DE112009003555T5 - Magnetfeldsensoren und Verfahren zur Herstellung der Magnetfeldsensoren - Google Patents

Magnetfeldsensoren und Verfahren zur Herstellung der Magnetfeldsensoren Download PDF

Info

Publication number
DE112009003555T5
DE112009003555T5 DE112009003555T DE112009003555T DE112009003555T5 DE 112009003555 T5 DE112009003555 T5 DE 112009003555T5 DE 112009003555 T DE112009003555 T DE 112009003555T DE 112009003555 T DE112009003555 T DE 112009003555T DE 112009003555 T5 DE112009003555 T5 DE 112009003555T5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
magnetic field
molded
field sensor
die attach
pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE112009003555T
Other languages
English (en)
Inventor
Virgil Ararao
Nirmal Sharma
Raymond W. Engel
Jay Gagnon
John Sauber
William P. Taylor
Elsa Kam-Lum
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Allegro Microsystems Inc
Original Assignee
Allegro Microsystems Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Allegro Microsystems Inc filed Critical Allegro Microsystems Inc
Publication of DE112009003555T5 publication Critical patent/DE112009003555T5/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00Galvanomagnetic devices
    • H10N50/80Constructional details
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/0047Housings or packaging of magnetic sensors ; Holders
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00Galvanomagnetic devices
    • H10N50/01Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015Shape
    • H01L2924/10155Shape being other than a cuboid
    • H01L2924/10156Shape being other than a cuboid at the periphery
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • H01L2924/1815Shape

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Magnetfeldsensoren und damit verbundene Verfahren zur Herstellung der Magnetfeldsensoren weisen geformte bzw. gegossene Strukturen auf, um ein Magnetfeldsensierelement und eine zugeordnete Kontaktstelle zum Anbringen eines Chips eines Leiterrahmens zu kapseln, und um auch einen Magneten oder einen Flusskonzentrator zu kapseln oder zu bilden.

