JP2000124283A - コンタクト不良箇所特定方法 - Google Patents
コンタクト不良箇所特定方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】拡散層にコンタクトが形成されて接続されたコ
ンタクトチェーンのコンタクト不良箇所を正確に特定す
ることのできる方法を提供する。 【解決手段】層間絶縁膜を挟んでその上下に形成された
アルミ電極５とＮ+拡散層３とがコンタクトプラグ７を
介して電気的に接続されたコンタクトチェーンのコンタ
クト不良箇所を特定する方法において、Ｎ+拡散層３を
それぞれ分離する素子分離領域１のうちの、アルミ電極
５の下層に位置する素子分離領域上に下層配線９を形成
し、該下層配線９およびコンタクトチェーンの一方のパ
ッド６ａをともに接地した上で、電子またはイオンを照
射し、該照射により得られる２次電子像に基づいてコン
タクト不良箇所を特定する。
ンタクトチェーンのコンタクト不良箇所を正確に特定す
ることのできる方法を提供する。 【解決手段】層間絶縁膜を挟んでその上下に形成された
アルミ電極５とＮ+拡散層３とがコンタクトプラグ７を
介して電気的に接続されたコンタクトチェーンのコンタ
クト不良箇所を特定する方法において、Ｎ+拡散層３を
それぞれ分離する素子分離領域１のうちの、アルミ電極
５の下層に位置する素子分離領域上に下層配線９を形成
し、該下層配線９およびコンタクトチェーンの一方のパ
ッド６ａをともに接地した上で、電子またはイオンを照
射し、該照射により得られる２次電子像に基づいてコン
タクト不良箇所を特定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁層を挟んでそ
の上下に形成された導体層がコンタクトホールを介して
電気的に接続されるコンタクトチェーンのコンタクト不
良箇所を特定する方法に関する。
の上下に形成された導体層がコンタクトホールを介して
電気的に接続されるコンタクトチェーンのコンタクト不
良箇所を特定する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンタクトチェーンの抵抗異常やコンタ
クト開口不良などの原因を解明するためには、その抵抗
異常や開口不良となった箇所を特定する必要がある。そ
のための手法として、ＳＥＭ（Scanning Electron Micr
oscope）あるいはＥＢテスタ（Electron Beam Tester）
やＦＩＢ（Focused Ion Beam）装置を用い、電子やイオ
ンを試料に照射してその試料表面から放出される２次電
子の像を観察することによって不良箇所を特定する方法
がある。一例として、特開平5-144901号公報には、ＦＩ
Ｂ装置を用いて２次電子像の電位差コントラストを観察
することでコンタクトチェーンの接続不良を検出する方
法が開示されている。以下、この特開平5-144901号公報
に開示された方法について具体的に説明する。
クト開口不良などの原因を解明するためには、その抵抗
異常や開口不良となった箇所を特定する必要がある。そ
のための手法として、ＳＥＭ（Scanning Electron Micr
oscope）あるいはＥＢテスタ（Electron Beam Tester）
やＦＩＢ（Focused Ion Beam）装置を用い、電子やイオ
ンを試料に照射してその試料表面から放出される２次電
子の像を観察することによって不良箇所を特定する方法
がある。一例として、特開平5-144901号公報には、ＦＩ
Ｂ装置を用いて２次電子像の電位差コントラストを観察
することでコンタクトチェーンの接続不良を検出する方
法が開示されている。以下、この特開平5-144901号公報
に開示された方法について具体的に説明する。
【０００３】コンタクトチェーンを上から見た図を図５
（ａ）に示し、そのＡ−Ａ断面図を図５（ｂ）に示す。
この図５（ａ），（ｂ）に示す構成では、シリコン基板
１３０上に絶縁膜１３１が形成され、さらにその上に、
層間絶縁膜１３３を挟んでその上下に形成された導体パ
ターン１３５，１３２がコンタクトホール１３４を介し
て電気的に接続されたコンタクトチェーンが設けられて
いる。このコンタクトチェーンの一端を接地してＦＩＢ
照射を行い、その２次電子像を観察する。
（ａ）に示し、そのＡ−Ａ断面図を図５（ｂ）に示す。
この図５（ａ），（ｂ）に示す構成では、シリコン基板
１３０上に絶縁膜１３１が形成され、さらにその上に、
層間絶縁膜１３３を挟んでその上下に形成された導体パ
ターン１３５，１３２がコンタクトホール１３４を介し
て電気的に接続されたコンタクトチェーンが設けられて
いる。このコンタクトチェーンの一端を接地してＦＩＢ
照射を行い、その２次電子像を観察する。
【０００４】コンタクトチェーンにオープン部分（高抵
抗部分）がなければ、ＦＩＢ照射によるチャージアップ
（電荷の蓄積）は生じないので、観察される２次電子像
は明るくなる。一方、コンタクトチェーンの一部にオー
プン部分（高抵抗部分）がある場合は、コンタクトチェ
ーンの接地側の端部からオープン部分までの間では、チ
ャージアップは生じないので、観察される２次電子像は
