DE10307320B4 - Treiberschaltung - Google Patents

Treiberschaltung Download PDF

Info

Publication number
DE10307320B4
DE10307320B4 DE10307320A DE10307320A DE10307320B4 DE 10307320 B4 DE10307320 B4 DE 10307320B4 DE 10307320 A DE10307320 A DE 10307320A DE 10307320 A DE10307320 A DE 10307320A DE 10307320 B4 DE10307320 B4 DE 10307320B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
potential
node
circuit
driver circuit
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE10307320A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10307320A1 (de
Inventor
Youichi Tobita
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of DE10307320A1 publication Critical patent/DE10307320A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10307320B4 publication Critical patent/DE10307320B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3685Details of drivers for data electrodes
    • G09G3/3688Details of drivers for data electrodes suitable for active matrices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0008Arrangements for reducing power consumption
    • H03K19/0013Arrangements for reducing power consumption in field effect transistor circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0175Coupling arrangements; Interface arrangements
    • H03K19/0185Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only
    • H03K19/018557Coupling arrangements; Impedance matching circuits
    • H03K19/018571Coupling arrangements; Impedance matching circuits of complementary type, e.g. CMOS
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00Command of the display device
    • G09G2310/02Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264Details of driving circuits
    • G09G2310/0289Details of voltage level shifters arranged for use in a driving circuit

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)

Abstract

Treiberschaltung zum Ausgeben eines Potentials (VO), das einem Eingangspotential (VI) entspricht, an einen Ausgangsknoten (N30), umfassend
eine erste Pegelverschiebungsschaltung (61), die ein Potential ausgibt, das durch Pegelverschieben des Eingangspotentials (VI) um eine vorgegebene erste Spannung in eine erste Potentialrichtung erhalten wird, und
eine zweite Pegelverschiebungsschaltung (30), die ein Potential an den Ausgangsknoten (N30) ausgibt, das durch Pegelverschieben eines Ausgangspotentials der ersten Pegelverschiebungsschaltung (61) um eine vorgegebene zweite Spannung in eine zweite Potentialrichtung, die zu der ersten Potentialrichtung entgegengesetzt ist, erhalten wird, wobei
die erste Pegelverschiebungsschaltung (61)
ein erstes strombegrenzendes Element (65) mit einer ersten Elektrode, die ein erstes Energieversorgungspotential (V3) erhält, und
einen ersten Transistor (24) eines ersten Leitfähigkeitstyps mit einer ersten Elektrode, die mit der anderen Elektrode des ersten strombegrenzenden Elements (65) verbunden ist, einer zweiten Elektrode, die ein zweites Energieversorgungspotential (GND) empfängt, und einer Eingangselektrode, die das Eingangspotential (VI) erhält, aufweist und...

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Treiberschaltung nach dem Oberbegriff des Anspruches 1.
  • Beispiele solcher aus dem Stand der Technik bekannte Treiberschaltungen sind in der DE 36 06 203 C3 , US 5,218,247 A , JP 3-293813 A und der US 5,952,847 A beschrieben.
  • Zudem ist aus der US 5,206,544 A eine Treiberschaltung aus zwei komplementären Schaltkreisen bekannt, welche jeweils ein Paar an Feldeffekttransistoren umfassen, und intern jeweils entsprechend eines Eingangssignals zwei pegelverschobene Spannungen generieren, welche über einen Satz eines P-Kanal- und eines N-Kanal-Transistors eine pegelverschobene Ausgangsspannung erzeugen.
  • In eine der Anmelderin bekannte integrierte Halbleiterschaltungseinrichtung ist eine Treiberschaltung zum Übertragen eines Potentials, das in einer potentialerzeugenden Schaltung mit einer geringen Treiberfähigkeit erzeugt wird, an eine Last eingebaut. 80 ist ein Schaltplan, der eine Konfiguration einer solchen Treiberschaltung 300 zeigt. In 80 weist die Treiberschaltung 300 folgendes auf: einen Feldeffekttransistor vom P-Typ (hiernach als P-Transistor bezeichnet) 301 und 302; Feldeffekttransistoren vom N-Typ (hiernach als N-Transistoren bezeichnet) 303 und 304; und eine konstante Stromquelle 305.
  • Die P-Transistoren 301 und 302 sind zwischen einen Knoten bei einem Energieversorgungspotential VCC und einen Knoten N301 bzw. zwischen den Knoten beim Energieversorgungspotential VCC und einen Knoten N302 geschaltet. Die Gates dieser Transistoren sind beide mit dem Knoten N301 verbunden. Die P-Transistoren 301 und 302 stellen eine Stromspiegelschaltung dar. Der N-Transistor 303 ist zwischen den Knoten N301 und einen Knoten N305 geschaltet. Das Gate des Transistors 303 ist mit einem Eingangsknoten N303 verbunden. Der N-Transistor 304 ist zwischen die Knoten N302 und N305 geschaltet. Sein Gate ist mit einem Ausgangsknoten N304 und dem Knoten N302 verbunden. Eine konstante Stromquelle 305 ist zwischen den Knoten N305 und einen Knoten beim Massepotential GND geschaltet, um einen konstanten Strom bereitzustellen.
  • Ein Strom mit einem Wert, der mit einem Potential VI am Eingangsknoten N303 korrespondiert, fliesst in den N-Transistor 303. Da der N-Transistor 303 und der P-Transistor 301 miteinander in Serie geschaltet sind und die P-Transistoren 301 und 302 eine Stromspiegelschaltung darstellen, fließen Ströme mit dem gleichen Wert durch die Transistoren 301303. In einem Fall, bei dem das Potential VO am Ausgangsknoten N304 kleiner ist als ein Eingangspotential VI, ist ein Strom, der im N-Transistor N304 fließt, kleiner als derjenige, der durch die Transistoren 301 und 303 fließt, um das Ausgangspotential VO anzuheben. In einem Fall, bei dem das Potential VO am Ausgangsknoten N304 höher ist als das Eingangspotential VI, ist ein Strom, der in dem N-Transistor N304 fließt, größer als derjenige, der durch die Transistoren 301 und 303 fließt, um das Ausgangspotential VO absenken. Dementsprechend gleicht sich das Ausgangspotential VO dem Eingangspotential VI an.
  • In einer herkömmlichen Treiberschaltung 300 besteht jedoch ein Problem hohen Stromverbrauchs, da ständig ein konstanter Durchfließstrom von dem Knoten beim Energieversorgungspotential VCC und der konstanten Stromquelle 305 durch die Transistoren 301304 in den Knoten beim Massepotential GND fließt.
  • Dementsprechend liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine Treiberschaltung mit niedrigem Stromverbrauch vorzuschlagen.
  • Eine Treiberschaltung gemäß der vorliegenden Erfindung beinhaltet eine erste Pegelverschiebungsschaltung, die ein Potential ausgibt, das durch Pegelverschieben eines Eingangspotentials um eine vorgegebene erste Spannung in eine bestimmte Potentialrichtung erhalten wird, und eine zweite Pegelverschiebungsschaltung, die ein Potential an einen Ausgangsknoten ausgibt, das durch Pegelverschieben eines Ausgangspotentials der ersten Pegelverschiebungsschaltung um eine vorgegebene zweite Spannung in eine andere Potentialrichtung, die zu der bestimmten Potentialrichtung entgegengesetzt ist, erhalten wird, wobei die erste Pegelverschiebungsschaltung ein erstes strombegrenzendes Element mit einer ersten Elektrode, die ein erstes Energieversorgungspotential erhält, und einen ersten Transistor eines ersten Leitfähigkeitstyps mit einer ersten Elektrode, die mit der anderen Elektrode des ersten strombegrenzenden Elements verbunden ist, einer zweiten Elektrode, die ein zweites Energieversorgungspotential (GND) empfängt, und einer Eingangselektrode, die das Eingangspotential erhält, aufweist und die zweite Pegelverschiebungsschaltung einen zweiten Transistor eines zweiten Leitfähigkeitstyps mit einer ersten Elektrode, die ein drittes Energieversorgungspotential erhält, einer zweiten Elektrode, die mit dem Ausgangsknoten verbunden ist, und einer Eingangselektrode, die mit der anderen Elektrode des ersten strombegrenzenden Elements verbunden ist, aufweist, wo die Treiberschaltung sich dadurch auszeichnet, dass die erste Pegelverschiebungsschaltung weiterhin einen dritten Transistor des zweiten Leitfähigkeitstyps mit einer ersten Elektrode und einer Eingangselektrode, die mit der anderen Elektrode des ersten strombegrenzenden Elements verbunden ist, und einer zweiten Elektrode, die mit der ersten Elektrode des ersten Transistors verbunden ist, aufweist und die zweite Pegelverschiebungsschaltung weiterhin einen vierten Transistor des ersten Leitfähigkeitstyps mit einer ersten Elektrode, die mit der zweiten Elektrode des zweiten Transistors verbunden ist, einer zweiten Elektrode und einer Eingangselektrode, die mit dem Ausgangsknoten verbunden ist, aufweist. Dadurch werden die Durchfließströme der ersten und zweiten Pegelverschiebungsschaltung unterdrückt, um klein zu sein, wodurch der Stromverbrauch reduziert wird.
  • Die obige und weitere Aufgaben, Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden durch die folgende detaillierte Beschreibung der vorliegenden Erfindung in Zusammenhang mit den begleitenden Zeichnungen deutlicher.
  • 1 ist ein Blockdiagramm, das eine generelle Konfiguration einer Farb-Flüssigkristallanzeigeneinrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 2 ist ein Schaltplan, der eine Konfiguration einer Flüssigkristall-Treiberschaltung zeigt, die entsprechend für jede in 1 gezeigte Flüssigkristallzelle vorgesehen ist;
  • 3 ist ein Blockschaltbild, das einen Hauptteil einer in 1 gezeigten Horizontalabtastschaltung zeigt;
  • 4 ist ein Schaltplan, der eine Konfiguration einer in 3 gezeigten Treiberschaltung zeigt;
  • 5 ist ein Schaltplan zur Beschreibung von Arbeitsweisen der in 4 gezeigten Treiberschaltung;
  • 6 ist ein Zeitdiagramm zur Beschreibung von Arbeitsweisen der in 4 gezeigten Treiberschaltung;
  • 7 ist ein Schaltplan, der eine beispielhafte Modifikation der ersten Ausführungsform zeigt;
  • 8 ist ein Schaltplan, der eine weitere beispielhafte Modifikation der ersten Ausführungsform zeigt;
  • 9 ist ein Schaltplan, der eine nochmals weitere beispielhafte Modifikation der ersten Ausführungsform zeigt;
  • 10 ist ein Schaltplan, der eine Konfiguration einer Pegelverschiebungsschaltung einer Treiberschaltung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 11 ist ein Schaltplan, der eine Konfiguration einer Pegelverschiebungsschaltung einer Treiberschaltung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 12 ist ein Schaltplan, der eine Konfiguration einer Pegelverschiebungsschaltung einer Treiberschaltung gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 13 ist ein Schaltplan, der eine Konfiguration einer Pegelverschiebungsschaltung einer Treiberschaltung gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 14 ist ein Graph zur Beschreibung eines Problems der ersten Ausführungsform;
  • 15 ist ein Schaltplan zur Beschreibung eines Problems der ersten Ausführungsform;
  • 16 ist ein Schaltplan zur Beschreibung eines Prinzips einer sechsten Ausführungsform;
  • 17 ist ein Schaltplan, der eine Konfiguration einer Treiberschaltung gemäß der sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 18 ist ein Schaltplan, der Details der Konfiguration einer in 17 gezeigten Treiberschaltung zeigt;
  • 19 ist ein Schaltplan, der eine beispielhafte Modifikation der sechsten Ausführungsform zeigt;
  • 20 ist ein Schaltplan, der eine weitere beispielhafte Modifikation der sechsten Ausführungsform zeigt;
  • 21 ist ein Schaltplan, der eine nochmals weitere beispielhafte Modifikation der sechsten Ausführungsform zeigt;
  • 22 ist ein Schaltplan, der eine Konfiguration einer Treiberschaltung gemäß einer siebten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 23 ist ein Zeitgraph, der Arbeitsweisen der in 22 gezeigten Treiberschaltung zeigt;
  • 24 ist ein Schaltplan, der eine beispielhafte Modifikation der siebten Ausführungsform zeigt;
  • 25 ist ein Schaltplan, der eine Konfiguration einer Treiberschaltung gemäß einer achten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 26 ist ein Schaltplan, der eine beispielhafte Modifikation der achten Ausführungsform zeigt;
  • 27 ist ein Schaltplan, der eine weitere beispielhafte Modifikation der achten Ausführungsform zeigt;
  • 28 ist ein Schaltplan, der eine nochmals weitere beispielhafte Modifikation der achten Ausführungsform zeigt;
  • 29 ist ein Schaltplan, der eine nochmals weitere beispielhafte Modifikation der achten Ausführungsform zeigt;
  • 30 ist ein Schaltplan, der eine nochmals weitere beispielhafte Modifikation der achten Ausführungsform zeigt;
  • 31 ist ein Schaltplan, der eine Konfiguration einer Treiberschaltung gemäß einer neunten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 32 ist ein Zeitgraph, der Arbeitsweisen der in der 31 gezeigten Treiberschaltung zeigt;
  • 33 ist ein Schaltplan, der eine beispielhafte Modifikation der neunten Ausführungsform zeigt;
  • 34 ist ein Schaltplan, der eine Konfiguration einer Treiberschaltung gemäß einer zehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 35 ist ein Schaltplan, der eine beispielhafte Modifikation der zehnten Ausführungsform zeigt;
  • 36 ist ein Schaltplan, der eine Konfiguration einer Treiberschaltung gemäß einer elften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 37 ist ein Schaltplan, der eine Konfiguration der in der 36 gezeigten Treiberschaltung zeigt;
  • 38 ist ein Blockschaltbild, das eine Konfiguration einer Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit gemäß einer zwölften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 39 ist ein Zeitgraph, der Arbeitsweisen der in der 38 gezeigten Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit zeigt;
  • 40 ist ein Blockschaltbild, das eine Konfiguration einer Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit gemäß einer dreizehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 41 ist ein Zeitgraph, der Arbeitsweisen der in der 40 gezeigten Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit zeigt;
  • 42 ist ein weiterer Zeitgraph, der Arbeitsweisen der in der 40 gezeigten Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit zeigt;
  • 43 ist ein Schaltplan, der eine beispielhafte Modifikation der dreizehnten Ausführungsform zeigt;
  • 44 ist ein Schaltplan, der eine weitere beispielhafte Modifikation der dreizehnten Ausführungsform zeigt;
  • 45 ist ein Schaltplan, der eine nochmals weitere beispielhafte Modifikation der dreizehnten Ausführungsform zeigt;
  • 46 ist ein Schaltplan, der eine nochmals weitere beispielhafte Modifikation der dreizehnten Ausführungsform zeigt;
  • 47 ist ein Schaltplan, der eine nochmals weitere beispielhafte Modifikation der dreizehnten Ausführungsform zeigt;
  • 48 ist ein Schaltplan, der eine nochmals weitere beispielhafte Modifikation der dreizehnten Ausführungsform zeigt;
  • 49 ist ein Schaltplan, der eine nochmals weitere beispielhafte Modifikation der dreizehnten Ausführungsform zeigt;
  • 50 ist ein Schaltplan, der eine nochmals weitere beispielhafte Modifikation der dreizehnten Ausführungsform zeigt;
  • 51 ist ein Schaltplan, der eine nochmals weitere beispielhafte Modifikation der dreizehnten Ausführungsform zeigt;
  • 52 ist ein Schaltplan, der eine nochmals weitere beispielhafte Modifikation der dreizehnten Ausführungsform zeigt;
  • 53 ist ein Schaltplan, der eine nochmals weitere beispielhafte Modifikation der dreizehnten Ausführungsform zeigt;
  • 54 ist ein Schaltplan, der eine nochmals weitere beispielhafte Modifikation der dreizehnten Ausführungsform zeigt;
  • 55 ist ein Blockschaltbild, das eine Konfiguration einer Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit gemäß einer vierzehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 56 ist ein Zeitgraph, der Arbeitsweisen der in der 55 gezeigten Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit zeigt;
  • 57 ist ein weiterer Zeitgraph, der Arbeitsweisen der in der 55 gezeigten Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit zeigt;
  • 58 ist ein Blockschaltbild, das eine Konfiguration einer Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit gemäß einer fünfzehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 59 ist ein Zeitgraph, der Arbeitsweisen der in der 58 gezeigten Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit zeigt;
  • 60 ist ein Schaltplan, der einen Hauptteil einer Farb-Flüssigkristallanzeigeneinrichtung gemäß einer sechzehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 61 ist ein Schaltplan, der eine Konfiguration einer push-artigen Treiberschaltung zeigt, die in der in der 60 gezeigten Farb-Flüssigkristallanzeigeneinrichtung enthalten ist;
  • 62 ist ein Schaltplan, der eine detailliertere Konfiguration der in der 60 gezeigten push-artigen Treiberschaltung zeigt;
  • 63 ist ein Schaltplan, der eine beispielhafte Modifikation der sechzehnten Ausführungsform zeigt;
  • 64 ist ein Schaltplan, der eine weitere beispielhafte Modifikation der sechzehnten Ausführungsform zeigt;
  • 65 ist ein Schaltplan, der eine Konfiguration einer pull-artigen Treiberschaltung gemäß einer siebzehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 66 ist ein Schaltplan, der eine beispielhafte Modifikation der siebzehnten Ausführungsform zeigt;
  • 67 ist ein Blockschaltbild, das eine Konfiguration einer Treiberschaltung gemäß einer achtzehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 68 ist ein Schaltplan, der eine beispielhafte Modifikation der achtzehnten Ausführungsform zeigt;
  • 69 ist ein Schaltplan, der eine weitere beispielhafte Modifikation der achtzehnten Ausführungsform zeigt;
  • 70 ist ein Schaltplan, der eine nochmals weitere beispielhafte Modifikation der achtzehnten Ausführungsform zeigt;
  • 71 ist ein Schaltplan, der eine detailliertere Konfiguration der in der 70 gezeigten Treiberschaltung zeigt;
  • 72 ist ein Blockschaltbild, das eine Konfiguration einer push-artigen Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit gemäß einer neunzehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 73 ist ein Schaltplan, der eine beispielhafte Modifikation der neunzehnten Ausführungsform zeigt;
  • 74 ist ein Blockschaltbild, das eine Konfiguration einer Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit gemäß einer zwanzigsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 75 ist ein Schaltplan, der eine beispielhafte Modifikation der zwanzigsten Ausführungsform zeigt;
  • 76 ist ein Schaltplan, der eine weitere beispielhafte Modifikation der zwanzigsten Ausführungsform zeigt;
  • 77 ist ein Schaltplan, der eine nochmals weitere beispielhafte Modifikation der zwanzigsten Ausführungsform zeigt;
  • 78 ist ein Blockschaltbild, das eine Konfiguration einer Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit gemäß einer einundzwanzigsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 79 ist ein Blockschaltbild, das eine Konfiguration einer Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit gemäß einer zweiundzwanzigsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt; und
  • 80 ist ein Schaltplan, der eine Konfiguration einer herkömmlichen Treiberschaltung zeigt.
  • Zur ersten Ausführungsform:
  • 1 ist ein Blockdiagramm, das eine Konfiguration einer Farb-Flüssigkristallanzeigeneinrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. In 1 weist die Farb-Flüssigkristallanzeigeneinrichtung folgendes auf: eine Flüssigkristalltafel 1, eine Vertikalabtastschaltung 7 und eine Horizontalabtastschaltung 8. Die Einrichtung ist beispielsweise in ein portables Telefon eingebaut.
  • Die Flüssigkristalltafel 1 beinhaltet eine Mehrzahl von Flüssigkristallzellen 2, die in einer Mehrzahl von Reihen und einer Mehrzahl von Spalten angeordnet sind, Abtastleitungen 4 und gemeinsame Potentialleitungen 5, die für jeweils entsprechende Zeilen vorgesehen sind, und Datenleitungen 6, die für jeweils entsprechende Spalten vorgesehen sind.
  • Die Flüssigkristallzellen 2 sind im Voraus in Gruppen unterteilt worden, die jeweils drei Zellen in jeder Reihe enthalten. Drei Flüssigkristallzellen 2 in jeder Gruppe sind jeweils mit Farbfiltern R, G, B versehen. Die drei Flüssigkristallzellen 2 in jeder Gruppe bilden ein Pixel 3.
  • Jede Flüssigkristallzelle 2 ist mit einer Flüssigkristall-Treiberschaltung 10, wie in 2 gezeigt, versehen. Die Flüssigkristall-Treiberschaltung 10 beinhaltet einen N-Transistor 11 und einen Kondensator 12. Der N-Transistor 11 ist zwischen die Datenleitung 6 und eine Elektrode 2a der Flüssigkristallzelle 2 geschaltet. Sein Gate ist mit der Abtastleitung 4 verbunden. Der Kondensator 12 ist zwischen die eine Elektrode 2a der Flüssigkristallzelle 2 und die gemeinsame Potentialleitung 5 geschaltet. An die andere Elektrode der Flüssigkristallzelle 2 ist das Treiberpotential VDD angelegt. An die gemeinsame Potentialleitung 5 ist das gemeinsame Potential VSS angelegt.
  • Zurückkehrend zur 1, wählt die Vertikalabtastschaltung 7 gemäß einem Bildsignal eine Mehrzahl von Abtastleitungen 4 aufeinanderfolgend aus, um die ausgewählte Abtastleitung 4 für eine vorgegebene Zeit in einem ausgewählten Zustand zu halten und um die ausgewählte Abtastleitung 4 auf einen H-Pegel beim ausgewählten Pegel anzuheben. Wenn die Abtastleitung 4 auf den H-Pegel beim ausgewählten Pegel angehoben worden ist, wird der N-Transistor 11 leitend, um die eine Elektrode 2a der Flüssigkristallzelle 2, die mit der Abtastleitung 4 korrespondiert, mit der Datenleitung 6, die zu der Flüssigkristallzelle 2 korrespondiert, zu koppeln.
  • Die Horizontalabtastschaltung 8 wählt entsprechend einem Bildsignal aufeinanderfolgend eine Mehrzahl von Datenleitungen 6 in Partien von beispielsweise zwölf Leitungen aus, und zwar während einer Periode, in der eine Abtastleitung 4 durch die Vertikalabtastschaltung 7 in dem ausgewählten Zustand gehalten wird, und legt ein Abstufungspotential VG an jede der ausgewählten Datenleitungen 6. Eine Lichtaussendung der Flüssigkristallzelle 2 ändert sich gemäß einem Pegel eines Abstufungspotentials VG.
  • Wenn alle Flüssigkristallzellen 2 auf der Flüssigkristalltafel 1 von der Vertikalabtastschaltung 7 und der Horizontalabtastschaltung 8 abgetastet wurden, wird ein Bild auf der Flüssigkristalltafel 1 angezeigt.
  • 3 ist ein Blockschaltbild, das einen Hauptteil der in der 1 gezeigten Horizontalabtastschaltung 8 zeigt. In 3 beinhaltet die Horizontalabtastschaltung 8 eine Abstufungspotential-Erzeugungsschaltung 15 und eine Treiberschaltung 20. Es sind Abstufungspotential-Erzeugungsschaltungen 15 und Treiberschaltungen 20 jeweils in einer Anzahl vorgesehen, die durch die Anzahl (in diesem Falle 12) von Datenleitungen 6, die gleichzeitig durch die Horizontalabtastschaltung 8 ausgewählt werden, gegeben ist.
  • Die Abstufungspotential-Erzeugungsschaltung 15 beinhaltet n+1 Widerstandselemente 16.116.n+1, wobei n eine natürliche Zahl ist, auf die im folgenden Bezug genommen wird. Die Schaltung 15 ist zwischen einen Knoten bei einem ersten Energieversorgungspotential V1 (5 V) und einen Knoten bei einem zweiten Energieversorgungspotential V2 (0 V) in Serie geschaltet. n Schalter 17.117.n sind zwischen entsprechende n Knoten zwischen n+1 Widerstandselemente 16.116.n+1 und einen Ausgangsknoten 15a geschaltet.
  • Die Potentiale bei n Pegeln treten bei den entsprechenden n Knoten zwischen den n+1 Widerstandselementen 16.116.n+1 auf. Die Schalter 17.117.n werden durch ein Bilddichtesignal ΦP gesteuert, um zu bewirken, dass nur ein einziger von diesen in einem leitenden Zustand ist. Ein Potential bei einem Potentialpegel von den n Pegeln wird zu dem Ausgangsknoten 15a als Abstufungspotential VG ausgegeben. Die Treiberschaltung 20 stellt einen Strom für die ausgewählte Datenleitung 6 bereit, so dass die ausgewählte Datenleitung 6 das Abstufungspotential VG annimmt.
  • 4 ist ein Schaltplan, der die Konfiguration einer Treiberschaltung 20 zeigt. In 4 enthält die Treiberschaltung 20 Pegelverschiebungsschaltungen 21 und 25, einen Kondensator 29, eine Pull-up-Schaltung 30 und eine Pull-down-Schaltung 33.
  • Die Pegelverschiebungsschaltung 21 beinhaltet ein Widerstandselement 22, einen N-Transistor 23 und einen P-Transistor 24 in Serie geschaltet zwischen einen Knoten bei einem dritten Energieversorgungspotential V3 (15 V) und einen Knoten bei einem Massepotential GND. Das Gate des N-Transistors 23 ist mit seinem Drain-Anschluss (einem Knoten N22) verbunden. Der N-Transistor 23 dient als ein Diodenelement. Das Gate des P-Transistors 24 ist mit einem Eingangsknoten N20 verbunden. Ein Widerstandswert des Widerstandselementes 22 ist auf einen Wert gesetzt, der in hinreichender Weise größer als die Widerstandswerte der Transistoren 23 und 24 in geöffnetem Zustand ist.
  • Wenn per Definition ein Potential (Abstufungsknoten) am Eingangsknoten N20 V1, eine Schwellenspannung eines P-Transistors VTP und ein Schwellenwert eines N-Transistors VTN ist, dann ist ein Potential V23 an der Source (Knoten N23) des P-Transistors 24 und ein Potential V22 am Drain-Anschluss (Knoten N22) des N-Transistors 23 jeweils durch die folgenden Formeln (1) und (2) gegeben: V23 = VI + |VTP| (1) V22 = VI + |VTP| + VTN (2)
  • Daher gibt die Pegelverschiebungsschaltung 21 das Potential V22 aus, das durch Pegelverschiebung des Eingangspotentials VI um |VTP| + VTN erhalten wird.
  • Die Pegelverschiebungsschaltung 25 beinhaltet einen N-Transistor 26, einen P-Transistor 27 und ein Widerstandselement 28 in Serie geschaltet zwischen einen Knoten bei einem vierten Energieversorgungspotential V4 (5 V) und einen Knoten bei einem fünften Energieversorgungspotential V5 (–10 V). Das Gate des N-Transistors 26 ist mit dem Eingangsknoten N20 verbunden. Das Gate des P-Transistors 27 ist mit seinem Drain-Anschluss (Knoten N27) verbunden. Der P-Transistor dient als ein Diodenelement. Ein Widerstandswert des Widerstandselementes 28 ist auf einen Wert gesetzt, der in hinreichender Weise größer ist als die Widerstandswerte der Transistoren 26 und 27 im geöffneten Zustand.
  • Ein Potential V26 an der Source (Knoten N26) des N-Transistors 26 und ein Potential V27 am Drain-Anschluss (Knoten N27) des P-Transistors 27 sind jeweils durch die folgenden Formeln (3) und (4) gegeben: V26 = VI – VTN (3) V27 = VI – VTN – |VTP| (4)
  • Daher gibt die Pegelverschiebungsschaltung 25 ein Potential V27 aus, das durch Pegelverschiebung des Eingangspotentials VI um – VTN – |VTP| erhalten wird.
  • Der Kondensator 29 ist zwischen einen Ausgangsknoten N22 der Pegelverschiebungsschaltung 21 und den Ausgangsknoten N27 der Pegelverschiebungsschaltung 25 geschaltet. Der Kondensator 29 überträgt nicht nur eine Änderung im Potential am Knoten N22 an den Knoten N27, sondern auch eine Änderung im Potential am Knoten N27 an den Knoten N22.
  • Die Pull-up-Schaltung 30 beinhaltet einen N-Transistor 31 und einen P-Transistor 32 in Serie geschaltet zwischen einen Knoten bei einem sechsten Energieversorgungspotential V6 (15 V) und einen Ausgangsknoten N30. Eine Lastkapazität (eine parasitäre Kapazität der Datenleitung 6) ist mit dem Ausgangsknoten N30 verbunden. Der N-Transistor 31 erhält das Ausgangspotential V22 der Pegelverschiebungsschaltung 21 an seinem Gate. Das Gate des P-Transistors 32 ist mit seinem Drain-Anschluss verbunden. Der P-Transistor 32 dient als Diodenelement. Weil das sechste Energieversorgungspotential V6 so gewählt ist, das der N-Transistor 31 im Sättigungsbereich arbeitet, führt der N-Transistor 31 eine sogenannte Source-Follower-Funktion durch.
  • Nunmehr wird für Zwecke der Einfachheit der Beschreibung angenommen, dass der Drain-Anschluss (Knoten N30') des P-Transistors 32 und der Ausgangsknoten N30 zwischen sich nicht leitend sind, wie in 5 gezeigt. Ein Potential V31 an der Source (Knoten N31) des N-Transistors 31 und ein Potential V30' am Drain-Anschluss (Knoten N30') des P-Transistors 32 sind jeweils durch die folgenden Formeln (5) und (6) gegeben: V31 = V22 – VTN = VI + |VTP| (5) V30' = V31 – |VTP| = VI (6)
  • Zurückkehrend zu 4, beinhaltet die Pull-down-Schaltung 33 einen P-Transistor 35 und einen N-Transistor 34 in Serie geschaltet zwischen einen Knoten bei einem siebenten Energieversorgungspotential V7 (–10 V) und den Ausgangsknoten N30. Der P-Transistor 35 erhält ein Ausgangspotential V27 der Pegelverschiebungsschaltung 25 an seinem Gate. Das Gate des N-Transistors 34 ist mit seinem Drain-Anschluss verbunden. Der N-Transistor 34 dient als ein Diodenelement. Weil das siebente Energieversorgungspotential V7 so gewählt ist, dass der P-Transistor 35 im Sättigungsbereich arbeitet, führt der P-Transistor 35 eine sogenannte Source-Follower-Funktion durch.
  • Nunmehr wird für Zwecke der Einfachheit der Beschreibung angenommen, dass der Drain-Anschluss (Knoten N30'') des P-Transistors 34 und der Ausgangsknoten N30 zwischen sich nicht leitend sind, wie in 5 gezeigt. Ein Potential V34 an der Source (Knoten N34) des P-Transistors 35 und ein Potential V30'' am Drain-Anschluss (Knoten N30'') des N-Transistors 34 sind jeweils durch die folgenden Formeln (7) und (8) gegeben: V34 = V27 + |VTP| = VI – VTN (7) V30'' = V34 + VTN = VI (8)
  • Die Formeln (7) und (8) zeigen, dass sogar dann, wenn der Drain-Anschluss (Knoten N30') des P-Transistors 32 und der Drain-Anschluss (Knoten N30'') des N-Transistors 34 miteinander verbunden sind, kein Strom zwischen den Knoten beim sechsten Energieversorgungspotential V6 und dem Knoten beim siebten Energieversorgungspotential V7 fließt. Die Potentiale VO am Ausgangsknoten N30 und VI am Eingangsknotens N20 sind einander gleich. Daher ist ein Durchfliessstrom in einem stationären Zustand, bei dem VO gleich VI ist, extrem klein, wenn die Widerstandswerte der Widerstandselemente 22 und 28 hinreichend groß gewählt sind.
  • 6 ist ein Zeitgraph zur Beschreibung einer AC-Arbeitsweise (einer Arbeitsweise während eines Übergangszustandes) der Treiberschaltung 20. In 6 wird angenommen, dass in einem anfänglichen Zustand VI = VL ist. Bei solch einer Bedingung sind die Werte von V22, V27 und VO jeweils durch die folgenden Formeln gegeben: V22 = VL + |VTP| + VTN V27 = VL – |VTP| – VTN VO = VL
  • Wenn VI zu einem Zeitpunkt t1 von VL auf VH angehoben wird, sind, nachdem eine vorgegebene Zeit vergangen ist, V22, V27 und VO jeweils durch die folgenden Formeln gegeben: V22 = VH + |VTP| + VTN V27 = VH – |VTP| – VTN VO = VH
  • Die folgenden Funktionen werden während der Pegeländerung durchgeführt: In der Pegelverschiebungsschaltung 25 nimmt, wenn zum Zeitpunkt t1 das Eingangspotential VI von VL nach VH angehoben wird, eine Treiberfähigkeit des N-Transistors 26 zu, um das Potential V26 am Knoten N26 rasch anzuheben. Mit dem raschen Anstieg des Potentials V26 nimmt eine Source-zu-Gate-Spannung des P-Transistors 27 zu, um eine Treiberfähigkeit des P-Transistors 27 zu verbessern und um hierdurch das Potential aus V27 am Knoten N27 rasch anzuheben.
  • Bei einem raschen Anstieg des Potentials V27 am Knoten N27 steigt über die Kapazität 29 mittels kapazitiver Kopplung das Potential V22 am Knoten N22 rasch um VH – VL. In Reaktion hierauf steigt auch das Potential VO am Ausgangsknoten N30 von VL nach VH rasch an.
  • Wenn zu einem Zeitpunkt t2 das Eingangspotential VI von VH auf VL fällt, nimmt eine Treiberfähigkeit des P-Transistors 24 zu, um das Potential V23 am Knoten N23 rasch absenken. Bei rascher Abnahme des Potentials V23 nimmt eine Gate-zu-Source-Spannung des N-Transistors 23 zu, um eine Treiberfähigkeit des N-Transistors 23 zu verbessern und um hierdurch das Potential V22 am Knoten N22 rasch abzusenken.
  • Mit dem raschen Abfall des Potentials V22 am Knoten N22 fällt durch die Kapazität 26 mittels kapazitiver Kopplung das Potential V27 am Knoten N27 rasch um VH – VL. In Reaktion hierauf fällt auch das Potential VO am Ausgangsknoten N30 rasch von VH auf VL ab.
  • In der ersten Ausführungsform können Durchlassströme reduziert werden, da in einem stationären Zustand kein Durchfließstrom in der Pull-up-Schaltung 30 und der Pull-down-Schaltung 33 fließt und da die Durchfließströme auch in den Pegelverschiebungsschaltungen 21 und 25 reduziert werden können, indem Widerstandswerte der Widerstandselemente 22 und 26 auf einen Wert gesetzt werden, der in hinreichender Weise größer ist als die Widerstandswerte der Transistoren 23, 24, 26 und 27 im geöffneten Zustand. Weiterhin kann eine schnelle Antwort auf eine Änderung im Eingangspotential VI dadurch sichergestellt werden, dass zusätzlich der Kondensators 26 vorgesehen wird.
  • Im folgenden werden verschiedene beispielhafte Modifikationen beschrieben. Eine Treiberschaltung 36 in 7 stellt eine Konfiguration dar, die durch die Entfernung des Kondensators 29 aus der Treiberschaltung 20 der 4 erhalten wird. In einem Fall, bei dem ein kapazitiver Wert der Lastschaltung 36 vergleichsweise klein ist, können die Abmessungen der Transistoren 23, 24, 26, 27, 31, 32, 34 und 35 reduziert werden. Bei geringeren Abmessungen der Transistoren 23, 27, 31 und 35 nehmen die Kapazitätswerte der Gates der Transistoren 23, 27, 31 und 35 ab, um die parasitären Widerstände der Knoten N22 und N27 zu reduzieren.
  • Daher ist es sogar ohne Kondensator 29 möglich, die Potentiale V22 und V27 an den jeweiligen Knoten N22 und N27 anzuheben oder abzusenken, nämlich durch Laden oder Entladen, was über die Widerstandselemente 22 und 28 durchgeführt wird. In dieser beispielhaften Modifikation wird eine geringere Belegungsfläche der Schaltung realisiert, da der Kondensator 29 entfernt ist.
  • Eine Treiberschaltung 37 der 8 stellt eine Konfiguration dar, die durch Entfernung der Transistoren 23, 27, 32 und 34 jeweils in Diodenverbindung aus der Treiberschaltung 20 der 4 erhalten wird. Für das Ausgangspotential gilt VO = VI + |VTP| – VTN. Wenn |VTR| ≈ VTN gewählt ist, dann gilt VO ≈ VI. Alternativ kann, sofern ein Wert von |VTR| – VTN als ein Offsetwert während der Verwendung betrachtet wird, die Schaltung in gleicher Weise wie die Treiberschaltung 20 der 4 verwendet werden.
  • In dieser beispielhaften Modifikation kann eine kleinere Belegungsfläche der Schaltung realisiert werden, da aufgrund der Entfernung der Transistoren 23, 27, 32 und 34 diese nicht vorliegen.
  • Eine Treiberschaltung 38 der 9 stellt eine Konfiguration dar, die erhalten wird, in dem weiterhin der Kondensator 29 aus der Treiberschaltung 37 der 8 entfernt wird. In einem Falle, bei dem der kapazitive Wert der Lastkapazität 36 vergleichsweise klein ist, können die Abmessungen der Transistoren 24, 26, 31 und 35 reduziert werden, um hierdurch die parasitäre Kapazität der Knoten N22 und N27 verkleinern zu können. Hierdurch wird eine Zunahme und Abnahme in den Potentialen V22 und V27 an den Knoten N22 und N27 sogar ohne den Kondensator 29 ermöglicht, indem Ladung und Entladung durch die Widerstandselemente 22 und 28 durchgeführt werden. In dieser beispielhaften Modifikation kann eine geringere Belegungsfläche der Schaltung realisiert werden, da der Kondensator 29 aufgrund seiner Entfernung nicht vorhanden ist.
  • Zur zweiten Ausführungsform:
  • Während in der ersten Ausführungsform angenommen wird, das alle Transistoren mit der gleichen Polarität die gleiche Schwellenspannung aufweisen, tritt tatsächlich in einigen Fällen eine Variation in den Schwellenspannungen der jeweiligen Transistoren auf, die durch Fluktuationen in den Parametern der Produktionsbedingungen hervor gerufen wird. Bei einer Variation in den erzeugten Schwellenspannungen wird VI = VO nicht erzielt. In der zweiten Ausführungsform ist dieses Problem zu lösen.
  • 10 ist ein Schaltplan, der eine Konfiguration einer Pegelverschiebungsschaltung 40 einer Treiberschaltung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt, der mit der Pegelverschiebungsschaltung 21 der 4 verglichen wird. Unter Bezugnahme auf 10 unterscheidet sich die Pegelverschiebungsschaltung 40 von der Pegelverschiebungsschaltung 21 der 4 darin, dass der N-Transistor 23 und der P-Transistor 24 durch Sicherungen 41.141.m, wobei m eine natürliche Zahl ist, N-Transistoren 42.042.m und P-Transistoren 43.043.m ersetzt werden.
  • Die Sicherungen 41.141.m sind alle aus Aluminiumdrähten oder dergleichen ausgebildet, die verwendet werden, um Transistoren untereinander zu verbinden. Jeweils eine Elektrode der Sicherungen 41.141.m ist bei allen mit dem Knoten N22 verbunden. Die Summe der Gatebreiten der N-Transistoren 42.042.m ist so gewählt, dass sie gleich groß ist wie die Gatebreite des N-Transistors 23 der 4. Das Gate und der Drain-Anschluss des N-Transistors 42.0 ist mit dem Knoten N22 verbunden. Die Gates und die Drain-Anschlüsse der N-Transistoren 42.142.m sind mit den jeweiligen anderen Elektroden der Sicherungen 41.1 bis 41.m verbunden. Die N-Transistoren 42.0 bis 42.m dienen alle als ein Diodenelement.
  • Die Summe der Gatebreiten der P-Transistoren 43.043.m ist so gewählt, dass sie gleich groß ist wie die Gatebreite des P-Transistors 24 der 4. Die P-Transistoren 43.043.m sind zwischen die entsprechenden Sources der N-Transistoren 42.042.m und den Knoten beim Massepotential GND geschaltet und alle empfangen die Eingangsspannung VI an ihren Gates.
  • Wie in der ersten Ausführungsform beschrieben, wird das Potential V22 am Knoten N22 nahezu durch die Schwellenspannungen der Transistoren 42.042.m und 43.043.m bestimmt. Weil allerdings ein Widerstandswert zwischen dem Knoten N22 und dem Knoten beim Massepotential GND relativ zu einem Widerstandswert des Widerstandselementes 22 zunimmt, nimmt das Potential V22 am Knoten N22 in Reaktion auf eine Zunahme im Widerstandswert leicht zu. Daher kann das Potential V22 am Knoten N22 durch Trennen einer geeigneten Anzahl von Sicherungen aus den Sicherungen 41.141.m mit Laserlicht leicht zunehmen. Sogar in einem Falle, bei dem der absolute Wert eines Schwellenwertes jedes der Transistoren 42.042.m und 43.043.m kleiner ist als ein Auslegungswert, kann das Potential V22 am Knoten N22 korrigiert werden.
  • Es ist festzustellen, dass, obwohl in der zweiten Ausführungsform sowohl der N-Transistor 23 als auch der P-Transistor 24 in m + 1 Teile unterteilt ist, ebenso nur einer, entweder der N-Transistor 23 oder der P-Transistor 24, in m + 1 Teile unterteilt werden kann oder nur einer der beiden Transistoren 23 und 24 in m + 1 Teile unterteilt werden kann und der andere in, beispielsweise, zwei Teile. Konkret können die Sources der P-Transistoren 43.143.m der 10 kurzgeschlossen werden, um einen P-Transistor auszubilden. Weiterhin ist es denkbar, dass nicht nur die Sicherungen 41.141.m zwischen die jeweiligen Sources der N-Transistoren 42.142.m und die entsprechenden Sources der P-Transistoren 43.143.m geschaltet werden, sondern die Sources der N-Transistoren 42.142.m können ebenfalls kurzgeschlossen werden, um einen N-Transistor auszubilden.
  • Zur dritten Ausführungsform:
  • 11 ist ein Schaltplan, der eine Konfiguration einer Pegelverschiebungsschaltung 45 einer Treiberschaltung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt, die mit der Pegelverschiebungsschaltung 25 der 4 verglichen wird. Unter Bezugnahme auf 11 unterscheidet sich die Pegelverschiebungsschaltung 45 von der Pegelverschiebungsschaltung 25 der 4 darin, dass die N-Transistoren 26 und P-Transistoren 27 mit Sicherungen 46.146.m, N-Transistoren 47.047.m und P-Transistoren 48.048.m ersetzt werden.
  • Die Sicherungen 46.146.m sind alle aus Aluminiumdrähten oder dergleichen ausgebildet, die zur gegenseitigen Verbindung von Transistoren untereinander verwendet werden. Jeweils eine Elektrode der Sicherungen 46.146.m ist stets mit einem Knoten beim vierten Energieversorgungspotential V4 verbunden.
  • Die Summe der Gate-Weiten der N-Transistoren 47.047.m wird so gewählt, dass sie zu der Gate-Weite des N-Transistors 26 der 4 gleich ist. Der Drain-Anschluss des N-Transistors 47.0 ist mit dem Knoten der vierten Energieversorgungsspannung V4 verbunden. Der N-Transistor 47.0 erhält hierüber das Eingangspotential VI an seinem Gate. Die Drain-Anschlüsse der N-Transistor 47.147.m sind zu den jeweiligen anderen Elektroden der Sicherungen 46.146.m verbunden. Die N-Transistoren 47.147.m empfangen alle das Eingangspotential VI an ihren Gates.
  • Die Summe der Gatebreiten der P-Transistoren 48.048.m ist so gewählt, dass sie zu einer Gatebreite des P-Transistors 27 in 4 gleich ist. Die P-Transistoren 48.048.m sind zwischen die jeweiligen Sources der N-Transistoren 47.047.m und den Knoten N27 geschaltet und alle ihre Gates sind mit dem Knoten N27 verbunden. Die P-Transistoren 48.048.m dienen alle als ein Diodenelement.
  • Wie in der ersten Ausführungsform beschrieben, wird das Potential V27 am Knoten N27 nahezu durch die Schwellenspannungen der Transistoren 47.047.m und 48.048.m bestimmt. Weil jedoch ein Widerstandswert zwischen dem Knoten beim vierten Energieversorgungspotential V4 und dem Knoten N27 relativ zu einem Widerstandswert des Widerstandselements 28 zunimmt, fällt das Potential V27 am Knoten N27 in Reaktion auf eine Zunahme in dem Widerstandswert leicht. Daher kann durch Trennung einer geeigneten Anzahl von Sicherungen von den Sicherungen 46.146.m mittels Laserlicht das Potential V27 am Knoten N27 leicht abgesenkt werden. Sogar in einem Falle, bei dem der Absolutwert jedes der Transistoren 47.047.m und 48.048.m kleiner ist als ein Auslegungswert, kann ein Potential V27 am Knoten N27 korrigiert werden.
  • Es ist zu bemerken, dass, während in der dritten Ausführungsform sowohl der N-Transistor 26 als auch der P-Transistor 27 in m + 1 Teile unterteilt ist, nur einer, d. h. entweder der N-Transistor 26 oder der P-Transistor 27, in m + 1 Teile unterteilt werden kann oder einer von dem N-Transistor 26 und dem P-Transistor 27 wird in m + 1 Teile unterteilt und der andere wird in, beispielsweise, zwei Teile unterteilt. Konkret können die Sources der P-Transistoren 48.148.m der 11 kurzgeschlossen werden, um einen P-Transistor zu bilden. Weiterhin ist es denkbar, dass nicht nur die Sicherungen 41.141.m zwischen die jeweiligen Sources der N-Transistoren 47.147.m und die entsprechenden Sources der P-Transistoren 48.148.m geschaltet werden, sondern auch die Sources der N-Transistoren 47.147.m kurzgeschlossen werden, um einen N-Transistor auszubilden.
  • Weiterhin können selbstverständlich die zweiten und dritten Ausführungsformen kombiniert werden und die Pegelverschiebungsschaltungen 21 und 25 der 4 werden durch die entsprechenden Pegelverschiebungsschaltungen 40 und 45 ersetzt.
  • Zur vierten Ausführungsform:
  • 12 ist ein Schaltplan, der eine Konfiguration einer Pegelverschiebungsschaltung 50 einer Treiberschaltung gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt, der mit der Pegelverschiebungsschaltung 21 der 4 verglichen wird.
  • Unter Bezugnahme auf 12 unterscheidet sich die Pegelverschiebungsschaltung 50 von der Pegelverschiebungsschaltung 21 der 4 darin, dass das Widerstandselement 22 durch Widerstandselemente 51.051.i und Sicherungen 52.152.i ersetzt wird, wobei i eine natürliche Zahl ist.
  • Die Summe der Widerstandswerte der Widerstandselemente 51.051.i wird so gewählt, dass sie nahezu einem Widerstandswert des Widerstandselementes 22 der 4 gleicht. Die Widerstandselemente 51.051.i werden in Serie zwischen einen Knoten beim dritten Energieversorgungspotential V3 und den Knoten N22 geschaltet.
  • Die Sicherungen 52.152.i sind alle aus Aluminiumdrähten oder dergleichen gebildet, wie sie zur gegenseitigen Verbindung von Transistoren untereinander verwendet werden. Die Sicherungen 52.152.i sind zu entsprechenden Widerstandselementen 51.151.i parallelgeschaltet.
  • Wie in der ersten Ausführungsform beschrieben, wird das Potential V22 am Knoten N22 nahezu durch die Schwellenspannungen der Transistoren 23 und 24 bestimmt. Weil jedoch ein Widerstandswert zwischen den Knoten beim dritten Energieversorgungspotential V3 und dem Knoten N22 relativ zu Widerstandswerten der Widerstandselemente 23 und 24 in geöffnetem Zustand zunimmt, fällt das Potential V22 am Knoten N22 in Reaktion auf eine Zunahme in dem Widerstandswert leicht. Daher kann durch Trennung einer geeigneten Anzahl von Sicherungen von den Sicherungen 52.152.i mittels Laserlicht das Potential V22 am Knoten N22 leicht abgesenkt werden. Sogar in einem Falle, bei dem der absolute Wert jedes der Schwellenwerte der Transistoren 23 und 24 höher ist als ein Auslegungswert, kann ein Potential V22 am Knoten N22 korrigiert werden.
  • Zur fünften Ausführungsform:
  • 13 ist ein Schaltplan, der eine Konfiguration einer Pegelverschiebungsschaltung 55 einer Treiberschaltung gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt, der mit der Pegelverschiebungsschaltung 25 der 4 verglichen wird. Unter Bezugnahme auf 13 unterscheidet sich die Pegelverschiebungsschaltung 55 von der Pegelverschiebungsschaltung 25 der 4 darin, dass das Widerstandselement 28 durch Widerstandselemente 56.056.i und Sicherungen 57.157.i ersetzt ist.
  • Die Summe der Widerstandswerte der Widerstandselemente 56.056.i ist so gewählt, dass sie nahezu einem Widerstandswert des Widerstandselementes 28 der 4 gleich ist. Die Widerstandselemente 56.056.i sind in Serie zwischen den Knoten N27 und einen Knoten beim fünften Energieversorgungspotential V5 geschaltet.
  • Die Sicherungen 57.157.i sind alle aus Aluminiumdrähten oder dergleichen ausgebildet, wie sie in der gegenseitigen Verbindung von Transistoren untereinander verwendet werden. Die Sicherungen 57.157.i sind parallel zu entsprechenden Widerstandselementen 56.156.i geschaltet.
  • Wie für die erste Ausführungsform beschrieben, ist das Potential V27 am Knoten N27 nahezu durch die Schwellenspannungen der Transistoren 26 und 27 bestimmt. Da jedoch ein Widerstandswert zwischen dem Knoten N27 und dem Knoten beim fünften Energieversorgungspotential V5 relativ zu einem Widerstandswert der Widerstandselemente 26 und 27 in geöffnetem Zustand zunimmt, nimmt das Potential V22 am Knoten N22 in Reaktion auf eine Zunahme in dem Widerstandswert leicht zu. Daher kann durch Trennung einer geeigneten Anzahl von Sicherungen von den Sicherungen 57.157.i mittels Laserlicht das Potential V27 am Knoten N27 leicht erhöht werden. Sogar in einem Fall, bei dem der Absolutwert jedes der Schwellenwerte der Transistoren 26 und 27 größer ist als ein Auslegungswert, kann ein Potential V27 am Knoten N27 korrigiert werden.
  • Darüberhinaus kann selbstverständlich die vierte und die fünfte Ausführungsform kombiniert werden und Pegelverschiebungsschaltungen 21 und 25 der 4 werden ersetzt durch die entsprechenden Pegelverschiebungsschaltungen 50 und 55.
  • In den oben beschriebenen ersten bis fünften Ausführungsformen, können die Feldeffekttransistoren MOS-Transistoren oder TFTs („Thin Film Transistors") sein. Widerstandselemente können aus einem Metall mit einem hohen Schmelzpunkt gefertigt sein, können mit einer Schicht, die durch Eindiffundieren von Fremdatomen hergestellt ist, oder Feldeffekttransistoren hergestellt sein, um eine Belegungsfläche zu oder Feldeffekttransistoren hergestellt sein, um eine Belegungsfläche zu reduzieren. Selbstverständlich werden die oben beschriebenen Treiberschaltungen, in einer Flüssigkristallanzeigeneinrichtung oder dergleichen, nicht nur zur Übertragung eines Abstufungspotentials verwendet, sondern ebenso auch als ein analoger Puffer, der ein Potential an einem Ausgangsknoten steuert, so dass das Ausgangspotential das gleiche ist wie ein Eingangsanalogpotential.
  • Zur sechsten Ausführungsform:
  • Für ein Charakteristikum einer Treiberschaltung ist es ein Idealzustand, dass, wie in einer charakteristischen Linie der 14, das Eingangspotential VI und das Ausgangspotential VO einander gleich sind. Die Charakteristika der in den ersten bis fünften Ausführungsformen gezeigten Treiberschaltungen sind so, wie durch eine charakteristische Linie B der 14 gezeigt, wobei eine Differenz Δ zwischen einem idealen Wert und dem tatsächlichen Wert von VO mit einer Zunahme in VI zunimmt.
  • Der Grund hierfür liegt darin, dass in der in 15 gezeigten Pegelverschiebungsschaltung 21' dann, wenn per Definition ein Widerstandswert des Widerstandselementes 22 R ist, ein Stromwert, der in dem Widerstandselement 22 und dem P-Transistor 24 fließt, i ist und ein Stromverstärkungsfaktor des P-Transistors 24 β ist, die folgenden Formeln (9) und (10) gelten: V22 = VDD – Ri (9) i = (VI – VTP – V22)2 β/2, (10)wobei dann, wenn Rβ/2 = K ist, V22 durch eine folgende Formel gegeben ist:
    Figure 00230001
  • Es ergibt sich aus der Formel (11), das mit einer Zunahme in VI eine Differenz zwischen einem idealen Wert von V22, VI – VTP, und einem tatsächlichen Wert zunimmt. Daher nimmt eine Differenz zwischen einem idealen Wert von V4 und einem tatsächlichen Wert mit einer Zunahme in VI zu.
  • Um dieses Problem zu lösen, wird in der sechsten Ausführungsform, wie in 16 gezeigt, ein Widerstandselement 22 durch eine konstante Stromquelle 62 ersetzt. In einer Pegelverschiebungsschaltung der 16 gilt die folgende Formel (12): i = (VI – VTP – V22)2 β/2 (12)
  • Die folgende Formel (13) kann aus der Formel (12) hergeleitet werden:
    Figure 00240001
  • Daher ist in der Pegelverschiebungsschaltung der 16 eine Differenz zwischen einem idealen Wert VI – VTP und einem tatsächlichen Wert von V22 konstant, unabhängig von VI. Weiterhin wird es durch Wahl eines Wertes von β zu einem Wert, der in ausreichender Weise größer ist als ein konstanter Stromwert i, möglich, dass VO ungefähr gleich zu einem idealen Wert VI – VTP ist. Die Treiberschaltung 60 der sechsten Ausführungsform wird unten konkret beschrieben.
  • 17 ist ein Schaltplan, der eine Konfiguration der Treiberschaltung 60 gemäß der sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Unter Bezugnahme auf 17 unterscheidet sich die Treiberschaltung 60 von der Treiberschaltung 20 der 4 darin, dass Pegelverschiebungsschaltungen 21 und 25 mit entsprechenden Pegelverschiebungsschaltungen 61 und 63 ersetzt werden. Die Pegelverschiebungsschaltung 61 weist eine Konfiguration auf, die durch Ersetzen des Widerstandselementes 22 der Pegelverschiebungsschaltung 21 mit einer konstanten Stromquelle 62 erhalten wird. Die Pegelverschiebungsschaltung 63 weist eine Konfiguration auf, die durch Ersetzen des Widerstandselementes 28 der Pegelverschiebungsschaltung 25 mit einer konstanten Stromquelle 64 erhalten wird.
  • Die konstante Stromquelle 62, wie in 18 beschrieben, enthält P-Transistoren 65 und 66 und ein Widerstandselement 67. Der P-Transistor 65 ist zwischen eine Leitung bei der dritten Energieversorgungsspannung V3 und den Knoten N22 geschaltet. Der P-Transistor 66 und das Widerstandselement 67 sind in Serie zwischen die Leitung beim dritten Energieversorgungspotential V3 und eine Leitung beim Massepotential GND geschaltet. Die Gates der P-Transistoren 65 und 66 sind beide mit dem Drain-Anschluss des P-Transistors 66 verbunden. Die P-Transistoren 65 und 66 stellen eine Stromspiegelschaltung dar. Ein konstanter Strom, der zu einem Widerstandswert des Widerstandselementes 67 korrespondiert, fließt in dem P-Transistor 66 und Widerstandselement 67. Ein konstanter Strom, der zu einem Wert eines konstanten Stromes, der in dem P-Transistor 66 fließt, korrespondiert, fließt in dem P-Transistor 65. Es ist festzustellen, dass, während eine Elektrode des Widerstandselementes 67 mit einer Leitung beim Massepotential GND verbunden ist, diese eine Elektrode des Widerstandselementes 67 mit einer Leitung verbunden sein kann, an das ein anderes Energieversorgungspotential anliegt, das niedriger ist als ein Potential, das durch Subtraktion des absoluten Wertes |VTP| einer Schwellenspannung des P-Transistors 66 von dem dritten Energieversorgungspotential V3 erhalten wird. Weiterhin ist ein Transistor vom Verarmungstyp, in dem das Gate mit der Source verbunden ist, zwischen der Leitung bei einem dritten Energieversorgungspotential V3 und dem Knoten N22 anstelle der Transistoren 65 und 66 und des Widerstandselementes 67 als eine konstante Stromquelle vorgesehen.
  • Die konstante Stromquelle 64 beinhaltet ein Widerstandselement 68 und N-Transistoren 69 und 70. Das Widerstandselement 68 und der N-Transistor 69 sind in Serie zwischen einer Leitung bei einem vierten Energieversorgungspotential V4 und einer Leitung bei einem fünften Energieversorgungspotential V5 geschaltet. Der N-Transistor 70 ist zwischen den Knoten N27 und die Leitung bei dem fünften Energieversorgungspotential V5 geschaltet. Die Gates der N-Transistoren 69 und 74 sind beide mit dem Drain-Anschluss des N-Transistors 69 verbunden. Die N-Transistoren 69 und 70 stellen eine Stromspiegelschaltung dar. Ein konstanter Strom mit einem Wert, der zu einem Widerstandswert des Widerstandselementes 68 korrespondiert, fließt in dem Widerstandselement 68 und dem N-Transistor 69. Ein konstanter Strom mit einem Wert, der zu einem Wert eines konstanten Stromes, der durch den N-Transistor 69 fließt, korrespondiert, fließt in dem N-Transistor 70. Es ist anzumerken, dass, während eine Elektrode des Widerstandselementes 68 mit dem vierten Energieversorgungspotential V4 verbunden ist, diese eine Elektrode des Widerstandselementes 68 mit einer Leitung bei einem anderen Energieversorgungspotential verbunden werden kann, das höher ist als ein Potential, das durch Addition einer Schwellenspannung VTN des N- Transistors 69 zu dem fünften Energieversorgungspotential V5 erhalten wird. Ein Transistor vom Verarmungstyp, in dem das Gate mit der Source verbunden ist, kann zwischen der Leitung bei dem fünften Energieversorgungspotential V5 und dem Knoten N27 anstelle der Transistoren 69 und 70 und des Widerstandselementes 68 als eine konstante Stromquelle vorgesehen werden. Da die anderen Teile der Konfiguration und der darin ablaufenden Arbeitsweisen die gleichen sind wie entsprechende Teile der Konfiguration und der darin ablaufenden Arbeitsweisen der Treiberschaltung 20 der 4, wird keine der diesbezüglichen Beschreibungen wiederholt.
  • Da in der sechsten Ausführungsform die Widerstandselemente 22 und 28 der Treiberschaltung 20 der 4 durch die entsprechenden konstanten Stromquellen 62 und 64 ersetzt sind, kann erreicht werden, dass das Ausgangspotential VO dem Eingangspotential VI ohne Rücksicht auf das Eingangspotential VI gleich ist.
  • Verschiedene beispielhafte Modifikationen der sechsten Ausführungsform werden nunmehr beschrieben. Eine Treiberschaltung 71 der 19 weist eine Konfiguration auf, die durch die Entfernung des Kondensators 29 aus der Treiberschaltung 60 der 18 erhalten wird. Diese beispielhafte Modifikation ist nützlich in einem Fall, bei dem ein kapazitiver Wert der Lastkapazität 36 vergleichsweise gering ist. In diesem Beispiel ist der Belegungsfläche der Schaltung reduziert, da der Kondensator 29 aufgrund seiner Entfernung nicht vorhanden ist.
  • Eine Treiberschaltung 72 der 20 weist eine Konfiguration auf, die durch Entfernung der N-Transistoren 23 und 34 und P-Transistoren 27 und 32 aus der Treiberschaltung 60 der 18 erhalten wird. In dieser beispielhaften Modifikation kann die Belegungsfläche der Schaltung reduziert werden, da die Transistoren 23, 27, 32 und 34 aufgrund ihrer Entfernung nicht vorhanden sind. Das Ausgangspotential ist VO = VI + |VTP| – VTN.
  • Eine Treiberschaltung 73 der 21 weist eine Konfiguration auf, die durch Entfernung des Kondensators 29 aus der Treiberschaltung 72 der 20 erhalten wird. Diese beispielhafte Modifikation ist nützlich in einem Fall, bei dem ein kapazitiver Wert der Lastkapazität 36 vergleichsweise klein ist. In dieser beispielhaften Modifikation ist die Belegungsfläche der Schaltung reduziert, da der Kondensator 29 aufgrund seiner Entfernung nicht vorhanden ist.
  • Zur siebten Ausführungsform:
  • In der Treiberschaltung 20 der 4 führen dann, wenn beispielsweise die Lastkapazität 36 geladen oder entladen wird, die Transistoren 31, 32, 34 und 35 jeweils eine sogenannte Source-Follower-Funktion durch. Zu diesem Zeitpunkt sind dann, wenn das Ausgangspotential VO sich dem Eingangspotential VI nähert, die Gate-zu-Source-Spannungen der Transistoren 31, 32, 34 und 35 reduziert, um hierdurch die Stromtreiberfähigkeiten der Transistoren 31, 32, 34 und 35 zu absenken. Die Reduzierung in den Stromtreiberfähigkeiten der Transistoren 32 und 34 kann durch Vergrößerung ihrer Gatebreiten verhindert werden, während Vergrößerungen in den Gatebreiten der Transistoren 31 und 35 eine Zunahme in der Gatekapazität mit sich bringen, was zu einer Abnahme der Arbeitsgeschwindigkeit der Treiberschaltung 20 führt. In der siebten Ausführungsform ist dieses Problem zu lösen.
  • 22 ist ein Schaltplan, der eine Konfiguration einer Treiberschaltung 75 gemäß einer siebten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Unter Bezugnahme auf 22 weist die Treiberschaltung 75 eine Konfiguration auf, die durch Hinzufügen der Kondensatoren 76 und 75 zu der Treiberschaltung 71 der 19 erhalten wird. Eine Elektrode des Kondensators 76 erhält ein Spannungserhöhungs-Signal ΦB und die andere Elektrode des Kondensators 76 ist mit dem Knoten N22 verbunden. Eine Elektrode des Kondensators 77 erhält ein zum Spannungserhöhungssignal ΦB komplementäres Signal /ΦB und die andere Elektrode des Kondensators 77 ist mit dem Knoten N27 verbunden.
  • 23 ist ein Zeitgraph, der Arbeitsweisen der in 22 gezeigten Treiberschaltung 75 zeigt. In 23 sind die Übergangszeiten der Potentiale V22 und V27 an den entsprechenden Knoten N22 und N27 und des Ausgangspotentials VO gezeigt länger dargestellt, als sie tatsächlich sind, um das Verständnis der Arbeitsweisen zu erleichtern. Wenn zu einem Zeitpunkt t1 das Eingangspotential VI von einem L-Pegel VL auf einen H-Pegel VH erhöht wird, nehmen die Potentiale V22, V27 und VO graduell zu. Wie oben beschrieben, nimmt jedes der Potentials V22, V27 und VO relativ schnell in einem Zyklus zu, bei dem das Potential wechselt, aber die Geschwindigkeit der Zunahme verlangsamt sich bei einem Punkt, der näher zu dem endgültigen Pegel liegt.
  • Zu einem Zeitpunkt t2, bei dem eine vorgegebene Zeit seit dem Zeitpunkt t1 vergangen ist, wird nicht nur das Spannungserhöhungssignal ΦB auf den H-Pegel angehoben, sondern ebenso wird das Signal /ΦB auf den L-Pegel abgesenkt. Wenn das Signal ΦB auf den H-Pegel angehoben wird, wird das Potential V22 am Knoten N22 durch den Kondensator 76 mittels kapazitiver Kopplung um eine vorgegebene Spannung ΔV1 erhöht. Wenn das Signal /ΦB auf den L-Pegel erniedrigt wird, wird das Potential V27 am Knoten N27 durch den Kondensator 77 mittels kapazitiver Kopplung um eine vorgegebene Spannung ΔV2 abgesenkt. Zu diesem Zeitpunkt führt die Treiberschaltung 75 eine Arbeitsweise aus, um VH beim H-Pegel an den Ausgangsknoten N30 auszugeben. Weil ein Widerstandswert des N-Transistors 31 im geöffneten Zustand kleiner ist als derjenige des P-Transistors 35 ist eine Pegelerhöhungswirkung durch V22 stärker als eine Pegelabsenkungswirkung durch V27, um das Ausgangspotential VO ab dem Zeitpunkt t2 rasch zu erhöhen (während in einem Fall, bei dem die Spannung V22 nicht erhöht wird, das Ausgangspotential VO sich so verhält, wie es mit einer durchbrochenen Linie gezeigt ist).
  • Ein Strom fließt aus dem Knoten N22 durch Transistoren 23 und 24 zu einer Leitung beim Massepotential GND, um hierdurch das erhöhte Potential V22 auf VI + |VTP| + VTN abzusenken. Der Knoten 27 erhält einen einfließenden Strom von einer Leitung beim vierten Energieversorgungspotential V4 durch die Transistoren 26 und 27, um hierdurch das abgesenkte Potential V27 auf VI – |VTP| – VTN anzuheben.
  • Zum Zeitpunkt t3 ist nicht nur das Spannungserhöhungssignal ΦB auf den L-Pegel abgesenkt, sondern ebenso ist das Signal /ΦB auf den H-Pegel angehoben. Wenn das Signal ΦB auf den L-Pegel fällt, wird das Potential V22 am Knoten N22 durch den Kondensator 76 mittels kapazitiver Kopplung um die vorgegebene Spannung ΔV1 abgesenkt. Wenn das Signal /ΦB auf den H-Pegel angehoben wird, wird das Potential V27 am Knoten N27 durch den Kondensator 77 mittels kapazitiver Kopplung um die vorgegebene Spannung ΔV2 angehoben. Sogar wenn V22 um ΔV1 fällt, hat die Pull-up-Schaltung 30 nicht die Fähigkeit, das Ausgangspotential VO abzusenken. Sogar wenn V27 um ΔV2 steigt, hat die Pull-down-Schaltung 33 nicht die Fähigkeit, das Ausgangspotential VO zu erhöhen, so dass keine Änderung im Ausgangspotential VO auftritt.
  • Ein Strom fließt von einer Leitung beim dritten Energieversorgungspotential V3 in den Knoten N22 durch den P-Transistor 65, um hierdurch das abgesenkte Potential V22 auf VI + |VTP| + VTN zu erhöhen. Da eine Strom-Treiberfähigkeit des P-Transistors 65 für geringen Stromverbrauch gering gewählt ist, dauert jedoch eine Zeit, die erforderlich ist, um das Potential V22 am Knoten N22 auf einen Pegel VI + |VTR| + VTN in einem stationären Zustand anzuheben, länger als eine Zeit, die erforderlich ist, um das Potential V22 auf den Pegel VI + |VTR| + VTN fallen zu lassen.
  • Ein Strom fließt aus dem Knoten N27 zu einer Leitung bei einem fünften Energieversorgungspotential V5 durch den N-Transistor 70, um hierdurch das erhöhte Potential V27 auf VI – VTN – |VTP| abzusenken. Weil eine Stromtreiberfähigkeit des N-Transistors für niedrigen Stromverbrauch gering gewählt ist, dauert jedoch eine Zeit, die erforderlich ist, um das Potential V27 am Knoten 27 auf einen Pegel VI – VTN – |VTP| in einem stationären Zustand abfallen zu lassen, länger als eine Zeit, die erforderlich ist, um das Potential V27 auf einen Pegel VI – VTN – |VTP| steigen zu lassen.
  • Wenn sodann zu einem Zeitpunkt t4 das Eingangspotential VI von dem H-Pegel VH auf den L-Pegel VL gefallen ist, fallen die Potentiale V22, V27 und V4 graduell. Jedes der Potentiale V22, V27 und V4 fällt relativ rasch in der Anfangsphase einer Potentialänderung, aber eine Abfallgeschwindigkeit verlangsamt sich zu einem Zeitpunkt näher dem endgültigen Pegel.
  • Zum Zeitpunkt t5, wenn eine vorgegebene Zeit seit dem Zeitpunkt t4 vergangen ist, wird nicht nur das Spannungserhöhungssignal ΦB auf den H-Pegel angehoben, sondern auch das Signal /ΦB wird auf den L-Pegel abgesenkt. Wenn das Signal ΦB auf den H-Pegel erhöht wird, wird das Potential V22 am Knoten N22 durch den Kondensator 76 mittels kapazitiver Kopplung um die vorgegebene Spannung ΔV1 erhöht. Wenn das Signal /ΦB auf den L-Pegel abgesenkt wird, wird das Potential V27 am Knoten N27 durch den Kondensator 77 mittels kapazitiver Kopplung um die vorgegebene Spannung ΔV2 erniedrigt. Zu diesem Zeitpunkt führt die Treiberschaltung 75 eine Funktion durch, um VL beim L-Pegel an den Ausgangsknoten N30 auszugeben. Weil ein Widerstandswert des P-Transistors 35 im geöffneten Zustand kleiner ist als derjenige des N-Transistors 31, ist eine Pegelabsenkungswirkung um V27 stärker als eine Pegelerhöhungswirkung um V22, um das Ausgangspotential VO zum Zeitpunkt t5 schnell abzusenken (während in einem Fall, bei dem V27 nicht abgesenkt ist, das Ausgangspotential VO sich verhält wie mit einer durchbrochenen Linie gezeigt).
  • Ein Strom fließt von einem Knoten N22 zu einer Leitung bei einem Massepotential GND durch Transistoren 23 und 24, um hierdurch das erhöhte Potential V22 auf VI + |VTP| + VTN abzusenken. Das abgesenkte Potential V27 erhält einfließenden Strom von einer Leitung bei einem vierten Energieversorgungspotential V4 zu dem Knoten N27 durch die Transistoren 26 und 27, um hierdurch das abgesenkte Potential V27 auf VI – |VTP| – VTN zu erhöhen.
  • Zum Zeitpunkt t6 ist nicht nur das Spannungserhöhungssignal ΦB auf den L-Pegel abgesenkt, sondern ebenso ist das Signal /ΦB auf den H-Pegel angehoben. Wenn das Signal ΦB auf den L-Pegel fällt, wird das Potential V22 am Knoten N22 durch den Kondensator 76 mittels kapazitiver Kopplung um die vorgegebene Spannung ΔV1 abgesenkt. Wenn das Signal /ΦB auf den H-Pegel angehoben wird, wird das Potential V27 am Knoten N27 durch den Kondensator 77 mittels kapazitiver Kopplung um die vorgegebene Spannung ΔV2 angehoben. Sogar wenn V22 um ΔV1 fällt, hat die Pull-up-Schaltung 30 nicht die Fähigkeit, das Ausgangspotential VO abzusenken. Sogar wenn V27 um ΔV2 steigt, hat der Pull-down-Schaltkreis 33 nicht die Fähigkeit, das Ausgangspotential VO zu erhöhen. Daher tritt keine Änderung im Ausgangspotential VO auf.
  • Ein Strom fließt von einer Leitung bei einem dritten Energieversorgungspotential V3 durch den P-Transistor 65 zum Knoten N22, um hierdurch das abgesenkte Potential V22 auf VI + |VTP| + VTN anzuheben. Weil eine Stromtreiberfähigkeit des P-Transistors 65 für niedrigen Stromverbrauch klein gewählt wird, dauert jedoch eine Zeit, die erforderlich ist, um das Potential V22 am Knoten N22 auf einen Pegel VI + |VTR| + VTN im stationären Zustand anzuheben, länger als eine Zeit, die für das Potential V22 erforderlich ist, um auf den Pegel VI + |VTR| + VTN zu fallen.
  • Ein Strom fließt vom Knoten N27 zu einer Leitung bei einem fünften Energieversorgungspotential V5 durch den N-Transistor 70, um hierdurch das angehobene Potential V27 auf VI – VTN – |VTP| abzusenken. Weil eine Stromtreiberfähigkeit des N-Transistors 70 für niedrigen Stromverbrauch klein gewählt ist, dauert jedoch eine Zeit, die erforderlich ist, um das Potential V27 am Knoten N27 auf einen Pegel VI – VTN – |VTP| im stationären Zustand anzuheben, länger als eine Zeit, die für das Potential V22 erforderlich ist, um auf den Pegel VI – VTN – |VTP| anzusteigen.
  • Da in der siebten Ausführungsform das Potential V22 am Knoten N22 auf ein Potential erhöht wird, das höher ist als das Potential VI + |VTP| + VTN, welches das Potential V22 am Knoten N22 in einem stationären Zustand in Reaktion auf eine Zunahme des Eingangspotentials VI vom L-Pegel auf den H-Pegel erreichen sollte, kann die Anstiegsgeschwindigkeit des Ausgangspotentials VO erhöht werden. Da weiterhin das Potential V27 am Knoten N27 auf ein Potential abgesenkt wird, welches niedriger ist als das Potential VI – VTN – |VTP|, welches das Potential V27 am Knoten N27 in einem stationären Zustand in Reaktion auf einen Abfall im Eingangspotential VI vom H-Pegel auf den L-Pegel erreichen sollte, kann die Abfallgeschwindigkeit des Ausgangspotentials VO erhöht werden. Dementsprechend kann die Antwortgeschwindigkeit der Treiberschaltung 75 erhöht werden.
  • 24 ist ein Schaltplan, der eine Konfiguration einer Treiberschaltung 78 gemäß einer beispielhaften Modifikation der siebten Ausführungsform zeigt. Die Treiberschaltung 78 weist eine Konfiguration auf, die durch die Entfernung der Transistoren 23, 27, 32 und 34 aus der Treiberschaltung 75 der 22 erhalten wird. In dieser beispielhaften Modifikation ist die Belegungsfläche der Schaltung reduziert, da die Transistoren 23, 27, 32 und 34 aufgrund ihrer Entfernung nicht vorhanden sind, während das Ausgangspotential VO = VI + VTP – |VTP| ist.
  • Achte Ausführungsform:
  • 25 ist ein Schaltplan, der eine Konfiguration einer Treiberschaltung 80 gemäß einer achten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Unter Bezugnahme auf 25 weist die Treiberschaltung 80 eine Konfiguration auf, die durch Hinzufügen eines P- Transistors 81 und eines N-Transistors 82 zu der Treiberschaltung 71 der 19 erhalten wird. Der P-Transistor 81 ist zwischen eine Leitung bei dem dritten Energieversorgungspotential V3 und Knoten N22 geschaltet und erhält ein Pull-up-Signal /ΦP an seinem Gate. Der N-Transistor 82 ist zwischen den Knoten N27 und eine Leitung bei dem fünften Energieversorgungspotential V5 geschaltet und erhält ein zu dem Pull-up-Signal ΦP komplementäres Signal /ΦP an seinem Gate.
  • Die Signale ΦP und /ΦP erhalten eine Pegeländerung zu Zeitpunkten, die zu denjenigen der Signale ΦB und /ΦB gleich sind, die in der siebten Ausführungsform gezeigt sind. D. h., wenn eine vorgegebene Zeit vergangen ist, nachdem das Eingangssignal VI von VL beim L-Pegel auf VH beim H-Pegel erhöht worden ist, werden die Signale /ΦP und ΦP impulsartig auf die L- bzw. H-Pegel getrieben, um zu bewirken, dass der P-Transistor 81 und der N-Transistor 82 impulsartig leitend werden. Dadurch wird das Potential V22 am Knoten N22 auf ein Potential erhöht, das erhalten wird, indem das dritte Energieversorgungspotential V3 über den Transistor 81 und ein Paar von Transistoren 23 und 24 aufgeteilt wird, um danach einen vorgegebenen Wert VI + |VTP| + VTN zu erreichen. Weiterhin wird das Potential V27 am Knoten N27 auf ein Potential abgesenkt, das erhalten wird, indem eine Spannung V4–V5 zwischen dem vierten Energieversorgungspotential V4 und dem fünften Energieversorgungspotential V5 über einem Paar von Transistoren 26 und 27 und dem Transistor 82 aufgeteilt wird, um hiernach einem vorgegebenen Wert VI – VTN – |VTP| zu erreichen. Wie in der siebten Ausführungsform beschrieben, bewirkt zu diesem Zeitpunkt eine Ladungswirkung durch den N-Transistor 31, stärker als eine Entladungswirkung durch den P-Transistor 35, dass das Ausgangspotential VO rasch dem Eingangspotential VI gleich wird. Wenn das Eingangspotential VI von VH beim H-Pegel auf VL beim L-Pegel abgesenkt wird, ist eine Entladungswirkung des P-Transistors 35 stärker als eine Ladungswirkung des N-Transistors 31, um zu bewirken, dass das Ausgangspotential VO rasch dem Eingangspotential VI gleich wird.
  • In der achten Ausführungsform können dieselben Effekte wie auch in der siebten Ausführungsform erhalten werden.
  • Verschiedene beispielhafte Modifikationen der achten Ausführungsform werden nunmehr beschrieben. Eine Treiberschaltung 86 der 26 weist eine Konfiguration auf, die durch Entfernen der N-Transistoren 23 und 34 und der P-Transistoren 27 und 32 aus der Treiberschaltung 80 der 25 erhalten wird. In dieser beispielhaften Modifikation ist eine Belegungsfläche der Schaltung reduziert, weil die Transistoren 23, 27, 32 und 34 aufgrund ihrer Entfernung nicht vorhanden sind, während das Ausgangspotential VO = VI + |VTP| – VTN ist.
  • Die Treiberschaltung 85 der 27 weist eine Konfiguration auf, die durch Hinzufügung eines N-Transistors 86 und eines P-Transistors 87 zu der Treiberschaltung 80 der 25 erhalten wird. Der N-Transistor 86 ist zwischen die Source des P-Transistors 24 und eine Leitung beim Massepotential GND geschaltet und erhält ein Pull-up-Signal /ΦP an seinem Gate. Der P-Transistor 87 ist zwischen eine Leitung bei einem vierten Energieversorgungspotential V4 und dem Drain-Anschluss des N-Transistors 26 geschaltet und erhält ein zum Pull-up-Signal /ΦP komplementäres Signal ΦP an seinem Gate. In dieser beispielhaften Modifikation kann es verhindert werden, dass ein Durchfließstrom in eine Leitung beim Massepotential GND von einer Leitung bei dem dritten Energieversorgungspotential V3 durch die Transistoren 81, 23, 24 und 86 fließt, weil der N-Transistor 86 nicht leitend wird, wenn der P-Transistor 81 leitend ist. Da weiterhin der P-Transistor 87 nicht leitend wird, wenn der N-Transistor 82 leitend ist, kann es verhindert werden, dass ein Durchfließstrom in eine Leitung bei dem fünften Energieversorgungspotential V4 von einer Leitung bei dem vierten Energieversorgungspotential durch die Transistoren 87, 26, 27 und 82 fließt. Daher ist der Stromverbrauch in den Schaltungen 61 und 63 reduziert.
  • Eine Treiberschaltung 88 der 28 weist eine Konfiguration auf, die durch Entfernung der N-Transistoren 23 und 34 und der P-Transistoren 27 und 32 aus der Treiberschaltung 85 der 27. erhalten wird. In dieser beispielhaften Modifikation ist eine Belegungsfläche der Schaltung reduziert, weil die Transistoren 23, 27, 32 und 34 aufgrund ihrer Entfernung nicht vorhanden sind, während das Ausgangspotential VO = VI + |VTP| – VTN ist.
  • Eine Treiberschaltung 90 der 29 weist eine Konfiguration auf, in der nicht nur anstelle des Massepotentials GND das Signal ΦP zu der Source des P-Transistors 24 der Treiberschaltung 80 der 25 gegeben ist, sondern auch das Signal /ΦP an den Drain-Anschluss des N-Transistors anstelle des vierten Energieversorgungspotentials V4 gegeben ist. In dieser beispielhaften Modifikation kann es verhindert werden, dass ein Durchfließstrom durch die Transistoren 81, 23 und 24 fließt, weil der Drain-Anschluss des P-Transistors 24 auf den H-Pegel getrieben ist, wenn der P-Transistor 24 leitend ist. Weiterhin kann es verhindert werden, dass ein Durchfließstrom durch die Transistoren 26, 27 und 82 fließt, weil der Drain-Anschluss des N-Transistors 26 auf den L-Pegel getrieben wird, wenn der N-Transistor 82 leitend ist. Daher kann der Stromverbrauch der Schaltungen 61 und 63 reduziert werden.
  • Eine Treiberschaltung 91 der 30 weist eine Konfiguration auf, die durch die Entfernung der N-Transistoren 23 und 34 und P-Transistoren 27 und 32 aus der Treiberschaltung 90 in der 29 erhalten wird. In dieser beispielhaften Modifikation ist eine Belegungsfläche der Schaltung reduziert, weil die Transistoren 23, 27, 32 und 34 aufgrund ihrer Entfernung nicht vorliegen, während das Ausgangspotential VO = VI + |VTP| – VTN ist.
  • Zur neunten Ausführungsform:
  • 31 ist ein Schaltplan, der eine Konfiguration einer Treiberschaltung 95 gemäß einer neunten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Unter Bezugnahme auf 31 unterscheidet sich die Treiberschaltung 95 von der Treiberschaltung 75 der 22 darin, dass die Pegelverschiebungsschaltungen 61 und 63 durch entsprechende Pegelverschiebungsschaltungen 96 und 102 ersetzt sind.
  • Die Pegelverschiebungsschaltung 96 weist eine Konfiguration auf, die durch Hinzufügung der P-Transistoren 97 und 98 und N-Transistoren 99 bis 101 zu der Pegelverschiebungsschaltung 61 erhalten wird. Der P-Transistor 97, die N-Transistoren 99 und 100 und der P-Transistor 98 sind in Serie zwischen eine Leitung beim dritten Energieversorgungspotential V3 und eine Leitung beim Massepotential GND geschaltet. Der N-Transistor 101 ist zwischen eine Leitung beim dritten Energieversorgungspotential V3 und den Knoten N22 geschaltet. Das Gate des P-Transistors 97 ist mit dem Gate des P- Transistors 66 verbunden. Daher fließt ein konstanter Strom mit einem Wert, der zu einem Wert eines konstanten Stromes, der in dem P-Transistor 66 fließt, korrespondiert, durch die Transistoren 97, 99, 100 und 98. Die Gates der N-Transistoren 99 und 100 sind mit ihren jeweiligen Drain-Anschlüssen verbunden. Jeder der N-Transistoren 99 und 100 arbeitet als eine Diode. Der P-Transistor 98 erhält das Eingangspotential VI an seinem Gate. Ein Potential V99 an einem Knoten zwischen den Transistoren 97 und 99 ist V99 = VI + |VTP| + 2VTN. V99 wird an das Gate des N-Transistors 101 gegeben. Der N-Transistor 101 lädt den Knoten N22 auf V99 – VTN = VI + |VTP| + VTN.
  • Die Pegelverschiebungsschaltung 102 weist eine Konfiguration auf, die durch Hinzufügen der N-Transistoren 103 und 104 und P-Transistoren 105 bis 107 zu der Pegelverschiebungsschaltung 63 erhalten wird. Der N-Transistor 103, die P-Transistoren 105 und 106 und der N-Transistor 104 sind in Serie zwischen eine Leitung bei dem vierten Energieversorgungspotential V4 und eine Leitung beim fünften Energieversorgungspotential V5 geschaltet. Der P-Transistor 107 ist zwischen den Knoten N27 und eine Leitung beim fünften Energieversorgungspotential V5 geschaltet. Der N-Transistor 103 erhält das Eingangspotential VI an seinem Gate. Die Gates der P-Transistoren 105 und 106 sind mit ihren jeweiligen Drain-Anschlüssen verbunden. Die P-Transistoren 105 und 106 arbeiten jeweils als eine Diode. Das Gate des N-Transistors 104 ist mit dem Gate des N-Transistors 69 verbunden. Ein konstanter Strom mit einem Wert, der zu einem Wert eines konstanten Stromes, der in dem N-Transistor 69 fließt, korrespondiert, fließt in den N-Transistor 104. Ein Potential V106 an einem Knoten zwischen den MOS-Transistoren 106 und 104 ist V106 = VI – VTN – 2|VTP|. V106 wird an das Gate des P-Transistors 107 gegeben. Der P-Transistor 107 entlädt den Knoten N27 auf V106 – |VTP| = VI – VTN – |VTP|. Weil die anderen Teile der Konfiguration und der in darin durchgeführten Arbeitsweisen die gleichen sind wie diejenigen in der Treiberschaltung 75 der 22, wird keine der entsprechenden Beschreibungen wiederholt.
  • 32 ist ein Zeitgraph, der Arbeitsweisen der in 31 gezeigten Treiberschaltung 95 zeigt, der mit der 23 verglichen wird. Unter Bezugnahme auf 23 kann in der Treiberschaltung 95 das Potential V22 am Knoten N22 auf den vorgegebenen Wert VI + |VTP| + VTN rasch wiederhergestellt werden, weil der Knoten N22 durch die Transistoren 97 bis 101 auf VI + |VTP| + VTN geladen wird, wenn das Potential V22 am Knoten N22 (zu den Zeitpunkten t3 und t6) niedriger wird als der vorgegebene Wert VI + |VTP| + VTN. Da weiterhin der Knoten N27 durch die Transistoren 103 bis 107 auf VI – VTN – |VTP| entladen wird, wenn das Potential V27 am Knoten N27 (zu den Zeitpunkten t3 und t6) größer wird als ein vorgegebener Wert VI – VTN – |VTP|, kann das Potential V27 am Knoten N27 auf den vorgegebenen Wert VI – VTN – |VTP| rasch wiederhergestellt werden. Daher kann eine Antwortgeschwindigkeit der Schaltung erhöht werden.
  • 33 ist ein Schaltplan, der eine beispielhafte Modifikation der neunten Ausführungsform zeigt. Eine Treiberschaltung 108 weist eine Konfiguration auf, die durch Entfernung der N-Transistoren 23, 34 und 100 und der P-Transistoren 27, 32 und 105 aus der Treiberschaltung 95 der 31 erhalten wird. In dieser beispielhaften Modifikation ist die Belegungsfläche der Schaltung reduziert, da die Transistoren 23, 27, 32, 34, 100 und 105 aufgrund ihrer Entfernung nicht vorhanden sind, während das Ausgangspotential VO = VI + |VTP| – VTN ist.
  • Zur zehnten Ausführungsform:
  • 34 ist ein Schaltplan, der eine Konfiguration einer Treiberschaltung 110 gemäß einer zehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. In 34 unterscheidet sich die Treiberschaltung 110 von der Treiberschaltung 95 der 31 darin, dass die Pegelverschiebungsschaltungen 96 und 102 durch entsprechende Pegelverschiebungsschaltungen 111 und 112 ersetzt sind.
  • Die Pegelverschiebungsschaltung 111 weist eine Konfiguration auf, in der die P-Transistoren 97 und 98 und der N-Transistor 100 aus der Pegelverschiebungsschaltung 96 entfernt sind. Der N-Transistor 99 ist zwischen die Source des P-Transistors 65 und den Knoten N22 geschaltet. Das Gate des N-Transistors 99 ist mit dem Drain-Anschluss des N-Transistors 99 und mit dem Gate des N-Transistors 101 verbunden. Das Potential V99 an den Gates der N-Transistoren 99 und 101 ist V99 = VI + |VTP| + 2VTN. Der N-Transistor 101 lädt den Knoten N22 auf V99 – VTN = VO + |VTP| + VTN.
  • Die Pegelverschiebungsschaltung 112 weist eine Konfiguration auf, in der die N-Transistoren 103 und 104 und der P-Transistor 105 aus der Pegelverschiebungsschal tung 102 entfernt sind. Der P-Transistor 106 zwischen den Knoten N27 und den Drain-Anschluss des N-Transistors 70 geschaltet. Das Gate des P-Transistors ist mit seinem Drain-Anschluss und dem Gate des P-Transistors 107 verbunden. Das Potential V106 an den Gates der P-Transistoren 106 und 107 ist V106 = VI – VTN – 2|VTP|. Der P-Transistor 107 entlädt den Knoten N27 auf V106 + |VTP| = VI – VTN – |VTP|. Die anderen Teile der Konfiguration und der darin durchgeführten Funktionen sind die gleichen wie die entsprechenden Teile der Konfiguration der Treiberschaltung 95 aus 31 und den darin ablaufenden Arbeitsweisen. Daher werden die Beschreibungen hier nicht wiederholt.
  • In der zehnten Ausführungsform kann der gleiche Effekt wie in der neunten Ausführungsform erreicht werden. Darüberhinaus wird der Stromverbrauch reduziert, da eine Reduktion eines Stromes, der von einer Leitung bei dem dritten Energieversorgungspotential V3 zu einer Leitung beim Massepotential GND durch die Transistoren 97, 99, 100 und 98 fließt, und eines Stromes, der von einer Leitung beim vierten Energieversorgungspotential V4 zu einer Leitung bei einem fünften Energieversorgungspotential V5 durch Transistoren 103, 105, 106 und 104 fließt, erreicht werden kann. Da weiterhin die Transistoren 97, 98, 100 und 103 bis 105 aufgrund ihrer Entfernung nicht vorhanden sind, wird die Belegungsfläche der Schaltung reduziert.
  • 35 ist ein Schaltplan, der eine beispielhafte Modifikation der zehnten Ausführungsform zeigt. Eine Treiberschaltung 113 weist in dieser beispielhaften Modifikation eine Konfiguration auf, die durch Entfernung der N-Transistoren 23 und 34 und P-Transistoren 27 und 32 aus der Treiberschaltung 110 der 34 erhalten wird. In dieser beispielhaften Modifikation ist eine Belegungsfläche der Schaltung reduziert, da die Transistoren 23, 27, 32 und 34 aufgrund ihrer Entfernung nicht vorhanden sind.
  • Zur elften Ausführungsform:
  • 36 ist ein Blockschaltbild, dass einen Hauptteil einer integrierten Halbleiterschaltungseinrichtung gemäß einer elften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Die integrierte Halbleiterschaltungseinrichtung der 36 beinhaltet j Treiberschaltungen 115.1115.j, wobei j eine natürliche Zahl größer oder gleich 2 ist.
  • Wie in der 37 gezeigt, weist die Treiberschaltung 115.1 eine Konfiguration auf, die durch Ersetzen der Pegelverschiebungsschaltungen 61 und 63 der Treiberschaltung 60 der 18 mit entsprechenden Pegelverschiebungsschaltungen 116 und 117 erhalten wird. Die Pegelverschiebungsschaltung 116 weist eine Konfiguration auf, die durch Entfernung des P-Transistors und Widerstandselementes 67 aus der Pegelverschiebungsschaltung 61 erhalten wird. Die Pegelverschiebungsschaltung 117 weist eine Konfiguration auf, die durch Entfernung des Widerstandselementes 68 und N-Transistors 69 aus der Pegelverschiebungsschaltung 63 erhalten wird. Die Transistoren 65 und 70 erhalten jeweils Vorspannungspotentiale VBP und VBN an ihren Gates. Alle weiteren Treiberschaltungen 115.2115.j weisen die gleiche Konfiguration wie die Treiberschaltung 115.1 auf.
  • Zurückkehrend zu der 36, enthält die integrierte Halbleiterschaltungseinrichtung einen P-Transistor 66 und ein Widerstandselement 67 zur Erzeugung des Vorspannungspotentials VBP und ein Widerstandselement 68 und einen N-Transistor 69 zur Erzeugung des Vorspannungspotentials VBN, die gemeinsam den Treiberschaltungen 115.1115.j bereitgestellt werden.
  • Der P-Transistor 66 und das Widerstandselement 67 sind in Serie zwischen eine Leitung beim dritten Energieversorgungspotential V3 und eine Leitung beim Massepotential GND geschaltet. Das Gate des P-Transistors 66 ist mit seinem Drain-Anschluss (Knoten N66) verbunden. Das Vorspannungspotential VBP liegt am Knoten N66 an. Ein Kondensator 118 zur Stabilisierung des Vorspannungspotentials VBP ist zwischen den Knoten N66 und eine Leitung beim Massepotential GND geschaltet. Ein konstanter Strom mit einem Wert, der zu demjenigen eines konstanten Stromes korrespondiert, der im P-Transistor 66 fließt, fließt in den P-Transistor 65 von jeder der Treiberschaltungen 115.1115.j.
  • Das Widerstandselement 68 und der N-Transistor 69 sind zwischen eine Leitung beim vierten Energieversorgungspotential V4 und eine Leitung beim fünften Energieversorgungspotential V5 geschaltet. Das Gate des N-Transistors 69 ist mit seinem Drain-Anschluss (Knoten N68) verbunden. Das Vorspannungspotential VBN liegt am Knoten N68 an. Ein Kondensator 119 zum Stabilisieren des Vorspannungspotentials VBN ist zwischen den Knoten N68 und eine Leitung beim Massepotential GND geschaltet. Ein konstanter Strom mit einem Wert, der zu demjenigen eines konstanten Stromes, der in dem N-Transistor 69 fließt, korrespondiert, fließt in dem N-Transistor 70 von jeder der Treiberschaltungen 115.1115.j.
  • In der elften Ausführungsform wird der gleiche Effekt wie in der sechsten Ausführungsform erhalten. Darüberhinaus wird eine Belegungsfläche für jede der Treiberschaltungen 115.1115.j reduziert, weil eine Schaltung zur Erzeugung der Vorspannungspotentiale VBP und VBN den Treiberschaltungen 115.1115.j gemeinsam zur Verfügung gestellt wird.
  • Zur zwölften Ausführungsform:
  • 38 ist ein Blockschaltbild, das eine Konfiguration einer Treiberschaltung 120 mit einer Offsetausgleichsfähigkeit gemäß einer zwölften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. In 38 beinhaltet die Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit 120 eine Treiberschaltung 121, einen Kondensator 122 und Schalter S1–S4. Die Treiberschaltung 121 ist eine der in den ersten bis elften Ausführungsformen gezeigten Treiberschaltungen. In einem Fall, bei dem eine Potentialdifferenz zwischen Eingangs- und Ausgangspotential der Treiberschaltung 121 vorliegt, d. h. ein Offsetpotential VOF aufgrund einer Variation in der Schwellenspannung der Transistoren der Treiberschaltung 121 und aus anderen Gründen auftritt, stellen der Kondensator 122 und die Schalter S1–S4 eine Offsetausgleichsschaltung zum Ausgleich der Offsetspannung VOF dar.
  • Das bedeutet, der Schalter S1 ist zwischen einen Eingangsknoten N120 und einen Eingangsknoten N20 der Treiberschaltung 121 geschaltet. Der Schalter S4 ist zwischen einen Ausgangsknoten N121 und einen Ausgangsknoten N30 der Treiberschaltung 121 geschaltet. Der Kondensator 122 und der Schalter S2 sind in Serie zwischen den Eingangsknoten N20 der Treiberschaltung 121 und den Ausgangsknoten N30 geschaltet. Der Schalter S3 ist zwischen den Eingangsknoten N120 und den Knoten N122 zwischen dem Kondensator 122 und dem Schalter S2 geschaltet. Jeder der Schalter S1–S4 kann ein P-Transistor, ein N-Transistor oder eine Parallelschaltung zwischen einem P-Transistor und einem N-Transistor sein. Die An/Aus-Stellung jedes der Schalter S1–S4 wird durch ein Steuerungssignal (nicht gezeigt) gesteuert.
  • Nunmehr wird ein Fall beschrieben, bei dem ein Ausgangspotential der Treiberschaltung 121 um eine Offsetspannung VOF kleiner ist als ein Eingangspotential an dieser Schaltung. Wie in 39 gezeigt, sind in einem anfänglichen Zustand alle Schalter S1–S4 ausgeschaltet. Wenn zu einem Zeitpunkt t1 die Schalter S1 und S2 angeschaltet werden, ist ein Potential V20 am Eingangsknoten N20 der Treiberschaltung 121 V20 = VI. Das Ausgangspotential V30 der Treiberschaltung 121 und das Potential V122 am Knoten N122 ist V30 = V122 = VI – VOF. Der Kondensator 122 wird auf das Offsetpotential VOF geladen.
  • Wenn zu einem Zeitpunkt t2 die Schalter S1 und S2 ausgeschaltet werden, wird die Offsetspannung VOF in dem Kondensator 122 gehalten. Wenn zu einem Zeitpunkt t3 bewirkt wird, das der Schalter S3 angeschaltet ist, ist das Potential V122 am Knoten N122 V122 = VI und das Eingangspotential V20 der Treiberschaltung 121 wird zu V20 = VI + VOF. Als ein Ergebnis wird das Ausgangspotential V30 der Treiberschaltung 121 zu V30 = V20 – VOF = VI, was zur Kompensation der Offsetspannung VOF der Treiberschaltung 121 führt. Wenn sodann zu einem Zeitpunkt t4 der Schalter S4 angeschaltet wird, wird das Ausgangspotential zu VO = VI, was einer Last bereitgestellt wird.
  • In der zwölften Ausführungsform kann die Offsetspannung VOF der Treiberschaltung 121 aufgehoben werden, wodurch eine Koinzidenz zwischen dem Ausgangspotential VO und dem Eingangspotential VI ermöglicht wird.
  • Es ist anzumerken, dass der Schalter S4 nicht immer notwendig ist. Wird der Schalter S4 nicht vorgesehen, ist allerdings in einem Falle, bei dem ein Kapazitätswert der Lastkapazität 36 groß ist, eine lange Zeit zur Stabilisierung einer Spannung VOF zwischen den Anschlüssen des Kondensators 122 erforderlich, nachdem die Schalter S1 und S2 zum Zeitpunkt t1 eingeschaltet werden.
  • Dreizehnte Ausführungsform:
  • 40 ist ein Blockschaltbild, das eine Konfiguration einer Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit 125 gemäß einer dreizehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. In 40 weist die Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit 125 eine Konfiguration auf, die durch Hinzufügen der Kondensatoren 122a, 122b, 126a und 126b und der Schalter S1a–S4a und S1b–S4b zu der Treiberschaltung 60 der 17 erhalten wird.
  • Die Schalter S1a und S1b sind zwischen den Eingangsknoten N120 und das Gate (Knoten N20a) des Transistors 24 bzw. zwischen den Eingangsknoten N120 und das Gate (Knoten N20b) des Transistors 26 geschaltet. Die Schalter S4a und S4b sind zwischen den Ausgangsknoten N121 und den Drain-Anschluss (Knoten N30a) des Transistors 32 und zwischen den Ausgangsknoten N121 und den Drain-Anschluss (Knoten N30b) des Transistors 34 geschaltet. Der Kondensator 122a und der Schalter S2a sind zwischen die Knoten N20a und N30a in Serie geschaltet. Der Kondensator 122b und der Schalter S2b sind zwischen die Knoten N20b und N30b in Serie geschaltet. Der Schalter S3a ist zwischen den Eingangsknoten N120 und den Knoten 122a zwischen den Kondensator 122a und Schalter S2a geschaltet. Der Schalter S3b ist zwischen den Eingangsknoten N120 und den Knoten 122b zwischen dem Kondensator 122b und dem Schalter S2b geschaltet. Jeweils eine der Elektroden der Kondensatoren 126a und 126b ist mit den entsprechenden Knoten N30a und N30b verbunden. Die jeweils andere Elektrode erhält Rücksetzsignale /ΦR bzw. ein hierzu komplementäres Signal ΦR.
  • 41 ist ein Zeitgraph, der Arbeitsweisen der in 40 gezeigten Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit 125 zeigt. Weil eine Ladungsschaltung, die aus der konstanten Stromquelle 62 und Transistoren 23, 24, 31 und 32 besteht, und eine Entladungsschaltung, die aus der konstanten Stromquelle 64 und Transistoren 26, 27, 34 und 35 besteht, vergleichbare Arbeitsweisen ausführen, obwohl eine funktionale Differenz zwischen Laden und Entladen besteht, werden in 41 nur Arbeitsweisen der Ladungsschaltung beschrieben. Im folgenden wird angenommen, dass eine Offsetspannung VOFa auf der Seite der Ladungsschaltung vorliegt, weil eine Schwellenspannung VTN des N-Transistors 31 um VOFa größer ist als eine Schwellenspannung VTN eines N-Transistors, ohne dass eine Offsetspannung VOFb auf der Seite der Entladungsschaltung vorliegt.
  • In einem anfänglichen Zustand befinden sich nicht nur die Schalter S1a bis S3a in ausgeschaltetem Zustand, sondern der Schalter S4a befindet sich in einem angeschalteten Zustand. Die Knoten N20a, N122a, N30a und N121 werden aus dem vorherigen Verlauf bei einem Potential VI' gehalten. Wenn zu einem Zeitpunkt t1 bewirkt wird, dass die Schalter S1a und S2a sich in angeschaltetem Zustand befinden, werden die Potentiale V20a, V122a, V30a und VO an den Knoten N20a, N122a, N30a und N121 alle zu einem Potential, das dem Eingangspotential VI gleich ist. Das Potential V22 am Knoten N22 wird zu V22 = VI + |VTP| + VTN. Der Grund, aus dem V20a, V122a, V30a und VO alle zu einem Potential werden, dass zu VI gleich ist, obwohl eine Schwellenspannung VTN' des N-Transistors 31 um VOFa größer ist als eine Schwellenspannung VTN am N-Transistor 23, besteht darin, dass, während der Ausgangsknoten N121 durch die Entladungsschaltung bis herunter auf das Eingangspotential VI entladen wird, wird er nicht weiter entladen auf ein Potential, das gleich oder niedriger ist als das Eingangspotential VI.
  • Zu einem Zeitpunkt t2 wird sodann bewirkt, dass der Schalter S4a sich in ausgeschaltetem Zustand befindet, um den Ausgangsknoten N30a der Ladungsschaltung elektrisch von dem Ausgangsknoten N30b der Entladungsschaltung zu trennen. Wenn sodann zu einem Zeitpunkt t3 das Rücksetzsignal /ΦR vom H-Pegel auf den L-Pegel abgesenkt wird, werden die Potentiale V30a und V122a der Knoten N30a und N122a durch den Kondensator 126a mittels kapazitiver Kopplung um eine vorgegebene Spannung abgesenkt. Hierdurch werden die Transistoren 31 und 32 leitend, um die Potentiale V30a und V122a der Knoten N30a und N122a auf VI – VOFa zu erhöhen. Hierdurch wird der Kondensator 122a auf VOFa geladen.
  • Nachdem die Potentiale V30a und V122a der Knoten N30a und N122a stabilisiert sind, und wenn zum Zeitpunkt t4 bewirkt wird, dass die Schalter S1a und S2a sich in ausgeschaltetem Zustand befinden und weiterhin zu einem Zeitpunkt t5 bewirkt wird, dass der Schalter S3a sich in einem angeschalteten Zustand befindet, wird ein Potential VI + VOFa, das durch Hinzufügen der Offsetspannung VOFa zu dem Eingangspotential VI erhalten wird, zu dem Knoten N20a gegeben. Hierdurch wird das Potential V22 am Knoten N22 zu V22 = VI + |VTP| + VTN + VOFa und die Potentiale V30a und V122a der Knoten N30a und N122a nehmen denselben Pegel an wie das Eingangspotential VI.
  • Obwohl das Ausgangspotential V30a der Ladungsschaltung ab dem Zeitpunkt t1 zu V30a = VI wird, ist das Ausgangspotential V30a während einer Zeitspanne vom Zeitpunkt t1 bis t2 nur ein Potential, dass durch Verdrahtungskapazität und dergleichen gehalten wird. Wenn Rauschen negativer Polarität auftritt, fällt V33a ab auf VI – VOFa. Im Gegensatz hierzu wird das Potential V30a nach dem Zeitpunkt t5 bei VI gehalten, weil sogar dann, wenn Rauschen einer negativen Polarität auftritt, der Knoten 30a durch die Transistoren 31 und 32 geladen wird.
  • Wenn zu einem Zeitpunkt t6 der Schalter S3a sich in ausgeschaltetem Zustand befindet, und zu einem Zeitpunkt t7 weiterhin der Schalter S4a sich in angeschaltetem Zustand befindet, wird die Ladungschaltung 36 durch die Treiberschaltung getrieben. Wenn zu einem Zeitpunkt t8 ein Rücksetzsignal /ΦR auf den H-Pegel angehoben wird, wird die Schaltung in den Anfangszustand zurückgesetzt. Zum Zeitpunkt t8 tritt nahezu keine Änderung im Ausgangspotential VO auf, weil die Ausgangsimpedanz hinreichend gering ist, sogar dann, wenn das Rücksetzsignal /ΦR auf den H-Pegel erhöht wird. Ähnliche Arbeitsweisen liegen auf der Seite der Entladungsschaltung vor und das Ausgangspotential VO wird bei VI aufrecht erhalten.
  • 42 ist ein weiterer Zeitgraph, der Arbeitsweisen der in 40 gezeigten Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit 125 zeigt. Weil eine Ladungsschaltung, die aus konstanter Stromquelle 62 und Transistoren 23, 24, 31 und 32 besteht, und eine Entladungsschaltung, die aus konstanter Stromquelle 64 und Transistoren 26, 27, 34 und 35 besteht, ähnliche Arbeitsweisen durchführen, obwohl eine funktionale Differenz zwischen Laden und Entladen besteht, werden in Bezug auf 42 nur Arbeitsweisen der Entladungsschaltung beschrieben. Im folgenden wird angenommen, dass eine Offsetspannung VOFb auf der Seite der Entladungsschaltung vorliegt, weil der absolute Wert |VTP'| einer Schwellenspannung des P-Transistors 35 um VOFb größer ist als der absolute Wert |VTP| einer Schwellenspannung des P-Transistors 27, ohne dass eine Offsetspannung VOFa auf der Seite der Ladungsschaltung vorliegt.
  • In einem anfänglichen Zustand befinden sich nicht nur die Schalter S1b–S3b in ausgeschaltetem Zustand, sondern der Schalter S4b befindet sich in einem angeschalteten Zustand. Die Knoten N20b, N122b, N30b und N121 werden aus dem vorherigen Ablauf bei einem Potential VI gehalten. Wenn zu einem Zeitpunkt t1 bwirkt wird, dass die Schalter S1b und S2b sich in einem angeschalteten Zustand befinden, werden die Potentiale V20b, V122b, V30b und VO der Knoten N20b, N122b, N30b und N121 alle zu einem Potential, dass dem Eingangspotential VI gleich ist. Das Potential V27 am Knotens N27 wird zu V27 = VI – |VTP| – VTN. Der Grund, aus dem V20b, V122b, V30b und VO alle zu einem Potential werden, das zu VI gleich ist, obwohl der absolute Wert |VTP'| einer Schwellenspannung des P-Transistors 35 um VOFb größer ist als der absolute Wert |VTP| einer Schwellenspannung am P-Transistor 27, besteht darin, dass, obwohl der Ausgangsknoten N121 durch die Ladungsschaltung auf das Eingangspotential VI geladen wird, der Knoten nicht weiter auf ein Potential, das gleich oder größer ist als das Eingangspotential VI, geladen wird.
  • Zu einem Zeitpunkt t2 wird sodann bewirkt, dass der Schalter S4b sich in einem ausgeschalteten Zustand befindet, um den Ausgangsknoten N30a der Ladungsschaltung elektrisch vom Ausgangsknoten N30b der Entladungsschaltung zu trennen. Wenn sodann zu einem Zeitpunkt t3 das Rücksetzsignal ΦR vom L-Pegel auf den H-Pegel erhöht wird, werden die Potentiale V30b und V122b an den Knoten N30b und Knoten N122b durch den Kondensator 126b mittels kapazitiver Kopplung um eine vorgegebene Spannung erhöht. Hierdurch werden die Transistoren 34 und 35 leitend, um die Potentiale V30b und V122b an den Knoten N30b und N122b auf VI + VOFb abzusenken und um hierdurch den Kondensator 122b auf VOFb zu laden.
  • Nachdem die Potentiale V30b und V122b an den Knoten N30b und N122b stabilisiert sind und wenn zu einem Zeitpunkt t4 bewirkt wird, dass sich die Schalter S1b und S2b in ausgeschaltetem Zustand befinden, und zu einem Zeitpunkt t5 weiterhin der Schalter S3b sich in einem angeschalteten Zustand befindet, wird ein Potential VI – VOFb, dass durch Subtraktion der Offsetspannung VOFb vom Eingangspotential VI erhalten wird, an den Knoten N20b gegeben. Hierdurch wird das Potential V27 am Knoten N27 zu V27 = VI – VTN – |VTP| – VOFb und die Potentiale V30b und V122b an den Knoten N30b und N122b nehmen den gleichen Pegel an wie das Eingangspotential VI.
  • Während das Ausgangspotential V30b der Entladungsschaltung ab einem Zeitpunkt t1 zu V30b = VI wird, ist das Ausgangspotential V30b während einer Zeitspanne von dem Zeitpunkt t1 bis t2 nur ein Potential, dass durch Verdrahtungskapazitäten und dergleichen gehalten wird. Wenn Rauschen einer positiven Polarität auftritt, nimmt V33b zu auf VI + VOFb. Im Gegensatz hierzu wird das Potential V30b nach dem Zeitpunkt t5 bei VI gehalten, sogar dann, wenn Rauschen einer positiven Polarität auftritt, weil der Knoten 30b durch die Transistoren 34 und 35 entladen wird.
  • Wenn zu einem Zeitpunkt t6 bewirkt wird, dass der Schalter S3b sich in einem ausgeschalteten Zustand befindet, und zu einem Zeitpunkt t7 weiterhin bewirkt wird, dass der Schalter S4a sich in angeschaltetem Zustand befindet, wird die Lastschaltung 36 durch die Treiberschaltung getrieben. Wenn zu einem Zeitpunkt t8 ein Rücksetzsignal ΦR auf den L-Pegel abgesenkt wird, wird die Schaltung in den Anfangszustand zurückgesetzt. Zum Zeitpunkt t8 tritt nahezu keine Änderung im Ausgangspotential VO auf, sogar dann, wenn das Rücksetzsignal ΦR auf den L-Pegel abgesenkt wird, weil die Ausgangsimpedanz gering ist. Gleiche Arbeitsweisen werden auf der Seite der Ladungsschaltung durchgeführt und das Ausgangspotential VO wird bei VI aufrechterhalten.
  • Im folgenden werden verschiedene beispielhafte Modifikationen der dreizehnten Ausführungsform beschrieben. Eine Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit 127 der 43 weist eine Konfiguration auf, die durch Entfernen der N-Transistoren 23 und 34 und P-Transistoren 27 und 32 aus der Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit 125 der 40 erhalten wird. In dieser beispielhaften Modifikation ist eine Belegungsfläche der Schaltung reduziert.
  • Die Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit 130 der 44 weist eine Konfiguration auf, die durch Ersetzen der Kondensatoren 126a und 126b der Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit 125 der 40 mit einem N-Transistor 131a bzw. P-Transistor 131b erhalten wird. Der N-Transistor 131a ist zwischen eine Leitung beim achten Energieversorgungspotential V8 und den Knoten N30a geschaltet und erhält ein Rücksetzsignal ΦR' an seinem Gate. Der P-Transistor 131b ist zwischen den Knoten N30b und eine Leitung beim neunten Energieversorgungspotential V9 geschaltet und erhält ein zum Rücksetzsignal ΦR' komplementäres Signal /ΦR' an seinem Gate.
  • In einem gewöhnlichen Modus sind die Signale ΦR' und /ΦR' beim L-Pegel bzw. H-Pegel und der N-Transistor 131a und der P-Transistor 131b sind beide nichtleitend. Zum Zeitpunkt t4 der 41 und 42 wird nicht nur das Signal ΦR' für eine vorgegebene Zeit impulsartig auf den H-Pegel gesetzt, sondern ebenso wird das Signal /ΦR' für die vorgegebene Zeit impulsartig auf den L-Pegel gesetzt. Hierdurch wird nicht nur der N-Transistor 131a impulsartig leitend, um das Potential V30a am Knoten N30a auf das achte Energieversorgungspotential V8 abzusenken, sondern ebenso wird der P-Transistor 131b impulsartig leitend, um das Potential V30b am Knoten N30b auf das neunte Energieversorgungspotential V9 anzuheben. Hiernach wird in einem Falle, wie er in 41 beschrieben ist, der Knoten 30a auf VI – VOF geladen, während in einem Falle, wie er in 42 beschrieben ist, der Knoten N30b auf VO + VOF entladen wird. In dieser beispielhaften Modifikation besteht keine Möglichkeit dafür, Rauschen im Ausgangspotential VO zu erzeugen, sogar zu einem Zeitpunkt t8 der 41 und 42. Es ist anzumerken, dass eine Pulsweite der Signale ΦR' und /ΦR' auf den kleinsten notwendigen Wert gesetzt ist.
  • Die Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit 132 der 45 weist eine Konfiguration auf, die durch Hinzufügen einer Offsetausgleichsschaltung, die aus Kondensatoren 122a, 122b, 126a und 126b und Schaltern S1a – S4a und S1b – S4b besteht, zu der Treiberschaltung 80 der 25 erhalten wird. In einer Periode vom Zeitpunkt t1 bis zum Zeitpunkt t2 der 41 und 42 wird nicht nur das Signal /ΦP impulsartig auf den L-Pegel gesetzt, sondern ebenso das Signal ΦP auf den H-Pegel gesetzt. In dieser beispielhaften Modifikation wird eine hohe Arbeitsgeschwindigkeit ermöglicht, da die Potentiale V22 und V27 der Knoten N22 und N27 rasch vorgegebene Werte erreichen.
  • Die Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit 133 der 46 weist eine Konfiguration auf, die durch Entfernung der N-Transistoren 23 und 34 und P- Transistoren 27 und 32 aus der Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit 132 der 45 erhalten wird. In dieser beispielhaften Modifikation wird eine Belegungsfläche der Schaltung reduziert.
  • Eine Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit 135 der 47 weist eine Konfiguration auf, die durch Hinzufügen einer Offsetausgleichsschaltung, die aus Kondensatoren 122a, 122b, 126a und 126b und Schaltern S1a–S4a und S1b–S4b besteht, zu der Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit 85 der 27 erhalten wird. In dieser beispielhaften Modifikation kann das Fließen eines Durchfließstromes verhindert werden, um hierdurch den Stromverbrauch zu reduzieren, weil, wenn die Signale /ΦP und ΦP auf L-Pegel bzw. H-Pegel gesetzt werden, um zu bewirken, dass die Transistoren 81 und 82 leitend werden, werden die Transistoren 86 und 87 nicht leitend.
  • Eine Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit 136 der 48 weist eine Konfiguration auf, die durch Entfernung der N-Transistoren 23 und 34 und P-Transistoren 27 und 32 aus der Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit 135 der 47 erhalten wird. In dieser beispielhaften Modifikation wird ein Belegungsfläche der Schaltung reduziert.
  • Eine Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit 140 der 49 weist eine Konfiguration auf, die durch Hinzufügen einer Offsetausgleichsschaltung, bestehend aus Kondensatoren 122a, 122b, 126a und 126b und Schaltern S1a–S4a und S1b–S4b zu der Treiberschaltung 90 der 29 erhalten wird. In dieser beispielhaften Modifikation kann das Fließen eines Durchfließstromes verhindert werden, um hierdurch den Stromverbrauch zu reduzieren, weil, wenn das Signal /ΦP auf L-Pegel gesetzt ist, um zu bewirken, dass der P-Transistor 81 leitend wird, der Drain-Anschluss des P-Transistors 24 auf den H-Pegel getrieben wird, und wenn das Signal ΦP auf den H-Pegel gesetzt wird, um zu bewirken, dass der N-Transistor 82 leitend wird, wird der Drain-Anschluss des N-Transistors 26 auf den L-Pegel getrieben.
  • Eine Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit 141 der 50 weist eine Konfiguration auf, die durch Entfernen der N-Transistoren 23 und 34 und P- Transistoren 27 und 32 aus der Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit 140 der 49 erhalten wird. In dieser beispielhaften Modifikation ist eine Belegungsfläche der Schaltung reduziert.
  • Eine Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit 145 der 51 weist eine Konfiguration auf, die durch Hinzufügen einer Offsetausgleichsschaltung, bestehend aus Kondensatoren 122a, 122b, 126a und 126b und den Schaltern S1a–S4a und S1b–S4b zu der Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit 95 der 31 erhalten wird. In einer Periode vom Zeitpunkt t1 zum Zeitpunkt t2 der 41 und 42 wird nicht nur das Signal /ΦB impulsartig auf den H-Pegel gesetzt, sondern auch das Signal ΦB ist impulsartig auf den L-Pegel gesetzt. In dieser beispielhaften Modifikation wird die Realisierung einer hohen Arbeitsgeschwindigkeit ermöglicht, weil die Potentiale V22 und V27 an den Knoten N22 und N27 rasch vorgegebene Werte erreichen.
  • Eine Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit 146 der 52 weist eine Konfiguration auf, die durch Entfernen der N-Transistoren 23, 34 und 100 und P-Transistoren 27, 32 und 105 aus der Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit 145 der 51 erhalten wird. In dieser beispielhaften Modifikation ist eine Belegungsfläche der Schaltung reduziert.
  • Eine Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit 150 der 53 weist eine Konfiguration auf, die durch Hinzufügen einer Offsetausgleichsschaltung, bestehend aus den Kondensatoren 122a, 122b, 126a und 126b und Schaltern S1a–S4a und S1b–S4b zu der Treiberschaltung 110 der 34 erhalten wird. In einer Periode vom Zeitpunkt t1 zum Zeitpunkt t2 der 41 und 42 wird nicht nur das Signal /ΦB impulsartig auf den H-Pegel gesetzt, sondern auch das Signal ΦB impulsartig auf den L-Pegel gesetzt. In dieser beispielhaften Modifikation wird, weil die Potentiale V22 und V27 an den Knoten N22 und N27 vorgegebene Werte rasch erreichen, hierdurch die Realisierung einer hohen Arbeitsgeschwindigkeit ermöglicht.
  • Eine Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit 151 der 54 weist eine Konfiguration auf, die durch Entfernen der N-Transistoren 23 und 34 und P-Transistoren 27 und 32 aus der Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit 150 der 53 erhalten wird. In dieser beispielhaften Modifikation ist eine Belegungsfläche der Schaltung reduziert.
  • Zur vierzehnten Ausführungsform:
  • 55 ist ein Blockschaltbild, das eine Konfiguration einer Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit 155 gemäß einer vierzehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. In 55 unterscheidet sich die Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit 155 von der Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit 145 der 51 darin, dass ein Schalter S5 und ein Kondensator 156 hinzugefügt sind und die Spannungserhöhungssignale ΦB und /ΦB durch entsprechende Spannungssignale ΦB1 und /ΦB1 ersetzt sind.
  • Der Schalter S5 ist zwischen einen Knoten zwischen den Schalter S4a und S4b und den Ausgangsknoten N121 geschaltet. Der Kondensator 156 ist zwischen einen Knoten zwischen den Schaltern S4a und S4b und eine Leitung beim Massepotential GND geschaltet. Ein Kapazitätswert des Kondensators 156 ist kleiner gewählt als ein Kapazitätswert einer Lastkapazität 36.
  • 56 ist ein Zeitgraph, der Arbeitsweisen der in 55 gezeigten Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit 155 zeigt, der mit 41 verglichen wird. Hier werden ebenfalls Arbeitsweisen der Seite der Ladungsschaltung beschrieben. Unter Bezugnahme auf 56 erreichen die Potentiale V22, V30a und V122a rasch das Eingangspotential VI, beispielsweise in einer Periode vom Zeitpunkt t1 zum Zeitpunkt t2, da der Schalter 55 in ausgeschaltetem Zustand gehalten wird und die Lastschaltung 36 bis zum Zeitpunkt 9 elektrisch getrennt ist.
  • Wenn zu einem Zeitpunkt t9 der Schalter S5 angeschaltet wird, ändert sich das Potential V156 zwischen den Schaltern S4a und S4b gemäß dem Potential VO an einer Datenleitung, die mit dem Ausgangsknoten N121 verbunden ist. In 56 ist ein Fall gezeigt, bei dem das Potential VO auf der Datenleitung kleiner ist als V156. Nachdem das Potential V156 zum Zeitpunkt t9 fällt, wird durch die Transistoren 31 und 32 dem Knoten ein Strom zugeführt, um das Potential V156 graduell zu erhöhen. Zum Zeitpunkt t10 wird sodann das Signal ΦB1 vom L-Pegel auf den H-Pegel erhöht, um das Potential V22 am Knoten N22 impulsartig zu erhöhen, um hierdurch einen Strom, der im N-Transistor 31 fließt, zu erhöhen und um zu bewirken, dass das Potential V156 = VO wird, um das Eingangspotential VI rasch zu erreichen.
  • 57 ist ein weiterer Zeitgraph, der Arbeitsweisen der in 55 gezeigten Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit 155 zeigt, und der mit 42 verglichen wird. Hier werden ebenfalls nur Arbeitsweisen der Entladungsschaltungsseite beschrieben. Unter Bezugnahme auf 57 erreichen die Potentiale V27, V30b und V122b das Eingangspotential VI rasch, beispielsweise in einer Periode vom Zeitpunkt t1 zum Zeitpunkt t2, weil der Schalter S5 im ausgeschalteten Zustand gehalten wird und die Lastkapazität 36 bis zum Zeitpunkt t9 elektrisch getrennt ist.
  • Wenn zu einem Zeitpunkt t9 der Schalter S5 angeschaltet wird, ändert sich das Potential V156 zwischen den Schaltern S4a und S4b gemäß dem Potential VO an einer Datenleitung, die mit dem Ausgangsknoten N121 verbunden ist. In 57 ist ein Fall gezeigt, bei dem das Potential VO auf der Datenleitung größer ist als V156. Nachdem das Potential V156 zum Zeitpunkt t9 ansteigt, wird ein Strom veranlasst, aus den Transistoren 34 und 35 zu fließen, um das Potential V156 graduell abzusenken.
  • Zu einem Zeitpunkt t10 wird sodann das Signal /ΦB1 vom H-Pegel auf den L-Pegel abgesenkt, um das Potential V27 am Knoten N27 impulsartig abzusenken, um einen Strom, der im P-Transistor 35 fließt, zu erhöhen und um zu bewirken, dass das Potential V156 = VO wird, um das Eingangspotential VI rasch zu erreichen.
  • In der vierzehnten Ausführungsform kann eine hohe Arbeitsgeschwindigkeit erreicht werden, sogar in einem Falle, bei dem ein kapazitiver Wert der Lastkapazität 36 groß ist.
  • Zur fünfzehnten Ausführungsform:
  • 58 ist ein Schaltplan, der eine Konfiguration einer Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit 157 gemäß einer fünfzehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Unter Bezugnahme auf 58 unterscheidet sich die Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit 157 von der Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit 155 der 55 darin, dass der Kondensator 156 entfernt ist, die An/Aus-Zeitpunkte des Schalters S5 und Zeitpunkte der Pegeländerung der Signale ΦB1 und /ΦB1.
  • Die 59 ist ein Zeitgraph, der Arbeitsweisen der in 58 gezeigten Treiberschaltung mit einer Offsetausgleichsfähigkeit 157 zeigt. In diesem Falle wird angenommen, dass die Schwellenwertspannung VTN' des N-Transistors 31 um VOF größer ist als die Schwellenspannung VTN des N-Transistors 23. In einem anfänglichen Zustand befinden sich nicht nur die Schalter S1a–S3a und S1b–S3b in ausgeschaltetem Zustand, sondern auch die Schalter S4a, S4b und S5 in angeschaltetem Zustand. Die Potentiale V30a, V30b und V20a an den Knoten N30a, N30b und N20a befinden sich am Eingangspotential (in der Figur: VH) des vorherigen Ablaufes.
  • Zum Zeitpunkt t1 wird bewirkt, dass der Schalter S5 sich im ausgeschalteten Zustand befindet, um einen Knoten zwischen den Schaltern S30a und S30b von der Lastkapazität elektrisch zu trennen. Zum Zeitpunkt t2 befinden sich nicht nur die Schalter S1a, S1b, S2a und S2b in einem angeschalteten Zustand, sondern das Eingangspotential VI wird zu dieser Zeit auf ein Potential gesetzt (in der Figur: VL). In dieser Weise sind die Potentiale V30a, V30 und V20b an den Knoten N30a, N30b und N20b alle VI = VL. Der Grund dafür, dass V30a und V30b VI – VL sind, obwohl eine Schwellenspannung VTN' am N-Transistor 31 höher ist als eine Schwellenspannung VTN eines anderen N-Transistors, besteht darin, dass, während die Entladungsschaltung die Knoten N30a und N30b bis auf VI = VL herunter entlädt, die Knoten nicht weiter auf ein Potential, das gleich oder geringer ist als das Eingangspotential VI = VL, entladen werden.
  • Zum Zeitpunkt t3 wird bewirkt, dass die Schalter S4a und S4b sich in ausgeschaltetem Zustand befinden, um die Ladungsschaltung von der Entladungsschaltung elektrisch zu trennen. Zum Zeitpunkt t4 wird nicht nur das Rücksetzsignal /ΦR vom H-Pegel auf den L-Pegel abgesenkt, sondern auch das Signal ΦR wird vom L-Pegel auf den H-Pegel angehoben. Hierdurch wird nicht nur das Potential V30a am Knoten N30a zu VL – VOF, nachdem es impulsartig von VL abgesenkt wurde, sondern auch das Potential V30b am Knoten N30b wird zu VL, nachdem es impulsartig von VL erhöht wurde.
  • Wenn zu einem Zeitpunkt t5 die Schalter S1a, S1b, S2a und S2b im ausgeschalteten Zustand sind, und sodann zu einem Zeitpunkt t6 die Schalter S3a und S3b sich in angeschaltetem Zustand befinden, wird das Potential V20a am Knoten N20a zu VL + VOF und die Offsetspannung VOF wird aufgehoben, um zu bewirken, dass das Potential V30a am Knoten N30a zu VI = VL wird.
  • Wenn zu einem Zeitpunkt t7 bewirkt wird, dass die Schalter S3a und S3b sich in ausgeschaltetem Zustand befinden, und sodann zu einem Zeitpunkt t8 bewirkt wird, dass die Schalter S4a, S4b und S5 sich in angeschaltetem Zustand befinden, werden die Potentiale V30a und V30b an den Knoten N30a und N30b einmalig erhöht und hiernach graduell erniedrigt, weil die Lastkapazität 36 auf VH geladen wird, was ein Potential des vorherigen Ablaufs ist. Zum Zeitpunkt t9 wird nicht nur das Signal ΦB1 vom L-Pegel auf den H-Pegel angehoben, sondern ebenso wird das Signal /ΦB1 vom H-Pegel auf den L-Pegel abgesenkt.
  • In dieser Weise wird nicht nur das Potential V22 am Knoten N22 durch den Kondensator 76 erhöht, sondern auch das Potential V27 am Knoten N27 durch den Kondensator 77 erniedrigt. Zu dieser Zeit wird eine Pegelabsenkungswirkung um V27 stärker als eine Pegelerhöhungswirkung um V22 ausgeübt, weil eine Arbeitsweise durchgeführt wird, bei der VL beim L-Pegel an den Ausgangsknoten N121 ausgegeben wird und ein Widerstandswert des P-Transistors 35 im geöffneten Zustand geringer ist als ein Widerstandswert des N-Transistors 31 im geöffneten Zustand, um zu bewirken, dass die Potentiale V30a, V30b und VO an den Knoten N30a, N30b und N121 rasch herunter auf VL fallen. In dieser fünfzehnten Ausführungsform kann eine hohe Arbeitsgeschwindigkeit realisiert werden.
  • Zur sechzehnten Ausführungsform:
  • 60 ist ein Schaltplan, der einen Hauptteil einer Farb-Flüssigkristallanzeigeeinrichtung gemäß einer sechzehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. In 60 beinhaltet die Farb-Flüssigkristallanzeigeeinrichtung eine ausgleichende Vorladungsschaltung 158 zum Treiben von Potentialen auf Datenleitungen 6 auf ein Vorladungspotential VPC, bevor Abstufungspotentiale an Datenleitungen 6 angelegt werden.
  • Die ausgleichende Vorladungsschaltung 158 beinhaltet Schalter S6, die entsprechend für jeweilige Datenleitungen 6 vorgesehen sind und Schalter S7, die jeweils entsprechend für zwei benachbarte Datenleitungen 6 vorgesehen sind. An einem Anschluss des Schalters S6 wird das Vorladungspotential VPC angelegt und der andere Anschluss ist mit der entsprechenden Datenleitung 6 verbunden. Die Schalter S6 werden in Reaktion auf den H-Pegel auf einem aktiven Pegel, auf den das Vorladungssignal ΦPC getrieben wird, in einen angeschalteten Zustand gesetzt. Wenn die Schalter S6 in den angeschalteten Zustand gesetzt werden, werden die Datenleitungen 6 auf das Vorladungspotential VPC getrieben. Der Schalter S7 ist zwischen zwei Datenleitungen 6 geschaltet und wird in Reaktion auf den H-Pegel bei einem aktiven Pegel, auf den das ausgleichende Signal ΦEQ getrieben wird, in einen angeschalteten Zustand gesetzt. Wenn die Schalter S7 in einen angeschalteten Zustand gesetzt werden, werden die Potentiale auf allen Datenleitungen 6 ausgeglichen. Nachdem die Schalter S6 und S7 in einen ausgeschalteten Zustand gesetzt worden sind, werden Abstufungspotentiale an die Datenleitungen 6 angelegt.
  • An dieser Stelle wird die Vorladungsspannung VPC zu 0 Volt angenommen. Weil die Abstufungspotentiale von 0 Volt–5 Volt reichen (siehe 3) haben die Treiberschaltungen nur die Datenleitungen 6 zu laden, ohne dass eine Notwendigkeit zur Entladung besteht. Daher werden in dieser Farb-Flüssigkristallanzeigeneinrichtung push-artige Treiberschaltungen verwendet.
  • 61 ist ein Schaltplan, der eine Konfiguration einer push-artigen Treiberschaltung 160 zeigt. In 61 beinhaltet die push-artige Treiberschaltung 160 eine Pegelverschiebungsschaltung 61, eine Pull-up-Schaltung 30 und eine konstante Stromquelle 161. Die Pegelverschiebungsschaltung 61 und die Pull-up-Schaltung 30 sind die gleichen wie die in 17 gezeigten.
  • Das bedeutet, dass die Pegelverschiebungsschaltung 61 eine konstante Stromquelle 62, die zwischen den Knoten beim dritten Energieversorgungspotential V3 (15 V) und dem Knoten beim Massepotential GND in Serie geschaltet ist, einen N-Transistor 23 und einen P-Transistor 24 beinhaltet. Wie in 62 gezeigt, beinhaltet die konstante Stromquelle 62 P-Transistoren 65 und 66 und ein Widerstandselement 67. Ein P-Transistor 65 ist zwischen den Knoten beim dritten Energieversorgungspotential V3 und den Drain-Anschluss (ein Knoten N22) eines N-Transistors 23 geschaltet. Ein P-Transistor 66 und ein Widerstandselement 67 sind in Serie zwischen den Knoten beim dritten Potential V3 und den Knoten beim Massepotential GND geschaltet. Die Gates der P-Transistoren 65 und 66 sind beide mit dem Drain-Anschluss des P-Transistors 66 verbunden. Die P-Transistoren 65 und 66 stellen eine Stromspiegelschaltung dar. Ein konstanter Strom, der einem Widerstandswert des Widerstandselementes 67 entspricht, fließt durch den P-Transistor 66 und das Widerstandselement 67. Ein konstanter Strom, der dem konstanten Strom, der in dem P-Transistor 66 fließt, entspricht, fließt durch den P-Transistor 65. Das Gate des N-Transistors 23 ist mit seinem Drain-Anschluss (Knoten N22) verbunden. Der N-Transistor 23 arbeitet als ein Diodenelement. Das Gate des P-Transistors 24 ist mit dem Eingangsknoten N20 verbunden. Ein Stromwert der konstanten Stromquelle 62 wird auf einen minimalen Wert gesetzt, der zur Erzeugung vorgegebener Schwellenwerte der jeweiligen Transistoren 23 und 24 notwendig ist.
  • Wenn per Definition ein Potential (Abstufungspotential) am Eingangsknoten N20 VI, eine Schwellenspannung eines P-Transistors VTP und eine Schwellenspannung eines N-Transistors VTN ist, dann ist ein Potential V23 an der Source (Knoten N23) des P-Transistors 24 gegeben durch V23 = VI + |VTP|. Ein Potential V22 am Drain-Anschluss (Knoten N22) des N-Transistors 23 ist gegeben durch V22 = VI + |VTP| + VTN. Daher gibt die Pegelverschiebungsschaltung 61 ein Potential V22 aus, das durch Verschiebung des Eingangspotentials VI um |VTP| + VTN gegeben ist.
  • Die Pull-up-Schaltung 30 beinhaltet einen N-Transistor 31 und einen P-Transistor 32 in Serie zwischen den Knoten beim sechsten Energieversorgungspotential V6 (15 V) und den Ausgangsknoten N30 geschaltet. An das Gate des N-Transistors 31 wird das Ausgangspotential V22 der Pegelverschiebungsschaltung 61 angelegt. Das Gate des P-Transistors 32 ist mit seinem Drain-Anschluss verbunden. Der P-Transistor 32 arbeitet als ein Diodenelement. Weil das sechste Energieversorgungspotential V6 so gewählt ist, dass der N-Transistor 31 in seinem Sättigungsbereich arbeitet, führt der N-Transistor 31 eine sogenannte Source-Follower-Arbeitsweise durch.
  • Die konstante Stromquelle 161 ist zwischen den Ausgangsknoten N30 und den Knoten beim Massepotential GND geschaltet. Die konstante Stromquelle 161 beinhaltet, wie in 62 gezeigt, N-Transistoren 162 und 163 und ein Widerstandselement 164. Der N-Transistor 162 ist zwischen den Ausgangsknoten N30 und den Knoten beim Massepotential GND geschaltet. Das Widerstandselement 164 und der N-Transistor 163 sind in Serie zwischen den Knoten bei dem sechsten Potential V6 und den Knoten beim Massepotential GND geschaltet. Die Gates der N-Transistoren 162 und 163 sind beide mit dem Drain-Anschluss des N-Transistors 163 verbunden. Die N-Transistoren 162 und 163 stellen eine Stromspiegelschaltung dar.
  • Ein konstanter Strom mit einem Wert, der zu einem Widerstandswert des Widerstandselementes 164 korrespondiert, fließt durch das Widerstandselement 164 und den N-Transistor 163. Ein konstanter Strom mit einem Wert, der zu dem konstanten Strom, der in dem N-Transistor 163 fließt, korrespondiert, fließt durch den N-Transistor 162. Ein Stromwert der konstanten Stromquelle 161 ist auf einen minimalen Wert gesetzt, der zur Erzeugung vorgegebener Schwellenwerte der jeweiligen Transistoren 31 und 32 notwendig ist.
  • Ein Potential V31 an der Source (Knoten N31) des N-Transistors 31 ist gegeben durch V31 = V22 – VTN = VI + |VTP|. Das Potential VO am Ausgangsknoten N30 ist gegeben durch VO = V31 – |VTP| = VI.
  • In der sechzehnten Ausführungsform kann der insgesamt verbrauchte Strom reduziert werden, weil Durchfließströme mit dem minimalen Wert, der zur Erzeugung vorgegebener Spannungen der jeweiligen Transistoren 23, 24, 31 und 32 notwendig ist, nur dort hindurch zu fließen haben. Es versteht sich von selbst, dass die konstanten Stromquelles 62 und 161 durch entsprechende Widerstandselemente ersetzt werden können.
  • 63 ist ein Schaltplan, der eine Konfiguration der push-artigen Treiberschaltung 165 gemäß einer beispielhaften Modifikation der sechzehnten Ausführungsform zeigt. Unter Bezugnahme auf 63 unterscheidet sich die Treiberschaltung 165 von der Treiberschaltung 160 der 62 darin, dass in der Treiberschaltung 160 ein Widerstandsele ment 164 herausgenommen wird und das Widerstandselement 67 den konstanten Stromquellen 62 und 161 gemeinsam ist. Das Widerstandselement 67 und der N-Transistor 163 sind in Serie zwischen die Source des P-Transistors 66 und den Knoten beim Massepotential GND geschaltet. Das Gate des N-Transistors 163 ist mit seinem Drain-Anschluss verbunden. In dieser beispielhaften Modifikation kann es verhindert werden, dass eine Offsetspannung durch Variationen in den Widerstandswerten der Widerstandselemente 67 und 164 erzeugt wird.
  • Eine push-artige Treiberschaltung 166 der 64 weist eine Konfiguration auf, die durch Herausnehmen der Transistoren 23 und 32 in Diodenverbindung aus der pushartigen Treiberschaltung 160 der 61 erhalten wird. Das Ausgangspotential VO ist gegeben durch VO = VI + |VTP| – VTN. Wenn es so gewählt wird, dass |VTP| ≈ VTN, dann ist VO ≈ VI. Alternativ kann die Treiberschaltung 166 in gleicher Weise wie die Treiberschaltung 160 der 61 verwendet werden, wenn erwogen wird, bei ihrer Verwendung einen Wert von |VTP| – VTN als einen Offsetwert zu verwenden. In dieser beispielhaften Modifikation kann eine Belegungsfläche der Schaltung reduziert werden, weil die Transistoren 23 und 32 herausgenommen sind.
  • Zur siebzehnten Ausführungsform:
  • Wenn das Vorladungspotential VCP in der in 60 gezeigten Farb-Flüssigkristallanzeigeneinrichtung auf 5 Volt gesetzt wird, erstrecken sich die Abstufungspotentiale von 0 Volt bis 5 Volt (siehe 3); daher hat eine Treiberschaltung lediglich Entladungen der Datenleitung 6 durchzuführen, ohne dass eine Notwendigkeit besteht, diese zu laden. Daher werden pull-artige Treiberschaltungen in dieser Farb-Flüssigkristallanzeigeneinrichtung verwendet.
  • 65 ist ein Schaltplan, der eine Konfiguration einer pull-artigen Treiberschaltung 170 gemäß einer siebzehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. In 65 beinhaltet die Treiberschaltung 170 eine Pegelverschiebungsschaltung 63, eine konstante Stromquelle 171 und eine Pull-down-Schaltung 33. Die Pegelverschiebungsschaltung 63 und die Pull-down-Schaltung 33 sind die gleichen wie die in 17 gezeigten.
  • Das bedeutet, dass die Pegelverschiebungsschaltung 63 einen N-Transistor 26, in Serie zwischen den Knoten beim vierten Energieversorgungspotential V4 (5 V) und den Knoten beim fünften Energieversorgungspotential V5 (–10 V) geschaltet, einen P-Transistor 27 und eine konstante Stromquelle 64 beinhaltet. An das Gate des N-Transistors 26 wird am Eingangsknoten N20 ein Potential VI angelegt. Das Gate des P-Transistors 27 ist mit seinem Drain-Anschluss verbunden (Knoten N27). Der P-Transistor 27 arbeitet als ein Diodenelement. Ein Stromwert der konstanten Stromquelle 64 ist auf den minimalen Wert gesetzt, der zur Erzeugung vorgegebener Schwellenspannungen der Transistoren 26 und 27 notwendig ist.
  • Ein Potential V26 an der Source (Knoten N26) des N-Transistors 26 ist gegeben durch V26 = VI – VTN. Ein Potential V127 an dem Drain-Anschluss (Knoten N27) des P-Transistors 27 ist gegeben durch V27 = VI – VTN – |VTP|. Daher gibt die Pegelverschiebungsschaltung 63 das Potential V27 aus, welches durch Verschieben des Eingangspotentials um –VTN – |VTP| erhalten wird.
  • Die konstante Stromquelle 171 ist zwischen den Knoten beim vierten Energieversorgungspotential V4 und den Ausgangsknoten N30 geschaltet. Die Pull-down-Schaltung 33 beinhaltet einen P-Transistor 35 und einen N-Transistor 34, in Serie zwischen den Knoten beim siebten Energieversorgungspotential V7 (–10 V) und den Ausgangsknoten N30 geschaltet. An das Gate des P-Transistors 35 wird ein Ausgangspotential V27 der Pegelverschiebungsschaltung 63 angelegt. Das Gate des N-Transistors 34 ist mit seinem Drain-Anschluss verbunden. Der N-Transistor 34 arbeitet als ein Diodenelement. Weil das siebte Energieversorgungspotential V7 so gesetzt ist, dass der P-Transistor 35 in seinem Sättigungsbereich arbeitet, führt der P-Transistor 35 eine sogenannte Source-Follower-Arbeitsweise durch. Ein Stromwert der konstanten Stromquelle 71 ist auf den minimalen Wert gesetzt, der zur Erzeugung vorgegebener Schwellenspannungen der jeweiligen Transistoren 34 und 35 notwendig ist.
  • Ein Potential V34 an der Source (Knoten N34) des P-Transistors 35 ist durch V34 = V27 + |VTP| = VI – VTN gegeben. Das Potential VO am Ausgangsknoten N30 ist durch VO = V34 + VTN = VI gegeben.
  • In der siebzehnten Ausführungsform ist der insgesamt verbrauchte Strom gering, weil nur die Durchfließströme des minimalen Wertes, der zur Erzeugung vorgegebener Schwellenspannungen der jeweiligen Transistoren 26, 27, 34 und 35 notwendig ist, durch die Transistoren zu fließen haben.
  • 66 ist ein Schaltplan, der eine Konfiguration einer pull-artigen Treiberschaltung 172 entsprechend einer beispielhaften Modifikation der siebzehnten Ausführungsform zeigt. Unter Bezugnahme auf 66 weist die pull-artige Treiberschaltung 172 eine Konfiguration auf, die durch Herausnahme der Transistoren 27 und 34 in Diodenschaltung aus der pull-artigen Treiberschaltung 170 der 65 erhalten wird. Das Ausgangspotential VO ist gegeben durch VO = VI + |VTP| – VTN. Wenn |VTP| ≈ VTN gesetzt ist, dann gilt jedoch VO ≈ VI. Alternativ kann die Treiberschaltung 172 in gleicher Weise wie die Treiberschaltung 170 der 65 verwendet werden, wenn erwogen wird, bei ihrer Verwendung einen Wert von |VTP| – VTN als einen Offsetwert zu verwenden. In dieser beispielhaften Modifikation kann eine Belegungsfläche der Schaltung reduziert werden, da die Transistoren 27 und 34 herausgenommen sind.
  • Zur achtzehnten Ausführungsform:
  • Die 67 ist ein Schaltplan, der eine Konfiguration einer Treiberschaltung 175 gemäß einer achtzehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. In 67 weist die Treiberschaltung 175 eine Konfiguration auf, die durch Kombination der push-artigen Treiberschaltung 160 der 61 und einer pull-artigen Treiberschaltung 170 der 65 erhalten wird. Das Potential VI am Eingangsknoten N20 wird an das Gate des P-Transistors 24 der Pegelverschiebungsschaltung 61 und das Gate des N-Transistors 26 der Pegelverschiebungsschaltung 63 angelegt. Mit dem Ausgangsknoten N30 sind sowohl der Drain-Anschluss des P-Transistors 32 der pull-artigen Schaltung 30 und der Drain-Anschluss des N-Transistors 34 der Pull-down-Schaltung 33 verbunden.
  • Wenn das Ausgangspotential VO höher ist als das Eingangspotential VI, werden nicht nur die Transistoren 31 und 32 der Pull-up-Schaltung 30 nichtleitend, sondern außerdem werden die Transistoren 34 und 35 der Pull-down-Schaltung 33 leitend, um das Ausgangspotential VO abzusenken. Wenn das Ausgangspotential VO niedriger ist als das Eingangspotential VI, werden nicht nur die Transistoren 34 und 35 der Pull-down-Schaltung 33 nichtleitend, sondern außerdem werden die Transistoren 31 und 32 der Pull-up-Schaltung 30 leitend, um das Ausgangspotential VO zu erhöhen. Folglich wird VO = VI.
  • Die Treiberschaltung 175 wird als eine push-artige, eine pull-artige oder eine push-pull-artige Treiberschaltung verwendet. Wenn die Treiberschaltung 175 als eine push-artige Treiberschaltung verwendet wird, werden die stromtreibenden Fähigkeiten der Transistoren 34 und 35 der Pull-down-Schaltung 33 auf einen Pegel gesetzt, der im Vergleich zur Stromtreiberfähigkeit der Transistoren 31 und 32 der Pull-up-Schaltung 30 in hinreichender Weise geringer ist. Wenn die Treiberschaltung 175 als eine pull-artige Treiberschaltung verwendet wird, werden die Stromtreiberfähigkeiten der Transistoren 31 und 32 der Pull-up-Schaltung 30 auf einen Pegel gesetzt, der in ausreichender Weise geringer ist, als die Stromtreiberfähigkeiten der Transistoren 34 und 35 der Pull-down-Schaltung 30. Wenn die Treiberschaltung 175 als eine push-pull-artige Treiberschaltung verwendet wird, werden die Stromtreiberfähigkeiten der Transistoren 31 und 32 der Pull-up-Schaltung 30 auf den gleichen Pegel gesetzt, wie die Stromtreiberfähigkeiten der Transistoren 34 und 35 der Pull-down-Schaltung 33.
  • In der achtzehnten Ausführungsform kann ebenfalls die Treiberschaltung 175 mit einem kleinen Durchfließstrom erhalten werden, was die Reduktion der verbrauchten Energie ermöglicht.
  • 68 ist ein Schaltplan, der eine Konfiguration einer Treiberschaltung 176 gemäß einer beispielhaften Modifikation der achtzehnten Ausführungsform zeigt. Unter Bezugnahme auf 68 weist die Treiberschaltung 176 eine Konfiguration auf, die durch Herausnehmen der Transistoren 23, 27, 32 und 34 jeweils in Diodenverbindung aus der Treiberschaltung 170 der 67 erhalten wird. Das Ausgangspotential VO ist gegeben durch VO = VI + |VTP| – VTN. Wenn |VTP| ≈ VTN gesetzt ist, dann gilt VO ≈ VI. Alternativ kann, wenn erwogen wird, einen Wert von |VTP| – VTN als einen Offsetwert zu verwenden, kann die Treiberschaltung 176 in gleicher Weise verwendet werden wie die Treiberschaltung 175 der 67. In dieser beispielhaften Modifikation kann eine Belegungsfläche der Schaltung reduziert werden, weil die Transistoren 23, 27, 32 und 34 herausgenommen sind.
  • 69 ist ein Schaltplan, der eine Treiberschaltung 180 gemäß einer weiteren beispielhaften Modifikation der achtzehnten Ausführungsform zeigt. In 69 weist die Treiberschaltung 180 eine Konfiguration auf, die durch Ersetzen der Pegelverschiebungsschaltungen 61 und 63 der Treiberschaltung 175 der 67 mit entsprechenden Pegelverschiebungsschaltungen 181 und 183 erhalten wird. Die Pegelverschiebungsschaltung 181 weist eine Konfiguration auf, die durch Ersetzen der konstanten Stromquelle 62 der Pegelverschiebungsschaltung 61 mit einem Widerstandselement 182 erhalten wird. Die Pegelverschiebungsschaltung 183 weist eine Konfiguration auf, die durch Ersetzen der konstanten Stromquelle 64 der Pegelverschiebungsschaltung 63 mit einem Widerstandselement 184 erhalten wird. Widerstandswerte der Widerstandselemente 182 und 184 sind auf solche Werte gesetzt, bei denen durch die Widerstandselemente 182 und 184 Ströme mit den gleichen Pegeln fließen, wie bei den konstanten Stromquellen 62 und 64. In dieser beispielhaften Modifikation kann ebenfalls der gleiche Effekt wie bei der Treiberschaltung 175 der 67 erhalten werden.
  • 70 ist ein Schaltplan, der eine Konfiguration einer Treiberschaltung 185 einer nochmals weiteren beispielhaften Modifikation der achtzehnten Ausführungsform zeigt. Unter Bezugnahme auf die 70 unterscheidet sich die Treiberschaltung 185 von der Treiberschaltung 175 der 67 darin, dass die konstante Stromquelle 161 zwischen den Ausgangsknoten N30 und den Knoten beim fünften Energieversorgungspotential V5 geschaltet ist. Weiterhin ist die konstante Stromquelle 171 zwischen den Knoten beim dritten Energieversorgungspotential V3 und den Ausgangsknoten N30 geschaltet.
  • Die konstanten Stromquellen 62, 64, 161 und 171 bestehen jeweils, wie in 71 gezeigt, aus einem Widerstandselement 67, P-Transistoren 65, 66 und 189, und N-Transistoren 186188. Der P-Transistor 66, das Widerstandselement 67 und der N-Transistor 186 sind in Serie zwischen den Knoten beim dritten Potential V3 und dem Knoten beim fünften Potential V5 geschaltet. Das Gate des P-Transistors 66 ist mit seinem Drain-Anschluss verbunden und das Gate des N-Transistors 186 ist mit seinem Drain-Anschluss verbunden. Die Transistoren 66 und 186 arbeiten jeweils als ein Diodenelement.
  • Der P-Transistor 65 ist zwischen den Knoten beim dritten Energieversorgungspotential V3 und den Knoten N22 geschaltet. Sein Gate ist mit dem Gate des P-Transistors 66 verbunden. Der P-Transistor 189 ist zwischen den Knoten an der dritten Energieversorgung V3 und den Ausgangsknoten N30 geschaltet. Sein Gate ist mit dem Gate des P-Transistors 66 verbunden. Die P-Transistoren 66, 65 und 189 stellen eine Stromspiegelschaltung dar. Ströme mit einem Wert, der einem Strom entspricht, der im P-Transistor 66 fließt, fließen in den jeweiligen P-Transistoren 65 und 189. Die P-Transistoren 65 und 189 arbeiten jeweils als konstante Stromquellen 62 und 171.
  • Der N-Transistor 187 ist zwischen den Knoten beim fünften Energieversorgungspotential V5 und den Knoten N27 geschaltet, und sein Gate ist mit dem Gate des N-Transistors 186 verbunden. Der N-Transistor 188 ist zwischen den Knoten beim fünften Energieversorgungspotential V5 und den Ausgangsknoten N30 geschaltet, und sein Gate ist mit dem Gate des N-Transistors 186 verbunden. Die N-Transistoren 186188 stellen eine Stromspiegelschaltung dar. Ströme mit einem Wert, der einem Strom entspricht, der im N-Transistor 186 fließt, fließen durch die jeweiligen N-Transistoren 187 und 188. Die N-Transistoren 187 und 188 arbeiten jeweils als konstante Stromquellen 64 und 161. Weil die anderen Teile und Arbeitsweisen dieser Konfiguration die gleichen sind wie in der Treiberschaltung 175 der 67, werden jegliche diesbezügliche Beschreibungen nicht wiederholt. Bei Anwendung dieser beispielhaften Modifikation wird derselbe Effekt wie in der Treiberschaltung 175 der 67 erhalten.
  • Zur neunzehnten Ausführungsform:
  • 72 ist ein Blockschaltbild, das eine Konfiguration einer Treiberschaltung 190 mit einer Offsetausgleichsfähigkeit gemäß einer neunzehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. In 72 weist die Treiberschaltung 190 mit einer Offsetausgleichsfähigkeit eine Konfiguration auf, die durch Hinzufügen eines Kondensators 122 und von Schaltern S1–S4 zu der push-artigen Treiberschaltung 160 der 61 erhalten wird. Der Kondensator 122 und die Schalter S1–S4 stellen eine Offsetaus gleichsschaltung zum Ausgleich einer Offsetspannung VOF der push-artigen Treiberschaltung 160 dar.
  • Das bedeutet, dass der Schalter S1 zwischen den Eingangsknoten N120 und Eingangsknoten N20 der Treiberschaltung 160 geschaltet ist. Der Schalter S4 ist zwischen den Ausgangsknoten N121 und N30 der Treiberschaltung 160 geschaltet. Der Kondensator 122 und der Schalter S2 sind in Serie zwischen den Eingangsknoten N20 der Treiberschaltung 160 und den Ausgangsknoten N30 geschaltet. Der Schalter S3 ist zwischen den Eingangsknoten N120 und den Knoten N122, der zwischen dem Kondensator 122 und dem Schalter S2 angeordnet ist, geschaltet.
  • Nunmehr werden Arbeitsweisen der Treiberschaltung 190 mit einer Offsetausgleichsfähigkeit beschrieben. In einem anfänglichen Zustand sind alle Schalter S1–S4 in einen ausgeschalteten Zustand gesetzt. Wenn die Schalter S1 und S2 zu einem Zeitpunkt in einen angeschalteten Zustand gesetzt werden, wird das Potential V20 am Eingangsknoten N20 der Treiberschaltung 160 zu V20 = VI. Das Ausgangspotential V30 der Treiberschaltung 121 und das Potential V122 am Knoten N122 werden zu V30 = V122 = VI – VOF, um den Kondensator 122 auf die Offsetspannung VOF zu laden.
  • Wenn sodann die Schalter S1 und S2 in einen ausgeschalteten Zustand gesetzt werden, wird die Offsetspannung VOF im Kondensator 122 gehalten. Wenn sodann der Schalter S3 in einen angeschalteten Zustand gesetzt wird, wird das Potential V122 am Knoten N122 zu V122 = VI. Das Eingangspotential V20 der Treiberschaltung 160 wird getrieben auf V20 = VI + VOF. Als ein Ergebnis wird das Ausgangspotential V30 der Treiberschaltung 160 zu V30 = V20 – VOF = VI und die Offsetspannung VOF der Treiberschaltung 160 wird aufgehoben. Wenn sodann der Schalter S4 in einen angeschalteten Zustand gesetzt wird, wird das Ausgangspotential VO auf VO = VI getrieben und einer Last bereitgestellt.
  • In der neunzehnten Ausführungsform kann die Offsetspannung VOF der push-artigen Treiberschaltung 160 aufgehoben werden, um zu bewirken, dass das Ausgangspotential VO und das Eingangspotential VI miteinander übereinstimmen.
  • Eine push-artige Treiberschaltung 191 mit einer Offsetausgleichsfähigkeit der 73 weist eine Konfiguration auf, die durch Hinzufügen eines Kondensators 122 und von Schaltern S1–S4 zu der pull-artigen Treiberschaltung 170 der 65 erhalten wird. In dieser beispielhaften Modifikation kann die Offsetspannung VOF der pull-artigen Treiberschaltung 191 aufgehoben werden, um zu bewirken, dass die Ausgangsspannung VO und das Eingangspotential VI miteinander übereinstimmen. Weiterhin versteht es sich von selbst, dass der gleiche Effekt ebenso in einer Konfiguration erhalten werden kann, die durch Hinzufügen eines Kondensators 122 und von Schaltern S1 und S4 zu jeder der Treiberschaltungen 165, 166 und 172 erhalten wird.
  • Zur zwanzigsten Ausführungsform:
  • 74 ist ein Blockschaltbild, das eine Konfiguration einer Treiberschaltung 195 mit einer Offsetausgleichsfähigkeit gemäß einer zwanzigsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. In 74 weist die Treiberschaltung 195 mit einer Offsetausgleichsfähigkeit eine Konfiguration auf, die durch Hinzufügen von Kondensatoren 122a und 122b und von Schaltern S1a–S4a und S1b–S4b zu der Treiberschaltung 175 der 67 erhalten wird.
  • Die Schalter S1a und S1b sind zwischen den Eingangsknoten N120 und die Gates (Knoten N20a und N20b) der jeweiligen Transistoren 24 und 26 geschaltet. Die Schalter S4a und S4b sind zwischen den Ausgangsknoten N121 und die Drain-Anschlüsse (Knoten N30a und N30b) der jeweiligen Transistoren 32 bzw. 34 geschaltet.
  • Der Kondensator 122a und der Schalter S2a sind in Serie zwischen die Knoten N20a und N30a geschaltet. Der Kondensator 121b und der Schalter S2b sind in Serie zwischen die Knoten N20b und N30b geschaltet. Der Schalter S3a ist zwischen den Eingangsknoten N120 und den Knoten 122a, der zwischen dem Kondensator 122a und dem Schalter S2a angeordnet ist, geschaltet. Der Schalter S3b ist zwischen den Eingangsknoten N120 und den Knoten 122b, der zwischen dem Kondensator 122b und dem Schalter S2b angeordnet ist, geschaltet.
  • Nunmehr werden Arbeitsweisen der Treiberschaltung 195 beschrieben. In einem anfänglichen Zustand sind alle Schalter S1a–S4a und S1b–S4b in einen ausgeschalte ten Zustand gesetzt. Wenn die Schalter S1a, S2a, S1b und S2b zu einem Zeitpunkt in einen angeschalteten Zustand gesetzt werden, werden die Potentiale V30a und 30b an den Knoten N30a und N30b zu V30a = VI – VOFa bzw. V30b = VI – VOFb. Die Kondensatoren 122a und 122b werden auf die jeweiligen Offsetspannungen VOFa und VOFb geladen.
  • Wenn sodann die Schalter S1a, S2a, S1b und S2b in einen ausgeschalteten Zustand gesetzt werden, werden die Offsetspannungen VOFa und VOFb in den Kondensatoren 122a und 122b gehalten. Wenn nachfolgend hierzu die Schalter S3a und S3b in einen angeschalteten Zustand gesetzt werden, werden die Potentiale an den Gates der Transistoren 24 und 26 zu VI + VOFa bzw. VI + VOFb. Als ein Ergebnis sind die Potentiale V30a und V30b an den Knoten N30a und N30b gegeben durch V30a = VI + VOFa – VOFa = VI bzw. V30b = VI + VOFb – VOFb = VI, um die Offsetspannungen VOFa und VOFb der Treiberschaltung 175 aufzuheben. Im letzten Stadium werden die Schalter S4a und S4b in einen angeschalteten Zustand gesetzt, um eine Beziehung VO = VI zu erhalten.
  • In der zwanzigsten Ausführungsform treten keine Offsetspannungen auf. Hierdurch wird die Treiberschaltung 195 mit einer kleinen Treiberfähigkeit und einer geringen verbrauchten Energie erhalten.
  • Es versteht sich von selbst, dass der gleiche Effekt auch dadurch sichergestellt werden kann, dass die Kondensatoren 122a und 122b und die Schalter S1a–S4a und S1b–S4b zu jeder der Treiberschaltungen 176, 180 und 185 hinzugefügt werden.
  • Eine Treiberschaltung 196 mit einer Offsetausgleichsfähigkeit der 75 weist eine Konfiguration auf, die durch Hinzufügen von Kondensatoren 126a und 126b zu der Treiberschaltung 195 mit einer Offsetausgleichsfähigkeit der 74 erhalten wird. Die einen Elektroden der Kondensatoren 126a und 126b werden mit den entsprechenden Knoten N30a und N30b verbunden, während die jeweils anderen Elektroden der Kondensatoren ein Rücksetzsignal /ΦR und ein hierzu komplementäres Signal ΦR empfangen.
  • In einem anfänglichen Zustand sind die Signale /ΦR, bzw. ΦR auf den H-Pegel bzw. den L-Pegel gesetzt. Weil ein Stromwert einer konstanten Stromquelle 161 auf einen kleinen Wert gesetzt ist, fällt das Potential V30a am Knoten N30a graduell. Und zwar sogar dann, wenn die Schalter S1a und S2a in einen angeschalteten Zustand gesetzt werden, wenn das Potential V30a am Knoten N30a größer ist als das Eingangspotential VI. Weil ein Stromwert der konstanten Stromquelle 171 auf einen kleinen Wert gesetzt ist, nimmt das Potential V30b am Knoten N30b graduell zu, sogar dann, wenn die Schalter S1b und S2b in einen angeschalteten Zustand gesetzt werden, wenn das Potential V30b am Knoten N30b geringer ist als das Eingangspotential VI. Daher wird in dieser beispielhaften Modifikation nicht nur das Signal /ΦR vom H-Pegel auf den L-Pegel abgesenkt, sondern auch das Signal ΦR vom L-Pegel auf den H-Pegel erhöht, unmittelbar nachdem die Schalter S1a, S2a, S1b und S2b in einen angeschalteten Zustand gesetzt werden. Hierdurch werden die Transistoren 31, 32, 34 und 35 leitend, um zu bewirken, dass die Potentiale V30a und V30b an den jeweiligen Knoten N30a und N30b rasch mit dem Eingangspotential VI zusammenfallen. Folglich kann in der beispielhaften Modifikation eine Hochgeschwindigkeitsarbeitsweise einer Treiberschaltung realisiert werden.
  • Eine Treiberschaltung 197 mit einer Offsetausgleichsfähigkeit in 76 weist eine Konfiguration auf, die durch Ersetzen der Kondensatoren 126a und 126b der Treiberschaltung 196 mit einer Offsetausgleichsfähigkeit mit einem N-Kanal-Transistor 131a bzw. einem P-Kanal-Transistor 131b erhalten wird. Der N-Kanal-Transistor 131a ist zwischen die Leitung am achten Energieversorgungspotential V8 und den Knoten N30a geschaltet und erhält das Rücksetzsignal ΦR' an seinem Gate. Der P-Transistor 131b ist zwischen den Knoten N30b und die Leitung beim neunten Energieversorgungspotential V9 geschaltet und erhält das Rücksetzsignal /ΦR', welches komplementär zu dem Rücksetzsignal ΦR' ist, an seinem Gate. Gewöhnlich befinden sich die Signale ΦR' und /ΦR' beim L-Pegel bzw. H-Pegel, um zu bewirken, dass der N-Transistor 131a und der P-Transistor 131b nicht leitend sind. Nicht nur wird das Signal ΦR' für eine vorgegebene Zeit impulsartig auf den H-Pegel gesetzt, sondern auch das Signal /ΦR' für eine vorgegebene Zeit impulsartig auf den L-Pegel gesetzt, unmittelbar nachdem die Schalter S1a, S2a, S1b und S2b in einen angeschalteten Zustand gesetzt werden. Hierdurch wird nicht nur der N-Transistor 131a impulsartig leitend, um das Potential V30a am Knoten N30a auf das achte Energieversorgungspotential V8 abzusenken, sondern auch der P-Transistor 131b wird impulsartig leitend, um das Potential V30b am Knoten N30b auf das neunte Energieversorgungspotential V9 zu erhöhen. In dieser beispielhaften Modifikation kann ebenfalls eine Hochgeschwindigkeitsarbeitsweise realisiert werden.
  • Eine Treiberschaltung 198 mit einer Offsetausgleichsfähigkeit der 77 weist eine Konfiguration auf, die durch Hinzufügen eines P-Transistors 81 und eines N-Transistors 82 zu der Treiberschaltung 196 der 75 erhalten wird. Der P-Transistor 81 wird parallel zu einer konstanten Stromquelle 62 geschaltet und erhält ein Signal /ΦP an seinem Gate. Der N-Transistor 82 ist parallel zu einer konstanten Stromquelle 64 geschaltet und erhält ein Signal ΦP an seinem Gate. In einem anfänglichen Zustand sind die Signale /ΦP und ΦP auf H-Pegel bzw. L-Pegel gesetzt. Weil ein Stromwert einer konstanten Stromquelle 62 auf einen kleinen Wert gesetzt ist, nimmt das Potential V22 am Knoten N22 graduell zu, sogar dann, wenn die Schalter S1a und S2a in einen angeschalteten Zustand gesetzt werden, wenn das Potential V22 am Knoten N22 kleiner ist, als das Eingangspotential VI. Weil weiterhin ein Stromwert der konstanten Stromquelle 64 auf einen kleinen Wert gesetzt ist, fällt das Potential V27 am Knoten N27 graduell, sogar dann, wenn die Schalter S1b und S2b in einen angeschalteten Zustand gesetzt werden, wenn das Potential V27 am Knoten N27 größer ist als das Eingangspotential VI. Daher wird in dieser beispielhaften Modifikation nicht nur das Signal /ΦP für eine vorgegebene Zeit impulsartig abgesenkt, sondern auch das Signal ΦP für eine vorgegebene Zeit impulsartig auf den H-Pegel angehoben, unmittelbar nachdem die Schalter S1a, S2a, S1b und S2b in einen angeschalteten Zustand gesetzt werden. Dadurch werden die Transistoren 81 und 82 impulsartig leitend und nicht nur nimmt das Potential V22 am Knoten N22 rasch zu, sondern das Potential V27 am Knoten N27 fällt schnell ab. Daher kann in der beispielhaften Modifikation eine Hochgeschwindigkeitsarbeitsweise einer Treiberschaltung realisiert werden.
  • Zur einundzwanzigsten Ausführungsform:
  • In der push-artigen Treiberschaltung 190 mit einer Offsetausgleichsfähigkeit der 72 ist es erforderlich, dass die Transistoren 31 und 32 leitend werden, um eine Offsetspannung VOF zu erzeugen, wenn die Schalter S1 und S2 in einen angeschalteten Zustand gesetzt werden. Um zu bewirken, dass Transistoren 31 und 32 ohne Versagen leitend werden, wenn die Schalter S1 und S2 in einen angeschalteten Zustand gesetzt werden, ist es erforderlich, dass das Potential V30 am Knoten N30 auf ein festes Potential VImin – ΔVmax, welches durch Subtraktion des maximalen Wertes ΔVmax der Offsetspannung VOF von dem minimalen Wert VImin des Eingangspotentials VI erhalten wird, zurückgesetzt wird, bevor die Schalter S1 und S2 in einen angeschalteten Zustand gesetzt werden. Darüberhinaus ist es erforderlich, den Fluss eines großen Stromes in die Transistoren 31 und 32 zu verhindern, wenn das feste Potential VImin – ΔVmax an den Knoten N30 angelegt ist. In der einundzwanzigsten Ausführungsform wird dieses Problem gelöst.
  • 78 ist ein Blockschaltbild, das eine Konfiguration einer push-artigen Treiberschaltung 200 mit einer Offsetausgleichsfähigkeit gemäß einer einundzwanzigsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. In 78 weist die push-artige Treiberschaltung 200 mit einer Offsetausgleichsfähigkeit eine Konfiguration auf, die durch Hinzufügen der N-Transistoren 201, 202 und 204 und eines P-Transistors 203 zu der Treiberschaltung 190 der 72 erhalten wird. Die Transistoren 201204 stellen eine Rücksetzschaltung zur Initialisierung des Potentials V30 am Knoten N30 dar.
  • Das bedeutet, dass die Transistoren 201203 in Serie zwischen dem Knoten N22 und den Knoten bei der Masse GND geschaltet sind. Das Gate des N-Transistors 201 erhält ein Taktsignal CLK. Das Gate des N-Transistors 202 ist mit seinem Drain-Anschluss verbunden. Der N-Transistor 202 arbeitet als ein Diodenelement. Das Gate des P-Transistors 203 erhält ein festes Potential VImin – ΔVmax, welches durch Subtrahieren des maximalen Wertes ΔVmax der Offsetspannung VOF vom minimalen Wert VImin des Eingangspotentials VI erhalten wird. Der Drain-Anschluss des N-Transistors 204 ist mit dem Knoten N30 verbunden, dessen Source das feste Potential VImin – ΔVmax erhält und dessen Gate das Taktsignal CLK erhält.
  • Das Taktsignal CLK ist für eine vorgegebene Zeit impulsartig auf den H-Pegel gesetzt, und zwar während einer Periode, bei der die Schalter S1 und S2 in einem angeschalteten Zustand gehalten werden. Hierdurch wird der N-Transistor 204 leitend, um das Potential V30 am Knoten N30 auf das feste Potential VImin – ΔVmax zu treiben, um zu bewirken, dass die Transistoren 31 und 32 leitend werden, und um die Offsetspannung VOF zu erzeugen. Der N-Transistor 201 wird leitend, um zu bewirken, dass das Potential V22 am Knoten N22 zu einem Potential VImin – ΔVmax + |VTP| + VTN wird, welches durch Hinzufügen des absoluten Wertes |VTP| eines Schwellenwertes des P-Transistors 203 und der Schwellenspannung VTN des N-Transistors 201 zu dem festen Potential VImin – ΔVmax erhalten wird. Zu diesem Zeitpunkt fließt nur ein geringer Strom in den Transistoren 31 und 32, weil eine Potentialdifferenz zwischen den Knoten N22 und N30 |VTP| + VTN ist. Die weiteren Teile und dazugehörigen Arbeitsweisen sind die gleichen wie in der Treiberschaltung 190 der 72. Daher werden jegliche diesbezüglichen Beschreibungen hier nicht wiederholt.
  • In der einundzwanzigsten Ausführungsform stimmen das Ausgangspotential VO und das Eingangspotential VI in korrekter Weise miteinander überein und die Treiberschaltung 200 mit niedrigem Energieverbrauch wird erhalten.
  • Es ist anzumerken, dass die N-Transistoren 201 und 204 unter Verwendung anderer Signale gesteuert werden können. Weiterhin können die N-Transistoren 201 und 204 durch P-Transistoren ersetzt werden. Es ist allerdings erforderlich, ein zu dem Signal CLK komplementäres Signal /CLK an die Gates der P-Transistoren zu geben. Wenn ein vorgegebenes Potential am Knoten N22 anliegt, kann der Drain-Anschluss des P-Transistors 203 mit einem Knoten bei einem anderen Potential als dem Massepotential GND verbunden werden. Darüberhinaus kann ein Anschluss auf der Seite des niedrigeren Potentials der konstanten Stromquelle 161 mit einem Knoten bei einem anderen Potential als dem Massepotential GND verbunden werden, wenn ein vorgegebener Strom fließt.
  • Zur zweiundzwanzigsten Ausführungsform:
  • In einer pull-artigen Treiberschaltung 191 mit einer Offsetausgleichsfähigkeit der 73 ist es, wenn die Schalter S1 und S2 in einen angeschalteten Zustand versetzt werden, zum Erzeugen einer Offsetspannung VOF erforderlich, die Transistoren 34 und 35 leitend zu machen. Um zu bewirken, dass die Transistoren 34 und 35 ohne Versagen leitend werden, wenn die Schalter S1 und S2 in einen angeschalteten Zustand versetzt werden, ist es erforderlich, das Potential V30 am Knoten N30 auf das feste Potential VImax + ΔVmax, welches durch Hinzufügen des maximalen Wertes ΔVmax der Offsetspannung VOF zu dem maximalen Wert VImax des Eingangspotentials VI erhalten wird, zurückzusetzen, bevor die Schalter S1 und S2 in einen angeschalteten Zustand versetzt werden. Es ist erforderlich, zu verhindern, dass ein großer Strom durch die Transistoren 34 und 35 fließt, wenn das feste Potential VImax + ΔVmax an dem Knoten N30 anliegt. In der zweiundzwanzigsten Ausführungsform ist dieses Problem gelöst.
  • 79 ist ein Blockschaltbild, das eine Konfiguration einer pull-artigen Treiberschaltung 210 mit einer Offsetausgleichsfähigkeit gemäß einer zweiundzwanzigsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Inder 79 weist die pull-artige Treiberschaltung 210 mit einer Offsetausgleichsfähigkeit eine Konfiguration auf, die durch Hinzufügen eines N-Transistors 211 und P-Transistoren 212 bis 214 zu der Treiberschaltung 191 der 73 erhalten wird. Die Transistoren 211214 stellen eine Rücksetzschaltung zur Initialisierung des Potentials V30 am Knoten N30 dar.
  • Das heißt, die Transistoren 211213 sind in Serie zwischen den Knoten beim vierten Energieversorgungspotential V4 und dem Knoten N27 geschaltet. Das Gate des P-Transistors 211 empfängt ein festes Potential VImax + ΔVmax, welches durch Hinzufügen des maximalen Wertes ΔVmax der Offsetspannung VOF zum maximalen Wert VImax des Eingangspotentials VI erhalten wird. Das Gate des P-Transistors 212 ist mit seinem Drain-Anschluss verbunden. Der P-Transistor 212 arbeitet als ein Diodenelement. Das Gate des P-Transistors 213 erhält ein komplementäres Taktsignal /CLK. Der Drain-Anschluss des P-Transistors 214 ist mit dem Knoten N30 verbunden. Seine Source erhält das feste Potential VImax + ΔVmax und sein Gate erhält das komplementäre Taktsignal /CLK.
  • Das komplementäre Taktsignal /CLK ist für eine vorgegebene Zeit impulsartig auf den L-Pegel gesetzt, und zwar während einer Periode, bei der die Schalter S1 und S2 in einem angeschalteten Zustand gehalten werden. Hierdurch wird der P-Transistor 214 leitend, um das Potential V30 am Knoten N30 auf ein festes Potential VImax + ΔVmax zu treiben, und die Transistoren 34 und 35 werden leitend, um eine Offsetspannung VOF zu erzeugen. Der P-Transistor 213 wird leitend, um ein Potential V27 am Knoten N27 auf ein Potential VImax + ΔVmax – VTN – |VTP| zu treiben, welches durch Subtrahieren der Schwellenspannung VTN des N-Transistors 211 und des absoluten Wertes |VTP| eines Schwellenwertes des P-Transistors 212 vom festen Potential VImax + ΔVmax erhalten wird. Weil eine Potentialdifferenz zwischen den Knoten N30 und N27 den Wert VTN + |VTP| annimmt, fließt nur ein kleiner Strom durch die Transistoren 34 und 35. Die anderen Teile der Konfiguration und die entsprechenden Arbeitsweisen sind die gleichen wie in der Treiberschaltung 191 der 73, daher werden jegliche diesbezüglichen Beschreibungen hier nicht wiederholt.
  • In der zweiundzwanzigsten Ausführungsform stimmen das Ausgangspotential VO und das Eingangspotential VI in korrekter Weise miteinander überein und die Treiberschaltung 210 mit niedrigem Energieverbrauch wird erhalten.
  • Es ist anzumerken, dass die P-Transistoren 213 und 214 durch andere Signale gesteuert werden können. Darüberhinaus kann jeder der P-Transistoren 213 und 214 durch N-Transistoren ersetzt werden. Es ist jedoch erforderlich, dass ein zum Signal /CLK komplementäres Signal CLK an die Gates der N-Transistoren gegeben wird. Wenn ein vorgegebenes Potential am Knoten N27 anliegt, kann der Drain-Anschluss des N-Transistors 211 mit einem Knoten bei einem anderen Potential als dem vierten Energieversorgungspotential V4 verbunden werden. Wenn ein vorgegebener Strom fließt, kann ein Anschluss auf der Seite des höheren Potentials der konstanten Stromquelle 165 mit einem Knoten bei einem anderen Potential als dem vierten Energieversorgungspotential V4 verbunden werden. Darüberhinaus kann selbstverständlich, wenn die Treiberschaltung 200 der 78 und die Treiberschaltung 210 der 79 miteinander parallel geschaltet werden, eine push-pull-artige Schaltung mit einer guten Offsetausgleichsfähigkeit erhalten werden.
  • Es bleibt anzumerken, dass in den obigen ersten bis zweiundzwanzigsten Ausführungsformen Feldeffekttransistoren entweder MOS-Transistoren oder Dünnfilm-Transistoren (TFT) sein können. Ein Dünnfilm-Transistor kann entweder aus einem dünnen Halbleiterfilm, wie etwa einem dünnen Polysilikon-Film, einem amorphen Silikon-Film oder dergleichen bestehen oder aus einem isolierenden Substrat, wie etwa einem Harz-Substrat, einem Glas-Substrat oder dergleichen ausgebildet sein.

Claims (18)

  1. Treiberschaltung zum Ausgeben eines Potentials (VO), das einem Eingangspotential (VI) entspricht, an einen Ausgangsknoten (N30), umfassend eine erste Pegelverschiebungsschaltung (61), die ein Potential ausgibt, das durch Pegelverschieben des Eingangspotentials (VI) um eine vorgegebene erste Spannung in eine erste Potentialrichtung erhalten wird, und eine zweite Pegelverschiebungsschaltung (30), die ein Potential an den Ausgangsknoten (N30) ausgibt, das durch Pegelverschieben eines Ausgangspotentials der ersten Pegelverschiebungsschaltung (61) um eine vorgegebene zweite Spannung in eine zweite Potentialrichtung, die zu der ersten Potentialrichtung entgegengesetzt ist, erhalten wird, wobei die erste Pegelverschiebungsschaltung (61) ein erstes strombegrenzendes Element (65) mit einer ersten Elektrode, die ein erstes Energieversorgungspotential (V3) erhält, und einen ersten Transistor (24) eines ersten Leitfähigkeitstyps mit einer ersten Elektrode, die mit der anderen Elektrode des ersten strombegrenzenden Elements (65) verbunden ist, einer zweiten Elektrode, die ein zweites Energieversorgungspotential (GND) empfängt, und einer Eingangselektrode, die das Eingangspotential (VI) erhält, aufweist und die zweite Pegelverschiebungsschaltung (30) einen zweiten Transistor (31) eines zweiten Leitfähigkeitstyps mit einer ersten Elektrode, die ein drittes Energieversorgungspotential (V6) erhält, einer zweiten Elektrode, die mit dem Ausgangsknoten (N30) verbunden ist, und einer Eingangselektrode, die mit der anderen Elektrode des ersten strombegrenzenden Elements (65) verbunden ist, aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Pegelverschiebungsschaltung (61) weiterhin einen dritten Transistor (23) des zweiten Leitfähigkeitstyps mit einer ersten Elektrode und einer Eingangselektrode, die mit der anderen Elektrode des ersten strombegrenzenden Elements (65) verbunden sind, und einer zweiten Elektrode, die mit der ersten Elektrode des ersten Transistors (24) verbunden ist, aufweist und die zweite Pegelverschiebungsschaltung (30) weiterhin einen vierten Transistor (32) des ersten Leitfähigkeitstyps mit einer ersten Elektrode, die mit der zweiten Elektrode des zweiten Transistors (31) verbunden ist, einer zweiten Elektrode und einer Eingangselektrode, die mit dem Ausgangsknoten (N30) verbunden sind, aufweist.
  2. Treiberschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Pegelverschiebungsschaltung (30, 162) weiterhin ein zweites strombegrenzendes Element (162), das zwischen den Ausgangsknoten (N30) und eine Leitung bei einem vierten Energieversorgungspotential (GND) geschaltet ist, aufweist.
  3. Treiberschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass sich die ersten und dritten Energieversorgungspotentiale (V3, V6) bei dem gleichen Potential befinden und sich die zweiten und vierten Energieversorgungspotentiale (GND, GND) bei dem gleichen Potential befinden.
  4. Treiberschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das erste und das zweite strombegrenzende Element ein erstes bzw. zweites Widerstandselement (182, 161) ist.
  5. Treiberschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das erste strombegrenzende Element ein fünfter Transistor (65) des ersten Leitfähigkeitstyps mit einer Eingangselektrode, die eine erste konstante Spannung erhält, ist und das zweite strombegrenzende Element ein sechster Transistor (162) des zweiten Leitfähigkeitstyps mit einer Eingangselektrode, die eine zweite konstante Spannung erhält, ist.
  6. Treiberschaltung nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch eine Schaltung zum Erzeugen einer konstanten Spannung (66, 67, 163, 164), die die erste und zweite konstante Spannung, erzeugt.
  7. Treiberschaltung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine erste Impulserzeugerschaltung (76, 81), die ein Potential an einem ersten Knoten (N22) zwischen der ersten und zweiten Pegelverschiebungsschaltung (61, 30) in Reaktion auf eine Änderung des Eingangspotentials (VI) in die erste Potentialrichtung impulsartig in die erste Potentialrichtung ändert.
  8. Treiberschaltung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Impulserzeugerschaltung (76, 81) einen ersten Kondensator (76) mit einer Elektrode, die mit dem ersten Knoten (N22) verbunden ist, und einer weiteren Elektrode, an der bewirkt wird, dass ein Potential (ΦB) sich in Reaktion auf eine Änderung des Eingangspotentials (VI) in die erste Potentialrichtung impulsartig in die erste Potentialrichtung ändert, aufweist.
  9. Treiberschaltung nach Anspruch 8, gekennzeichnet durch einen siebenten Transistor (101) des zweiten Leitfähigkeitstyps mit einer ersten Elektrode, die das erste Energieversorgungspotential (V3) erhält, und einer zwei ten Elektrode, die mit dem ersten Knoten (N22) verbunden ist, und eine dritte Pegelverschiebungsschaltung (97100), die ein Potential (V99) erzeugt, das durch Pegelverschieben des Eingangspotentials (VI) um die Summe der ersten Spannung und einer Schwellenspannung des siebenten Transistors in der ersten Potentialrichtung erhalten wird, und das erzeugte Potential (V99) an eine Eingangselektrode des siebenten Transistors (101) gibt.
  10. Treiberschaltung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Impulserzeugerschaltung (76, 81) ein erstes Schaltelement (81) mit einer Elektrode, die ein fünftes Energieversorgungspotential (V3) erhält, und einer weiteren Elektrode, die mit dem ersten Knoten (N22) verbunden ist, das in Reaktion auf eine Änderung des Eingangspotentials (VI) in der ersten Potentialrichtung impulsartig leitend wird, aufweist.
  11. Treiberschaltung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Impulserzeugerschaltung (76, 81, 86) weiterhin eine Strombegrenzerschaltung (86) aufweist, die verhindert, dass ein Strom zwischen dem ersten Knoten (N22) und dem Knoten beim zweiten Energieversorgungspotential (GND) fließt, wenn das erste Schaltelement (81) leitend ist.
  12. Treiberschaltung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Offsetausgleichsschaltung (122, S1–S3), die eine Offsetspannung der Treiberschaltung kompensiert, wobei ein Ausgangspotential der zweiten Pegelverschiebungsschaltung (30) anstatt zum Ausgangsknoten (N121) an einen zweiten Knoten (N30) ausgegeben wird und die Offsetausgleichsschaltung (122, S1–S3) aufweist: einen zweiten Kondensator (122), eine erste Schalteinrichtung (S1, S2), die nicht nur das Eingangspotential (VI) an die eine Elektrode des zweiten Kondensators (122) gibt, sondern auch die andere Elektrode des zweiten Kondensators (122) mit dem zweiten Knoten (N30) verbindet, eine zweite Schalteinrichtung (S3), die nicht nur das Eingangspotential (VI) an die andere Elektrode des zweiten Kondensators (122) gibt, sondern auch anstatt des Eingangspotentials (VI) ein Potential an der einen Elektrode des zweiten Kondensators (122) an die erste Pegelverschiebungsschaltung (61) gibt, und eine dritte Schalteinrichtung (S4), die ein Potential am zweiten Knoten (N30) zum Ausgangsknoten (N121) gibt.
  13. Treiberschaltung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Offsetausgleichsschaltung (122, S1–S3, 126a, 204) weiterhin eine zweite Impulserzeugerschaltung (126a, 204) aufweist, die ein Potential am zweiten Knoten (N30) impulsartig in die zweite Richtung, die entgegengesetzt zu der ersten Richtung ist, während einer Periode ändert, bei der nicht nur das Eingangspotential (VI) durch die erste Schalteinrichtung (S1, S2) an die eine Elektrode des zweiten Kondensators (122) gegeben wird, sondern auch die andere Elektrode des zweiten Kondensators (122) mit dem zweiten Knoten (N30) verbunden ist.
  14. Treiberschaltung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Impulserzeugerschaltung (126a) einen dritten Kondensator (126a) mit einer Elektrode, die mit dem zweiten Knoten (N30a) verbunden ist, und einer weiteren Elektrode aufweist, an der bewirkt wird, dass ein Potential sich in die zweite Potentialrichtung, die zu der ersten Potentialrichtung entgegengesetzt ist, gemäß einem vorgegebenen Zeitablauf ändert.
  15. Treiberschaltung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Impulserzeugerschaltung (204) ein zweites Schaltelement (204) mit einer Elektrode, die mit dem zweiten Knoten (N30) verbunden ist, und einer weiteren Elektrode aufweist, die ein sechstes Energieversorgungspotential (VImin – ΔVmax) erhält, wobei das zweite Schaltelement gemäß einem vorgegebenen Zeitablauf impulsartig leitend wird.
  16. Treiberschaltung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Impulserzeugerschaltung (201204) weiterhin eine Strombegrenzerschaltung (201203) aufweist, die einen Ausgangsstrom der zweiten Pegelverschiebungsschaltung (30) begrenzt, wenn das zweite Schaltelement (204) leitend ist.
  17. Treiberschaltung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine vierte Pegelverschiebungsschaltung (63), die ein Potential ausgibt, das durch Pegelverschieben des Eingangspotentials (VI) um die zweite Spannung in die zweite Potentialrichtung, die zu der ersten Potentialrichtung entgegengesetzt ist, erhalten wird, und eine fünfte Pegelverschiebungsschaltung (33), die ein Potential, das durch Pegelverschieben eines Ausgangspotentials der vierten Pegelverschiebungsschaltung (63) um die erste Spannung in der ersten Potentialrichtung erhalten wird, an den Ausgangsknoten (N30) ausgibt.
  18. Treiberschaltung nach Anspruch 17, gekennzeichnet durch einen dritten Kondensator (29) mit einer Elektrode und einer weiteren Elektrode, die Ausgangspotentiale der ersten bzw. vierten Pegelverschiebungsschaltung (61, 63) empfangen und einen Änderungsbetrag eines Ausgangspotentials einer Pegelverschiebungsschaltung von der ersten und vierten Pegelverschiebungsschaltung (61, 63) zu einem Ausgangspotential der anderen Pegelverschiebungsschaltung mittels kapazitiver Kopplung addieren.
DE10307320A 2002-02-20 2003-02-20 Treiberschaltung Expired - Fee Related DE10307320B4 (de)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP02-043548 2002-02-20
JP2002043548 2002-02-20
JP02-201519 2002-07-10
JP2002201519 2002-07-10
JP02-325885 2002-11-08
JP2002325885A JP2004096702A (ja) 2002-02-20 2002-11-08 駆動回路
DE10362260 2003-02-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10307320A1 DE10307320A1 (de) 2003-09-04
DE10307320B4 true DE10307320B4 (de) 2008-09-11

Family

ID=27738920

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10307320A Expired - Fee Related DE10307320B4 (de) 2002-02-20 2003-02-20 Treiberschaltung

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6919743B2 (de)
JP (1) JP2004096702A (de)
KR (1) KR100562057B1 (de)
CN (1) CN1260889C (de)
DE (1) DE10307320B4 (de)
TW (1) TWI264177B (de)

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100500928B1 (ko) * 2002-06-29 2005-07-14 주식회사 하이닉스반도체 스위칭포인트 감지회로 및 그를 이용한 반도체 장치
JP2004146783A (ja) * 2002-08-28 2004-05-20 Fujitsu Ltd 半導体集積回路装置、および半導体集積回路装置の調整方法
JPWO2004042691A1 (ja) * 2002-11-06 2006-03-09 三菱電機株式会社 サンプルホールド回路およびそれを用いた画像表示装置
JP2005182494A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Mitsubishi Electric Corp 電流増幅回路およびそれを備える液晶表示装置
KR100541556B1 (ko) * 2004-03-29 2006-01-10 삼성전자주식회사 반도체 집적 회로 장치 및 이 장치의 온 다이 터미네이션회로
KR100592643B1 (ko) * 2004-07-28 2006-06-26 삼성에스디아이 주식회사 레벨 쉬프터와 이를 가지는 평판 표시장치
KR100583141B1 (ko) * 2004-06-28 2006-05-23 삼성에스디아이 주식회사 레벨 쉬프터와 이를 가지는 평판 표시장치
US7208974B1 (en) * 2004-09-27 2007-04-24 Marvell International Ltd. Rail-to-rail source followers
JP4665525B2 (ja) * 2005-01-20 2011-04-06 セイコーエプソン株式会社 レベルシフタ、レベルシフタの駆動方法、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器
US7158065B2 (en) * 2005-02-04 2007-01-02 Tpo Displays Corp. Signal driving circuits
US7221194B2 (en) * 2005-02-18 2007-05-22 Tpo Displays Corp. Analog buffers composed of thin film transistors
FR2884371B1 (fr) * 2005-04-07 2007-07-06 St Microelectronics Sa Dispositif de decalage de niveau de tension
EP1727203A1 (de) * 2005-05-24 2006-11-29 STMicroelectronics S.r.l. Monolithisch integrierte Leistungs-IGBT Vorrichtung (Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode)
US10449796B2 (en) * 2005-07-06 2019-10-22 Epac Technologies, Inc. Method and system for processing printed products
CN100442334C (zh) * 2005-12-27 2008-12-10 中华映管股份有限公司 适用于平面显示器之模拟输出缓冲电路
US7710188B1 (en) 2006-01-13 2010-05-04 Marvell International Ltd. Low-noise, temperature-insensitive, voltage or current input, analog front end architecture
JP4979955B2 (ja) * 2006-02-02 2012-07-18 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド レベルシフタ回路
JP5027447B2 (ja) * 2006-05-31 2012-09-19 株式会社ジャパンディスプレイイースト 画像表示装置
WO2008001255A1 (en) * 2006-06-26 2008-01-03 Nxp B.V. A constant voltage generating device
US20080088353A1 (en) * 2006-10-13 2008-04-17 Chun-Hung Kuo Level shifter circuit with capacitive coupling
KR100890042B1 (ko) * 2006-12-29 2009-03-25 주식회사 하이닉스반도체 입력 버퍼 회로
US20080270037A1 (en) * 2007-04-30 2008-10-30 Masato Nakada System and method for measuring and displaying health information
JP5040421B2 (ja) * 2007-05-07 2012-10-03 富士通セミコンダクター株式会社 定電圧回路、定電圧供給システム、および定電圧供給方法
US7866798B2 (en) * 2007-09-03 2011-01-11 Canon Kabushiki Kaisha Head cartridge, printhead, and substrate having downsized level conversion elements that suppress power consumption
JP5657853B2 (ja) 2007-10-02 2015-01-21 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l. 定電流源回路
JP2009130879A (ja) * 2007-11-28 2009-06-11 Ricoh Co Ltd レベルシフト回路
CN103036548B (zh) * 2007-12-28 2016-01-06 夏普株式会社 半导体装置和显示装置
JP5074223B2 (ja) * 2008-02-06 2012-11-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 レベルシフト回路及びそれを用いたドライバと表示装置
WO2012075627A1 (zh) * 2010-12-08 2012-06-14 上海贝岭股份有限公司 电平转换电路
US8847658B2 (en) * 2012-08-31 2014-09-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Overdrive circuits and related method
JP5988062B2 (ja) * 2012-09-06 2016-09-07 パナソニックIpマネジメント株式会社 半導体集積回路
RU2530263C1 (ru) * 2013-05-27 2014-10-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Быстродействующий истоковый повторитель напряжения
CN104253608B (zh) * 2013-06-27 2017-05-31 联咏科技股份有限公司 电平转换电路及其电压电平转换方法
US9172363B2 (en) * 2013-10-25 2015-10-27 Infineon Technologies Austria Ag Driving an MOS transistor with constant precharging
US9484897B2 (en) * 2015-03-18 2016-11-01 Peregrine Semiconductor Corporation Level shifter
JP2017151197A (ja) * 2016-02-23 2017-08-31 ソニー株式会社 ソースドライバ、表示装置、及び、電子機器
US10097183B2 (en) * 2016-03-30 2018-10-09 Texas Instruments Incorporated Level shifter and method of calibration
US9906220B1 (en) * 2016-08-30 2018-02-27 Infineon Technologies Austria Ag Tailored switching of power transistors
US10566976B2 (en) * 2016-09-19 2020-02-18 International Business Machines Corporation Complementary logic circuit and application to thin-film hybrid electronics
TWI692203B (zh) * 2017-05-26 2020-04-21 新唐科技股份有限公司 位準轉換電路
JP6871514B2 (ja) * 2017-06-30 2021-05-12 ミツミ電機株式会社 負電源制御回路及び電源装置
US10707845B2 (en) * 2018-11-13 2020-07-07 Marvell International Ltd. Ultra-low voltage level shifter

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03293813A (ja) * 1990-04-12 1991-12-25 Fujitsu Ltd 半導体集積回路
US5206544A (en) * 1991-04-08 1993-04-27 International Business Machines Corporation CMOS off-chip driver with reduced signal swing and reduced power supply disturbance
US5218247A (en) * 1990-09-21 1993-06-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha CMIS circuit and its driver
DE3606203C3 (de) * 1985-03-27 1996-08-14 Mitsubishi Electric Corp Konstantspannungs-Erzeugerschaltung
US5952847A (en) * 1996-06-25 1999-09-14 Actel Corporation Multiple logic family compatible output driver

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4475050A (en) 1981-12-21 1984-10-02 Motorola, Inc. TTL To CMOS input buffer
JP3556328B2 (ja) 1995-07-11 2004-08-18 株式会社ルネサステクノロジ 内部電源回路
JPH10254412A (ja) 1997-03-14 1998-09-25 Fujitsu Ltd サンプリングホールド回路
TW461180B (en) 1998-12-21 2001-10-21 Sony Corp Digital/analog converter circuit, level shift circuit, shift register utilizing level shift circuit, sampling latch circuit, latch circuit and liquid crystal display device incorporating the same
JP2000194323A (ja) 1998-12-25 2000-07-14 Fujitsu Ltd アナログバッファ回路及び液晶表示装置
US6384628B1 (en) * 2000-03-31 2002-05-07 Cypress Semiconductor Corp. Multiple voltage supply programmable logic device
KR100422447B1 (ko) * 2001-10-09 2004-03-11 삼성전자주식회사 고속 반도체 장치에 채용하기 적합한 레벨 컨버터를가지는 신호컨버팅 장치 및 신호컨버팅 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3606203C3 (de) * 1985-03-27 1996-08-14 Mitsubishi Electric Corp Konstantspannungs-Erzeugerschaltung
JPH03293813A (ja) * 1990-04-12 1991-12-25 Fujitsu Ltd 半導体集積回路
US5218247A (en) * 1990-09-21 1993-06-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha CMIS circuit and its driver
US5206544A (en) * 1991-04-08 1993-04-27 International Business Machines Corporation CMOS off-chip driver with reduced signal swing and reduced power supply disturbance
US5952847A (en) * 1996-06-25 1999-09-14 Actel Corporation Multiple logic family compatible output driver

Also Published As

Publication number Publication date
US6919743B2 (en) 2005-07-19
TWI264177B (en) 2006-10-11
KR100562057B1 (ko) 2006-03-17
US20040160258A1 (en) 2004-08-19
TW200304276A (en) 2003-09-16
KR20030069868A (ko) 2003-08-27
JP2004096702A (ja) 2004-03-25
DE10307320A1 (de) 2003-09-04
CN1260889C (zh) 2006-06-21
CN1440120A (zh) 2003-09-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10307320B4 (de) Treiberschaltung
DE3689296T2 (de) Ausgangsschaltung mit Pegelstabilisierung.
DE69434493T2 (de) Spannungserzeugungsschaltung, Steuerungsschaltung für gemeinsame Elektrode, Steuerungsschaltung für Signalleitung und Grauskala-Spannungserzeugungsschaltung für Anzeigevorrichtungen
DE102014118167B4 (de) Analogschalter und Verfahren zum Steuern von Analogschaltern
DE4122978C2 (de) Restladungskompensierungsschaltung und Verfahren zum Kompensieren einer Restladung
DE69334110T2 (de) Integrierte Halbleiterschaltung mit Eingangs-Ausgangsschnittstelle für kleine Signalamplituden
DE3782367T2 (de) Mos-halbleiterschaltung.
DE3750463T2 (de) Schalteinrichtung mit dynamischer Hysterese.
DE3889069T2 (de) Verzögerungsschaltungen für integrierte Schaltungen.
DE102012108127B4 (de) Hochgeschwindigkeits-Pegelumsetzer zwischen niederseitiger Logik und hochseitiger Logik
DE69023751T2 (de) Leistungsquellenschaltung.
DE3630160A1 (de) Cmos-ausgangsschaltung
DE10297630T5 (de) Bildanzeigevorrichtung
DE69019665T2 (de) CMOS-Treiberschaltung.
DE2534181A1 (de) Schaltungsanordnung zur anpassung von spannungspegeln
DE102004027183B4 (de) Pegelumwandlungsschaltung, die effizient eine Amplitude eines Signals kleiner Amplitude erhöht
DE68907451T2 (de) Ausgangstreiberschaltung für Halbleiter-IC.
DE10392172B4 (de) Konstantstromschaltung, Treiberschaltung und Bildanzeigevorrichtung
DE102009019654B3 (de) Durch ein selbstvorgespanntes Gate gesteuerter Schalter
DE2802595C2 (de) Schaltungsanordnung mit Feldeffekttransistoren zur Spannungspegelumsetzung
DE10392192T5 (de) Abtast-Halte-Schaltung und Bildanzeigevorrichtung, die diese verwendet
DE69738366T2 (de) Pull-Up-Schaltung und damit ausgerüstete Halbleitervorrichtung
DE69018053T2 (de) CMOS-Treiberschaltung mit hoher Schaltgeschwindigkeit.
DE602004011932T2 (de) Verbesserungen an resonanz-leitungstreibern
DE60110304T2 (de) Differenzverstärker, Halbleiteranordnung Stromversorgungschaltung und elektronisches Gerät, welches die Anordnung benutzt

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8172 Supplementary division/partition in:

Ref document number: 10362260

Country of ref document: DE

Kind code of ref document: P

Q171 Divided out to:

Ref document number: 10362260

Country of ref document: DE

Kind code of ref document: P

AH Division in

Ref document number: 10362260

Country of ref document: DE

Kind code of ref document: P

8364 No opposition during term of opposition
R084 Declaration of willingness to licence
R084 Declaration of willingness to licence
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee