JP2003023053A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2003023053A JP2003023053A JP2001207564A JP2001207564A JP2003023053A JP 2003023053 A JP2003023053 A JP 2003023053A JP 2001207564 A JP2001207564 A JP 2001207564A JP 2001207564 A JP2001207564 A JP 2001207564A JP 2003023053 A JP2003023053 A JP 2003023053A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板上の欠陥を相対的に短い時間で、かつ欠
陥箇所を誤ることなく出力装置に表示することのできる
技術を提供する。 【解決手段】 基板上の相対的に広い領域にビーム２を
一括走査させて得られた二次粒子画像７を演算処理する
ことによって、欠陥箇所を示すＸ方向およびＹ方向のそ
れぞれの電圧コントラストの変化点１０ａ，１１ａを自
動検出し、ステージ移動を行わずにビーム２の偏向電圧
１８から上記変化点１０ａ，１１ａの位置座標を求め
る。
陥箇所を誤ることなく出力装置に表示することのできる
技術を提供する。 【解決手段】 基板上の相対的に広い領域にビーム２を
一括走査させて得られた二次粒子画像７を演算処理する
ことによって、欠陥箇所を示すＸ方向およびＹ方向のそ
れぞれの電圧コントラストの変化点１０ａ，１１ａを自
動検出し、ステージ移動を行わずにビーム２の偏向電圧
１８から上記変化点１０ａ，１１ａの位置座標を求め
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
技術に関し、特に、基板上の欠陥を画像式欠陥検査で検
出する工程に適用して有効な技術に関する。
技術に関し、特に、基板上の欠陥を画像式欠陥検査で検
出する工程に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の高集積化が進む中で、その
製造プロセスには複雑さや緻密さがますます要求されて
いる。これに対し、製造ラインの各要所に検査工程を導
入し有効に運用することで、半導体装置の製造工程にお
ける歩留まり管理およびライン管理の体制強化が図られ
ている。
製造プロセスには複雑さや緻密さがますます要求されて
いる。これに対し、製造ラインの各要所に検査工程を導
入し有効に運用することで、半導体装置の製造工程にお
ける歩留まり管理およびライン管理の体制強化が図られ
ている。
【０００３】このような背景のもとに半導体装置の検査
方法も多種多様化している。その中の１つである画像式
欠陥検査は、たとえば荷電粒子ビームまたは走査レーザ
ービームなどを基板上に走査させて基板上のパターンの
２次元画像情報を取得し、これをモニタ等の出力装置に
よって表示することで欠陥を検出する手段であって、半
導体装置の歩留まりを向上するうえで重要な役割を果た
している。
方法も多種多様化している。その中の１つである画像式
欠陥検査は、たとえば荷電粒子ビームまたは走査レーザ
ービームなどを基板上に走査させて基板上のパターンの
２次元画像情報を取得し、これをモニタ等の出力装置に
よって表示することで欠陥を検出する手段であって、半
導体装置の歩留まりを向上するうえで重要な役割を果た
している。
【０００４】なお、たとえば株式会社プレスジャーナル
社発行「月刊Semiconductor World」１９９９年８月
号、Ｐ８０〜Ｐ８４には、ウエハ欠陥検査装置に対する
ユーザニーズに関して記載されている。
社発行「月刊Semiconductor World」１９９９年８月
号、Ｐ８０〜Ｐ８４には、ウエハ欠陥検査装置に対する
ユーザニーズに関して記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】たとえば欠陥の不良解
析、欠陥の画像データの収集または不良解析用のマーク
加工などを行うために、画像式欠陥検査において検出さ
れた基板上の欠陥の位置出しが必要となった場合、従来
は、その欠陥の位置出しは人為的な作業によって行われ
ていた。ところが、本発明者が検討したところ、人為的
な欠陥の位置出しは、欠陥箇所の特定に多大な時間を要
し、また欠陥箇所を誤るという問題を生ずることが明ら
かとなった。
析、欠陥の画像データの収集または不良解析用のマーク