明るくなるが、オープン部分からもう一方の端部の間で
は、チャージアップが生じ、該チャージアップにより２
次電子の量が減少して、観察される２次電子像は暗くな
る。このように、コンタクトチェーンの一部にオープン
部分（高抵抗部分）があると、その部分からグランド側
とその反対側とで電子のエネルギー分布が異なることに
なる。よって、この電位差コントラストに基づいて、コ
ンタクトチェーンのオープン部分を特定することが可能
となる。
抗部分）がなければ、ＦＩＢ照射によるチャージアップ
（電荷の蓄積）は生じないので、観察される２次電子像
は明るくなる。一方、コンタクトチェーンの一部にオー
プン部分（高抵抗部分）がある場合は、コンタクトチェ
ーンの接地側の端部からオープン部分までの間では、チ
ャージアップは生じないので、観察される２次電子像は
明るくなるが、オープン部分からもう一方の端部の間で
は、チャージアップが生じ、該チャージアップにより２
次電子の量が減少して、観察される２次電子像は暗くな
る。このように、コンタクトチェーンの一部にオープン
部分（高抵抗部分）があると、その部分からグランド側
とその反対側とで電子のエネルギー分布が異なることに
なる。よって、この電位差コントラストに基づいて、コ
ンタクトチェーンのオープン部分を特定することが可能
となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような２次電子像の電位差コントラストに基づいてコ
ンタクトチェーンの不良箇所を特定する方法において
は、ビアチェーンの不良箇所の特定にはある程度有効で
あるが、拡散層にコンタクトが形成されて接続されたチ
ェーンでは以下のような問題が生じる。
たような２次電子像の電位差コントラストに基づいてコ
ンタクトチェーンの不良箇所を特定する方法において
は、ビアチェーンの不良箇所の特定にはある程度有効で
あるが、拡散層にコンタクトが形成されて接続されたチ
ェーンでは以下のような問題が生じる。
【０００６】図６は拡散層にコンタクトが形成されて接
続されたチェーンの一例で、（ａ）はコンタクトチェー
ンを上から見た場合の構成図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ
断面図である。この図６に示す構造では、シリコン基板
１００に素子分離酸化膜１０１、Ｐウェル１０２、Ｎ+
拡散層１０３が順次設けられ、さらにその上に層間膜１
０４を介して複数のアルミ電極１０５、パッド１０６
ａ，１０６ｂが設けられ、これらアルミ電極およびパッ
ドがそれぞれコンタクトプラグ１０７を介してＮ +拡散
層１０３と電気的に接続されてチェーンが形成されてい
る。片方のパッド１０６ａはシリコン基板１００とコン
タクトがとられている。
続されたチェーンの一例で、（ａ）はコンタクトチェー
ンを上から見た場合の構成図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ
断面図である。この図６に示す構造では、シリコン基板
１００に素子分離酸化膜１０１、Ｐウェル１０２、Ｎ+
拡散層１０３が順次設けられ、さらにその上に層間膜１
０４を介して複数のアルミ電極１０５、パッド１０６
ａ，１０６ｂが設けられ、これらアルミ電極およびパッ
ドがそれぞれコンタクトプラグ１０７を介してＮ +拡散
層１０３と電気的に接続されてチェーンが形成されてい
る。片方のパッド１０６ａはシリコン基板１００とコン
タクトがとられている。
【０００７】上記のようなコンタクトチェーン構造のも
のに電子ビームやイオンビームを照射すると、層間膜１
０４の表面にも電荷が蓄積（チャージアップ）されてし
まい、これにより素子分離領域（素子分離酸化膜１０
１）が導通することとなる。そのため、高抵抗コンタク
ト（オープン）１０８からパッド１０６ｂの間では、電
荷がＮ+拡散層１０３および導通状態となった素子分離
酸化膜１０１を介してシリコン基板１００へリークして
しまい、安定した電位差コントラストが得られないとい
う問題が生じる。
のに電子ビームやイオンビームを照射すると、層間膜１
０４の表面にも電荷が蓄積（チャージアップ）されてし
まい、これにより素子分離領域（素子分離酸化膜１０
１）が導通することとなる。そのため、高抵抗コンタク
ト（オープン）１０８からパッド１０６ｂの間では、電
荷がＮ+拡散層１０３および導通状態となった素子分離
酸化膜１０１を介してシリコン基板１００へリークして
しまい、安定した電位差コントラストが得られないとい
う問題が生じる。
【０００８】さらに加えて、チャージアップにより層間
膜１０４自体の電位が上昇してしまうため、これにより
層間膜１０４からの２次電子量が非常に大きくなり、コ
ンタクトチェーンにおける２次電子像のコントラスト差
が認識しずらくなるという問題も生じる。
膜１０４自体の電位が上昇してしまうため、これにより
層間膜１０４からの２次電子量が非常に大きくなり、コ
ンタクトチェーンにおける２次電子像のコントラスト差
が認識しずらくなるという問題も生じる。
【０００９】また、上記の問題の他、イオン照射によっ
て２次電子像の電位差コントラストを得る方法において
