JP6790956B2

JP6790956B2 - 磁気センサ装置

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Publication number: JP6790956B2
Application number: JP2017061980A
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Inventors: 上田　国博; 国博上田; 大谷　浩一; 浩一大谷; 啓平林; 州平宮崎
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Priority date: 2017-03-27
Filing date: 2017-03-27
Publication date: 2020-11-25
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Description

本発明は、磁気センサ装置に関する。

近年、種々の用途において、物理量を検出するための物理量検出装置が用いられている。この物理量検出装置としては、外部磁場を検出可能な磁気センサ装置を備えるものが知られており、磁気センサ装置から、外部磁場に応じた信号が出力される。

磁気センサ装置としては、被検出磁界を検出する磁気センサ素子を含む磁気センサチップと当該磁気センサチップを一体的に樹脂封止する封止体とを有する磁気センサパッケージが用いられる。磁気センサチップに含まれる磁気センサ素子としては、外部磁界に応じて抵抗が変化する磁気抵抗効果素子（ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、ＴＭＲ素子等）や、いわゆるホール効果を利用したホール素子等が知られている。

物理量検出装置は、例えば、携帯電話のような電子機器に搭載される。このような電子機器においては、種々の外乱磁界による磁気的影響があり、この外乱磁界による耐ノイズ性を向上させるため、磁気シールドを有する磁気センサパッケージが提案されている（特許文献１，２参照）。また、磁場強度が微弱な地磁気を検出する電子コンパス等に用いられる磁気センサ装置においては、微弱な磁場強度の地磁気を高精度に検出するために磁気ヨークを備えており、磁気ヨークにより検出すべき磁界を磁気センサチップ（磁気センサ素子）に集束させている。

特開２０１６−７０８４８号公報特開２００９−３６５７９号公報

上記磁気センサパッケージにおいては、磁気シールドが設けられていることで、磁気センサチップに含まれる磁気センサ素子に対する外乱磁界を弱め、外乱磁界による耐ノイズ性を向上させることができる。しかし、当該磁気センサパッケージにおいて検出すべき磁界の磁場強度を調整することは困難である。例えば、磁気センサパッケージにおいて検出すべき磁界をＸ軸方向の磁界とし、外乱磁界をＹ軸方向の磁界とすると、上記磁気センサパッケージにおいては、Ｙ軸方向の磁界の磁場強度を低下させることができるが、Ｘ軸方向の磁界の磁場強度を増大させることも低下させることも極めて困難である。一般に、磁気センサパッケージにおける磁気センサ素子は、所定の使用磁場範囲を有するが、検出すべきＸ軸方向の磁界の磁場強度が、当該使用磁場範囲外である場合、当該磁界の磁場強度（磁気センサ素子に印加される磁界の磁場強度）を調整する必要がある。上記磁気センサパッケージにおいては、Ｘ軸方向の磁界の磁場強度を調整することが困難であることで、検出すべき磁界の磁場強度が磁気センサ素子の使用磁場範囲内の環境にしか適用され得ないという問題がある。

また、上記磁気センサパッケージに磁気ヨークが設けられていることで、検出すべき微弱な磁場強度の磁界を磁気センサ素子に集中させることができる。しかし、当該磁気センサパッケージにおいて検出すべき磁界の方向と異なる方向の磁界の磁場強度を調整することは困難である。例えば、磁気センサパッケージにおいて検出すべき磁界をＸ軸方向の磁界とし、それと異なる方向の磁界をＹ軸方向の磁界とすると、上記磁気センサパッケージにおいては、Ｘ軸方向の磁界の磁場強度を増大させることはできるが、Ｙ軸方向の磁界の磁場強度を増大させることも低下させることも極めて困難である。

磁気センサパッケージが磁気シールドと磁気ヨークとを備えることで、互いに異なる方向の磁界の磁場強度を調整可能とも考えられる。しかしながら、磁気シールドと磁気ヨークとがともに設けられると、磁気センサパッケージのサイズが大きくなってしまうとともに、磁気センサパッケージの製造コストが増大してしまうという問題もある。

上記課題に鑑みて、本発明は、互いに異なる方向の磁界のうちの少なくとも一方向の磁界の磁場強度を調整することができ、かつコンパクトなサイズであって、安価に製造可能な磁気センサ装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明は、磁気センサ素子を含む、平面視略方形状の磁気センサチップと、前記磁気センサチップを一体的に封止する、磁性粒子を含有する樹脂材料により構成される封止体とを備え、前記磁気センサチップの平面視において、前記磁気センサチップは、互いに対向する第１側面及び第２側面と、前記第１側面及び前記第２側面に直交し、互いに対向する第３側面及び第４側面とを有し、前記封止体は、前記第１側面上に位置する第１封止部と、前記第２側面上に位置する第２封止部と、前記第３側面上に位置する第３封止部と、前記第４側面上に位置する第４封止部とを含み、前記第１封止部及び前記第２封止部の厚さは、前記磁性粒子の粒子径よりも小さく、少なくも前記第３封止部の厚さは、前記磁性粒子の粒子径よりも大きく、前記磁性粒子は、少なくとも前記第３封止部に存在し、前記第１封止部及び前記第２封止部に実質的に存在しないことを特徴とする磁気センサ装置を提供する。

上記磁気センサ装置によれば、磁気センサチップの第１側面及び第２側面上に位置する第１封止部及び第２封止部の厚さが、磁性粒子の粒子径よりも小さいことで、第１封止部内及び第２封止部内に磁性粒子を存在させないようにすることができる。そして、第３封止部内に磁性粒子を存在させることで、当該磁性粒子により、第１側面・第２側面間の方向の磁界に対する磁気シールド機能及び／又は第３側面・第４側面間の方向の磁界に対する磁気ヨーク機能が発揮され得るため、互いに異なる方向の磁界のうちの少なくとも一方向の磁界の磁場強度を調整することができる。これにより、磁気シールドや磁気ヨーク等を別途設ける必要がなく、磁気センサ装置のサイズをコンパクトにすることができ、かつ安価な製造が可能となる。

なお、本発明において「磁性粒子が第１封止部及び第２封止部に実質的に存在しない」とは、第１側面・第２側面間の方向の磁界に対する磁気シールド機能及び／又は第３側面・第４側面間の方向の磁界に対する磁気ヨーク機能とが奏される限りにおいて、第１封止部及び第２封止部に磁性粒子が存在することを許容する趣旨である。

