CN106206235A - 等离子体处理装置和聚焦环 - Google Patents

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Abstract

本发明提供等离子体处理装置和聚焦环，其能够抑制伴随聚焦环的消耗的空孔的倾斜度的变动。等离子体处理装置包括腔室、载置台(2)和聚焦环(8)。在腔室中对半导体晶片(W)进行等离子体处理。载置台(2)设置在腔室的内部，具有用于载置半导体晶片(W)的保持面(9a)。聚焦环(8)以包围载置于保持面(9a)的半导体晶片(W)的方式设置在载置台的周围，从内周侧向外周侧去依次形成有比保持面(9a)低的第一平坦部(8a)、比第一平坦部(8a)低的第二平坦部(8b)和比第一平坦部(8a)高的第三平坦部(8c)。

Description

等离子体处理装置和聚焦环
技术领域
本发明的各方面和实施方式涉及等离子体处理装置和聚焦环。
背景技术
现有技术中，在等离子体处理装置中，在配置于腔室的内部的载置台载置被处理体。在载置台以包围在载置面载置的被处理体的方式设置有导电边界环(也称为聚焦环)。作为这样的聚焦环，例如已知一种聚焦环，其从内周侧向外周侧去依次形成有比载置台的载置面低的第一平坦部和比第一平坦部和被处理体的被处理面高的第二平坦部(例如参照下述专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：登录实用新案第3166974号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
但是，当反复进行对被处理体的处理时，聚焦环会发生消耗。当聚焦环消耗时，聚焦环的形状改变，形成在聚焦环的上方的等离子体鞘层与形成在被处理体的上方的等离子体鞘层之间的高度的大小关系发生变化。因此，由于聚焦环的消耗，等离子体中的离子等颗粒入射至被处理体的倾斜度发生变动。
当随着聚焦环的消耗，等离子体中的离子等颗粒向被处理体入射的倾斜度的变动较大时，难以将空穴(hole)的倾斜度的偏差限制在预先规定的规格内。因此，要在空穴的倾斜度的偏差超过预先规定的规格之前，更换聚焦环。如果频繁地更换聚焦环，则每次都要停止处理，处理的通过量下降。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方面例如是一种等离子体处理装置，其包括腔室、载置台和聚焦环。在腔室中对被处理体进行等离子体处理。载置台设置在腔室的内部，具有用于载置被处理体的载置面。聚焦环以包围载置于载置面的被处理体的方式设置在载置台的周围，从内周侧向外周侧去依次形成有比载置面低的第一平坦部、比第一平坦部低的第二平坦部和比第一平坦部高的第三平坦部。
发明效果
根据本发明的各方面和实施方式，能够抑制随着聚焦环的消耗而发生的空穴的倾斜度的变动。
附图说明
图1是示意性地表示等离子体处理装置整体的概略结构的一个例子的截面图。
图2是示意性地表示聚焦环、半导体晶片、静电吸盘和载置台的位置关系的一个例子的放大截面图。
图3是表示现有技术中的伴随聚焦环消耗的离子入射方向的倾斜度的变动的说明图。
图4是表示实施方式中的伴随聚焦环消耗的离子入射方向的倾斜度的变动的说明图。
图5是表示实施方式中的聚焦环的一个例子的截面图。
图6是表示第二平坦部的厚度、第三平坦部的厚度和从聚焦环的中心到壁面的距离与空穴的倾斜度的变动量的改善率的关系的模拟结果的一个例子的图。
图7是表示聚焦环的截面形状的另一例子的图。
图8是表示聚焦环的截面形状的另一例子的图。
图9是表示聚焦环的截面形状的另一例子的图。
图10是表示聚焦环的截面形状的另一例子的图。
图11是表示聚焦环的截面形状的另一例子的图。
