CN102543710B - 液处理装置 - Google Patents

液处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN102543710B
CN102543710B CN201110458178.7A CN201110458178A CN102543710B CN 102543710 B CN102543710 B CN 102543710B CN 201110458178 A CN201110458178 A CN 201110458178A CN 102543710 B CN102543710 B CN 102543710B
Authority
CN
China
Prior art keywords
liquid processing
mentioned
processing unit
pipe arrangement
control device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201110458178.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102543710A (zh
Inventor
小西辉明
手塚孝弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN102543710A publication Critical patent/CN102543710A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102543710B publication Critical patent/CN102543710B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002Preparing wafers
    • H01L21/02005Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008Multistep processes
    • H01L21/0201Specific process step
    • H01L21/02019Chemical etching
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/60Substrates
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70341Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00Fluid handling
    • Y10T137/8593Systems
    • Y10T137/87169Supply and exhaust

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明提供一种易于进行装置的组装、维护的液处理装置。在液处理装置(1)中,液处理单元(2)用于利用处理液对基板(W)进行液处理,供液用配管(561、562)的一端侧与液处理单元连接,另一端侧被引绕到液处理单元的下侧,用于将处理液供给到该液处理单元中。壳体基体(46)中安装有介于该供液用配管之间的流通控制设备组(402),在壳体基体内具有均以面朝位于液处理装置的侧方的维护区域的方式设置的上游侧连接部(403)和下游侧连接部(406),该上游侧连接部相对于比流通控制设备组靠上游侧的供液用配管(561)装卸,该下游侧连接部相对于比流通控制设备组靠下游侧的供液用配管(562)装卸。

Description

液处理装置
技术领域
本发明涉及向基板供给多种处理液而对基板进行液处理的技术。
背景技术
半导体制造工序中存在对基板进行液处理的工序。作为液处理工序,可列举出利用清洗液进行的基板的清洗、利用镀液进行的基板的镀处理、利用蚀刻液进行的蚀刻处理、利用显影液进行的显影处理等工序。用于这种处理的液处理单元例如包括:杯状件、设在杯状件内的旋转卡盘(chuck)等旋转基体、用于将处理液供给到基板的喷嘴、对杯状件内进行排气的排气口。另外,进行基板清洗等时,准备多种处理液,特别是进行基板清洗时,与处理液的种类相应地准备多条排气管。
在具有该液处理单元的液处理装置中,有时将用于供给各种处理液的供液管组、用于对从该供液管组朝向喷嘴等供给的处理液的流通量进行调节的流通控制设备组、用于将使用完了的各种处理液排出的排液管组、用于将包含处理液的蒸气在内的废气排出的排气管组等多个配管组、控制设备组配置在液处理单元的下侧。
即使在这样设置多个设备组的情况下,为了避免液处理装置的大型化,也非常需要各设备组集中地配置在比较狭窄的区域内的布局。因此,有时将不同的设备紧挨着地配置在相邻的区域中,例如,在液处理单元的正下方在纵向上排列排气管、在该排气管的侧部配置流通控制设备组等。
