JP2003318190A - 半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】基板上の所定領域に液体をインクジェット法で
滴下して乾燥することにより、有機薄膜トランジスタの
ソースおよびドレインを形成する方法として、製造コス
トが低減できる方法を提供する。 【解決手段】画素回路の画素電極２１および信号線２２
を基板上に形成する際に、ソースを形成する領域に対応
させたソース領域部分２３とドレインを形成する領域に
対応させたドレイン領域部分２４を同時に形成する。基
板１として、滴下する液体（ソースおよびドレインを形
成する液体）に対する撥液性を有するポリイミドフィル
ムを用いる。ソース領域部分２３およびドレイン領域部
分２４の表面に、前記液体に対する親液性を有する金メ
ッキを施す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法、電気光学装置の製造方法、電子機器に関する。特
に、基板上の所定領域に液状材料をインクジェット法で
滴下して乾燥することにより、半導体装置の構成層を形
成する工程を備えた半導体装置（例えば、有機薄膜トラ
ンジスタ）の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置、有機エレクトロルミネッ
センス表示装置、電気泳動表示装置等のフラットディス
プレイでは、各画素毎に薄膜トランジスタを備え、アク
ティブマトリックス方式で駆動するタイプが主流になっ
ている。従来の薄膜トランジスタは無機材料で形成さ
れ、半導体層としてアモルファスシリコン層をプラズマ
ＣＶＤ法により成膜している。このような無機薄膜トラ
ンジスタは、柔軟性に乏しいため、任意の形状を有する
ディスプレイ用の薄膜トランジスタとしては不向きであ
る。また、半導体層や絶縁層の形成に高真空の装置が必
要となり、大型化のためには製造コストが大幅に上昇す
ると予想される。

【０００３】これに対して、「2000 International Elec
tron Device Meeting technical digest」の623〜626頁
には、半導体層を含む全ての構成層が有機物からなる有
機薄膜トランジスタが開示されている。そして、この有
機薄膜トランジスタのソース、ドレイン、ゲートの各電
極を、インクジェット法により形成することが記載され
ている。

【０００４】この文献に記載の方法では、基板上のソー
ス形成領域とドレイン形成領域をポリイミドの隔壁で囲
い、この囲われた領域に、インクジェット法によりＰＥ
ＤＯＴ(poly-ethylenedioxythiophene)の水溶液を滴下
して乾燥させることにより、ソースとドレインを形成し
ている。これにより、ソースとドレインとの間隔（すな
わち、チャネル長）を精密に制御している。

【０００５】また、その上に半導体層として、スピンコ
ート法によりＦ８Ｔ２(fluorene-bithiophene copolyme
r)からなる層を形成し、さらにその上に、スピンコート
法により絶縁層としてＰＶＰ(poly-vinylphenol)からな
る層を形成している。さらにその上に、インクジェット
法によりＰＥＤＯＴ水溶液を滴下して乾燥させることに
より、ゲート電極を形成している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記文
献に記載の方法では、基板上のソース形成領域とドレイ
ン形成領域を囲うポリイミド隔壁を形成するために、フ
ォトリソグラフィとエッチングの工程が必要であり、製
造コストの低減という点で改善の余地がある。また、無
機材料で形成されるトランジスタであっても、シラン化
合物を含有する液状材料を用いてソースおよびドレイン
を形成する場合があり、液状材料からなる層を互いに離
間した配置で形成する場合には、隔壁として作用するな
んらかの部材が必要となる。

【０００７】本発明の目的は、液状材料を塗布すること
により基板面の所定領域に前記液状材料からなる層を配
置する工程を備えた半導体装置の製造方法において、液
状材料からなる層を互いに離間した配置で形成する場合
であっても、隔壁として作用する部材を用いずに済む方
法を提供することにある。本発明の目的は、また、基板
上の所定領域に液状材料をインクジェット法で滴下して
乾燥することにより、半導体装置の構成層を形成する工
程を備えた半導体装置（例えば、有機薄膜トランジス
タ）の製造方法において、前記文献に記載の方法よりも
製造コストが低減できる方法を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、液状材料を塗布することにより基板面の
所定領域に前記液状材料からなる層を配置する工程を備
えた半導体装置の製造方法において、前記基板上に、前
記液状材料に対する親和性が隣接する他の領域より高い
複数の領域を、互いに離間した配置で設けた後、前記複
数の領域のうちの少なくとも二つの領域に、前記層を配
置する工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方
法を提供する。