Description

  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Diese Erfindung bezieht sich im Allgemeinen auf Magnetfeldsensoren und genauer auf Magnetfeldsensoren, welche einen Magnetfeldsensierelementchip bzw. ein Magnetfeldsensierelementplättchen und einen Magneten haben, und auch auf die Anordnung und das Konfektionieren bzw. Packen des Magnetfeldsensors.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Magnetfeldsensoren in der Form von so genannten „Umgebungsdetektoren bzw. Nachbarschaftsdetektoren”, welche die Anwesenheit eines ferromagnetischen Objekts in der Nähe des Magnetfeldsensors erfassen können, sind bekannt. Umgebungsdetektoren weisen typischerweise einen Permanentmagneten zum Erzeugen eines magnetischen Feldes auf und weisen auch ein Magnetfeldsensierelement, beispielsweise ein Halleffektelement auf, um Veränderungen in der Stärke des Magnetfeldes zu erfassen, welches dem Permanentmagneten zugehörig ist, wenn ein ferromagnetisches Objekt sich durch das Magnetfeld bewegt.
  • Das Ausgabesignal eines Magnetfeldsensierelements ist abhängig von der Stärke eines Magnetfeldes, welches das Magnetfeldsensierelement erfährt. Demnach kann das Magnetfeldsensierelement einen Abstand zwischen dem Umgebungsdetektor und einem ferromagnetischen Objekt innerhalb des Magnetfeldes, welches durch einen Permanentmagneten erzeugt wird, erfassen. Der Bereich, über welchen das ferromagnetische Objekt erfasst werden kann, ist durch die Flussdichte, d. h. die Stärke des Magnetfeldes beschränkt.
  • Wo es erwünscht ist, die Geschwindigkeit oder die Drehposition eines sich drehenden Objektes wie beispielsweise einer Scheibe, welche auf einer Welle montiert ist, zu bestimmen, kann das Objekt mit ferromagnetischen Oberflächenmerkmalen wie beispielsweise Zähnen versehen sein, welche in Richtung des Umgebungsdetektors hervorstehen. Die Nähe eines Zahnes zu dem Umgebungsdetektor tendiert dazu, die Stärke des Magnetfelds in der Nähe eines Umgebungsdetektors zu erhöhen. Demzufolge kann durch ein Überwachen der Ausgabe des Umgebungsdetektors die Drehgeschwindigkeit der Scheibe durch ein Korrelieren der Peaks in der Ausgabe des Umgebungsdetektors mit der bekannten Anzahl von Zähnen auf dem Umfang der Scheibe bestimmt werden.
  • Ähnlich kann, wenn die Zähne unregelmäßig in einem vorbestimmten Muster beabstandet sind, die Drehposition des Objektes durch ein Korrelieren der Peak-Intervalle bzw. Peak-Abstände mit den bekannten Intervallen bzw. Abständen zwischen den Zähnen auf der Scheibe bestimmt werden.
  • Ein Typ von Umgebungsdetektor verwendet ein Halleffektelement. Das Halleffektelement ist typischerweise so montiert, dass es eine Achse maximalen Ansprechverhaltens hat, welche in Richtung des zu sensierenden Objekts gerichtet ist. Der zugehörige Magnet ist in einer Position montiert, um ein Magnetfeld zu erreichen, welches im Allgemeinen entlang der Achse maximalen Ansprechverhaltens des Halleffektelementes ausgerichtet ist. Das zu sensierende Objekt kann eine Komponente bzw. ein Teil mit einer hohen magnetischen Permeabilität sein, welche vorstehende Oberflächeneigenschaften haben kann, welche die Stärke des Magnetfelds des Magneten erhöhen, wenn der Abstand zwischen der Oberfläche des Objekts und des Permanentmagneten verringert wird. Während eine Form eines Objekts ein Zahnrad sein kann, kann eine andere Form eines Objekts ein segmentierter Ringmagnet sein. Noch eine andere Form von Objekt dreht sich überhaupt nicht, sondern bewegt sich lediglich näher zu oder weiter weg von dem Umgebungsdetektor. Das zu sensierende Objekt bewegt sich relativ zu dem stationären Halleffektelement innerhalb des Umgebungsdetektors und verursacht dadurch, dass sich der magnetische Fluss durch das Halleffektelement in einer Art und Weise entsprechend der Position des Objekts verändert. Mit der Veränderung in dem magnetischen Fluss trat die entsprechende Veränderung in der Magnetfeldstärke auf, welche das Ausgabesignal von dem Halleffektelement erhöht (oder alternativ verringert).
  • Es wird verstanden werden, dass innerhalb eines integrierten Umgebungsdetektors eine Position oder ein Abstand des Magneten relativ zu dem Magnetfeldsensierelement, beispielsweise dem Halleffektelement, die Sensitivität bzw. Empfindlichkeit des Umgebungsdetektors bedeutend beeinflusst. Demnach ist es wünschenswert, dass der Abstand nahe ist und dass der Abstand von Einrichtung zu Einrichtung konstistent ist.
  • Mit der zunehmenden Verfeinerung von Produkten sind Umgebungsdetektoren in Automobil-Steuer- bzw. -Regelsystemen gebräuchlich geworden. Beispiele von Automobil-Umgebungsdetektoren schließen Umgebungsdetektoren ein, welche einen Zündzeitpunkt aus einer Position einer Maschinenwelle und/oder Kurbelwelle erfassen, und die Umgebungsdetektoren, welche eine Position oder Drehung und eine Geschwindigkeit einer Drehung eines Automobil-Rades für Antiblockierbremssysteme und Vierradlenksysteme erfassen.
  • Eine gemeinsame Schwäche von Umgebungsdetektoren ist deren Abhängigkeit von dem Abstand, bekannt als der Luftspalt, zwischen dem zu sensierenden Objekt und dem Magnetfeldsensierelement innerhalb des Umgebungsdetektors. Genauer nimmt, wenn der Luftspalt zunimmt, die Ausgabe eines Halleffektelements innerhalb des Umgebungsdetektors, welche direkt proportional zu der Stärke des Magnetfeldes ist, ab, was es schwieriger macht, die Ausgabe des Halleffektelements präzise zu analysieren.
  • Herkömmlicherweise ist der Luftspalt definiert als ein Abstand zwischen dem zu sensierenden Objekt und der äußeren Oberfläche der Packung bzw. Baugruppe, welche den Umgebungsdetektor enthält. Wie jedoch hierin verwendet, wird der Begriff „effektiver Luftspalt” verwendet, um einen Abstand zwischen dem zu sensierenden Objekt und dem Magnetfeldsensierelement, beispielsweise dem Halleffektelement, innerhalb des gepackten Umgebungsdetektors zu beschreiben.
  • Einige Formen von Umgebungsdetektoren, welche einen Magneten und ein Halleffektelement zusammenpacken bzw. zusammen konfektionieren sind im US-Patent 5,963,028 , welches am 5. Oktober 1999 erteilt ist, und im US-Patent US 6,265,865 , welches am 24. Juli 2001 erteilt ist, beschrieben, welche hierin durch Bezugnahme in ihrer Gesamtheit eingebunden sind.
  • Es ist bekannt, dass ein Magnet relativ teuer ist. Die Herstellung von herkömmlichen Formen von Umgebungsdetektoren erlaubt es nicht, dass der Magnet wieder verwendet wird oder ausgetauscht wird bzw. ersetzt wird, wenn der Eingussschritt einmal beendet ist. Demnach sind, wenn ein herkömmlicher Umgebungsdetektor einen Herstellungstest bzw. Ausgangstest nach dem Eingießen nicht besteht, die Kosten des Magneten zusätzlich zu den Kosten des Halbleiterchips und der Packmaterialien verloren.
  • Es wäre erstrebenswert, ein Packschema bzw. Konfektionierungsschema für einen Umgebungsdetektor (oder einen Magnetfeldsensor) anzugeben, welches einen zuverlässigen Schutz vor der Umwelt bzw. Umgebung bereitstellt, welches einen übermäßigen Anstieg in dem effektiven Luftspalt zwischen dem zugeordneten Magnetfeldsensierelement und dem zu sensierenden Objekt vermeidet, welches es dem Magnetfeldsensierelement erlauben würde, möglichst nahe an dem Magneten zu sein, und für welches ein Umgebungsdetektor, welcher einen Test während der Herstellung nicht besteht, nicht zu einem Verlust des Magneten führen muss.
  • Andere Formen von Umgebungsdetektoren schließen einen Magneten getrennt von einem integrierten Umgebungsdetektor ein. Andere Formen von Magnetfeldsensoren wenden gar keinen Magneten an, sondern sensieren an Stelle dessen ein externes magnetisches Feld, welches durch den Magnetfeldsensor erfahren wird. All diese Formen von Magnetfeldsensoren würden auch von den obigen Charakteristiken profitieren.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung stellt Magnetfeldsensoren und Verfahren zum Herstellen der Magnetfeldsensoren bereit.
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung schließt ein Verfahren zum Herstellen eines Magnetfeldsensors das Anbringen eines Magnetfeldsensorkreischips bzw. eines Magnetfeldsensorkreisplättchens (magnetic field sensor circuit die) an einer ersten Oberfläche einer Kontaktstelle bzw. Unterlage zum Anbringen des Chips (die attach pad) eines Leiterrahmens (lead frame) ein. Die Kontaktstelle zum Anbringen des Chips hat die erste Oberfläche und eine zweite gegenüberliegende Oberfläche. Das Verfahren schließt auch ein Bilden einer geformten bzw. gegossenen bzw. umspritzten Kapsel ein, welche den Magnetfeldsensorkreischip einschließt. Die geformte Kapsel schließt eine Kavität ein, welche eine innere Kavitätsoberfläche hat. Ein Abschnitt der inneren Kavitätsoberfläche ist benachbart zu der zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips. Die Kavität hat eine Form, welche in der Lage ist, eine Flüssigkeit zurückzuhalten. Das Verfahren schließt auch das Platzieren eines Magneten in der Kavität und benachbart zu der zweiten gegenüberliegenden Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips und das Platzieren eines flüssigen Verkapselungsstoffes in der Kavität benachbart zu dem Magneten ein. Das Verfahren schließt auch das Aushärten des flüssigen Verkapselungsstoffes in einen festen Zustand ein, um den Magneten zurückzuhalten.
  • In Übereinstimmung mit einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung schließt ein Magnetfeldsensor einen Leiterrahmen ein, welcher eine Kontaktstelle zum Anbringen des Chips aufweist. Die Kontaktstelle zum Anbringen des Chips weist erste und zweite gegenüberliegende Oberflächen auf. Der Magnetfeldsensor schließt auch einen Magnetfeldsensorkreischip benachbart zu der ersten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips ein, und eine geformte Kapsel, welche den Magnetfeldsensorkreischip einschließt. Die geformte Kapsel schließt eine Kavität ein, welche eine innere Kavitätsoberfläche hat. Ein Abschnitt der inneren Kavitätsoberfläche ist benachbart zu der zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips. Die Kavität hat eine Form, welche in der Lage ist, eine Flüssigkeit zurückzuhalten. Der Magnetfeldsensor schließt auch einen Magneten ein, der benachbart zu der zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips ist und welcher innerhalb der Kavität angeordnet ist. Der Magnetfeldsensor schließt auch einen ausgehärteten flüssigen Verkapselungsstoff ein, welcher innerhalb der Kavität angeordnet ist, und konfiguriert ist, um den Magneten innerhalb der Kavität zurückzuhalten.
  • In Übereinstimmung mit einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung schließt ein Verfahren zur Herstellung eines integrierten Sensors das Anbringen eines Magnetfeldsensorkreischips an einer ersten Oberfläche einer Kontaktstelle zum Anbringen des Chips eines Leiterrahmens ein. Die Kontaktstelle zum Anbringen des Chips hat die erste Oberfläche und die zweite gegenüberliegende Oberfläche. Das Verfahren schließt auch das Bilden einer geformten Kapsel ein, welche den Magnetfeldsensorkreischip einschließt. Die geformte Kapsel bedeckt die zweite Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips unter Bildung einer isolierenden Schicht über der zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips. Das Verfahren schließt auch ein Platzieren eines Magneten über der isolierenden Schicht und ein Bilden einer geformten bzw. gegossenen bzw. umspritzten Umhüllung ein, welche den Magneten umgibt.
  • In Übereinstimmung mit einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung weist ein Magnetfeldsensor einen Leiterrahmen auf, welcher eine Kontaktstelle zum Anbringen eines Chips hat. Die Kontaktstelle zum Anbringen des Chips hat erste und zweite gegenüberliegende Oberflächen. Der Magnetfeldsensor schließt auch einen Magnetfeldsensorkreischip ein, welcher benachbart zu der ersten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips gekoppelt ist, und eine geformte Kapsel, welche den Magnetfeldsensorkreischip umhüllt. Die geformte Kapsel bedeckt die zweite Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips unter Bildung einer isolierenden Schicht über der zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips. Der Magnetfeldsensor schließt auch einen Magneten ein, welcher benachbart zu der zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips gekoppelt ist, so dass die isolierende Schicht zwischen dem Magneten und der zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips ist. Der Magnetfeldsensor schließt auch eine geformte Umhüllung ein, welche den Magneten umgibt.
  • Mit den obigen Anordnungen stellt ein Packschema bzw. ein Konfektionierschema für einen Magnetfeldsensor einen zuverlässigen Schutz vor der Umgebung bereit, welcher eine übermäßige Zunahme in einem effektiven Luftspalt zwischen dem zugeordneten Magnetfeldsensierelement und dem zu sensierenden Objekt vermeidet, welches es erlaubt, dass das Magnetfeldsensierelement so nahe wie möglich zu dem Magneten ist, und welches nicht zu einem Verlust eines kostbaren Magneten führt, wenn der Magnetfeldsensor während der Herstellung einen Test nicht besteht.