但是,流通控制设备组构成为在处理液的供给配管上配置有流量计、流量调节阀等,在排气管那样的比较大的配管所通过的区域的附近,针对每个供给配管进行的安装单独的设备的作业是难以确保作业空间且繁杂的作业。另外,存在这样的问题:在进行液处理装置的组装之后,在被排气管挡住的区域中,不能直接对流通控制设备组进行维护,例如从与排气管相反的一侧将手伸到液处理单元的下侧而拆卸设备等维护作业难以进行,对作业者造成的负担较大。
在此,在专利文献1所示的基板处理装置中,记载有一种处理液供给组件,其具有处理液供给功能、处理液混合功能、流量调整功能、处理液循环功能中的任意一种功能、并且能够拆卸。但是,专利文献1的处理液供给组件与处理单元的连接部位于从基板处理装置的侧面观察时的里侧,未解决需要伸长手臂来进行处理液供给组件的装卸等维护上的问题。
专利文献1:日本特开2010-147212号公报,段落0050~0052、图2
发明内容
本发明是在这样的背景下做成的,其目的在于提供一种易于进行装置的组装、维护的液处理装置。
本发明的液处理装置用于对基板进行液处理,其特征在于,
该液处理装置包括:
液处理单元,其用于利用处理液对基板进行液处理;
供液用配管,为了将处理液供给到液处理单元中,该供液用配管的一端侧与液处理单元连接、该供液用配管的另一端侧被引绕到该液处理单元的下侧;
壳体,其内部安装有介于该供液用配管之间的流通控制设备组;
上游侧连接部和下游侧连接部,其均以面朝位于该液处理装置的侧方的主维护区域的方式设在该壳体内,该上游侧连接部用于相对于比上述流通控制设备组靠上游侧的供液用配管进行装卸,该下游侧连接部用于相对于比上述流通控制设备组靠下游侧的供液用配管进行装卸。
上述液处理装置也可以具有以下的特征。
(a)上述上游侧连接部设在上述壳体内的下部侧的位置,上述下部侧连接部设在该壳体内的上部侧的位置。
(b)上述流通控制设备组借助支承构件安装在上述壳体中,该支承构件用于集中配置该流通控制设备组,该支承构件被设置成向主维护区域侧抽出自如。
(c)上述供液用配管与处理液的种类相对应地设有多条;上述支承构件设为针对每种供液用配管抽出自如。
(d)在上述液处理装置的靠主维护区域侧的侧面上设有盖体,该盖体用于在将上述流通控制设备组向主维护区域打开的状态、将主维护区域和上述流通控制设备组划分开的状态这两种状态之中选择一种状态。
(e)从上述主维护区域观察时,用于对来自液处理单元的液体进行排液的排液用配管隔着上述流通控制设备组设在与上述主维护区域相反的一侧。
(f)上述排液用配管固定设置于该液处理装置。
(g)在从隔着上述液处理单元与主维护区域相对的位置面朝该液处理单元的位置,设有能够用于维护上述排液用配管的副维护区域。
(h)液处理单元横向排列地设有多个;与各液处理单元相对应的流通控制设备组安装在共同的壳体中,该共同的壳体在液处理单元的下方沿着由液处理单元排列而成的列设置。
在本发明中,将流通控制设备组集中到支承构件上而构成流通控制设备单元,以与主维护区域面对的方式将上游侧连接部及下游侧连接部设在上述支承构件上,其中,该流通控制设备组介于将处理液供给到液处理单元中的供液用配管之间,该上游侧连接部用于相对于比流通控制设备组靠上游侧的供液用配管进行装卸,该下游侧连接部用于相对于比流通控制设备组靠下游侧的供液用配管进行装卸。因而,在对供液用配管流通控制设备进行维护时,通过从维护区域对上游侧的供液用配管及下游侧的供液用配管进行装卸,能够使供液用配管与流通控制设备组断开、连接,因此,易于进行维护作业、装置的组装作业,作业者的负担可以较小。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的液处理装置的外观构成的立体图。
图2是上述液处理装置的横剖俯视图。
图3是从横向观察上述液处理装置时的纵剖侧视图。
图4是从前方观察上述液处理装置时的纵剖侧视图。
图5是设在上述液处理装置中的液处理单元的纵剖侧视图。
图6是表示设在上述液处理装置中的排气管、流通控制模块的外观构成的立体图。
图7是表示上述排气管与液处理单元连接的状态的说明图。
图8是表示设在上述排气管上的流路切换部的构成的立体图。
图9是表示设在上述流通控制模块中的流通控制设备单元的构成的侧视图。
图10是表示上述流通控制设备单元被安装在壳体基体中的状态的立体图。
图11是表示将上述流通控制设备单元从壳体基体取出的状态的立体图。
图12是表示上述流通控制设备单元被安装在供给配管上的状态的立体图。
图13是表示上述流通控制设备单元被从供给配管拆卸下来的状态的立体图。
图14是表示在组装液处理装置时将流通控制模块安装在液处理装置中的状态的立体图。
具体实施方式
以下,参照附图对将本发明应用于进行半导体晶圆(以下,仅记为“晶圆”)的表面背面清洗的基板处理装置的实施方式进行说明。如图1的外观立体图、图2的横剖俯视图、图3的纵剖侧视图所示,液处理装置1包括:载置区11,其用于载置FOUP100,该FOUP100用于收容多张晶圆W;输入输出区12,其用于对来自被载置在载置区11中的FOUP100的晶圆W进行输入、输出;交接区13,其用于在输入输出区12与之后的液处理区14之间进行晶圆W的交接;液处理区14,其用于对晶圆W实施液处理。使载置区11处于跟前时,载置区11、输入输出区12、交接区13、液处理区14设为从跟前侧按照上述的顺序邻接。
载置区11将用于以水平状态收容多张晶圆W的FOUP100载置在载置台111上。输入输出区12用于进行晶圆W的输送。交接区13用于进行晶圆W的交接。输入输出区12及交接区13被收容在壳体内。