【０００９】上記方法においては、前記複数の領域を、
基板上に導電性薄膜を形成することで設けることが好ま
しい。上記方法においては、前記層を配置する前記少な
くとも二つの領域の間に前記導電性薄膜を形成しない形
態が挙げられる。上記方法において、液状材料の塗布は
インクジェット法で行うことが好ましい。

【００１０】上記方法においては、前記層を配置する工
程が、薄膜トランジスタを構成するソースおよびドレイ
ンをなす層を形成する工程である形態が挙げられる。本
発明はまた、基板面の所定領域に液状材料をインクジェ
ット法で滴下して乾燥することにより、半導体装置の構
成層を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法にお
いて、前記基板面の前記液状材料を滴下する領域に導電
性薄膜を形成し、この導電性薄膜の表面の前記液状材料
に対する親和性が前記基板面より高い状態で、前記液状
材料の滴下を行うことを特徴とする半導体装置の製造方
法を提供する。

【００１１】本発明はまた、基板面の所定領域に液状材
料をインクジェット法で滴下して乾燥することにより、
薄膜トランジスタの構成層であるソースおよびドレイン
を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法におい
て、前記基板面のソースを形成する領域およびドレイン
を形成する領域に導電性薄膜を形成し、この導電性薄膜
の表面の前記液状材料に対する親和性が前記基板面より
高い状態で、前記液状材料の滴下を行うことを特徴とす
る半導体装置の製造方法を提供する。

【００１２】本発明はまた、本発明の方法で半導体装置
を製造する工程を備えた電気光学装置の製造方法を提供
する。前記電気光学装置としては、液晶表示装置、有機
エレクトロルミネッセンス表示装置、電気泳動表示装置
等のフラットディスプレイが挙げられる。本発明はま
た、複数の画素電極と、各画素電極に対応して設けられ
たトランジスタと、各トランジスタのソースおよびドレ
インの一方である第１の領域に接続された信号線と、各
トランジスタのゲートに接続された走査線と、を備え、
各画素電極が各トランジスタのソースおよびドレインの
他方である第２の領域（第１の領域および第２の領域の
いずれか一方がソースで他方がドレイン）に接続されて
いる画素回路を、基板上に有する電気光学装置の製造方
法において、前記第１の領域に対応する第１の部分と第
２の領域に対応する第２の部分を、両部分の間隔がチャ
ネル長に対応するように隣接させて、画素電極および信
号線とともに、前記第１の部分が信号線と接続され、前
記第２の部分が画素電極と接続された状態で、基板上に
形成した後、前記第１の部分と第２の部分に、液状材料
をインクジェット法で滴下して乾燥することにより、ソ
ースおよびドレインを形成する工程を備えるとともに、
前記第１の部分および第２の部分の表面の前記液状材料
に対する親和性が基板面の前記両部分間より高い状態
で、前記液状材料の滴下を行うことを特徴とする電気光
学装置の製造方法を提供する。

【００１３】上記方法としては、前記液状材料として導
電性有機材料を含有する液体を滴下することにより、有
機薄膜トランジスタを形成する形態が挙げられる。上記
方法においては、前記第１の部分と信号線との境界位置
に、第１の部分より幅の狭い部分を設け、前記第２の部
分と前記画素電極との境界位置に、第２の部分より幅の
狭い部分を設けることが好ましい。

【００１４】本発明はまた、本発明の半導体装置の製造
方法で製造された半導体装置を備えた電子機器、および
本発明の電気光学装置の製造方法で製造された電気光学
装置を備えた電子機器を提供する。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。図１〜５を用いて、本発明の一実施形態に相
当する電気光学装置の製造方法を説明する。この実施形
態では、電気光学装置としてアクティブマトリックス型
の電気泳動表示装置を製造する方法について説明する。

