KR101236240B1 - 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 88
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 109
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 29
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 133
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 39
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 38
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 31
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 25
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 22
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 11
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 9
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 7
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 5
- QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N N,N-bis{2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl}glycine Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(=O)O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 abstract description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 16
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 16
- 229940068984 polyvinyl alcohol Drugs 0.000 description 16
- 235000019422 polyvinyl alcohol Nutrition 0.000 description 16
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 8
- -1 inkjet devices Chemical compound 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical group OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133514—Colour filters
- G02F1/133516—Methods for their manufacture, e.g. printing, electro-deposition or photolithography
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
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Abstract
본 발명은 액상의 유기 반도체 물질에 영향을 끼치지 않는 수산화칼륨(KOH) 용액을 현상액으로 이용하는 포토아크릴을 이용하여 상기 액상의 유기 반도체 물질로 유기 반도체 물질층을 형성한 후, 이를 상기 포토아크릴을 이용하여 패터닝함으로써 상기 유기 반도체층의 손상없이 고정세 고해상도의 액정표시장치용 어레이 기판을 제조하는 것을 특징으로 하는 제조 방법을 제안한다.
더욱이, 상기 포토 아크릴 특성을 십분 이용하여 선택 및 전면 노광 및 현상을 통해 기판상에서 완전히 제거하거나 또는 콘택홀 부분에 잔유물이 남지 않도록 하는 제조 방법을 제공함으로써 접촉저항을 낮추는 등의 특성을 향상시키는 효과가 있으며, 고가의 진공장비를 이용하지 않고 액상의 유기 반도체 유기물질을 이용하여 유기 반도체층을 형성함으로써 초기 설비 투자 비용을 절감하여 제품의 가격 경쟁력을 향상시키는 효과가 있다.
Description
도 1은 일반적인 액정표시장치의 분해사시도.
도 2a 내지 2k는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액상의 유기 반도체 물질을 코팅에 의해 형성하고 식각액 등에 의해 손상없이 패터닝된 유기 반도체층을 구비한 액정표시장치용 어레이 기판의 스위칭 소자를 포함하는 하나의 화소영역에 대한 제조 단계별 공정 단면도.
도 3a 내지 3c는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액상의 유기 반도체 물질을 코팅에 의해 형성하고 식각액 등에 의해 손상없이 패터닝된 유기 반도체층을 구비한 액정표시장치용 어레이 기판의 스위칭 소자를 포함하는 하나의 화소영역에 대한 제조 단계별 공정 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
101 : 기판 105 : (친수성의)버퍼층
110 : 소스 전극 113 : 드레인 전극
115 : 화소전극 117 : 유기 반도체 패턴
125 : 게이트 절연막 130 : 게이트 전극
137 : 포토 아크릴 패턴
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 좀 더 자세하게는 유기 반도체 물질을 이용한 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
근래에 들어 사회가 본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라 대량의 정보를 처리 및 표시하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 최근에는 특히 박형화, 경량화, 저소비전력화의 우수한 성능을 지닌 박막트랜지스터(Thin Film Transistor : TFT)형 액정표시장치(TFT-LCD)가 개발되어 기존의 브라운관(Cathode Ray Tube : CRT)을 대체하고 있다.
액정표시장치의 화상구현원리는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용하는 것으로, 주지된 바와 같이 액정은 분자구조가 가늘고 길며 배열에 방향성을 갖는 광학적 이방성과 전기장 내에 놓일 경우에 그 크기에 따라 분자배열 방향이 변화되는 분극성질을 띤다. 이에 액정표시장치는 액정층을 사이에 두고 서로 마주보는 면으로 각각 화소전극과 공통전극이 형성된 어레이 기판(array substrate)과 컬러필터 기판(color filter substrate)을 합착시켜 구성된 액정패널을 필수적인 구성요소로 하며, 이들 전극 사이의 전기장 변화를 통해서 액정분자의 배열방향을 인 위적으로 조절하고 이때 변화되는 빛의 투과율을 이용하여 여러 가지 화상을 표시하는 비발광 소자이다.
최근에는 특히 화상표현의 기본단위인 화소(pixel)를 행렬 방식으로 배열하고 스위칭 소자를 각 화소에 배치시켜 독립적으로 제어하는 능동행렬방식(active matrix type)이 해상도 및 동영상 구현능력에서 뛰어나 주목받고 있는데, 이 같은 스위칭 소자로 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor : TFT)를 사용한 것이 잘 알려진 TFT-LCD(Thin Firm Transistor Liquid Crystal Display device) 이다.
좀 더 자세히, 일반적인 액정표시장치의 분해사시도인 도 1에 나타낸 바와 같이 액정층(30)을 사이에 두고 어레이 기판(10)과 컬러필터 기판(20)이 대면 합착된 구성을 갖는데, 이중 하부의 어레이 기판(10)은 제 1 투명기판(12) 및 이의 상면으로 종횡 교차 배열되어 다수의 화소영역(P)을 정의하는 복수개의 게이트 배선(14)과 데이터 배선(16)을 포함하며, 이들 두 배선(14, 16)의 교차지점에는 박막 트랜지스터(T)가 구비되어 각 화소영역(P)에 마련된 화소전극(18)과 일대일 대응 접속되어 있다.
또한 이와 마주보는 상부의 컬러필터 기판(20)은 제 2 투명기판(22) 및 이의 배면으로 상기 게이트 배선(14)과 데이터 배선(16) 그리고 박막 트랜지스터(T) 등의 비표시영역을 가리도록 각 화소영역(P)을 테두리하는 격자 형상의 블랙매트릭스(25)가 형성되어 있으며, 이들 격자 내부에서 각 화소영역(P)에 대응되게 순차적으로 반복 배열된 적, 녹, 청색 컬러필터층(26)이 형성되어 있으며, 상기 블랙매트릭스(25)와 적, 녹 ,청색 컬러필터층(26)의 전면에 걸쳐 투명한 공통전극(28)이 마 련되어 있다.
