DE1224793B - Doppelgegentaktmodulator mit vier Transistoren - Google Patents

Doppelgegentaktmodulator mit vier Transistoren

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DE1224793B
DE1224793B DES89746A DES0089746A DE1224793B DE 1224793 B DE1224793 B DE 1224793B DE S89746 A DES89746 A DE S89746A DE S0089746 A DES0089746 A DE S0089746A DE 1224793 B DE1224793 B DE 1224793B
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DE
Germany
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transistors
modulator
winding
carrier
center tap
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Pending
Application number
DES89746A
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English (en)
Inventor
Dipl-Ing Reginhard Pospischil
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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Publication date
Priority to BE660301D priority Critical patent/BE660301A/xx
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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03CMODULATION
    • H03C1/00Amplitude modulation
    • H03C1/52Modulators in which carrier or one sideband is wholly or partially suppressed
    • H03C1/54Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type
    • H03C1/542Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type comprising semiconductor devices with at least three electrodes
    • H03C1/545Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type comprising semiconductor devices with at least three electrodes using bipolar transistors

Landscapes

  • Amplitude Modulation (AREA)

Description

  • Doppelgegentaktmodulator mit vier Transistoren Die Erfindung betrifft einen Doppelgegentaktmodulator mit vier Transistoren, bei dem eingangsseitig ein symmetrischer Signalübertrager und ein ebenfalls symmetrischer Trägerübertrager vorgesehen sind.
  • Modulatoren zur Umsetzung breiter übertragungsbänder müssen beispielsweise in Trägerfrequenzübertragungssystemen vielfach hohen Anforderungen an die Linearität genügen. Aus diesem Grund sollten derartige Modulatoren mit einem möglichst niedrigen Eingangspegel betrieben werden. Auf der anderen Seite ist man jedoch bestrebt, bei solchen Modulatoren im Hinblick auf ein möglichst niedriges Grundgeräusch des dem Modulator folgenden Verstärkers möglichst hohe Ausgangspegel zu erzielen. Deshalb, wirkt sich eine niedrige Seitenbanddämpfung bzw. eine hohe Seitenbandverstärkung eines Modulators sowohl im Hinblick auf die Linearität als auch bezüglich des Grundgeräusches vorteilhaft aus.
  • Es gibt Modulatoren, die passive, nichtlineare Elemente enthalten und dabei eine verhältnismäßig niedrige Seitenbanddämpfung aufweisen. Wird am Abschluß solcher Modulatoren ein Teil der Seitenbänder reflektiert, d. h. erneut dem Modulator zugeführt, so beeinflußt das reflektierte Signal die Steuerung der Nichtlinearitäten, was eine Vergrößerung des Klirrfaktors zur Folge hat. Bei solchen Modulatoren hat daher die begrenzte, vielfach nicht ausreichende Rückwirkungsfreiheit einerseits häufig zur Folge, daß die Einfügung einer weiteren Dämpfung zur Verringerung der Reffexion nötig wird. Dadurch wird der Seitenbandpegel weiter abgesenkt. Andererseits -muß das dem Modulator folgende Filter für alle Seitenbänder reell angepaßt werden, so daß sich ein erhöhter Aufwand an Filtermitteln ergibt.
  • Es sind ferner verstärkende Modulatoren mit Transistoren als nichtlineare Elemente bekannt, die das Seitenband am Ausgang verstärkt abgeben und dabei weitgehend rückwirkungsfrei sind. Dies ist besonders im Hinblick auf die genannten Gesichtspunkte bei der Dimensionierung von Modulatorschaltungen von Vorteil. Da mit solchen Modulatoren selbst hohe Anforderungen an die Klirrdämpfung ohne zusätzliche, zur besseren Anpassung bestimmte Dämpfungsglieder zu erfüllen sind, kann die zwischen dem Modulatoreingang und dem Modulatorausgang wirksame Seitenbandverstärkung dabei meist voll ausgenutzt werden.
  • Es gibt Anwendungsfälle, für die derartige bekannte, verstärkende Doppelgegentaktmodulatoren schwierig zu realisieren sind. Dies ist der Fall, wenn Nachrichtenbänder in eine sehr tiefe Frequenzlage, beispielsweise in die Videolage, in der sogar Gleichspannungsanteile auftreten, umgesetzt werden sollen.
  • Aufgabe der Erfindung ist es daher, einen verstärkenden Doppelgegentaktmodulator mit einem gleichstromübertragenden Signalausgang zu schaffen.
  • Eine spezielle Aufgabe der Erfindung ist es, einen rückwirkungsfreien Doppelgegentaktmodulator derart auszubilden, daß ein Frequenzband aus der Trägerfrequenzlage in die Videolage umgesetzt werden kann.
  • Der Doppelgegentaktmodulator mit vier Transistoren, bei dem eingangsseitig ein symmetrischer Signalübertrager und ein ebenfalls symmetrischer Trägerübertrager vorgesehen sind, wird gemäß der Erfindung derart ausgebildet, daß jede Mittelanzapfung der beiden sekundärseitigen Symmetriewicklungen des Trägerübertragers jeweils mit der Mittelanzapfung einer der beiden sekundärseitigen Symmetriewicklungen des Signalübertragers verbunden und an je einen Pol einer Spannungsquelle geführt sind, deren Mittelanzapfung zusammen mit einem Verbindungspunkt der Kollektoren sämtlicher Transistoren den Modulatorausgang bildet und daß bei einem aus zwei Transistoren gleichen Leitfähigkeitstyps bestehenden und einem weiteren, aus zwei dazu komplementären Transistoren gebildeten Transistorpaar jeweils die Basisanschlüsse der Transistoren eines Paares an derartige äußere Anschlüsse einer der Symmetriewicklungen des Trägerübertragers und jeweils die Emitter an solche äußeren Anschlüsse der auf Grund der Verbindung der Mittelanzapfung zugehörigen Symmetriewicklung des Signalübertragers geführt sind, daß eine Basis-Emitter-Strecke bei einem Transistorpaar zwischen zwei Wicklungsanfängen und bei dem anderen Transistorpaar zwischen einem Wicklungsanfang und einem Wicklungsende liegt.
  • Damit ist in vorteilhafter Weise bei einem ver---stärkenden, rückwirkungsfreien Doppelgegentaktmodulator ein Ausgangsübertrager eingespart, ohne daß auf andere Weise ein Gleichstromweg zwischen den Ausgangsklemmen geschaffen werden muß. Der Modulator kann ferner sehr breite Nachrichtenbänder abgeben, ohne daß am Ausgang durch einen übertrager ein nachteiliger Frequenzgang erzeugt wird. Ein weiterer Vorteil ist, daß mit diesem verstärkenden Doppelgegentaktmodulator Frequenzbänder in eine sehr tiefe Frequenzlage umgesetzt werden können. Da der Modulatorausgang frei von Gleichstromanteilen ist, die nicht zum Ausgangssignal gehören, kann er zur Umsetzung von Nachrichtenbändem in die Videolage verwendet werden.
  • Die Erfindung wird an Hand des in der Figur dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert.
  • Die Figur zeigt einen Doppelgegentaktmodulator mit vier Transistoren, der einen übertragerfreien Signalausgang für die Seitenbänder mit den Frequenzen o) ± Q aufweist. Bei den Wicklungen der beiden Eingangsübertrager, nämlich des Trägerübertragers 5 und des Signalübertragers 6, sind die Anfänge mit einem Punkt bezeichnet.
  • Der Doppelgegentaktmodulator enthält die vier Transistoren 1, 2, 3 und 4, die kollektorseitig miteinander verbunden und an eine AusgangsklernTne geführt sind, die zusammen mit einer Anzapfung der Spannungsquelle 7, einer symmetrischen Gleichspannungsquelle einen übertragerfreien Ausgang des Doppelgegentaktmodulators bildet. Die Transistoren 1 und 2 sind vom Typ pnp, die weiteren Transistoren 3 und 4 vom Typ npn. Der Anfang der Symmetriewicklung 9 des Trägerübertragers 5 liegt an der Basis des Transistors 1, und das Ende dieser Wicklung ist an die Basis des Transistors 2 geführt. Ihre Mittelanzapfung ist mit dem Pluspol der Spannungsquelle 7 und der Mittelanzapfung der Symmetriewicklung 11 des Signalübertragers 6 verbunden, deren Anfang an den Emitter des Transistors 1 und deren Ende an den Emitter des Transistors 2 geführt ist.
  • Der Anfang der weiteren Symmetriewicklung 10 des Trägerübertragers 5 liegt an der Basis des Transistors 3 und das Ende an der Basis des Transistors 4. Ihre Mittelanzapfung ist mit dem Minuspol der Spannungsquelle 7 und mit der Mittelanzapfung der Symmetriewicklung 12 des Signalübertragers 6 verbunden, deren Ende am Emitter des Transistors 3 und deren Anfang am Emitter des Transistors 4 liegt.
  • Dabei können bei zwei beliebigen Symmetriewicklungen beider Eingangsübertrager 5, 6 gleichzeitig jeweils Anfang und Ende. miteinander vertauscht werden.
  • Die als Eingang für die Trägerfrequenz w vorgesehene Primärwicklung 8 des Trägerübertragers 5 und die als Eingang für das Signal der Frequenz Q bestimmte weitere Primärwicklung 13 des Signalübertragers 6 sind miteinander vertauschbar, so daß man auch an den Trägerübertrager 5 das Eingangssignal und an den Signalübertrager 6 den Träger anlegen kann. Der Ausgang des Modulators liegt in einer Diagonalen einer Brücke, die durch die Hälften der Spannungsquelle 7 und die KoRektor-Emitter-.Strecken der beiden Transistoren 1 und 4 und die dazu in Serie liegenden Teile der Symmetriewicklungen 11 bzw. 12 gebildet ist.
  • Wird an die Primärwicklung 8 des Trägerübertragers 5 eine Trägerspannung geführt, so werden von einer Halbwelle des Trägers gleichzeitig die Transistoren 1 und 4 und in der anderen Halbwelle gleichzeitig die Transistoren 2 und 3 durchgesteuert. In der Trägerhalbwelle, während der die Transistoren 1 und 4 durchgesteuert sind, fließt ein Strom von dem positiven Pol der Spannungsquelle 7 über den zwischen der Mittelanzapfung und dem Anfang der Symmetriewicklung 11 des Signalübertragers 6 liegenden Wicklungsteil zum Emitter des Transistors 1, von dessen Kollektor weiter zum Kollektor des Transistors 4 und schließlich von dessen Emitter über den Anfang und die Mittelanzapfung der Symmetriewicklung 12 des Eingangsübertragers 6 zum negativen Pol der Spannungsquelle 7 zurück. Der Ausgang des Modulators ist dabei frei von signalfremden Gleichspannungen.
  • Während der anderen Trägerhalbwelle fließt der Gleichstrom über die in Reihe geschalteten Kollektor-Emitter-Strecken der beiden Transistoren 2 und 3, d. h., ohne Signalaussteuerung liegen während jeder Trägerhalbwelle die beiden Ausgangsklemmen des Modulators auf dem Mittelpotential der Spannungsquelle 7, d. h. auf dem Potential, das am Abgriff der Spannungsquelle 7 herrscht.
  • Führt man der Primärwicklung 13 des Eingangsübertragers 6 ein Signal zu, so wird während der einen Halbwelle dieses Signals der Kollektorstrom des Transistors 1 vergrößert und der des Transistors 4 verkleinert. Dadurch entsteht für die an die Kollektoren angeschlossene Klemme des Modulatorausgangs eine Potentialverschiebung zu positiven Spannungswerten hin. In der anderen Halbwelle des Trägers wird bei gleicher Polarität des Signals der Kollektorstrom. des Transistors 2 verringert und der des Transistors 3 vergrößert, so daß an der Ausgangsklemme des Modulators, die an die Kollektoren angeschlossen ist, eine Potentialverschiebung in Richtung negativer Spannungswerte eintritt. Damit wird das Signal abhängig vom Träger am Ausgang umgepolt. Vertauscht man die beiden Modulatoreingänge für den Träger und für das modulierende Signal miteinander und führt also den Träger der Primärwicklung 13 des Sigaalübertragers 6 zu, so werden im Takt der Trägerfrequenz die Transistoren 1 und 3 bzw. 2 und 4 abwechselnd durchgesteuert. In beiden Betriebsarten sind-am Ausgang des Modulators auf Grund der Doppelgegentaktanordnung alle Modulationsprodukte von der Form pe) ± qD, bei denen p und q nicht gleichzeitig ungerade sind, unterdrückt.