【００１６】最初に、図１〜４を用いて、電気泳動表示
装置の画素回路を基板上に形成する方法を説明する。図
１〜４において、（ａ）は基板の一画素分の平面図を、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図を示す。先ず、厚さ２
５μｍのポリイミドフイルムを基板１として用い、この
基板１上に導電性薄膜を形成した。導電性薄膜として
は、基板１上に、スパッタリングによりコバルト（Ｃ
ｏ）薄膜を２００ｎｍ形成した後に、厚さ８μｍの銅
（Ｃｕ）メッキ層を形成し、さらにその上に、厚さ１μ
ｍのニッケル（Ｎｉ）メッキ層と厚さ０．５μｍの金
（Ａｕ）メッキ層をこの順に形成した。

【００１７】次に、フォトリソグラフィとエッチング工
程を行って、導電性薄膜を図１（ａ）に示す形状にパタ
ーニングした。これにより、基板１上に、画素電極２１
と、信号線２２と、ソース領域部分（第１の部分）２３
と、ドレイン領域部分（第２の部分）２４を形成した。
ここで、ソース領域部分２３は信号線２２と接続され、
ドレイン領域部分２４は画素電極２１と接続されてい
る。また、ソース領域部分２３と信号線２２との境界位
置にネック状部分（第１の部分より幅の狭い部分）２５
を、ドレイン領域部分２４と画素電極２１との境界位置
にネック状部分（第２の部分より幅の狭い部分）２６を
設けた。また、ソース領域部分２３とドレイン領域部分
２４との間隔Ｌを、チャネル長（例えば１０μｍ）と同
じにした。また、基板１面の前記間隔Ｌに対応する部分
（ソース領域部分とドレイン領域部分との間の部分）１
０を露出させた。

【００１８】また、ソース領域部分２３およびドレイン
領域部分２４を含む前記導電性薄膜の表面（金メッキ）
の純水に対する接触角は３３．２°である。両領域部分
の間の基板面１０の純水に対する接触角は５４．７°で
ある。また、次工程でソースとドレインを形成する液状
材料として、ＰＥＤＯＴとＰＳＳ(poly-styrenesulphon
ate)を含有する水溶液を使用する。これにより、図１の
状態で、ソース領域部分２３およびドレイン領域部分２
４の表面の前記液体に対する親和性が、両部分間の基板
面１０より高い状態となった。

【００１９】次に、この状態で、図２に示すように、前
記液体をインクジェット法により、ドレイン領域部分２
４の上とソース領域部分２３の上にそれぞれ滴下した。
前記水溶液としては例えば粘度が４ｍＰ・ｓのものを用
い、インクジェット法による吐出速度を２．５ｍ／ｓと
する。符号３は滴下された液滴を示す。液滴の滴下は、
ドレイン領域部分２４の中心３１およびソース領域部分
２３の中心３２に液滴３の中心が配置されるように行
う。ここで、表面の前記液体に対する親和性の差に応じ
て、前記液体は、ドレイン領域部分２４およびソース領
域部分２３の上にのみ存在し、その間の基板面１０には
存在しない。

【００２０】なお、ノズルからの液体がこれらの中心３
１，３２とずれた位置に滴下された場合でも、ネック状
部２５，２６の存在により、液体はドレイン領域部分２
４の全面とソース領域部分２３の全面に広がり、これら
の領域から外側にはみ出ないようになる。次に、前記液
滴３を乾燥させて、ソース領域部分２３の上にソース４
１を、ドレイン領域部分２４の上にドレイン４２を形成
した。図３はこの状態を示す。

【００２１】次に、図４（ｂ）に示すように、この状態
の基板１の上に、半導体層５としてスピンコート法によ
りＦ８Ｔ２からなる層を形成し、さらにその上に、スピ
ンコート法により絶縁層６としてＰＶＰからなる層を形
成した。さらにその上に、インクジェット法によりＰＥ
ＤＯＴとＰＳＳを含有する水溶液を滴下して乾燥させる
ことにより、図４（ａ）および（ｂ）に示すように、ゲ
ート電極７とこれに連続する走査線７０を形成した。

【００２２】このようにして、複数の画素電極２１と、
各画素電極２１毎の有機薄膜トランジスタ８と、各有機
薄膜トランジスタ８のソース４１に接続された信号線２
２と、各有機薄膜トランジスタ８のゲート電極７に接続
された走査線７０と、を備えた画素回路であって、各画
素電極２１が各有機薄膜トランジスタ８のドレイン４２
に接続されている画素回路が、基板１上に形成された。