  • In Übereinstimmung mit einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung schließt ein Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors das Anbringen eines Magnetfeldsensorkreischips an einer ersten Oberfläche einer Kontaktstelle zum Anbringen des Chips eines Leiterrahmens ein, wobei die Kontaktstelle zum Anbringen des Chips die erste Oberfläche und eine zweite gegenüberliegende Oberfläche hat. Das Verfahren schließt auch ein das Bilden einer geformten Kapsel ein, welche den Magnetfeldsensorkreischip umhüllt. Die geformte Kapsel schließt eine Kavität ein, welche eine innere Kavitätsoberfläche hat. Ein Abschnitt der inneren Kavitätsoberfläche ist benachbart zu der zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips. Die Kavität hat eine Form, welche in der Lage ist, eine Flüssigkeit zurückzuhalten. Das Verfahren schließt auch das Platzieren eines flüssigen Materials in der Kavität und benachbart zu der zweiten gegenüberliegenden Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips ein. Das flüssige Material ist mit ferromagnetischen Partikeln gefüllt, um entweder ein Magnetfeld zu erzeugen oder um ein Magnetfeld zu konzentrieren. Das Verfahren schließt auch das Härten des flüssigen Materials ein.
  • In Übereinstimmung mit einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung schließt ein Magnetfeldsensor einen Leiterrahmen ein, welcher eine Kontaktstelle zum Anbringen eines Chips aufweist. Die Kontaktstelle zum Anbringen des Chips hat erste und zweite gegenüberliegende Oberflächen. Der Magnetfeldsensor schließt auch einen Magnetfeldsensorkreischip benachbart zu der ersten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips und eine geformte Kapsel ein, welche den Magnetfeldsensorkreischip umhüllt. Die geformte Kapsel weist eine Kavität auf, welche eine innere Kavitätsoberfläche hat. Ein Abschnitt der inneren Kavitätsoberfläche ist benachbart zur zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips. Die Kavität hat eine Form, welche in der Lage ist, eine Flüssigkeit zurückzuhalten. Der Magnetfeldsensor schließt auch ein gehärtetes flüssiges Material, welches innerhalb der Kavität angeordnet ist, ein. Das gehärtete flüssige Material ist mit ferromagnetischen Partikeln gefüllt, um entweder ein Magnetfeld zu erzeugen oder um ein Magnetfeld zu konzentrieren.
  • In Übereinstimmung mit einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung schließt ein Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors ein Anbringen eines Magnetfeldsensorkreischips an einer ersten Oberfläche einer Kontaktstelle zum Anbringen des Chips eines Leiterrahmens ein. Die Kontaktstelle zum Anbringen des Chips hat eine erste Oberfläche und eine zweite gegenüberliegende Oberfläche. Das Verfahren schließt auch das Bilden einer geformten Kapsel, welche den Magnetfeldsensorkreischip umhüllt, ein. Die geformte Kapsel bedeckt die zweite Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips unter Bildung einer isolierenden Schicht über der zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips. Das Verfahren schließt auch das Bilden einer geformten Struktur benachbart zu der zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips ein. Die geformte Struktur ist mit ferromagnetischen Partikeln gefüllt, um entweder ein Magnetfeld zu erzeugen oder um ein Magnetfeld zu konzentrieren.
  • In den obigen Anordnungen können die ferromagnetischen Partikel entweder hartferromagnetische Partikel sein, welche ein permanentes Magnetfeld erzeugen können, oder sie können weich-ferromagnetische Partikel sein, welche ein Magnetfeld konzentrieren können.
  • In Übereinstimmung mit einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung schließt ein Magnetfeldsensor einen Leiterrahmen ein, welcher eine Kontaktstelle zum Anbringen eines Chips aufweist. Die Kontaktstelle zum Anbringen des Chips weist erste und zweite gegenüberliegende Oberflächen auf. Der Magnetfeldsensor schließt auch einen Magnetfeldsensorkreischip ein, welcher benachbart zu der ersten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips gekoppelt ist. Der Magnetfeldsensor schließt auch eine geformte Kapsel ein, welche den Magnetfeldsensorkreischip umhüllt. Die geformte Kapsel bedeckt die zweite Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips unter Bildung einer isolierenden Schicht über der zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips. Der Magnetfeldsensor schließt auch eine geformte Struktur benachbart zu der zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips ein. Die geformte Struktur ist mit ferromagnetischen Partikeln gefüllt, um entweder ein Magnetfeld zu erzeugen oder um ein Magnetfeld zu konzentrieren.
  • Mit den obigen Anordnungen stellt ein Packschema für einen Magnetfeldsensor einen zuverlässigen Schutz vor der Umgebung sicher, welcher einen übermäßigen Anstieg in einem effektiven Luftspalt zwischen dem zugeordneten Magnetfeldsensierelement und dem zu sensierenden Objekt vermeidet, und welches nicht zu einem Verlust eines kostbaren Magneten führt, wenn der Magnetfeldsensor während Herstellungstests eine Fehlfunktion aufweist.
  • In anderen Worten gesagt, kann der teilweise gepackte Magnetfeldsensor in der Herstellung in einer Form getestet werden, für welche es möglich ist, den Magneten zu entfernen. Dies kann beispielsweise bewerkstelligt werden durch zuerst ein Testen des Magnetfeldsensors unter Verwendung eines Magneten in der Testvorrichtung, welcher magnetisiert ist und für verschiedene Teile bzw. Abschnitte während des Testens wieder verwendet wird. Dies ermöglicht es, dass der gegenwärtige Magnet in dem letztendlichen Magnetfeldsensor in dem Magnetfeldsensor nur nach dem Testen platziert wird und nur in einer bekannt guten Chip-Anordnung.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die vorstehenden Merkmale der Erfindung sowie die Erfindung selbst kann aus der folgenden detaillierten Beschreibung der Zeichnungen vollständiger verstanden werden, in welchen:
  • 1 bis 1C Querschnitte sind, welche einen Arbeitsfluss zum Herstellen eines Magnetfeldsensors in der Form eines Umgebungsdetektors zeigen;
  • 2 bis 2C Querschnitte sind, welche einen anderen Arbeitsfluss zum Herstellen eines anderen Magnetfeldsensors in der Form eines Umgebungsdetektors zeigen;
  • 3 bis 3C Querschnitte zeigen, die nochmals einen anderen Arbeitsfluss zum Herstellen nochmals eines anderen Magnetfeldsensors in der Form eines Umgebungsdetektors zeigen; und
  • 4 eine Draufsicht ist, welche Herstellungsschritte zum Herstellen eines Magnetfeldsensors, beispielsweise des Magnetfeldsensors der 3 bis 3C zeigt und welcher einen Kondensator einschließen, welcher während eines der Eingussschritte bzw. Umspritzschritte eingehaust wird.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Vor einer Beschreibung der vorliegenden Erfindung werden einige einführende Konzepte und die Terminologie erklärt. Wenn hierin verwendet, wird der Ausdruck „Magnetfeldsensor” verwendet, um einen Kreis bzw. Schaltkreis zu beschreiben, welcher ein „Magnetfeldsensierelement” aufweist. Magnetfeldsensoren werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, einschließlich, jedoch nicht beschränkt auf einen Stromsensor, welcher ein Magnetfeld sensiert, welches durch einen Strom erzeugt wird, welcher in einem Stromleiter fließt, einen Magnetschalter oder „Umgebungsdetektor”, welcher die Nähe eines ferromagnetischen Objekts sensiert, einen Umgebungsdetektor, welcher das Vorbeitreten ferromagnetischer Artikel sensiert, beispielsweise magnetischer Domänen eines Ringmagneten oder Zahnradzähne, und einen Magnetfeldsensor, welcher eine magnetische Felddichte eines Magnetfeldes sensiert.
  • Während Magnetfeldsensierelemente untenstehend als Halleffektelemente gezeigt und beschrieben sind, können die Magnetfeldsensierelemente in anderen Anordnungen Halleffektelemente, Magnetowiderstandselemente oder Magnettransistoren sein, sie sind jedoch nicht darauf beschränkt. Wie bekannt ist, gibt es verschiedene Typen von Halleffektelementen, beispielsweise ein planares Hallelement und ein vertikales Hallelement. Wie auch bekannt ist, gibt es verschiedene Typen von Magnetowiderstandselementen, beispielsweise ein Halbleitermagnetowiderstandselement, wie beispielsweise Indiumantimonid (INSb), ein Riesenmagnetowiderstand-(GMR = Giant Magneto Resistance = Riesenmagnetowiderstand-)Element, ein anisotropes Magnetowiderstandselement (AMR = anisotropic magnetoresistance = anisotroper Magnetwiderstand), ein Tunnel-Magnetowiderstands-(TMR = Tunnelling Magneto Resistance = Tunnel-Magnetowiderstand)Element und eine magnetische Tunnelverbindung (MTJ = Magnetic Tunnel Junction = magnetische Tunnelverbindung).
  • Unter Bezugnahme auf 1 schließt ein Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors das Anbringen eines Magnetfeldsensorkreischips 10, d. h. eines Magnetfeldsensierelements, beispielsweise eines Halleffektelements, an einer ersten Oberfläche 12ba einer Kontaktstelle zum Anbringen des Chips 12b eines Leiterrahmens 12 ein. Die Kontaktstelle zum Anbringen des Chips 12b hat die erste Oberfläche 12ba und eine zweite gegenüberliegende Oberfläche 12bb. Das Verfahren kann auch das Koppeln das Magnetfeldsensorkreischips 10 an Leiter 12a des Leiterrahmens 12 mit Bonddrähten 14 oder dergleichen einschließen.
  • Unter Bezugnahme nunmehr auf 1A, in welcher gleiche Elemente der 1 gleiche Bezugszahlen habend gezeigt sind, schließt das Verfahren weiterhin das Bilden einer geformten bzw. gegossenen bzw. umspritzten Kapsel 16 ein, welche den Magnetfeldsensorkreischip 10 umhüllt. Die geformte Kapsel 16 kann aus einer Vielzahl von Materialien, beispielsweise E670C Formmasse von der Sumitomo Corporation, HYSOL®, MG52F Formmasse von der Henkel Loctite Corporation, oder PLASKON® CK-6100 Formmasse von Cookson Electronics hergestellt sein. In manchen Ausführungsformen kann die geformte Kapsel 16 in einem Einschritt-Formvorgang gebildet werden. In manchen Ausführungsformen kann die geformte Kapsel 16 aus einem einzelnen einheitlichen Material sein. Die geformte Kapsel 16 kann eine Kavität 16c einschließen, welche eine innere Kavitätsoberfläche 16ca hat. Ein Abschnitt der inneren Kavitätsoberfläche 16ca kann benachbart zu der zweiten Oberfläche 12bb der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips 12b sein oder kann diese umfassen bzw. einschließen. Die Kavität 16c hat eine Form, welche in der Lage ist, eine Flüssigkeit zurückzuhalten. In anderen Worten gesagt kann die Kavität durch einen Rand bzw. eine Randzone 16a, 16c umgeben sein und sie kann in nur einem Bereich offen sein, was vollständiger unten aus der Diskussion in Verbindung mit 1B verstanden werden wird.
  • Unter Bezugnahme nunmehr auf 1B, in welcher gleiche Elemente der 1 und 1A gleiche Referenzzeichen habend gezeigt sind, kann ein flüssiger Verkapselungsstoff 20 in die Kavität 16c eingebracht werden. Der flüssige Verkapselungsstoff 20 kann aus einer Vielzahl von Materialien hergestellt sein, beispielsweise HYSOL® FP4450 oder FP4451 von der Henkel Loctite Corporation, CRP-3400 von der Sumitomo Corporation oder CircalokTM 6009 A/B von der Lord Corporation. Die Kavität 16c kann offen sein, um den flüssigen Verkapselungsstoff 20 entgegenzunehmen, jedoch anderweitig durch den Rand 16a, 16b eingeschlossen sein, um den flüssigen Verkapselungsstoff 20 vor einem Verlassen der Kavität 16c zu bewahren.
  • Unter Bezugnahme nunmehr auf 1C, in welcher gleiche Elemente der 1 bis 1B gleiche Bezugszeichen habend gezeigt sind, kann ein Permanentmagnet 22 in der Kavität 16c benachbart zu der zweiten Oberfläche 12bb der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips 12b platziert werden, und kann im Wesentlichen durch den flüssigen Verkapselungsstoff 20 umgeben werden, da der flüssige Verkapselungsstoff, welcher in 1B eingebracht wird, dazu neigen wird, um den Magneten 22 herum anzuwachsen, wenn er in den flüssigen Verkapselungsstoff 20 getaucht wird. Danach kann der flüssige Verkapselungsstoff 20 entweder bei Zimmertemperatur oder bei erhöhter Temperatur gehärtet werden.
  • In manchen anderen Anordnungen wird der Magnet 22 in der Kavität 16c vor dem flüssigen Verkapselungsstoff 20 platziert und danach wird der flüssige Verkapselungsstoff 20 in die Kavität abgegeben bzw. eingebracht, um den Magneten 22 zu umgeben. In einigen Ausführungsformen kann ein isolierendes Epoxydharz, beispielsweise ein Chip-Anbring-Expoydharz verwendet werden, um den Magneten an dem Leiterrahmen vor der Anwendung des flüssigen Verkapselungsstoffes 20 anzubringen.