输入输出区12具有第1晶圆输送机构121。第1晶圆输送机构121具有用于保持晶圆W的输送臂122和用于使输送臂122在前后方向上移动的机构。另外,第1晶圆输送机构121具有:沿着在FOUP100的排列方向上延伸的水平导轨123(参照图2)移动的机构、沿着在铅垂方向设置的铅垂导轨124(参照图3)移动的机构、使输送臂122在水平面内旋转的机构。晶圆W被该第1晶圆输送机构121在FOUP100与交接区13之间输送。图3所示的附图标记125是用于将清洁空气供给到输入输出区12的空间内的FFU(风机过滤器单元:Fan Filter Unit)。
交接区13具有能够载置晶圆W的交接架131。在交接区13中,经由该交接架131在输入输出区12、液处理区14的输送机构间(上述的第1晶圆输送机构121及下述的第2晶圆输送机构143)进行晶圆W的交接。
液处理区14构成为将配置有多个液处理单元2的液处理部141、用于进行晶圆W的输送的输送部142收容在壳体内。液处理部141的多个液处理单元2的下方收容有各液处理单元的处理液的供给***、排液***、用于将含有处理液的蒸气在内的气体排出的排液***等,在后面说明这些***的详细的构成。
输送部142构成为以其与交接区13的连接部为基端、在前后方向上延伸的空间内配置有第2晶圆输送机构143。第2晶圆输送机构143具有用于保持晶圆W的输送臂144、用于使输送臂144在前后方向上移动的机构。另外,第2晶圆输送机构143具有沿着在前后方向上延伸的水平导轨145(参照图2)移动的机构、沿着在铅垂方向上设置的铅垂导轨146(参照图4)移动的机构、使输送臂144在水平面内旋转的机构。利用该第2晶圆输送机构143在上述的交接架131与各液处理单元2之间进行晶圆W的输送。图1、图3、图4所示的附图标记149是用于将清洁空气供给到输入输出区12的空间内的FFU。
如图2、图3所示,在液处理部141中,沿着形成输送部142的空间所延伸的方向横向排列配置有多台、例如5台液处理单元2。另外,如从跟前侧观察液处理装置1的纵剖侧面的图4所示,隔着输送部142而左右配置的液处理部141在上下方向上层叠为两层,合计设有4个液处理部141。因而,本例的液处理装置1合计具有20台液处理单元2。
参照图5对设在各液处理部141内的液处理单元2的构成进行说明,液处理单元2构成为利用旋转处理来1张1张地进行晶圆W的液处理的单张式的单元。液处理单元2包括:旋转台(plate)24,其用于保持晶圆W;旋转轴251,其从该旋转台24的下表面侧支承该旋转台24、利用未图示的旋转电动机使旋转台24旋转;液供给管252,其贯穿该旋转轴251内、用于将处理液供给到晶圆W的背面;液供给喷嘴26,其用于将处理液供给到晶圆W的表面侧;内杯23,其用于将自旋转的晶圆W被甩出的药液收容而向外部排出;外杯22,其用于收容旋转台24、内杯23并进行液处理单元2内的气氛气体的排气。
旋转台24是在中央设有开口部的圆板状的构件,其表面设有用于保持晶圆W的多个保持构件241。晶圆W以与旋转台24的表面隔有间隙的方式保持在旋转台24的表面的上方的位置,从液供给管252经由中央的开口部供给的处理液在该间隙内流动而扩展到晶圆W的整个背面。
旋转轴251以该旋转轴251旋转自如的状态保持在轴承部253上,该轴承部253设在液处理部141内的底板27上。
在液供给管252的上端面设有用于从背面侧支承晶圆W的支承销(未图示),另一方面,在液供给管252的下端侧设有用于使液供给管252升降的未图示的升降机构。于是,能够使液供给管252整体上升、下降、使液供给管252相对于旋转台24的开口部突没。由此,将晶圆W支承在支承销上,能够使晶圆W在与输送臂144之间进行晶圆W的交接的位置、旋转台24上的处理位置之间升降。
液供给管252与背面供液管线472连接,该背面供液管线472用于向晶圆W的背面供给SC1液(氨与过氧化氢水的混合液)等碱性的处理液、稀氟酸水溶液(以下记为DHF(DilutedHydroFluoric acid))等酸性的处理液、去离子水(DeIonizedWater:DIW)等冲洗清洗用的冲洗液。
另一方面,用于将药液供给到晶圆W的表面的液供给喷嘴26被喷嘴臂261支承,该液供给喷嘴26能够在被保持于旋转台24的晶圆W的上方的处理位置、自该处理位置退避之后的退避位置之间进行移动。液供给喷嘴26与喷嘴供液管线471连接,该喷嘴供液管线471除了用于进行碱性、酸性的处理液、冲洗液的供给之外,还用于进行作为有机溶剂的干燥处理用的IPA(IsoPropyl Alcohol:异丙醇)的供给。
内杯23是以将被保持于旋转台24的晶圆W环绕的方式设置的圆环状的构件,能够经由与底面连接的排液用配管65将内部的处理液排出。外杯22起到将自其与内杯23之间的间隙流入的气流排出的作用,外杯22的底面与排气用的排气管线36连接。在外杯22及内杯23的上表面形成有口径比晶圆W还大的开口部,被液供给管252支承的晶圆W能够经由该开口部在上下方向上移动。
在外杯22的上部以将上面侧的开口部覆盖的方式设有外壳21。如图4所示,外杯22的面向输送部142的侧面设有开闭门212,通过打开该开闭门212,能够使输送臂144进入到液处理单元2内。
