JP2017010959A - 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
Description
(第1の実施形態)
図1は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
次に、上記した処理ユニット16におけるチャンバ20、基板保持機構30および処理流体供給部40の具体的な構成について図3を参照して説明する。図3は、処理ユニット16におけるチャンバ20、基板保持機構30および処理流体供給部40の具体的な構成例を示す図である。
次に、本実施形態に係る基板処理システム1が実行する基板処理の内容について図4および図5A〜5Eを参照して説明する。
次に、本実施形態に係る基板処理システム1の第1、第2変形例について説明する。第1変形例における基板処理システム1では、形成処理時のウェハWの回転数である第2所定回転数R2を、混合液の粘度に応じて変更するようにした。図6は、混合液の粘度と第2所定回転数R2との関係の一例を示す図である。
次いで、第2の実施形態に係る基板処理システム1について説明する。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
次いで、第3の実施形態に係る基板処理システム1について説明する。第3の実施形態に係る処理ユニット16は、図1に想像線で示すように、チャンバ20内に収容部80と、排水路81とをさらに備える。収容部80は、たとえば、回収カップ50の外方に配置されるが、配置位置はこれに限定されない。
次いで、第4の実施形態に係る基板処理システム1について説明する。第4の実施形態では、第1供給管45aなどに残留した混合液を処理ユニット16aの外部へ排出することで、第1供給管45a内に非混合液部分47を形成するようにした。
4 制御装置
16,16a 処理ユニット
18 制御部
41a 第1ノズル
45a 第1供給管
46 混合部
47 非混合液部分
70a 硫酸供給源
70b 過酸化水素水供給源
70c 不活性ガス供給源
70d DIW供給源
W ウェハ
Claims (18)
- 第1処理液と第2処理液とを混合して混合液を生成し、前記第2処理液の沸点より高い温度の前記混合液を供給管を介して基板へ供給する混合液供給工程と、
前記混合液供給工程の後、前記供給管内に前記混合液以外の流体で充填された非混合液部分を形成する形成工程と、
前記形成工程の後、前記非混合液部分が形成された前記供給管を介して前記第2処理液を基板へ供給する第2処理液供給工程と
を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 前記形成工程は、
前記供給管内に不活性ガスを注入することによって、前記供給管内に前記非混合液部分を形成すること
を特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。 - 前記形成工程は、
前記供給管内において前記混合液が残留した部分よりも上流側に不活性ガスを注入し、前記供給管に残留した前記混合液を基板側へ押し出すことによって、前記供給管内に前記非混合液部分を形成すること
を特徴とする請求項2に記載の基板処理方法。 - 前記形成工程は、
前記供給管内において前記混合液が残留した部分よりも上流側に不活性ガスを注入して不活性ガス層を形成し、前記不活性ガス層を前記非混合液部分として形成すること
を特徴とする請求項2に記載の基板処理方法。 - 前記混合液供給工程の後、前記供給管の先端に設けられたノズルを収容部に収容して前記ノズルを待機させる待機工程
を含み、
前記形成工程は、
前記待機工程の後、前記ノズルを待機させた状態で前記供給管内に前記非混合液部分を形成すること
を特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。 - 前記形成工程は、
前記供給管内において前記混合液が残留した部分よりも上流側に前記第2処理液を注入し、前記供給管に残留した前記混合液を前記収容部側へ押し出すことによって、前記供給管内に前記非混合液部分を形成すること
を特徴とする請求項5に記載の基板処理方法。 - 前記形成工程は、
前記供給管に残留した前記混合液を、前記供給管に接続された排出管を介して排出することによって、前記供給管内に前記非混合液部分を形成すること
を特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。 - 前記混合液供給工程は、
回転する基板に対して前記混合液を供給し、
前記形成工程は、
前記混合液供給工程における基板の回転数よりも低い回転数で前記混合液供給工程後の基板を回転させつつ、前記非混合液部分を形成すること
を特徴とする請求項1〜7のいずれか一つに記載の基板処理方法。 - 第1処理液と第2処理液とを混合して混合液を生成する混合部と、
前記混合部において生成された前記混合液を基板へ供給する供給管と、
前記供給管内に前記混合液以外の流体で充填された非混合液部分を形成する形成部と、
前記第1処理液と前記第2処理液とを前記混合部で混合して前記混合液を生成し、前記第2処理液の沸点より高い温度の前記混合液を前記供給管を介して基板へ供給する混合液供給処理と、前記混合液供給処理の後に前記形成部によって前記供給管内に前記非混合液部分を形成する形成処理と、前記形成処理の後に前記非混合液部分が形成された前記供給管を介して前記第2処理液を基板へ供給する第2処理液供給処理とを行う制御部と
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 前記形成部は、
前記供給管内に不活性ガスを注入する不活性ガス供給部
を備え、
前記制御部は、
前記形成処理において、前記混合液供給処理の後に前記不活性ガス供給部によって前記供給管内に不活性ガスを注入することで、前記供給管内に前記非混合液部分を形成すること
を特徴とする請求項9に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、
前記形成処理において、前記不活性ガス供給部によって前記供給管内において前記混合液が残留した部分よりも上流側に不活性ガスを注入し、前記供給管に残留した前記混合液を基板側へ押し出すことによって、前記供給管内に前記非混合液部分を形成すること
を特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、
前記形成処理において、前記不活性ガス供給部によって前記供給管内において前記混合液が残留した部分よりも上流側に不活性ガスを注入して不活性ガス層を形成し、前記不活性ガス層を前記非混合液部分として形成すること
を特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。 - 前記供給管の先端に設けられたノズルを収容して前記ノズルを待機させる収容部
をさらに備え、
前記制御部は、
前記混合液供給処理の後、前記ノズルを前記収容部へ移動させて待機させる待機位置移動処理を行い、前記待機位置移動処理の後の前記形成処理において、前記ノズルを待機させた状態で前記供給管内に前記非混合液部分を形成するとともに、前記形成処理後で前記第2処理液供給処理前に、前記ノズルを前記収容部から前記第2処理液を基板に供給する位置へ移動させる液供給位置移動処理を行うこと
を特徴とする請求項9に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、
前記形成処理において、前記供給管内において前記混合液が残留した部分よりも上流側に前記第2処理液を注入し、前記供給管に残留した前記混合液を前記収容部側へ押し出すことによって、前記供給管内に前記非混合液部分を形成すること
を特徴とする請求項13に記載の基板処理装置。 - 前記供給管に接続され、前記供給管に残留した前記混合液を排出する排出管
をさらに備え、
前記制御部は、
前記形成処理において、前記供給管に残留した前記混合液を前記排出管を介して排出することによって、前記供給管内に前記非混合液部分を形成すること
を特徴とする請求項9に記載の基板処理装置。 - 保持部によって保持された基板を回転させる駆動部
をさらに備え、
前記制御部は、
前記混合液供給処理において、前記駆動部によって基板を回転させ、回転する基板に対して前記混合液を供給し、前記形成処理において、前記駆動部によって前記混合液供給処理における基板の回転数よりも低い回転数で前記混合液供給処理後の基板を回転させつつ、前記非混合液部分を形成すること
を特徴とする請求項9〜15のいずれか一つに記載の基板処理装置。 - リンス液を基板へ供給するリンス液供給部
をさらに備え、
前記制御部は、
前記第2処理液供給処理の後、前記リンス液供給部から基板へリンス液を供給するリンス処理を行うこと
を特徴とする請求項9〜16のいずれか一つに記載の基板処理装置。 - コンピュータ上で動作し、基板処理装置を制御するプログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記プログラムは、実行時に、請求項1〜8のいずれか一つに記載の基板処理方法が行われるように、コンピュータに前記基板処理装置を制御させること
を特徴とする記憶媒体。
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