CN1761067A - 有机薄膜晶体管阵列及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种有机薄膜晶体管阵列板，其包括：一衬底；一形成在衬底上且包括一源极的数据线；一形成在衬底上且与所述数据线分隔开的漏极；一安置在所述源极和漏极上的有机半导体；一形成在所述有机半导体上的栅绝缘体；一安置在所述栅绝缘体上包括一栅极的栅线；一形成在所述栅线上且在所述漏极上具有一第一接触孔的钝化层；一通过所述第一接触孔连接到所述漏极的像素电极；和一安置在所述有机半导体下面的不透明的光阻隔元件。

Description

有机薄膜晶体管阵列及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种有机薄膜晶体管阵列板及其制造方法。
背景技术
使用有机半导体的电学场效应晶体管已经作为下一代显示器的驱动器件而被研究。
有机半导体材料可以分为低分子化合物和高分子化合物。低分子化合物包括低聚噻吩(oligothiophene)、并五苯(pentacene)、酞青(phthalocyanine)和C6O。高分子化合物包括聚噻吩(polythiophene)和聚乙烯基噻吩(polythienylenevinylene)。
一般来说，基于低分子有机半导体材料的有机薄膜晶体管显示出在0.05-1.5cm2/Vs范围内的高的迁移率和高的开/关电流比。然而，由于采用了真空淀积工艺，使得低分子半导体层的形成工艺略为复杂。并且因此使低分子半导体在大规模生产方面存在缺点。
相反地，基于高分子半导体材料有机薄膜晶体管尽管由于其溶液可加工性(solution processibility)，例如镀膜和喷墨印刷工艺，使其具有适合大规模生产的优点，但却显示出在0.001-0.1cm2/Vs范围内的低迁移率。
最近，一些有机半导体材料显示出好的可加工性或溶液可加工性，和好的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)特性例如高的迁移率和开关电流比。且尽管很多具有好的可加工性和好的电学特性的半导体材料被发展用于底部栅极结构，也有一些被发展用于顶部栅极结构。
当有机薄膜晶体管被暴露于光中时会显示出光漏电流，所以尽管具有顶部栅极结构的有机薄膜晶体管有好的特性，但不能用于LCD(Liquid CrystalDisplay，液晶显示器)显示器，因为LCD中使用了背照明单元。
发明内容
本发明提供了一种有机薄膜晶体管阵列板，其包括：一衬底；一安置在衬底上包括一源极的数据线；一形成在衬底上且与数据线分隔开的漏极；一安置在源极和漏极上的有机半导体；一形成在有机半导体上的栅绝缘体；形成在栅绝缘体上包括一栅极的栅线；一形成在栅线上且在漏极上有第一接触孔的钝化层；和一通过第一接触孔连接到漏极上的像素电极。所述有机薄膜晶体管阵列板还包括一安置在有机半导体下面的不透明的光阻隔元件。
所述有机薄膜晶体管阵列板可以还包括一具有用于限制有机半导体的开口的隔板。该隔板可以具有一第二接触孔，与第一接触孔一起暴露出漏极。栅绝缘体可以被限制在开口中。
在一个实施例中，不透明的光阻隔元件在衬底上形成，与有机半导体对准。
所述有机薄膜晶体管阵列板可以还包括一安置在有机半导体和光阻隔元件中间的绝缘层。
栅绝缘体可以包括从由下面构成的组中选择的至少一个：氧化硅、氮化硅、马来酰亚胺-苯乙烯、聚乙烯基酚(PVP)和改进的氰乙基支链淀粉(m-CEP)；
栅绝缘体可以包括一有机材料。
所述有机半导体可以包括从由下面构成的组中选择的至少一个：并四苯、并五苯及其具有取代基的衍生物；具有四到八个以噻吩环的2位和5位相连的噻吩的低聚噻吩；苝四羧酸二酐(PTCDA)、萘四羧酸二酐(NTCDA)，及其酰亚胺衍生物；金属化的酞菁及其卤化衍生物；亚噻吩基和亚乙烯基的低共聚物和共聚物；区域有规聚噻吩；苝、蒄，及其具有取代基的衍生物；和具有至少一个烃链的上述材料的芳香环和杂芳香环，所述烃链具有一到三十个碳原子。