  • In einigen Ausführungsformen kann ein isolierendes Material 30 zwischen dem Magneten 22 und dem Leiterrahmen 12 eingebracht werden, beispielsweise ein glasgefülltes Material, z. B. Dow Corning 7030 Die Attach Adhesive. Eine Anwendung dieses Materials zwischen dem Magneten 22 und dem Leiterrahmen 12 kann zu einer genauen und wiederholbaren Trennung zwischen dem Magneten 22 und dem Leiterrahmen 12 führen, was darauf zielen würde, zu Magnetfeldsensoren mit einer erhöhten Einheit-zu-Einheit-Empfindlichkeits-Konsistenz zu führen.
  • In einigen Ausführungsformen hat der Magnet 22 ein Magnetfeld, welches ungefähr rechtwinklig zu den ersten und zweiten Oberflächen 12ba, 12bb der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips 12b orientiert ist. In diesen Ausführungsformen weist der Magnetfeldsensorkreischip 10 ein Magnetfeldsensierelement, beispielsweise ein Halleffektelement auf, welches eine Achse maximalen Ansprechverhaltens auch ungefähr rechtwinklig zu den ersten und zweiten Oberflächen 12ba, 12bb der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips 12b hat.
  • In einigen anderen Ausführungsformen hat der Magnet 22 ein Magnetfeld, welches ungefähr parallel zu den ersten und zweiten Oberflächen 12ba, 12bb der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips 12b orientiert ist. In diesen Ausführungsformen weist der Magnetfeldsensorkreischip 10 ein Magnetfeldsensierelement, beispielsweise ein Riesenmagnetowiderstandselement oder ein anisotropes Magnetowiderstandselement auf, welches eine Achse maximalen Ansprechverhaltens auch ungefähr parallel zu den ersten und zweiten Oberflächen 12ba, 12bb der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips 12b hat.
  • Das oben beschriebene Verfahren führt zu einem Magnetfeldsensor 24, welcher den Leiterrahmen 12 mit der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips 12b hat, wobei die Kontaktstelle zum Anbringen des Chips 12b die ersten und zweiten gegenüberliegenden Oberflächen 12ba, 12bb hat. Der Magnetfeldsensorkreischip 10 ist benachbart zu der ersten Oberfläche 12ba der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips 12. Die geformte Kapsel 16 umhüllt den Magnetfeldsensorkreischip 10. Der Magnet 22 ist benachbart zu der zweiten Oberfläche 12bb der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips 12b und innerhalb der Kavität 16c angeordnet. Der gehärtete Verkapselungsstoff 20 ist innerhalb der Kavität 16c angeordnet und konfiguriert, um den Magneten 22 innerhalb der Kavität 16c zurückzuhalten.
  • In einigen Ersatz-Ausführungsfommen bzw. alternativen Ausführungsformen ist der Magnet 22 ausgelassen. In diesen Ausführungsformen kann der flüssige Verkapselungsstoff 20 die gesamte Kavität 16c füllen und kann mit magnetischen Partikeln gefüllt sein, um an Stelle des Magneten 22 ein permanentes Magnetfeld zu erzeugen. Beispielsweise kann der flüssige Verkapselungsstoff 20 ein Expoydharzmaterial sein, welches mit Strontium-Ferrit-Partikeln gefüllt ist. Diese Ausführungsformen können auch einen Umgebungsdetektor bilden.
  • In noch einigen Ersatz-Ausführungsformen bzw. alternativen Ausführungsformen ist der Magnet 22 auch ausgelassen und der flüssige Verkapselungsstoff 20 ist mit weichmagnetischen Partikeln gefüllt, um einen Magnetfeldkonzentrator oder einen Flusskonzentrator zu bilden. Der flüssige Verkapselungsstoff 20 kann beispielsweise ein Expoydharzmaterial sein, welches mit NiZn- oder MnZn-Ferrit-Partikeln gefüllt ist, Diese Ausführungsformen bilden auch einen Umgebungsdetektor, wenn das zu sensierende Objekt ein Magnetfeld erzeugt. Diese Ausführungsformen können jedoch auch einen Magnetfeldsensor bilden, welcher für andere Anwendungen verwendet wird.
  • Unter Bezugnahme nunmehr auf die 2 bis 2C, in welchen gleiche Elemente der 1 bis 1C gleiche Bezugszeichen habend gezeigt sind, in welchen jedoch eine geformte Kapsel 16' von der geformten Kapsel 16 der 1 bis 1C verschieden ist, wird ein Magnetfeldsensor 26 (2C) auf einem Wege ähnlich zu dem Magnetfeldsensor 24 der 1C hergestellt. Die verschiedene geformte Kapsel 16' hat einen Bereich, welcher, verschieden von der geformten Kapsel 16 der 1 bis 1C, eine isolierende Schicht 16d' benachbart zu der zweiten gegenüberliegenden Oberfläche 12bb der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips 12b zwischen dem Magneten 22 und der zweiten gegenüberliegenden Oberfläche 12bb der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips 12b bildet. Die isolierende Schicht 16d kann eine vorbestimmte Dicke haben, um den Magneten 22 von der zweiten Oberfläche 12bb der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips 12b durch einen vorbestimmten Abstand zu trennen.
  • Der Leiterrahmen 12 weist Leiter 12a auf welche, verschieden von den Leitern 12a der 1, keine Biegung haben können, da der Magnet 22 die Leiter 12a' nicht kontaktieren wird, wobei diese andernfalls zu der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips 12b gekürzt werden.
  • Wie obenstehend in Verbindung mit 1C beschrieben ist, kann in einigen Ausführungsformen der Magnet 22 ausgelassen sein und der flüssige Verkapselungsstoff 20 kann mit magnetischen Partikeln gefüllt sein, um einen Permanentmagneten zu bilden, oder mit weichmagnetischen Partikeln, um einen Flusskonzentrator zu bilden.
  • Bezugnehmend nunmehr auf 3, in welcher gleiche Elemente der 1 gleiche Bezugszeichen habend gezeigt sind, weist ein anderes Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors ein Anbringen des Magnetfeldsensorkreischips 10, d. h. eines Magnetfeldsensierelements an der ersten Oberfläche 12ba der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips 12b des Leiterrahmens 12 auf. Die Kontaktstelle zum Anbringen des Chips 12b hat die erste Oberfläche 12ba und die zweite gegenüberliegende Oberfläche 12bb. Das Verfahren kann auch ein Koppeln des Magnetfeldsensorkreischips 10 an die Leiter 12a des Leiterrahmens 12 mit den Bonddrähten 14 oder dergleichen aufweisen.
  • Bezug nehmend nunmehr auf 3A, in welcher gleiche Elemente der 3 gleiche Bezugszeichen habend gezeigt sind, weist das Verfahren weiterhin das Bilden einer geformten Kapsel 50 auf, welche den Magnetfeldsensorkreischip 10 umhüllt. Die geformte Kapsel 50 kann aus einer Vielzahl von Materialien beispielsweise E670C Formmasse von der Sumitomo Corporation, HYSOL® MG52F Formmasse von der Henkel Loctite Corporation oder PLASKON® CK-6100 Formmasse von Cookson Electronics gefertigt sein. In einigen Ausführungsformen kann die geformte Kapsel 50 in einem Einschritt-Formvorgang gebildet werden. Die geformte Kapsel 50 bedeckt die zweite Oberfläche 12bb der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips 12b unter Bildung einer isolierenden Schicht 50a über der zweiten Oberfläche 12bb der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips 12b.
  • Bezug nehmend nunmehr auf 3B in welcher gleiche Elemente der 3 und 3A gleiche Bezugszeichen habend gezeigt sind, kann ein Magnet 52 über der isolierenden Schicht 50a platziert sein. in einigen Ausführungsformen ist ein Klebemittelschicht 54 zwischen dem Magneten 52 und der isolierenden Schicht 50a angeordnet. Die Klebemittelschicht kann gehärtet werden, nachdem der Magnet 52 darauf angeordnet ist. Die isolierende Schicht 50a kann eine vorbestimmte Dicke haben, um den Magneten 52 von der zweiten Oberfläche 12bb der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips 12b um einen bestimmten Abstand zu trennen.
  • Bezug nehmend nunmehr auf 3C, in welcher gleich Elemente der 33B gleiche Bezugszeichen habend gezeigt sind, wird eine geformte Einhausung 56 gebildet, welche wenigstens den Magneten 52 umgibt. In einigen Ausführungsformen kann die geformte Einhausung auch die geformte Kapsel 50 umgeben oder teilweise umgeben.
  • In einigen Ausführungsformen hat der Magnet 52 ein Magnetfeld, welches ungefähr rechtwinklig zu den ersten und zweiten Oberflächen 12ba, 12bb der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips 12b orientiert ist. In diesen Ausführungsformen weist der Magnetfeldsensorkreischip 10 ein Magnetfeldsensierelement auf, beispielsweise ein Halleffektelement, welches eine Achse maximalen Ansprechverhaltens auch ungefähr rechtwinklig zu den ersten und zweiten Oberflächen 12ba, 12bb der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips 12b hat.
  • In einigen anderen Ausführungsformen hat der Magnet 52 ein Magnetfeld, welches ungefähr parallel zu den ersten und zweiten Oberflächen 12ba, 12bb der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips 12b orientiert ist. In diesen Ausführungsformen weist der Magnetfeldsensorkreischip 10 ein Magnetfeldsensierelement, beispielsweise ein anisotropes Magnetowiderstandselement oder ein Riesenmagnetowiderstandselement auf, welches eine Achse maximalen Ansprechverhaltens auch ungefähr parallel zu den ersten und zweiten Oberflächen 12ba, 12bb der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips 12b hat.
  • Das oben beschriebene Verfahren führt zu einem Magnetfeldsensor 58, welcher den Leiterrahmen 12 mit der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips 12b hat, wobei die Kontaktstelle zum Anbringen des Chips 12b die ersten und zweiten gegenüberliegenden Oberfläche 12ba, 12bb hat. Der Magnetfeldsensorkreischip 10 ist benachbart zu der ersten Oberfläche 12ba der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips 12b. Die geformte Kapsel 50 umhüllt den Magnetfeldsensorkreischip 10 und bildet eine isolierende Schicht 50a über der zweiten Oberfläche 12bb der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips 12b. Der Magnet 52 ist benachbart zu der zweiten Oberfläche 12bb der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips 12b. Die geformte Einhausung 56 umgibt wenigstens den Magneten 52.
  • In einigen anderen Ausführungsformen kann, ähnlich zu den Ausführungsformen, welche obenstehend in Verbindung mit 1C beschrieben sind, der Magnet 52 ausgelassen werden. In diesen Ausführungsformen kann das Material der geformten Einhausung 56 entweder mit magnetischen Partikeln gefüllt werden, um einen Permanentmagneten zu bilden, oder mit weichmagnetischen Partikeln, um einen Flusskonzentrator zu bilden. In diesen Ausführungsformen kann es vorteilhaft sein, die geformte Einhausung 56 nur auf einer Seite des Leiterrahmens 12, d. h. einer Seite des Leiterrahmens 12 gegenüber der geformten Kapsel 50 zu bilden.
  • Unter Bezugnahme nunmehr auf 4, in welcher gleiche Elemente der 3 bis 3C gleiche Bezugszeichen habend gezeigt sind, weist ein Leiterrahmenstreifen 60 eine Mehrzahl von Leiterrahmen 62a bis 62f auf, von welchen jeder von dem Leiterrahmenstreifen zu einer späteren Zeit geschnitten werden kann. Jeder der Leiterrahmen 62a bis 62f kann derselbe sein oder ähnlich zu dem Leiterrahmen 12, welcher in den 1 bis 1C, 2 bis 2C und 3 bis 3C gezeigt ist. Jeder der Leiterrahmen 62a bis 62f ist zu einem unterschiedlichen Schritt im Herstellungsvorgang gezeigt.
  • Die Leiterrahmen 62a bis 62f haben den Magnetfeldsensorkreischip 10, d. h. das Magnetfeldsensierelement angeordnet über einer ersten Oberfläche einer Kontaktstelle zum Anbringen des Chips (nicht sichtbar) der Leiterrahmen 62a bis 62f. In diesen Ansichten ist der Magnetfeldsensorkreischip 10 über der Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips.
  • Betreffend die Leiterrahmen 62b bis 62f umhüllt die geformte Kapsel 50 den Magnetfeldsensorkreischip 10 und bildet eine isolierende Schicht (nicht sichtbar) auf der zweiten Oberfläche (nicht sichtbar) der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips (nicht sichtbar). Betreffend die Leiterrahmen 62c bis 62f ist der Magnet 52 benachbart zu der zweiten Oberfläche (nicht sichtbar) der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips (nicht sichtbar). Für die Leiterrahmen 62c und 62e bis 62f ist der Magnet unter der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips. Der Leiterrahmen 62d ist auf dem Kopf stehend bzw. umgedreht von den anderen gezeigt, um den Magneten 52 als nach oben gerichtet in dieser Ansicht zu zeigen. Betreffend die Leiterrahmen 62d bis 62f kann ein Kondensator 64 auf derselben Seite des Leiterrahmens 62d wie der Magnet 52 angeordnet werden, d. h. nach oben gerichtet in der Ansicht des Leiterrahmens 62d. Betreffend die Leiterrahmen 62e bis 62f umgibt die geformte Einhausung 56 wenigstens den Magneten 52, um den Magnetfeldsensor 58 zu bilden, in manchen Ausführungsformen jedoch umgibt sie auch die geformte Kapsel 50 und/oder den Kondensator 64.
  • Alle Bezugnahmen bzw. Refernzen hierin werden hiermit hierin durch Bezugnahme in ihrer Gesamtheit eingeschlossen.
  • Nach der Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung wird es nun für Fachleute offensichtlich werden, dass andere Ausführungsformen, welche deren Konzepte einschließen, verwendet werden können. Es wird deshalb verspürt, dass diese Ausführungsformen nicht auf die offenbarten Ausführungsformen beschränkt sein sollten, sondern stattdessen nur durch den Gedanken und den Umfang der beigefügten Ansprüche beschränkt sein sollten.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • US 5963028 [0011]
    • US 6265865 [0011]

Claims (34)

  1. Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors, aufweisend: Anbringen eines Magnetfeldsensorkreischips an einer ersten Oberfläche einer Kontaktstelle zum Anbringen eines Chips eines Leiterrahmens, wobei die Kontaktstelle zum Anbringen des Chips die erste Oberfläche und eine zweite gegenüberliegende Oberfläche hat; Bilden einer geformten oder gegossenen Kapsel, welche den Magnetfeldsensorkreischip umhüllt, wobei die geformte oder gegossene Kapsel eine Kavität aufweist, welche eine innere Kavitätsoberfläche hat, wobei ein Abschnitt der inneren Kavitätsoberfläche benachbart zu der zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips ist, und wobei die Kavität eine Form hat, welche in der Lage ist, eine Flüssigkeit zurückzuhalten; Platzieren eines Magneten in der Kavität und benachbart zu der zweiten gegenüberliegenden Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips; Platzieren eines flüssigen Verkapselungsstoffes in der Kavität benachbart zu dem Magneten; und Härten des flüssigen Verkapselungsstoffes in einen festen Zustand, um den Magneten zurückzuhalten.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die geformte oder gegossene Kapsel die zweite gegenüberliegende Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips unter Bildung einer isolierenden Schicht über der zweiten gegenüberliegenden Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips zwischen dem Magneten und der zweiten gegenüberliegenden Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips bedeckt, wobei die isolierende Schicht eine vorbestimmte Dicke hat.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die geformte oder gegossene Kapsel in einem Einschritt-Formvorgang oder einem Einschritt-Gussvorgang gebildet wird.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, weiterhin aufweisend ein Platzieren eines glasgefüllten Epoxydharzes auf der zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, weiterhin aufweisend ein Anbringen eines Kondensators über wenigstens zwei Leiter des Leiterrahmens an einer Position, welche dazu führt, dass der Kondensator innerhalb der geformten oder gegossenen Kapsel eingehaust ist.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Magnet ein Magnetfeld hat, welches in etwa rechtwinklig zu der ersten und zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips orientiert ist, und wobei der Magnetfeldsensorkreischip ein Magnetfeldsensierelement aufweist, welches eine Achse maximalen Ansprechverhaltens in etwa rechtwinklig zu der ersten und zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips hat.
  7. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Magnet ein Magnetfeld hat, welches in etwa parallel zu der ersten und zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips orientiert ist, und wobei der Magnetfeldsensorkreischip ein Magnetfeldsensierelement aufweist, welches eine Achse maximalen Ansprechverhaltens in etwa parallel zu der ersten und zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips hat.
  8. Magnetfeldsensor aufweisend: einen Leiterrahmen, welcher eine Kontaktstelle zum Anbringen eines Chips aufweist, wobei die Kontaktstelle zum Anbringen des Chips erste und zweite gegenüberliegende Oberflächen aufweist; einen Magnetfeldsensorkreischip benachbart zu der ersten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips; eine geformte oder gegossene Kapsel, welche den Magnetfeldsensorkreischip umhüllt, wobei die geformte oder gegossene Kapsel eine Kavität aufweist, welche eine innere Kavitätsoberfläche hat, wobei ein Abschnitt der inneren Kavitätsoberfläche benachbart zu der zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips ist, und wobei die Kavität eine Form hat, welche in der Lage ist, eine Flüssigkeit zurückzuhalten; einen Magneten in der Nähe der zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips und angeordnet innerhalb der Kavität; und einen gehärteten flüssigen Verkapselungsstoff, welcher innerhalb der Kavität angeordnet ist und konfiguriert ist, um den Magneten innerhalb der Kavität zurückzuhalten.
  9. Magnetfeldsensor nach Anspruch 8, wobei die geformte oder gegossene Kapsel die zweite gegenüberliegende Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips unter Bildung einer isolierenden Schicht über der zweiten gegenüberliegenden Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips zwischen dem Magneten und der zweiten gegenüberliegenden Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips bedeckt, wobei die isolierende Schicht eine vorbestimmte Dicke hat.
  10. Magnetfeldsensor nach Anspruch 8, wobei die geformte oder gegossene Kapsel aus einem einheitlichen Material besteht.
  11. Magnetfeldsensor nach Anspruch 8, weiterhin aufweisend ein glasgefülltes Epoxydharz, welches auf der zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips angeordnet ist.
  12. Magnetfeldsensor nach Anspruch 8, weiterhin aufweisend einen Kondensator, welcher über wenigstens zwei Leiter des Leiterrahmens an einer Position gekoppelt ist, welche dazu führt, dass der Kondensator innerhalb der geformten oder gegossenen Kapsel eingehaust ist.
  13. Magnetfeldsensor nach Anspruch 8, wobei der Magnet ein Magnetfeld hat, welches in etwa rechtwinklig zu der ersten und zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips orientiert ist, und wobei der Magnetfeldsensorkreischip ein Magnetfeldsensierelement aufweist, welches eine Achse maximalen Ansprechverhaltens in etwa rechtwinklig zu der ersten und zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips hat.
  14. Magnetfeldsensor nach Anspruch 8, wobei der Magnet ein Magnetfeld hat, welches in etwa parallel zu der ersten und zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips orientiert ist, und wobei der Magnetfeldsensorkreischip ein Magnetfeldsensierelement aufweist, welches eine Achse maximalen Ansprechverhaltens in etwa parallel zu der ersten und zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips hat.
  15. Verfahren zur Herstellung eines integrierten Sensors, aufweisend: Anbringen eines Magnetfeldsensorkreischips an einer ersten Oberfläche einer Kontaktstelle zum Anbringen des Chips eines Leiterrahmens, wobei die Kontaktstelle zum Anbringen des Chips die erste Oberfläche und eine zweite gegenüberliegende Oberfläche hat; Bilden einer geformten oder gegossenen Kapsel, welche den Magnetfeldsensorkreischip umhüllt, wobei die geformte oder gegossene Kapsel die zweite Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips unter Bildung einer isolierenden Schicht über der zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips bedeckt; Platzieren eines Magneten über der isolierenden Schicht; und Bilden einer geformten oder gegossenen Einhausung, welche den Magneten umgibt.
  16. Verfahren nach Anspruch 15, weiterhin aufweisend: Platzieren eines Klebemittels auf der isolierenden Schicht; Platzieren des Magneten auf dem Klebemittel; und Härten des Klebemittels.
  17. Verfahren nach Anspruch 15, wobei das Bilden der geformten oder gegossenen Einhausung, welche den Magneten umgibt, ein Bilden der geformten oder gegossenen Einhausung, welche den Magneten umgibt und welche auch die geformte oder gegossene Kapsel umgibt, aufweist.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, wobei die geformte oder gegossene Kapsel aus einem einheitlichen Material besteht.
  19. Verfahren nach Anspruch 15, weiterhin aufweisend das Platzieren eines glasgefüllten Epoxydharzes auf der zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips.
  20. Verfahren nach Anspruch 15, weiterhin aufweisend ein Anbringen eines Kondensators über wenigstens zwei Leiter des Leiterrahmens an einer Position, welche dazu führt, dass der Kondensator innerhalb der geformten oder gegossenen Kapsel eingehaust ist.
  21. Verfahren nach Anspruch 15, wobei der Magnet ein Magnetfeld hat, welches in etwa rechtwinklig zu der ersten und zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips orientiert ist, und wobei der Magnetfeldsensorkreischip ein Magnetfeldsensierelement aufweist, welches eine Achse maximalen Ansprechverhaltens in etwa rechtwinklig zu der ersten und zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips hat.
  22. Verfahren nach Anspruch 15, wobei der Magnet ein Magnetfeld hat, welches in etwa parallel zu der ersten und zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips orientiert ist, und wobei der Magnetfeldsensorkreischip ein Magnetfeldsensierelement aufweist, welches eine Achse maximalen Ansprechverhaltens in etwa parallel zu der ersten und zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips hat.
  23. Magnetfeldsensor, aufweisend: einen Leiterrahmen, welcher eine Kontaktstelle zum Anbringen eines Chips aufweist, wobei die Kontaktstelle zum Anbringen des Chips eine erste und eine zweite gegenüberliegende Oberfläche aufweist; einen Magnetfeldsensorkreischip, welcher benachbart zu der ersten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips gekoppelt ist; eine geformte oder gegossene Kapsel, welche den Magnetfeldsensorkreischip umhüllt, wobei die geformte oder gegossene Kapsel die zweite Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips unter Bildung einer isolierenden Schicht über der zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips bedeckt; einen Magneten, welcher in der Nähe der zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips gekoppelt ist, so dass die isolierende Schicht zwischen dem Magneten und der zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips ist; und eine geformte oder gegossene Einhausung, welche den Magneten umgibt.
  24. Magnetfeldsensor nach Anspruch 23, weiterhin aufweisend ein Klebemittelmaterial, welches zwischen dem Magneten und der isolierenden Schicht angeordnet ist.
  25. Magnetfeldsensor nach Anspruch 23, wobei die geformte oder gegossene Einhausung sowohl den Magneten als auch die geformte oder gegossene Kapsel umgibt.
  26. Magnetfeldsensor nach Anspruch 23, wobei die geformte oder gegossene Kapsel aus einem einheitlichen Material besteht.
  27. Magnetfeldsensor nach Anspruch 23, weiterhin aufweisend ein glasgefülltes Epoxydharz, welches auf der zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips angeordnet ist.
  28. Magnetfeldsensor nach Anspruch 23, weiterhin aufweisend einen Kondensator, welcher über wenigstens zwei Leiter des Leiterrahmens an einer Position gekoppelt ist, welche dazu führt, dass der Kondensator innerhalb der geformten oder gegossenen Kapsel eingehaust ist.
  29. Magnetfeldsensor nach Anspruch 23, wobei der Magnet ein Magnetfeld hat, welches in etwa rechtwinklig zu der ersten und zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips orientiert ist, und wobei der Magnetfeldsensorkreischip ein Magnetfeldsensierelement aufweist, welches eine Achse maximalen Ansprechverhaltens in etwa rechtwinklig zu der ersten und zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips hat.
  30. Magnetfeldsensor nach Anspruch 23, wobei der Magnet ein Magnetfeld hat, welches in etwa parallel zu der ersten und zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips orientiert ist, und wobei der Magnetfeldsensorkreischip ein Magnetfeldsensierelement aufweist, welches eine Achse maximalen Ansprechverhaltens in etwa parallel zu der ersten und zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips hat.
  31. Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors, aufweisend: Anbringen eines Magnetfeldsensorkreischips an einer ersten Oberfläche einer Kontaktstelle zum Anbringen des Chips eines Leiterrahmens, wobei die Kontaktstelle zum Anbringen des Chips die erste Oberfläche und eine zweite gegenüberliegende Oberfläche hat; Bilden einer geformten oder gegossenen Kapsel, welche den Magnetfeldsensorkreischip umhüllt, wobei die geformte oder gegossene Kapsel eine Kavität aufweist, welche eine innere Kavitätsoberfläche hat, wobei ein Abschnitt der inneren Kavitätsoberfläche benachbart zu der zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips ist, und wobei die Kavität eine Form hat, welche in der Lage ist, eine Flüssigkeit zurückzuhalten; Platzieren eines flüssigen Materials in der Kavität und benachbart zu der zweiten gegenüberliegenden Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips, wobei das flüssige Material mit ferromagnetischen Partikeln gefüllt ist, um entweder ein Magnetfeld zu erzeugen oder um ein Magnetfeld zu konzentrieren; und Härten des flüssigen Materials.
  32. Magnetfeldsensor, aufweisend: einen Leiterrahmen, welcher eine Kontaktstelle zum Anbringen eines Chips aufweist, wobei die Kontaktstelle zum Anbringen des Chips eine erste und eine zweite gegenüberliegende Oberfläche aufweist; ein Magnetfeldsensorkreischip benachbart zu der ersten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips; eine geformte oder gegossene Kapsel, welche den Magnetfeldsensorkreischip umhüllt, wobei die geformte oder gegossene Kapsel eine Kavität aufweist, welche ein innere Kavitätsoberfläche hat, wobei ein Abschnitt der inneren Kavitätsoberfläche benachbart zu der zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips ist, und wobei die Kavität eine Form hat, welche in der Lage ist, eine Flüssigkeit zurückzuhalten; und ein gehärtetes flüssiges Material, welches innerhalb der Kavität angeordnet ist, wobei das gehärtete flüssige Material mit ferromagnetischen Partikeln gefüllt ist, um entweder ein Magnetfeld zu erzeugen oder um ein Magnetfeld zu konzentrieren.
  33. Verfahren zur Herstellung eines integrierten Sensors, aufweisend: Anbringen eines Magnetfeldsensorkreischips an einer ersten Oberfläche einer Kontaktstelle zum Anbringen des Chips eines Leiterrahmens, wobei die Kontaktstelle zum Anbringen des Chips die erste Oberfläche und eine zweite gegenüberliegende Oberfläche hat; Bilden einer geformten oder gegossenen Kapsel, welche den Magnetfeldsensorkreischip umhüllt, wobei die geformte oder gegossene Kapsel die zweite Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips unter Bildung einer isolierenden Schicht über der zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips bedeckt; und Bilden einer geformten oder gegossenen Struktur benachbart zu der zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips, wobei die geformte oder gegossene Struktur mit ferromagnetischen Partikeln gefüllt ist, um entweder ein Magnetfeld zu erzeugen, oder um ein Magnetfeld zu konzentrieren.
  34. Magnetfeldsensor, aufweisend: einen Leiterrahmen, welcher eine Kontaktstelle zum Anbringen eines Chips aufweist, wobei die Kontaktstelle zum Anbringen des Chips erste und eine zweite gegenüberliegende Oberflächen aufweist; einen Magnetfeldsensorkreischip, welcher benachbart zu der ersten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips gekoppelt ist; eine geformte oder gegossene Kapsel, welche den Magnetfeldsensorkreischip umhüllt, wobei die geformte oder gegossene Kapsel die zweite Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips unter Bildung einer isolierenden Schicht über der zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips bedeckt; und eine geformte oder gegossene Struktur in der Nähe der zweiten Oberfläche der Kontaktstelle zum Anbringen des Chips, wobei die geformte oder gegossene Struktur mit ferromagnetischen Partikeln gefüllt ist, um entweder ein Magnetfeld zu erzeugen oder um ein Magnetfeld zu konzentrieren.
DE112009003555T 2008-12-05 2009-11-19 Magnetfeldsensoren und Verfahren zur Herstellung der Magnetfeldsensoren Pending DE112009003555T5 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/328,798 US8486755B2 (en) 2008-12-05 2008-12-05 Magnetic field sensors and methods for fabricating the magnetic field sensors
US12/328,798 2008-12-05
PCT/US2009/065044 WO2010065315A1 (en) 2008-12-05 2009-11-19 Magnetic field sensors and methods for fabricating the magnetic field sensors

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE112009003555T5 true DE112009003555T5 (de) 2012-08-30

Family

ID=41429396

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112009003555T Pending DE112009003555T5 (de) 2008-12-05 2009-11-19 Magnetfeldsensoren und Verfahren zur Herstellung der Magnetfeldsensoren

Country Status (4)

Country Link
US (4) US8486755B2 (de)
JP (3) JP5851841B2 (de)
DE (1) DE112009003555T5 (de)
WO (1) WO2010065315A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102021114943A1 (de) 2021-06-10 2022-12-15 Infineon Technologies Ag Sensorvorrichtungen mit Weichmagneten und zugehörige Herstellungsverfahren

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7816772B2 (en) * 2007-03-29 2010-10-19 Allegro Microsystems, Inc. Methods and apparatus for multi-stage molding of integrated circuit package
US9823090B2 (en) 2014-10-31 2017-11-21 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor for sensing a movement of a target object
US8486755B2 (en) 2008-12-05 2013-07-16 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensors and methods for fabricating the magnetic field sensors
US20100188078A1 (en) * 2009-01-28 2010-07-29 Andrea Foletto Magnetic sensor with concentrator for increased sensing range
US9121885B2 (en) * 2010-08-16 2015-09-01 Infineon Technologies Ag Sensor package and method of manufacturing thereof
US9476915B2 (en) * 2010-12-09 2016-10-25 Infineon Technologies Ag Magnetic field current sensors
US8629539B2 (en) 2012-01-16 2014-01-14 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for magnetic sensor having non-conductive die paddle
US9812588B2 (en) * 2012-03-20 2017-11-07 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material
US9666788B2 (en) * 2012-03-20 2017-05-30 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame
US9494660B2 (en) 2012-03-20 2016-11-15 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame
US10234513B2 (en) 2012-03-20 2019-03-19 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material
US10215550B2 (en) 2012-05-01 2019-02-26 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for magnetic sensors having highly uniform magnetic fields
US9817078B2 (en) 2012-05-10 2017-11-14 Allegro Microsystems Llc Methods and apparatus for magnetic sensor having integrated coil
US10725100B2 (en) * 2013-03-15 2020-07-28 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for magnetic sensor having an externally accessible coil
US9411025B2 (en) 2013-04-26 2016-08-09 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame and a magnet
US20140377915A1 (en) * 2013-06-20 2014-12-25 Infineon Technologies Ag Pre-mold for a magnet semiconductor assembly group and method of producing the same
US10145908B2 (en) 2013-07-19 2018-12-04 Allegro Microsystems, Llc Method and apparatus for magnetic sensor producing a changing magnetic field
US10495699B2 (en) 2013-07-19 2019-12-03 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for magnetic sensor having an integrated coil or magnet to detect a non-ferromagnetic target
US9810519B2 (en) * 2013-07-19 2017-11-07 Allegro Microsystems, Llc Arrangements for magnetic field sensors that act as tooth detectors
WO2015102739A2 (en) * 2013-10-18 2015-07-09 Cornell University Circuits and devices based on spin hall effect to apply a spin transfer torque with a component perpendicular to the plane of magnetic layers
JP6392654B2 (ja) 2014-02-04 2018-09-19 エイブリック株式会社 光センサ装置
US9927498B2 (en) * 2014-06-06 2018-03-27 Infineon Technologies Ag Magnetic sensor device comprising a ring-shaped magnet and a sensor chip in a common package
US9817079B2 (en) * 2014-07-21 2017-11-14 Infineon Technologies Ag Molded sensor package with an integrated magnet and method of manufacturing molded sensor packages with an integrated magnet
US9823092B2 (en) 2014-10-31 2017-11-21 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor providing a movement detector
US9719806B2 (en) 2014-10-31 2017-08-01 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor for sensing a movement of a ferromagnetic target object
US9720054B2 (en) 2014-10-31 2017-08-01 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor and electronic circuit that pass amplifier current through a magnetoresistance element
US10712403B2 (en) 2014-10-31 2020-07-14 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor and electronic circuit that pass amplifier current through a magnetoresistance element
CH710644B1 (de) * 2015-01-22 2018-10-15 Melexis Tech Sa Verfahren zur Herstellung von Stromsensoren.
US9810721B2 (en) 2015-12-23 2017-11-07 Melexis Technologies Sa Method of making a current sensor and current sensor
US10041810B2 (en) 2016-06-08 2018-08-07 Allegro Microsystems, Llc Arrangements for magnetic field sensors that act as movement detectors
US10260905B2 (en) 2016-06-08 2019-04-16 Allegro Microsystems, Llc Arrangements for magnetic field sensors to cancel offset variations
US10012518B2 (en) 2016-06-08 2018-07-03 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor for sensing a proximity of an object
JP6790956B2 (ja) * 2017-03-27 2020-11-25 Tdk株式会社 磁気センサ装置
US11428755B2 (en) 2017-05-26 2022-08-30 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated sensor with sensitivity detection
US10641842B2 (en) 2017-05-26 2020-05-05 Allegro Microsystems, Llc Targets for coil actuated position sensors
US10996289B2 (en) 2017-05-26 2021-05-04 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated position sensor with reflected magnetic field
US10324141B2 (en) 2017-05-26 2019-06-18 Allegro Microsystems, Llc Packages for coil actuated position sensors
US10310028B2 (en) 2017-05-26 2019-06-04 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated pressure sensor
US10837943B2 (en) 2017-05-26 2020-11-17 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor with error calculation
WO2019110998A1 (en) 2017-12-07 2019-06-13 Bae Systems Plc Integrity monitor
US10866117B2 (en) 2018-03-01 2020-12-15 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field influence during rotation movement of magnetic target
US11255700B2 (en) 2018-08-06 2022-02-22 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor
US10921391B2 (en) 2018-08-06 2021-02-16 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor with spacer
US10823586B2 (en) 2018-12-26 2020-11-03 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor having unequally spaced magnetic field sensing elements
US11061084B2 (en) 2019-03-07 2021-07-13 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated pressure sensor and deflectable substrate
US10955306B2 (en) 2019-04-22 2021-03-23 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated pressure sensor and deformable substrate
US10942227B2 (en) * 2019-06-25 2021-03-09 Nxp B.V. Dual sensor assembly and method of fabrication
US10991644B2 (en) * 2019-08-22 2021-04-27 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a low profile
US11280637B2 (en) 2019-11-14 2022-03-22 Allegro Microsystems, Llc High performance magnetic angle sensor
US11237020B2 (en) 2019-11-14 2022-02-01 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor having two rows of magnetic field sensing elements for measuring an angle of rotation of a magnet
US11262422B2 (en) 2020-05-08 2022-03-01 Allegro Microsystems, Llc Stray-field-immune coil-activated position sensor
US11493361B2 (en) 2021-02-26 2022-11-08 Allegro Microsystems, Llc Stray field immune coil-activated sensor
US11578997B1 (en) 2021-08-24 2023-02-14 Allegro Microsystems, Llc Angle sensor using eddy currents