は、質量の重いイオン、例えばＧａイオンを使用した場
合、イオン照射によってアルミ電極１０５や層間膜１０
４の表面がスパッタリングされて、それらの構成材料が
アルミ電極１０５間に付着して配線間ショートが起こる
ことがある。この場合も、電位差コントラストが得にく
くなる。
て２次電子像の電位差コントラストを得る方法において
は、質量の重いイオン、例えばＧａイオンを使用した場
合、イオン照射によってアルミ電極１０５や層間膜１０
４の表面がスパッタリングされて、それらの構成材料が
アルミ電極１０５間に付着して配線間ショートが起こる
ことがある。この場合も、電位差コントラストが得にく
くなる。
【００１０】本発明の目的は、拡散層にコンタクトが形
成されて接続されたコンタクトチェーンのコンタクト不
良箇所を正確に特定することのできる方法を提供するこ
とにある。
成されて接続されたコンタクトチェーンのコンタクト不
良箇所を正確に特定することのできる方法を提供するこ
とにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、第１の発明は、層間絶縁膜を挟んでその上下に形成
された複数の第１の導体パターンと複数の拡散層とがコ
ンタクトホールを介して電気的に接続されたコンタクト
チェーンのコンタクト不良箇所を特定する方法におい
て、前記複数の拡散層をそれぞれ分離する素子分離領域
のうちの、前記複数の第１の導体パターンの下層に位置
する素子分離領域上に第２の導体パターンを形成するよ
うにし、該第２の導体パターンおよび前記コンタクトチ
ェーンの一端をともに接地した上で、電子またはイオン
を照射し、該照射により得られる２次電子像に基づいて
前記不良箇所を特定することを特徴とする。
め、第１の発明は、層間絶縁膜を挟んでその上下に形成
された複数の第１の導体パターンと複数の拡散層とがコ
ンタクトホールを介して電気的に接続されたコンタクト
チェーンのコンタクト不良箇所を特定する方法におい
て、前記複数の拡散層をそれぞれ分離する素子分離領域
のうちの、前記複数の第１の導体パターンの下層に位置
する素子分離領域上に第２の導体パターンを形成するよ
うにし、該第２の導体パターンおよび前記コンタクトチ
ェーンの一端をともに接地した上で、電子またはイオン
を照射し、該照射により得られる２次電子像に基づいて
前記不良箇所を特定することを特徴とする。
【００１２】第２の発明は、層間絶縁膜を挟んでその上
下に形成された複数の第１の導体パターンと複数の拡散
層とがコンタクトホールを介して電気的に接続されたコ
ンタクトチェーンのコンタクト不良箇所を特定する方法
において、前記第１の導体パターンが形成される層と同
じ層で、該第１の導体パターン間に第２の導体パターン
を形成し、該第２の導体パターンおよび前記コンタクト
チェーンの一端をともに接地した上で、電子またはイオ
ンを照射し、該照射により得られる２次電子像に基づい
て前記不良箇所を特定することを特徴とする。
下に形成された複数の第１の導体パターンと複数の拡散
層とがコンタクトホールを介して電気的に接続されたコ
ンタクトチェーンのコンタクト不良箇所を特定する方法
において、前記第１の導体パターンが形成される層と同
じ層で、該第１の導体パターン間に第２の導体パターン
を形成し、該第２の導体パターンおよび前記コンタクト
チェーンの一端をともに接地した上で、電子またはイオ
ンを照射し、該照射により得られる２次電子像に基づい
て前記不良箇所を特定することを特徴とする。
【００１３】第３の発明は、層間絶縁膜を挟んでその上
下に形成された複数の第１の導体パターンと複数の拡散
層とがコンタクトホールを介して電気的に接続されたコ
ンタクトチェーンに、その一端を接地した上でイオンを
照射し、該照射により得られる２次電子像に基づいて前
記コンタクトチェーンのコンタクト不良箇所を特定する
方法において、前記コンタクトチェーン上にさらに第２
の層間絶縁膜を形成し、該第２の層間絶縁膜を所定のパ
ターンで開口して前記コンタクトチェーン表面を露出さ
せた上で、前記イオンの照射を行うことを特徴とする。
下に形成された複数の第１の導体パターンと複数の拡散
層とがコンタクトホールを介して電気的に接続されたコ
ンタクトチェーンに、その一端を接地した上でイオンを
照射し、該照射により得られる２次電子像に基づいて前
記コンタクトチェーンのコンタクト不良箇所を特定する
方法において、前記コンタクトチェーン上にさらに第２
の層間絶縁膜を形成し、該第２の層間絶縁膜を所定のパ
ターンで開口して前記コンタクトチェーン表面を露出さ
せた上で、前記イオンの照射を行うことを特徴とする。
【００１４】（作用）上記の第１の発明においては、第
１の導体パターンの下層に位置する素子分離領域上に形
成された第２の導体パターンがフィールドプレートとし
て働くので、電子またはイオンの照射によって層間絶縁
膜の表面に電荷が蓄積されても、その素子分離領域が導
通することはない。よって、この第１の発明では、従来
のようにチャージアップした際に電荷が素子分離領域を
介してリークして層間絶縁膜の表面のて安定した電位差
コントラストが得られないといった問題は生じない。