그리고 도면상에 명확하게 도시되지는 않았지만, 이들 두 기판(10, 20)은 그 사이로 개재된 액정층(30)의 누설을 방지하기 위하여 가장자리 따라 실링제 등으로 봉함(封函)된 상태에서 각 기판(10, 20)과 액정층(30)의 경계부분에는 액정의 분자배열 방향에 신뢰성을 부여하는 상, 하부 배향막이 개재되며, 각 기판(10, 20)의 적어도 하나의 외측면에는 편광판이 부착된다.
더불어 액정패널 배면으로는 백라이트(back-light)가 구비되어 빛을 공급하는 바, 게이트배선(14)으로 박막트랜지스터(T)의 온(on)/오프(off) 신호가 순차적으로 스캔 인가되어 선택된 화소영역(P)의 화소전극(18)에 데이터배선(16)의 화상신호가 전달되면 이들 사이의 수직전계에 의해 그 사이의 액정분자가 구동되고, 이에 따른 빛의 투과율 변화로 여러 가지 화상을 표시할 수 있다.
한편, 이 같은 액정표시장치에 있어 어레이 기판(10)과 컬러필터 기판(20)의 모체가 되는 제 1 및 제 2 절연기판(12, 22)은 전통적으로 유리 기판이 사용되었지만, 최근 들어 노트북이나 PDA(personal digital assistant)와 같은 소형의 휴대용 단말기가 널리 보급됨에 따라 이들에 적용 가능하도록 유리보다 가볍고 경량임과 동시에 유연한 특성을 지니고 있어 파손위험이 적은 플라스틱 기판을 이용한 액정패널이 소개된 바 있다.
하지만, 플라스틱 기판을 이용한 액정패널은 액정표시장치의 제조 특성상 특히 스위칭 소자인 박막 트랜지스터가 형성되는 어레이 기판의 제조에는 200℃ 이상의 고온을 필요로 하는 고온 공정이 많아 내열성 및 내화학성이 유리기판 보다 떨 어지는 플라스틱 기판으로 상기 어레이 기판을 제조하는 데에는 어려움이 있어, 상부기판을 이루는 컬러필터 기판만을 플라스틱 기판으로 제조하고 하부기판인 어레이 기판은 통상적인 유리 기판을 이용하여 액정표시장치를 제조하고 있는 실정이다.
이러한 문제를 해결하고자 최근에는 유기 반도체 물질 등을 이용하여 200℃ 이하의 저온 공정을 진행하여 박막트랜지스터를 형성하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판을 제조 하는 기술이 제안되었다. 이러한 저온 공정에 의한 어레이 기판의 제조는 값비싼 진공 증착 장비를 이용하여 제조하는 것보다 코팅 장치를 이용하게 됨으로 초기 설비 비용이 매우 저렴하여 결과적으로 제조 비용의 절감을 달성할 수 있는 바, 플라스틱 기판을 이용한 제조에만 한정되는 것이 아니라 유기 기판을 이용하여 제작할 수 있음은 당연하다.
이후에는 200℃이하의 저온 공정을 진행되는 유기 반도체 물질을 이용한 어레이 기판의 제조 방법에 대해 설명한다.
200℃ 이하의 저온 공정으로 박막트랜지스터를 포함하는 화소를 형성함에 있어서, 전극과 배선을 이루는 금속물질과 절연막과 보호층등의 형성은 저온 증착 또는 코팅의 방법 등을 통해 형성하여도 박막트랜지스터의 특성에 별 영향을 주지 않지만, 채널을 이루는 반도체층을 일반적으로 이용되는 반도체 물질인 비정질 실리콘을 사용하여 저온 공정에서 증착 형성하게 되면, 상기 반도체층 내부 구조가 치밀하지 못하여 전도도 등의 중요 특성이 저하되는 문제가 발생한다.
따라서, 이를 극복하고자 비정질 실리콘 등의 종래의 반도체 물질 대신 반도 체 특성을 갖는 유기 물질을 이용하여 유기 반도체층을 형성하는 것이 제안되고 있다.
이러한 유기 반도체 물질은 크게 분말 타입의 유기 반도체 물질(대부분이 저분자 유기 반도체 물질)과 액상 타입의 유기 반도체 물질(대부분 고분자 유기 반도체 물질)로 나뉘어지고 있다.
이러한 반도체 물질에 있어서, 분말 타입은 저분자형 유기 반도체 물질이며 이러한 분말 형태를 갖는 유기 반도체 물질은 상온에서 이베퍼레이션을 통해 기판 상에 유기 반도체층을 형성하고, 액상 타입은 통상적으로 고분자 유기 반도체 물질이며 상온에서 코팅을 통해 기판 상에 유기 반도체층을 형성하고 있다.
분말 타입의 저분자 유기 반도체 물질로 반도체층을 형성하여 완성한 박막트랜지스터의 특성이 액상 타입의 고분자 유기 반도체 물질을 반도체층으로 하여 완성한 박막트랜지스터의 특성 대비 우수하므로 저분자 유기 반도체 물질을 유기 반도체층으로 하여 형성한 박막트랜지스터를 구비한 액정표시장치가 주를 이루고 있다.
하지만, 상기 분말 타입의 반도체 물질을 이용하여 유기 반도체층을 형성할 경우, 코팅 장비보다 몇 배는 비싼 고가의 진공장비를 이용한 이베퍼레이션을 진행하여야 하므로 초기 설비 투자 비용이 증가하며, 이로 인해 최종 생산물인 액정표시장치의 단가를 상승시키는 단점을 갖는 바, 가격 경쟁력이 저하되는 문제가 있다.
또한, 분말 타입 특성상 마스크 공정을 통한 패터닝 등이 용이하지 않으므로 쉐도우 마스크 등을 이용하여 패터닝하고 있는데, 이는 쉐도우 마스크 공정 특성상 세밀한 패턴 형성이 불가능하므로 고정세의 고해상도 제품을 제조하는 데에는 문제가 있다.
따라서 최근에는 전술한 바와 같은 문제가 있는 저분자 유기 반도체 물질을고분자 유기 반도체 물질과 같이 코팅 등의 방법에 의해 기판 상에 형성될 수 있도록 액상 타입의 저분자 유기 반도체물질이 개발되었으며 이를 이용한 액정표시장치가 제안되고 있다.