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5963028A (en) 1997-08-19 1999-10-05 Allegro Microsystems, Inc. Package for a magnetic field sensing device

Family Cites Families (119)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3195043A (en) 1961-05-19 1965-07-13 Westinghouse Electric Corp Hall effect proximity transducer
DE1514822A1 (de) 1964-08-14 1969-06-26 Telefunken Patent Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
US3661061A (en) 1969-05-05 1972-05-09 Atomic Energy Commission Picture position finder
US4048670A (en) 1975-06-30 1977-09-13 Sprague Electric Company Stress-free hall-cell package
US4204317A (en) 1977-11-18 1980-05-27 The Arnold Engineering Company Method of making a lead frame
US4188605A (en) 1978-07-21 1980-02-12 Stout Glenn M Encapsulated Hall effect device
US4283643A (en) 1979-05-25 1981-08-11 Electric Power Research Institute, Inc. Hall sensing apparatus
US4315523A (en) 1980-03-06 1982-02-16 American Flow Systems, Inc. Electronically controlled flow meter and flow control system
WO1983000949A1 (en) * 1981-09-01 1983-03-17 Motorola Inc Improved glass bonding means and method
DE3243039A1 (de) * 1982-11-22 1984-05-24 Telefunken electronic GmbH, 6000 Frankfurt Magnetempfindliches halbleiterbauelement
JPS60257546A (ja) 1984-06-04 1985-12-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
US4614111A (en) 1985-02-15 1986-09-30 Wolff George D Position sensor for fuel injection apparatus
DE3590792T (de) 1985-05-10 1987-07-16
JPS6234316A (ja) 1985-08-07 1987-02-14 Victor Co Of Japan Ltd 磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘツド、及びその製作法
JPS62260374A (ja) * 1986-05-06 1987-11-12 Toshiba Corp 集磁効果型ホ−ル素子とその製造方法
GB2191632A (en) * 1986-06-16 1987-12-16 George D Wolff Position sensor assemblies and methods for fabricating same
JPS6384176A (ja) 1986-09-29 1988-04-14 Toshiba Corp 磁界収束型ホ−ル素子及びその製造方法
US4746859A (en) 1986-12-22 1988-05-24 Sundstrand Corporation Power and temperature independent magnetic position sensor for a rotor
US4772929A (en) 1987-01-09 1988-09-20 Sprague Electric Company Hall sensor with integrated pole pieces
JPS63263782A (ja) 1987-04-22 1988-10-31 Hitachi Ltd 磁電変換素子
JPH0248882U (de) 1988-09-30 1990-04-04
KR930004094Y1 (ko) 1988-10-11 1993-06-30 미쓰비시전기 주식회사 홀 효과형 센서장치
KR910004884B1 (ko) 1989-02-01 1991-07-15 한국식품개발연구원 유지류의 산화억제방법
US4935698A (en) 1989-03-03 1990-06-19 Sprague Electric Company Sensor having dual Hall IC, pole piece and magnet
JPH02236183A (ja) 1989-03-09 1990-09-19 Mitsubishi Electric Corp ホールセンサ装置及びその製造方法
US5196794A (en) 1989-03-14 1993-03-23 Mitsubishi Denki K.K. Hall-effect sensor with integrally molded frame, magnet, flux guide and insulative film
JPH02124575U (de) * 1989-03-24 1990-10-15
JPH0814617B2 (ja) * 1989-08-10 1996-02-14 三洋電機株式会社 磁気センサの製造方法
US5121289A (en) 1990-01-31 1992-06-09 Honeywell Inc. Encapsulatable sensor assembly
US5021493A (en) 1990-03-21 1991-06-04 The Goodyear Tire & Rubber Company Rubber composition and tire with component(s) thereof
US5045920A (en) 1990-06-28 1991-09-03 Allegro Microsystems, Inc. Dual-Hall ferrous-article-proximity sensor
JPH04152688A (ja) 1990-10-17 1992-05-26 Fujitsu Ltd 磁気抵抗素子
US5216405A (en) 1991-01-14 1993-06-01 General Motors Corporation Package for the magnetic field sensitive device
JPH0497370U (de) * 1991-01-21 1992-08-24
JPH05206185A (ja) * 1991-04-16 1993-08-13 Fujitsu Miyagi Electron:Kk 半導体装置の製造装置
JPH04329682A (ja) * 1991-05-01 1992-11-18 Matsushita Electron Corp 磁電変換装置
US5491633A (en) 1991-05-20 1996-02-13 General Motors Corporation Position sensor for electromechanical suspension
WO1993002479A1 (en) 1991-07-16 1993-02-04 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Semiconductor sensor and its manufacturing method
EP0537419A1 (de) 1991-10-09 1993-04-21 Landis & Gyr Business Support AG Anordnung mit einem integrierten Magnetfeldsensor sowie einem ferromagnetischen ersten und zweiten Magnetfluss-Konzentrator und Verfahren zum Einbau einer Vielzahl von Anordnungen in je einem Kunststoffgehäuse
US5210493A (en) 1992-02-27 1993-05-11 General Motors Corporation Method for embedding wires within a powder metal core and sensor assembly produced by such a method
US5250925A (en) * 1992-05-11 1993-10-05 General Motors Corporation Package for speed sensing device having minimum air gap
CH683469A5 (de) 1992-07-03 1994-03-15 Landis & Gyr Business Support Anordnung mit einem einen Magnetfeldsensor enthaltenden Halbleiterplättchen zwischen einem ersten und einem zweiten Polschuh und Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl der Anordnungen.
US5414355A (en) 1994-03-03 1995-05-09 Honeywell Inc. Magnet carrier disposed within an outer housing
US5434105A (en) 1994-03-04 1995-07-18 National Semiconductor Corporation Process for attaching a lead frame to a heat sink using a glob-top encapsulation
US5508611A (en) 1994-04-25 1996-04-16 General Motors Corporation Ultrathin magnetoresistive sensor package
JPH0897486A (ja) 1994-09-22 1996-04-12 Hitachi Cable Ltd ホールセンサ
US5581170A (en) 1994-12-12 1996-12-03 Unitrode Corporation Battery protector
US5488294A (en) 1995-01-18 1996-01-30 Honeywell Inc. Magnetic sensor with means for retaining a magnet at a precise calibrated position
US5500589A (en) 1995-01-18 1996-03-19 Honeywell Inc. Method for calibrating a sensor by moving a magnet while monitoring an output signal from a magnetically sensitive component
DE59607223D1 (de) 1995-02-02 2001-08-09 Siemens Ag Einrichtung zur drehzahlmessung oder drehrichtungserkennung eines drehmagnetfeldes
US5627315A (en) 1995-04-18 1997-05-06 Honeywell Inc. Accelerometer with a cantilever beam formed as part of the housing structure
US5581179A (en) 1995-05-31 1996-12-03 Allegro Microsystems, Inc. Hall-effect ferrous-article-proximity sensor assembly
US5781005A (en) 1995-06-07 1998-07-14 Allegro Microsystems, Inc. Hall-effect ferromagnetic-article-proximity sensor
US5818222A (en) 1995-06-07 1998-10-06 The Cherry Corporation Method for adjusting ferrous article proximity detector
US5719496A (en) 1995-06-07 1998-02-17 Durakool Incorporated Dual-element proximity sensor for sensing the direction of rotation of a ferrous target wheel
JP3603406B2 (ja) * 1995-09-11 2004-12-22 株式会社デンソー 磁気検出センサおよびその製造方法
US5712562A (en) 1995-10-13 1998-01-27 Bently Nevada Corporation Encapsulated transducer with an alignment plug and method of manufacture
EP0772046B1 (de) 1995-10-30 2002-04-17 Sentron Ag Magnetfeldsensor und Strom- oder Energiesensor
JPH09166612A (ja) 1995-12-18 1997-06-24 Nissan Motor Co Ltd 磁気センサ
US5631557A (en) 1996-02-16 1997-05-20 Honeywell Inc. Magnetic sensor with encapsulated magnetically sensitive component and magnet
FR2748105B1 (fr) 1996-04-25 1998-05-29 Siemens Automotive Sa Capteur magnetique et procede de realisation d'un tel capteur
US6175233B1 (en) 1996-10-18 2001-01-16 Cts Corporation Two axis position sensor using sloped magnets to generate a variable magnetic field and hall effect sensors to detect the variable magnetic field
US5912556A (en) 1996-11-06 1999-06-15 Honeywell Inc. Magnetic sensor with a chip attached to a lead assembly within a cavity at the sensor's sensing face
JP3745509B2 (ja) 1997-08-27 2006-02-15 株式会社Neomax 円筒状樹脂磁石の成形装置
ES2262241T3 (es) 1997-09-15 2006-11-16 Ams International Ag Sistema de supervision de corriente y procedimiento de fabricacion de este sistema.
US5883567A (en) * 1997-10-10 1999-03-16 Analog Devices, Inc. Packaged integrated circuit with magnetic flux concentrator
JP3378816B2 (ja) 1998-12-21 2003-02-17 三洋電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
US6278269B1 (en) 1999-03-08 2001-08-21 Allegro Microsystems, Inc. Magnet structure
JP2001141738A (ja) 1999-11-18 2001-05-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 回転センサ及びその製造方法
JP2001165702A (ja) * 1999-12-10 2001-06-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 磁気変量検出センサ
JP2001289865A (ja) * 2000-04-05 2001-10-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回転数センサ
JP2002026419A (ja) 2000-07-07 2002-01-25 Sanken Electric Co Ltd 磁電変換装置
JP4936299B2 (ja) 2000-08-21 2012-05-23 メレクシス・テクノロジーズ・ナムローゼフェンノートシャップ 磁場方向検出センサ
US6770163B1 (en) 2000-09-08 2004-08-03 Asm Technology Singapore Pte Ltd Mold and method for encapsulation of electronic device
JP2002189069A (ja) * 2000-12-22 2002-07-05 Murata Mfg Co Ltd 磁気センサおよびその製造方法
TW473951B (en) 2001-01-17 2002-01-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Non-leaded quad flat image sensor package
KR100746546B1 (ko) 2001-11-01 2007-08-06 아사히 가세이 일렉트로닉스 가부시끼가이샤 전류 센서 및 전류 센서 제조 방법
JP2003177171A (ja) 2001-12-11 2003-06-27 Sumitomo Electric Ind Ltd 磁気変量センサ及びその製造方法
JP2003177168A (ja) * 2001-12-13 2003-06-27 Murata Mfg Co Ltd 磁気センサ
WO2003107018A1 (ja) 2002-06-18 2003-12-24 旭化成株式会社 電流測定方法および電流測定装置
DE10231194A1 (de) 2002-07-10 2004-02-05 Infineon Technologies Ag Anschlussleitrahmen für eine in einem Halbleiterchip ausgeführte Sonde und Magnetfeldsensor
JP4402865B2 (ja) * 2002-07-22 2010-01-20 旭化成エレクトロニクス株式会社 磁電変換素子及びその作製方法
US6798193B2 (en) 2002-08-14 2004-09-28 Honeywell International Inc. Calibrated, low-profile magnetic sensor
US20040046248A1 (en) * 2002-09-05 2004-03-11 Corning Intellisense Corporation Microsystem packaging and associated methods
US6781359B2 (en) 2002-09-20 2004-08-24 Allegro Microsystems, Inc. Integrated current sensor
JP3720801B2 (ja) 2002-10-24 2005-11-30 三菱電機株式会社 磁気検出装置
US7259545B2 (en) 2003-02-11 2007-08-21 Allegro Microsystems, Inc. Integrated sensor
US6995957B2 (en) 2003-03-18 2006-02-07 Hitachi Global Storage Technologies Netherland B.V. Magnetoresistive sensor having a high resistance soft magnetic layer between sensor stack and shield
DE10314602B4 (de) 2003-03-31 2007-03-01 Infineon Technologies Ag Integrierter differentieller Magnetfeldsensor
JP2004356338A (ja) 2003-05-28 2004-12-16 Res Inst Electric Magnetic Alloys 薄膜磁気センサ及びその製造方法
US7476816B2 (en) 2003-08-26 2009-01-13 Allegro Microsystems, Inc. Current sensor
US20050146057A1 (en) 2003-12-31 2005-07-07 Khor Ah L. Micro lead frame package having transparent encapsulant
US7193412B2 (en) 2004-03-24 2007-03-20 Stoneridge Control Devices, Inc. Target activated sensor
JP4240306B2 (ja) * 2004-05-13 2009-03-18 旭化成エレクトロニクス株式会社 回転検出器
JP2005337866A (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Asahi Kasei Corp 磁性体検出器及び半導体パッケージ
JP4274051B2 (ja) * 2004-06-03 2009-06-03 株式会社デンソー 回転検出装置及び回転検出装置の製造方法
US7112957B2 (en) 2004-06-16 2006-09-26 Honeywell International Inc. GMR sensor with flux concentrators
JP4617762B2 (ja) * 2004-08-04 2011-01-26 株式会社デンソー 回転検出装置の製造方法
US8288046B2 (en) 2004-09-29 2012-10-16 GM Global Technology Operations LLC Integrated current sensors for a fuel cell stack
US7173412B2 (en) 2004-11-30 2007-02-06 Honeywell International Inc. Quadrature sensor systems and methods
US7476953B2 (en) * 2005-02-04 2009-01-13 Allegro Microsystems, Inc. Integrated sensor having a magnetic flux concentrator
DE102005047413B8 (de) 2005-02-23 2012-06-06 Infineon Technologies Ag Magnetfeldsensorelement und Verfahren zum Durchführen eines On-Wafer-Funktionstests, sowie Verfahren zur Herstellung von Magnetfeldsensorelementen und Verfahren zur Herstellung von Magnetfeldsensorelementen mit On-Wafer-Funktionstest
US7425824B2 (en) * 2005-05-20 2008-09-16 Honeywell International Inc. Magnetoresistive sensor
DE102005027767A1 (de) 2005-06-15 2006-12-28 Infineon Technologies Ag Integriertes magnetisches Sensorbauteil
EP1905077B1 (de) 2005-07-08 2012-05-23 Nxp B.V. Halbleiterbauelement
US7768083B2 (en) 2006-01-20 2010-08-03 Allegro Microsystems, Inc. Arrangements for an integrated sensor
JP4754985B2 (ja) * 2006-02-17 2011-08-24 旭化成エレクトロニクス株式会社 磁気センサモジュール
US20080013298A1 (en) 2006-07-14 2008-01-17 Nirmal Sharma Methods and apparatus for passive attachment of components for integrated circuits
US7816772B2 (en) 2007-03-29 2010-10-19 Allegro Microsystems, Inc. Methods and apparatus for multi-stage molding of integrated circuit package
DE102007018238A1 (de) 2007-04-18 2008-10-23 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung zur Erfassung der Drehzahl eines rotierbaren Teils
US8587297B2 (en) * 2007-12-04 2013-11-19 Infineon Technologies Ag Integrated circuit including sensor having injection molded magnetic material
US8486755B2 (en) 2008-12-05 2013-07-16 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensors and methods for fabricating the magnetic field sensors
US20100188078A1 (en) 2009-01-28 2010-07-29 Andrea Foletto Magnetic sensor with concentrator for increased sensing range
US8289019B2 (en) 2009-02-11 2012-10-16 Infineon Technologies Ag Sensor
US8253210B2 (en) 2009-04-30 2012-08-28 Infineon Technologies Ag Semiconductor device including a magnetic sensor chip
US8362579B2 (en) 2009-05-20 2013-01-29 Infineon Technologies Ag Semiconductor device including a magnetic sensor chip
US20110133732A1 (en) 2009-12-03 2011-06-09 Allegro Microsystems, Inc. Methods and apparatus for enhanced frequency response of magnetic sensors
DE112011101375B4 (de) * 2010-05-02 2022-03-17 Mbs Engineering Llc Magnet- und Halteranordnung mit verbesserter Rotations- und Axialstabilität
US8680843B2 (en) 2010-06-10 2014-03-25 Infineon Technologies Ag Magnetic field current sensors