１の導体パターンの下層に位置する素子分離領域上に形
成された第２の導体パターンがフィールドプレートとし
て働くので、電子またはイオンの照射によって層間絶縁
膜の表面に電荷が蓄積されても、その素子分離領域が導
通することはない。よって、この第１の発明では、従来
のようにチャージアップした際に電荷が素子分離領域を
介してリークして層間絶縁膜の表面のて安定した電位差
コントラストが得られないといった問題は生じない。
【００１５】上記第２の発明においては、第１の導体パ
ターン間に一端が接地された第２の導体パターンが設け
られているので、層間絶縁膜の露出面を少なくすること
ができ、これにより、チャージアップの際の層間絶縁膜
表面への電荷の蓄積が緩和される。よって、この第２の
発明でも、上記第１の発明と同様、チャージアップによ
り得られる二次電子像の電位差コントラストは明確なも
のとなる。
ターン間に一端が接地された第２の導体パターンが設け
られているので、層間絶縁膜の露出面を少なくすること
ができ、これにより、チャージアップの際の層間絶縁膜
表面への電荷の蓄積が緩和される。よって、この第２の
発明でも、上記第１の発明と同様、チャージアップによ
り得られる二次電子像の電位差コントラストは明確なも
のとなる。
【００１６】上記第３の発明においては、第２の層間絶
縁膜を所定のパターンで開口してコンタクトチェーン表
面を露出させた上でイオンの照射を行うので、コンタク
トチェーン表面がスパッタリングされても、その構成材
料がコンタクトチェーンを構成する導体パターン間に付
着して配線間ショートを引き起こすことはない。
縁膜を所定のパターンで開口してコンタクトチェーン表
面を露出させた上でイオンの照射を行うので、コンタク
トチェーン表面がスパッタリングされても、その構成材
料がコンタクトチェーンを構成する導体パターン間に付
着して配線間ショートを引き起こすことはない。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００１８】図１は本発明のコンタクト不良位置特定方
法に適用されるコンタクトチェーン構造の一実施形態
で、（ａ）は上から見た場合の構成図、（ｂ）は（ａ）
のＣ−Ｃ断面図である。
法に適用されるコンタクトチェーン構造の一実施形態
で、（ａ）は上から見た場合の構成図、（ｂ）は（ａ）
のＣ−Ｃ断面図である。
【００１９】このコンタクトチェーン構造は、シリコン
基板１０に素子分離酸化膜１、Ｐウェル２、Ｎ+拡散層
３が順次設けられ、さらにその上に層間膜４を介して複
数のアルミ電極５、パッド６ａ，６ｂが設けられ、これ
らアルミ電極およびパッドがそれぞれコンタクトプラグ
７を介してＮ+拡散層３と電気的に接続されてチェーン
が形成されているところまでは、前述の図６に示した従
来の構造と同じである。このコンタクトチェーン構造で
は、さらに各アルミ電極５の直下の素子分離酸化膜１上
に下層配線（ゲート配線）９が設けられ、それぞれの下
層配線９は、パッド６ａとともにシリコン基板１０との
コンタクトがとられている。この下層配線９は、例えば
図２に示すように連続するパターンとし、少なくとも一
端においてシリコン基板１０とのコンタクトがとられる
ように構成してもよい。
基板１０に素子分離酸化膜１、Ｐウェル２、Ｎ+拡散層
３が順次設けられ、さらにその上に層間膜４を介して複
数のアルミ電極５、パッド６ａ，６ｂが設けられ、これ
らアルミ電極およびパッドがそれぞれコンタクトプラグ
７を介してＮ+拡散層３と電気的に接続されてチェーン
が形成されているところまでは、前述の図６に示した従
来の構造と同じである。このコンタクトチェーン構造で
は、さらに各アルミ電極５の直下の素子分離酸化膜１上
に下層配線（ゲート配線）９が設けられ、それぞれの下
層配線９は、パッド６ａとともにシリコン基板１０との
コンタクトがとられている。この下層配線９は、例えば
図２に示すように連続するパターンとし、少なくとも一
端においてシリコン基板１０とのコンタクトがとられる
ように構成してもよい。
【００２０】上述のコンタクトチェーン構造では、電子
ビームやイオンビームを照射してアルミ電極をチャージ
アップする際に、層間膜４の表面にも電荷が蓄積（チャ
ージアップ）されるが、下層配線９がフィールドプレー
トとして働くため、この層間膜４表面へのチャージアッ
プによってＮ+拡散層３間の素子分離領域（素子分離酸
化膜１）が導通することはない。
ビームやイオンビームを照射してアルミ電極をチャージ
アップする際に、層間膜４の表面にも電荷が蓄積（チャ
ージアップ）されるが、下層配線９がフィールドプレー
トとして働くため、この層間膜４表面へのチャージアッ
プによってＮ+拡散層３間の素子分離領域（素子分離酸
化膜１）が導通することはない。
【００２１】図３（ａ）は図１に示したコンタクトチェ
ーンをチャージアップしたときの２次電子像のコントラ
スト差を示す図で、図３（ｂ）は図３（ａ）のＤ−Ｄ断
面でのアルミ電極から放出される２次電子の軌道の状態
を示す。この図３（ａ），（ｂ）から分かるように、高
抵抗コンタクト（オープン）８を境に、パッド６ａ（接
地）側では、チャージアップは生じないので明るい２次