【００２３】次に、この基板１上の各有機薄膜トランジ
スタ８の周辺となる部分（画素電極２１上のドレイン４
２およびネック状部２６から外れる部分等を含む所定領
域）に形成された半導体層５および絶縁層６を除去した
後、この基板１上の全面に、感光性ポリイミド樹脂組成
物の溶液を所定膜厚で塗布し、乾燥させた。前記溶液の
塗布厚さは、乾燥後に、有機薄膜トランジスタ８上に所
定厚さで塗膜が存在する厚さとした。

【００２４】次に、この塗膜に対して、画素電極２１に
対応させたパターンの光遮蔽部を備えたマスクを介し
て、紫外線を照射した。前記組成物は紫外線により硬化
してポリイミド樹脂となる。これにより、図５に示すよ
うに、各画素電極２１が、ポリイミド樹脂からなる隔壁
６１で囲われた。この隔壁６１で囲われた空間に、電気
泳動粒子９１ａと液相分散媒９１ｂとからなる電気泳動
分散液９１を充填した。

【００２５】次に、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレー
ト）フィルム１５の一方の面にＩＴＯ薄膜１６を所定厚
さで形成し、これをＩＴＯ薄膜１６側を下側にして前記
基板１の上に固定した。このようにして、図５に示すよ
うな電気泳動表示装置の電気泳動表示パネルを得た。こ
の実施形態の方法によれば、基板１としてソースおよび
ドレインを形成する液体に対する撥液性を有するポリイ
ミドフィルムを用い、ソース領域部分２３およびドレイ
ン領域部分２４の表面に前記液体に対する親液性を有す
る（前記液体に対する親和性がポリイミドフィルムより
高い）金メッキ層を設けたことで、ソース領域部分２３
およびドレイン領域部分２４にのみ前記液体が配置され
る。また、画素回路の画素電極２１および信号線２２を
基板上に形成する際に、ソース領域部分２３ドレイン領
域部分２４を同時に形成するため、前記文献に記載の方
法よりも製造コストを低減できる。

【００２６】すなわち、前記文献に記載の方法で、前述
の画素回路を形成するためには、画素回路の画素電極２
１、信号線２２、および信号線２２から画素電極２１側
に延びる配線を、前記液体に対する親液性を有する基板
上に形成した後、その上にポリイミド層を形成し、この
ポリイミド層をフォトリソグラフィおよびエッチング工
程でパターニングすることによって、基板上のソース形
成領域とドレイン形成領域を囲うポリイミド隔壁を形成
する必要がある。このポリイミド層の形成とこれに対す
るパターニング工程が、本発明の方法では不要になる。

【００２７】なお、前記実施形態の方法では、インクジ
ェット法で滴下する液体として水溶液を用いたため、基
板１として撥水性のポリイミドフィルムを用い、ソース
領域部分２３およびドレイン領域部分２４の表面に親水
性の金メッキを施しているが、ポリイミド表面の撥水性
とソース領域部分２３およびドレイン領域部分２４の表
面の親水性をより高くするためには、画素電極２１等の
形成後に、基板１の表面を酸素プラズマ処理した後、さ
らに四フッ化炭素（ＣＦ_４）プラズマ処理することが好
ましい。

【００２８】また、この実施形態のように、基板自体
を、使用する液体に対する撥液性の材料で構成してもよ
いが、親液性の基板の表面に撥液性の膜を形成する等に
よって、基板の前記液体を滴下（塗布）する側の面のみ
を撥液性としてもよい。なお、電気光学装置として、図
６に示すようなアクティブマトリックス型の液晶表示装
置を製造する場合には、先ず、前述の図１乃至図４に示
す各工程を行うことにより、前記と同じ画素回路を基板
１上に形成する。ただし、基板１としてＰＥＴフィルム
を用い、導電性薄膜としてＩＴＯ薄膜を形成する。

【００２９】すなわち、画素電極２１、信号線２２、ソ
ース領域部分２３、ドレイン領域部分２４、およびネッ
ク状部分２５，２６をＩＴＯ薄膜で形成する。そして、
基板１面であるＰＥＴフィルム表面の撥水性とソース領
域部分２３およびドレイン領域部分２４の表面の親水性
を高くするため、画素電極２１等の形成後に、基板１の
表面を酸素プラズマ処理した後、さらに四フッ化炭素
（ＣＦ_４）プラズマ処理する。