上記磁気センサ装置において、前記磁気センサ素子の感度軸の方向が、前記第１側面及び前記第２側面に交差する方向であり、前記磁気センサチップは、互いに対向する天面及び底面をさらに有し、前記封止体は、前記天面側に位置する第５封止部と、前記底面側に位置する第６封止部とをさらに含み、前記第５封止部及び前記第６封止部の厚さは、前記磁性粒子の粒子径よりも小さく、前記磁性粒子は、前記第５封止部及び前記第６封止部に実質的に存在しなくてもよく、この場合において、前記第３封止部における前記磁性粒子と前記樹脂材料との含有比は、質量基準で８０：２０〜２５：７５であるのが好ましい。

また、上記磁気センサ装置において、前記磁気センサ素子の感度軸の方向が、前記第３側面及び前記第４側面に交差する方向であってもよく、この場合において、前記第３封止部における前記磁性粒子と前記樹脂材料との含有比は、質量基準で７０：３０〜２０：８０であるのが好ましい。

上記磁気センサ装置において、前記磁気センサチップは、互いに対向する天面及び底面をさらに有し、前記封止体は、前記天面側に位置する第５封止部と、前記底面側に位置する第６封止部とをさらに含み、前記第５封止部及び前記第６封止部の厚さは、前記磁性粒子の粒子径よりも小さく、前記磁性粒子は、前記第５封止部及び前記第６封止部に実質的に存在しなくてもよいし、前記第５封止部及び前記第６封止部の厚さは、前記磁性粒子の粒子径よりも大きく、前記磁性粒子は、前記第５封止部及び前記第６封止部に存在してもよい。前記磁性粒子が、前記第５封止部及び前記第６封止部に存在する場合、前記第５封止部及び前記第６封止部における前記磁性粒子と前記樹脂材料との含有比は、質量基準で７０：３０〜２０：８０であるのが好ましい。

上記磁気センサ装置において、前記第４封止部の厚さは、前記磁性粒子の粒子径よりも大きく、前記磁性粒子は、前記第４封止部にも存在することができ、前記磁性粒子の粒子径を、２００μｍ以上に設定することができ、前記樹脂材料として、エポキシ樹脂、スチレン樹脂又はＡＢＳ樹脂を用いることができ、前記磁気センサチップは、前記磁気センサ素子としての磁気抵抗効果素子、例えば、ホール素子、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子又はＴＭＲ素子を含んでいればよい。

本発明によれば、互いに異なる方向の磁界のうちの少なくとも一方向の磁界の磁場強度を調整することができ、かつコンパクトなサイズであって、安価に製造可能な磁気センサ装置を提供することができる。

図１は、本発明の一実施形態に係る磁気センサ装置の概略構成を示す平面図である。図２は、本発明の一実施形態に係る磁気センサ装置の概略構成を示す、図１におけるＡ−Ａ線断面図である。図３は、本発明の一実施形態に係る磁気センサ装置の他の態様の概略構成を示す断面図である。図４は、本発明の一実施形態に係る磁気センサ装置の他の態様の概略構成を示す断面図である。図５は、本発明の一実施形態に係る磁気センサ装置の他の態様の概略構成を示す断面図である。図６は、本発明の一実施形態における磁気センサチップの第１ホイートストンブリッジ回路の構成を概略的に示す回路図である。図７は、本発明の一実施形態における磁気センサチップの第２ホイートストンブリッジ回路の構成を概略的に示す回路図である。図８は、本発明の一実施形態におけるＴＭＲ素子の概略構成を示す斜視図である。図９は、本発明の一実施形態におけるＴＭＲ素子の概略構成を示す断面図である。図１０は、本発明の一実施形態に係る磁気センサ装置を製造するために用いられるリードフレームの概略構成を示す平面図である。図１１（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明の一実施形態に係る磁気センサ装置の製造方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。図１２は、本発明の他の実施形態に係る磁気センサ装置の概略構成を示す断面図である。

本発明の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る磁気センサ装置の概略構成を示す平面図であり、図２は、本実施形態に係る磁気センサ装置の概略構成を示す、図１におけるＡ−Ａ線断面図であり、図３〜図５は、本実施形態に係る磁気センサ装置の他の態様の概略構成を示す断面図である。なお、本実施形態に係る磁気センサ装置において、必要に応じ、いくつかの図面中、「Ｘ、Ｙ及びＺ軸方向」を規定している。ここで、Ｘ軸方向及びＹ軸方向は、磁気センサチップの面内における互いに直交する方向であり、Ｚ軸方向は、磁気センサチップの厚さ方向である。

図１及び図２に示すように、本実施形態に係る磁気センサ装置１は、磁気センサチップ２が搭載される搭載面を有するダイパッド３と、導電性ペースト、絶縁性ペースト、ＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）等を介してダイパッド３の搭載面上に固定される磁気センサチップ２と、ダイパッド３の周囲に配置されており、インナーリード４１及びアウターリード４２をそれぞれ含む複数（本実施形態においては８個）のリード４と、磁気センサチップ２の端子とインナーリード４１とを電気的に接続する、金線等のボンディングワイヤ等からなる配線部５と、磁気センサチップ２、ダイパッド３、配線部５及びインナーリード４１を一体的に封止する封止体６とを備える。

磁気センサチップ２は、平面視において略方形状であり、互いに対向する第１側面２１及び第２側面２２と、第１側面２１（第２側面２２）に直交し、互いに対向する第３側面２３及び第４側面２４と、ダイパッド３の搭載面に当接する底面２６及びそれに対向する天面２５とを有する。磁気センサチップ２の感度軸（磁気センサ素子の感度軸）は、第１側面２１と第２側面２２との間の方向（Ｘ軸方向）であってもよいし、第３側面２３と第４側面２４との間の方向（Ｙ軸方向）であってもよいし、天面２５と底面２６との間の方向（Ｚ軸方向）であってもよい。

封止体６は、磁気センサチップ２を一体として封止する樹脂（例えば、エポキシ樹脂、スチレン樹脂、ＡＢＳ樹脂等）により構成され、磁性粒子７を含有する。後述するように、磁性粒子７が封止体６に混入されていることで、磁気センサチップ２に対する磁気ヨーク又は磁気シールドとしての機能が奏される。そのような観点から、磁性粒子７は、相対的に高い透磁率（例えば、２×１０^-5〜８×１０^-4（Ｈ／ｍ）程度の透磁率）を有する軟磁性材料により構成されるのが好ましく、例えば、ＭｎＺｎフェライト、ＮｉＺｎフェライト、ＣｕＺｎフェライト等のスピネルフェライト；バリウムフェライト、ストロンチウムフェライト等の六方晶フェライト；ＹＩＧ（イットリウム・鉄・ガーネット）等のガーネットフェライト；γ−Ｆｅ₂Ｏ₃（マグヘマイト）等が挙げられる。