電子像が観察される。反対に、パッド６ｂ側では、チャ
ージアップによってアルミ電極が正に帯電するため、放
出された２次電子が基板側へ引き戻され、検出される２
次電子の量が減少して、観察される２次電子像は暗くな
る。このように、高抵抗コンタクト８を境に接地側とそ
の反対側とで２次電子分布が異なり、明瞭な電位差コン
トラストを得ることができる。これにより、高抵抗コン
タクト８の位置を正確に特定することが可能となる。
ーンをチャージアップしたときの２次電子像のコントラ
スト差を示す図で、図３（ｂ）は図３（ａ）のＤ−Ｄ断
面でのアルミ電極から放出される２次電子の軌道の状態
を示す。この図３（ａ），（ｂ）から分かるように、高
抵抗コンタクト（オープン）８を境に、パッド６ａ（接
地）側では、チャージアップは生じないので明るい２次
電子像が観察される。反対に、パッド６ｂ側では、チャ
ージアップによってアルミ電極が正に帯電するため、放
出された２次電子が基板側へ引き戻され、検出される２
次電子の量が減少して、観察される２次電子像は暗くな
る。このように、高抵抗コンタクト８を境に接地側とそ
の反対側とで２次電子分布が異なり、明瞭な電位差コン
トラストを得ることができる。これにより、高抵抗コン
タクト８の位置を正確に特定することが可能となる。
【００２２】以上説明したコンタクトチェーン構造は、
以下のような工程で作製することができる。
以下のような工程で作製することができる。
【００２３】まず、図４（ａ）に示すように、周知の半
導体製造プロセスと同様にして、シリコン基板１０に素
子分離酸化膜１を形成してＰウェル２を形成する。
導体製造プロセスと同様にして、シリコン基板１０に素
子分離酸化膜１を形成してＰウェル２を形成する。
【００２４】続いて、図４（ｂ）に示すように、チェー
ンを構成するアルミ電極の直下に位置する素子分離酸化
膜１上に下層配線９を形成した後、素子分離酸化膜１間
にＮ +拡散層３を形成する。
ンを構成するアルミ電極の直下に位置する素子分離酸化
膜１上に下層配線９を形成した後、素子分離酸化膜１間
にＮ +拡散層３を形成する。
【００２５】さらに続いて、図４（ｃ）に示すように、
層間膜４を形成した後、チェーンを構成するアルミ電極
とＮ+拡散層３とのコンタクトをとるためのコンタクト
開口を形成してコンタクトプラグ７を形成する。このと
き、同時にチェーンの一方のパッドおよび下層配線９と
シリコン基板１０とのコンタクトもとる。最後に、アル
ミ電極５およびパッド６ａ，６ｂを形成する。
層間膜４を形成した後、チェーンを構成するアルミ電極
とＮ+拡散層３とのコンタクトをとるためのコンタクト
開口を形成してコンタクトプラグ７を形成する。このと
き、同時にチェーンの一方のパッドおよび下層配線９と
シリコン基板１０とのコンタクトもとる。最後に、アル
ミ電極５およびパッド６ａ，６ｂを形成する。
【００２６】実際に行われるコンタクト抵抗異常、コン
タクト開口不良の原因解析では、コンタクトチェーンを
ウエハ面内に多数配置し、各コンタクトチェーンの抵抗
を測定して不良なチェーンの特定を行う。そして、その
不良チェーンについて、例えばＦＩＢ装置を用いて電位
差コントラスト像を取り込み、該電位差コントラスト像
に基づいて不良位置を特定して原因解析（例えば、コン
タクト形状、配線と基板間の界面の断面ＴＥＭ観察など
の物理解析）を行う。
タクト開口不良の原因解析では、コンタクトチェーンを
ウエハ面内に多数配置し、各コンタクトチェーンの抵抗
を測定して不良なチェーンの特定を行う。そして、その
不良チェーンについて、例えばＦＩＢ装置を用いて電位
差コントラスト像を取り込み、該電位差コントラスト像
に基づいて不良位置を特定して原因解析（例えば、コン
タクト形状、配線と基板間の界面の断面ＴＥＭ観察など
の物理解析）を行う。
【００２７】なお、上述の図１に示した例では、Ｎ+拡
散層にコンタクトが形成されてコンタクトチェーンが形
成されていたが、Ｐ+拡散層にコンタクトが形成されて
コンタクトチェーンが形成されるようにしてもよい。こ
の場合は、ＳＥＭの電位差コントラスト、あるいはＳＥ
Ｍ方式の欠陥検査装置を用いることができる。
散層にコンタクトが形成されてコンタクトチェーンが形
成されていたが、Ｐ+拡散層にコンタクトが形成されて
コンタクトチェーンが形成されるようにしてもよい。こ
の場合は、ＳＥＭの電位差コントラスト、あるいはＳＥ
Ｍ方式の欠陥検査装置を用いることができる。
【００２８】また、上述の図１に示した例では、チェー
ンを構成するアルミ電極の直下の素子分離酸化膜上に下
層配線９を形成した構成となっているが、この下層配線
９の形成に代えて、次のような構成とすることでも層間
膜の表面電位の上昇を低減することができる。すなわ
ち、チェーンを構成するアルミ電極と同層で、そのアル
ミ電極間に導体パターンを形成し、これをグランドに接
続する。この場合、導体パターンをアルミ電極間だけで
なく、コンタクトチェーンを囲むように設けることで、
層間膜の表面電位の上昇をさらに低減することができ
る。
ンを構成するアルミ電極の直下の素子分離酸化膜上に下
層配線９を形成した構成となっているが、この下層配線