【００３０】次に、この基板１の画素回路が形成された
面（有機薄膜トランジスタ８側の面）をラビング装置に
よりラビングする。すなわち、ゲート絶縁膜６を液晶配
向膜として利用する。次に、ＰＥＴフィルム１５の一方
の面にＩＴＯ薄膜１６を所定厚さで形成し、このＩＴＯ
薄膜１６上にポリイミド薄膜１７をスピンコートで形成
し、このポリイミド薄膜１７をラビング装置によりラビ
ングする。

【００３１】次に、このＰＥＴフィルム１５を、ポリイ
ミド薄膜１７側を下側に向け、画素を区画するスペーサ
１８を介して前記基板１の上に固定する。その際に、ゲ
ート絶縁膜６とポリイミド薄膜１７とでラビングの方向
が互いに直角になるようにする。次に、隣り合うスペー
サ１８間の空間にＴＮ液晶１９を充填する。次に、基板
１およびＰＥＴフィルム１５の外側に偏光板１４を固定
する。さらに、バックライトユニットの取り付け等を行
う。 〔電子機器の実施形態〕前記実施形態の電気泳動表示装
置および液晶表示装置は、例えば、電子ペーパー、電子
ノート、電子ブック、モバイル型のパーソナルコンピュ
ータ、携帯電話、ディジタルスチルカメラ等の各種電子
機器の表示部に適用することができる。

【００３２】図７は、電子ペーパー（リライタブルシー
ト）の外観構成を示す斜視図である。この電子ペーパー
２００は、本体２０１と電子泳動表示パネル２０２とか
らなる。本体２０１および電子泳動表示パネル２０２
は、紙と同様の質感及び柔軟性を有するシート状に形成
されている。電子泳動表示パネル２０２の駆動回路は本
体２０１に内蔵するか、電子ペーパーとは別体の書き換
え装置として設ける。

【００３３】図８は、上述の電子ペーパー２００の書き
換え／表示装置を示す断面図（ａ）と平面図（ｂ）であ
る。この装置は、ハウジング４０１と、二組の搬送ロー
ラ対４０２ａ，４０２ｂと、ハウジング４０１の観察面
（表示面）に形成された矩形孔４０３と、矩形孔４０３
に嵌め込まれた透明ガラス板４０４と、電子ペーパー２
００のハウジング４０１内への挿入口４０５と、ソケッ
ト４０７と、コントローラー４０８と、操作部４０９と
を備えている。

【００３４】二組の搬送ローラ対４０２ａ，４０２ｂ
は、ハウジング４０１の内部に間隔を開けて配置されて
いる。一方の搬送ローラ対４０２ｂは、電子ペーパー２
００の挿入口４０５の近くに、他方の搬送ローラ対４０
２ａは挿入口４０５から離れた位置に配置されている。
ソケット４０７は、挿入口４０５から離れた位置の搬送
ローラ対４０２ａより更に奥側（挿入口４０５とは反対
側）に配置されている。

【００３５】電子ペーパー２００の先端には端子部２０
５が設けてある。挿入口４０５からハウジング４０１内
に挿入された電子ペーパー２００の両端は、二組の搬送
ローラ対４０２ａ，４０２ｂで挟持される。この状態
で、電子ペーパー２００の端子部２０５はソケット４０
７に差し込まれ、反対側の端部は挿入口４０５より外側
に出る。この端部を持って引くことにより、電子ペーパ
ー２００をハウジング４０１内から取り出すことができ
る。ソケット４０７には、駆動回路を備えたコントロー
ラー４０８が接続されている。操作部４０９は、ハウジ
ング４０１の表示面の透明ガラス板４０４の脇に設けて
ある。

【００３６】この装置を使用する際には、先ず、電子ペ
ーパー２００の表示面が透明ガラス板４０４側となるよ
うに電子ペーパー２００を挿入口４０５からハウジング
４０１内に入れる。次に、操作部４０９を操作すること
で、コントローラ４０８を作動させて、電子ペーパー２
００に画像を書き入れたり、表示された画像を消去した
り、書き換えたりする。画像が書き込まれた電子ペーパ
ー２００は、ハウジング４０１内に入った状態で透明ガ
ラス板４０４からその画像を見ることもできるし、ハウ
ジング４０１から外して携帯することもできる。