磁性粒子７の粒子径は、特に限定されるものではないものの、例えば、２００μｍ以上であればよく、好適には２００〜６００μｍ程度である。本実施形態に係る磁気センサ装置１において、後述するように、封止体６の一部に磁性粒子７を実質的に存在させない。磁性粒子７が実質的に存在しない部分は、封止体６の厚みを磁性粒子７の粒子径未満とすることにより形成される。磁性粒子７の粒子径が２００μｍ未満であると、磁性粒子７を実質的に存在させない部分における封止体６の厚みが当該粒子径未満（２００μｍ未満）となることで、磁気センサ装置１の強度が不足するおそれがある。一方、磁性粒子７の粒子径が６００μｍを超えると、封止体６を構成する樹脂に均一に分散させるのが困難となるおそれがある。なお、磁性粒子７の粒子径は、例えば、電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いた観察により測定され得る。所定の粒子径の磁性粒子７は、所定の目開きの篩を用いた分粒処理により得られる。すなわち、磁性粒子７の粒子径は、分粒処理を通じて得られる、所定の粒度分布を有する磁性粒子７の最小の粒子径である。なお、最小の粒子径とは、上記電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて磁性粒子７の粒子径を複数視野（例えば５視野程度）にて測定した結果の最少粒子径の平均値を意味するものとする。

封止体６は、平面視略方形状の磁気センサチップ２の第１側面２１及び第２側面２２側にそれぞれ位置する第１封止部６１及び第２封止部６２と、当該第１側面２１及び第２側面２２以外の４つの面（第３側面２３、第４側面２４、天面２５及び底面２６）側にそれぞれ位置する第３〜第６封止部６３〜６６とを含む。第１封止部６１、第２封止部６２、第５封止部６５及び第６封止部６６は、磁性粒子７を含まない磁性粒子非含有封止部であり、第３封止部６３及び第４封止部６４は、磁性粒子７を含む磁性粒子含有封止部である。

第１封止部６１及び第２封止部６２の厚さＴ₆₁，Ｔ₆₂は、磁性粒子７の粒子径よりも小さい。これにより、第１封止部６１及び第２封止部６２を、磁性粒子７を実質的に含まない磁性粒子非含有封止部とすることができる。一方、第３封止部６３及び第４封止部６４の厚さＴ₆₃，Ｔ₆₄は、磁性粒子７の粒子径よりも大きい。これにより、第３封止部６３及び第４封止部６４に磁性粒子７を存在させることができ、磁性粒子含有封止部とすることができる。このような構成を有することで、第３封止部６３及び第４封止部６４に存在する磁性粒子７が、Ｘ軸方向の磁界の磁場強度を低減させる磁気シールドとしての機能を果たし得るとともに、Ｙ軸方向の磁界の磁場強度を増大させる磁気ヨークとしての機能をも果たし得る。

なお、図５に示す磁気センサ装置１においては、第３側面２３及び第４側面２４側にそれぞれ位置する第３封止部６３及び第４封止部６４の厚さＴ₆₃，Ｔ₆₄は、磁性粒子７の粒子径よりも小さい。この結果、当該第３封止部６３及び第４封止部６４に磁性粒子７を実質的に存在させず、当該第３封止部６３及び第４封止部６４を磁性粒子非含有封止部とすることができる。一方、天面２５側及び底面２６側にそれぞれ位置する第５封止部６５及び第６封止部６６の厚さＴ₆₅，Ｔ₆₆は、磁性粒子７の粒子径よりも大きく、当該第５封止部６５及び第６封止部６６を磁性粒子含有封止部とすることができる。したがって、図５に示す磁気センサ装置１においては、磁気センサチップ２の感度軸（磁気センサ素子の感度軸）が天面２５と底面２６との間の方向（Ｚ軸方向）である場合（例えば、磁気センサ素子がホール素子等である場合）、第５封止部６５及び第６封止部６６に存在する磁性粒子７が、Ｚ軸方向の磁界の磁場強度を増大させる磁気ヨークとしての機能を果たし得る。

図２〜図４に示す磁気センサ装置１において、磁気センサチップ２の感度軸（磁気センサ素子の感度軸）が第３側面２３と第４側面２４との間の方向（Ｙ軸方向）である場合、天面２５及び底面２６側にそれぞれ位置する第５封止部６５及び第６封止部６６の厚さＴ₆₅，Ｔ₆₆は、磁性粒子７の粒子径より小さくてもよいし（図２、図３参照）、当該粒子径より大きくてもよい（図４参照）。第５封止部６５及び第６封止部６６の厚さＴ₆₅，Ｔ₆₆が磁性粒子７の粒子径よりも小さいことで、第５封止部６５及び第６封止部６６に磁性粒子７を実質的に存在させなくすることができ、第５封止部６５及び第６封止部６６を磁性粒子非含有封止部とすることができる（図２、図３参照）。

一方、磁気センサチップ２の感度軸（磁気センサ素子の感度軸）が第１側面２１と第２側面２２との間の方向（Ｘ軸方向）である場合、第５封止部６５及び第６封止部６６の厚さＴ₆₅，Ｔ₆₆は、磁性粒子７の粒子径より小さいのが好ましい（図２、図３参照）。第５封止部６５及び第６封止部６６の厚さＴ₆₅，Ｔ₆₆が磁性粒子７の粒子径よりも大きく、第５封止部６５及び第６封止部６６に磁性粒子７を存在させ、第５封止部６５及び第６封止部６６を磁性粒子含有封止部とすると（図４参照）、Ｘ軸方向の磁場強度を低減させる磁気シールドとしての機能が効果的に奏されず、当該Ｘ軸方向の磁場強度を磁気センサ素子の使用磁場範囲内に調整するのが困難となるおそれがある。

