DE1223899B - Hochfrequenzverstaerkerstufe - Google Patents
HochfrequenzverstaerkerstufeInfo
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- H03J5/24—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection
- H03J5/242—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection used exclusively for band selection
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- H03H2/008—Receiver or amplifier input circuits
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Description
- Hochfrequenzverstärkerstufe Die Erfindung betrifft eine Hochfrequenzverstärkerstufe mit einem in Basisschaltung betriebenen Transistor, einem zwischen Antenne und Steuerelektrode vorgesehenen Schwingkreis für die Senderwahl und einer zwecks Rauschminderung parallel zum Transistoreingang geschalteten Induktivität.
- Bei einem transistorbestückten Fernsehkanalwähler für die Frequenzbänder l und III ist es bekannt, von der Steuerelektrode des Vorstufentransistors einen Kondensator gegen Masse, also parallel zum Transistoreingang zu schalten.
- Weiterhin ist es bekannt (Funk-Technik 1964, S. 549), daß es bei Transistorvorstufen wesentlich günstiger ist, parallel zum Transistoreingang eine Induktivität zu schalten, weil dadurch das Rauschen verringert wird. Bekanntlich bestimmt hauptsächlich das Rauschen der Vorstufe das Gesamtrauschen eines mehrstufigen Verstärkers. Die elektrische Größe dieser Induktivität richtet sich nach dem zu verstärkenden Frequenzbereich und ist vorzugsweise so zu bemessen, daß geringstes Rauschen erzielt wird.
- Um ein hohes Signal-Rausch-Verhältnis in einem weiten Frequenzbereich zu erhalten, ist es bereits bei Transistorverstärkern bekannt, zwischen Signalquelle und den Transistoreingangselektroden ein Netzwerk zu legen, das zusammen mit dem inneren Widerstand der Signalquelle im Signalfrequenzbereich den für das Minimalrauschen erforderlichen günstigsten frequenzabhängigen Quellwiderstand bildet (deutsche Auslegeschrift 1069 194).
- Das Netzwerk besteht dabei aus einem im Längszweig vorgesehenen Reihenresonanzkreis und einer im Querzweig vorgesehenen Induktivität. Dieser Literaturstelle ist es jedoch nicht zu entnehmen, wie bei Verwendung derselben Schaltung für eine Eingangsstufe eines Geräts für mehrere Frequenzbereiche eine Umschaltung der im Querzweig vorgesehenen Induktivität erfolgen soll.
- Die Forderung nach günstigem Rauschen bringt nämlich mit sich, daß bei einer Eingangsschaltung, die für mehrere Frequenzbereiche umschaltbar ausgebildet werden soll, beim Umschalten von einem Frequenzbereich auf einen anderen auch die Größe der Induktivität verändert werden muß. Das könnte durch zusätzliche Kontakte geschehen, die aber verhältnismäßig teuer sind und vor allem die Störanfälligkeit eines Gerätes erhöhen.
- Um eine Umschaltung der an den Transistoreingang anzuschließenden Induktivitäten mittels Kontakten beim Frequenzbereichwechsel zu vermeiden, wird erfindungsgemäß zur wahlweisen Verwendung der Schaltung für zwei Frequenzbereiche (VHF-Band I und VHF-Band III) in Reihe mit der Induktivität ein derart abgestimmter Parallelschwingkreis geschaltet, daß er im unteren Frequenzbereich als Zusatzinduktivität zu der Induktivität wirkt und im oberen Frequenzbereich praktisch unwirksam ist.
- Durch diese Anordnung erfolgt eine selbsttätige elektronische Umschaltung, da im höherfrequenten Frequenzbereich der Parallelschwingkreis, dessen Resonanzfrequenz vorzugsweise nur wenig oberhalb des niederfrequenten Frequenzbereichs liegt, gegenüber der Induktivität praktisch wirkungslos ist, während im niederfrequenten Frequenzbereich der Parallelschwingkreis auf Grund seiner Bemessung als Zusatzinduktivität wirkt.
- Die Erfindung wird im folgenden an Hand der Zeichnung einer als Ausführungsbeispiel dargestellten Hochfrequenzverstärkerstufe eines Kanalwählers für die Frequenzbereiche VHF-Band I und VHF-Band III näher beschrieben.