하지만, 액상 타입의 저분자 유기 반도체 물질이 개발되어 이를 코팅에 의해 기판상에 형성할 수 있다 하더라도 저분자 유기 반도체 물질은 그 자체로서 식각액 등에 매우 취약하기 때문에 이를 패터닝함에 어려움이 있다.
전술한 문제를 해결하기 위해서 본 발명은 안출된 것으로 액상의 유기 반도체 물질을 코팅하여 기판 상에 반도체 물질층을 형성하고 이를 식각액 등에 노출되지 않도록 패터닝하는 방법을 제안함으로써 고정세, 고해상도의 유기 박막트랜지스터를 갖는 액정표시장치용 어레이 기판을 제조하는 것에 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제 1 특징에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법은 화소영역이 정의된 기판 상에 일방향으로 연장하는 데이터 배선과, 상기 데이터 배선과 연결된 소스 전극과, 상기 소스 전극과 이격하는 드레인 전극을 형성하는 단계와; 상기 화소영역 내에 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소전극을 형성하는 단계와; 상기 소스 및 드레인 전극과 화소전극 위로 전면에 액상의 유기 반도체 물질을 코팅하여 유기 반도체 물질층을 형성하고 연속하여 그 상부로 게이트 절연물질층과 제 1 금속층을 형성하는 단계와; 상기 제 1 금속층 위로 포티지브 타입의 포토아크릴 패턴을 형성하는 단계와; 에칭을 실시하여 상기 포토아크릴 패턴 외부로 노출된 제 1 금속층과 게이트 절연물질층과 유기 반도체 물질층을 제거함으로써 하부로부터 순차적으로 동일한 형태의 유기 반도체 패턴과 게이트 절연막과 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극이 형성된 기판을 전면 노광하는 단계와; 상기 포토아크릴 패턴을 수산화칼륨 용액에 노출시켜 현상함으로써 상기 게이트 전극을 노출시키는 단계와; 상기 게이트 전극 위로 상기 게이트 전극 일부를 노출시키는 게이트 콘택홀을 갖는 보호층을 형성하는 단계와; 상기 보호층 위로 상기 데이터 배선과 교차하며 상기 게이트 콘택홀을 통해 상기 게이트 전극과 접촉하는 게이트 배선을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 제 2 특징에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법은 화소영역이 정의된 기판 상에 일방향으로 연장하는 데이터 배선과, 상기 데이터 배선과 연결된 소스 전극과, 상기 소스 전극과 이격하는 드레인 전극을 형성하는 단계와; 상기 화소영역 내에 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소전극을 형성하는 단계와; 상기 소스 및 드레인 전극과 화소전극 위로 전면에 액상의 유기 반도체 물질을 코팅하여 유기 반도체 물질층을 형성하고 연속하여 그 상부로 게이트 절연물질층과 제 1 금속층을 형성하는 단계와; 상기 제 1 금속층 위로 포티지브 타입의 포토아크릴 패턴을 형성하는 단계와; 에칭을 실시하여 상기 포토아크릴 패턴 외부로 노출된 제 1 금속층과 게이트 절연물질층과 유기 반도체 물질층을 제거함으로써 하부로부터 순차적으로 동일한 형태의 유기 반도체 패턴과 게이트 절연막과 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 포토아크릴 패턴 위로 전면에 상기 포토아크릴 패턴과 동일한 물질을 도포하여 보호층을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극 일부에 대응하는 보호층과 그 하부의 포토아크릴 패턴에 대해 투과영역이 대응되도록 하여 노광을 실시하는 단계와; 상기 노광된 보호층 및 그 하부의 포토아크릴 패턴을 수산화칼륨 용액에 노출시켜 현상함으로써 상기 게이트 전극 일부를 노출시키는 게이트 콘택홀을 형성하는 단계와; 상기 보호층 위로 상기 데이터 배선과 교차하며 상기 게이트 콘택홀을 통해 상기 게이트 전극과 접촉하는 게이트 배선을 형성하는 단계를 포함한다. 이때, 상기 게이트 전극을 형성한 후, 노광 마스크 없이 진행하는 전면 노광을 실시하는 단계를 더욱 포함한다.
또한 상기 제 1, 2 특징에 있어서, 상기 포토아크릴 패턴을 형성하는 단계는, 상기 제 1 금속층 위로 포지티브 타입의 포토아크릴을 도포하여 포토아크릴층을 형성하는 단계와; 상기 포토아크릴층 위로 상기 소스 및 드레인 전극에 대응하여 차단영역이 대응되도록 노광 마스크를 위치시키고 선택 노광을 실시하는 단계와; 상기 노광된 포토아크릴층을 상기 유기 반도체 물질과 반응하지 않는 것을 특징으로 수산화칼륨 용액에 노출시켜 현상하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 보호층은 상기 게이트 콘택홀 이외에 상기 화소전극을 노출시키 는 오픈부를 더욱 포함하며, 상기 에칭은 드라이 에칭인 것이 바람직하다.
또한, 상기 액상의 유기 반도체 물질은 펜타신(pentacene) 또는 폴리사이오펜(polythiophene)인 것이 바람직하며, 이때, 상기 액상의 유기 반도체 물질의 코팅은 잉크젯(ink jet) 장치, 노즐(nozzle) 코팅장치, 바(bar) 코팅장치, 슬릿(slit) 코팅장치, 스핀(spin) 코팅장치 중 하나의 장치로써 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 상기 데이터 배선과 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계 이전에는 상기 기판상에 친수성 특성을 갖는 버퍼층을 형성하는 단계를 더욱 포함한다.