磁気センサチップ２の第３側面２３及び第４側面２４側にそれぞれ位置する第３封止部６３及び第４封止部６４が磁性粒子含有封止部である場合（図２〜図４参照）、第３封止部６３及び第４封止部６４における磁気センサ装置１の厚さＴ₁は、それ以外の部分における磁気センサ装置１の厚さと実質的に同一であってもよいし（図２及び図４参照）、それ以外の部分における磁気センサ装置１の厚さよりも厚くてもよい（図３参照）。図３に示すように、第３封止部６３及び第４封止部６４における磁気センサ装置１の厚さＴ₁が、それ以外の部分における厚さよりも厚いことで、Ｘ軸方向の磁界の磁場強度をより効果的に低減させることができるとともに、Ｙ軸方向の磁界の磁場強度をより効果的に増大させることができる。

図２〜図４における第３側面２３及び第４側面２４側にそれぞれ位置する第３封止部６３及び第４封止部６４、並びに図４及び図５における天面２５及び底面２６側にそれぞれ位置する第５封止部６５及び第６封止部６６、すなわち磁性粒子含有封止部における磁性粒子７と樹脂材料との含有比（質量基準）は、９０：１０〜１０：９０であるのが好ましい。特に、磁気センサチップ２の感度軸がＸ軸方向である場合であって、Ｘ軸方向の磁界の磁場強度が磁気センサチップ２に含まれる磁気センサ素子の使用磁場範囲の最大値よりも大きい場合、磁性粒子含有封止部（第３封止部６３及び第４封止部６４）における磁性粒子７と樹脂材料との含有比（質量基準）は８０：２０〜２５：７５であるのがより好ましい。一方、磁気センサチップ２の感度軸がＹ軸方向である場合であって、Ｙ軸方向の磁界の磁場強度が磁気センサチップ２に含まれる磁気センサ素子の使用磁場範囲の最小値よりも小さい場合、磁性粒子含有封止部（第３〜第６封止部６３〜６６）における磁性粒子７と樹脂材料との含有比（質量基準）は７０：３０〜２０：８０であるのがより好ましい。磁性粒子含有封止部における磁性粒子７と樹脂材料との含有比が上記範囲外であると、磁気センサチップ２の感度軸方向の磁界の磁場強度が、磁気センサチップ２に含まれる磁気センサ素子の使用磁場範囲からはずれてしまうおそれがある。

本実施形態における磁気センサチップ２は、少なくとも１つの磁気センサ素子を含む。磁気センサチップ２は、少なくとも１つの磁気センサ素子として、直列に接続された一対の磁気センサ素子を含んでいてもよい。この場合において、磁気センサチップ２は、直列に接続された第１及び第２磁気センサ素子ＭＲ１１，ＭＲ１２と、直列に接続された第３及び第４磁気センサ素子ＭＲ１３，ＭＲ１４とを含む第１ホイートストンブリッジ回路Ｃ１１及び第２ホイートストンブリッジ回路Ｃ２１を有する。

図６に示すように、磁気センサチップ２が有する第１ホイートストンブリッジ回路Ｃ１１は、電源ポートＶ１１と、グランドポートＧ１１と、２つの出力ポートＥ１１，Ｅ１２と、直列に接続された第１及び第２磁気センサ素子ＭＲ１１，ＭＲ１２と、直列に接続された第３及び第４磁気センサ素子ＭＲ１３，ＭＲ１４とを含む。第１及び第３磁気センサ素子ＭＲ１１，ＭＲ１３の各一端は、電源ポートＶ１１に接続される。第１磁気センサ素子ＭＲ１１の他端は、第２磁気センサ素子ＭＲ１２の一端と出力ポートＥ１１とに接続される。第３磁気センサ素子ＭＲ１３の他端は、第４磁気センサ素子ＭＲ１４の一端と出力ポートＥ１２とに接続される。第２及び第４磁気センサ素子ＭＲ１２，ＭＲ１４の各他端は、グランドポートＧ１１に接続される。電源ポートＶ１１には、所定の大きさの電源電圧が印加され、グランドポートＧ１１はグランドに接続される。

図７に示すように、第２ホイートストンブリッジ回路Ｃ２１は、電源ポートＶ２１と、グランドポートＧ２１と、２つの出力ポートＥ２１，Ｅ２２と、直列に接続された第１及び第２磁気センサ素子ＭＲ２１，ＭＲ２２と、直列に接続された第３及び第４磁気センサ素子ＭＲ２３，ＭＲ２４とを含む。第１及び第３磁気センサ素子ＭＲ２１，ＭＲ２３の各一端は、電源ポートＶ２１に接続される。第１磁気センサ素子ＭＲ２１の他端は、第２磁気センサ素子ＭＲ２２の一端と出力ポートＥ２１とに接続される。第３磁気センサ素子ＭＲ２３の他端は、第４磁気センサ素子ＭＲ２４の一端と出力ポートＥ２２とに接続される。第２及び第４磁気センサ素子ＭＲ２２，ＭＲ２４の各他端は、グランドポートＧ２１に接続される。電源ポートＶ２１には、所定の大きさの電源電圧が印加され、グランドポートＧ２１はグランドに接続される。

本実施形態において、第１及び第２ホイートストンブリッジ回路Ｃ１１，Ｃ２１に含まれる第１〜第４磁気センサ素子ＭＲ１１〜ＭＲ１４，ＭＲ２１〜ＭＲ２４として、ホール素子、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、ＴＭＲ素子等を用いることができ、特にＴＭＲ素子を用いるのが好ましい。

図６及び図７において、ＴＭＲ素子Ｒ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４の磁化固定層８３（図９参照）の磁化方向を塗りつぶした矢印で表す。第１ホイートストンブリッジ回路Ｃ１１において、ＴＭＲ素子Ｒ１１〜Ｒ１４の磁化固定層８３の磁化方向は第１の方向Ｄ１に平行であって、ＴＭＲ素子Ｒ１１，Ｒ１４の磁化固定層８３の磁化方向と、ＴＭＲ素子Ｒ１２，Ｒ１３の磁化固定層８３の磁化方向とは、互いに反平行方向である。第２ホイートストンブリッジ回路Ｃ２１において、ＴＭＲ素子Ｒ２１〜Ｒ２４の磁化固定層８３の磁化方向は第２の方向Ｄ２に平行であって、ＴＭＲ素子Ｒ２１，Ｒ２４の磁化固定層８３の磁化方向と、ＴＭＲ素子Ｒ２２，Ｒ２３の磁化固定層８３の磁化方向とは、互いに反平行方向である。

図８に示すように、ＴＭＲ素子は、複数の下部リード電極９１と、複数のＴＭＲ積層体８０と、複数の上部リード電極９２とを有する。下部リード電極９１及び上部リード電極９２は、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｔａ、Ｔｉ等のうちの１種の導電材料又は２種以上の導電材料の複合膜により構成され、その厚さは、それぞれ０．３〜２．０μｍ程度である。