在外壳21的上部配置有过滤器单元73,该过滤器单元73与朝向液处理单元2的排列方向延伸的供气管道71连接(图3~图5)。在该供气管道71的上游侧的端部、例如收容在液处理区14的壳体的侧壁面上配置有风扇单元72,从该风扇单元72导入的气流经由过滤器单元73被导入到外壳21内。通过这样在各液处理单元2的侧方位置设置风扇单元72,能够降低液处理单元2的高度。另外,通过使多个液处理单元2共用风扇单元72,与在各液处理单元2中设置FFU的情况相比能够降低成本。在此,图5所示的附图标记211是用于自过滤器单元73将清洁空气供给到外壳21内的供气孔。
为了解决在背景技术中说明的安装时、维护时的作业性的问题,在以上说明的、具有多个液处理单元2的本实施方式的液处理装置1中,供排***的配管组、流通控制设备组具有特别的特征。以下,对该供排***的配管组、流通控制设备组的详细的构成进行说明。
如图3、图4所示,在具有多个液处理单元2的各液处理部141中,在由液处理单元2排列而成的列的下侧从上方按照以下的顺序配置有:排气管3,其用于将液处理单元2内的气氛气体排出;流通控制模块4,其收容有用于对向液处理单元2供给的处理液的供液量等进行调整的供液用的流通控制设备组402;供液用主配管5,其用于将处理液供给到液处理单元2中;排液用主配管6,其用于进行来自液处理单元2的处理液的排出。这样,通过将具有相同的功能的配管组、设备组集中到相同的高度位置,能够进行这些配管组、设备组的集中化,易于从设在由液处理单元2排列而成的列的侧方的、下述的维护区域进行作业。
排气管3设为分成下述各排气管:酸性气体排气管31,其用于进行在利用酸性的处理液进行的处理的期间中的排气;碱性气体排气管32,其用于进行在利用碱性的处理液进行的处理的期间中的排气;有机类气体排气管33,其用于进行在利用IPA等有机类的处理液进行的处理的期间中的排气。如图3、图7所示,排气管3(31、32、33)配置为在多个液处理单元2的下侧沿着由这些液处理单元2排列而成的列延伸。另外,如图7所示,3条排气管31~33彼此横向排列配置。各个排气管31、32、33与各自能够对酸性气体、碱性气体、有机类气体进行处理的除害设备连接。
本例的各排气管31~33经由用于切换排气用管路的流路切换部34与各液处理单元2的排气管线36连接。如图7、图8所示,流路切换部34为由外筒341和旋转筒343构成的双重圆筒结构,该流路切换部34经由设在外筒341上的凸缘部342a~342c与各排气管31~33连接。另外,旋转筒343的一端侧与液处理单元2的排气管线36连接,另一方面,旋转筒343的另一端侧与旋转驱动部35连接,由此,旋转筒343绕中心轴线旋转自如。另外,在旋转筒343的侧面的与各凸缘部342a~342c相对应的位置设有朝向不同的径向开口的开口部344a~344c,通过使旋转筒343旋转而使任意一个开口部344a~344c移动到凸缘部342a~342c,能够对作为排气用管路的排气管31~33进行选择。
这样,在供排***的配管组3、5、6中,通过将排气管3配置在距液处理单元2最近的高度位置,能够抑制压力损失的增大,从而能够使相对于工场整体的排气能力来说向液处理装置1分配的排气量降低。
如图3、图6所示,在排气管3的下侧配置有收容有供液用的流通控制设备组402的流通控制模块4。流通控制模块4安装在例如由壳体构成的共同的基体(壳体基体46)中,连同该壳体基体46一起安装在排气管3的下方。在后面说明壳体基体46内的详细的构成。
另外,在壳体基体46的下侧配置有配管箱48,在该配管箱48内收容有以沿着由处理单元2排列而成的列延伸的方式设置的、多条供液用主配管5及多条排液用主配管6。如图4、图6所示,这些多条配管5、6按供液用、排液用这样的各种用途而集中,彼此横向排列配置。另外,供液用主配管5的配管组配置在靠近液处理区14的外侧壁面的位置,排液用主配管6的配管组配置在与从上述外壁面观察时作为里侧的输送部142接近的位置。液处理区14的外侧壁面的侧方区域相当于下述的维护区域。
如图5所示,供液用主配管5包括:用于供给碱性的处理液的碱性供液主配管53、用于供给酸性的处理液的DHF供液主配管52、用于供给冲洗液的DIW供给主配管54、用于供给干燥处理用的IPA的IPA供液主配管51等。各供液主配管51~54与各自的处理液的供给罐、供液泵(未图示)连接。因为液体被泵等升压,所以与排气管3相比,即使配置在距液处理单元2较远的位置,在处理液供给上的缺点也较少。
这些供液主配管51~54经由开闭阀55、流通控制模块4、喷嘴供液管线471、背面供液管线472与各液处理单元2的液供给喷嘴26及液供给管252连接。自供液主配管51~54分支并且配置有开闭阀55的配管、流通控制模块4内的配管组、喷嘴供液管线471及背面供液管线472相当于本实施方式的供液用分支管。
另外,排液用主配管6包括:用于排出碱性的处理液的碱性排液主配管62、用于排出酸性的处理液的酸性排液主配管61、用于排出冲洗液等水的排水主配管64、用于排出有机类的处理液的有机类排液主配管63等。各排液主配管61~64与排液处理设备、处理液回收罐等(未图示)连接。另外,各排液主配管61~64经由用于对处理液的排出用管路进行切换的开闭阀66与液处理单元2侧的排液用配管65连接。因为仅使各种排液自液处理单元2落下并向各排液主配管61~64排出,所以与排气管3相比,即使配置在距液处理单元2较远的位置,在处理液排出上的缺点也较少。自排液主配管61~64分支并且配置有开闭阀66的配管组、排液用配管65相当于本实施方式的排液用分支管。
接着,对被收容在壳体基体46内的流通控制模块4进行说明。流通控制模块4构成为在共同的壳体基体46内收容有多个流通控制设备单元40,该多个流通控制设备单元40用于针对各液处理单元2的液供给喷嘴26、液供给管252按照处理液的种类、供液用管路来控制处理液的流通量等。流通控制设备单元40能够根据处理液的种类、供给用管路的不同而采用各种各样的构成,图9的侧视图表示了本例的设于流通控制模块4中的流通控制设备单元40的共同的构成例。
流通控制设备单元40(设备单元)为将流通控制设备组402集中安装在作为支承构件的支承板401上的构造,该流通控制设备组402包括:处理液的流量测量用的流量计404、流量调节用的流量调整阀405、用于将流量计404和流量调整阀405连接起来的配管构件407。该流通控制设备组402以介于自供液用主配管5(51~54)分支出来的用于朝向液供给喷嘴26或者旋转轴251供给处理液而被引绕到液处理单元2的下侧的配管(在流通控制模块4的说明中称为供给用配管)之间的方式设置,起到对处理液的流通量、供给时刻等进行调节的作用。但是,流通控制设备单元40的构成不限于上述的例子,除了图5所示的开闭阀55之外,也可以具有旁路配管等其他的流通控制器。
另外,如图10、图11所示,针对每个液处理单元2在壳体基体46内收容有多个流通控制设备单元40。各流通控制设备单元40被以利用设在壳体基体46的上表面和下表面的保持构件461使支承板401竖起的状态保持,并且,能够将流通控制设备单元40的整体从壳体基体46抽出。
在此,如图1所示,在液处理部141的左右的侧壁面上设有盖体148,该盖体148能够在设有流通控制模块4的高度位置的壁面部分卸下。通过卸下该盖体148,能够进入各液处理部141的壳体基体46内,能够使流通控制设备单元40处于敞开的状态。在本例中,还与各液处理单元2相对应地在壳体基体46的侧面设有内盖462,如果卸下该各内盖462,则相对应的液处理单元2的流通控制设备单元40横向排列多个地配置(图10、图11)。每个液处理单元2设有一组这些多个流通控制设备单元40,在作为处理液的供给目的地的液处理单元2的下方位置,每组的多个流通控制设备单元40横向排列地配置在壳体基体46内。以下,将为了对这些流通控制设备单元40进行维护而设置的、液处理装置1中的与由上述液处理单元2排列而成的列面对的侧方的区域称为主维护区域。
在此,图1所示的附图标记147是能够在设有各液处理单元2的位置的液处理部141的壁面部分针对每个液处理单元2所配置的位置地卸下的盖体。
各流通控制设备单元40的流通控制设备组402经由上游侧连接部403与比流通控制设备单元40靠上游侧的供液用配管(在图12、图13中概括地表示为上游侧供给配管561)装卸自如地连接。另外,流通控制设备组402经由下游侧连接部406与比流通控制设备单元40靠下游侧的供给配管(在图12、图13中概括地表示为下游侧供给配管562)装卸自如地连接。上游侧供给配管561与从图5所示的供液用主配管5(51~54)到流通控制设备单元40(41~45)为止的各配管相对应,下游侧供给配管562相当于从流通控制设备单元40(41~45)到液供给喷嘴26、液供给管252为止的喷嘴供液管线471、背面供液管线472。
如图10、图11所示,上游侧连接部403、下游侧连接部406以与位于流通控制设备单元40的抽出方向的主维护区域面对的方式各自设在流通控制设备组402的配置区域的下表面侧和上表面侧。结果,能够从主维护区域顺利地对这些上游侧连接部403、下游侧连接部406进行维护,能够易于进行流通控制设备单元40在维护时的装卸作业。这样,流通控制设备单元40被配置在主维护区域侧,该流通控制设备单元40具有流量计404、流量调节阀405等需要进行定期调整的精密设备。
另外,如图6所示,壳体基体46的主维护区域侧的上表面形成有供液用配管配置口463,该供液用配管配置口463用于供下游侧供给配管562通过,该下游侧供给配管562与下游侧连接部406连接、且朝向液处理单元2地朝向上方侧延伸,这些下游侧供给配管562通过排气管3的侧方而与液供给喷嘴26、液供给管252连接。另外,将从隔着由该液处理单元排列而成的列与该主维护区域相对的位置到与该液处理单元面对的侧方的区域(在本例的液处理装置中为输送部142侧的区域)设为副维护区域,用于将使用之后的处理液排出的排液用配管65经由设在副维护区域侧的排液用配管配置口464与流通控制模块4的下侧的排液用主配管6连接。这样,维护频度较少的排液用配管65配置在与主维护区域相反的一侧,在需要时从作为副维护区域的输送部142侧进入而进行维护。因为本例的排液用配管65侧不具有流量计、流量调节阀等精密设备,所以只要不是发生了排液用配管65的主体、开闭阀66损坏等问题就不需要为了更换、维护而卸下,因此,这些设备被固定在配管箱48等中。
参照图5对具有以上说明的构成的流通控制设备单元40的种类、各流通控制设备单元40与液处理单元2之间的连接状态进行说明。IPA控制单元41对从IPA供液主配管51向液供给喷嘴26供给的IPA(有机溶剂)进行流通控制,DHF控制单元42对从DHF供液主配管52向液供给喷嘴26供给的酸性的处理液(DHF)进行流通控制。另外,碱性液控制单元43对从碱性供液主配管53向液供给喷嘴26供给的碱性的处理液进行流通控制。
在DIW控制单元44中设有例如两组流通控制设备组402,进行用于将从DIW供给主配管54接收到的DIW分别向液供给喷嘴26、液供给管252供给的流通控制。另外,背面供液控制单元45起到的作用如下述:从DHF供液主配管52、碱性供液主配管53接收酸性的处理液、碱性的处理液中的任意一种,并切换到液供给管252而进行供给。
如图2、图5所示,具有以上说明的构成的液处理装置1与控制部8连接。控制部8由计算机构成,该计算机具有例如未图示的CPU和存储部,存储部存储有编入了步骤(命令)组的程序,该步骤(命令)组用于控制液处理装置1的作用、即从将晶圆W自被载置在载置区11的FOUP100取出、输入到各液处理单元2中、进行液处理、干燥处理之后、返回到FOUP100中。该程序被存储在例如硬盘、光盘、光磁盘、存储卡等存储介质中,从该存储介质安装到计算机中。特别是如图5所示那样,控制部8能够将控制信号输出到各种切换阀34、55、66、流通控制设备单元40内的控制设备等,对处理液的供给时刻、供给量、处理液的排出用管路、处理气氛气体的排气用管路进行切换。
简单地对具有以上说明的构成的液处理装置1的作用进行说明,首先,利用第1晶圆输送机构121将1张晶圆W从被载置在载置区11的FOUP100取出并载置到交接架131,连续地进行该动作。被载置在交接架131的晶圆W被输送部142内的第2晶圆输送机构143依次输送,被输入到任意一个液处理单元2中。
在液处理单元2中,一边使晶圆W旋转一边供给各种药液,进行利用碱性的药液进行的微粒、有机性的污染物质的除去→利用冲洗液进行的冲洗清洗→利用DHF进行的自然氧化膜的除去→利用DIW进行的冲洗清洗。在结束了该液处理后,将IPA供给到旋转的晶圆W的表面而进行IPA干燥,之后结束晶圆W的处理。在上述处理的期间中,根据处理液的种类适当地对使用后的处理液的排出用管路、处理气氛气体的排气用管路进行切换。
这样进行液处理之后,利用输送臂144将晶圆W从液处理单元2输出并载置到交接架131,利用第1晶圆输送机构121将晶圆W从交接架131返送到FOUP100。另外,利用设在液处理装置1中的多个液处理单元2执行以上说明的对晶圆W进行的处理、输送动作,依次对多张晶圆W进行液处理。
另外,例如在任意一个液处理单元2发生问题时,使该液处理单元2、与该液处理单元2连接的流通控制设备单元40停止,将盖体148及与该液处理单元2相对应的内盖462卸下而将流通控制设备单元40敞开,能够从主维护区域进入,卸下流通控制设备单元40来进行维护。此时,因为每个液处理单元2都设有流通控制设备单元40,所以未发生问题的液处理单元2能够继续运转。另外,在液供给喷嘴26、液供给管252等液处理单元2侧发生问题时,通过将发生了该问题的液处理单元2的盖体147卸下来进行维护,能够将正在继续运转的液处理单元2的处理气氛气体保持成清洁的状态。
采用本实施方式的液处理装置1具有以下的效果。在彼此横向排列配置的多个液处理单元2的下侧,从上方开始按照下面的顺序配置有:沿着由液处理单元2排列而成的列延伸的排气管3、收容有供液用的流通控制设备组402的流通控制模块4、设为沿着由液处理单元2排列而成的列延伸的供液用主配管5及排液用主配管6。因而,易于对供液用的流通控制设备组402进行集中化,另外,易于从由液处理单元2排列而成的列的侧方进行作业,因此,易于进行液处理装置1的组装作业、流通控制设备单元40的维护作业。
另外,在供排***的配管组3、5、6中,通过将排气管3配置在距液处理单元2最近的高度位置,能够抑制压力损失的增大,从而能够使相对于工场整体的排气能力来说向液处理装置1分配的排气量降低。
另外,分别设在多条供给配管中的各供给配管上的流通控制设备单元40(流通控制设备组402)收容在共同的壳体基体46中而构成了流通控制模块4,由此,例如,如图14所示,组装液处理装置1时能够将液处理装置1的主体和流通控制模块4在分别不同的场所同时进行组装。然后,最后能够通过将收容有流通控制设备单元40的壳体基体46装入到液处理装置1中而组装液处理装置1,使液处理装置1的组装变得比较容易。除此之外,液处理单元2、排气管3、流通控制模块4、供液用主配管5、排液用主配管6在上下方向上层叠,配置于横向不干涉的位置,由此,也易于对液处理部141内的设备进行分解,能够灵活地应对液处理装置1的规格变更。另外,如在图3中说明的那样,通过将风扇单元72设在各液处理单元2的侧方位置,能够降低液处理装置1整体的高度。
另外,本液处理装置1还具有以下的效果。将流通控制设备组402集中到支承板401上而构成流通控制设备单元40,以与主维护区域面对的方式将上游侧连接部403及下游侧连接部406设在上述支承板401上,其中,该流通控制设备组402介于用于将处理液供给到液处理单元2的供液用配管561、562之间,该上游侧连接部403用于相对于比流通控制设备组402靠上游侧的上游侧供给配管561进行装卸,该下游侧连接部406用于相对于比流通控制设备组402靠下游侧的下游侧供给配管562进行装卸。因而,在对供液用配管561、562、流通控制设备(流量计404、流量调整阀405等)进行维护时,通过从主维护区域对上游侧的供液用配管561及下游侧的供液用配管562进行装卸,能够使供液用配管561、562与流通控制设备组402断开、连接,因此,易于进行维护作业、装置的组装作业,作业者的负担可以较小。