본 발명에 따른 유기 박막트랜지스터의 제조 방법은 기판 상에 소스 전극과, 상기 소스 전극과 이격하는 드레인 전극을 형성하는 단계와; 상기 소스 및 드레인 전극 위로 전면에 액상의 유기 반도체 물질을 코팅하여 유기 반도체 물질층을 형성하고 연속하여 그 상부로 게이트 절연물질층과 제 1 금속층을 형성하는 단계와; 상기 제 1 금속층 위로 포티지브 타입의 포토아크릴 패턴을 형성하는 단계와; 에칭을 실시하여 상기 포토아크릴 패턴 외부로 노출된 제 1 금속층과 게이트 절연물질층과 유기 반도체 물질층을 제거함으로써 하부로부터 순차적으로 동일한 형태의 유기 반도체 패턴과 게이트 절연막과 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
이때, 상기 포토아크릴 패턴을 형성하는 단계는, 상기 제 1 금속층 위로 포지티브 타입의 포토아크릴을 도포하여 포토아크릴층을 형성하는 단계와; 상기 포토아크릴층 위로 상기 소스 및 드레인 전극에 대응하여 차단영역이 대응되도록 노광 마스크를 위치시키고 선택 노광을 실시하는 단계와; 상기 노광된 포토아크릴층을 상기 유기 반도체 물질과 반응하지 않는 것을 특징으로 수산화칼륨 용액에 노출시켜 현상하는 단계를 포함하며, 상기 에칭은 드라이 에칭인 것이 바람직하다.
또한, 상기 액상의 유기 반도체 물질은 펜타신(pentacene) 또는 폴리사이오펜(polythiophene)인 것이 바람직하며, 상기 액상의 유기 반도체 물질의 코팅은 잉크젯(ink jet) 장치, 노즐(nozzle) 코팅장치, 바(bar) 코팅장치, 슬릿(slit) 코팅장치, 스핀(spin) 코팅장치 중 하나의 장치로써 이루어지는 것이 바람직하다.
이하 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
<제 1 실시예>
도 2a 내지 2k는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액상의 유기 반도체 물질을 코팅에 의해 형성하고 식각액 등에 의해 손상없이 패터닝된 유기 반도체층을 구비한 액정표시장치용 어레이 기판의 스위칭 소자를 포함하는 하나의 화소영역에 대한 제조 단계별 공정 단면도이다. 이때 상기 화소영역 내에 스위칭 소자인 박막트랜지스터가 형성되는 영역을 스위칭 영역이라 칭한다.
우선, 도 2a에 도시한 바와 같이, 투명한 절연특성을 갖는 물질로 이루어진 기판(101) 예를들면 유리 또는 플라스틱 기판 위로 전면에 친수성을 가지며 상기 기판(101)과의 접착력이 우수한 물질 예를들면 산화실리콘(SiO2)을 전면에 증착함으로써 버퍼층(105)을 형성한다. 이는 그 상부로 형성되는 반도체층(미도시)과 상기 기판(101)과의 접촉특성을 향상시키며 상기 반도체층(미도시)이 고른 두께로 형성되도록 하기 위함이다.
이때, 상기 버퍼층(105)은 반드시 형성할 필요는 없으며, 상기 기판(101)의 특성에 따라 생략될 수 있다.
다음, 상기 버퍼층(105) 또는 기판(101) 상에 저저항 금속물질 예를들면 금(Au), 구리(Cu), 구리합금, 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd) 중 선택되는 금속물질을 증착함으로서 금속층을 형성한다.
다음, 상기 금속층 위로 포토레지스트의 도포하여 포토레지스트층을 형성하고, 상기 포토레지스트층을 마스크를 이용한 노광 및 현상 공정을 진행함으로써 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 상기 포토레지스트 패턴 외부로 노출된 금속층을 식각함으로써 일방향으로 연장하는 데이터 배선과, 화소영역(P)(추후 형성되는 게이트 배선과 상기 데이터 배선이 교차하여 정의되는 영역) 더욱 정확히는 상기 스위칭 영역(TrA)에 상기 데이터 배선과 연결된 소스 전극(110)과, 상기 소스 전극(110)에서 소정간격 이격하여 서로 마주하는 형태의 드레인 전극(113)을 형성한다.
다음, 도 2b에 도시한 바와 같이, 상기 소스 및 드레인 전극(110, 113)이 형성된 기판(101)에 투명 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 전면에 증착하고 이를 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로써 상기 화소영역(P) 내부에 상기 드레인 전극(113)의 일끝단과 직접 접촉하는 형태의 화소전극(115)을 형성한다.
다음, 도 2c에 도시한 바와 같이, 상기 데이터 배선과 소스 및 드레인 전극(110, 113)과 상기 화소전극(115) 위로 액상의 유기 반도체 물질 즉, 특히 이동도(mobility) 등이 비교적 우수한 저분자 유기 반도체 물질 예를들면 액상의 펜타신(pentacene) 또는 폴리사이오펜(polythiophene)을 잉크젯 장치, 노즐(nozzle) 코팅 장치, 바(bar) 코팅 장치, 슬릿(slit) 코팅장치, 스핀(spin) 코팅장치 또는 프린팅 장치 등을 이용하여 전면에 코팅함으로써 유기 반도체 물질층(116)을 형성한다.
다음, 도 2d에 도시한 바와 같이, 상기 유기 반도체 물질층(116) 위로 연속하여 유기 절연물질 예를들면 벤조사이클로부텐(BCB), 포토아크릴(photo acryl) 또는 PVA(poly vinyl alcohol)를 도포함으로써 전면에 게이트 절연물질층(123)을 형성한다. 이후 상기 게이트 절연물질층(123)이 형성된 기판(101)에 60℃ 내지 80℃의 열을 가하는 소프트 베이크(soft bake)를 진행함으로써 상기 게이트 절연물질층(123) 내부의 용제를 제거하고, 연속하여 150℃ 내지 170℃ 정도의 열을 가하는 하드 베이크(hard bake) 공정을 더욱 진행함으로써 상기 게이트 절연물질층(123)을 단단히 경화시킨다.
다음, 상기 경화된 게이트 절연물질층(123) 위로 건식식각이 용이한 금속물질 예를들면 몰리브덴(Mo) 또는 크롬(Cr)을 전면에 증착함으로써 제 2 금속층(129)을 형성한다.
다음, 도 2e에 도시한 바와 같이, 상기 제 2 금속층(129) 위로 감광성 특성을 가지며 특히 빛을 받은 부분이 현상 시 제거되는 것을 특징으로 하는 포지티브 타입(positive type)의 포토아크릴(photo acryl)을 도포하여 포토 아크릴층(136)을 형성한다. 이후 상기 포토아크릴층(136)이 형성된 기판(101)에 60℃ 내지 80℃ 정도의 열을 가하는 소프트 베이크(soft bake) 공정을 진행함으로써 상기 포토 아크릴층(136) 내부에 용제를 제거한다.
이후, 상기 수분이 제거된 포토아크릴층(136) 위로 화소영역(P) 내에 상기 서로 이격한 소스 및 드레인 전극(110, 113) 사이의 이격된 영역을 포함하여 상기 소스 및 드레인 전극(110, 113)의 서로 마주하는 끝단을 포함하는 영역에 대응해서는 차단영역(BA)이, 그 외의 영역에 대응해서는 투과영역(TA)을 갖는 노광 마스크(181)를 위치시키고, 상기 노광 마스크(181)를 통한 노광을 실시한다.
다음 도 2f에 도시한 바와 같이, 상기 노광된 포토아크릴층(도 2e의 136)을 갖는 기판(101)을 포토아크릴의 현상액인 수산화칼륨(KOH) 용액에 담구거나 또는 상기 수산화칼륨(KOH) 용액을 상기 기판(101)에 스프레이 함으로써 상기 포토아크릴층(도 2e의 136)을 현상한다.
이때, 상기 포토아크릴층(도 2e의 136)은 포지티브 타입(positive typa)의 포토아크릴(photo acryl)로써 이루어지는 바, 노광 시 투과영역(TA)에 대응되어 빛을 받은 부분이 모두 현상되어 제거됨으로써 상기 제 2 금속층(129)을 노출시키게 되며, 차단영역(BA)에 대응된 부분에만 제거되지 않고 포토아크릴 패턴(137)을 형성하게 된다.
다음, 도 2g에 도시한 바와 같이, 상기 포토아크릴 패턴(137)을 식각 마스크로하여 드라이 에칭(dry etching)을 실시함으로써 상기 포토아크릴 패턴(137) 외 부로 노출된 제 2 금속층(도 2f의 129)과 그 하부의 게이트 절연물질층(도 2f의 123)과 유기 반도체 물질층(도 2f의 116)을 제거한다.
따라서, 상기 드라이 에칭(dry etching)에 의해 상기 포토아크릴 패턴(137)이 형성된 스위칭 영역(TrA)을 제외한 영역에는 각각 데이터 배선(미도시)과 화소전극(115)이 노출되게 되며 동시에 상기 스위칭 영역(TrA)에는 서로 마주하며 이격하는 소스 및 드레인 전극(110, 113)과 접촉하는 아일랜드 형상의 유기 반도체 패턴(117)과 그 상부로 게이트 절연막(125)과 게이트 전극(130)이 형성되게 된다.
다음, 도 2h에 도시한 바와 같이, 상기 데이터 배선(미도시)과 화소전극(115)이 노출되며 게이트 전극(130)이 형성된 기판(101) 전면에 노광 마스크없이 전면노광을 실시한다.
다음, 도 2i에 도시한 바와 같이, 상기 전면 노광된 기판(101)을 상기 포토아크릴(photo acryl)의 현상액인 수산화칼륨(KOH) 용액에 담그든지 또는 상기 기판(101) 상에 수산화칼륨(KOH) 용액을 스프레이 하면, 상기 포토 아크릴패턴(도 2h의 137)은 상기 전면노광에 의해 빛 더욱 정확히는 자외선에 노출됨으로써 상기 수산화칼륨(KOH) 용액의 현상액에 반응하게 되고 상기 게이트 전극(130) 상부로부터 떨어져 나가게 되어 상기 기판(101)으로부터 분리되게 된다.
이때, 상기 수산화칼륨(KOH) 용액에 상기 유기 반도체 패턴(117)의 측면이 노출되게 되나 상기 유기 반도체 패턴(117)은 상기 수산화칼륨(KOH) 용액에 대해서는 영향을 받지 않으므로 문제되지 않는다.
한편, 전술한 방법 이외의 비교예로써 예를들면 애싱(ashing)을 실시해서 상 기 포토 아크릴 패턴을 제거하는 경우는 상기 게이트 전극 상부로 상기 포토 아크릴 패턴 잔유물이 남는 문제가 발생하였으며, 이 경우 추후 공정에서 형성될 게이트 배선과 상기 게이트 전극의 접촉 시 접촉저항을 크게 함으로써 특성 저하가 발생한다.
또 다른 방법 즉, 상기 포토아크릴 대신 일반적으로 패터닝 시 주로 사용되는 감광물질인 포토레지스트를 이용하게 되면 상기 포토레지스트의 현상액이 수산화칼륨(KOH) 용액이 아니고 다른 화학물질이 되는 바, 현상 시 상기 유기 반도체 패턴의 측면으로 스며들게 되어 상기 반도체 패턴을 손상시키게 된다.
또한 물을 현상액으로 하는 PVA(poly vinyl alcohol)를 이용시에는 상기 PVA(poly vinyl alcohol) 자체가 네가티브 타입(negative type)이므로 상기 게이트 전극을 형성 후에는 상기 게이트 전극 상부에 남아있는 PVA(poly vinyl alcohol) 자체를 제거할 수 없어 상기 PVA(poly vinyl alcohol)패턴을 그대로 둔 상태에서 보호층을 형성하게 되는 문제가 발생한다. 이 경우, 상기 게이트 전극과 추후 형성되는 게이트 배선과의 접촉을 위해 상기 게이트 전극 상부에 콘택홀을 형성해야 하는데 상기 PVA(poly vinyl alcohol) 패턴이 존재하고 있는 바 콘택홀 형성을 위해 드라이 에칭 또는 애싱(ashing)을 진행하여야 하며 이 경우도 마찬가지로 상기 콘택홀 내부로 노출되는 게이트 전극 표면에 PVA(poly vinyl alcohol) 잔유물이 남게되어 상기 게이트 전극과 게이트 배선간의 접촉 저항을 높이게 되는 문제가 발생하게 됨을 알 수 있었다.