複数の下部リード電極９１は、基板（図示せず）上に設けられている。複数の下部リード電極９１は、それぞれ細長い略長方形状を有しており、アレイ状に配列された複数のＴＭＲ積層体８０の電気的な直列方向において隣接する２つの下部リード電極９１の間に所定の隙間を有するように設けられている。下部リード電極９１の長手方向の両端近傍のそれぞれに、ＴＭＲ積層体８０が設けられている。すなわち、複数の下部リード電極９１上には、それぞれ、２つのＴＭＲ積層体８０が設けられている。なお、ＴＭＲ素子は、アレイ状に配列された複数のＴＭＲ積層体８０が電気的に直列接続されていなくてもよく、１つの下部リード電極９１、１つのＴＭＲ積層体８０及び１つの上部リード電極９２により構成されるものであってもよい。また、図８に示すＴＭＲ積層体８０の平面視形状は、略円形状であるが、この態様に限定されるものではなく、所望とする範囲で抵抗値を変化させ得るのであれば他の形状、例えば略方形状等であってもよい。

本実施形態におけるＴＭＲ積層体８０は、図９に示すように、磁化方向が固定された磁化固定層８３と、印加される磁界の方向に応じて磁化方向が変化する自由層８１と、磁化固定層８３及び自由層８１の間に配置される非磁性層８２と、反強磁性層８４とを有する。

ＴＭＲ積層体８０は、下部リード電極９１側から順に自由層８１、非磁性層８２、磁化固定層８３及び反強磁性層８４が積層された構造を有する。自由層８１は、下部リード電極９１に電気的に接続され、反強磁性層８４は、上部リード電極９２に電気的に接続されている。自由層８１及び磁化固定層８３を構成する材料としては、例えば、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＢ、ＣｏＦｅＮｉ、Ｃｏ₂ＭｎＳｉ、Ｃｏ₂ＭｎＧｅ、ＦｅＯ_X（Ｆｅの酸化物）等が挙げられる。自由層８１及び磁化固定層８３の厚さは、それぞれ、１〜１０ｎｍ程度である。

非磁性層８２は、トンネルバリア層であり、ＴＭＲ積層体８０にトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ効果）を発現させるための必須の膜である。非磁性層８２を構成する材料としては、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｇａ、ＴｉＯ_X、ＺｎＯ、ＩｎＯ、ＳｎＯ、ＧａＮ、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、Ａｌ₂Ｏ₃、ＭｇＯ等を例示することができる。非磁性層８２は、２層以上の積層膜により構成されていてもよい。例えば、非磁性層８２は、Ｃｕ／ＺｎＯ／Ｃｕの３層積層膜や、一つのＣｕをＺｎで置換したＣｕ／ＺｎＯ／Ｚｎの３層積層膜により構成され得る。なお、非磁性層８２の厚さは、０．１〜５ｎｍ程度である。

反強磁性層８４は、例えば、Ｐｔ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｉｒ，Ｃｒ及びＦｅのグループの中から選ばれる少なくとも１種の元素と、Ｍｎとを含む反強磁性材料により構成される。この反強磁性材料におけるＭｎの含有量は、例えば３５〜９５原子％程度である。反強磁性材料により構成される反強磁性層８４は、磁化固定層８３との間での交換結合により、磁化固定層８３の磁化の方向を固定する役割を果たす。

複数の上部リード電極９２は、複数のＴＭＲ積層体８０上に設けられている。各上部リード電極９２は、細長い略長方形状を有する。上部リード電極９２は、アレイ状に配列された複数のＴＭＲ積層体８０の電気的な直列方向において隣接する２つの上部リード電極９２の間に所定の隙間を有するように、かつ複数のＴＭＲ積層体８０を直列に接続するように配置され、隣接する２つのＴＭＲ積層体８０の反強磁性層８４同士を電気的に接続する。なお、ＴＭＲ積層体８０は、下部リード電極９１側から順に反強磁性層８４、磁化固定層８３、非磁性層８２及び自由層８１が積層されてなる構成を有していてもよい。また、自由層８１と下部リード電極９１又は上部リード電極９２との間にキャップ層（保護層）を有していてもよい。

ＴＭＲ積層体８０において、自由層８１の磁化の方向が磁化固定層８３の磁化の方向に対してなす角度に応じて抵抗値が変化し、この角度が０°（互いの磁化方向が平行）のときに抵抗値が最小となり、１８０°（互いの磁化方向が反平行）のときに抵抗値が最大となる。

配線部５は、磁気センサチップ２の端子とインナーリード４１とを電気的に接続するものであり、本実施形態においては、ボンディングワイヤが用いられている。リード４は、磁気センサチップ２にて生成される信号を磁気センサ装置１の外部に取り出すために用いられる電極であって、配線部５を介して磁気センサチップ２の端子に電気的に接続されるインナーリード４１と、磁気センサ装置１の実装用部材として機能するアウターリード４２とを含む。インナーリード４１は、リード４のうち、封止体６内に封止されている部分であり、アウターリード４２は、封止体６外に露出している部分である。

ダイパッド３及びリード４を構成する材料としては、特に限定されるものではなく、公知の導電性材料（例えば、銅、ステンレス、アルミニウム、鉄、ルテニウム、銀等）等が用いられ得る。

本実施形態において、リード４（インナーリード４１及びアウターリード４２）は、ダイパッド３と同一平面上に位置していてもよいし、ダイパッド３とは異なる平面上、特に磁気センサチップ２と同一平面上に位置していてもよい。

上記磁気センサ装置１は、例えば、以下のようにして製造することができる。
まず、フレーム部１０１と、フレーム部１０１内に位置するダイパッド３と、ダイパッド３及びフレーム部１０１間に連続する吊りリード１０２と、フレーム部１０１に連続し、ダイパッド３の周囲に配置されている複数のリード４とを備えるリードフレーム１００（図１０参照）を準備する。なお、本実施形態において、リードフレーム１００としては、１つのダイパッド３を有するものを例に挙げているが、かかる態様に限定されるものではなく、複数のダイパッド３を有する、いわゆる多面付けのものであってもよい。

次に、リードフレーム１００のダイパッド３の搭載面に磁気センサチップ２を固定するとともに磁気センサチップ２の端子とインナーリード４１とを配線部５にて電気的に接続し（図１１（Ａ）参照）、当該リードフレーム１００を成形金型内に収容し、アウターリード４２を外部に露出させるようにして、磁気センサチップ２、ダイパッド３、インナーリード４１、吊りリード１０２及び配線部５を封止体６により封止する（図１１（Ｂ）参照）。

上記の内壁と磁気センサチップ２の第１側面２１及び第２側面２２との間の空隙に充填される樹脂により第１側面２１及び第２側面２２側にそれぞれ第１封止部６１及び第２封止部６２が形成されるため、当該空隙のサイズが、第１封止部６１及び第２封止部６２に磁性粒子７を存在させないようなサイズの成形金型が用いられる。より具体的には、当該内壁と第１側面２１及び第２側面２２との間の空隙のサイズが、磁性粒子７の粒子径未満である成形金型が用いられる。これにより、成形金型内に、磁性粒子７を含む樹脂を注入し、硬化させることで、磁気センサチップ２の第１側面２１及び第２側面２２側にそれぞれ形成される第１封止部６１及び第２封止部６２に磁性粒子７を実質的に存在させないようにすることができる。

また、当該成形金型として、その内壁と磁気センサチップ２の第３側面２３及び第４側面２４との間の空隙のサイズ、並びに／又は当該内壁と天面２５及び底面２６との間の空隙のサイズが、磁性粒子７の粒子径を超えるものが用いられ得る。これにより、磁気センサチップ２の第３側面２３及び第４側面２４側にそれぞれ形成される第３封止部６３及び第４封止部６４、並びに／又は天面２５及び底面２６側にそれぞれ形成される第５封止部６５及び第６封止部６６に磁性粒子を存在させるようにすることができる（図２〜図４参照）。

上記成形金型として、内壁と磁気センサチップ２の第１〜第４側面２１〜２４との間の空隙のサイズが、当該第１〜第４側面２１〜２４側にそれぞれ形成される第１〜第４封止部６１〜６４に磁性粒子７を存在させないようなサイズ、すなわち当該内壁と第１〜第４側面２１〜２４との間の空隙のサイズが磁性粒子７の粒子径未満であって、内壁と天面２５及び底面２６との間の空隙のサイズが磁性粒子７の粒子径を超えるものが用いられてもよい。これにより、磁気センサチップ２の第１〜第４側面２１〜２４側にそれぞれ形成される第１〜第４封止部６１〜６４に磁性粒子を実質的に存在させず、天面２５及び底面２６側に形成される第５封止部６５及び第６封止部６６に磁性粒子を存在させるようにすることができる（図５参照）。

その後、封止体６により封止されたリードフレーム１００を成形金型から取り出し、アウターリード４２を外部に露出させるようにして、リード４及び吊りリード１０２を切断する。このようにして、本実施形態に係る磁気センサ装置１が製造される。

上述した本実施形態に係る磁気センサ装置１によれば、磁気センサチップ２の感度軸がＸ軸方向である場合に被検出磁界が磁気センサチップ２に導入され得る第１側面２１及び第２側面２２上にそれぞれ位置する第１封止部６１及び第２封止部６２は磁性粒子７を実質的に含まず、第３封止部６３及び第４封止部６４は磁性粒子７を含むため、当該磁性粒子７を含む第３封止部６３及び第４封止部６４によって、Ｘ軸方向の磁界の磁場強度を低減させる磁気シールドとしての機能が奏される。なお、第５封止部６５及び第６封止部６６に磁性粒子７を含ませると、Ｘ軸方向の磁界の磁場強度を磁気センサ素子の使用磁場範囲内に調整するのが困難となるため、第５封止部６５及び第６封止部６６には磁性粒子７を含ませない（存在させない）のが望ましい。一方、磁気センサチップ２の感度軸がＹ軸方向である場合には、磁性粒子７を含む第３封止部６３及び第４封止部６４によって、Ｙ軸方向の磁界の磁場強度を増大させる磁気ヨークとしての機能が奏される。また、磁気センサチップ２の感度がＺ軸方向である場合には、磁性粒子７を含む第５封止部６５及び第６封止部６６によって、Ｚ軸方向の磁界の磁場強度を増大させる磁気ヨークとしての機能が奏される。そして、そのような磁気シールド機能や磁気ヨーク機能を奏させるための磁気シールドや磁気ヨークを別途設ける必要がないため、磁気センサ装置１の全体サイズをコンパクトにすることができるとともに、当該磁気センサ装置１を安価に製造することができる。

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

上記実施形態においては、磁気センサチップ２の第３側面２３及び第４側面２４側のそれぞれに位置する第３封止部６３及び第４封止部６４に磁性粒子７が存在する態様を例に挙げて説明したが、本発明はこのような態様に限定されるものではない。例えば、図１２に示すように、いずれか一方の側面（例えば第３側面２３）側に位置する封止部（第３封止部６３）には磁性粒子７が存在するが、他方の側面（例えば第４側面２４）側に位置する封止部（第４封止部６４）には磁性粒子７が実質的に存在していなくてもよい。

以下、実施例等を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は下記の実施例等に何ら限定されるものではない。

〔実施例１〕
図１１（Ａ）及び（Ｂ）に示す製造方法に従い、図３に示す構成を有する磁気センサ装置１を作製した。磁性粒子７としてγ−Ｆｅ₂Ｏ₃粒子（目開き２１２μｍの篩（６５メッシュ）を用いて分粒した粒子）を用い、封止体６を構成する樹脂材料としてエポキシ樹脂を用いた。なお、第１封止部６１及び第２封止部６２の厚さＴ₆₁，Ｔ₆₂が２００μｍ、第３封止部６３及び第４封止部６４（磁性粒子含有封止部）の厚さＴ₆₃，Ｔ₆₄が６００μｍ、第５封止部６５及び第６封止部６６（磁性粒子非含有封止部）の厚さＴ₆₅，Ｔ₆₆が２００μｍ、当該磁性粒子含有封止部（第３封止部６３及び第４封止部６４）における磁気センサ装置１の厚さＴ₁が１ｍｍとなるような成形金型を用い、磁性粒子含有封止部における磁性粒子７と樹脂材料との含有比（質量基準）が９０：１０となるように、成形金型に注入する樹脂材料中における磁性粒子７の含有量を調整した。

〔実施例２〕
磁性粒子含有封止部における磁性粒子７と樹脂材料との含有比（質量基準）が８０：２０となるように、成形金型に注入する樹脂材料中における磁性粒子７の含有量を調整した以外は、実施例１と同様にして磁気センサ装置１を作製した。

〔実施例３〕
磁性粒子含有封止部における磁性粒子７と樹脂材料との含有比（質量基準）が７０：３０となるように、成形金型に注入する樹脂材料中における磁性粒子７の含有量を調整した以外は、実施例１と同様にして磁気センサ装置１を作製した。

〔実施例４〕
磁性粒子含有封止部における磁性粒子７と樹脂材料との含有比（質量基準）が５０：５０となるように、成形金型に注入する樹脂材料中における磁性粒子７の含有量を調整した以外は、実施例１と同様にして磁気センサ装置１を作製した。

〔実施例５〕
磁性粒子含有封止部における磁性粒子７と樹脂材料との含有比（質量基準）が２５：７５となるように、成形金型に注入する樹脂材料中における磁性粒子７の含有量を調整した以外は、実施例１と同様にして磁気センサ装置１を作製した。

〔実施例６〕
磁性粒子含有封止部における磁性粒子７と樹脂材料との含有比（質量基準）２０：８０となるように、成形金型に注入する樹脂材料中における磁性粒子７の含有量を調整した以外は、実施例１と同様にして磁気センサ装置１を作製した。

〔実施例７〕
磁性粒子含有封止部における磁性粒子７と樹脂材料との含有比（質量基準）が１０：９０となるように、成形金型に注入する樹脂材料中における磁性粒子７の含有量を調整した以外は、実施例１と同様にして磁気センサ装置１を作製した。

〔実施例８〕
図４に示す構成に変更し、第５封止部６５及び第６封止部６６（磁性粒子非含有封止部）の厚さＴ₆₅，Ｔ₆₆が６００μｍとなるような成形金型を用いた以外は、実施例１と同様にして磁気センサ装置１を作製した。

〔実施例９〕
図４に示す構成に変更し、第５封止部６５及び第６封止部６６（磁性粒子非含有封止部）の厚さＴ₆₅，Ｔ₆₆が６００μｍとなるような成形金型を用いた以外は、実施例２と同様にして磁気センサ装置１を作製した。

〔実施例１０〕
図４に示す構成に変更し、第５封止部６５及び第６封止部６６（磁性粒子非含有封止部）の厚さＴ₆₅，Ｔ₆₆が６００μｍとなるような成形金型を用いた以外は、実施例３と同様にして磁気センサ装置１を作製した。

〔実施例１１〕
図４に示す構成に変更し、第５封止部６５及び第６封止部６６（磁性粒子非含有封止部）の厚さＴ₆₅，Ｔ₆₆が６００μｍとなるような成形金型を用いた以外は、実施例４と同様にして磁気センサ装置１を作製した。

〔実施例１２〕
図４に示す構成に変更し、第５封止部６５及び第６封止部６６（磁性粒子非含有封止部）の厚さＴ₆₅，Ｔ₆₆が６００μｍとなるような成形金型を用いた以外は、実施例５と同様にして磁気センサ装置１を作製した。

〔実施例１３〕
図４に示す構成に変更し、第５封止部６５及び第６封止部６６（磁性粒子非含有封止部）の厚さＴ₆₅，Ｔ₆₆が６００μｍとなるような成形金型を用いた以外は、実施例６と同様にして磁気センサ装置１を作製した。

〔実施例１４〕
図４に示す構成に変更し、第５封止部６５及び第６封止部６６（磁性粒子非含有封止部）の厚さＴ₆₅，Ｔ₆₆が６００μｍとなるような成形金型を用いた以外は、実施例７と同様にして磁気センサ装置１を作製した。

〔比較例１〕
第１封止部６１及び第２封止部６２の厚さＴ₆₁，Ｔ₆₂が３００μｍ、第３〜第６封止部６３〜６６の厚さＴ₆₃，Ｔ₆₄，Ｔ₆₅，Ｔ₆₆が３００μｍ、磁気センサ装置の高さＴ₁が３００μｍとなるような成形金型を用いた以外は、実施例１と同様にして磁気センサ装置を作製した。

〔比較例２〕
磁性粒子を含有しない樹脂材料（エポキシ樹脂）を用いた以外は、比較例１と同様にして磁気センサ装置を作製した。

〔試験例１〕
実施例１〜１４及び比較例１〜２の磁気センサ装置に関し、静磁場強度２００ｍＴ（Ｘ軸方向の磁場強度：２００ｍＴ，Ｙ軸方向の磁場強度：５ｍＴ）の外部磁界雰囲気において、磁気センサチップに導入されるＸ軸方向及びＹ軸方向の磁界の磁場強度（ｍＴ）を測定した。結果を表１に示す。

表１に示す結果から明らかなように、磁気センサチップ２の第１側面２１及び第２側面２２側にそれぞれ位置する第１封止部６１及び第２封止部６２、並びに天面２５及び底面２６側にそれぞれ位置する第５封止部６５及び第６封止部６６に磁性粒子７を含有させず、第３側面２３及び第４側面２４側にそれぞれ位置する第３封止部６３及び第４封止部６４に磁性粒子７を含有させ、第３封止部６３及び第４封止部６４を磁性粒子含有封止部とすることで、磁気シールドを別途設けることなく、Ｘ軸方向の磁界の磁場強度を低減させる磁気シールド機能が奏されるとともに、Ｙ軸方向の磁界の磁場強度を増大させる磁気ヨーク機能が奏されることが確認された。一方、天面２５及び底面２６側にそれぞれ位置する第５封止部６５及び第６封止部６６にも磁性粒子７を含有させ、第５封止部６５及び第６封止部６６も磁性粒子含有封止部とすると、Ｘ軸方向の磁界の磁場強度を調整するのは困難であるが、少なくともＹ軸方向の磁界の磁場強度を増大させる磁気ヨーク機能が奏されることが確認された。

この結果から、例えば、実施例１〜７の磁気センサ装置１（磁気センサチップ２の感度軸がＸ軸方向であって、磁気センサ素子が相対的に高感度のＧＭＲ素子やＴＭＲ素子である磁気センサ装置１）を、２軸（Ｘ軸及びＹ軸）地磁気センサや、３軸（Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸）地磁気センサにおけるＸ軸用磁気センサ装置として用いることで、磁気センサ素子（ＧＭＲ素子やＴＭＲ素子）の使用磁場範囲（例えば２０〜８０ｍＴ，好適には２０〜５０ｍＴ）を超える磁場強度（２００ｍＴ）のＸ軸方向の磁界を、当該使用磁場範囲内に調整（低減）して磁気センサチップ２に導入することができると考えられる。また、上記結果から、磁気センサチップ２の感度軸がＹ軸方向であって、磁気センサ素子が相対的に高感度のＧＭＲ素子やＴＭＲ素子である磁気センサ装置１を、２軸地磁気センサや３軸地磁気センサのＹ軸用磁気センサ装置として用いることで、磁気センサ素子の使用磁場範囲未満の微弱な磁場強度（５ｍＴ）のＹ軸方向の磁界を、当該使用磁場範囲内に調整（増大）して磁気センサチップ２に導入することができると考えられる。

また、実施例８〜１２の磁気センサ装置１の磁気センサチップ２の感度軸がＹ軸方向であって、磁気センサ素子が相対的に高感度のＧＭＲ素子やＴＭＲ素子である磁気センサ装置１を、２軸地磁気センサや３軸地磁気センサのＹ軸用磁気センサ装置として用いることで、磁気センサ素子の使用磁場範囲未満の微弱な磁場強度（５ｍＴ）のＹ軸方向の磁界を、当該使用磁場範囲内に調整（増大）して磁気センサチップ２に導入することができると考えられる。

さらに、実施例１〜７において、それぞれ、第３側面２３側に位置する第３封止部６３を磁性粒子含有封止部とし、第４側面２４側に位置する第４封止部６４を磁性粒子非含有封止部とした磁気センサ装置１を別途作製し（実施例１５〜２１）、各磁気センサ装置１における磁気センサチップ２に導入されるＸ軸方向及びＹ軸方向の磁界の磁場強度（ｍＴ）を同様にして求めたところ、Ｙ軸方向の磁界の磁場強度（ｍＴ）は実施例１〜７と同様の結果となったが、Ｘ軸方向の磁界の磁場強度（ｍＴ）は実施例１〜７ほどには低減されなかった。この結果から、Ｙ軸方向の磁界の磁場強度を増大させる磁気ヨーク機能に関しては、第３封止部６３及び第４封止部６４のいずれか一方に磁性粒子７を存在させることで十分に奏され得ることが確認された。一方、Ｘ軸方向の磁界の磁場強度を低減させる磁気シールド機能に関しては、第３封止部６３及び第４封止部６４のいずれか一方に磁性粒子７を存在させることで十分に奏され得るものの、両方に磁性粒子７を存在させるのが望ましいことが確認された。

１…磁気センサ装置
２…磁気センサチップ
２１，２２…交差面
６…封止体
６１…第１封止部
６２…第２封止部

Claims

磁気センサ素子を含む、平面視略方形状の磁気センサチップと、
前記磁気センサチップを一体的に封止する、磁性粒子を含有する樹脂材料により構成される封止体と
を備え、
前記磁気センサチップの平面視において、前記磁気センサチップは、互いに対向する第１側面及び第２側面と、前記第１側面及び前記第２側面に直交し、互いに対向する第３側面及び第４側面とを有し、
前記封止体は、前記第１側面上に位置する第１封止部と、前記第２側面上に位置する第２封止部と、前記第３側面上に位置する第３封止部と、前記第４側面上に位置する第４封止部とを含み、
前記第１封止部及び前記第２封止部の厚さは、前記磁性粒子の粒子径よりも小さく、
少なくも前記第３封止部の厚さは、前記磁性粒子の粒子径よりも大きく、
前記磁性粒子は、少なくとも前記第３封止部に存在し、前記第１封止部及び前記第２封止部に実質的に存在しない
ことを特徴とする磁気センサ装置。
前記磁気センサ素子の感度軸の方向が、前記第１側面及び前記第２側面に交差する方向であり、
前記磁気センサチップは、互いに対向する天面及び底面をさらに有し、
前記封止体は、前記天面側に位置する第５封止部と、前記底面側に位置する第６封止部とをさらに含み、
前記第５封止部及び前記第６封止部の厚さは、前記磁性粒子の粒子径よりも小さく、
前記磁性粒子は、前記第５封止部及び前記第６封止部に実質的に存在しないことを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ装置。
前記第３封止部における前記磁性粒子と前記樹脂材料との含有比は、質量基準で８０：２０〜２５：７５であることを特徴とする請求項２に記載の磁気センサ装置。
前記磁気センサ素子の感度軸の方向が、前記第３側面及び前記第４側面に交差する方向であることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ装置。
前記第３封止部における前記磁性粒子と前記樹脂材料との含有比は、質量基準で７０：３０〜２０：８０であることを特徴とする請求項４に記載の磁気センサ装置。
前記磁気センサチップは、互いに対向する天面及び底面をさらに有し、
前記封止体は、前記天面側に位置する第５封止部と、前記底面側に位置する第６封止部とをさらに含み、
前記第５封止部及び前記第６封止部の厚さは、前記磁性粒子の粒子径よりも小さく、
前記磁性粒子は、前記第５封止部及び前記第６封止部に実質的に存在しないことを特徴とする請求項４又は５に記載の磁気センサ装置。
前記磁気センサチップは、互いに対向する天面及び底面をさらに有し、
前記封止体は、前記天面側に位置する第５封止部と、前記底面側に位置する第６封止部とをさらに含み、
前記第５封止部及び前記第６封止部の厚さは、前記磁性粒子の粒子径よりも大きく、
前記磁性粒子は、前記第５封止部及び前記第６封止部に存在することを特徴とする請求項４又は５に記載の磁気センサ装置。
前記第５封止部及び前記第６封止部における前記磁性粒子と前記樹脂材料との含有比は、質量基準で７０：３０〜２０：８０であることを特徴とする請求項７に記載の磁気センサ装置。
前記第４封止部の厚さは、前記磁性粒子の粒子径よりも大きく、
前記磁性粒子は、前記第４封止部にも存在することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の磁気センサ装置。
前記磁性粒子の粒子径が、２００μｍ以上であることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の磁気センサ装置。
前記樹脂材料が、エポキシ樹脂、スチレン樹脂又はＡＢＳ樹脂であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の磁気センサ装置。
前記磁気センサチップは、前記磁気センサ素子としての磁気抵抗効果素子を含むことを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の磁気センサ装置。
前記磁気抵抗効果素子は、ホール素子、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子又はＴＭＲ素子であることを特徴とする請求項１２に記載の磁気センサ装置。