在此,流通控制设备单元40不限定于构成为将支承板401从壳体基体46朝向主维护区域拆卸自如的情况,也可以将支承板401固定在壳体基体46内。例如在将流通控制设备组402构成为从支承板401拆卸自如的情况下,通过设为上游侧连接部403、下游侧连接部406与主维护区域面对,能够得到易于对流通控制设备组402进行卸下这样的效果。
另外,通过在支承板401上安装流通控制设备组402而构成的流通控制设备单元40不限定于设在具有多台液处理单元2的液处理装置1中的情况,例如也可以设在只具有1台液处理单元2的液处理装置1中。
此外,能够应用上述的各实施方式的液处理装置不限定于供给酸性、碱性的处理液而对晶圆W进行液处理的情况,也能够应用于在晶圆W的表面例如利用镀液进行的镀处理、利用蚀刻液进行的蚀刻处理等各种液处理。
附图标记说明
W、晶圆;1、液处理装置;2、液处理单元;3、排气管;4、流通控制模块;40、流通控制设备单元;402、流通控制器组;403、上游侧连接部;406下游侧连接部;46、壳体基体;5、供液用主配管;6、排液用主配管;7、控制部。

Claims (9)

1.一种液处理装置,其用于对基板进行液处理,其特征在于,
该液处理装置包括:
多个液处理单元,其用于利用处理液对基板进行液处理;
供液用配管,为了将处理液供给到液处理单元中,该供液用配管的一端侧与液处理单元连接、该供液用配管的另一端侧被引绕到该液处理单元的下侧;
壳体,其内部安装有介于该供液用配管之间的包括流量计和流量调整阀的流通控制设备组;
上述多个液处理单元横向排列地配置,上述壳体在上述多个液处理单元的下方沿着由上述液处理单元排列而成的列设置;
上游侧连接部和下游侧连接部,其均以面朝位于该液处理装置的侧方且与由上述液处理单元排列而成的列面对的主维护区域的方式设在该壳体内,该上游侧连接部用于相对于比上述流通控制设备组靠上游侧的供液用配管进行装卸,该下游侧连接部用于相对于比上述流通控制设备组靠下游侧的供液用配管进行装卸。
2.根据权利要求1所述的液处理装置,其特征在于,
上述上游侧连接部设在上述壳体内的下部侧的位置,上述下游侧连接部设在该壳体内的上部侧的位置。
3.根据权利要求1所述的液处理装置,其特征在于,
上述流通控制设备组借助支承构件安装在上述壳体中,该支承构件用于集中配置该流通控制设备组,该支承构件被设置成向主维护区域侧抽出自如。
4.根据权利要求3所述的液处理装置,其特征在于,
上述供液用配管与处理液的种类相对应地设有多条;
上述支承构件设为针对每种供液用配管抽出自如。
5.根据权利要求1~4中的任意一项所述的液处理装置,其特征在于,
在上述液处理装置的靠主维护区域侧的侧面上设有盖体,该盖体用于在将上述流通控制设备组向主维护区域敞开的状态、将主维护区域和上述流通控制设备组划分开的状态这两种状态之中选择一种状态。
6.根据权利要求1~4中的任意一项所述的液处理装置,其特征在于,
从上述主维护区域观察时,用于对来自液处理单元的液体进行排液的排液用配管隔着上述流通控制设备组设在与上述主维护区域相反的一侧。
7.根据权利要求6所述的液处理装置,其特征在于,
上述排液用配管固定设置于该液处理装置。
8.根据权利要求7所述的液处理装置,其特征在于,
在从隔着上述液处理单元与主维护区域相对的位置面朝该液处理单元的位置,设有能够用于维护上述排液用配管的副维护区域。
9.根据权利要求1~4中的任意一项所述的液处理装置,其特征在于,
与各液处理单元相对应的流通控制设备组安装在共同的壳体中。
CN201110458178.7A 2010-12-28 2011-12-27 液处理装置 Active CN102543710B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010293669A JP5146527B2 (ja) 2010-12-28 2010-12-28 液処理装置
JP2010-293669 2010-12-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102543710A CN102543710A (zh) 2012-07-04
CN102543710B true CN102543710B (zh) 2015-10-07

Family

ID=46315245

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110458178.7A Active CN102543710B (zh) 2010-12-28 2011-12-27 液处理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20120160353A1 (zh)
JP (1) JP5146527B2 (zh)
KR (1) KR101652773B1 (zh)
CN (1) CN102543710B (zh)
