DE1223433B - Doppelgegentaktmodulator mit vier Transistoren - Google Patents

Doppelgegentaktmodulator mit vier Transistoren

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Publication number
DE1223433B
DE1223433B DES89747A DES0089747A DE1223433B DE 1223433 B DE1223433 B DE 1223433B DE S89747 A DES89747 A DE S89747A DE S0089747 A DES0089747 A DE S0089747A DE 1223433 B DE1223433 B DE 1223433B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistors
transistor
pair
modulator
emitter
Prior art date
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Pending
Application number
DES89747A
Other languages
English (en)
Inventor
Dipl-Ing Reginhard Pospischil
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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Publication date
Priority to BE660302D priority Critical patent/BE660302A/xx
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DES89747A priority patent/DE1223433B/de
Publication of DE1223433B publication Critical patent/DE1223433B/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03CMODULATION
    • H03C1/00Amplitude modulation
    • H03C1/52Modulators in which carrier or one sideband is wholly or partially suppressed
    • H03C1/54Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type
    • H03C1/542Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type comprising semiconductor devices with at least three electrodes
    • H03C1/545Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type comprising semiconductor devices with at least three electrodes using bipolar transistors

Landscapes

  • Amplitude Modulation (AREA)

Description

  • Doppelgegentaktmodulator mit vier Transistoren Die Erfindung betrifft einen Doppelgegentaktmodulator mit vier Transistoren, bei dem das Eingangssignal und die Trägerspannung jeweils einem Eingangsübertrager zugeführt sind, bei dem zwei Transistorpaare vorhanden sind und in jedem Paar jeweils die Basis des einen Transistors mit dem Emitter des anderen Transistors verbunden ist.
  • Modulatoren zur Umsetzung breiter übertragungsbänder müssen beispielsweise in Trägerfrequenzübertragungssysternen vielfach hohen Anforderungen an die Linearität genügen. Aus diesem Grund sollten derartige Modulatoren mit einem möglichst niedrigen Eingangspegel betrieben werden. Auf der anderen Seite ist man jedoch bestrebt, bei solchen Modulatoren im Hinblick auf ein möglichst niedriges Grundgeräusch des dem Modulator folgenden Verstärkers möglichst hohe Ausgangspegel zu erzielen. Deshalb wirkt sich eine niedrige Seitenbanddämpfung bzw. eine hohe .Seitenbandverstärkung eines Modulators sowohl im Hinblick auf die Linearität als auch bezüglich des Grundgeräusches vorteilhaft aus.
  • Es gibt Modulatoren, die passive, nichtlineare Elemente enthalten und dabei eine verhältnismäßig niedrige Seitenbanddämpfung aufweisen. Wird am Abschluß solcher Modulatoren ein Teil der Seitenbänder reflektiert, d. h. erneut dem Modulator zugeführt, so beeinf(ußt das reflektierte Signal die Steuerung der Nichtlineariäten, was eine Vergrößerung des Klirrfaktors zur Folge hat. Bei solchen Modulatoren hat daher die begrenzte, vielfach nicht ausreichende Rückwirkungsfreiheit einerseits häufig zur Folge, daß die Einfügung einer weiteren Dämpfung zur Verringerung der Reflexion nötig wird. Dadurch wird der Seitenbandpegel weiter abgesenkt. Andererseits muß das dem Modulator folgende Filter für alle Seitenbänder reell angepaßt werden, so daß sich ein erhöhter Aufwand an Filtermitteln ergibt.
  • Es sind ferner verstärkende Modulatoren mit Transistoren als nichtlineare Elemente bekannt, die das Seitenband am Ausgang verstärkt abgeben und dabei weitgehend rückwirkungsfrei sind. Dies ist besonders im Hinblick auf die genannten Gesichtspunkte bei der Dimensionierung von Modulatorschaltungen von Vorteil. Da mit solchen Modulatoren selbst hohe Anforderungen an die Klirrdämpfung ohne zusätzliche, zur besseren Anpassung bestimmte Dämpfungsglieder zu erfüllen sind, kann die zwischen dem Modulatoreingang und dem Modulatorausgang wirksame Seitenbandverstärkung dabei meist voll ausgenutzt werden. Es gibt Anwendungsfälle, für die derartige bekannte, verstärkende Doppelgegentaktmodulatoren schwierig zu realisieren sind. Dies ist der Fall, wenn Nachrichtenbänder in eine sehr tiefe Frequenzlage, beispielsweise in die Videolage, in der sogar Gleichspannungsanteile auftreten, umgesetzt werden sollen.
  • Aufgabe der Erfindung ist es daher, einen verstärkenden Doppelgegentaktmodulator mit einem gleichstromübertragenden Signalausgang zu schaffen.
  • Der Doppelgegentaktmodulator mit vier Transistoren, bei dem das Eingangssignal und die Trägerspannung jeweils einem Eingangsübertrager zugeführt sind, bei dem zwei Transistorpaare vorhanden sind und in jedem Paar jeweils die Basis des einen Transistors mit dem Emitter des anderen Transistors verbunden ist, wird gemäß der Erfindung derart ausgebildet, daß die zwei Transistoren des einen Paares vom einen und die zwei Transistoren des anderen Paares vom dazu entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp sind, daß die Basis-Emitter-Verbindung der Transistoren eines Transistorpaares jeweils über eine Wicklung des einen Eingangsübertragers und eine dazu in Serie liegende Wicklung des anderen Eingangsübertragers an die andere Basis-Emitter-Verbindung desselben Transistorpaares geführt ist und daß zwischen zwei Basis-Emitter-Verbindungen verschiedener Transistorpaare eine Spannungsquelle eingefügt ist, deren Mittelanzapfung zusammen mit dem Verbindungspunkt sämtlicher. Kollektoren den Modulatorausgang bildet.
  • Damit ist in vorteilhafter Weise bei einem verstärkenden, rückwirkungsfreien Doppelgegentaktmodulator ein Ausgangsübertrager eingespart, ohne daß auf andere Weise ein Gleichstromweg zwischen den Ausgangsklemmen geschaffen werden muß. Der Modulator kann ferner sehr breite Nachrichtenbänder abgeben, ohne daß am Ausgang durch einen übertrager ein nachteiliger Frequenzgang erzeugt wird. Ein weiterer Vorteil ist, daß mit diesem verstärkenden Doppelgegentaktmodulator Frequenzbänder in eine sehr tiefe Frequenzlage umgesetzt werden können. Da der Modulatörausgang frei von Gleichstromanteilen ist, die nicht zum Ausgangssignal gehören, kann er zur Umsetzung von Nachrichtenbändern in die Videolage verwendet weiden.
  • Die Erfindung wird an Hand des in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert. In der Zeichnung ist ein Doppelgegentaktmodulator dargestellt, bei dem das Ausgangssignal mit den Frequenzen co ± 62 ohne Einschaltung eines Ausgangsübertragers entnommen werden kann. Bei den Eingangsübertragern 5 und 6 ist jeweils der Anfang einer Wicklung mit einem Punkt bezeichnet.
  • Der Modulator enthält zwei Transistorpaare, von denen jedes aus zwei Transistoren gleichen Leitfähigkeitstyps besteht. Die Transistoren 1 und 2 des einen Transistorpaares sind pnp-Transistoren, die Transistoren 3 und 4 des anderen Transistorpaares solche vom Typ npn. Die Kollektoren sämtlicher vier Transistoren 1, 2, 3 und 4 sind miteinander verbunden und bilden mit der Anzapfung der Spannungsquelle 7, einer symmetrischen Gleichspannungsquelle, das Ausgangsklemmenpaar des Doppelgegentaktmodulators.
  • Der Emitter des Transistors 1 ist mit der Basis des Transistors 2 und dem Pluspol der Spannungsquelle 7 verbunden. Er ist ferner über die Wicklung 12 und die dazu in .Serie liegende Wicklung 10, d. h. über je eine Sekundärwicklung des Eingangsübertragers 6 und des weiteren Eingangsübertragers 5 an die Basis des Transistors 1 und den damit verbundenen Emitter des Transistors '2 geführt. Der Emitter des Transistors 3 liegt am Minuspol der Spannungsquelle 7 und an der Basis des Transistors 4. Er ist femer über die Wicklung 13, d. h. eine Sekundärwicklung des Eingangsübertragers 6, und die dazu in Serie liegende Wicklung 11, eine Sekundärwicklung des weiteren Eingangsübertragers 5, an die Basis des Transistors 3 geführt, die wiederum mit dem Emitter des Transistors 4 verbunden ist.
  • Ein Eingang des Doppelgegentaktmodulators ist durch die Primärwicklung 9 des Eingangsübertragers 5 und ein weiterer Eingang durch die Primärwicklung 14 des weiteren Eingangsübertragers 6 gebildet, wobei es gleichgültig ist, an welchen Eingang der Träger angelegt bzw. das Eingangssignal geführt wird. - Das Ausgangssignal tritt am Ausgangsklemenpaar, d. h. zwischen der Kollektorverbindung der Transistoren 1, 2, 3, 4 und der Anzapfung der Spannungsquelle 7 auf. Die Ausgangsklemmen des Modulators befinden sich dabei in der Diagonalen einer Brücke, die aus den Hälften der symmetrischen Gleichspannungsquelle und den Kollektor-Emitter-Strecken der jeweils durchgesteuerten Transistoren gebildet ist.
  • Legt man die Trägerspannung der Frequenz co an die Wicklung 9 des Eingangsübertragers 5 an, so werden die Transistoren 1 und 3 während der einen Trägerhalbwelle und die Transistoren 2 und 4 in der anderen Halbwelle jeweils gleichzeitig durchgesteuert. Während der Trägerhalbwelle, die die Transistoren 1 und 3 durchsteuert, fließt der Kollektorgleichstrom von dem positiven Pol der Spannungsquelle 7 über den Emitter des Transistors 1 zu dessen Kollektor, weiter über die Kollektorverbindung zum Kollektor des Transistors 3 und schließlich über dessen Emitter zum negativen Pol der Spannungsquelle 7 zurück. Während der anderen Halbwelle des Trägers fließt der Kollektorgleichstrom vom positiven Pol der Spannungsquelle 7 über die Wicklung 12 des Eingangsübertragers 6 zur Wicklung 10 des weiteren Eingangsübertragers 5, von dort zum Emitter des Transistors 2, von dessen Kollektor weiter zum Kollektor des Transistors 4 und von dessen Emitter letztlich über die Wicklung 11 des Eingangsübertragers 5 und die Wicklung 13 des anderen Eingangsübertragers 6 zum negativen Pol der Spannungsquelle 7 zurück. Liegt an der Primärwicklung 14 des Eingangsübertragers 6 ein Signal der Frequenz 9 an, während gerade die Transistoren 1 und 3 durch eine Trägerhalbwelle durchgesteuert sind, so wird bei der einen Polarität der Signalamplitude der Kollektorstrom des Transistors 1 vergrößert und der des Transistors 3 verringert. Beides bewirkt, daß die Ausgangsklemme, die an der Kollektorverbindung der Transistoren 1, 2, 3, 4 liegt, ein gegenüber der Anzapfung der Spannungsquelle 7 positives Potential annimmt. Bei gleicher Signalpolarität wird ferner während der anderen Trägerhalbwelle der Kollektorstrom des Transistors 2 verringert und der Kollektorstrom des Transistors 4 vergrößert, so daß die mit den Kollektoren verbundene Ausgangsklemme nunmehr ein negatives Potential erhält. Das Ausgangssignal des Modulators wird also im Takt des Trägers umgepolt. Dabei sind am Ausgang auf Grund der Doppelgegentaktanordnung alle Modulationsprodukte von der Form p co ± q Q, bei denen p und q nicht gleichzeitig ungerade sind, unterdrückt.