栅极可以基本上完全覆盖栅绝缘体。
所述有机薄膜晶体管阵列板可以还包括：一形成在数据线和漏极下面的绝缘层；一形成在该绝缘层下面的彩色滤色片；且光阻隔元件形成在该彩色滤色片下面并与有机半导体对准。
所述薄膜晶体管阵列板可以还包括一形成在钝化层下面的彩色滤色片。
提供了一种有机薄膜晶体管阵列板的制造方法，其包括：在衬底上形成一光阻隔元件；且在光阻隔元件上形成第一绝缘层，在第一绝缘层上形成一包括一源极和一漏极的数据线；形成一隔板，该隔板具有一部分暴露出源极和漏极的开口和一暴露出漏极的接触孔；在开口中形成一有机半导体，该有机半导体与所述光阻隔元件对准；在有机半导体上形成一栅绝缘体；在栅线上形成一钝化层；并在钝化层上形成一像素电极。
有机半导体的形成和栅绝缘体的形成可以包括喷墨印刷。
隔板可以包括有机绝缘材料。
所述方法可以还包括：在第一绝缘层上形成第二绝缘层，第一绝缘层是有机绝缘材料且第二绝缘层是无机绝缘材料。
所述方法还包括：在数据线和漏极下面或者钝化层下面形成彩色滤色片。
附图说明
通过参考附图详细描述实施例，可以使本发明更为明显，其中
图1是根据本发明的一个实施例的有机TFT阵列板的布局图；
图2是图1中所示的有机TFT阵列板沿II-II’线的剖面图；
图3、图5、图7、图9、图11和图13是根据本发明的一个实施例、图1和图2中所示的有机TFT阵列板制造方法的中间步骤的布局图；
图4是图3中所示的TFT阵列板沿IV-IV’线的剖面图；
图6是图5中所示的TFT阵列板沿VI-VI’线的剖面图；
图8是图7中所示的TFT阵列板沿VIII-VIII’线的剖面图；
图10是图9中所示的TFT阵列板沿X-X’线的剖面图；
图12是图11中所示的TFT阵列板沿XII-XII’线的剖面图；
图14是图13中所示的TFT阵列板沿XIV-XIV’线的剖面图；
图15是根据本发明的另一个实施例的有机TFT阵列板的布局图；
图16是图15中所示的TFT阵列板沿XVI-XVI’线的剖面图；
图17是根据本发明的再一个实施例的TFT阵列板的布局图；且
图18是图17中所示的有机TFT阵列板沿XVIII-XVIII’线的剖面图。
具体实施方式
下面将参考附图更充分地描述本发明，其中将示出本发明的优选实施例。然而，本发明可以具体实施为不同的形式，且不应该局限于此处给出的
实施例。
在附图中，为了清楚起见，放大了层和区域的厚度。相同的数字始终代表相同的元件。应该明白，当一个元件例如一个层、区域或是衬底被提到是在另一个元件“上面”，它可以是直接位于另一个元件上，也可能存在中间元件。与之不同的是，当一个元件被提到是“直接”在另一个元件上，就不存在中间元件。
将参考图1和图2详细描述根据本发明的一个实施例的有机TFT阵列板。
图1是根据本发明的一个实施例的一个有机TFT阵列板的布局图，且图2是图1所示的有机TFT阵列板沿II-II’线的剖面图。
在衬底110例如透明玻璃、硅或塑料上形成多个光阻隔岛120。该光阻隔岛120优选由不透明材料如铬、钼或其合金制成，使得从安置在衬底110下面或在衬底110侧面处的背照明单元(未示出)发射的光被光阻隔岛120阻隔。光阻隔岛120可以具有多层结构。
在光阻隔岛120和衬底110上形成一个绝缘层111。该绝缘层111优选具有平坦表面以补偿由光阻隔岛120引起的高度差异，且绝缘层111具有低的介电常数以减小光阻隔岛120与其他导体之间的寄生电容。此外，优选地，绝缘层111与有机半导体之间具有好的接触特性、保护有机半导体的特性、且具有高透光率。绝缘层111优选由有机绝缘体例如聚丙烯有机化合物或苯基环丁烯(BCB)或者由无机绝缘体例如氧化硅或氮化硅制成。
在绝缘层111上形成多条数据线171和多个漏极175。
数据线171传送数据信号并在基本纵向上延伸与栅线121交叉。数据线171中的每一条都包括多个向栅极124突出的源极173，和一个具有一个用于与另一层或一个外部驱动电路接触的大的区域的端部179。可以在一个挠性印制电路(FPC)膜上安置用于产生数据信号的数据驱动电路(未示出)，该膜可以附属于衬底110、直接安置在衬底110上，或者集成在衬底110上。可以将一驱动电路集成在衬底110上，数据线171可以延伸以被连接到该驱动电路。
将漏极175与数据线171隔开，且安置在源极173关于栅极124相对的一侧。
数据线171和漏极175优选由包含铝的金属例如铝和铝合金、包含银的金属例如银和银合金、包含铜的金属例如铜和铜合金、包含金的金属例如金和金合金、包含钼的金属例如钼和钼合金、镍、铬、钛、钽或铟锡氧化物(ITO)制成。然而，它们可以具有一个包括物理性质不同的两个导电膜(未示出)的多层结构。两个膜中的一个优选由低电阻率的材料制成以减小信号延迟或电压降，且另一个薄膜优选由与其他材料例如有机半导体、ITO或铟锌氧化物(IZO)之间具有好的物理、化学和电学接触特性的材料制成。然而，数据线171和漏极175可以由各种金属或导体制成。
数据线171和漏极175具有倾斜的边缘轮廓，且其倾角约在30-80度的范围内。
在绝缘层111、数据线171和漏极175上形成隔板160。
隔板160具有多个开口164和多个接触孔162和165。开口164设置在在光阻隔岛120上，并且暴露源极173的一部分、漏极175的一部分和安置在源极173和漏极175之间的绝缘层111的一部分。接触孔165和162分别暴露出漏极175和数据线171的端部179，且它们具有倾斜的侧壁。
隔板160优选由聚丙烯光敏有机绝缘材料制成且具有2-5微米范围的厚度。
隔板160可以被省略。
在隔板160的开口164中形成多个有机半导体岛154。该有机半导体岛154接触源极173和漏极175，且它们被光阻隔岛120完全覆盖。
有机半导体岛154可以包括在水溶液或有机溶剂中可溶的高分子化合物或低分子化合物，且在这种情况下，有机半导体岛154可以通过(喷墨)印刷形成。然而，有机半导体岛154可以通过包括旋涂(spin coating)的淀积法和通过包括或不包括刻蚀的光刻(lithography with or without etch)法形成，且在这种情况下，隔板160可以被省略。
有机半导体岛154可以由并四苯或并五苯或其具有取代基的衍生物制成。作为另外一种选择，有机半导体岛154可以由包含四到八个以噻吩环的2位和5位相连的噻吩的低聚噻吩制成。
有机半导体岛154可以由苝四羧酸二酐(PTCDA)、萘四羧酸二酐(NTCDA)及其酰亚胺衍生物制成。
有机半导体岛154可以由金属化的酞青或其卤化衍生物制成。金属化的酞青可以包括铜、钴、锌等。
有机半导体岛154可以由亚噻吩基或亚乙烯基的低共低聚物或共聚物制成。此外，有机半导体岛154可以由区域有规聚噻吩制成。
有机半导体岛154可以由苝、蒄，或其具有取代基的衍生物制成。
有机半导体岛154可以由具有至少一个烃链的上述材料的芳香环和杂芳香环制成，所述烃链具有一到三十个碳原子。
在绝缘层111与有机半导体岛154之间可以安置一个无机绝缘层(未示出)，其优选由氮化硅制成，用以阻止有机绝缘层111中的有机杂质进入有机半导体岛154中。
在有机半导体岛154上形成多个栅绝缘体140。该栅绝缘体140被限制在隔板160的开口164中，且完全覆盖所述有机半导体岛154。
栅绝缘体140还可以包括在水溶液或有机溶剂中可溶的高分子化合物或低分子化合物，且因此，栅绝缘体140可以通过(喷墨)印刷形成。此时，优选栅极绝缘体140与有机半导体岛154之间具有弱的亲合性，使得栅绝缘体140和所述有机半导体岛154中的一个在栅绝缘体140和所述有机半导体岛154中的另一个的溶剂里是可溶的。栅绝缘体140还可以通过包括自旋涂的淀积法和通过包括或不包括刻蚀的光刻法形成。在这种情况下，隔板160可以被省略，且栅绝缘体140可以彼此连接。
栅绝缘体140可以由无机或有机绝缘体制成。无机绝缘体的例子包括可具有一个用十八基三氯硅烷(OTS)处理过的表面的氮化硅(SiNx)和二氧化硅。有机绝缘体的例子包括马来酰亚胺-苯乙烯、聚乙烯基酚(PVP)和改进的氰乙基支链淀粉(m-CEP)。
在栅绝缘体140和隔板160上形成多条栅线121。
栅线121传送栅信号且沿基本横向的方向延伸与数据线171交叉。每一条栅线121都包括多个向上突起的栅极124，和一个具有一个用于与另一层或一个外部驱动电路接触的大的区域的端部129。栅极124完全覆盖栅绝缘体140和有机半导体岛154。
可以在FPC膜上安置一个用于产生栅信号的栅驱动电路(未示出)，该FPC膜可以附属于衬底110、直接安置在衬底110上、或者集成在衬底110上。可以将一驱动电路集成在衬底110上，栅线121可以延伸以被连接到该驱动电路。
一个栅极124、一个源极173、和一个漏极175连同一个有机半导体岛154形成一个有机TFT，其具有一个形成在安置于源极173和漏极175之间的有机半导体岛154上的沟道。由于有机半导体岛154被栅极124和光阻隔岛120完全覆盖，从而有机半导体岛154都被从外部光中基本上完全地遮蔽起来，因此由外部光引起的TFT的漏电流可以被阻止，以保护TFT的稳定特性。
栅线121优选由包含铝的金属如铝及铝合金、包含银的金属如银及银合金、包含金的金属如金及金合金、包含铜的金属如铜及铜合金、包含钼的金属如钼及钼合金、铬、钛或钽制成。然而，它们可以具有一个包括物理性质不同的两个导电薄膜(未示出)的多层结构。两个薄膜中的一个优选由低电阻率的材料制成以减小信号延迟或电压降，且另一个薄膜优选由与其他材料例如ITO或IZO之间具有好的物理、化学和电学接触特性的材料制成。然而，栅线121可以由各种金属或半导体制成。
栅线121的侧面相对于衬底表面是倾斜的，且其倾角约在30-80度的范围。
在栅线121和隔板160上形成一个钝化层180。该钝化层180优选由无机绝缘体例如氮化硅或氧化硅、有机绝缘体或低介电的绝缘体制成。该有机绝缘体和低介电绝缘体优选具有小于约4.0的介电常数，且所述的介电绝缘体包括一个由等离子增强的化学气相淀积(PECVD)形成的Si:C:O和Si:O:F。用于钝化层180的有机绝缘体可以具有光敏性且钝化层180具有一平坦表面。
钝化层180具有多个分别暴露出隔板160的接触孔162和165的接触孔182和185，以及多个暴露出栅线121的端部129的接触孔181。
在钝化层180上形成多个像素电极190和多个接触支持部分81和82。它们优选由透明导体例如ITO或IZO或反光导体例如银或铝制成。
像素电极190与漏极175通过接触孔185物理地且电学地相连，使得像素电极190从漏极175接收数据电压。被供给数据电压的所述像素电极190与被供给公共电压的相对显示板(未示出)的公共电极(未示出)之间产生电场，该电场决定放入所述两电极之间的液晶层(未示出)中液晶分子(未示出)的取向。一个像素电极190和公共电极形成一个电容器称为“液晶电容器”，其在TFT被关闭之后存储外加电压。
像素电极190与栅线121和数据线171交叠以提高开口率(aperture ratio)。
接触支持部分81和82通过接触孔181和182分别被连接到栅线121的端部129和数据线171的端部179。接触支持部分81和82保护端部129和179，并提高端部129和179与外部器件之间的附着力。
同时，上述面对TFT阵列板的相对板包括一个提到过的作为黑矩阵以阻隔像素电极190与多个用于实现彩色显示的彩色滤色片(未示出)之间的光泄漏的光阻隔元件(未示出)，和上述公共电极。
下面将详细描述上述有机TFT的操作(operation)。
当没有电压加在栅极124上且源极173与漏极175之间没有电压差时，有机半导体岛154中的载流子即空穴或电子是均匀分布的。当在源极173和漏极175之间施加一电压后，在有机半导体岛154中产生电流，且当施加的电压较小时，电流总量与所加电压成比例。当在栅极124上施加一电压(下文中称为“栅极电压”)后，载流子会对栅极电压产生的电场发生响应而移动。根据栅极电压的极性，载流子将离开或流向栅极124以在有机半导体岛154中靠近栅绝缘体140处形成一个不包括载流子的损耗层或者一个充满载流子的积聚层。因此，可以通过控制栅极电压的大小和极性来控制在有机半导体岛154中流动的电流。
下面将参考图3到图14描述图1和图2中所示的、根据本发明的一个实施例的TFT阵列板的制造方法。
图3、图5、图7、图9、图11和图13是图1和图2所示的根据本发明的一个实施例的有机TFT阵列板的制造方法的中间步骤布局图，图4是图3中所示的TFT阵列板沿IV-IV’线的剖面，图6是图5中所示的TFT阵列板沿VI-VI’线的剖面图，图8是图7中所示的TFT阵列板沿VIII-VIII，线的剖面图，图10是图9中所示的TFT阵列板沿X-X’线的剖面图，图12是图11中所示的TFT阵列板沿XII-XII’线的剖面图，且图14是图13中所示的TFT阵列板沿XIV-XIV’线的剖面图；
参考图3和图4，在绝缘衬底110上通过淀积、光刻和刻蚀形成多个光阻隔岛120。此后，在衬底110上覆盖一个绝缘层111。
参考图5和图6，在绝缘层111上通过淀积、光刻和刻蚀形成多个包括源极173和端部179的数据线171以及多个漏极175。
参考图7和图8，在绝缘层111上通过旋涂等方法覆盖一个光敏有机薄膜，且该有机薄膜通过光刻法形成图案以形成隔板160，其具有安置在光阻隔岛120上的多个开口164，和暴露出数据线171的端部179及漏极175的多个接触孔162和165。根据本发明的另一个实施例，隔板160可以被省略。
参考图9和图10，通过喷墨印刷的方法在隔板160的开口164中落下(drop)有机半导体以形成多个有机半导体岛154。没有隔板160时，可以通过淀积例如旋涂、光刻和刻蚀形成有机半导体岛154。
随后，通过喷墨印刷的方法在有机半导体岛154上、隔板160的开口164中滴入液体有机绝缘体以形成多个栅绝缘体140。没有隔板160时，可以通过淀积例如旋涂、光刻和刻蚀形成栅绝缘体140。
参考图11和图12，通过淀积、光刻和刻蚀，在栅绝缘体140和隔板160上形成多个包括栅极124和端部129的栅线121。
参考图13和图14，淀积钝化层180并通过光刻和刻蚀形成图样，以形成多个分别暴露出栅线121的端部129、数据线171的端部179和漏极175的接触孔181、182和185。
最后，通过淀积、光刻和刻蚀在钝化层180上形成如图1和图2所示的多个像素电极190和多个接触支持部分81和82。
下面将参考图15和图16详细描述根据本发明的另一个实施例的有机TFT。
图15是根据本发明的另一个实施例的有机TFT阵列板的布局图，且图16是图15中所示的TFT阵列板沿XVI-XVI’线的剖面图。
如图15和图16中所示，根据此实施例的有机TFT阵列板的层状结构与图1和图2中所示的几乎相同。
也就是说，在衬底110上形成一个低绝缘层111。在此较低的绝缘层111上形成多条包括源极173和端部179的数据线171以及多个漏极175，在其上形成一个具有多个开口164的隔板160。在隔板160的开口164中依次形成多个有机半导体岛154和多个栅绝缘体140，并在其上形成多个包括栅极124和端部129的栅线121。在栅线121和隔板160上形成一个钝化层180。该钝化层180具有多个接触孔181，且钝化层180和隔板160具有多个接触孔182和185。在钝化层180上形成多个像素电极190和多个接触支持部分81和82。
与图1和图2中所示的有机TFT阵列板不同，一个具有多个面对所述像素电极190的开口的光阻隔元件220代替了多个光阻隔岛120。
在衬底110上和光阻隔元件220的开口中形成多个彩色滤色片230。该彩色滤色片230可以代表基础色例如红、绿和蓝。
此外，在下绝缘层111上形成一个上绝缘层112，其优选由无机绝缘材料例如氮化硅制成。上绝缘层112阻止可能由光敏有机材料制成的下绝缘层111中的有机杂质进入所述有机半导体岛154。
根据本发明的一个实施例的如图15和图16所示的有机TFT的制造方法与图3到图14所述的几乎相同。
通过淀积和构图不透明材料例如铬，在绝缘衬底110上形成一个光阻隔元件220。此后，对包括彩色颜料例如红色、绿色或蓝色颜料的绝缘薄膜分别重复进行淀积和构图，以形成多个彩色滤色片230。然后，如图3到图14所示，形成剩余元件。
图1到图14所示的有机TFT阵列板及其制造方法的许多上述特点对图15和图16中所示的有机TFT阵列板及其制造方法可能也是适合的。
下面将参考图17和图18详细描述根据本发明的再一个实施例的有机TFT阵列板。
图17是根据本发明的再一个实施例的TFT阵列板的布局图，且图18是图17中所示的有机TFT阵列板沿XVIII-XVIII’线的剖面图。
如图17和18所示，根据此实施例的有机TFT阵列板的层状结构与图1和图2中所示的几乎相同。
也就是说，在衬底110上形成多个光阻隔岛120，且其上形成一个绝缘层111。在该绝缘层111上形成多个包括源极173和端部179的数据线171以及多个漏极175，且其上形成一个具有多个开口164的隔板160。在隔板160的开口164处依次形成多个有机半导体岛154和多个栅导体140，且其上形成多条包括栅极124和端部129的栅线121。在栅线121和隔板160上形成钝化层180。该钝化层180具有多个接触孔182，且钝化层180和隔板160具有多个接触孔182和185。在钝化层180上形成多个像素电极190和多个接触支持部分81和82。
与图1和图2中所示的有机TFT阵列板不同，在隔板160和栅线121上形成多个彩色滤色片230，所述彩色滤色片230具有多个开口，暴露出由隔板160划分出的、接触孔185的较低部分，且在栅线121的端部129和数据线171的端部179所在的周边区域，没有彩色滤色片230。彩色滤色片230可以在数据线171上彼此交叠，以阻隔所述像素电极190之间的光泄漏。
图1到图14所示的有机TFT阵列板及其制造方法的许多上述特点对图17和图18中所示的有机TFT阵列板及其制造方法可能也是适合的。
在本发明的上述实施例中，所述光阻隔岛120或光阻隔元件220被安置在有机半导体岛154下面，且栅极124被安置在有机半导体岛154上，使得有机半导体岛154上的入射光被光阻隔岛120、光阻隔元件220和栅极124基本上完全地阻隔，因此保护有机TFT的稳定特性。此外，有机半导体岛154被隔板160划分，使得制造工艺可以简化。此外，由于隔板、绝缘层和钝化层可以由有机材料制成，可以通过非刻蚀的光刻形成，使制造工艺可以简化。
虽然上文中详细描述了本发明的优选实施例，但应该理解，本领域技术人员对此处描述的基本发明概念的许多变化和/或修改仍然属于权利要求书中所定义的本发明的精神和范围。

Claims (19)

1、一种有机薄膜晶体管阵列板，包括：
一衬底；
一形成在衬底上且包括一源极的数据线；
一形成在衬底上且与所述数据线分隔开的漏极；
一安置在所述源极和漏极上的有机半导体；
一形成在所述有机半导体上的栅绝缘体；
一安置在栅绝缘体上包括栅极的栅线；
一钝化层，其形成在栅线上且在漏极上具有第一接触孔；
一通过所述第一接触孔连接到所述漏极的像素电极；和
一安置在所述有机半导体下面的不透明的光阻隔元件。
2、如权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列板，还包括一具有用于限制所述有机半导体的开口的隔板。
3、如权利要求2所述的有机薄膜晶体管阵列板，其中所述隔板具有一第二接触孔，与所述第一接触孔一起暴露出所述漏极。
4、如权利要求2所述的有机薄膜晶体管阵列板，其中所述栅绝缘体被限制在开口中。
5、如权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列板，其中所述不透明光阻隔元件在衬底上与所述有机半导体对准形成。
6、如权利要求5所述的有机薄膜晶体管阵列板，还包括一安置在所述有机半导体与所述光阻隔元件之间的绝缘层。
7、如权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列板，其中所述栅绝缘体包括从由下面构成的组中选择的至少一个：氧化硅、氮化硅、马来酰亚胺-苯乙烯、聚乙烯基酚和改进的氰乙基支链淀粉。
8、如权利要求7所述的有机薄膜晶体管阵列板，其中所述栅绝缘体包括一有机材料。
9、如权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列板，其中所述有机半导体包括从由下面构成的组中选择的至少一个：
并四苯、并五苯及其具有取代基的衍生物；
具有四到八个以噻吩环的2位和5位相连的噻吩的低聚噻吩；
苝四羧酸二酐、萘四羧酸二酐，及其酰亚胺衍生物；
金属化的酞菁及其卤化衍生物；
亚噻吩基和亚乙烯基的低共聚物和共聚物；
区域有规聚噻吩；
苝、蒄，及其具有取代基的衍生物；和
具有至少一个烃链的上述材料的芳香环和杂芳香环，所述烃链具有一到三十个碳原子。
10、如权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列板，其中所述栅极基本上完全覆盖栅绝缘体。
11、如权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列板，还包括：
一形成在所述数据线和漏极下面的绝缘层；
一形成在所述绝缘层下面的彩色滤色片；和
形成在所述彩色滤色片下面且与所述有机半导体对准的光阻隔元件。
12、如权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列板，还包括一形成在所述钝化层下面的彩色滤色片。
13、一种制造有机薄膜晶体管阵列板的方法，该方法包括：
在衬底上形成一光阻隔元件；
在光阻隔元件上形成一第一绝缘层；
在第一绝缘层上形成一包括一源极和一漏极的数据线；
形成一隔板，该隔板具有部分暴露出源极和漏极的开口和暴露出漏极的接触孔；
在所述开口中形成一有机半导体，该有机半导体与所述光阻隔元件对准；
在所述有机半导体上形成一栅绝缘体；
在栅绝缘体上形成一包括一栅极的栅线；
在栅线上形成一钝化层；且
在钝化层上形成一像素电极。
14、如权利要求13所述的方法，其中所述有机半导体的形成包括喷墨印刷。
15、如权利要求13所述的方法，其中所述栅绝缘体的形成包括喷墨印刷。
16、如权利要求13所述的方法，其中所述隔板包括有机绝缘材料。
17、如权利要求13所述的方法，还包括：
在第一绝缘层上形成第二绝缘层，所述第一绝缘层是有机绝缘材料且所述第二绝缘层是无机绝缘材料。
18、如权利要求13所述的方法，还包括：
在所述数据线和漏极下面形成一彩色滤色片。
19、如权利要求13所述的方法，还包括：
在所述钝化层下面形成一彩色滤色片。
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