TW (1) TWI423854B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6033048B2 (ja) * 2012-11-15 2016-11-30 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP6484563B2 (ja) * 2013-12-26 2019-03-13 コニカミノルタ株式会社 電子デバイスの印刷製造システム
KR102163847B1 (ko) * 2014-05-21 2020-10-12 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 장비의 설치 방법
JP6289341B2 (ja) * 2014-10-31 2018-03-07 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、排気切替ユニットおよび基板液処理方法
JP6571022B2 (ja) * 2016-02-04 2019-09-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR20200115884A (ko) * 2019-03-28 2020-10-08 삼성디스플레이 주식회사 감압 건조 장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101114579A (zh) * 2006-07-26 2008-01-30 东京毅力科创株式会社 液体处理***
CN101447401A (zh) * 2007-10-23 2009-06-03 细美事有限公司 基底处理装置及其制造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6457199B1 (en) * 2000-10-12 2002-10-01 Lam Research Corporation Substrate processing in an immersion, scrub and dry system
JP2002224630A (ja) * 2001-01-22 2002-08-13 L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude 洗浄装置及び方法
US20080163900A1 (en) * 2007-01-05 2008-07-10 Douglas Richards Ipa delivery system for drying
JP5406518B2 (ja) * 2008-12-18 2014-02-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101114579A (zh) * 2006-07-26 2008-01-30 东京毅力科创株式会社 液体处理***
CN101447401A (zh) * 2007-10-23 2009-06-03 细美事有限公司 基底处理装置及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201244831A (en) 2012-11-16
CN102543710A (zh) 2012-07-04
JP5146527B2 (ja) 2013-02-20
US20120160353A1 (en) 2012-06-28
KR101652773B1 (ko) 2016-08-31
TWI423854B (zh) 2014-01-21
JP2012142405A (ja) 2012-07-26
KR20120075430A (ko) 2012-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102569132B (zh) 液处理装置
CN102543710B (zh) 液处理装置
US7849864B2 (en) Liquid processing system
CN102034727B (zh) 基板处理装置
KR102434098B1 (ko) 기판 액처리 장치
US8978670B2 (en) Substrate processing apparatus
JP6289341B2 (ja) 基板液処理装置、排気切替ユニットおよび基板液処理方法
KR102518708B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2015006652A (ja) 基板処理装置およびノズル洗浄方法
CN104766795A (zh) 基板处理装置的控制装置、基板处理装置及显示控制装置
JP6611893B2 (ja) 基板液処理装置
KR102644203B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
KR200496544Y1 (ko) 기판 처리 장치
KR20240067804A (ko) 기판 처리 장치
JP2019140307A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant