JP2010040897A - 有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタの製造方法、および電子機器 - Google Patents
有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタの製造方法、および電子機器 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】有機絶縁層からなる基板11と、基板11上にめっき成膜された層からなるソース電極13sおよびドレイン電極13dの第1層13-1と、第1層13-1よりも有機半導体材料に対して低オーミック接合を形成する金属材料からなり第1層13-1を覆う状態でめっき成膜されたソース電極13sおよびドレイン電極13dの第2層13-2と、第1層13-1および第2層13-2で構成されたソース電極13sおよびドレイン電極13d間にわたって設けられた有機半導体層15とを備えた有機薄膜トランジスタ1aである。
【選択図】図1
Description
図1(a)は第1実施形態の有機薄膜トランジスタの断面図であり、図1(b)は第1実施形態の有機薄膜トランジスタの平面図である。尚、図1(a)は、図1(b)のA−A’断面に相等する。
図2は、以上のような構成の有機薄膜トランジスタの製造手順の一例を示す断面工程図である。次にこれらの断面工程図に基づいて第1実施形態の有機薄膜トランジスタ1aの製造方法を説明する。
図3(a)は第2実施形態の有機薄膜トランジスタの断面図であり、図3(b)は第2実施形態の有機薄膜トランジスタの平面図である。図3(a)は、図3(b)のA−A’断面に相等する。以下、図1を用いて説明した第1実施形態の有機薄膜トランジスタと同一の構成要素には同一の符号を付して、第2実施形態の有機薄膜トランジスタ1bの構成を説明する。
図4は、以上のような構成の有機薄膜トランジスタの製造手順の一例を示す断面工程図である。次にこれらの断面工程図に基づいて第2実施形態の有機薄膜トランジスタ1bの製造方法を説明する。
図5は第3実施形態の有機薄膜トランジスタの断面図である。尚、本第3実施形態の有機薄膜トランジスタの平面図は第2実施形態で示した図3(b)と同様であり、図5は図3(b)のA−A’断面に相等する。以下、図3を用いて説明した第2実施形態の有機薄膜トランジスタと同一の構成要素には同一の符号を付して、第3実施形態の有機薄膜トランジスタ1cの構成を説明する。
このような形状の有機薄膜トランジスタ1cの製造方法は、第2実施形態で説明した製造手順において、ソース電極13s’およびドレイン電極13d’の形成手順のみを変更すれば良い。
次に、上述の実施形態で説明した本発明の有機薄膜トランジスタを備えた電子機器の構成を説明する。ここでは電子機器の一例として、有機電界発光素子ELを用いたアクティブマトリックス型の表示装置を説明する。
Claims (12)
- 有機絶縁層と、
ソース電極およびドレイン電極を構成するもので前記有機絶縁層上にめっき成膜された層からなる第1層と、
ソース電極およびドレイン電極を構成するもので前記第1層よりも有機半導体材料に対して低オーミック接合を形成する金属材料からなり当該第1層を覆う状態でめっき成膜された第2層と、
前記第1層および第2層で構成された前記ソース電極およびドレイン電極間にわたって設けられた有機半導体層と、
を備えた有機薄膜トランジスタ。 - 前記第1層を構成する金属材料は、ニッケル(Ni)および銅(Cu)の少なくとも1つであり、
前記第2層を構成する金属材料は、金(Au)、プラチナ(Pt)、およびパラジウム(Pd)の少なくとも1つである
請求項1に記載の有機薄膜トランジスタ。 - 前記第2層は前記有機絶縁層上に設けられた前記第1層の露出表面の全面を覆っている
請求項1または2に記載の有機薄膜トランジスタ。 - 前記有機半導体層上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が設けられている
請求項1〜3のうちの1項に記載の有機薄膜トランジスタ。 - 前記有機絶縁層はゲート絶縁膜であり、
前記ゲート絶縁膜下にゲート電極が配置されている
請求項1〜3のうちの1項に記載の有機薄膜トランジスタ。 - 有機絶縁層上に、金属材料膜を無電解めっき法によって成膜する第1工程と、
前記金属材料膜をパターニングすることによりソース電極およびドレイン電極の第1層を形成する第2工程と、
前記第1層よりも有機半導体材料に対して低オーミック接合を形成する金属材料からなるソース電極およびドレイン電極の第2層を、めっき法によって当該第1層の露出表面に形成し、当該第1層と第2層とからなるソース電極およびドレイン電極を形成する第3工程と、
前記ソース電極およびドレイン電極間にわたって有機半導体層を形成する第4工程とを行う
有機薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記第1層は、ニッケル(Ni)および銅(Cu)の少なくとも1つを用いた層であり、
前記第2層を構成する金属材料は、金(Au)、プラチナ(Pt)、およびパラジウム(Pd)の少なくとも1つである
請求項6記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記第3工程では、前記第1層の表面層を置換する置換めっき法、または無電解めっき法によって前記第2層を形成する
請求項6または7に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。 - 有機絶縁層と、
ソース電極およびドレイン電極を構成するもので前記有機絶縁層上にめっき成膜された層からなる第1層と、
ソース電極およびドレイン電極を構成するもので前記第1層よりも有機半導体材料に対して低オーミック接合を形成する金属材料からなり当該第1層を覆う状態でめっき成膜された第2層と、
前記第1層および第2層で構成された前記ソース電極およびドレイン電極間にわたって設けられた有機半導体層とを備えた有機薄膜トランジスタを有する
電子機器。 - 前記ソース電極およびドレイン電極と同一層に、当該ソース電極およびドレイン電極と同一の層構成の配線が設けられた
請求項9記載の電子機器。 - 前記薄膜トランジスタを覆う層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜に設けられた接続孔を介して前記ソース電極またはドレイン電極に接続された導電性パターンとを備えた
請求項9または10に記載の電子機器。 - 前記導電性パターンが画素電極として設けられている
請求項11記載の電子機器。
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