９の形成に代えて、次のような構成とすることでも層間
膜の表面電位の上昇を低減することができる。すなわ
ち、チェーンを構成するアルミ電極と同層で、そのアル
ミ電極間に導体パターンを形成し、これをグランドに接
続する。この場合、導体パターンをアルミ電極間だけで
なく、コンタクトチェーンを囲むように設けることで、
層間膜の表面電位の上昇をさらに低減することができ
る。
【００２９】さらに、上述の図１に示した例では、下層
配線９はシリコン基板１０とのコンタクトがとられてい
たが、この下層配線９は個別に引き出して、所定の電位
を与えるようにしても同様の効果を得ることができる。
配線９はシリコン基板１０とのコンタクトがとられてい
たが、この下層配線９は個別に引き出して、所定の電位
を与えるようにしても同様の効果を得ることができる。
【００３０】次に、以上説明した特定方法において、Ｆ
ＩＢによるイオン照射でスパッタリングされたアルミ電
極や層間膜の構成材料がアルミ電極間に付着して配線間
ショートを引き起こすといった現象を防止する方法につ
いて説明する。
ＩＢによるイオン照射でスパッタリングされたアルミ電
極や層間膜の構成材料がアルミ電極間に付着して配線間
ショートを引き起こすといった現象を防止する方法につ
いて説明する。
【００３１】前述した図４（ａ）〜（ｃ）の工程でコン
タクトチェーンを形成した後に、さらに第２の層間膜を
形成し、該第２の層間膜をコンタクトチェーンのパター
ン、あるいはそれに類似したパターンで開口してアルミ
電極５およびパッド６ａ，６ｂを露出させる。この構成
によれば、ＦＩＢによるイオン照射でチェーンを構成す
るアルミ電極や第２の層間膜の表面がスパッタリングさ
れるが、それらの構成材料がアルミ電極間に付着して配
線間ショートを引き起こすといったことは生じない。
タクトチェーンを形成した後に、さらに第２の層間膜を
形成し、該第２の層間膜をコンタクトチェーンのパター
ン、あるいはそれに類似したパターンで開口してアルミ
電極５およびパッド６ａ，６ｂを露出させる。この構成
によれば、ＦＩＢによるイオン照射でチェーンを構成す
るアルミ電極や第２の層間膜の表面がスパッタリングさ
れるが、それらの構成材料がアルミ電極間に付着して配
線間ショートを引き起こすといったことは生じない。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように構成される本発明に
よれば、チャージアップの際に層間絶縁膜の表面に電荷
が蓄積されても、その素子分離領域が導通することはな
いので、明確な二次電子像の電位差コントラストを得る
ことができ、正確にコンタクト不良箇所を特定すること
ができるという効果がある。
よれば、チャージアップの際に層間絶縁膜の表面に電荷
が蓄積されても、その素子分離領域が導通することはな
いので、明確な二次電子像の電位差コントラストを得る
ことができ、正確にコンタクト不良箇所を特定すること
ができるという効果がある。
【００３３】本発明のうち第１の導体パターン間に第２
の導体パターンが設けられているものにおいては、チャ
ージアップの際の層間絶縁膜表面への電荷の蓄積が緩和
されるので、上記の場合と同様、明確な二次電子像の電
位差コントラストを得ることができ、正確にコンタクト
不良箇所を特定することができるという効果がある。
の導体パターンが設けられているものにおいては、チャ
ージアップの際の層間絶縁膜表面への電荷の蓄積が緩和
されるので、上記の場合と同様、明確な二次電子像の電
位差コントラストを得ることができ、正確にコンタクト
不良箇所を特定することができるという効果がある。
【００３４】本発明のうち第２の層間絶縁膜を所定のパ
ターンで開口してコンタクトチェーン表面を露出させた
上でイオンの照射を行うものにおいては、コンタクトチ
ェーン表面がスパッタリングされても配線間ショートを
引き起こすことはないので、より正確にコンタクト不良
箇所を特定することができるという効果がある。。
ターンで開口してコンタクトチェーン表面を露出させた
上でイオンの照射を行うものにおいては、コンタクトチ
ェーン表面がスパッタリングされても配線間ショートを
引き起こすことはないので、より正確にコンタクト不良
箇所を特定することができるという効果がある。。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のコンタクト不良箇所特定方法に適用さ
れるコンタクトチェーン構造の一実施形態で、（ａ）は
上から見た場合の構成図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ断面
図である。
れるコンタクトチェーン構造の一実施形態で、（ａ）は
上から見た場合の構成図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ断面
図である。
【図２】下層配線の一例を示す図である。
【図３】（ａ）は図１に示したコンタクトチェーンをチ
ャージアップしたときの２次電子像のコントラスト差を
示す図で、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ断面でのアルミ電極