Claims (1)

  1. Patentanspruch: Doppelgegentaktmodulator mit vier Transistoren, bei dem das Eingangssignal und die Trägerspannung jeweils einem Eingangsübertrager zugeführt sind, bei dem zwei Transistorpaare vorhanden sind und in jedem Paar jeweils die Basis des einen Transistors mit dem Emitter des anderen Transistors verbunden ist, d a d u r c h g e -kennzeichnet, daß die zwei Transistoren (1, 2) des einen Paares vom einen und die zwei Transistoren (3, 4) des anderen Paares vom dazu entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp sind, daß die Basis-Emitter-Verbindung der Transistoren eines Transistorpaares (Transistoren 1, 2 bzw. 3, 4) jeweils über eine Wicklung (10 bzw. 11) des einen Eingangsübertragers (5) und eine dazu in Serie liegende Wicklung (12 bzw. 13) des anderen Eingangsübertragers (6) an die andere Basis-Emitter-Verbindung desselben Transistorpaares geführt ist und daß zwischen zwei Basis-Emitter-Verbindungen verschiedener Transistorpaare (Transistoren 1, 2 bzw. 3, 4) eine Spannungsquelle (7) eingefügt ist, deren Mittelanzapfung zusammen mit dem Verbindungspunkt sämtlicher Kollektoren den Modulatorausgang bildet.
DES89747A 1964-02-28 1964-02-28 Doppelgegentaktmodulator mit vier Transistoren Pending DE1223433B (de)

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DE (1) DE1223433B (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1259410B (de) * 1963-11-27 1968-01-25 Ericsson Telefon Ab L M Modulator, bestehend aus zwei Paaren von Transistoren
DE1297696B (de) * 1967-07-04 1969-06-19 Siemens Ag Modulator mit wenigstens einer mit Hilfe zweier Transistoren gleichen Leitfaehigkeitstyps aufgebauten Gegentaktmodulatorschaltung

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1259410B (de) * 1963-11-27 1968-01-25 Ericsson Telefon Ab L M Modulator, bestehend aus zwei Paaren von Transistoren
DE1297696B (de) * 1967-07-04 1969-06-19 Siemens Ag Modulator mit wenigstens einer mit Hilfe zweier Transistoren gleichen Leitfaehigkeitstyps aufgebauten Gegentaktmodulatorschaltung

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