DE1223899B - High frequency amplifier stage - Google Patents

Description

Hochfrequenzverstärkerstufe Die Erfindung betrifft eine Hochfrequenzverstärkerstufe mit einem in Basisschaltung betriebenen Transistor, einem zwischen Antenne und Steuerelektrode vorgesehenen Schwingkreis für die Senderwahl und einer zwecks Rauschminderung parallel zum Transistoreingang geschalteten Induktivität.High frequency amplifier stage The invention relates to a high frequency amplifier stage with one transistor operated in common base, one between the antenna and the control electrode provided resonance circuit for the station selection and one for the purpose of noise reduction in parallel inductance switched to the transistor input.

Bei einem transistorbestückten Fernsehkanalwähler für die Frequenzbänder l und III ist es bekannt, von der Steuerelektrode des Vorstufentransistors einen Kondensator gegen Masse, also parallel zum Transistoreingang zu schalten.With a transistor-equipped television channel selector for the frequency bands l and III it is known to have one of the control electrode of the pre-stage transistor To connect the capacitor to ground, i.e. parallel to the transistor input.

Weiterhin ist es bekannt (Funk-Technik 1964, S. 549), daß es bei Transistorvorstufen wesentlich günstiger ist, parallel zum Transistoreingang eine Induktivität zu schalten, weil dadurch das Rauschen verringert wird. Bekanntlich bestimmt hauptsächlich das Rauschen der Vorstufe das Gesamtrauschen eines mehrstufigen Verstärkers. Die elektrische Größe dieser Induktivität richtet sich nach dem zu verstärkenden Frequenzbereich und ist vorzugsweise so zu bemessen, daß geringstes Rauschen erzielt wird.It is also known (Funk-Technik 1964, p. 549) that there are transistor preamps it is much cheaper to connect an inductance parallel to the transistor input, because it reduces the noise. As is well known, that mainly determines Preamp noise the total noise of a multi-stage amplifier. The electric The size of this inductance depends on the frequency range to be amplified and should preferably be dimensioned in such a way that the lowest possible noise is achieved.

Um ein hohes Signal-Rausch-Verhältnis in einem weiten Frequenzbereich zu erhalten, ist es bereits bei Transistorverstärkern bekannt, zwischen Signalquelle und den Transistoreingangselektroden ein Netzwerk zu legen, das zusammen mit dem inneren Widerstand der Signalquelle im Signalfrequenzbereich den für das Minimalrauschen erforderlichen günstigsten frequenzabhängigen Quellwiderstand bildet (deutsche Auslegeschrift 1069 194).To achieve a high signal-to-noise ratio in a wide frequency range to obtain, it is already known in transistor amplifiers, between signal source and to lay a network on the transistor input electrodes, which together with the internal resistance of the signal source in the signal frequency range for the minimum noise forms the required, most favorable frequency-dependent source resistance (German Auslegeschrift 1069 194).

Das Netzwerk besteht dabei aus einem im Längszweig vorgesehenen Reihenresonanzkreis und einer im Querzweig vorgesehenen Induktivität. Dieser Literaturstelle ist es jedoch nicht zu entnehmen, wie bei Verwendung derselben Schaltung für eine Eingangsstufe eines Geräts für mehrere Frequenzbereiche eine Umschaltung der im Querzweig vorgesehenen Induktivität erfolgen soll.The network consists of a series resonant circuit provided in the series branch and an inductance provided in the shunt arm. This reference is however, it cannot be seen how the same circuit is used for an input stage of a device for several frequency ranges a switchover of the ones provided in the shunt branch Inductance should take place.

Die Forderung nach günstigem Rauschen bringt nämlich mit sich, daß bei einer Eingangsschaltung, die für mehrere Frequenzbereiche umschaltbar ausgebildet werden soll, beim Umschalten von einem Frequenzbereich auf einen anderen auch die Größe der Induktivität verändert werden muß. Das könnte durch zusätzliche Kontakte geschehen, die aber verhältnismäßig teuer sind und vor allem die Störanfälligkeit eines Gerätes erhöhen.The requirement for cheap noise brings with it that in the case of an input circuit which is designed to be switchable for several frequency ranges should be, when switching from one frequency range to another also the The size of the inductance must be changed. That could be through additional contacts happen, but they are relatively expensive and above all the susceptibility to failure of a device.

Um eine Umschaltung der an den Transistoreingang anzuschließenden Induktivitäten mittels Kontakten beim Frequenzbereichwechsel zu vermeiden, wird erfindungsgemäß zur wahlweisen Verwendung der Schaltung für zwei Frequenzbereiche (VHF-Band I und VHF-Band III) in Reihe mit der Induktivität ein derart abgestimmter Parallelschwingkreis geschaltet, daß er im unteren Frequenzbereich als Zusatzinduktivität zu der Induktivität wirkt und im oberen Frequenzbereich praktisch unwirksam ist.To switch the to be connected to the transistor input Avoid inductivities by means of contacts when changing frequency ranges according to the invention for the optional use of the circuit for two frequency ranges (VHF-Band I and VHF-Band III) in series with the inductance such a matched Parallel resonant circuit connected so that it acts as an additional inductance in the lower frequency range acts on the inductance and is practically ineffective in the upper frequency range.

Durch diese Anordnung erfolgt eine selbsttätige elektronische Umschaltung, da im höherfrequenten Frequenzbereich der Parallelschwingkreis, dessen Resonanzfrequenz vorzugsweise nur wenig oberhalb des niederfrequenten Frequenzbereichs liegt, gegenüber der Induktivität praktisch wirkungslos ist, während im niederfrequenten Frequenzbereich der Parallelschwingkreis auf Grund seiner Bemessung als Zusatzinduktivität wirkt.This arrangement automatically switches over electronically, because in the higher frequency range the parallel resonant circuit, its resonance frequency is preferably only slightly above the low-frequency frequency range, opposite the inductance is practically ineffective, while in the low frequency range the parallel resonant circuit acts as an additional inductance due to its dimensioning.

Die Erfindung wird im folgenden an Hand der Zeichnung einer als Ausführungsbeispiel dargestellten Hochfrequenzverstärkerstufe eines Kanalwählers für die Frequenzbereiche VHF-Band I und VHF-Band III näher beschrieben.The invention is illustrated below with reference to the drawing as an exemplary embodiment illustrated high-frequency amplifier stage of a channel selector for the frequency ranges VHF-Band I and VHF-Band III are described in more detail.

Bei einem in Basisschaltung betriebenen Transistor 1, dessen Basisanschluß 2 zumindest hochfrequenzmäßig auf Masse liegt, ist an den als Eingangselektrode vorgesehenen Emitteranschluß 3 eine Induktivität 4 angeschaltet, mit der ein einseitig auf Masse gelegter Parallelschwingkreis 5 in Serie liegt. Induktivität 4 und Parallelschwingkreis 5 sind also parallel zum Transistoreingang geschaltet. An den Emitteranschluß 3 ist außerdem über einen Kontakt 6 eine Spule 7 angeschlossen, die über einen weiteren Kontakt 8 und einen Kondensator 9 an einen Antennenanschlußpunkt 10 angeschlossen ist. Vom Antennenanschlußpunkt führt eine Induktivität 11 gegen Masse, zu der vorzugsweise ein Parallelschwingkreis 12 in Serie geschaltet ist. An den Kollektoranschluß 13 des Transistors 1 ist ein kontinuierlich und/oder diskontinuierlich abstimmbares Bandfilter mit den Kreisen 14 und 15 angeschlossen, von dem die ausgesiebte Frequenz zu einer Mischstufe oder einer weiteren Verstärkerstufe gelangt.In a base-connected transistor 1, the base connection 2 of which is at least high-frequency grounded, an inductance 4 is connected to the emitter connection 3 provided as an input electrode, with which a parallel resonant circuit 5 connected to ground on one side is connected in series. Inductance 4 and parallel resonant circuit 5 are therefore connected in parallel to the transistor input. A coil 7 is also connected to the emitter connection 3 via a contact 6 and is connected to an antenna connection point 10 via a further contact 8 and a capacitor 9. From the antenna connection point, an inductance 11 leads to ground, to which a parallel resonant circuit 12 is preferably connected in series. A continuously and / or discontinuously tunable band filter with the circuits 14 and 15 is connected to the collector connection 13 of the transistor 1, from which the filtered frequency reaches a mixer stage or a further amplifier stage.

Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung stellen die Induktivitäten 4 bzw. 11 in Verbindung mit den Parallelschwingkreisen 5 und/oder 12 Querzweige eines Eingangsfilters in n-Schaltung für zwei Frequenzbereiche dar, bei dem zur Frequenzwahl lediglich der Längszweig, gebildet aus der Spule 7 und dem Kondensator 9, umzuschalten ist. Hierdurch ist es möglich, eine günstige Anpassung an den Antennenwellenwiderstand zu erreichen, wodurch das Signal-Rausch-Verhältnis und die Bandpaßeigenschaften noch weiter verbessert werden. Gegebenenfalls wird im niederfrequenteren Frequenzbereich parallel zum Kondensator 9 ein weiterer Kondensator angeschaltet. Die Abstimmung des Eingangsfilters kann kontinuierlich oder stufig erfolgen.According to an advantageous development of the invention, the Inductors 4 or 11 in connection with the parallel resonant circuits 5 and / or 12 cross branches of an input filter in n-connection for two frequency ranges, in the case of the frequency selection only the series branch, formed from the coil 7 and the capacitor 9 is to be switched. This makes it possible to make a favorable adjustment to achieve the antenna impedance, reducing the signal-to-noise ratio and the band pass properties can be further improved. If necessary, will in the lower frequency range, parallel to the capacitor 9, another capacitor turned on. The tuning of the input filter can be continuous or staged take place.

Claims (3)

Patentansprüche: 1. Hochfrequenzverstärkerstufe mit einem in Basisschaltung betriebenen Transistor, einem zwischen Antenne und Steuerelektrode vorgesehenen Schwingkreis für die Senderwahl und einer zwecks Rauschminderung parallel zum Transistoreingang geschalteten Induktivität, d a -durch gekennzeichnet, daß zur wahlweisen Verwendung der Schaltung für zwei Frequenzbereiche (VHF-Band I und VHF-Band III) in Reihe mit der Induktivität ein derart abgestimmter Parallelschwingkreis (5) geschaltet ist, daß er im unteren Frequenzbereich als Zusatzinduktivität zu der Induktivität wirkt und im oberen Frequenzbereich praktisch unwirksam ist. Claims: 1. High-frequency amplifier stage with a basic circuit operated transistor, one provided between antenna and control electrode Oscillating circuit for station selection and one for noise reduction parallel to the transistor input switched inductance, d a -characterized that for optional use the circuit for two frequency ranges (VHF band I and VHF band III) in series with a parallel resonant circuit (5) coordinated in this way is connected to the inductance, that it acts as an additional inductance to the inductance in the lower frequency range and is practically ineffective in the upper frequency range. 2. Verstärkerstufe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Induktivität (4) und der Parallelschwingkreis (5) einen Querzweig eines Eingangsfilters in n-Schaltung bilden. 2. Amplifier stage according to claim 1, characterized in that the inductance (4) and the parallel resonant circuit (5) form a shunt branch of an input filter in an n-connection. 3. Verstärkerstufe nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Querzweig des Eingangsfilters analog zum ersten Querzweig durch die Serienschaltung einer Induktivität (11) und eines Parallelschwingkreises (12) gebildet ist. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschrift Nr. 1069194.3. Amplifier stage according to claim 2, characterized in that the second shunt arm of the input filter is formed analogously to the first shunt arm by the series connection of an inductance (11) and a parallel resonant circuit (12) . Documents considered: German Auslegeschrift No. 1069194.