- Bei einem in Basisschaltung betriebenen Transistor 1, dessen Basisanschluß 2 zumindest hochfrequenzmäßig auf Masse liegt, ist an den als Eingangselektrode vorgesehenen Emitteranschluß 3 eine Induktivität 4 angeschaltet, mit der ein einseitig auf Masse gelegter Parallelschwingkreis 5 in Serie liegt. Induktivität 4 und Parallelschwingkreis 5 sind also parallel zum Transistoreingang geschaltet. An den Emitteranschluß 3 ist außerdem über einen Kontakt 6 eine Spule 7 angeschlossen, die über einen weiteren Kontakt 8 und einen Kondensator 9 an einen Antennenanschlußpunkt 10 angeschlossen ist. Vom Antennenanschlußpunkt führt eine Induktivität 11 gegen Masse, zu der vorzugsweise ein Parallelschwingkreis 12 in Serie geschaltet ist. An den Kollektoranschluß 13 des Transistors 1 ist ein kontinuierlich und/oder diskontinuierlich abstimmbares Bandfilter mit den Kreisen 14 und 15 angeschlossen, von dem die ausgesiebte Frequenz zu einer Mischstufe oder einer weiteren Verstärkerstufe gelangt.
- Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung stellen die Induktivitäten 4 bzw. 11 in Verbindung mit den Parallelschwingkreisen 5 und/oder 12 Querzweige eines Eingangsfilters in n-Schaltung für zwei Frequenzbereiche dar, bei dem zur Frequenzwahl lediglich der Längszweig, gebildet aus der Spule 7 und dem Kondensator 9, umzuschalten ist. Hierdurch ist es möglich, eine günstige Anpassung an den Antennenwellenwiderstand zu erreichen, wodurch das Signal-Rausch-Verhältnis und die Bandpaßeigenschaften noch weiter verbessert werden. Gegebenenfalls wird im niederfrequenteren Frequenzbereich parallel zum Kondensator 9 ein weiterer Kondensator angeschaltet. Die Abstimmung des Eingangsfilters kann kontinuierlich oder stufig erfolgen.
Claims (3)
- Patentansprüche: 1. Hochfrequenzverstärkerstufe mit einem in Basisschaltung betriebenen Transistor, einem zwischen Antenne und Steuerelektrode vorgesehenen Schwingkreis für die Senderwahl und einer zwecks Rauschminderung parallel zum Transistoreingang geschalteten Induktivität, d a -durch gekennzeichnet, daß zur wahlweisen Verwendung der Schaltung für zwei Frequenzbereiche (VHF-Band I und VHF-Band III) in Reihe mit der Induktivität ein derart abgestimmter Parallelschwingkreis (5) geschaltet ist, daß er im unteren Frequenzbereich als Zusatzinduktivität zu der Induktivität wirkt und im oberen Frequenzbereich praktisch unwirksam ist.
- 2. Verstärkerstufe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Induktivität (4) und der Parallelschwingkreis (5) einen Querzweig eines Eingangsfilters in n-Schaltung bilden.
- 3. Verstärkerstufe nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Querzweig des Eingangsfilters analog zum ersten Querzweig durch die Serienschaltung einer Induktivität (11) und eines Parallelschwingkreises (12) gebildet ist. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschrift Nr. 1069194.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DET27177A DE1223899B (de) | 1964-10-10 | 1964-10-10 | Hochfrequenzverstaerkerstufe |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DET27177A DE1223899B (de) | 1964-10-10 | 1964-10-10 | Hochfrequenzverstaerkerstufe |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1223899B true DE1223899B (de) | 1966-09-01 |
DE1223899C2 DE1223899C2 (de) | 1967-03-23 |
Family
ID=7553307
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DET27177A Granted DE1223899B (de) | 1964-10-10 | 1964-10-10 | Hochfrequenzverstaerkerstufe |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1223899B (de) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1069194B (de) * | 1955-11-14 | 1959-11-19 | N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande) | Transistorverstärker mit Maßnahmen zum Erzielen eines hohen Siginal-Rausch-Veilhältaisses |
-
1964
- 1964-10-10 DE DET27177A patent/DE1223899B/de active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1069194B (de) * | 1955-11-14 | 1959-11-19 | N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande) | Transistorverstärker mit Maßnahmen zum Erzielen eines hohen Siginal-Rausch-Veilhältaisses |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1223899C2 (de) | 1967-03-23 |
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