附图标记说明
W 半导体晶片
100 等离子体处理装置
1 腔室
2 载置台
8 聚焦环
8a 第一平坦部
8b 第二平坦部
8c 第三平坦部
9 静电吸盘
9a 保持面。
具体实施方式
等离子体处理装置在1个实施方式中包括腔室、载置台和聚焦环。在腔室中对被处理体进行等离子体处理。载置台设置在腔室的内部，具有用于载置被处理体的载置面。聚焦环是以包围载置于载置面的被处理体的方式设置在载置台的周围的聚焦环，从内周侧向外周侧去依次形成有比载置面低的第一平坦部、比第一平坦部低的第二平坦部和比第一平坦部高的第三平坦部。
此外，在公开的等离子体处理装置的1个实施方式中，可以在第一平坦部与第二平坦部之间，设置有随着从聚焦环的内周侧向外周侧去而变低的倾斜面。
此外，在公开的等离子体处理装置的1个实施方式中，可以在第二平坦部与第三平坦部之间，设置有随着从聚焦环的内周侧向外周侧去而变高的倾斜面。
此外，在公开的等离子体处理装置的1个实施方式中，可以在第二平坦部与第三平坦部之间，设置有在聚焦环的厚度方向上从第二平坦部延伸到第一高度的壁面部，倾斜面设置在从第一高度到第三平坦部之间。
此外，在公开的等离子体处理装置的1个实施方式中可以是，第一高度与从第二平坦部到第一平坦部的高度相同或比其高。
此外，在公开的等离子体处理装置的1个实施方式中可以是，在聚焦环的径向上，第一平坦部的宽度比第二平坦部的宽度窄。
此外，在公开的等离子体处理装置的1个实施方式中可以是，在聚焦环的径向上，第二平坦部的宽度比第三平坦部的宽度窄。
此外，在公开的等离子体处理装置的1个实施方式中可以是，第三平坦部设置在比载置于载置台的载置面上的被处理体的被处理面高的位置。
此外，在公开的等离子体处理装置的1个实施方式中可以是，第一平坦部设置在比载置台的载置面低的位置。
此外，在公开的聚焦环的1个实施方式是，一种聚焦环，设置在用于对被处理体进行等离子体处理的腔室的内部，以包围载置于载置台的载置面上的被处理体的方式设置在载置台的周围，该聚焦环包括比载置面低的第一平坦部、比第一平坦部低的第二平坦部和比第一平坦部高的第三平坦部，第一平坦部、第二平坦部和第三平坦部从聚焦环的内周侧向外周侧去依次配置。
此外，在公开的聚焦环的1个实施方式中可以是，在第一平坦部与第二平坦部之间，设置有随着从聚焦环的内周侧向外周侧去变低的倾斜面。
此外，在公开的聚焦环的1个实施方式中可以是，在第二平坦部与第三平坦部之间，设置有随着从聚焦环的内周侧向外周侧去变高的倾斜面。
此外，在公开的聚焦环的1个实施方式中可以是，在第二平坦部与第三平坦部之间，在聚焦环的厚度方向上设置有从第二平坦部延伸到第一高度的壁面部，倾斜面设置在从第一高度到第三平坦部之间。
此外，在公开的聚焦环的1个实施方式中可以是，第一高度与从第二平坦部到第一平坦部的高度相同或比其高。
此外，在公开的聚焦环的1个实施方式中可以是，在聚焦环的径向上，第一平坦部的宽度比第二平坦部的宽度窄。
此外，在公开的聚焦环的1个实施方式中可以是，在聚焦环的径向上，第二平坦部的宽度比第三平坦部的宽度窄。
此外，在公开的聚焦环的1个实施方式中可以是，第三平坦部设置在比载置于载置台的载置面的被处理体的被处理面高的位置。
此外，在公开的聚焦环的1个实施方式中可以是，第一平坦部设置在比载置台的载置面低的位置。
以下基于附图对等离子体处理装置和聚焦环的实施方式进行详细说明。另外，本发明并不限定于本实施方式。此外，各实施方式在处理内容不会出现矛盾的范围中能够适当组合。
[等离子体处理装置100的结构]
图1是示意性地表示等离子体处理装置100整体的概略结构的一个例子的截面图。如图1所示，等离子体处理装置100具有构成处理室的圆筒状的腔室1，该处理室构成为能够将内部气密地闭塞。腔室1例如由铝等形成。在腔室1的内部设置有载置台2，该载置台2载置作为被处理体的半导体晶片W，且作为下部电极起作用。载置台2例如由铝等导电性材料形成为块状。
载置台2隔着陶瓷等绝缘板3支承于腔室1内。在载置台2的上表面设置有用于吸附半导体晶片W的静电吸盘9。静电吸盘9由绝缘体形成，在内部具有电极9b。电极9b与直流电源10连接。在静电吸盘9的上表面形成有保持半导体晶片W的保持面9a。静电吸盘9利用从直流电源10施加到电极9b的直流电压所产生的库伦力，在保持面9a吸附保持半导体晶片W。
静电吸盘9的保持面9a相当于载置台2的载置面。由此，以下将静电吸盘9、绝缘性部材31、导电性部材32和载置台2一起表示为“载置台2”，将载置台2的载置面表示为“静电吸盘9的保持面9a”。
在静电吸盘9的外周形成有周边肩部9c。周边肩部9c的上表面比保持面9a低。在静电吸盘9的周边肩部9c的外侧面配置例如由石英等形成的绝缘性部材31。此外，在静电吸盘9的周边肩部9c的上表面配置例如由铝等形成的导电性部材32。
此外，在载置台2的内部设置有：使作为用于温度控制的热介质的绝缘性流体循环的流路4；和用于将氦气等温度控制用的气体供给到半导体晶片W的背面的气体流路5。通过使控制为规定温度的绝缘性流体在流路4内循环，将载置台2控制在规定温度，向该载置台2与半导体晶片W的背面之间经由气体流路5供给温度控制用的气体，以促进它们之间的热交换，由此，载置台2能够高精度且高效率地将载置于载置面的半导体晶片W控制在规定温度。
在载置台2经由匹配器6连接有高频电源7。高频电源7将规定的频率的高频电力经由匹配器6供给到载置台2。
此外，如图1所示，等离子体处理装置100具有以包围载置于载置台2的载置面即静电吸盘9的保持面9a的半导体晶片W的方式设置在载置台2的周围的聚焦环8。聚焦环8例如由硅、碳、SiC等导电性材料形成为环状。
此外，在聚焦环8的外侧设置有形成为环状的排气环11。在排气环11形成有多个排气孔。经由排气环11，利用与排气口12连接的真空泵等排气装置13，腔室1内的处理空间被真空排气。
另一方面，在载置台2的上方的腔室1的顶部，喷淋头14以与载置台2相对的方式设置。喷淋头14和载置台2作为一对电极(上部电极和下部电极)起作用。此外，在喷淋头14经由匹配器15连接有高频电源16。
喷淋头14在下表面设置有多个气体排出孔17，在其上部具有气体导入部18。在喷淋头14的内部形成有气体扩散用空隙19。气体导入部18与气体供给配管20的一端连接，在气体供给配管20的另一端连接有气体供给***21。气体供给***21具有：用于控制气体流量的质量流量控制器(MFC)22；和用于供给例如蚀刻用的处理气体等的处理气体供给源23。
[聚焦环8的详细]
接着，使用图2进一步说明图1所示的聚焦环8。图2是示意性地表示聚焦环8、半导体晶片W、静电吸盘9和载置台2的位置关系的一个例子的放大截面图。
例如像图2所示那样，第一平坦部8a、第二平坦部8b、第三平坦部8c从聚焦环8的内周侧(图2的左侧)到外周侧(图2的右侧)依次形成于聚焦环8。第一平坦部8a比载置台2的载置面即静电吸盘9的保持面9a低，一部分配置在半导体晶片W之下。第二平坦部8b配置在比第一平坦部8a低的位置。第三平坦部8c配置在比第一平坦部8a高的位置。在本实施方式中，第三平坦部8c配置在比载置于静电吸盘9的保持面9a的半导体晶片W的被处理面高的位置。
此外，在本实施方式的聚焦环8中，在聚焦环8的径向(图2的左右方向)上，第一平坦部8a的宽度L1比第二平坦部8b的宽度L2窄。此外，在聚焦环8的径向上，第二平坦部8b的宽度L2比第三平坦部8c的宽度L3窄。
此处，关于在聚焦环8形成第一平坦部8a、第二平坦部8b和第三平坦部8c的理由，一边对比现有技术的聚焦环FR和本实施方式的聚焦环8一边进行说明。图3是表示随着现有技术的聚焦环FR的消耗而发生的离子的入射方向的倾斜度的变动的说明图。图4是表示随着实施方式的聚焦环8的消耗而发生的离子的入射方向的倾斜度的变动的说明图。另外，在图3所示的聚焦环FR中，从聚焦环FR的内周侧向外周侧去依次形成比载置台2的载置面即静电吸盘9的保持面9a低的第一平坦面8i、比半导体晶片W的被处理面高的第二平坦面8k。此外，在第一平坦面8i与第二平坦面8k之间，形成有随着从聚焦环FR的内周侧向外周侧去而变高的倾斜面8j。
首先，使用图3说明现有技术的聚焦环FR。在聚焦环FR没有消耗时，例如像图3的(a)所示，聚焦环FR的上方的等离子体鞘层形成在比半导体晶片W的上方的等离子体鞘层高的位置。此时，在半导体晶片W的周缘部附近，等离子体中的离子从半导体晶片W的被处理面的中心部向周缘部倾斜入射。由此，在半导体晶片W的被处理面的周缘部附近形成的空穴的形状，相对于铅垂方向，向半导体晶片W的被处理面的周缘部倾斜。
于是，当聚焦环FR由于等离子体而消耗时，聚焦环FR的高度变低。由此，例如像图3的(b)所示，聚焦环FR的上方的等离子体鞘层的位置变低，与在半导体晶片W的中心部附近的上方形成的等离子体鞘层相比，在半导体晶片W的周缘部附近的上方形成的等离子体鞘层的位置变低。由此，在半导体晶片W的周缘部附近，等离子体中的离子从半导体晶片W的被处理面的周缘部向中心部倾斜入射。由此，在半导体晶片W的被处理面的周缘部附近形成的空穴的形状，相对于铅垂方向，向半导体晶片W的被处理面的中心部倾斜。
在现有技术的聚焦环FR中，在图3的(a)所例示的等离子体鞘层的分布中，在半导体晶片W的被处理面的周缘部附近形成的空穴，相对于铅垂方向，向半导体晶片W的被处理面的周缘部例如倾斜1度，在图3的(b)所例示的等离子体鞘层的分布中，在半导体晶片W的被处理面的周缘部附近形成的空穴，相对于铅垂方向，向半导体晶片W的被处理面的中心部例如倾斜1度。此时，以半导体晶片W的被处理面的周缘部侧为正的角度，聚焦环FR消耗规定量时的空穴的倾斜度的变动量为1度－(－1度)＝2度。
接着，使用图4说明实施方式的聚焦环8。在聚焦环8没有消耗时，例如像图4的(a)所示，聚焦环8的上方的等离子体鞘层形成于比半导体晶片W的上方的等离子体鞘层高的位置，在半导体晶片W的被处理面的周缘部附近，等离子体中的离子从半导体晶片W的被处理面的中心部向周缘部倾斜入射。由此，在半导体晶片W的被处理面的周缘部附近形成的空穴，相对于铅垂方向，向半导体晶片W的被处理面的周缘部倾斜。另外，在图4的(a)中，为了与图3的(a)进行比较，假设是在聚焦环8没有消耗时，在半导体晶片W的周缘部附近形成的空穴的倾斜度为与图3的(a)相同的倾斜度的聚焦环8的形状。
聚焦环8由于等离子体成为与图3的(b)所示的现有技术的聚焦环FR相同程度的消耗量时，例如像图4的(b)所示，第三平坦部8c的高度变低。由此，例如像图4的(b)所示，第三平坦部8c的上方的等离子体鞘层的位置变低。由此，在半导体晶片W的周缘部附近，等离子体中的离子从半导体晶片W的被处理面的周缘部向中心部倾斜入射。由此，在半导体晶片W的被处理面的周缘部附近形成的空穴，相对于铅垂方向，向半导体晶片W的被处理面的中心部倾斜。
此处，本实施方式的聚焦环8由于等离子体而整体消耗，但聚焦环8的截面形状得以维持。因此，本实施方式的聚焦环8中，在由于等离子体而消耗时，也能够维持在第二平坦部8b的上方低、在第三平坦部8c的上方高的等离子体鞘层的分布。因此，即使在与现有技术的聚焦环FR为相同程度的消耗量时，在半导体晶片W的周缘部附近，等离子体中的离子从半导体晶片W的被处理面的周缘部向中心部倾斜入射的角度与现有技术的聚焦环FR相比较小。
本实施方式的聚焦环8中，没有等离子体引起的消耗时，半导体晶片W的周缘部附近的空穴形状向半导体晶片W的周缘部例如倾斜1度，当等离子体引起的消耗量与图3的(b)所示的现有技术的聚焦环FR为相同程度时，例如像图4的(b)所示，空穴形状向半导体晶片W的中心部例如倾斜0.5度。此时，聚焦环8消耗规定量时的空穴的倾斜度的变动量为1度－(－0.5度)＝1.5度。
这样，本实施方式的聚焦环8从内周侧向外周侧去依次形成有第一平坦部8a、第二平坦部8b、第三平坦部8c，第二平坦部8b比第一平坦部8a低，第三平坦部8c比第一平坦部8a高。由此，在由于等离子体而聚焦环8发生了消耗时，也能够将在半导体晶片W的被处理面的上方形成的等离子体鞘层的分布的变动抑制得较低。因此，能够将在半导体晶片W的被处理面形成的空穴的倾斜度的变动量抑制得比现有技术的聚焦环FR少。由此，能够使聚焦环8的更换频率变少，提高处理的通过量。
[模拟结果]
接着，说明对第二平坦部8b的厚度和第三平坦部8c的厚度等与离子的入射方向的倾斜度的改善率的关系进行的模拟的结果。图5是表示实施方式的聚焦环的一个例子的截面图。在模拟中，例如如图5所示，将第一平坦部8a的部分中的聚焦环8的厚度定义为T1，将第二平坦部8b的部分中的聚焦环8的厚度定义为T2，将第三平坦部8c的部分中的聚焦环8的厚度定义为T3。此外，例如如图5所示，将从由聚焦环8的内周面描绘出的圆的中心到第二平坦部8b与第三平坦部8c之间的壁面8d的距离定义为φ。
此外，在本实施方式中，作为对象的聚焦环8中的空穴的倾斜度的变动量的改善率I(％)，在使作为基准的聚焦环中的空穴的倾斜度的变动量为θ1，使作为对象的聚焦环8中的空穴的倾斜度的变动量为θ2时，定义为I＝{(θ1/θ2)－1}×100。作为基准的聚焦环使用例如图3中例示的现有技术的聚焦环FR。
图6是表示第二平坦部8b的厚度T2、第三平坦部8c的厚度T3和从聚焦环8的中心到壁面8d的距离φ与空穴的倾斜度的变动量的改善率I的关系的模拟结果的一例的图。在图6中，左侧的纵轴表示第二平坦部8b的厚度T2，右侧的纵轴表示第三平坦部8c的厚度T3，均表示为相对于第一平坦部8a的厚度T1的比。此外，图6的实线表示第三平坦部8c的厚度T3。此外，图6中横轴表示从聚焦环8的中心到壁面8d的距离φ，表示为相对于聚焦环8的内径的比。此外，在图6中，空穴的倾斜度的变动量的改善率I在每个规定的值的范围中以不同的阴影线表示。
参照图6所示的模拟结果，例如，在第二平坦部8b的厚度T2为第一平坦部8a的厚度T1的约0.9倍、从聚焦环8的中心到壁面8d的距离φ为约1.065、第三平坦部8c的厚度T3为第一平坦部8a的厚度T1的约2.2倍的A点处，空穴的倾斜度的变动量的改善率I成为40～50％的范围内的值。
根据图6所示的模拟结果可知，随着在图6中从上向下去，即第二平坦部8b的厚度T2越薄，空穴的倾斜度的变动量的改善率I越为提高。例如，当第二平坦部8b的厚度T2比第一平坦部8a的厚度T1薄，即第二平坦部8b的位置比第一平坦部8a的位置低时，能够使空穴的倾斜度的变动量的改善率I为40％以上。
这样，在图1和图2所示的形状的聚焦环8中，通过使第二平坦部8b的位置比第一平坦部8a的位置低，能够使空穴的倾斜度的变动量的改善率I为40％以上。
此外，根据图6所示的模拟结果可知，随着从图6的左上向右下去，即从聚焦环8的中心到壁面8d的距离φ越长且第三平坦部8c的厚度T3相比于第一平坦部8a的厚度T1越厚，空穴的倾斜度的变动量的改善率I越提高。例如，当第二平坦部8b的厚度T2比第一平坦部8a的厚度T1薄时，能够使空穴的倾斜度的变动量的改善率I为40％。例如当第二平坦部8b的厚度T2比第一平坦部8a的厚度T1薄，且从聚焦环8的中心到壁面8d的距离φ比约1.065长，且第三平坦部8c的厚度T3为第一平坦部8a的厚度T1的约2.2倍以上时，空穴的倾斜度的变动量的改善率I为40％以上。
这样，在图1和图2所示的形状的聚焦环8中，使第二平坦部8b的厚度T2比第一平坦部8a的厚度T1薄，且使从聚焦环8的中心到壁面8d的距离φ比约1.065长，且使第三平坦部8c的厚度T3为第一平坦部8a的厚度T1的约2.2倍以上，由此能够使空穴的倾斜度的变动量的改善率I为40％以上。
以上说明了一个实施方式。由上述说明可知，根据本实施方式的等离子体处理装置100，能够抑制伴随聚焦环8的消耗的空穴的倾斜度的变动。
另外本发明的技术并不限定于上述实施方式，在其主旨的范围内能够进行各种变形。
例如作为另一例子，聚焦环8的截面形状也可以是图7～图9所示的形状。图7～图9是表示聚焦环8的截面形状的另一例子的图。例如图7所例示的聚焦环8中，在第一平坦部8a与第二平坦部8b之间，设置有随着从聚焦环8的内周侧向外周侧去变低的倾斜面8e。此外，例如图8所例示的聚焦环8中，在第二平坦部8b与第三平坦部8c之间，设置有随着从聚焦环8的内周侧向外周侧去变高的倾斜面8f。此外，例如图9所例示的聚焦环8中，在第一平坦部8a与第二平坦部8b之间，设置有随着从聚焦环8的内周侧向外周侧去变低的倾斜面8e，并且在第二平坦部8b与第三平坦部8c之间，设置有随着从聚焦环8的内周侧向外周侧去变高的倾斜面8f。
此外，例如作为另一例子，聚焦环8的截面形状可以是图10所示的形状。图10是表示聚焦环8的截面形状的另一例子的图。例如在图10所例示的聚焦环8中，在第二平坦部8b与第三平坦部3c之间，设置有在聚焦环8的厚度方向上从第二平坦部8b延伸到高度为h1的壁面部8g。此外，在从壁面部8g的高度h1的位置到第三平坦部3c之间设置有倾斜面8f。此外，在图10所例示的聚焦环8中，壁面部8g的高度h1比从第二平坦部8b到第一平坦部8a的高度h2高。另外，壁面部8g的高度h1也可以是与从第二平坦部8b到第一平坦部8a的高度h2相同的高度。
此外，在图10所例示的聚焦环8中，在第一平坦部8a与第二平坦部8b之间，例如像图11所示那样，也可以设置有随着从聚焦环8的内周侧向外周侧去变低的倾斜面8e。图11是表示聚焦环8的截面形状的另一例子的图。
此外，在上述实施方式中，以对半导体晶片W进行使用等离子体的蚀刻的等离子体处理装置100为例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。只要聚焦环8的截面形状为图1～图2或图7～图11所示的形状，则在使用等离子体进行成膜的装置、将在半导体晶片W上层叠的膜使用等离子体改性的装置等中，也能够应用上述聚焦环8。
以上，使用实施方式说明了本发明，但本发明的技术范围并不限定于上述实施方式中记载的范围。本领域的技术人员当然明确能够对上述实施方式进行多种变更或改良。此外，进行了这样的变更或改良的方式也包含于本发明的技术范围，这根据权利要求的范围的记载能够明确。

Claims (18)

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
用于对被处理体进行等离子体处理的腔室；
设置在所述腔室的内部，具有用于载置所述被处理体的载置面的载置台；和
聚焦环，其以包围载置于所述载置面的所述被处理体的方式设置在所述载置台的周围，从内周侧向外周侧去依次形成有比所述载置面低的第一平坦部、比所述第一平坦部低的第二平坦部和比所述第一平坦部高的第三平坦部。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
在所述第一平坦部与所述第二平坦部之间，设置有随着从所述聚焦环的内周侧向外周侧去而变低的倾斜面。
3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
在所述第二平坦部与所述第三平坦部之间，设置有随着从所述聚焦环的内周侧向外周侧去而变高的倾斜面。
4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：
在所述第二平坦部与所述第三平坦部之间，设置有在所述聚焦环的厚度方向上从所述第二平坦部延伸到第一高度的壁面部，
所述倾斜面设置在从所述第一高度到所述第三平坦部之间。
5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述第一高度与从所述第二平坦部到所述第一平坦部的高度相同或比其高。
6.如权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
在所述聚焦环的径向上，所述第一平坦部的宽度比所述第二平坦部的宽度窄。
7.如权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
在所述聚焦环的径向上，所述第二平坦部的宽度比所述第三平坦部的宽度窄。
8.如权利要求1～7中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述第三平坦部设置在比载置于所述载置台的载置面上的所述被处理体的被处理面高的位置。
9.如权利要求1～8中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述第一平坦部设置在比所述载置台的载置面低的位置。
10.一种聚焦环，其设置在用于对被处理体进行等离子体处理的腔室的内部，以包围载置于载置台的载置面上的所述被处理体的方式设置在所述载置台的周围，所述聚焦环的特征在于：
包括比所述载置面低的第一平坦部、比所述第一平坦部低的第二平坦部和比所述第一平坦部高的第三平坦部，
所述第一平坦部、所述第二平坦部和所述第三平坦部从所述聚焦环的内周侧向外周侧去依次配置。
11.如权利要求10所述的聚焦环，其特征在于：
在所述第一平坦部与所述第二平坦部之间，设置有随着从所述聚焦环的内周侧向外周侧去变低的倾斜面。
12.如权利要求10或11所述的聚焦环，其特征在于：
在所述第二平坦部与所述第三平坦部之间，设置有随着从所述聚焦环的内周侧向外周侧去变高的倾斜面。
13.如权利要求12所述的聚焦环，其特征在于：
在所述第二平坦部与所述第三平坦部之间，设置有在所述聚焦环的厚度方向上从所述第二平坦部延伸到第一高度的壁面部，
所述倾斜面设置在从所述第一高度到所述第三平坦部之间。
14.如权利要求13所述的聚焦环，其特征在于：
所述第一高度与从所述第二平坦部到所述第一平坦部的高度相同或比其高。
15.如权利要求10～14中任一项所述的聚焦环，其特征在于：
在所述聚焦环的径向上，所述第一平坦部的宽度比所述第二平坦部的宽度窄。
16.如权利要求10～15中任一项所述的聚焦环，其特征在于：
在所述聚焦环的径向上，所述第二平坦部的宽度比所述第三平坦部的宽度窄。
17.如权利要求10～16中任一项所述的聚焦环，其特征在于：
所述第三平坦部设置在比载置于所述载置台的载置面的所述被处理体的被处理面高的位置。
18.如权利要求10～17中任一项所述的聚焦环，其特征在于：
所述第一平坦部设置在比所述载置台的载置面低的位置。
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