하지만 본 발명의 경우, 상기 유기 반도체 패턴에 영향을 끼치지 않는 수산 화칼륨(KOH) 용액을 현상액으로 하고, 포지티브 타입(positive type) 특성을 갖는 포토아크릴을 이용함으로써 선택 노광과 제 1 현상 공정을 통해 게이트 전극과 그 하부로 반도체 패턴을 형성하고, 전면 노광 및 제 2 현상 공정을 통해 상기 게이트 전극 상부에 남아있는 포토아크릴 패턴을 잔유물 없이 완전히 제거함으로써 전술한 타 물질 또는 애싱(ashing) 등에 의한 문제는 발생하지 않게 되는 것이 특징이 되고 있다.
이때, 상기 스위칭 영역(TrA)에는 하부의 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(110, 113), 그 위로 형성된 유기 반도체 패턴(117)과 게이트 절연막(125)과 게이트 전극(130)은 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Tr)를 이루게 된다.
다음, 도 2j에 도시한 바와 같이, 상기 포토 아크릴 패턴(도 2h의 137)이 제거되어 노출된 게이트 전극(130) 위로 전면에 포토 아크릴(photo acryl), PVA(poly vinyl alcohol), 벤조사이클로부텐(BCB)을 전면에 형성하고 상기 게이트 전극(130) 일부에 대해 투과영역을 그 외의 영역에 대해서는 차단영역을 갖는 노광 마스크(미도시)를 이용하여 노광하고, 이를 현상 또는 식각함으로써 상기 게이트 전극(130) 일부에 대응하여 게이트 콘택홀(145)을 갖는 보호층(140)을 형성한다.
이 경우, 상기 보호층(140)의 패터닝 시, 상기 게이트 콘택홀(145) 형성부는 상기 게이트 전극(130) 상부이며 그 외의 영역 즉 상기 유기 반도체 패턴(117)은 상기 보호층(140)에 가려 노출되지 않는 바, 어떠한 화학물질(식각액 또는 현상액)을 사용해도 무방하다.
또한, 상기 게이트 콘택홀(145)을 통해 노출된 상기 게이트 전극(130) 표면 에는 상기 포토아크릴 패턴(도 2h의 137)이 완전히 제거되었으므로 잔유물이 없이 매끈한 상태를 유지하게 된다. 이는 상기 보호층의 게이트 콘택홀은 현상공정에 의해 형성되므로 잔사가 발생하지 않는 것이다.
이때, 상기 보호층(140)은 상기 게이트 콘택홀(145) 이외에 상기 화소영역(P)의 화소전극(115)에 대응하여 상기 화소전극(115)을 노출시키는 오픈부(OPA)를 더욱 갖도록 형성하는 것이 바람직하다. 이렇게 오픈부(OPA)를 형성하는 이유는 상기 화소전극(115)과 도면에는 나타나지 않았지만 상기 어레이 기판(101)에 대향하여 구성되는 컬러필터 기판(미도시)에 형성되는 공통전극(미도시) 사이에 발생하는 전계의 세기를, 같은 전압을 걸어줄 때 조금이라도 증가시키기 위함이다. 이 경우도 마찬가지로 상기 유기 반도체 패턴(117)은 상기 보호층(140)에 의해 가려지게 되므로 손상 등의 문제는 발생하지 않는다. 물론 상기 오픈부(OPA)는 형성하지 않을 수도 있음은 자명하다.
다음, 도 2k에 도시한 바와 같이, 상기 게이트 콘택홀(145)을 갖는 보호층(140) 위로 저저항 금속물질 예를들면 금(Au), 구리(Cu), 구리합금, 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd) 중 선택되는 금속물질을 증착하여 제 2 금속층을 형성하고 이를 패터닝함으로써 상기 게이트 콘택홀(145)을 통해 상기 게이트 전극(130)과 접촉하며 상기 데이터 배선(미도시)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 게이트 배선(150)을 형성함으로서 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치용 어레이 기판(101)을 완성한다.
<제 2 실시예>
본 발명의 제 2 실시예의 경우, 게이트 전극을 형성하는 단계까지는 전술한 제 1 실시예와 동일한 공정에 의해 진행되므로 이 단계까지의 설명은 생략한다. 또한 도면에 있어서는 제 1 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 100을 더하여 부여하였다.
도 3a 내지 3c는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액상의 유기 반도체 물질을 코팅에 의해 형성하고 식각액 등에 의해 손상없이 패터닝된 유기 반도체 패턴을 구비한 액정표시장치용 어레이 기판의 스위칭 소자를 포함하는 하나의 화소영역에 대한 제조 단계별 공정 단면도이다. 이때 상기 박막트랜지스터가 형성되는 영역을 스위칭 영역이라 정의하였다.
우선, 도 3a에 도시한 바와 같이, 상기 게이트 전극(230)과 그 하부의 게이트 절연막(225)과 유기 반도체 패턴(217)을 패터닝하기 위해 형성한 포토 아크릴 패턴(237)이 자외선에 노출되도록 상기 기판(201)에 대해 전면 노광을 실시한다. 이 경우, 상기 포토아크릴 패턴(237)은 상기 게이트 전극(230)을 형성하기 위해 행해지 제 1 차 노광시는 자외선에 노출되지 않았기에 내부 구조가 수산화칼륨 용액에 반응하도록 변하지 않은 상태이며, 이 상태에서 상기 전면 노광에 의해 조사된 자외선에 노출됨으로써 그 내부 구조가 상기 수산화칼륨(KOH) 용액에 반응하는 구조로 바뀌게 된다.
다음, 도 3b에 도시한 바와 같이, 상기 노광된 포토아크릴 패턴(237) 위로 상기 포토아크릴 패턴(237)과 동일한 특성을 갖는 동일한 물질인 포토 아크 릴(photo acryl)을 전면에 도포함으로서 보호층(240)을 형성한다. 이후, 상기 보호층(240) 상부로 상기 게이트 전극(230) 일부에 대해서는 투과영역이 그 외의 영역에 대해서는 차단영역이 대응되도록 노광 마스크(미도시)를 위치시키고 노광을 실시한 후, 수산화칼륨(KOH) 용액 즉, 상기 포토아크릴의 현상액을 상기 보호층(240)에 스프레이 하거나 또는 상기 현상액 속에 상기 전면 노광된 기판(201)을 담금으로써 상기 보호층(240)이 상기 현상액에 노출되도록 한다.
이 경우, 상기 빛 더욱 정확히는 자외선에 노출된 보호층(240) 부분 즉 게이트 전극(230) 일부에 대응되는 부분은 상기 현상액에 반응하여 제거되며, 상기 보호층(240) 하부에 존재하는 상기 포토아크릴 패턴(237) 또한 상기 부분에 대응해서는 상기 현상액에 반응하여 제거됨으로써 상기 게이트 전극(230)을 노출시키는 게이트 콘택홀(245)을 형성하게 된다.
상기 노광된 상태의 포토아크릴 패턴(237)과 보호층(240)은 동일한 물질로 이루어지므로 상기 수산화칼륨(KOH) 용액인 현상액에 반응하는 정도 또한 같으므로 즉, 현상되는 속도가 다르거나 하지 않으므로 언더컷(undercut)이나 오버행(overhang)등의 발생없이 상기 게이트 콘택홀(245)이 형성되게 되며, 상기 게이트 콘택홀(245)을 통해 노출된 게이트 전극(230)의 표면 또한 잔유물없이 깨끗한 표면 상태를 이루게 된다.
이때, 상기 보호층(240)은 상기 게이트 콘택홀(245) 이외에 상기 화소영역(P)의 화소전극(215)에 대응하여 상기 화소전극(215)을 노출시키는 오픈부(OPA)를 더욱 갖도록 형성하는 것이 바람직하다. 물론 이 경우도 제 1 실시예와 마찬가 지로 상기 오픈부(OPA)는 생략할 수 있다.
다음, 도 3c에 도시한 바와 같이, 상기 게이트 콘택홀(245)을 갖는 보호층(240) 위로 저저항 금속물질 예를들면 금(Au), 구리(Cu), 구리합금, 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd) 중 선택되는 금속물질을 증착하여 제 2 금속층을 형성하고 이를 패터닝함으로써 상기 게이트 콘택홀(245)을 통해 상기 게이트 전극(230)과 접촉하며 상기 데이터 배선(미도시)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 게이트 배선(250)을 형성함으로서 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치용 어레이 기판(201)을 완성한다.
변형예로써 도면으로 제시하지 않았지만, 상기 게이트 전극을 형성하기 위해 형성한 포토아크릴 패턴에 대해 전면 노광의 실시없이 상기 포토아크릴 패턴 위로 상기 포토아크릴 패턴과 동일한 특성을 갖는 동일한 물질인 포토 아크릴(photo acryl)을 전면에 도포함으로서 보호층을 형성한다. 이후, 상기 보호층 상부로 상기 게이트 전극 일부에 대해서는 투과영역이 그 외의 영역에 대해서는 차단영역이 대응되도록 노광 마스크를 위치시키고 노광을 실시한다. 이 경우, 상기 포토아크릴 패턴은 상기 게이트 전극을 형성하기 위해 행해지 제 1 차 노광시는 자외선에 노출되지 않았기에 내부 구조가 수산화칼륨 용액에 반응하도록 변하지 않은 상태이며, 이 상태에서 상기 보호층 내에 게이트 콘택홀 형성을 위해 진행되는 노광에 의해 상기 포토아크릴 패턴의 일부에 대해 자외선에 노출됨으로써 그 내부 구조가 상기 수산화칼륨(KOH) 용액에 반응하는 구조로 바뀌게 되기 때문이다.
이후 전술한 제 2 실시예와 동일한 공정을 진행하여 상기 보호층 위로 상기 게이트 콘택홀을 통해 상기 게이트 전극과 접촉하며 상기 데이터 배선과 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선을 형성함으로서 본 발명의 제 2 실시예의 변형예에 따른 액정표시장치용 어레이 기판을 완성한다.
본 발명에 의한 액상의 유기 반도체 물질을 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 경우, 상기 반도체 물질에 영향을 주지않는 수산화칼륨(KOH) 용액을 현상액으로 이용하는 포토아크릴을 이용하여 상기 유기 반도체 물질로 이루어진 반도체층을 형성함으로써 상기 유기 반도체층의 손상없이 고정세 고해상도의 액정표시장치를 제조할 수 있는 장점이 있다.
또한, 포토 아크릴 특성을 십분 이용하여 선택 및 전면 노광 및 현상을 통해 기판상에서 완전히 제거하거나 또는 콘택홀 부분에 잔유물이 남지 않도록 하는 제조 방법을 제공함으로써 접촉저항을 낮추는 등의 특성을 향상시키는 효과가 있다.
또한, 고가의 진공장비를 이용하지 않고 액상의 반도체 유기물질을 이용하여 유기 반도체층을 형성함으로써 초기 설비 비용을 절감하여 제품의 가격 경쟁력을 향상시키는 효과가 있다.
Claims (14)
- 화소영역이 정의된 기판 상에 일방향으로 연장하는 데이터 배선과, 상기 데이터 배선과 연결된 소스 전극과, 상기 소스 전극과 이격하는 드레인 전극을 형성하는 단계와;상기 화소영역 내에 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소전극을 형성하는 단계와;상기 소스 및 드레인 전극과 화소전극 위로 전면에 액상의 유기 반도체 물질을 코팅하여 유기 반도체 물질층을 형성하고 연속하여 그 상부로 게이트 절연물질층과 제 1 금속층을 형성하는 단계와;상기 제 1 금속층 위로 포티지브 타입의 포토아크릴 패턴을 형성하는 단계와;에칭을 실시하여 상기 포토아크릴 패턴 외부로 노출된 제 1 금속층과 게이트 절연물질층과 유기 반도체 물질층을 제거함으로써 하부로부터 순차적으로 동일한 형태의 유기 반도체 패턴과 게이트 절연막과 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극이 형성된 기판을 전면 노광하는 단계와;상기 포토아크릴 패턴을 수산화칼륨 용액에 노출시켜 현상함으로써 상기 게이트 전극을 노출시키는 단계와;상기 게이트 전극 위로 상기 게이트 전극 일부를 노출시키는 게이트 콘택홀을 갖는 보호층을 형성하는 단계와;상기 보호층 위로 상기 데이터 배선과 교차하며 상기 게이트 콘택홀을 통해 상기 게이트 전극과 접촉하는 게이트 배선을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법.