加工などを行うために、画像式欠陥検査において検出さ
れた基板上の欠陥の位置出しが必要となった場合、従来
は、その欠陥の位置出しは人為的な作業によって行われ
ていた。ところが、本発明者が検討したところ、人為的
な欠陥の位置出しは、欠陥箇所の特定に多大な時間を要
し、また欠陥箇所を誤るという問題を生ずることが明ら
かとなった。
【０００６】本発明の目的は、基板上の欠陥を相対的に
短い時間で、かつ欠陥箇所を誤ることなく出力装置に表
示することのできる技術を提供することにある。
短い時間で、かつ欠陥箇所を誤ることなく出力装置に表
示することのできる技術を提供することにある。
【０００７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
【０００９】本発明は、画像式欠陥検査工程において、
基板上の相対的に広い領域にビームを一括走査させて二
次粒子画像を取得し、その二次粒子画像を演算処理する
ことによって電圧コントラストの変化点を自動検出し、
さらにビームの偏向電圧から得られる上記変化点の位置
座標を用いて、出力装置に欠陥画像を表示するものであ
る。
基板上の相対的に広い領域にビームを一括走査させて二
次粒子画像を取得し、その二次粒子画像を演算処理する
ことによって電圧コントラストの変化点を自動検出し、
さらにビームの偏向電圧から得られる上記変化点の位置
座標を用いて、出力装置に欠陥画像を表示するものであ
る。
【００１０】本発明は、画像式欠陥検査工程において、
基板上の相対的に広い領域にビームを一括走査させて得
られる二次粒子信号のパルス数をカウントし、これによ
り求まる任意のビットの位置座標を用いて、出力装置に
欠陥画像を表示するものである。
基板上の相対的に広い領域にビームを一括走査させて得
られる二次粒子信号のパルス数をカウントし、これによ
り求まる任意のビットの位置座標を用いて、出力装置に
欠陥画像を表示するものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において、同一の機能を有する部材には同
一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において、同一の機能を有する部材には同
一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１２】（実施の形態１）本実施の形態１である画
像情報の処理方法の一例を図１〜図４を用いて説明す
る。図１は、荷電粒子ビーム装置を示す模式図、図２
は、ビームの走査方向を示す模式図、図３は、記憶媒体
に保存される画像データの模式図、図４は、画像装置の
概略図である。
像情報の処理方法の一例を図１〜図４を用いて説明す
る。図１は、荷電粒子ビーム装置を示す模式図、図２
は、ビームの走査方向を示す模式図、図３は、記憶媒体
に保存される画像データの模式図、図４は、画像装置の
概略図である。
【００１３】図１に示すように、荷電粒子ビーム装置１
は、基板上にビーム２を一定幅で一定方向に走査して二
次粒子信号３を検出し、その電圧分布の明暗（以下、電
圧コントラストと記す）によって画像情報を取得する装
置である。ビーム２にイオンビームを用いることで電子
ビームよりも大きな電圧コントラストの変化を得ること
が可能である。ここで基板とは、半導体ウエハまたは半
導体チップであって、本実施の形態１では、半導体ウエ
ハ４を例示している。
は、基板上にビーム２を一定幅で一定方向に走査して二
次粒子信号３を検出し、その電圧分布の明暗（以下、電
圧コントラストと記す）によって画像情報を取得する装
置である。ビーム２にイオンビームを用いることで電子
ビームよりも大きな電圧コントラストの変化を得ること
が可能である。ここで基板とは、半導体ウエハまたは半
導体チップであって、本実施の形態１では、半導体ウエ
ハ４を例示している。
【００１４】まず、荷電粒子ビーム装置１で発生したビ
ーム２を、図２に示すように、半導体ウエハ４上の相対
的に広い一部の領域５を相対的に低い倍率で一括走査す
る。上記領域５は基板上に搭載された複数のパターンで
構成され、たとえばコンタクトホールチェーンのＴＥＧ
（test element group）を例示することができる。
ーム２を、図２に示すように、半導体ウエハ４上の相対
的に広い一部の領域５を相対的に低い倍率で一括走査す
る。上記領域５は基板上に搭載された複数のパターンで
構成され、たとえばコンタクトホールチェーンのＴＥＧ