から放出される２次電子の軌道の状態を示す図である。
ャージアップしたときの２次電子像のコントラスト差を
示す図で、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ断面でのアルミ電極
から放出される２次電子の軌道の状態を示す図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は図１に示したコンタクトチェ
ーンの作製手順を説明するための工程図である。
ーンの作製手順を説明するための工程図である。
【図５】特開平5-144901号公報に開示された方法を説明
するための図で、（ａ）はコンタクトチェーンを上から
見た図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
するための図で、（ａ）はコンタクトチェーンを上から
見た図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図６】拡散層にコンタクトが形成されて接続されたチ
ェーンの一例で、（ａ）はコンタクトチェーンを上から
見た場合の構成図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図であ
る。
ェーンの一例で、（ａ）はコンタクトチェーンを上から
見た場合の構成図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図であ
る。
１ 素子分離酸化膜 ２ Ｐウェル ３ Ｎ+拡散層 ４ 層間膜 ５ アルミ電極 ６ａ，６ｂ パッド ７ コンタクトプラグ ８ 高抵抗コンタクト ９ 下層配線 １０ シリコン基板
Claims (7)
- 【請求項１】 層間絶縁膜を挟んでその上下に形成され
た複数の第１の導体パターンと複数の拡散層とがコンタ
クトホールを介して電気的に接続されたコンタクトチェ
ーンのコンタクト不良箇所を特定する方法において、 前記複数の拡散層をそれぞれ分離する素子分離領域のう
ちの、前記複数の第１の導体パターンの下層に位置する
素子分離領域上に第２の導体パターンを形成するように
し、該第２の導体パターンおよび前記コンタクトチェー
ンの一端をともに接地した上で、電子またはイオンを照
射し、該照射により得られる２次電子像に基づいて前記
コンタクト不良箇所を特定することを特徴とするコンタ
クト不良箇所特定方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載のコンタクト不良箇所特
定方法において、 前記拡散層がＮ+拡散層であり、前記２次電子像をイオ
ン照射により得ることを特徴とするコンタクト不良箇所
特定方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載のコンタクト不良箇所特
定方法において、 前記拡散層がＰ+拡散層であり、前記２次電子像を電子
照射により得ることを特徴とするコンタクト不良箇所特
定方法。 - 【請求項４】 層間絶縁膜を挟んでその上下に形成され
た複数の第１の導体パターンと複数の拡散層とがコンタ
クトホールを介して電気的に接続されたコンタクトチェ
ーンのコンタクト不良箇所を特定する方法において、 前記第１の導体パターンが形成される層と同じ層で、該
第１の導体パターン間に第２の導体パターンを形成し、
該第２の導体パターンおよび前記コンタクトチェーンの
一端をともに接地した上で、電子またはイオンを照射
し、該照射により得られる２次電子像に基づいて前記コ
ンタクト不良箇所を特定することを特徴とするコンタク
ト不良箇所特定方法。 - 【請求項５】 請求項４に記載のコンタクト不良箇所特
定方法において、 前記第２の導体パターンを、第１の導体パターンを囲む
ようにさらに形成して接地することを特徴とするコンタ
クト不良箇所特定方法。 - 【請求項６】 請求項１乃至請求項５のいずれか１項に
記載のコンタクト不良箇所特定方法において、 前記コンタクトチェーン上にさらに第２の層間絶縁膜を
形成し、該第２の層間絶縁膜を所定のパターンで開口し
て前記コンタクトチェーン表面を露出させた上で、前記
イオンの照射を行うことを特徴とするコンタクト不良箇
所特定方法。 - 【請求項７】 層間絶縁膜を挟んでその上下に形成され
た複数の第１の導体パターンと複数の拡散層とがコンタ
クトホールを介して電気的に接続されたコンタクトチェ
ーンに、その一端を接地した上でイオンを照射し、該照
射により得られる２次電子像に基づいて前記コンタクト
チェーンのコンタクト不良箇所を特定する方法におい
て、 前記コンタクトチェーン上にさらに第２の層間絶縁膜を
形成し、該第２の層間絶縁膜を所定のパターンで開口し
て前記コンタクトチェーン表面を露出させた上で、前記
イオンの照射を行うことを特徴とするコンタクト不良箇
所特定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29069498A JP3219147B2 (ja) | 1998-10-13 | 1998-10-13 | コンタクト不良箇所特定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29069498A JP3219147B2 (ja) | 1998-10-13 | 1998-10-13 | コンタクト不良箇所特定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000124283A true JP2000124283A (ja) | 2000-04-28 |
| JP3219147B2 JP3219147B2 (ja) | 2001-10-15 |
Family
ID=17759308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29069498A Expired - Fee Related JP3219147B2 (ja) | 1998-10-13 | 1998-10-13 | コンタクト不良箇所特定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3219147B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10118402A1 (de) * | 2001-04-12 | 2002-10-24 | Promos Technologies Inc | Kontaktkette für das Testen und deren relevantes Fehlerbeseitungsverfahren |
| JP2003023053A (ja) * | 2001-07-09 | 2003-01-24 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US7307441B2 (en) | 2002-05-15 | 2007-12-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated circuit chips and wafers including on-chip test element group circuits, and methods of fabricating and testing same |
| US7501690B2 (en) * | 2005-05-09 | 2009-03-10 | International Business Machines Corporation | Semiconductor ground shield method |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5291901B2 (ja) | 2007-07-27 | 2013-09-18 | バンドー化学株式会社 | 摩擦伝動ベルト及びそれを用いた自動車の補機駆動ベルト伝動装置 |
-
1998
- 1998-10-13 JP JP29069498A patent/JP3219147B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10118402A1 (de) * | 2001-04-12 | 2002-10-24 | Promos Technologies Inc | Kontaktkette für das Testen und deren relevantes Fehlerbeseitungsverfahren |
| JP2003023053A (ja) * | 2001-07-09 | 2003-01-24 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US7307441B2 (en) | 2002-05-15 | 2007-12-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated circuit chips and wafers including on-chip test element group circuits, and methods of fabricating and testing same |
| US7501690B2 (en) * | 2005-05-09 | 2009-03-10 | International Business Machines Corporation | Semiconductor ground shield method |
| US7659598B2 (en) | 2005-05-09 | 2010-02-09 | International Business Machines Corporation | Semiconductor ground shield |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3219147B2 (ja) | 2001-10-15 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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