Claims (1)

  1. Patentansprach: Doppelgegentaktmodulator mit vier Transistoren, bei dem eingangsseitig ein symmetrischer Signalübertrager und ein ebenfalls symmetrischer Trägerübertrager vorgesehen sind, dadurch g e k e n n z e i c h n e t, daß jede Mittelanzapfung der beiden sekundärseitigen Symmetriewicklungen (9, 10) des Trägerübertragers (5) jeweils mit der Mittelanzapfung einer der beiden sekundärseitigen Symmetriewicklungen (11, 12) des Signalübertragers (6) verbunden und an je einen Pol einer Spannungsquelle (7) geführt sind, deren Mittelanzapfung zusammen mit einem Verbindungspunkt der Kollektoren sämtlicher Transistoren(1, 2, 3, 4) den Modulatorausgang bildet und daß bei einem aus zwei Transistoren(1, 2) gleichen Leitfähigkeitstyps bestehenden und einem weiteren, aus zwei dazu komplementären Transistoren (3, 4) gebildeten Transistorpaar jeweils die Basisanschlüsse der Tratisistoren eines Paares an derartige äußere Anchlüsse einer der Symmetriewicklungen (9, 10) des Trägerübertragers (5) und jeweils die Emitter an solche äußeren Anschlüsse der auf Grund der Verbindung der Mittelanzapfung zugehörigen Symmetriewicklung (11, 12) des Signalübertragers (6) geführt sind, daß eine Basis-Emitter-Strecke bei einem Transistorpaar zwischen zwei Wicklungsanfängen und bei dem anderen Transistorpaar zwischen einem Wicklungsanfang und einem Wicklungsende liegt.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1259410B (de) * 1963-11-27 1968-01-25 Ericsson Telefon Ab L M Modulator, bestehend aus zwei Paaren von Transistoren

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