【００３７】図９は電子ノートの外観構成を示す斜視図
である。この電子ノートは、図７に示す前述の電子ペー
パー２００が複数枚束ねられ、その外側にノートブック
状にカバー３０１を設けたものである。カバー３０１に
表示データ入力手段を備えれば、束ねられた状態で電子
ペーパー２００の表示内容を変更することができる。図
１０は電子ブックの外観構成を示す斜視図である。この
電子ブック５００は、電気泳動表示装置からなる本体５
０１とカバー５０２とからなり、本体５０１に表示部５
０３と操作部５０４が設けてある。カバー５０２は本体
５０１に対して開閉自在に取り付けてあり、カバー５０
２を開けると表示部５０３の表示面および操作部５０４
が露出するように構成されている。本体５０１には、コ
ントローラ、カウンタ、メモリ、およびＣＤＲＯＭ等の
記憶媒体のデータを読み取るデータ読み取り装置等が内
蔵されている。

【００３８】図１１は、モバイル型のパーソナルコンピ
ュータの外観構成を示す斜視図である。このパーソナル
コンピュータ６００は、キーボード６０１を備えた本体
部６０２と、液晶表示装置からなる表示ユニット６０３
とで構成されている。図１２は携帯電話の外観構成を示
す斜視図である。この携帯電話７００は、複数の操作ボ
タン７０１の他、受話口７０２、送話口７０３と共に、
液晶表示装置からなる表示パネル７０４を備えている。

【００３９】図１３は、ディジタルスチルカメラの構成
を示す斜視図であり、外部機器との接続についても簡易
的に示している。このディジタルスチルカメラ８００
は、ケース８０１と、ケース８０１の背面に形成され、
ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃ
ｅ）による撮像信号に基づいて表示を行うようになって
いる液晶表示装置からなる表示パネル８０２と、ケース
８０１の観察側（図においては裏面側）に形成される光
学レンズやＣＣＤ等を含んだ受光ユニット８０３と、シ
ャッタボタン８０４と、このシャッタボタン８０４を押
した時点におけるＣＣＤの撮像信号が、転送・格納され
る回路基板８０５と、を備えている。

【００４０】また、ディジタルスチルカメラ８００にお
けるケース８０１の側面には、ビデオ信号出力端子８０
６と、データ通信用の入出力端子８０７とが設けられて
おり、前者にはテレビモニタ８０６Ａが、後者にはパー
ソナルコンピュータ８０７Ａが、それぞれ必要に応じて
接続されている。そして、所定の操作によって、回路基
板８０５のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニ
タ８０６Ａや、パーソナルコンピュータ８０７Ａに出力
される構成となっている。

【００４１】なお、電気泳動表示装置および液晶表示装
置を表示部等として適用できる電子機器としては、これ
らの他にも、テレビ、ビューファインダ型またはモニタ
直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装
置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワ
ークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、およびタ
ッチパネルを備えた機器等を挙げることができる。

【００４２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の方法によ
れば、液状材料を塗布することにより基板面の所定領域
に前記液状材料からなる層を配置する工程を備えた半導
体装置の製造方法において、液状材料からなる層を互い
に離間した配置で形成する場合に、隔壁として作用する
部材を用いなくても前記工程で所定領域に前記層を配置
することができる。

【００４３】また、本発明の方法では、基板上の所定領
域に液状材料をインクジェット法で滴下して乾燥するこ
とにより、半導体装置の構成層を形成する工程を備えた
半導体装置の製造方法において、前記所定領域に導電性
薄膜を形成してこの薄膜上に前記液体を滴下している。
また、基板面と導電性薄膜面との表面状態に差を設ける
ことにより、前記導電性薄膜上にのみ前記液状材料が滴
下されるようにしている。これにより、基板上の前記所
定領域を囲う隔壁を形成しなくても、液状材料を滴下し
たい部分にのみ滴下することができる。

【００４４】したがって、本発明の方法によれば、基板
上に所定パターンの導電性薄膜を形成した後に前記液状
材料の塗布（滴下）を行う場合に、前記文献に記載の方
法よりも製造コストを低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に相当する電気光学装置の
製造方法（画素回路を基板上に形成する方法）を説明す
る図であって、（ａ）は基板の一画素分の平面図を、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図を示す。

【図２】本発明の一実施形態に相当する電気光学装置の
製造方法（画素回路を基板上に形成する方法）を説明す
る図であって、（ａ）は基板の一画素分の平面図を、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図を示す。

【図３】本発明の一実施形態に相当する電気光学装置の
製造方法（画素回路を基板上に形成する方法）を説明す
る図であって、（ａ）は基板の一画素分の平面図を、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図を示す。

【図４】本発明の一実施形態に相当する電気光学装置の
製造方法（画素回路を基板上に形成する方法）を説明す
る図であって、（ａ）は基板の一画素分の平面図を、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図を示す。

【図５】本発明の一実施形態に相当する電気光学装置の
製造方法を説明する図であって、製造された電気泳動表
示パネルを示す断面図である。

【図６】本発明の一実施形態に相当する電気光学装置の
製造方法を説明する図であって、製造された液晶表示パ
ネルを示す断面図である。

【図７】本発明の電子機器の例である電子ペーパーの外
観構成を示す斜視図である。

【図８】本発明の電子機器の例である電子ペーパーの書
き換え／表示装置を示す断面図（ａ）と平面図（ｂ）で
ある。

【図９】本発明の電子機器の例である電子ノートの外観
構成を示す斜視図である。

【図１０】本発明の電子機器の例である電子ブックの外
観構成を示す斜視図である。

【図１１】本発明の電子機器の例であるモバイル型パー
ソナルコンピュータの外観構成を示す斜視図である。

【図１２】本発明の電子機器の例である携帯電話の外観
構成を示す斜視図である。

【図１３】本発明の電子機器の例であるディジタルスチ
ルカメラの構成を示す斜視図である。

【符号の説明】

１ 基板 １０ ソース領域部分とドレイン領域部分との間の基板
面 １４ 偏光板 １５ ＰＥＴフィルム １６ ＩＴＯ薄膜 １７ ポリイミド薄膜 １８ スペーサ １９ ＴＮ液晶 ２１ 画素電極 ２２ 信号線 ２３ ソース領域部分（第１の部分） ２４ ドレイン領域部分（第２の部分） ２５ ネック状部分（第１の部分より幅の狭い部分） ２６ ネック状部分（第２の部分より幅の狭い部分） ３ 液滴 ３１ ドレイン領域部分の中心 ３２ ソース領域部分の中心 ４１ ソース（第１の領域） ４２ ドレイン（第２の領域） ５ 半導体層 ６ 絶縁層（ゲート絶縁膜） ６１ 隔壁 ７ ゲート電極 ７０ 走査線 ８ 有機薄膜トランジスタ ９１ａ 電気泳動粒子 ９１ｂ 液相分散媒 ９１ 電気泳動分散液 ２００ 電子ペーパー（電子機器） ２０１ 本体 ２０２ 電子泳動表示パネル ２０５ 端子部 ３００ 電子ノート（電子機器） ３０１ カバー ４００ 電子ペーパーの書き換え／表示装置 ４０１ ハウジング ４０２ａ 搬送ローラ対 ４０２ｂ 搬送ローラ対 ４０３ 矩形孔 ４０４ 透明ガラス板 ４０５ 挿入口 ４０７ ソケット ４０８ コントローラー ４０９ 操作部 ５００ 電子ブック（電子機器） ５０１ 本体 ５０２ カバー ５０３ 表示部 ５０４ 操作部 ６００ モバイル型パーソナルコンピュータ（電子機
器） ６０１ キーボード ６０２ 本体部 ６０３ 表示ユニット ７００ 携帯電話（電子機器） ７０１ 操作ボタン ７０２ 受話口 ７０３ 送話口 ７０４ 表示パネル ８００ ディジタルスチルカメラ（電子機器） ８０１ ケース ８０２ 表示パネル ８０３ 受光ユニット ８０４ シャッタボタン ８０５ 回路基板 ８０６ ビデオ信号出力端子 ８０６Ａ テレビモニタ ８０７ 入出力端子 ８０７Ａ パーソナルコンピュータ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１８Ａ 29/50 Ｍ 29/78 ６１６Ｕ (72)発明者 石田 方哉 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 Ｆターム(参考） 4M104 AA09 AA10 BB04 BB36 CC01 CC05 DD22 DD37 DD51 DD52 DD53 DD63 EE03 EE06 EE18 FF13 GG08 5F053 AA50 BB09 DD19 FF01 HH10 LL10 RR13 5F058 AB07 AC10 AF06 AH01 5F110 AA16 BB01 CC05 DD01 EE01 EE41 EE42 FF01 FF21 FF27 GG05 GG28 GG41 GG42 HK01 HK02 HK07 HK22 HK31 HK32 HK33 NN02 NN27 NN36 QQ06

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 液状材料を塗布することにより基板面の
   所定領域に前記液状材料からなる層を配置する工程を備
   えた半導体装置の製造方法において、 前記基板上に、前記液状材料に対する親和性が隣接する
   他の領域より高い複数の領域を、互いに離間した配置で
   設けた後、前記複数の領域のうちの少なくとも二つの領
   域に、前記層を配置する工程を行うことを特徴とする半
   導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 前記複数の領域を、基板上に導電性薄膜
   を形成することで設けることを特徴とする請求項１記載
   の半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 前記層を配置する前記少なくとも二つの
   領域の間に前記導電性薄膜を形成しないことを特徴とす
   る請求項２記載の半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 液状材料の塗布はインクジェット法で行
   うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記
   載の半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】 前記層を配置する工程は、薄膜トランジ
   スタを構成するソースおよびドレインをなす層を形成す
   る工程である請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半
   導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】 基板面の所定領域に液状材料をインクジ
   ェット法で滴下して乾燥することにより、半導体装置の
   構成層を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法に
   おいて、 前記基板面の前記液状材料を滴下する領域に導電性薄膜
   を形成し、この導電性薄膜の表面の前記液状材料に対す
   る親和性が前記基板面より高い状態で、前記液状材料の
   滴下を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】 基板面の所定領域に液状材料をインクジ
   ェット法で滴下して乾燥することにより、薄膜トランジ
   スタの構成層であるソースおよびドレインを形成する工
   程を備えた半導体装置の製造方法において、 前記基板面のソースを形成する領域およびドレインを形
   成する領域に導電性薄膜を形成し、この導電性薄膜の表
   面の前記液状材料に対する親和性が前記基板面より高い
   状態で、前記液状材料の滴下を行うことを特徴とする半
   導体装置の製造方法。
8. 【請求項８】 請求項１乃至７のいずれか１項に記載の
   方法で半導体装置を製造する工程を備えた電気光学装置
   の製造方法。
9. 【請求項９】 複数の画素電極と、各画素電極に対応し
   て設けられたトランジスタと、各トランジスタのソース
   およびドレインの一方である第１の領域に接続された信
   号線と、各トランジスタのゲートに接続された走査線
   と、を備え、各画素電極が各トランジスタのソースおよ
   びドレインの他方である第２の領域に接続されている画
   素回路を、基板上に有する電気光学装置の製造方法にお
   いて、 前記第１の領域に対応する第１の部分と第２の領域に対
   応する第２の部分を、両部分の間隔がチャネル長に対応
   するように隣接させて、画素電極および信号線ととも
   に、前記第１の部分が信号線と接続され、前記第２の部
   分が画素電極と接続された状態で、基板上に形成した
   後、前記第１の部分と第２の部分に、液状材料をインク
   ジェット法で滴下して乾燥することにより、ソースおよ
   びドレインを形成する工程を備えるとともに、 前記第１の部分および第２の部分の表面の前記液状材料
   に対する親和性が基板面の前記両部分間より高い状態
   で、前記液状材料の滴下を行うことを特徴とする電気光
   学装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記液状材料として導電性有機材料を
    含有する液体を滴下することにより、有機薄膜トランジ
    スタを形成することを特徴とする請求項９記載の電気光
    学装置の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記第１の部分と信号線との境界位置
    に、第１の部分より幅の狭い部分を設け、前記第２の部
    分と前記画素電極との境界位置に、第２の部分より幅の
    狭い部分を設けたことを特徴とする請求項７記載の電気
    光学装置の製造方法。
12. 【請求項１２】 請求項１乃至７のいずれか１項に記載
    の方法で製造された半導体装置、或いは請求項８乃至１
    １のいずれか１項に記載の方法で製造された電気光学装
    置、を備えた電子機器。