ように、酸洗浄により感光性樹脂膜４を剥離し、フォト
マスクを完成させる。
感光性樹脂膜４のパターンを形成した後、塩素ガスを用
いたドライエッチングにより、酸化クロムの反射防止膜
３Ａをエッチングする。次に、図２（ｃ）に示すよう
に、酸素ドライエッチングにより、ルテニウムの遮光膜
２をエッチングする。そして最後に、図２（ｄ）に示す
ように、酸洗浄により感光性樹脂膜４を剥離し、フォト
マスクを完成させる。
【００４０】本第２の実施例では、塩素ガスでエッチン
グするのが３０ｎｍと極薄い反射防止膜３Ａである為、
エッチングの際に感光性樹脂膜４の寸法が細るのを大幅
に改善できる。また、その後の酸素ガスを用いたルテニ
ウムの遮光膜２のドライエッチング時には、酸化クロム
の反射防止膜３Ａはまったくエッチングされず完全なエ
ッチングマスクとなるため、従来より寸法精度のよいマ
スクを容易に得ることができる。
グするのが３０ｎｍと極薄い反射防止膜３Ａである為、
エッチングの際に感光性樹脂膜４の寸法が細るのを大幅
に改善できる。また、その後の酸素ガスを用いたルテニ
ウムの遮光膜２のドライエッチング時には、酸化クロム
の反射防止膜３Ａはまったくエッチングされず完全なエ
ッチングマスクとなるため、従来より寸法精度のよいマ
スクを容易に得ることができる。
【００４１】図３（ａ）〜（ｄ）は本発明の第３の実施
例を説明する為の基板の断面図である。まず図３（ａ）
に示すように、石英の透明基板１上に、スパッタ法によ
り厚さ７００ｎｍのルテニウムの遮光膜２を成膜し、続
いてスパッタのターゲットを変更して、酸素ガスを供給
しつつスパッタを行い厚さ３０ｎｍの酸化モリブデンシ
リサイドの反射防止膜３Ｂを成膜する。次に、全面に感
光性樹脂膜４を塗布し、電子線描画法により、所定のパ
ターンを描画する。
例を説明する為の基板の断面図である。まず図３（ａ）
に示すように、石英の透明基板１上に、スパッタ法によ
り厚さ７００ｎｍのルテニウムの遮光膜２を成膜し、続
いてスパッタのターゲットを変更して、酸素ガスを供給
しつつスパッタを行い厚さ３０ｎｍの酸化モリブデンシ
リサイドの反射防止膜３Ｂを成膜する。次に、全面に感
光性樹脂膜４を塗布し、電子線描画法により、所定のパ
ターンを描画する。
【００４２】次に、図３（ｂ）に示すように、現像して
感光性樹脂膜４のパターンを形成した後、フッ素ガスを
用いたドライエッチングにより、酸化モリブデンシリサ
イドの反射防止膜３Ｂをエッチングする。次に、図３
（ｃ）に示すように、酸素ドライエッチングにより、ル
テニウムの遮光膜２をエッチングする。そして最後に、
図３（ｄ）に示すように、酸洗浄により感光性樹脂膜４
を剥離し、フォトマスクを完成させる。
感光性樹脂膜４のパターンを形成した後、フッ素ガスを
用いたドライエッチングにより、酸化モリブデンシリサ
イドの反射防止膜３Ｂをエッチングする。次に、図３
（ｃ）に示すように、酸素ドライエッチングにより、ル
テニウムの遮光膜２をエッチングする。そして最後に、
図３（ｄ）に示すように、酸洗浄により感光性樹脂膜４
を剥離し、フォトマスクを完成させる。
【００４３】本第３の実施例では、塩素ガスでエッチン
グするのが上層の反射防止膜３Ｂのみであるので、透明
基板にダメージを与えることはない。酸素ガスを用いた
ルテニウムの遮光膜２のドライエッチング時には、透明
基板はまったくエッチングされない。また、本第３の実
施例においても、フッ素でエッチングされるのが、３０
ｎｍと薄い反射防止膜３Ｂのみであるので、その下の遮
光膜２は反射防止膜３Ｂをマスクとしてエッチングする
ため、従来より寸法精度のよいマスクを容易に得ること
ができる。
グするのが上層の反射防止膜３Ｂのみであるので、透明
基板にダメージを与えることはない。酸素ガスを用いた
ルテニウムの遮光膜２のドライエッチング時には、透明
基板はまったくエッチングされない。また、本第３の実
施例においても、フッ素でエッチングされるのが、３０
ｎｍと薄い反射防止膜３Ｂのみであるので、その下の遮
光膜２は反射防止膜３Ｂをマスクとしてエッチングする
ため、従来より寸法精度のよいマスクを容易に得ること
ができる。
【００４４】図４（ａ）〜（ｄ）は本発明の第４の実施
例を説明する為の基板の断面図である。まず図４（ａ）
に示すように、石英の透明基板１上に、酸素および窒素
ガスを供給しつつスパッタを行い、酸窒化ルテニウムの
半透明膜７を成膜する。この半透明膜７の厚さは、露光
光をｉ線（波長λ＝３６５ｎｍ）とした時の酸窒化ルテ
ニウムの光学定数は、ｎ＝２．２となるので膜厚ｔを、
ｔ＝λ／２（ｎ−１）の式より、１５２ｎｍとしてい
る。また、このとき約５％の透過率が得られている。次
に、全面に感光性樹脂膜４を塗布し、電子線描画法によ
り、所定のパターンを描画する。
例を説明する為の基板の断面図である。まず図４（ａ）
に示すように、石英の透明基板１上に、酸素および窒素
ガスを供給しつつスパッタを行い、酸窒化ルテニウムの
半透明膜７を成膜する。この半透明膜７の厚さは、露光
光をｉ線（波長λ＝３６５ｎｍ）とした時の酸窒化ルテ
ニウムの光学定数は、ｎ＝２．２となるので膜厚ｔを、
ｔ＝λ／２（ｎ−１）の式より、１５２ｎｍとしてい
る。また、このとき約５％の透過率が得られている。次
に、全面に感光性樹脂膜４を塗布し、電子線描画法によ
り、所定のパターンを描画する。
【００４５】次に、図４（ｂ）に示すように、シリル化
法により描画された感光性樹脂膜４の表面にシリコンを
供給しシリル化層６を形成する。次に、図４（ｃ）に示
すように、酸素ドライエッチングによりシリル化層６を
マスクに、未露光部の感光性樹脂膜４をエッチングし、
引き続き酸窒化ルテニウムの半透明膜７をエッチングす
る。そして最後に図４（ｄ）に示すように、酸洗浄によ
り感光性樹脂膜４を剥離し、位相シフト方式のフォトマ
スクを完成させる。
法により描画された感光性樹脂膜４の表面にシリコンを
供給しシリル化層６を形成する。次に、図４（ｃ）に示
すように、酸素ドライエッチングによりシリル化層６を
マスクに、未露光部の感光性樹脂膜４をエッチングし、
引き続き酸窒化ルテニウムの半透明膜７をエッチングす
る。そして最後に図４（ｄ）に示すように、酸洗浄によ
り感光性樹脂膜４を剥離し、位相シフト方式のフォトマ
スクを完成させる。
【００４６】本第４の実施例においては、図１０に示し
た従来の酸窒化クロムを用いた場合に比べ、酸窒化ルテ
ニウムは導電性を有するため、電子線描画時のチャージ
アップの問題がないという利点を有している。酸窒化ク
ロムは導電性が十分無いため、電子線描画の際チャージ
アップにより精度低下を生じるので、導電層を用いる等
の対策が必要であった。
た従来の酸窒化クロムを用いた場合に比べ、酸窒化ルテ
ニウムは導電性を有するため、電子線描画時のチャージ
アップの問題がないという利点を有している。酸窒化ク
ロムは導電性が十分無いため、電子線描画の際チャージ
アップにより精度低下を生じるので、導電層を用いる等
の対策が必要であった。
【００４７】また、本実施例は従来の高融点金属シリサ
イドの酸窒化物を半透明膜として用いたハーフトーン方
式のフォトマスクに対しても以下のような利点を有して
いる。高融点金属シリサイドの酸窒化物を半透明膜とし
て用いた場合、この材料が高い導電性を有するため、こ
のようなチャージアップの問題は無かった。しかし先に
も述べたように、この高融点金属を用いた場合には、そ
の加工にはフッ素を含むガスによるドライエッチングを
用いるので、石英でできた透明基板もエッチングされ、
表面の荒れによる透過率変化および透明基板が削られる
ことによる位相エラー（位相差の１８０度からのずれ）
の問題が生じていた。一方、本実施例においては、半透
明膜を酸素を主成分とするガスでエッチングしているの
で、透明基板には全く影響を及ぼさず、位相エラーのな
いフォトマスクを作製することで可能となっている。
イドの酸窒化物を半透明膜として用いたハーフトーン方
式のフォトマスクに対しても以下のような利点を有して
いる。高融点金属シリサイドの酸窒化物を半透明膜とし
て用いた場合、この材料が高い導電性を有するため、こ
のようなチャージアップの問題は無かった。しかし先に
も述べたように、この高融点金属を用いた場合には、そ
の加工にはフッ素を含むガスによるドライエッチングを
用いるので、石英でできた透明基板もエッチングされ、
表面の荒れによる透過率変化および透明基板が削られる
ことによる位相エラー（位相差の１８０度からのずれ）
の問題が生じていた。一方、本実施例においては、半透
明膜を酸素を主成分とするガスでエッチングしているの
で、透明基板には全く影響を及ぼさず、位相エラーのな
いフォトマスクを作製することで可能となっている。
【００４８】図５（ａ）〜（ｄ）は本発明の第５の実施
例を説明する為の基板の断面図である。まず図５（ａ）
に示すように、石英の透明基板１上に、酸素ガスを供給
しつつスパッタを行い、厚さ３０ｎｍの酸化ルテニウム
の半透明膜７Ａを成膜し、次でその上にＣＶＤ法により
厚さ７３ｎｍの窒化シリコンからなる透明膜８を形成す
る。露光光をｉ線（波長λ＝３６５ｎｍ）とした時、酸
化ルテニウムの光学定数は、ｎ＝２．１であり、また、
窒化シリコンの光学定数はｎ＝４．２となるので、酸化
ルテニウムの半透明膜の膜厚を３０ｎｍとすると、位相
差１８０とするために窒化シリコンの膜厚は７３ｎｍと
なる。次に、全面に感光性樹脂膜４を塗布し、電子線描
画法により所定のパターンを描画する。
例を説明する為の基板の断面図である。まず図５（ａ）
に示すように、石英の透明基板１上に、酸素ガスを供給
しつつスパッタを行い、厚さ３０ｎｍの酸化ルテニウム
の半透明膜７Ａを成膜し、次でその上にＣＶＤ法により
厚さ７３ｎｍの窒化シリコンからなる透明膜８を形成す
る。露光光をｉ線（波長λ＝３６５ｎｍ）とした時、酸
化ルテニウムの光学定数は、ｎ＝２．１であり、また、
窒化シリコンの光学定数はｎ＝４．２となるので、酸化
ルテニウムの半透明膜の膜厚を３０ｎｍとすると、位相
差１８０とするために窒化シリコンの膜厚は７３ｎｍと
なる。次に、全面に感光性樹脂膜４を塗布し、電子線描
画法により所定のパターンを描画する。
【００４９】次に、図５（ｂ）に示すように、現像して
感光性樹脂膜４のパターンを形成したのち、フッ素ガス
を用いたドライエッチングにより、窒化シリコンの透明
膜８をエッチングする。次に図５（ｃ）に示すように、
透明膜８をマスクとして、半透明膜７Ａを酸素を用いた
ドライエッチングによりエッチングする。そして最後
に、図５（ｄ）に示すように、酸洗浄により感光性樹脂
膜４を剥離し、位相シフト方式のフォトマスクを完成さ
せる。
感光性樹脂膜４のパターンを形成したのち、フッ素ガス
を用いたドライエッチングにより、窒化シリコンの透明
膜８をエッチングする。次に図５（ｃ）に示すように、
透明膜８をマスクとして、半透明膜７Ａを酸素を用いた
ドライエッチングによりエッチングする。そして最後
に、図５（ｄ）に示すように、酸洗浄により感光性樹脂
膜４を剥離し、位相シフト方式のフォトマスクを完成さ
せる。
【００５０】第５の実施例においては、透明膜８と半透
明膜７Ａを用いているので、半透明膜の厚さを変えるこ
とで、透過率を広範囲に変化させられるという利点があ
る。また、本実施例においても、透明膜のエッチングの
際には半透明膜がエッチングストッパーとして働き、透
明基板のダメージが防止される。また半透明膜のエッチ
ングの際には透明膜がエッチングマスクとなるため、従
来より寸法精度および位相差精度の良いハーフトーン位
相シフト方式のフォトマスクが得られるという利点は同
様である。
明膜７Ａを用いているので、半透明膜の厚さを変えるこ
とで、透過率を広範囲に変化させられるという利点があ
る。また、本実施例においても、透明膜のエッチングの
際には半透明膜がエッチングストッパーとして働き、透
明基板のダメージが防止される。また半透明膜のエッチ
ングの際には透明膜がエッチングマスクとなるため、従
来より寸法精度および位相差精度の良いハーフトーン位
相シフト方式のフォトマスクが得られるという利点は同
様である。
【００５１】なお、半透明膜としてルテニウム及び窒化
ルテニウム、また透明膜として酸化シリコンを用いても
同様の効果が得られる。
ルテニウム、また透明膜として酸化シリコンを用いても
同様の効果が得られる。
【００５２】図６（ａ）〜（ｄ）は本発明の第６の実施
例を説明する為の基板の断面図である。まず図６（ａ）
に示すように、石英の透明基板１上に、厚さ８０ｎｍの
酸化ルテニウムの第１の半透明膜７１を成膜し、その上
に厚さ３０ｎｍの酸窒化クロムの第２の半透明膜７２を
成膜する。次に、全面に感光性樹脂膜４を塗布し、電子
線描画法により所定のパターンを描画する。
例を説明する為の基板の断面図である。まず図６（ａ）
に示すように、石英の透明基板１上に、厚さ８０ｎｍの
酸化ルテニウムの第１の半透明膜７１を成膜し、その上
に厚さ３０ｎｍの酸窒化クロムの第２の半透明膜７２を
成膜する。次に、全面に感光性樹脂膜４を塗布し、電子
線描画法により所定のパターンを描画する。
【００５３】次に、図６（ｂ）に示すように、現像して
感光性樹脂膜４のパターンを形成したのち、塩素を含ん
だガスを用いたドライエッチングにより、酸窒化クロム
の第２の半透明膜７２をエッチングする。次に、図６
（ｃ）に示すように、この酸化窒化クロムの第２の半透
明膜７２をマスクとして、酸化ルテニウムの第１の半透
明膜７１を酸素ドライエッチングによりエッチングす
る。そして最後に、図６（ｄ）に示すように、酸洗浄に
より感光性樹脂膜４を剥離し、位相シフト方式のフォト
マスクを完成させる。
感光性樹脂膜４のパターンを形成したのち、塩素を含ん
だガスを用いたドライエッチングにより、酸窒化クロム
の第２の半透明膜７２をエッチングする。次に、図６
（ｃ）に示すように、この酸化窒化クロムの第２の半透
明膜７２をマスクとして、酸化ルテニウムの第１の半透
明膜７１を酸素ドライエッチングによりエッチングす
る。そして最後に、図６（ｄ）に示すように、酸洗浄に
より感光性樹脂膜４を剥離し、位相シフト方式のフォト
マスクを完成させる。
【００５４】第６の実施例においては、酸化ルテニウム
の第１の半透明膜７１と酸窒化クロムの第２の半透明膜
７２により、透過率を３〜１５％の範囲で設定し、かつ
透過する光の位相を１８０度シフトさせている。また、
酸窒化クロムの第２の透明膜７２は位相及び透過率設定
のほか反射防止膜の役もかねている。又、塩素でエッチ
ングする酸窒化クロムの膜厚が図１０で示した従来の膜
の１／３程度に薄くなっているので、マスクの寸法精度
が向上するという利点がある。
の第１の半透明膜７１と酸窒化クロムの第２の半透明膜
７２により、透過率を３〜１５％の範囲で設定し、かつ
透過する光の位相を１８０度シフトさせている。また、
酸窒化クロムの第２の透明膜７２は位相及び透過率設定
のほか反射防止膜の役もかねている。又、塩素でエッチ
ングする酸窒化クロムの膜厚が図１０で示した従来の膜
の１／３程度に薄くなっているので、マスクの寸法精度
が向上するという利点がある。
【００５５】なお、半透明膜としてルテニウム及び窒化
ルテニウム、また透明膜として酸化シリコンを用いても
同様の効果が得られる。
ルテニウム、また透明膜として酸化シリコンを用いても
同様の効果が得られる。
【００５６】図７（ａ）〜（ｄ）は本発明の第７の実施
例を説明する為の基板の断面図である。まず図７（ａ）
に示すように、石英の透明基板１上に、厚さ１０ｎｍの
酸化ルテニウムの第１の半透明膜７１を成膜し、その上
に厚さ１４０ｎｍの酸窒化モリブデンシリサイドの第２
の半透明膜７２Ａを成膜する。次に、全面に感光性樹脂
膜４を塗布し、電子線描画法により所定のパターンを描
画する。
例を説明する為の基板の断面図である。まず図７（ａ）
に示すように、石英の透明基板１上に、厚さ１０ｎｍの
酸化ルテニウムの第１の半透明膜７１を成膜し、その上
に厚さ１４０ｎｍの酸窒化モリブデンシリサイドの第２
の半透明膜７２Ａを成膜する。次に、全面に感光性樹脂
膜４を塗布し、電子線描画法により所定のパターンを描
画する。
【００５７】次に、図７（ｂ）に示すように、現像して
感光性樹脂膜４のパターンを形成したのち、フッ素を含
んだガスを用いたドライエッチングにより、酸窒化モリ
ブデンシリサイドの第２の半透明膜７２Ａをエッチング
する。次に、図７（ｃ）に示すように、この酸窒化モリ
ブデンシリサイドの第２の半透明膜７２Ａをマスクとし
て、酸化ルテニウムの第１の半透明膜７１を酸素ドライ
エッチングによりエッチングする。そして最後に、図７
（ｄ）に示すように、酸洗浄により感光性樹脂膜４を剥
離し、位相シフト方式のフォトマスクを完成させる。
感光性樹脂膜４のパターンを形成したのち、フッ素を含
んだガスを用いたドライエッチングにより、酸窒化モリ
ブデンシリサイドの第２の半透明膜７２Ａをエッチング
する。次に、図７（ｃ）に示すように、この酸窒化モリ
ブデンシリサイドの第２の半透明膜７２Ａをマスクとし
て、酸化ルテニウムの第１の半透明膜７１を酸素ドライ
エッチングによりエッチングする。そして最後に、図７
（ｄ）に示すように、酸洗浄により感光性樹脂膜４を剥
離し、位相シフト方式のフォトマスクを完成させる。
【００５８】本実施例においては、酸化ルテニウムの第
１の半透明膜７１および酸窒化モリブデンシリサイドの
第２の半透明膜７２Ａにより、透過率を３〜１５％の範
囲で設定し、かつ透過する光の位相を１８０度シフトさ
せている。又、酸化ルテニウムの第１の半透明膜が、フ
ッ素ガスでのエッチング時のエッチングストッパーとし
て働くため、透明基板１のダメージを防止し、位相エラ
ーのより少ないハーフトーン位相シフト方式のフォトマ
スクが作成できる。また半透明膜としてルテニウム及び
窒化ルテニウムを用いても同様の効果が得られる。
１の半透明膜７１および酸窒化モリブデンシリサイドの
第２の半透明膜７２Ａにより、透過率を３〜１５％の範
囲で設定し、かつ透過する光の位相を１８０度シフトさ
せている。又、酸化ルテニウムの第１の半透明膜が、フ
ッ素ガスでのエッチング時のエッチングストッパーとし
て働くため、透明基板１のダメージを防止し、位相エラ
ーのより少ないハーフトーン位相シフト方式のフォトマ
スクが作成できる。また半透明膜としてルテニウム及び
窒化ルテニウムを用いても同様の効果が得られる。
【００５９】なお、上記各実施例においては樹脂膜の描
画に電子線描画装置を用いた場合について説明したが、
描画法は特に電子線に限定されることなく、一般にフォ
トマスク作製に用いられる他の紫外光の描画方法も同様
に適用できる。例えばＥＴＥＣ社製：ＣＯＲＥ−２５６
４のようなレーザー描画装置（Ａｒレーザ；波長３６
４．８ｎｍ）や水銀ランプを用い、ｉ線露光用感光性樹
脂を用いても、ほぼ同一の条件でフォトマスクの作製が
可能である。
画に電子線描画装置を用いた場合について説明したが、
描画法は特に電子線に限定されることなく、一般にフォ
トマスク作製に用いられる他の紫外光の描画方法も同様
に適用できる。例えばＥＴＥＣ社製：ＣＯＲＥ−２５６
４のようなレーザー描画装置（Ａｒレーザ；波長３６
４．８ｎｍ）や水銀ランプを用い、ｉ線露光用感光性樹
脂を用いても、ほぼ同一の条件でフォトマスクの作製が
可能である。
【００６０】
【発明の効果】以上説明したように本発明のフォトマス
クは、遮光膜および反射防止膜の材料として、酸素ガス
でエッチング可能なルテニウムおよびその酸窒化物を用
い、シリル化層をマスクとして用いることにより、感光
性樹脂膜のパターニングと同時に酸化ルテニウムの反射
防止膜およびルテニウムの遮光膜をもエッチングするこ
とができる為、マスクの寸法精度を向上させることがで
きるという効果がある。
クは、遮光膜および反射防止膜の材料として、酸素ガス
でエッチング可能なルテニウムおよびその酸窒化物を用
い、シリル化層をマスクとして用いることにより、感光
性樹脂膜のパターニングと同時に酸化ルテニウムの反射
防止膜およびルテニウムの遮光膜をもエッチングするこ
とができる為、マスクの寸法精度を向上させることがで
きるという効果がある。
【００６１】また、遮光膜としてルテニウムを用い、反
射防止膜として塩素あるいはフッ素ガスでエッチング可
能な材料を用いることにより、マスクの寸法精度を向上
でき、また透明基板のダメージも防止できるという効果
もある。すなわち、極薄い反射防止膜をエッチングした
後、その反射防止膜をマスクにルテニウムの遮光膜を酸
素でエッチングすることにより、透明基板および反射防
止膜に全く影響を及ぼすことなく寸法精度を向上させる
ことができる。
射防止膜として塩素あるいはフッ素ガスでエッチング可
能な材料を用いることにより、マスクの寸法精度を向上
でき、また透明基板のダメージも防止できるという効果
もある。すなわち、極薄い反射防止膜をエッチングした
後、その反射防止膜をマスクにルテニウムの遮光膜を酸
素でエッチングすることにより、透明基板および反射防
止膜に全く影響を及ぼすことなく寸法精度を向上させる
ことができる。
【００６２】更に本発明の位相シフト方式のフォトマス
クは、半透明膜にルテニウムおよびその酸窒化物を用い
ることにより、上記の効果により、寸法精度が高く、か
つ位相エラーのない位相シフト方式のフォトマスクが得
られるという効果がある。
クは、半透明膜にルテニウムおよびその酸窒化物を用い
ることにより、上記の効果により、寸法精度が高く、か
つ位相エラーのない位相シフト方式のフォトマスクが得
られるという効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例を説明する為の基板の断
面図。
面図。
【図２】本発明の第２の実施例を説明する為の基板の断
面図。
面図。
【図３】本発明の第３の実施例を説明する為の基板の断
面図。
面図。
【図４】本発明の第４の実施例を説明する為の基板の断
面図。
面図。
【図５】本発明の第５の実施例を説明する為の基板の断
面図。
面図。
【図６】本発明の第６の実施例を説明する為の基板の断
面図。
面図。
【図７】本発明の第７の実施例を説明する為の基板の断
面図。
面図。
【図８】従来のフォトマスクの断面図。
【図９】従来の渋谷−レベンソン位相シフト方式のフォ
トマスクの断面図。
トマスクの断面図。
【図１０】従来のハーフトーン位相シフト方式のフォト
マスクの断面図。
マスクの断面図。
１ 透明基板 ２，１２ 遮光膜 ３，３Ａ，３Ｂ，１３ 反射防止膜 ４ 感光性樹脂膜 ５ 電子線 ６ シリル化層 ７，７Ａ，１７，７１，７２，７２Ａ 半透明膜 ８，１８ 透明膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ｍ
Claims (14)
- 【請求項１】 透明基板上に順次形成された遮光膜と反
射防止膜を有するフォトマスクにおいて、前記遮光膜と
してルテニウムを用い、かつ前記反射防止膜として酸化
ルテニウムを用いたことを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項２】 透明基板上にルテニウムからなる遮光膜
と酸化ルテニウムからなる反射防止膜を順次形成してマ
スクブランクを形成する工程と、前記マスクブランク上
に感光性樹脂を塗布し電子線又は紫外光描画を行った後
シリル化処理を行ないシリル化層を形成する工程と、前
記シリル化層をマスクとし酸素ガスを用いたドライエッ
チングにより前記感光性樹脂膜と前記反射防止膜および
前記遮光膜をエッチングする工程とを含むことを特徴と
するフォトマスクの製造方法。 - 【請求項３】 透明基板上に順次形成された遮光膜と反
射防止膜を有するフォトマスクにおいて、前記遮光膜と
してルテニウムを用い、前記反射防止膜として酸化クロ
ム，窒化クロム又は酸窒化クロムのうちいずれか一つを
用いたことを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項４】 透明基板上にルテニウムからなる遮光膜
と酸化クロム，窒化クロム又は酸窒化クロムのうちのい
ずれか一つからなる反射防止膜を順次形成してマスクブ
ランクを作成する工程と、前記マスクブランク上に感光
性樹脂を塗布したのち電子線又は紫外光描画および現像
を行ない感光性樹脂膜をパターニングする工程と、前記
感光性樹脂膜をマスクとし塩素を含んだガスを用いたド
ライエッチングにより前記反射防止膜をエッチングし、
続いて酸素ガスを用いたドライエッチングにより前記遮
光膜をエッチングする工程とを含むことを特徴とするフ
ォトマスクの製造方法。 - 【請求項５】 透明基板上に順次形成された遮光膜と反
射防止膜を有するフォトマスクにおいて、前記遮光膜と
してルテニウムを用い、前記反射防止膜として高融点金
属シリサイドの酸化物，窒化物又は酸窒化物のうちいず
れか一つを用いたことを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項６】 透明基板上にルテニウムからなる遮光膜
と高融点金属シリサイドの酸化物，窒化物又は酸窒化物
のうちのいずれか一つからなる反射防止膜を順次形成し
てマスクブランクを作成する工程と、前記マスクブラン
ク上に感光性樹脂を塗布し電子線又は紫外光描画および
現像を行ない感光性樹脂膜をパターニングする工程と、
前記感光性樹脂膜をマスクとしフッ素を含んだガスを用
いたドライエッチングにより前記反射防止膜をエッチン
グし、続いて酸素ガスを用いたドライエッチングにより
前記遮光膜をエッチングする工程とを含むことを特徴と
するフォトマスクの製造方法。 - 【請求項７】 透明基板上に半透明膜を有し、かつ前記
半透明膜を透過する露光光と透過しない露光光の位相を
１８０度異ならせるハーフトーン方式のフォトマスクに
おいて、前記半透明膜としてルテニウム，酸化ルテニウ
ム，窒化ルテニウム又は酸窒化ルテニウムのうちの少な
くとも一つを用いたことを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項８】 透明基板上にルテニウム，酸化ルテニウ
ム，窒化ルテニウム又は酸窒化ルテニウムのうちの少な
くとも一つの材料により半透明膜を形成しマスクブラン
クを作成する工程と、前記マスクブランク上に感光性樹
脂を塗布し電子線又は紫外光描画を行った後シリル化処
理を行ないシリル化層を形成する工程と、前記シリル化
層をマスクとし酸素ガスを用いたドライエッチングによ
り前記感光性樹脂膜および前記半透明膜をエッチングす
る工程とを含むことを特徴とするフォトマスクの製造方
法。 - 【請求項９】 透明基板上に順次形成された半透明膜と
遮光膜との積層膜からなる半透明領域と、この半透明領
域により区画され前記透明基板からなる透明領域により
パターンが形成され、前記透明領域を透過する光と前記
半透明領域を透過する光に互いに１８０度の位相差を生
じさせるハーフトーン方式のフォトマスクにおいて、前
記半透明膜としてルテニウム，酸化ルテニウム，窒化ル
テニウム又は酸窒化ルテニウムのうちの少なくとも一つ
を用い、前記透明膜として酸化シリコン，窒化シリコン
又は酸窒化シリコンのいずれか一つを用いたことを特徴
とするフォトマスク。 - 【請求項１０】 透明基板上にルテニウム，酸化ルテニ
ウム，窒化ルテニウム又は酸窒化ルテニウムのうちの少
なくとも一つの材料により半透明膜を形成したのちその
上に酸化シリコン，窒化シリコン又は酸窒化シリコンの
いずれか一つからなる透明膜を形成しマスクブランクを
作成する工程と、前記マスクブランク上に感光性樹脂を
塗布し電子線又は紫外光描画及び現像を行ない感光性樹
脂膜をパターニングする工程と、前記感光性樹脂膜をマ
スクとしフッ素ガスを用いたドライエッチングにより前
記透明膜をエッチングし、続いて酸素ガスを用いたドラ
イエッチングにより前記半透明膜をエッチングする工程
とを含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 【請求項１１】 透明基板上に形成された半透明膜から
なる半透明領域と、この半透明領域により区画され前記
透明基板からなる透明領域によりパターンが形成され、
前記透明領域を透過する光と前記半透明領域を透過する
光に互いに１８０度の位相差を生じさせるハーフトーン
方式のフォトマスクにおいて、前記半透明膜は、ルテニ
ウム，酸化ルテニウム，窒化ルテニウム又は酸窒化ルテ
ニウムのうちの少なくとも一つの材料からなる第１の半
透明膜と、酸化クロム，窒化クロム又は酸窒化クロムの
うちのいずれか一つからなる第２の半透明膜とから構成
されていることを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項１２】 透明基板上にルテニウム，酸化ルテニ
ウム，窒化ルテニウム又は酸窒化ルテニウムのうちの少
なくとも一つの材料により第１の半透明膜を形成したの
ちその上に酸化クロム，窒化クロム又は酸窒化クロムの
いずれか一つからなる第２の半透明膜を形成しマスクブ
ランクを作成する工程と、前記マスクブランク上に感光
性樹脂を塗布し電子線又は紫外光描画及び現像を行ない
感光性樹脂膜をパターニングする工程と、前記感光性樹
脂膜をマスクとし塩素を含んだガスを用いたドライエッ
チングにより前記第２の半透明膜をエッチングし、続い
て酸素ガスを用いたドライエッチングにより前記第１の
半透明膜をエッチングする工程とを含むことを特徴とす
るフォトマスクの製造方法。 - 【請求項１３】 透明基板上に形成された半透明膜から
なる半透明領域と、この半透明領域により区画され前記
透明基板からなる透明領域によりパターンが形成され、
前記透明領域を透過する光と前記半透明領域を透過する
光に互いに１８０度の位相差を生じさせるハーフトーン
方式のフォトマスクにおいて、前記半透明膜は、ルテニ
ウム，酸化ルテニウム，窒化ルテニウム又は酸窒化ルテ
ニウムのうちの少なくとも一つの材料からなる第１の半
透明膜と高融点金属シリサイドの酸化物，窒化物，ある
いは酸窒化物のうちのいずれか一つからなる第２の半透
明膜とから構成されていることを特徴とするフォトマス
ク。 - 【請求項１４】 透明基板上にルテニウム，酸化ルテニ
ウム，窒化ルテニウム又は酸窒化ルテニウムのうちの少
なくとも一つの材料により第１の半透明膜を形成したの
ちその上に高融点金属シリサイドの酸化物，窒化物又は
酸窒化物のうちいずれか一つからなる第２の半透明膜を
形成しマスクブランクを作成する工程と、前記マスクブ
ランク上に感光性樹脂を塗布し電子線又は紫外光描画及
び現像を行ない感光性樹脂膜をパターニングする工程
と、前記感光性樹脂膜をマスクとしフッ素ガスを用いた
ドライエッチングにより前記第２の半透明膜をエッチン
グし、続いて酸素ガスを用いたドライエッチングにより
前記第１の半透明膜をエッチングする工程とを含むこと
を特徴とするフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7095087A JP2658966B2 (ja) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | フォトマスク及びその製造方法 |
| US08/634,983 US5750290A (en) | 1995-04-20 | 1996-04-19 | Photo mask and fabrication process therefor |
| KR1019960012118A KR100242364B1 (ko) | 1995-04-20 | 1996-04-20 | 포토 마스크와 그의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7095087A JP2658966B2 (ja) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | フォトマスク及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08292549A JPH08292549A (ja) | 1996-11-05 |
| JP2658966B2 true JP2658966B2 (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=14128156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7095087A Expired - Lifetime JP2658966B2 (ja) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | フォトマスク及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5750290A (ja) |
| JP (1) | JP2658966B2 (ja) |
| KR (1) | KR100242364B1 (ja) |
Families Citing this family (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000206671A (ja) * | 1999-01-13 | 2000-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、および半導体集積回路装置の製造方法 |
| KR100520669B1 (ko) * | 1999-05-06 | 2005-10-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | Ｔｓｉ 공정에 의한 초미세 패턴의 형성방법 |
| TW561279B (en) * | 1999-07-02 | 2003-11-11 | Asml Netherlands Bv | Reflector for reflecting radiation in a desired wavelength range, lithographic projection apparatus containing the same and method for their preparation |
| US6107177A (en) * | 1999-08-25 | 2000-08-22 | Siemens Aktienesellschaft | Silylation method for reducing critical dimension loss and resist loss |
| CA2287671A1 (en) * | 1999-10-27 | 2001-04-27 | Jacques Beauvais | Method for using sub-micron silicide structures formed by direct-write electron beam lithography for fabricating masks for extreme ultra-violet and deep ultra-violet lithography |
| JP2001201842A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-07-27 | Ulvac Seimaku Kk | 位相シフトフォトマスクブランクス及び位相シフトフォトマスク並びに半導体装置の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1995
- 1995-04-20 JP JP7095087A patent/JP2658966B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-04-19 US US08/634,983 patent/US5750290A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-04-20 KR KR1019960012118A patent/KR100242364B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100242364B1 (ko) | 2000-03-02 |
| US5750290A (en) | 1998-05-12 |
| JPH08292549A (ja) | 1996-11-05 |
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