（test element group）を例示することができる。
【００１５】次に、図３に示すように、荷電粒子ビーム
装置１で得られた二次粒子信号３と走査同期信号６とを
合わせて二次粒子画像（image data）７を入手し、この
二次粒子画像７とビームの偏向電圧から得られる位置座
標（position data）とを一括画像の保存フォーマット
に持たせ、これらを画像データとして記憶媒体８に記憶
させる。上記位置座標には、たとえば画像の位置（ｘ，
ｙ）およびビームの偏向距離（ｄｅｆｘ，ｄｅｆｙ）な
どが入力される。さらに二次粒子画像７又はその一部を
出力装置、たとえば図４に示すモニタ９などに出力表示
させる。
装置１で得られた二次粒子信号３と走査同期信号６とを
合わせて二次粒子画像（image data）７を入手し、この
二次粒子画像７とビームの偏向電圧から得られる位置座
標（position data）とを一括画像の保存フォーマット
に持たせ、これらを画像データとして記憶媒体８に記憶
させる。上記位置座標には、たとえば画像の位置（ｘ，
ｙ）およびビームの偏向距離（ｄｅｆｘ，ｄｅｆｙ）な
どが入力される。さらに二次粒子画像７又はその一部を
出力装置、たとえば図４に示すモニタ９などに出力表示
させる。
【００１６】次に、本実施の形態１である基板上の欠陥
を二次粒子画像において検出し、二次粒子画像上での欠
陥の位置座標を求める方法について図５〜図７を用いて
説明する。図５は、二次粒子画像、ならびに二次粒子画
像のＸ方向およびＹ方向の全ての電圧コントラストをそ
れぞれ積算した結果を示す模式図、図７は、基板上のビ
ームの走査距離と偏向電圧との関係を示すグラフ図、図
６は、電圧コントラストの変化点の判定方法を説明する
ための模式図である。
を二次粒子画像において検出し、二次粒子画像上での欠
陥の位置座標を求める方法について図５〜図７を用いて
説明する。図５は、二次粒子画像、ならびに二次粒子画
像のＸ方向およびＹ方向の全ての電圧コントラストをそ
れぞれ積算した結果を示す模式図、図７は、基板上のビ
ームの走査距離と偏向電圧との関係を示すグラフ図、図
６は、電圧コントラストの変化点の判定方法を説明する
ための模式図である。
【００１７】基板上に欠陥があると、たとえば図５に示
すように、二次粒子画像７の演算によって得られたＸ方
向の電圧コントラストの積算結果１０に変化点１０ａが
現れ、同様にＹ方向の電圧コントラスト１１の積算結果
に変化点１１ａが現れる。これらＸ方向の変化点１０ａ
およびＹ方向の変化点１１ａが、二次粒子画像７におい
て検出される欠陥箇所を示している。
すように、二次粒子画像７の演算によって得られたＸ方
向の電圧コントラストの積算結果１０に変化点１０ａが
現れ、同様にＹ方向の電圧コントラスト１１の積算結果
に変化点１１ａが現れる。これらＸ方向の変化点１０ａ
およびＹ方向の変化点１１ａが、二次粒子画像７におい
て検出される欠陥箇所を示している。
【００１８】二次粒子画像７の演算方法としては、前記
図５に示した二次粒子画像７のＸ方向およびＹ方向の全
ての電圧コントラストをそれぞれ積算する方法以外に、
たとえば二次粒子画像７のＸ方向およびＹ方向の一部の
電圧コントラストをそれぞれ積算する方法、あるいは二
次粒子画像７のＸ方向およびＹ方向の１走査ラインの電
圧コントラストをそれぞれ演算する方法などを用いるこ
とができる。
図５に示した二次粒子画像７のＸ方向およびＹ方向の全
ての電圧コントラストをそれぞれ積算する方法以外に、
たとえば二次粒子画像７のＸ方向およびＹ方向の一部の
電圧コントラストをそれぞれ積算する方法、あるいは二
次粒子画像７のＸ方向およびＹ方向の１走査ラインの電
圧コントラストをそれぞれ演算する方法などを用いるこ
とができる。
【００１９】また、電圧コントラストの変化点の判定に
は種々の方法を用いることができる。たとえば図６に示
すように、電圧コントラストの演算結果が波形１２の場
合は、演算結果の振幅１３、ピーク強度１４または微分
ピーク強度１５が用いられ、電圧コントラストの演算結
果が波形以外の場合は、たとえば演算結果の変化点１６
または微分ピーク強度１７が用いられる。
は種々の方法を用いることができる。たとえば図６に示
すように、電圧コントラストの演算結果が波形１２の場
合は、演算結果の振幅１３、ピーク強度１４または微分
ピーク強度１５が用いられ、電圧コントラストの演算結
果が波形以外の場合は、たとえば演算結果の変化点１６
または微分ピーク強度１７が用いられる。
【００２０】電圧コントラストの変化点を検出した後、
ステージ移動を行わずに、たとえば図７に示したビーム
の走査距離と偏向電圧との関係を用いて、ビームの偏向
電圧１８からＸ方向の変化点１０ａおよびＹ方向の変化
点１１ａの位置座標１９、すなわち二次粒子画像７上で
の欠陥の位置座標を求める。さらに基板上で偏向電圧と
偏向距離との三点校正を行うことにより、ビームの偏向
精度を向上させることが可能となる。従って、ステージ
の移動精度の影響を受けずに、ビームの偏向精度に起因
した誤差のみで上記欠陥の位置座標を求めることができ
る。
ステージ移動を行わずに、たとえば図７に示したビーム
の走査距離と偏向電圧との関係を用いて、ビームの偏向
電圧１８からＸ方向の変化点１０ａおよびＹ方向の変化
点１１ａの位置座標１９、すなわち二次粒子画像７上で
の欠陥の位置座標を求める。さらに基板上で偏向電圧と
偏向距離との三点校正を行うことにより、ビームの偏向
精度を向上させることが可能となる。従って、ステージ
の移動精度の影響を受けずに、ビームの偏向精度に起因
した誤差のみで上記欠陥の位置座標を求めることができ
る。
【００２１】このように、本実施の形態１によれば、基
板上の相対的に広い領域５にビーム２を一括走査させて
得られた二次粒子画像７から、欠陥個所を示すＸ方向お
よびＹ方向のそれぞれの電圧コントラストの変化点１０
ａ，１１ａが自動検出され、さらにビーム２の偏向電圧
１８から上記変化点１０ａ，１１ａの位置座標１９が求
まる。これにより、人為的作業に比べて、短時間で、か
つ基板上の欠陥の画像を正確に出力装置に表示すること
ができる。
板上の相対的に広い領域５にビーム２を一括走査させて
得られた二次粒子画像７から、欠陥個所を示すＸ方向お
よびＹ方向のそれぞれの電圧コントラストの変化点１０
ａ，１１ａが自動検出され、さらにビーム２の偏向電圧
１８から上記変化点１０ａ，１１ａの位置座標１９が求
まる。これにより、人為的作業に比べて、短時間で、か
つ基板上の欠陥の画像を正確に出力装置に表示すること
ができる。
【００２２】（実施の形態２）本実施の形態２である二
次粒子画像上における欠陥の位置座標を求める方法につ
いて、図８に示す二次粒子画像を示す模式図を用いて説
明する。
次粒子画像上における欠陥の位置座標を求める方法につ
いて、図８に示す二次粒子画像を示す模式図を用いて説
明する。
【００２３】前記図２に示した二次粒子画像と同様にし
て、荷電粒子ビーム装置で発生したビームを基板上に一
括走査させることで、基板上の相対的に広い領域の二次
粒子画像２０を得る。この際、たとえば上記二次粒子画
像２０の端部から二次粒子信号のＸ方向のパルス数２１
およびＹ方向のパルス数２２をそれぞれカウントするこ
とで、ステージ移動を行わずに、任意のビットの位置座
標を求める。
て、荷電粒子ビーム装置で発生したビームを基板上に一
括走査させることで、基板上の相対的に広い領域の二次
粒子画像２０を得る。この際、たとえば上記二次粒子画
像２０の端部から二次粒子信号のＸ方向のパルス数２１
およびＹ方向のパルス数２２をそれぞれカウントするこ
とで、ステージ移動を行わずに、任意のビットの位置座
標を求める。
【００２４】ビット数は表示することができ、表示され
るビット数には指定領域を持たせることも可能である。
ビット数の表示方法は、任意の点を起点とした１０進数
表示または１６進数表示が可能であり、起点となる任意
の点の数値は必ずしも０または１とは限らず、数値指定
ができる。また、カウントは、カウントアップまたはカ
ウントダウンのいずれも行うことができる。
るビット数には指定領域を持たせることも可能である。
ビット数の表示方法は、任意の点を起点とした１０進数
表示または１６進数表示が可能であり、起点となる任意
の点の数値は必ずしも０または１とは限らず、数値指定
ができる。また、カウントは、カウントアップまたはカ
ウントダウンのいずれも行うことができる。
【００２５】このように、本実施の形態２によれば、二
次粒子信号のパルス数をカウントすることにより、二次
粒子画像２０上における欠陥の位置座標が求まる。これ
により、基板上の欠陥の画像を正確に出力装置に表示す
ることができる。
次粒子信号のパルス数をカウントすることにより、二次
粒子画像２０上における欠陥の位置座標が求まる。これ
により、基板上の欠陥の画像を正確に出力装置に表示す
ることができる。
【００２６】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでも
ない。
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでも
ない。
【００２７】たとえば、前記実施の形態では、一括走査
により画像情報を取得したが、ビームを基板上の任意の
パターンと平行にライン走査し、その際の二次粒子信号
およびビームの偏向電圧を記憶してもよく、これにより
電圧コントラストの変化点を迅速に得ることができる。
により画像情報を取得したが、ビームを基板上の任意の
パターンと平行にライン走査し、その際の二次粒子信号
およびビームの偏向電圧を記憶してもよく、これにより
電圧コントラストの変化点を迅速に得ることができる。
【００２８】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。
【００２９】ビームの一括走査により得られた二次粒子
画像から欠陥箇所を示す電圧コントラストの変化点を自
動検出し、ビームの偏向電圧から上記変化点の位置座標
を求めることにより、相対的に短い時間で、かつ基板上
の欠陥の画像を正確に出力装置に表示することができ
る。
画像から欠陥箇所を示す電圧コントラストの変化点を自
動検出し、ビームの偏向電圧から上記変化点の位置座標
を求めることにより、相対的に短い時間で、かつ基板上
の欠陥の画像を正確に出力装置に表示することができ
る。
【図１】本発明の一実施の形態である荷電粒子ビーム装
置を示す模式図である。
置を示す模式図である。
【図２】本発明の一実施の形態であるビームの走査方向
を示す模式図である。
を示す模式図である。
【図３】本発明の一実施の形態である記憶媒体に保存さ
れる画像データの模式図である。
れる画像データの模式図である。
【図４】本発明の一実施の形態である画像装置の概略図
である。
である。
【図５】本発明の一実施の形態である二次粒子画像およ
び二次粒子画像全体のＸ方向、Ｙ方向の電圧コントラス
トの積算結果を示す模式図である。
び二次粒子画像全体のＸ方向、Ｙ方向の電圧コントラス
トの積算結果を示す模式図である。
【図６】本発明の一実施の形態である基板上のビームの
走査距離と偏向電圧との関係を示すグラフ図である。
走査距離と偏向電圧との関係を示すグラフ図である。
【図７】本発明の一実施の形態である電圧コントラスト
の変化点の判定方法を説明するための模式図である。
の変化点の判定方法を説明するための模式図である。
【図８】本発明の他の実施の形態である二次粒子画像を
示す模式図である。
示す模式図である。
１ 荷電粒子ビーム装置
２ ビーム
３ 二次粒子信号
４ 半導体ウエハ
５ 領域
６ 走査同期信号
７ 二次粒子画像
８ 記憶媒体
９ モニタ
１０ 電圧コントラストの積算結果
１０ａ 変化点
１１ 電圧コントラストの積算結果
１１ａ 変化点
１２ 波形
１３ 振幅
１４ ピーク強度
１５ 微分ピーク強度
１６ 変化点
１７ 微分ピーク強度
１８ 偏向電圧
１９ 位置座標
２０ 二次粒子画像
２１ パルス数
２２ パルス数
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０１Ｒ 31/302 Ｇ０１Ｒ 31/28 Ｌ ４Ｍ１０６
(72)発明者 関原 雄
東京都小平市上水本町５丁目22番１号 株
式会社日立超エル・エス・アイ・システム
ズ内
(72)発明者 杉本 有俊
東京都青梅市新町六丁目16番地の３ 株式
会社日立製作所デバイス開発センタ内
(72)発明者 小池 英巳
茨城県ひたちなか市市毛882番地 株式会
社日立製作所計測器グループ内
(72)発明者 石谷 亨
茨城県ひたちなか市市毛882番地 株式会
社日立製作所計測器グループ内
(72)発明者 梅村 馨
東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地
株式会社日立製作所中央研究所内
(72)発明者 嶋瀬 朗
神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株
式会社日立製作所生産技術研究所内
(72)発明者 東 淳三
神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株
式会社日立製作所生産技術研究所内
(72)発明者 濱村 有一
神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株
式会社日立製作所生産技術研究所内
(72)発明者 富松 聡
東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地
株式会社日立製作所中央研究所内
Ｆターム(参考） 2F065 AA03 AA49 BB13 CC17 CC19
DD06 FF04 GG04 HH04 MM11
QQ13 QQ24 QQ27 QQ31 SS02
2F067 AA54 AA62 BB01 CC17 EE10
GG06 HH06 JJ05 KK04 QQ02
RR12 RR20 RR21 RR25 RR29
SS15
2G001 AA05 BA06 CA05 GA01 GA09
HA01 KA03 LA11 MA05
2G011 AA01 AC11 AE03
2G132 AA00 AC03 AD15 AE08 AE14
AE16 AE18 AE23 AF12 AF13
AL09 AL11
4M106 AA01 BA05 BA20 CA38 DB30
DJ11 DJ12 DJ13 DJ18 DJ21
DJ23
Claims (6)
- 【請求項１】 画像式欠陥検査工程において、基板上に
ビームを一括走査させて得られた二次粒子画像から演算
処理によって電圧コントラストの変化点を自動検出し、
ビームの偏向電圧から求まる前記変化点の位置座標を用
いて、出力装置に欠陥画像を表示することを特徴とする
半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 画像式欠陥検査工程において、基板上に
ビームを一括走査させて得られる二次粒子信号のパルス
数をカウントすることにより任意のビットの位置座標を
求め、その位置座標を用いて、出力装置に欠陥画像を表
示することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 画像式欠陥検査工程において、基板上に
ビームを一括走査させて得られた二次粒子画像から演算
処理によって電圧コントラストの変化点を自動検出し、
ビームの偏向電圧から求まる前記変化点の位置座標を用
いて、出力装置に欠陥画像を表示する半導体装置の製造
方法であって、前記二次粒子画像および前記ビームの偏
向電圧から得られる位置座標は、記憶媒体に記憶される
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 画像式欠陥検査工程において、基板上に
ビームを一括走査させて得られた二次粒子画像から演算
処理によって電圧コントラストの変化点を自動検出し、
ビームの偏向電圧から求まる前記変化点の位置座標を用
いて、出力装置に欠陥画像を表示する半導体装置の製造
方法であって、前記二次粒子画像のＸ方向およびＹ方向
の全ての電圧コントラストをそれぞれ積算した結果、前
記二次粒子画像のＸ方向およびＹ方向の全ての電圧コン
トラストをそれぞれ積算した結果、または前記二次粒子
画像のＸ方向およびＹ方向の１走査ラインの電圧コント
ラストをそれぞれ演算した結果から前記変化点は検出さ
れることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 画像式欠陥検査工程において、基板上に
ビームを一括走査させて得られた二次粒子画像から演算
処理によって電圧コントラストの変化点を自動検出し、
ビームの偏向電圧から求まる前記変化点の位置座標を用
いて、出力装置に欠陥画像を表示する半導体装置の製造
方法であって、 前記変化点は、前記電圧コントラストの演算結果が波形
の場合は、前記演算結果の振幅、ピーク強度または微分
ピーク強度によって判定され、前記電圧コントラストの
演算結果が波形以外の場合は、前記演算結果の変化点ま
たは微分ピーク強度によって判定されることを特徴とす
る半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 画像式欠陥検査工程において、基板上に
ビームを一括走査させて得られた二次粒子画像から演算
処理によって電圧コントラストの変化点を自動検出し、
ビームの偏向電圧から求まる前記変化点の位置座標を用
いて、出力装置に欠陥画像を表示する半導体装置の製造
方法であって、 前記ビームがイオンビームであることを特徴とする半導
体装置の製造方法。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2001-07-09 JP JP2001207564A patent/JP2003023053A/ja active Pending
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