- 화소영역이 정의된 기판 상에 일방향으로 연장하는 데이터 배선과, 상기 데이터 배선과 연결된 소스 전극과, 상기 소스 전극과 이격하는 드레인 전극을 형성하는 단계와;상기 화소영역 내에 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소전극을 형성하는 단계와;상기 소스 및 드레인 전극과 화소전극 위로 전면에 액상의 유기 반도체 물질을 코팅하여 유기 반도체 물질층을 형성하고 연속하여 그 상부로 게이트 절연물질층과 제 1 금속층을 형성하는 단계와;상기 제 1 금속층 위로 포티지브 타입의 포토아크릴 패턴을 형성하는 단계와;에칭을 실시하여 상기 포토아크릴 패턴 외부로 노출된 제 1 금속층과 게이트 절연물질층과 유기 반도체 물질층을 제거함으로써 하부로부터 순차적으로 동일한 형태의 유기 반도체 패턴과 게이트 절연막과 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 포토아크릴 패턴 위로 전면에 상기 포토아크릴 패턴과 동일한 물질을 도포하여 보호층을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극 일부에 대응하는 보호층과 그 하부의 포토아크릴 패턴에 대해 투과영역이 대응되도록 하여 노광을 실시하는 단계와;상기 노광된 보호층 및 그 하부의 포토아크릴 패턴을 수산화칼륨 용액에 노출시켜 현상함으로써 상기 게이트 전극 일부를 노출시키는 게이트 콘택홀을 형성하는 단계와;상기 보호층 위로 상기 데이터 배선과 교차하며 상기 게이트 콘택홀을 통해 상기 게이트 전극과 접촉하는 게이트 배선을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 게이트 전극을 형성한 후, 노광 마스크 없이 진행하는 전면 노광을 실시하는 단계를 더욱 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 포토아크릴 패턴을 형성하는 단계는,상기 제 1 금속층 위로 포지티브 타입의 포토아크릴을 도포하여 포토아크릴층을 형성하는 단계와;상기 포토아크릴층 위로 상기 소스 및 드레인 전극에 대응하여 차단영역이 대응되도록 노광 마스크를 위치시키고 선택 노광을 실시하는 단계와;상기 노광된 포토아크릴층을 상기 유기 반도체 물질과 반응하지 않는 것을 특징으로 수산화칼륨 용액에 노출시켜 현상하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 보호층은 상기 게이트 콘택홀 이외에 상기 화소전극을 노출시키는 오픈부를 더욱 포함하도록 형성하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 에칭은 드라이 에칭인 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 액상의 유기 반도체 물질은 펜타신(pentacene) 또는 폴리사이오펜(polythiophene)인 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 액상의 유기 반도체 물질의 코팅은 잉크젯(ink jet) 장치, 노즐(nozzle) 코팅장치, 바(bar) 코팅장치, 슬릿(slit) 코팅장치, 스핀(spin) 코팅장치 중 하나의 장치로써 이루어지는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 데이터 배선과 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계 이전에는 상기 기판상에 친수성 특성을 갖는 버퍼층을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법.
- 기판 상에 소스 전극과, 상기 소스 전극과 이격하는 드레인 전극을 형성하는 단계와;상기 소스 및 드레인 전극 위로 전면에 액상의 유기 반도체 물질을 코팅하여 유기 반도체 물질층을 형성하고 연속하여 그 상부로 게이트 절연물질층과 제 1 금속층을 형성하는 단계와;상기 제 1 금속층 위로 포티지브 타입의 포토아크릴 패턴을 형성하는 단계와;에칭을 실시하여 상기 포토아크릴 패턴 외부로 노출된 제 1 금속층과 게이트 절연물질층과 유기 반도체 물질층을 제거함으로써 하부로부터 순차적으로 동일한 형태의 유기 반도체 패턴과 게이트 절연막과 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 포토아크릴 패턴을 형성하는 단계는,상기 제 1 금속층 위로 포지티브 타입의 포토아크릴을 도포하여 포토아크릴층을 형성하는 단계와;상기 포토아크릴층 위로 상기 소스 및 드레인 전극에 대응하여 차단영역이 대응되도록 노광 마스크를 위치시키고 선택 노광을 실시하는 단계와;상기 노광된 포토아크릴층을 상기 유기 반도체 물질과 반응하지 않는 것을 특징으로 수산화칼륨 용액에 노출시켜 현상하는 단계를 포함하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 에칭은 드라이 에칭인 유기 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 액상의 유기 반도체 물질은 펜타신(pentacene) 또는 폴리사이오펜(polythiophene)인 유기 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 액상의 유기 반도체 물질의 코팅은 잉크젯(ink jet) 장치, 노즐(nozzle) 코팅장치, 바(bar) 코팅장치, 슬릿(slit) 코팅장치, 스핀(spin) 코팅장치 중 하나의 장치로써 이루어지는 유기 박막트랜지스터의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060050715A KR101236240B1 (ko) | 2006-06-07 | 2006-06-07 | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060050715A KR101236240B1 (ko) | 2006-06-07 | 2006-06-07 | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20070117050A KR20070117050A (ko) | 2007-12-12 |
| KR101236240B1 true KR101236240B1 (ko) | 2013-02-22 |
Family
ID=39142392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020060050715A KR101236240B1 (ko) | 2006-06-07 | 2006-06-07 | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101236240B1 (ko) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060024940A (ko) * | 2004-09-15 | 2006-03-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 |
| KR20060033481A (ko) * | 2004-10-15 | 2006-04-19 | 삼성전자주식회사 | 유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법 |
| KR20060047149A (ko) * | 2004-11-15 | 2006-05-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 |
| KR20060060232A (ko) * | 2004-11-30 | 2006-06-05 | 삼성전자주식회사 | 유기절연막 패턴형성 방법 |
-
2006
- 2006-06-07 KR KR1020060050715A patent/KR101236240B1/ko active IP Right Grant
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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