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5963028A (en) 1997-08-19 1999-10-05 Allegro Microsystems, Inc. Package for a magnetic field sensing device
US6265865B1 (en) 1997-08-19 2001-07-24 Allegro Microsystems, Inc. Single unitary plastic package for a magnetic field sensing device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102021114943A1 (de) 2021-06-10 2022-12-15 Infineon Technologies Ag Sensorvorrichtungen mit Weichmagneten und zugehörige Herstellungsverfahren
US11726148B2 (en) 2021-06-10 2023-08-15 Infineon Technologies Ag Sensor devices having soft magnets and associated production methods

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012511152A (ja) 2012-05-17
JP2015078990A (ja) 2015-04-23
US20100141249A1 (en) 2010-06-10
US8461677B2 (en) 2013-06-11
US20120013333A1 (en) 2012-01-19
WO2010065315A1 (en) 2010-06-10
US20130264667A1 (en) 2013-10-10
US8486755B2 (en) 2013-07-16
JP2015038507A (ja) 2015-02-26
JP5851841B2 (ja) 2016-02-03
US20130267043A1 (en) 2013-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112009003555T5 (de) Magnetfeldsensoren und Verfahren zur Herstellung der Magnetfeldsensoren
DE102008058895B4 (de) Magnetfeldsensor, System mit einem Magnetfeldsensor und Verfahren zum Herstellen eines Magnetfeldsensors
DE102009013510B4 (de) Sensormodul mit Gusseinkapselung zum Anwenden eines Vormagnetfelds
DE112008000759B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Geräts mit integrierten Schaltungen betreffend eine mehrstufig gegossene Schaltungspackung
DE102010000389B4 (de) Sensor und Verfahren zum Herstellen eines Sensors
DE102009023106B4 (de) Verfahren und System zur Magneterfassung
DE102010060892A1 (de) GMR-Sensor innerhalb eines geformten magnetischen Materials unter Verwendung eines nichtmagnetischen Abstandhalters
DE102013104103B4 (de) Vormagnetisierungs-Feldgenerator
DE102009019371A1 (de) Integrierte Magnetsensor-Schaltungsanordnung und Verfahren
DE60037790T2 (de) Magnetisches messsystem mit irreversibler charakteristik, sowie methode zur erzeugung, reparatur und verwendung eines solchen systems
DE102005027767A1 (de) Integriertes magnetisches Sensorbauteil
EP3074728B1 (de) Verfahren zum herstellen eines sensors
WO2018019859A1 (de) Sensorkopf für einen kraft- oder drehmomentsensor
DE60025146T2 (de) Herstellungsverfahren für eine magnetische fühleranordnung
DE102008041859A1 (de) Magnetfeldsensoranordnung zur Messung von räumlichen Komponenten eines magnetischen Feldes
DE102004010126A1 (de) Magnetsensor und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102015108622B4 (de) Magnetsensor-Bauelement mit ringförmigem Magnet
DE102011052621A1 (de) Sensorbaustein und Verfahren zum Herstellen eines Sensorbausteins
DE112013002935T5 (de) Lenkmoment-Winkelsensor mit einem Prozessor und einem magneto-resistiven Element ausgebildet in einer monolithischen Architektur
EP1828720B1 (de) Magnetsensoranordnung
DE102012223982A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe
WO2016005609A2 (de) Kundenspezifischer sensor hergestellt durch dreifach-molden
DE102005054631A1 (de) Sensoranordnung mit einem Substrat und mit einem Gehäuse und Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung
DE102006044442A1 (de) Sensoranordnung mit einem Substrat und mit einem Gehäuse und Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung
DE102019210845B3 (de) Sensor-Chip mit einem Leiterrahmen und dazugehöriges Verfahren zum Herstellen

Legal Events

Date Code Title Description
R082 Change of representative

Representative=s name: KUHNEN & WACKER PATENT- UND RECHTSANWALTSBUERO, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC, WORCESTER, US

Free format text: FORMER OWNER: ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC., WORCESTER, MASS., US

Effective date: 20130701

Owner name: ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC, WORCESTER, US

Free format text: FORMER OWNER: ALLEGRO MICROSYSTEMS, INC., WORCESTER, MASS., US

Effective date: 20130617

Owner name: ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC, US

Free format text: FORMER OWNER: ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC., WORCESTER, US

Effective date: 20130701

Owner name: ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC, US

Free format text: FORMER OWNER: ALLEGRO MICROSYSTEMS, INC., WORCESTER, US

Effective date: 20130617

R082 Change of representative

Representative=s name: KUHNEN & WACKER PATENT- UND RECHTSANWALTSBUERO, DE

Effective date: 20130617

Representative=s name: KUHNEN & WACKER PATENT- UND RECHTSANWALTSBUERO, DE

Effective date: 20130701

R012 Request for examination validly filed